CN101740581B - 薄膜晶体管阵列基板及其应用与制造方法 - Google Patents

Abstract

本发明公开一种薄膜晶体管阵列基板及其应用与制造方法，该制造方法至少包括：提供基板；在基板上形成多个薄膜晶体管；在基板上形成多个第一像素电极；在这些第一像素电极上形成电极绝缘层；在电极绝缘层上形成多个第二像素电极。该薄膜晶体管阵列基板可应用于液晶显示面板及装置中。

Description

薄膜晶体管阵列基板及其应用与制造方法

技术领域

本发明涉及一种薄膜晶体管阵列基板及其应用与制造方法，并且尤其涉及可形成液晶多域配向效果的薄膜晶体管阵列基板及其应用与制造方法。

背景技术

随着信息、通信产业不断地推陈出新，带动了液晶显示器(LiquidCrystal Display；LCD)市场的蓬勃发展。液晶显示器具有高画质、体积小、重量轻、低驱动电压和低消耗功率等优点，因此被广泛应用于个人数字助理(Personal Digital Assistant；PDA)、移动电话、摄录放影机、笔记本型计算机、桌上型显示器、车用显示器及投影电视等消费性通讯或电子产品。

一般而言，液晶显示面板主要包括彩色滤光片(Color Filter；CF)基板及薄膜晶体管(Thin Film Transistor；TFT)阵列基板。CF基板上设有多个彩色滤光片和公共电极。TFT阵列基板上设有多条彼此平行的扫描线、多条彼此平行的数据线、多个薄膜晶体管及像素电极，其中扫描线垂直于栅极线，且两相邻扫描线和两相邻数据线之间可限定像素(Pixel)区域。

由于液晶显示器利用液晶分子的排列状态来控制光线，因而具有先天窄视角的缺点，尤其在面对大型化LCD屏幕时，宽视角的问题更随之显著。目前已发展出例如分别对CF基板的ITO电极和TFT阵列基板上的像素电极进行图案化，以形成不同的电极区域，因而可产生多区域电场来使液晶分子呈多区域(Multi Domain)排列，以增加视角范围。

然而，当上述CF基板和TFT阵列基板进行对位组合时，由于CF基板和TFT阵列基板之间的对位容易产生误差，因而影响对组后的液晶显示面板的显示功能，例如光学透射率或反应时间，也可能导致液晶分子的排列不稳定，进而发生图像残影情形。

发明内容

因此本发明的一方面在于提供一种薄膜晶体管阵列基板与其制造方法、液晶显示面板及液晶显示装置，从而形成液晶多域配向的效果，以扩大显示视角，并可减少液晶显示面板中的对位误差问题，确保液晶显示器的显示质量。

本发明的又一方面在于提供一种薄膜晶体管阵列基板与其制造方法、液晶显示面板及液晶显示装置，从而减少大视角显示时的色偏情形，而具有低色偏效果。

根据本发明的实施例，本发明的薄膜晶体管阵列基板至少包括有基板、多个第一像素电极、电极绝缘层及多个第二像素电极。所述第一像素电极设置于基板上，电极绝缘层设置于第一像素电极上，所述第二像素电极设置于电极绝缘层上，其中每一第二像素电极具有至少一个第一狭缝及至少一个第二狭缝，第一狭缝与每一第一像素电极不重叠，第二狭缝与每一第一像素电极重叠。而且，根据本发明的实施例，上述薄膜晶体管阵列基板可应用于液晶显示面板中。

而且，根据本发明的实施例，上述液晶显示面板可应用于液晶显示装置中。

而且，根据本发明的实施例，当上述薄膜晶体管阵列基板应用于垂直配向(Vertical Alignment)型液晶显示面板或装置中时，该薄膜晶体管阵列基板可包括配向层(或配向膜)，从而使液晶形成垂直配向。

而且，根据本发明的实施例，本发明的薄膜晶体管阵列基板的制造方法至少包括：提供基板；在基板上形成多个第一薄膜晶体管和多个第二薄膜晶体管；在基板上形成多个第一像素电极，其中每一第一像素电极电性连接于所述第一薄膜晶体管中之一；在所述第一像素电极上形成电极绝缘层；在电极绝缘层上形成多个第二像素电极，其中每一第二像素电极电性连接于所述第二薄膜晶体管中之一，且每一第二像素电极具有至少一个第一狭缝及至少一个第二狭缝，第一狭缝与每一第一像素电极不重叠，第二狭缝与每一第一像素电极重叠。

而且，根据本发明的实施例，上述薄膜晶体管阵列基板的制造方法可进一步包括在第二像素电极上形成配向层，用以使液晶分子形成垂直配向，而可应用于垂直配向型液晶显示面板或装置。

因此，本发明的薄膜晶体管阵列基板与其制造方法、以及液晶显示面板与其所应用的液晶显示装置可形成液晶多域配向来扩大显示视角，且可减少液晶显示面板中的对位误差问题，以及大视角显示时的色偏情形。

附图说明

为了使本发明的上述和其它目的、特征、优点更加明显易懂，结合附图对其实施例进行详细说明，在附图中：

图1表示根据本发明第一实施例的液晶显示装置的剖面示意图；

图2A表示根据本发明第一实施例的薄膜晶体管阵列基板的像素区域的俯视示意图；

图2B表示根据本发明第一实施例的薄膜晶体管阵列基板的第一像素电极的俯视示意图；

图2C表示根据本发明第一实施例的薄膜晶体管阵列基板的第二像素电极的俯视示意图；

图2D表示根据本发明第一实施例的薄膜晶体管阵列基板的像素区域的布局图；

图3表示根据本发明第一实施例的液晶显示面板的局部剖面示意图；

图4A至图4J表示根据本发明第一实施例的薄膜晶体管阵列基板的制程剖面示意图；

图5A表示根据本发明第二实施例的薄膜晶体管阵列基板的第一像素电极的俯视示意图；

图5B表示根据本发明第二实施例的薄膜晶体管阵列基板的第二像素电极的俯视示意图；

图5C表示根据本发明第二实施例的薄膜晶体管阵列基板的像素区域的布局图；

图6A至图6D表示根据本发明第三实施例的薄膜晶体管阵列基板的制程剖面示意图；

图7A至图7C表示根据本发明第四实施例的薄膜晶体管阵列基板的制程剖面示意图。

【主要组件符号说明】

100：背光模块       200：液晶显示面板

210：彩色滤光片基板    211：公共电极层

220、320、