TWI290767B - Liquid crystal display and thin film transistor array panel therefor - Google Patents

Description

1290767 玖、發明說明： 【發明所屬t技術領域】 本發明係有關於液晶顯示器及其薄膜電晶體陣列面板。 【先前技術】 典型的液晶顯示器（LCD)包含一供置有一共用電極及一 彩色濾光片陣列之上部面板、一供置有複數個薄膜電晶體 (TFTs)及複數個電極之底部面板，以及—介置於彼等其間 的液晶層。像素電極及該共用電極會被提供以電壓，而其 間的電壓差脅:產生電場。電場變異性會改變該液晶層内之 液晶分子的指肖’從而改變通過該液晶層的透光性。因此 ，藉由調整像素電極與共用電極之間的電壓差，該[CD即 可顯示出所欲影像像。 由於LCD具有一項視角狹窄的主要缺點，現已發展出多 項技術以增加視角。在這些技術中’以在像素電極及相對 於各者之共用電極上提供切截或投射’併連同按該等面板 俾垂直對齊液晶分子最具發展性。 可精產生邊紋場域以調整液晶分子的傾斜方向，在像素 電極及共用電極兩者上提供切截而獲寬廣視角。 '

在像素電極及共用電極兩者上提供投射會扭 Λ-Α- α .X 整液晶分子的傾斜方向 在此’也可藉由在底立 、 原σ卩面板上之像素電極處供置切截 以及在上部面柄卜夕 反上之/、用電極上供置投射的方式， 用以調整液晶分+ Μ + 1 ^ ^ , 刀子傾斜方向俾構成複數個局域的邊紋· 域0 84179 1290767 在這些用以-擴大視角的技術中，供置切截會產生一迪問 題，意、即會t要額外的微影餘刻步驟以樣式化該共用電極 ，會要請求加以覆蓋俾防止因彩色濾光片内之染劑所造成 的液晶材料污染，以及因靠近樣式電極邊緣所造成的嚴重 向錯（disclination)等問題。供置投射也會產生問題，即其 製造方法會為繁ί貞，因為這會要求額外的投射構成處理步 驟’或是處遂步驟的修飾作業。此外，會因投涉及切截而 降低了孔徑比例。 【發明内容】. 茲提供-種薄膜電晶體陣列面板，其中包含：一絕緣基 板；複數條控制線，彼等係供置於該基板上並含㈣一及 第二控制、線；複數條資料線’彼等係供4於該基板上並含 有第一及第二資料線；一像素電極，經供置於該基板上並 具有一切截；一場域控制電極，經供置於該基板上並重疊 於該切截；-第-切換元件，以回應於-來自該第一控： 線之第一控制信號，從該第一資料線施加一第一信號給該 ，素電極；以及一第二切換元件，用以控制一待施加於該 場域控制電極的第二信號。 最好，該等第一及第二切換元件會是在不同時刻為作用 中，而該第一切換元件在該第二切換元件之後方為作用中 為宜。而以在啟動該第一切換元件後，隨即令該第—切換 元件為作用中可屬更佳。 备可從各資料線其一供應該第二信號，且該第二切換元件 曰回應於來自該第二控制線的第二控制信號，將該第二信 84179 1290767 5虎施加於該場域控制電極。 該第，信錢從該第一資料線，或從鄰近於該第一資料 、之弟一資料線其一所提供。 4 %域控制電極最好是重疊於該像素電極。 合：場域控制電極，以及該等控制線或該等資料線其一， 曰各有大致相同的薄層。 ^專膜電晶體陣列進—步包含—絕緣層，介置於該場域 工t ㈣像素電極間，且具有—與該㈣重疊的渠槽。 取好’ I亥薄膜電晶體陣列面板進一步包含一位於該資料 線之下的半導體層為佳。 ::供-種根據本發明一具體實施例之液晶顯示器’此 人：二.：第-面板，含有複數條控制線，此第一面板包 第二控制、線；複數條資料線，其中包含第-及第 才:，像素電極，此者具有一切t ; 一場域控制電 一 〜 弟刀換兀件，電子連接於該第 :1、、弟―資料線及該像素電極·，以及—絕緣層，介 重疊的胖；—// 且具有—與該切截 人 弟一面板，此第二面板相對置放於該第一 二3有—共用電極；以及一液晶層，介 弟二面板間。 而 根據本發明之一 之一具體實施例，

^ DCE 1 + sd'7d 對於正Vn， ^DCE <Vp 1 + ed' ---- e'd 對於負vp ’其中vdce為場域控制電極相對 84179 1290767 於該共用電極-的電壓，v焱你主+ 雷® “八 P為像素電極相對於該共用電極的 電壓，ε及d分別為該液日 电位扪 d，八mo 的介電係數及厚度，而ε |及 J為3亥、、、巴緣層的介電係數及厚度。 lc 根據本發明之另-具體實施例，其中c 為該像素電極與該共用 與該場域控制電極間的電容，W:’CDCE為該像素電極 係數及厚度，而ε，及d,/X 刀別為《晶層的介電 該：…刀別為該絕緣層的介電係數及厚度。 制待Γ:攻好是進一步包含-第二切換元件，以控 、予靶於5亥％域控制電極的信號。 最好，該箄篦, 中—刀換元件會是在不同時刻為作用 二弟—切換元件在該第二切換元件之後方為作用中 為且。而以在啟動兮黛 甲 元件… 換元件後，隨即令該第-切換 70件為作用中可屬更佳。 换 各式為第二切換元件係連接到該第二控制線” 口貝只斗線之一及該場域控制電極。 右么方式為’對該像素電極及該場域控制電極供岸以呈 有相對於供以進行第二切換元：、應以具 序列之it田干π π 弟切換凡件啟動作業 J之/、用電極電壓為目同極性的電極。 兹提供一種根據本發明 此者包含例之液晶顯示器， 包含 — 板，含有複數條控制線，此第一面板 第二弟一控制線；複數條資料線’其中包含第一及 一負料線，一像素電極，b1 # 電極h 此者具有-切截；-場域控制 〜切截相重疊；一第-切換元件’以回應於一來 84179 -9 - 1290767 自該第一控制線之第一控制信號，從該第一資料線施加一 第一信號給該1象素電極；及一第二切換元件，用以控制一 待施加於該場域控制電極的第二信號；一第二面板，此第 二面板相對置放於該第一面板並含有一共用電極；以及一 液晶層’介置於該第一及第二面板間，其中，在一序列的 第一切換元件及第二切換元件啟動作業裡，該第二切換元 件會在該第一切換元件之前為作用中，而該第一及第二信 號會具有相對於該啟動作業序列之共用電極的電壓為相同 極性。 取好，在啟動該第一切換元件後，隨即令該第一切換元 件為作用中更佳。 【實施方式】 現將參知、於各隨附圖式以詳細說明本發明，其中各圖繪 列有本發明較佳具體實施例。然確可按不同形式以實作本 t明，且不應詮釋為受限於本文所設載之各具體實施例。 在各圖式裡，為便說明確將各薄層厚度及範圍略予誇大 王文内相仿編號參指於類似元件。在此，當指稱一元件 像疋薄層、範圍或基板，係位於另一元件之，，上”時， 應瞭解可直接地位於另—元件上，或者是出現有其他的間 置凡件。相對地，當指稱一元件係”直接地位於另一元件之 上’’時’則不會出現有其他的間置元件。 見將簽知、後附圖式以詳細說明根據本發明具體實施例之 LCDs。 、 圖1A及1B係根據本發明具體實施例之1^〇平面略圖，而 84179 1290767 圖2係一根據本發明一具體實施例之乙(：：1)截面略圖。 一根據本發1 月—具體實施例之LCD含有一底部面板1〇〇、一 面朝該底部面板1〇〇之上部面板2〇〇,以及一液晶層3，此層 係介置於該底部面板100與該上部面板200間，並含有複數 個按垂直於該面板100及200表面所對齊之液晶分子。 在該底部面板1〇〇的底部絕緣基板11〇上供置有複數個閘 器線121及複數個資料線171。該等閘器線121及資料線171 係經一絕緣器140而彼此絕緣且相互交又。而該等閘器線 121及資料線·ι71彼等各一之組對可定義一像素。 於該底部絕緣基板11 〇上，供置有一經絕緣器i 8〇而彼此 絕緣之像素電極（PE) 190及方向控制電極⑴CE) 178組對。 該DCE 1 78包含大致與該資料線！ 7丨相同的薄層，然此者亦 可含有大致與該閘器線i 2 1相同的薄層。該pE i 90具有一切 截191 ’這會與該DCE 178重疊。該PE190透過一 PETFTT! 連接到一閘器線12 1及資料線1 7 1組對，而OCL· 1 78則是透過 一 DCE TFT T2連接到另一閘器線121及資料線m组對。連 接到該DCE TFT T2的閘器線121會在連接到該pe TFT L的 閘為線121之前，即如圖1 a所示。或另者，將一對PE TFT Ti 及DCE TFT T2連接到相同的資料線m，即如圖1B所示。 該PE TFT L會回應於一來自該閘器線m的電壓，將電壓 從相關資料線171傳送到該pe 190，而該DCE TFT T2會回應 於一來自前一閘器線的電壓，將電壓從相關資料線1 7丨傳送 到該 DCE 178。 一儲存電極133亦供置於該底部基板110上，並含有大致 84179 -11 - 1290767 與閘器線12-1相同的薄層。該儲存電極133係經該絕緣器i4〇 及180而與該爾器線121、資料線m、像素電極及該 178相互絕緣，並和該像素電極相重疊。 置於該上部面板200的上部絕緣基板21〇上供置有一共用 私極270 ’亚供應以一共用電壓Vc〇m，此電壓也會提供給 該儲存電極1 3 3。 如圖2所示之液晶顯示器各種導體可構成複數個電容器 該像素電極i90及該共用電極27〇可構成一液晶電容器c ’而該儲存電.極133及該像素電極19〇可構成一⑯晶電容器 ’以強化該液晶電容器Clc的電荷儲存容量。該方向控 制电極178連同該像素電極19〇構成一 dce電容器，連 同該共用電極270構成一電容器Cld，而連同該儲存電極133 構成一電容器CDG。 該像素電極i 9 0及該共用電極2 7 〇在介置其間的液晶層3 内產生一電場。該液晶層3内的液晶分子按照此電場而改變 Γ二向Λ更改穿經該LCD的透光性。該電場在靠近該切截 士处3弓曲以構成-邊紋場域，而這可決定當施加該電場 =液晶分子的傾斜方向。該dce Μ及該像素電極削也 运產生一電場以控制液晶分子的斜傾方向。 現將參照圖3A到3C以詳細說明如圖ia、⑺及2所示之 ⑽運作内容’圖中分別地按箭頭與虛線以顯 在各圖中，Vp係一跨於該液晶 =:者。即如前述，液晶分子會垂直地對齊於該面板 及2〇〇，並傾向於與該電場為正交對齊。 亦即施 電容器CLC的電壓 84179 -12- 1290767 加於该像素電極190的電壓減去該共用電極vc〇m，而VdCe 為施加於該DCE 178的電壓減去該共用電極Vc〇m。為便說 明’兹假定該共用電極270係經接地，亦即vcom = 〇。然後 ，Vp會被視為是施加於該像素電極19〇的電壓，而會被 視為是施加於該DCE 178的電壓。此外，該液晶層3的介電 係數及厚度係分別標如ε及d，而該絕緣層！ 8〇的介電係數 及厚度係分別標如ε，及d，。此外，施加於該像素電極19〇 的電壓Vp會具有一正值。 即如圖3A所示，當無DCE時，在該液晶層3内靠近該叩 190之邊緣192和193以及靠近該切截191處的電場，會因該 PE 1 90和该切截1 91之邊緣的幾何性而被扭曲。詳細地說， 靠近該PE 19〇之邊緣丨92和B3以及靠近該切截1Ql處的電 場，會從該PE 190向外朝向該共用電極27〇。考量到在該pE 190左邊緣192與該切截191左邊緣191間之範圍内的pE 19〇 液晶分子，此處稱為一範域。靠近該切截191左邊緣與該pE 190邊緣192的液晶分子會互為相對傾斜，而該範域内的液 晶分子傾斜方向，則是會從該切截191左邊緣到該左邊緣 192而改變。同樣地，該切截191右邊緣與該pE 19〇右邊緣 193之間的範域内液晶分子傾斜方向，會從該切截ΐ9ι右邊 緣到該PE 190右邊緣193而逐漸改變。 當施於该DCE 178的電壓VDCE高於施於該PE 19〇的電壓 VP—預設值時，該液晶層3内靠近該切截191邊緣處的電場 屬直線方式，且垂直於該面板1〇〇及2〇〇，即如圖3β所示。 對於具負值的電壓Vp，該DCE電壓Vdce會比該像素電壓％ 84179 -13- 1290767 低該預設值~。- 當施於該DCE 178的電壓VDCE比起施於該PE 190的電壓 VP高出大於上述預設值之數值時，液晶層3内靠近該pE 19〇 各邊緣192或193及該切截191之對應邊緣處的電場，會是類 似於如圖3c所示者。詳細地說，靠近左邊緣192及靠近該切 截1 91之左邊緣的電場，會從該pE 190向左朝於該共用電極 27〇°類似地、，靠近右邊緣}%及靠近該切截191之右邊緣的 電場，會從該PE 190向右朝於該共用電極27〇。從而，靠近 該切截191邊緣以及該PE 19〇對應邊緣192或193的液晶分 子會大致朝向相同方向傾斜，而在各範域内的液晶分子傾 斜方向會屬均勻。對於具負值的電壓Vp，該〇〇£電壓Vdu 應該比該像素電壓Vp低一個高於該預設值的數值。 根據本發明之一具體實施例，當 晶層3内靠近該切截191的電場會屬直線方式，且垂直於該 面板100及200，即如圖3B所示。當對於正像素電壓v ， >v. 1 + εά'77 以及當對於負像素電壓v 1 + sd' e'd 時 ，可獲乾域内的液晶分子均勻傾斜方向，即如圖％所示 不過，讓對於正像素電壓Vp F π丄· β ^DC.E p 1 + e'd 素電壓Vf 1 + sd、 而對於負像 的電壓vDCE，會給定如圖3A内所 不的類似條件，而這並不會產獲液晶分子均勾傾斜方向。 =二㈣設該共用電極27。和該像素電極19。為表面電 何源而獲得上述結論。 84179 -14- 1290767 該像素電極VP及該DCE電屙v , - 土 VDCE可如下式給定·· vp =Elc xd ;以及 Vdce 二弘p + Ep x d ’ =Vp + ~cT έ (1) (2) 其中ELC係該液晶層3内的雷 幻包％，EP係该絕緣層18〇内 ，σ〇及σ分別為該共用電極 句 # 一 、 /U舁忒像素電極190上的表面 何松度，而Α為該像素電極j 9〇 ^ 對應面積。 的面積μ共用電極270的相 該液晶層3内的電場扭曲係因該像素電極19〇的額外 電荷所造成。從而，當在該像素電極19Q上並無淨表面電荷

時即可防止電場扭曲。亦P ^ ± A 方P ’该像素電極1 90的表面電荷密 度σ等於σ〇時。由於從等式（1)，f，故等式（2)， (3) 因此，本案申請人得出結論，即施於該DCE 178的電壓 VDCE會而於施於該像素電極19〇的正電壓vp一預定值，以 獲得液晶分子均勻傾斜方向。相反地，施於該DCE 178的電 壓VDCE會低於施於該像素電極19〇的負電壓Vp一預定值。 此外’本案申請人亦已發現，如圖1A及1B所示之LCD内 ’當早先於PE TFT T〗而啟動DCE TFT T2，且電壓VDCd々極 性與DCE電壓VP者相同時，電壓vDCE會大於DCE電壓VP， 後文中將參照圖4進一步說明。 圖4係一如圖1A及2所示之LCD電路略圖。在圖4裡，圖2 84179 -15- 1290767 内的電容器CLd及CDG會被忽略不計，這是因為CLD及CDG的 電容極微，JT共用電壓Vcom為零。 在施用閘器啟動電壓於一先前閘器線Gh之前，該PE TFT Τ!及該DCE TFT 丁2會為關閉狀態。當施加閘器啟動電壓於 該先前閘器線GN1時，就會對於該DCE 178施加一正資料電 壓。然後’该PE 1 90的電壓VP會根據連接於該共用電極2 7〇 與該DCE 178間之電容器CDCE、CLC及CST間的電壓分布而改 變，而具有一低於該DCE 178之電壓VDCE的數值。之後， 將該DCE TFT. TJI閉以令DCE 178浮動。該DCE 178浮動會 使得跨於該DCE電容器CDCE上的電壓為一常數。從而，無 論該PE 190的電壓如何變化，該浮動dce 178的電壓vDCE 將會總是大於該PE 190的電壓VP。例如，假使當像素TFT Τι 啟動時該PE 190的電壓VP增加，該DCE電壓VDCE將會隨著 該PE電壓VP增加而提高，藉此維持跨於該〇〔£電容界c 上的電壓。 類似地’無論該PE 190的電壓如何變化，該dce 178的電 壓V D c E將會總是低於該P E 1 9 0的電壓v p。 本案申請人亦已發現可按如下條件而獲穩定範域，即 ^-ClV Ινρ + νη|>-^|νΐ 2Cdce+ClcI ρ 叫Ι ρ卜 (4) 或者 〉 2CDCli+CLC ^'d ^ (5) 在此，Vj-1為當啟動先前閘器線時所待# τ Γ/丨付鈮予的資料電 84179 -16- 1290767 亦即待施於該DCE 1 78的資料電壓。 假設相較^CDCE及Clc，電容Cld與Cdg，以及該等TF丁 丁1 和丁2的各閘器與吸極間之寄生電容cgd皆為可 獲得此項結果。 該像素電極190的電壓Vp與該DCE 178的電壓¥〇^可如 下式給定： 忽略時，即可 c

Clc +CLD +2Cgd g«i ~(CLD+Cgd)2(ν〇1Ί-⑹

Cdce +CLD +C

▽DCH % V c

LC

(Vp+U

2Cdce+Clcv p H ⑺ 在此’ Vj為待施予該像素電極i 9 〇的資料電谭。 藉以该等式7來代換該VDCE，則為要獲得穩定範域之ν〇〇Ε<νρ^~λ

Vnr, >V 1 + sd' s'd (正）及 syd (負）關係可變為 -DCE 卞 Llc Cr ν.、+^^7(νΡ + νΗ)〉Ά(正) (8) 從等式8的兩端減去vp，可得到正)，或 <OCE τ CLc 2Cdce +Clc edl (VW# (負）。 (9) 由於V p及Vj 具有相同極性，因此不等式9會變成 84179 -17- 1290767

Clc 、 2CDCE+CLC fd’ 或 （10) —>过 2—J2C1 + 1 ^'d C[x： 從而’可藉由調整電容cDCE/cLC比、介電係數ε / ε，比以 及距離d’/d比，來獲得穩定範域。 其次，茲參照圖5A及5B以詳細說明一根據本發明具體實 施例之LCD。 圖5 A係一根據本發明具體實施例之LCD佈置圖，而圖5B 係一如圖5A所示之LCD而沿直線該vb-VB，的截面圖。 一根據本發明具體實施例之；LCD包含一底部面板1〇〇、一 面朝該底部面板1〇〇之上部面板2〇〇，以及一液晶層3，此層 係介置於該底部面板100與該上部面板2〇〇間，並含有複數 個按垂直於該面板1〇〇及2〇〇表面所對齊之液晶分子。 在該底部絕緣基板110上構成有複數條閘器線121及複數 個儲存電極131。該等閘器線121大致按旅跨方向所延伸， 亚大致互為平行，且各閘器線含有複數個延展組對，這些 可構成第一及第二閘器電極12乜及12仆。該等儲存電極i3i 大致平行於該等閘器線121所延伸，且各儲存電極131含有 枝幹與複數個構成梯狀物之第一到第四分支133^133(1集 、、且虞第分支1 3 3 a從该枝幹按橫向方向延伸，而第二分 支133b含有一連接到該枝幹的橫向局部及一連接到該橫向 局部末端的旅跨局部。該第三及第四分支133c&l33d按旅 跨方向延伸，並連接該第一分支133a與該第二分支13讣。 該等閘器線丨2丨及儲存電極131會最好是由鋁、鉻或彼等 84179 -18 - 1290767 、鉬或銦-合金所製成。該等閘器線121及儲存電極i3i 會最好是包含。一由具極佳物理及化學特徵之鉻或鉬合金所 、、、成的薄層，以及另一由具低電阻性之鋁或銀合金所組成 勺薄層此外，忒荨閘裔線12 1的平側邊係經尖錐化，而該 等平側邊相對於水平表面傾角的範圍為3〇_8〇度。 在該閘器線121及該儲存電極131上構成一閘器絕緣層 140 〇 在該閘為絕緣層140上構成有複數個半導體條帶15丨及複 數個半導體隔·島158，這些最好是由氫化非晶系矽質（s_si) 所組成。各個半導體條帶1 5 1按橫向方向延伸，並位在屬於 該儲存電極131之鄰接分支集組133a-133d的第一分支133& 與第一分支133b間。各半導體條帶151包含複數個置放於靠 近該閘器電極124a及124b的擴充物154，這些會構成TFT通 迢。该等半導體隔島15 8位於靠近該第二分支13儿與該儲存 電極131的弟二及第四分支133c和133d交叉處。 在半導體條帶1 5 1上，構成有複數個電阻接觸條帶1 6丨集 組及複數個電阻接觸隔島165a及165b組對，最好是由石夕化 物或氫化s-Si並重度摻以n型不純物所組成。在該等半導體 隔島158上亦構成有複數個電阻接觸隔島（未以圖示）。 半導體條帶及隔島1 5 1和1 5 8以及電阻接觸條帶與隔〜 161、165a及165b的側邊皆經尖錐化，且其傾角的範圍為 30-80 度。 在電阻接觸條帶16卜電阻接觸隔島165a及165b以及該閑 器絕緣層140上，構成有複數個資料線i 7丨集組及複數個第 84179 -19- 1290767 一及第二吸極-電極175a&175b組對。資料線m大致沿該等 半導體條帶151與電阻接觸條帶161而朝橫向方向延伸，並 交叉於閘器線121及儲存電極131。各條資料線171包含複數 個構成第一及第二來源電極173&及17讣，且延伸到該等半 導體條帶151之擴充物154上的擴充物組對集組。這些第一 及第二來源電極173a&173b會分別地相對於該等閘器電極 124a及124b，位於第一及第二吸極電極175&及n5b的相反 位置處。吸極電極175&及17讣從該擴充物154延伸到該儲存 電極131的枝幹處。該等半導體條帶151的擴充物154完全覆 盍閘器線12 1及資料線丨7丨的交叉處，以確保彼等間的絕緣 性，且该等半導體條帶丨5丨在靠近資料線丨7丨和儲存電極B工 的交叉處會變得較寬，以具有大於資料線寬度的寬度，藉 以確保彼等間的絕緣性，而同時大部分的半導體條帶i 5工 會比資料線1 7 1為窄。 在半導體隔島158上的閘器絕緣層14〇及電阻接觸隔島上 構成有複數個DCE 178。各個DCE 178包含複數個位於各個 由儲存電極131環繞之區域間的χ形片段。這些又形片段會 經互連178a及178b，靠近該半導體隔島158而串列連接，且 這些X形片段的最上部分是連接到第二吸極電極l75b。連接 各X形片段的互連178a及178b會與該儲存電極131的分支 133c及133d、半導體隔島158及其上的電阻接觸隔島相互交 又，以確保互連178a及178b與分支133c及133d之間的絕緣 性。 資料線17卜吸極電極175&及17513以及dcEs 178會最好是 84179 •20- 1290767 由鋁、鉻或彼專合金、鉬或鉬合金所製成。該等資料線工7工 、吸極電極lT5a及175b以及DCEs 178會最好是包含一由具 極仏物理及化學特徵之鉻或銦合金所組成的薄層，以及另 一由具低電阻性之鋁或銀合金所組成的薄層。此外，資料 線17卜吸極電極175&及175b&&DCEs 178的平側邊係經尖 錐化，且平侧邊相對於水平表面傾角的範圍為3〇_8〇度。 電阻接觸條帶及隔島16卜165&及165b只有在半導體條帶 和隔島151和158以及資料線171、吸極電極175&和17讣與 DCEs 178間才·會被介置，藉此減少其間的接觸電阻性，且 會將部分的半導體條帶和隔島151和158從資料線17卜吸極 電極175a和175b與DCEs 178曝出。 第一閘器電極124a、第一來源電極1733及第一吸極電極 175a，連同一部份位於該第一來源電極173&與該第一吸極 電極175a之間的半導體條帶151，可構成一τρτ以控制一待 施於該像素電極190的電壓，而第二閘器電極12讣、第二來 源電極173b及第二吸極電極17处’連同二部份位於該第二 來源電極173b與該第二吸極電極175b之間的半導體條帶 151，可構成二TFT以控制二待施於該Dce 178的電壓。 於資料線17卜吸極電極175&和1751?及1)(：以178以及半導 體條帶和隔島151和158之曝出局部上構成有一被動層18〇 ，此者最好是由氮化矽或有機絕緣物所製成。 該被動層1 80供置有複數個曝出該第一吸極電極口化之 接觸孔洞183，和複數個曝出資料線m終端局部的接觸孔 洞182。閘器絕緣層14〇及被動層18〇供置有複數個曝出閘器 84179 -21- 1290767 、、泉12 1終端局_部的接觸孔洞1 $ 1。在此供置接觸孔洞1 $ 1及 182以電子連摟於一外部裝置，並可具不同形狀，像是多邊 形或圓形。接觸孔洞181或182的面積會最好是大於等於0.5 宅米χ15微米，且不大於2毫米X6〇微米。 在该被動層180上供置有複數個像素電極19〇舆複數個接 觸辅助物91及92。這些像素電極19〇與接觸輔助物91及92 會最好是由氧化銦鋅（ΙΖΟ)或氧化銦錫（ΙΤ0)所製成。 各個像素電極190係透過接觸孔洞183連接到該第一吸極 包極175a’並县有複數個X狀切截191與複數個線性切截μ〕 狀切截！9丨會與〇〇£178的\狀局部相互重疊以曝出大部 分的DCE 178,而同時線性切截192是與儲存電極131的第三 及第四分支133c及133d相重疊。各個像素電極19〇會DCE 178與相重疊，而此者係經由—爪，靠近切截i9i，而連 接到先丽閘器線121及一先前資料線171，以構成一 dce電 容器cDCE，而像素電極190也會與儲存電極i3i相重疊以構 成一儲存電容器CST。 接觸輔助物91及92會透過接觸孔洞181及182而連接至問 器線m及資料線171的曝出終端局部。該等接觸輔助物91 及92係屬選擇性質’但最好具之為宜，以分別地保護閉器 線1 2 1及資料線1 7 1的夂日美+ R Μ 、， 貝竹&日]口曝出局部，並以補強TFT陣列面板 與對其之驅動IC s的黏著性。 在此’除供置有該等接觸輔助物91及92的區域外，會在 該上部面板100的整個表面上鍍置一對齊層U。 根據本發明另一具體實施例 供置有複數個金屬隔島（未 84179 -22- 1290767 以圖示），此-等最好是由與閘器線121或資料線i7i相同的金 屬戶”成，缝近於閘器線121及/或資料線m終端局部處 。這些金屬隔島可透過複數個供置於被動層i 8〇及/或閘器 絕緣層14G的接觸孔洞（未以圖示），而連到該等接觸辅㈣ 91 及 92。 根據本發明另一具體實施例，會略除該儲存電極I) 1，而 像素包極1'9〇會與閘裔線12丨重疊以構成儲存電容器。 根據本叙明另一具體實施例，該DCE ^ 78會含有與閘器線 12 1大致相同的薄層。 其次’將詳細說明上部面板2 1 0。 於上部基板2 1 〇上構成有一用以防阻光線溢漏的暗黑矩 陣220，以及複數個經交替排置之红、綠及藍光濾光鏡 忒基板最好是由像是玻璃之透明絕緣材料所製成。於該 暗黑矩陣220及該等濾光鏡230上構成一共用電極270，此者 最好是由像是ITO或IZO之透明導體材料所製成，而於該共 用電極270上鍍置一對齊層21。 遠液晶層3具有負介電的各向異性及同向性對齊方式，在 此含納於該液晶層3内的複數個液晶分子會被對齊，使得彼 等主要軸線會大致垂直於底部及上部面板1〇〇及2〇〇而並無 電場。 對月並組I该底部面板1 〇 〇及該上部面板2 0 0的方式，係 為令該像素電極1 90可與彩色濾光鏡23 0及閘器線1 2 1相重 ® ’而資料線171及TFT會被該暗黑矩陣220所覆蓋。按此 方式’可獲得複數個被切截191及192所分割的範域，而這 84179 -23 - 1290767 是藉由DCE&178所穩定化。 茲參照圖6或則9B以及圖5 A和5B，以描述一種如圖$ a根 據本發明一具體實施例所示之LCD的TFT陣列面板製程方 法。

圖6A、7A、8A及9A係一如圖5A及5B所示之LCD的TFT 陣列面板佈置圖，依序地說明其根據本發明一具體實施例 之製程方法，、而圖6B、7B、8B及9B則係一如圖6A、7A、 8A及9A所示之TFT陣列面板截面圖，彼等係分別地沿直線 VIB_VIB’、VIIB_VIIB，、νΐΙΙΒ·νιΙΙΒ，及 ΙχΒ_Ιχβ，所截切者。 首先，即如圖6A與6B所示，一金屬層經濺鍍於一基板1〇 上，並經光蝕刻以構成複數個閘器線13丨與複數個儲存電極 13卜 接著，利用化學氣相沉積技術，依序地沉積出一具i 5〇〇_ 5000埃（A)厚度的閘器絕緣層140 '一具5〇〇-2〇〇〇埃厚度的 氫化a-Si層以及一具300-600埃厚度的摻質氫化a_Si層。在 沉積出三個薄層之後，利用一光阻樣式將上兩個薄層，亦 即該摻質a-Si層及該a-Si層，予以光影餘刻，以構成出複數 個摻質a_Si條帶164和複數個半導體條帶及隔島151及158 ，即如圖7A及7B。在此步驟裡，也會於該料導體隔島158 上構成出複數個摻質a_Si隔島（未以圖示）。 即如圖8A及8B所示，濺鍍出一具1 500-3000埃厚度的金屬 層並予以光影蝕刻，俾構成複數個資料線m、複數個吸極 電極心與⑽以及複數個沉匕m。然後，將部分的換 質心條帶164移除，這些是不被資料線⑺及吸極電極 84179 -24- 1290767 與175b所覆盍者，以自此切隔出複數個電阻接觸條帶Mi 及複數個電is接觸隔島165aA165b，並曝出資料線m與吸 極電極175a與l75b之間的半導體條帶151局部。在此，也會 將該半導體隔島178上的摻f a-Si隔島局部移除，這些是不 被DCEs 178所覆蓋者。 然後，藉由鍍置一具低介電常數與良好極化特徵之有機 絶緣材料’或藉由像是具小於等於4.0介電常數之Si〇F或 SiOC等的低介電絕緣材料CVD處理，構成出一被動層⑽ 之後利用光阻樣式，將該被動層1 80及該閘器絕緣層 I40予以光影蝕刻，構成出複數個接觸孔洞181、182和18曰3 ，即如圖9A及9B所示。 即如圖6A及6B所示，沉積出一具1500-500埃厚度之IT〇 或層並利用光阻樣式予以光影蝕刻，構成出複數個 像素電極190及複數個接觸輔助物91及92，且最終將一對齊 層11鍍置於該基板110上。 片 現參照圖10Α及10Β以詳細說明一根據本發明另一具體 實施例之LCD的TFT陣列面板。 圖10 A係一根據本發明另一具體實施例之T F τ陣列面板 佈置圖，而圖刚係一如圖1〇Α所示之TFT陣列面板沿直線 XB-XBf的截面圖。 會在一絕緣基板110上構成複數個閘器線121及複數個儲 存電極131。各條閘器線包含複數個擴充物組對，可構成第 一及第二閘器電極12乜及12仆。各儲存電極i3i包含一枝幹 與複數個構成梯狀物之第一到第四分支U3a_i33d集組。該 84179 -25- 1290767 』刀^ 133.a包含—連㈣該枝幹的橫向局部，以及 吞亥橫向系都古純U a」 第 接到該橫向苟部末端的於，以及一連 按^〜 局部，第二分支⑽從該枝幹 按也田、向方向延伸。而該第二 弟一及弟四分支133c及133d按旅跨 方向延伸，並連掊古歹筮 卫遷接n亥弟一分支133a與該第二分支13扑。 在該閘器線1 2 1及兮轉 及忒儲存電極131上構成一閘器絕緣層 140 〇 在該閘益絶緣層14〇上構成有複數個半導體條帶⑸及複 數個半導體隔島158，這些最好是φ氫化非晶系石夕質（叫 所、.且成各半導體條帶i 5 i包含複數個三個分支1 ^、Η# 及158集組。各集組内的分支154_ 15朴係置放於靠近個別 的該閘器電極ma及124b以構成TFT通道，而該分支158連 接到分支154b，並含有三個χ型局部。該分支158的各個X 型局部位於一由儲存電極131所劃限之區域内，並且該分支 158的互連是位於靠近該第二分支13儿與該儲存電極13丨的 第三及第四分支133(：和133〇1交叉處。 在半導體條帶1 5 1上，構成有複數個電阻接觸條帶丨6丨集 組及複數個電阻接觸隔島1 65a及1 65b組對，最好是由石夕化 物或氫化a-Si並重度掺以不純物所組成。該電阻接觸隔 島165 a位於罪近半導體條帶ι51的分支154a，而該電阻接觸 隔島165b位於半導體條帶151的分支15朴及158上。位於半 導體條帶151分支158上的電阻接觸隔島165b局部是由編號 168所表示。 在該電阻接觸條帶161以及電阻接觸隔島165a和165b上 構成有複數個資料線1 71集組、複數個第一及第二吸極電 84179 -26 - 1290767 極1 75a與1 75b組對以及複數個連接到該第二吸極電極丨75b 之DCE 178各條資料線171包含複數個構成第一及第二來 源電極173a及173b，且延伸到該等半導體條帶！ 51之擴充物 1 5 4上的擴充物組對集組。 資料線171具有大致與電阻接觸條帶161相同的平面形狀 ，第一吸極電極175a具有大致與電阻接觸隔島165&相同的 平面形狀，而第二吸極電極丨7扑及DCE i 78具有大致與電阻 接觸隔島165b及168相同的平面形狀。而除位於資料線i7i 與吸極電極ΠΜ175_之通道部分料，該半導體條帶 151具有大致資料線17卜吸極電極175&與η%以及ns 相同的平面形狀。 k而，各個DCE 178分別地包含複數個χ形片段，複數個 位於該等X形片段上的互連，以及半導體條帶15丨之分支158 的互連。 第一閘器電極124a、第一來源電極173&及第一吸極電極 二5a，連同一部份位於該第_來源電極i73a與該第一吸極 電極175a之間的電阻接觸條帶161㈣—分支154&，可構成 TFT以控制一待施於該像素電極19〇的電壓，而第二間哭 電極⑽、f」來源電極mb及第二吸極電極㈣，連同 二部份位於該第二來源電極173b與該第二吸極電極175匕之 間的電阻接觸條帶161的第一分支⑽，可構成一 Μ以控 制待施於該DCE 178的電壓。 /皮動層180最好是由氮化矽或有機絕緣物所製成，構成於 貝'料線m、吸極電⑷〜及咖及⑽⑴^以及半導體 84179 -27- 1290767 條帶1 5 1的曝·出局部上。 該被動層Γ80供置有複數個曝出該第一吸極電極17^之 接觸孔洞1 83，和複數個曝出資料線1 7 1終端局部的接觸孔 洞182。閘器絕緣層140及被動層180供置有複數個曝出問器 線1 2 1終端局部的接觸孔洞1 8 1。 在該被動層1 8 0上供置有複數個像素電極i 9 〇與複數個接 觸輔助物9Γ及92。 各個像素電極190係透過接觸孔洞183連接到該第一吸極 電極175a’並·具有複數個X狀切截191與複數個線性切截192 。义狀切截191會與DCE 178的X狀局部相互重疊以曝出大部 为的DCE 1 78 ’而同時線性切截1 92是與儲存電極1 3 1的第三 及第四分支133c及133d相重疊。各個像素電極會 178與相重疊，而此者係經由一 TFT，靠近切截19ι，而連 接到先箣閘線1 2 1及一先前資料線1 7 1，以構成一 DCE電 谷裔CDCE ’而像素電極190也會與儲存電極13丨相重疊以構 成一儲存電容器CST。 接觸輔助物91及92會透過接觸孔洞1 8丨及1 82而連接至閘 器線121及資料線171的曝出終端局部。 在此’除供置有該等接觸辅助物9 1及92的區域外，會在 該上部面板1 〇 〇的整個表面上鑛置一對齊層丨j。 現將參照圖11A到14B以及圖i〇A和10B，以描述一種如圖 10A及10B之TFT陣列面板製程方法。 圖11八、13八及14八係如圖1〇八及1〇3所示之丁？丁陣列面板 佈置圖，依序地說明其根據本發明一具體實施例之製程方 84179 -28- 1290767 法。圖113-、136及146係分別如圖11八、13八及14八所示之 TFT陣列面忙截面圖，而圖12係一於圖11Β及圖13Β間之製 程方法步驟裡的丁FT陣列面板截面圖。 首先，即如圖11A及11B所示，沉積鋁、銀及其合金並進 行光影蝕刻，以構成複數個閘器線12 1及複數個儲存電極 131 〇 即如圖12、所示，利用CVD與濺鍍處理，循序地沉積出一 氮化矽層140、一 a-Si層150、一摻質a-Si層160及一金屬層 1 70 ’此金屬·層最好是由鋁、銀或彼等合金所製成，其上並 艘置以一具厚度1-2微米之光阻薄膜。之後，按如圖12方式 ’經一光罩（未以圖示）令該光阻薄膜曝出於光線並發展之 忒光阻薄膜具有位置相關厚度，且例如包含具有依序遞 減厚度之第一到第三局部。在圖12裡，該第一及第二局部 才不示以PR1及pR2，而第三局部並未另加編號，此係因該第 一局部圖不為具有零厚度，而曝出底下的導體層17〇。可按 照後續處理步驟的處理條件，來調整該等光阻薄膜pRi及

PR2的厚度比，而最好是該第 一局部之厚度的一半為宜， 二局部的厚度會小於等於該 例如小於等於4000埃者。 藉夕種技術而獲得該光阻薄膜的位置相關厚度，例如 1藉由在4曝出遮罩上供置半透明區域以及透明區域和模 :區域。或另者’各半透明區域可具有一切痕樣式、一晶 中介性透光或中介性厚度的薄膜。當採用切痕 、:：日彳’切痕寬度或各切痕間的距離最好是會小於一用於 光刻作業之光線曝出器的解析度。另—範例是利用可 84179 -29- 1290767 重流式光阻-。亦即，一曰菇 之正常* #㈣ —猎用僅具透明區域及模糊區域 之正帝曝先遮罩而構成出一 後，就會受於重9㈤ά 4所製成的光阻樣式 構成出各薄層局部。 阻’藉此 當利用適當處理條株士 _ # ^ 條件％，该光阻薄膜PR1及PR2的不同厚 又可ί、選擇性地蝕刻底下的夂 " 的触刻步驟'，獲得福數’日 ’可藉由一系列 又 S貝料線1 71、複數個吸極電極1 75a 複數jS1DCES 178，和複數個電阻接觸條帶及隔島 、65a及.165b’以及複數個半導體條帶⑸。 =下即一用以構成如圖13A及13β所示之結構的 序列： (1) 移除在該光阻薄膜笛二 寻膘弟二局部下的導體層170、摻質a-Si 層160及a-Si層i5〇各局部； (2) 移除該光阻薄膜第二局部pR2; (3) 矛夕除在该光阻薄膜繁_ 寻膝弟—局部PR2下的導體層170、摻質 a-Si層160各局部；以及 ⑷移除該光阻薄膜第-局部PR1。 另一示範性序列如下·· (1) 私除在该光阻薄膜繁一 导膜弟二局部下的導體層170; (2) 移除該光阻薄膜第二局部PR2; (3) 移除在该光阻薄膜镇— 导膜弟二局部下的摻質a-Si層160及a_Si 層150各局部； (4) 移除在該光阻薄膜第 (5) 移除該光阻薄膜第一 二局部PR2下的導體層170各局部 局部PR1 ;以及 84179 '30. 1290767 (6)移除在、該光阻薄膜第二局部PR2下的摻質a_SW 16〇。 斤私除4光i薄膜的第二局部pR2雖會造成該光阻薄膜的 第局4PR1厚度減少，但這並不會移除掉保護底下各薄層 不致被私除或蝕刻的第一局部pRi，這是因為該第二局部 PR2的厚度會小於該第—局部pR卜 斤藉選^適當的㈣條件，彳同時地移除在該光阻薄膜的 第三局部底'下的光阻薄膜第二局部PR2以及摻質a-Si層16〇 與以層15G的各局部。同樣地，可同時地移除掉該光阻薄 膜第局部P.R1與該光阻薄膜第二局部PR2底下的摻質a-Si 層16〇例如，利用SF6及HC1氣體混合物或SF6及〇2氣體混 合物’光阻薄膜及a_Si層15〇 (或是推質16〇)的蝕除厚 度會近似相同。 如有可藉由灰化處理將存留在該導體層17〇表面上的光 阻殘餘物移除。 用、於弟範例步驟（3)與第二範例步驟（4)中鍅刻摻質 & Sl層I60之蝕刻氣體的範例為CF4及HC1氣體混合物或是 CF4及〇2氣體混合物。利用CF4及〇2氣體混合物可獲得該半 導體層150各蝕刻局部的均勻厚度。 接下來，藉成長出a_Si : c : 〇4a_si : : F、藉氮化矽 DVD處理’或藉鑛置_像是丙烯酸基礎式材料之有機絕緣 材料，以構成被動層18〇。當構成一 a_si: c: 〇層時，會將

SlH(CH3)3、Si〇2(CH3)4、（SiH)4〇4(CH3)4、Si(C2H50)4 等用 來作為基礎來源者、像是N2〇或o2的氧化物，以及氬（Ar) 或氦（He)按氣相方式加以混合，俾流送以供沉積處理。對 84179 •31 - 1290767

Si 〇 F層日寸’會藉流送含有SiH4、SiF4等與〇2額外氣體 之氣體混合物#進行沉積處理。可加輸入CF4作為氟質的第 二來源。即如圖1〇Α及1〇B所示，該被動層ι8〇連同閘器絕 緣層140會被光影蝕刻，以構成複數個接觸孔洞“I、I” 及 183。 最終，可沉積一 ITO層或一 IZ〇層，並予以供影蝕刻，以構 成複數個像素電極i 9〇及構成複數個接觸孔洞9丨及92。 對於 IT〇層’—像是（NH03/(NH4)2Ce(N03)6/H20)的鉻質 姓刻劑可用來作為蝕刻劑，此者並不會透過接觸孔洞1 8 1 1 82及1 83½ |虫閘線12 1、資料線1 71及吸極電極1 75a及 175b的曝出部分。該1zo層最好是按從室溫到200QC之溫度 fe圍所沉積，以將位於接觸處之接觸電阻最小化。一 ιζ〇 層之目標物較佳範例包含In2〇3及ZnO。ZnO的内容最好是 在15 atm%到20 atm%的範圍内。 同時，最好是在沉積該IT0層或IZ〇層之前，先利用氮氣 以進行預熱處理’俾防止透過接觸孔洞丨8 11 82及丨83，而 於閘态線121、資料線171及吸極電極175&及175b的曝出部 分構成氧化金屬。 現將芩照圖1 5A及1 5B以詳細說明一根據本發明另一具 體實施例之L C D。 圖15A係一根據本發明另一具體實施例之lcd佈置圖，而 圖15B係一如圖15A所示之LCD沿直線XVB_XVB，的截面圖。 一根據本發明此項具體實施例之LCD亦包含一底部面板 100、一面朝該底部面板100之上部面板2〇〇，以及一液晶層 84179 -32- 1290767 3,此層係介置於該底部面板1〇〇與該上部面板2〇〇間，並含 有複數個按垂1於該面板100及2〇〇表面所對齊之液晶分子。 在一絕緣基板110上構成有複數個閘器線121及複數個儲 存電極13 1，此係大致沿旅跨方向所延伸。 各閘器線含有複數個擴充物組對，構成第一及第二閘器 電極124a及124b。 各儲存電極13 1含有一枝幹與複數個構成梯狀物之第一 到第四分支USa-nSd集組，此等構成一階梯外型。該第一 分支133a從詨枝幹按橫向方向朝上及朝下延伸。第二分支 133b含有一連接到該枝幹並按橫向方向朝上及朝下延伸的 主要局部，以及兩個連接到該主要局部兩終端並大致按旅 跨方向延伸的次要局部。兩組對的第三及第四分支13虹及 133d分別地從該第一分支133a及該第二分支13讣而按旅跨 方向延伸並朝向彼此。 在该閘為線121及該儲存電極丨3丨上構成一閘器絕緣層丨4〇。 在该閘杰、絕緣層1 40上構成有複數個半導體條帶} 5丨及複 數個半導體隔島158，這些最好是由a_Si所組成。各個半導 體條帶1 5 1按橫向方向延伸，並位在屬於該儲存電極丨3丨之 鄰接分支集組133a-133d的第一分支133a與第二分支133b 間。各半導體條帶1 5 1包含複數個置放於靠近該閘器電極 124a及124b的擴充物154，這些會構成TFT通道。半導體隔 島158位於儲存電極131的枝幹上。 在半導體條帶1 5 1上’構成有複數個電阻接觸條帶1 6 1集 組及複數個電阻接觸隔島1 6 5 a及1 6 5 b組對，這些最好是由 84179 -33- 1290767 石夕化物或氫北s-Si並重度摻以n型不純物所組成。在該等半 導體隔島1581 _亦構成有複數個電阻接觸隔島168。 在電阻接觸條帶16卜電阻接觸隔島165&及l65b以及該閘 器絕緣層140上，構成有複數個資料線m集組及複數個第 一及第二吸極電極l75a&175b組對。 各條資料線171包含複數個構成第一及第二來源電極 173a及173b，且延伸到該等半導體條帶151之擴充物丨54上 的擴充物組對集組，這些來源電極係分別地相對於閘器電 極124a及12仆而位於第一及第二吸極電極17城的相 反位置處。 在閘器絕緣層140及電阻接觸隔島168上構成有複數個 DCEs 178。各個DCE 178包含複數個位於各個由儲存電極 1 3 1 %、％之區域間的父叉處。這些dce 1/78交叉處連接於儲 存電極131之第二及第四分支間的溝槽，且各X形片段其一 者會連接到第二吸極電極175b。DCE會與儲存電極ΐ3ι的枝 幹，以及其上的半導體隔島158與電阻接觸隔島168相互交 叉，俾確保DCE 178與儲存電極131之間的絕緣性。 電阻接觸條帶及隔島161、165a及165b與168只有在半導 體條帶和隔島151和158以及資料線171、吸極電極17“和 175b與DCEs 178間才會被介置，藉此減少其間的接觸電阻 ，且如此會將部分的半導體條帶和隔島1 5 1和1 5 8從資料 線171、吸極電極175&和175b與dCEs ι78曝出。 第一閘器電極124a、第一來源電極173&及第一吸極電極 175a，連同一部份位於該第一來源電極173a與該第一吸極 84179 -34- 1290767 電極175a之〜間的半導體條帶161，可構成一 TFT以控制一待 施於該像素電極190的電壓，而第二閘器電極12仆、第二來 源電極173b及第二吸極電極175b，連同二部份位於該第二 來源電極173b與該第二吸極電極175b之間的半導體條帶 161 ’可構成一 TFT以控制一待施於該dce 178的電壓。 於資料線171、吸極電極l75a和175b及DCEs 178以及半導 體條帶和隔島151和158之曝出局部上構成有一被動層ι8〇 ’此者最好是由氮化矽或有機絕緣物所製成。 該被動層1·80供置有複數個曝出該第一吸極電極175&之 接觸孔洞1 83，和複數個曝出資料線1 7丨終端局部的接觸孔 洞182。閘器絕緣層140及被動層18〇供置有複數個曝出閘器 線12 1終端局部的接觸孔洞丨8丨。該被動層1 8 〇具有複數個溝 槽185 ’可曝出DCEs 178，有助於藉影響液晶分子的傾斜方 向來構成穩定範域。 在該被動層1 80上供置有複數個像素電極1 9〇與複數個接 觸輔助物91及92。 各個像素電極190係透過接觸孔洞1 83連接到該第一吸極 電極175a，並具有複數個交叉狀切截191與複數個線性切截 192。父又狀切截191會與DCE 178的交叉處相互重疊以曝出 该被動層180的溝槽185,而同時線性切截192是與儲存電極 131相重疊。各個像素電極19〇會dCE i 78與相重疊，而此者 係經由一 TFT而連接到先前閘器線} 2丨及一先前資料線i 7 i ，以構成一 DCE電容器CDCE，而像素電極19〇也會與儲存電 極1 3 1相重疊以構成一儲存電容器CsT。 84179 -35- T290767 而除供置有該等接觸輔助物91及92的區域外，會在該上 部面板1 〇〇的^整.個表面上鍍置一對齊層η。 現將詳細說明該上部基板21 〇。 於上部基板2 1 〇上構成有一暗黑矩陣22〇、複數個經交替 排置之紅、綠及藍光濾光鏡230及一共用電極270。可在該 共用電極270上方或下方供至一覆蓋鍍層（未以圖示），並於 該共用電極'270上鍍置一對齊層21。 该液晶層3具有正介電的各向異性及同向性對齊方式，在 此含納於該夜晶層3内的複數個液晶分子會被對齊，使得彼 等主要轴線會大致平行於底部及上部面板1 〇〇及2〇〇而並無 電％。這些液晶分子從該底部面板1〇〇到該上部面板2〇〇會 敢好具有扭曲結構。 本毛明較佳具體貫施例雖如前詳述，然應了解對於熟諳 本項技藝人士明屬顯見之本發明基本概念變化及/或修飾 確仍歸屬如後申請專利範圍所定義之本發明精神及範圍 内。 【圖式簡單說明】 按於其較佳具體實施例詳細說明並參照於隨附圖式，本 發明上述及其他優點可為顯而易見，其中： 图及1Β係根據本發明各具體實施例之LCDs平面略 圖。 圖2係一根據本發明一具體實施例之LCD截面略圖。 圖3 A至3C顯示出一根據本發明一具體實施例之lcd的電 場及等電位線。 84179 -36- 1290767 圖4係如圖_1A及2所繪之LCD電路略圖。 圖5 A係一裉據本發明一具體實施例之佈置圖。 圖5B係一如圖5A所示之LCD沿直線VB-VB’的截面圖。 圖6A、7A、8A及9A係一如圖5A及5B所示之LCD的TFT 陣列面板佈置圖，依序地說明其根據本發明一具體實施例 之製程方法。 圖6B、7B'、8B及9B係一如圖6A、7A、8A及9A所示之LCD 的TFT陣列面板截面圖，彼等係分別沿直線VIB_VIB，、 VIIB-VIIB，、. VIIIB_VIIIB，及 IXB-IXB，所截切者。 圖10A係一根據本發明另一具體實施例之TFT陣列面板 佈置圖。 圖1ΌΒ係一如圖10A所示之TFT陣列面板沿直線XB-XBf 的截面圖。 圖11八、13八及14八係如圖10八及106所示之丁？丁陣列面板 佈置圖，依序地說明其根據本發明一具體實施例之製程方 法。

圖11B、13B及14B係分別如圖11A、13A及14A所示之TFT 陣列面板截面圖。 圖12係一於圖11B及圖13B間之製程方法步驟裡的TFT陣 列面板截面圖。 圖15A係一根據本發明另一具體實施例之LCD佈置圖。以 及 圖15B係一如圖15A所示之LCD沿直線XVB-XVB’的截面 圖0 84179 -37- 1290767 【圖式代表符號說明】 3 波晶層 11 對齊層 91 接觸輔助物 92 接觸輔助物 100 底部面板 110 底部絕緣基板 121 閘器線 124a 第一閘器電極 124b 第二閘器電極 131 儲存電極 133a 分支 133b 分支 133c 分支 133d 分支 133 儲存電極 140 絕緣器 151 半導體條帶 154 擴充物 154a 分支 154b 分支 154c 分支 158 半導體隔島 160 摻雜s - S i層 84179 -38 ~電阻接觸條帶 換"雜a-Si條帶 電阻接觸隔島 電阻接觸隔島 電阻接觸隔島165b局部 資料線 第一來源電極 第二來源電極 第一吸極電極 第二吸極電極 方向控制電極（DCE) 互連 互連 絕緣器 接觸孔洞 接觸孔洞 接觸孔洞 像素電極（PE) 切截 邊緣 邊緣 上部面板 上部絕緣基板 共用電極 -39-

Claims (1)

129〇7紹_9號專

利申請案 中文申請專利範圍替換本(96本V弓) 拾、申請專利範圍： 1· 種薄膜電晶體陣列面板，其中包含： 一絕緣基板； 及 及 複數條控制線，彼等係供置於該基板上並含有第 第二控制線； 複數條資料線，彼等係供置於該基板上並含有第 第二資料線； 一像素電極，經供置於該基板上並具有一切截； 一場域控制電極，經供置於該基板上並重疊於該切截； 一第一切換元件，回應於一來自該第一控制線之第一 控制信號，而從該第一資料線施加一第一信號給該像素 電極；以及 μ 第一切換元件，用以控制一待施加於該場域控制電 極的第二信號。 2. 3. 4. 5. 2申請專利範圍第1項之薄膜電晶體陣列面板，其中該 第一及第二切換元件係在不同時刻為作用中。 如申請專利範圍第2項之薄臈電晶體陣列面板，其中該 第二切換元件會在該第—切換元件之前為作用中〇 如申請專利範圍第3項之薄臈電晶體陣列面板，… 第一切換元件會在啟動該第—切換元件後立即作用； :申凊專利範圍第3項之薄臈電晶體陣列面板，其中可 從各資料線其一供應該第二 回應於來自該第二弟 元件會 第拴制線的第二控制信號，將該第二信 號施加於該場域控制電極。 84179-960116.doc 列面板，其中該 列面板，其中該 Α第二資料線鄰 面板，其中該

1290767 6. 如申”月專利圍第5項之薄膜電晶體陣 第一仏谠疋彳心該第—資料線所供應。 7. 如申請專利範圍第5項之薄膜電晶體陣 第二信號是從該第二資料線所提供，而 近於該第一資料線。 8·如申請專利範圍第丨項之薄膜電晶體陣列 場域控制電極最好是重疊於該像素電極 9·如申請專利範圍第!項之薄膜電晶體陣列面板，其中該 等場域控制電極及控制線含有大致相同的薄層。 10·如申請專利範圍第1項之薄膜電晶體陣列面板，其中該 等場域控制電極及資料線含有大致相同的薄層。 11.如申請專利範圍第1項之薄膜電晶體陣列面板，其中進 一步包含一絕緣層，介置於該場域控制電極與該像素電 極間，且具有一與該切截重疊的渠槽。 12·如申请專利範圍第1項之薄膜電晶體陣列面板，其中進 一步包含一位於該資料線之下的半導體層。 13. —種液晶顯示器，此者包含： 一第一面板，含有複數條控制線，此第一面板包含第 一及第二控制線；複數條資料線，其中包含第一及第二 資料線；一像素電極’其具有一切截，一場域控制電極 與該切截相重疊；一第一切換元件，電連接於該第一控 制線、第一資料線及該像素電極；以及一絕緣層，介置 於該場域控制電極與該像素電極間； 一第二面板，此第二面板相對置放於該第一面板並含 84179-960116.doc 1290767 有一共用電極；以及 一液晶層，介置於該第一及第二面板間； 其中 ’ + D用於正 v 而‘ + • V εά) F V eyd J 用於負vp，其中vdce為場域控制電極相對於該共用電極 的電塵’ Vp為像素電極相對於該共用電極的電壓，ε及 d为別為4液晶層的介電係數及厚度，而ε ’及d，分別為 該絕緣層的介電係數及厚度。 · H.如申請專利範圍第13項之液晶顯示器，其中進一步包含 鲁 一第二切換元件，以控制待予施於該場域控制電極的信 號。 15·如申請專利範圍第14項之液晶顯示器，其中該等第一及 第二切換元件會是在不同時刻為作用中。 16.如申請專利範圍第15項之液晶顯示器，其中該第二切換 元件會在該第一切換元件之前為作用中。 17·如申請專利範圍第1 6項之液晶顯示器，其中該第一切換 元件會在啟動該第一切換元件即屬作用中。 _ 18·如申請專利範圍第1 6項之液晶顯示器，其中該第二切換 元件會連接到該第二控制線、各資料線其一及該場域控 制電極。 · 19· 一種液晶顯示器，此者包含： 、 一第一面板，含有複數條控制線，此第一面板包含第 一及第一控制線；複數條資料線，其中包含第一及第二 資料線；一像素電極，此者具有一切截；一場域控制電 84179-960116.doc 1290767 極’與该切截相重疊；一第一切換元件，電連接於該第 技制線、第一資料線及該像素電極；以及一絕緣層， ;丨置於该場域控制電極與該像素電極間，且具有一與該 切截重疊的渠槽； 一第二面板，此第二面板相對置放於該第一面板並含 有一共用電極；以及 一液晶層，介置於該第一及第二面板間； ’、，DCE LC ，在此該CLC為該像素電極與 汶/、用電極間的電容，Cdce為該像素電極與該場域控制 電極間的電容，ε及d分別為該液晶層的介電係數及厚 度’而ε ’及d’分別為該絕緣層的介電係數及厚度。 20. 21. 22. 23. 24. 如申請專利範圍第i9項之液晶顯示器，其中進一步包含 一第二切換元件，以控制待予施於該場域控制電極的信 如申請專利範圍第20項之液晶顯示器，其中該等第一及 第二切換元件會是在不同時刻為作用中。 如申請專利範圍第21項之液晶顯示器，其中該第二切換 元件會在δ亥弟一切換元件之前為作用中。 如申請專利範圍第22項之液晶顯示器，其中該第一切換 元件會在啟動該第一切換元件後立即作用中。 如申請專利範圍第22項之液晶顯示器，其中該第二切換 元件會連接到該第二控制線、各資料線其一及該場域控 制電極。 84179-960116.doc

1290767 25·如申4專利範圍第24項之液晶顯示器，其中會對該像素 電極及《亥场域控制電極供應以具有相對於供以進行第 一切換兀件及第一切換元件啟動作業序列之共用電極 電壓為相同極性的電壓。 26· —種液晶顯示器，其中包含： 面板 $有複數條控制線，此第一面板包含第 及第一控制線；複數條資料線，其中包含第一及第二 ^料線，一像素電極，此者具有一切截；一場域控制電 極亥切截相重豐；一第一切換元件，以回應於-來 自忒第一控制線之第一控制信號，從該第一資料線施加 一第一信號給該像素電極；及一第二切換元件，用以控 制一待施加於該場域控制電極的第二信號； 一第一面板，此第二面板相對置放於該第一面板並含 有一共用電極；以及 一液晶層，介置於該第一及第二面板間， 其中’在一序列的第一切換元件及第二切換元件之啟 動，該第二切換元件會在該第一切換元件之前作用，而 孩第及第一#唬會具有相對於該啟動作業序列之共 用電極的電壓為相同極性。 27.如申請專利範圍第26項之液晶顯示器，其中該第一切換 兀件後會在啟動第一切換元件後立即作用。 84179-960116.doc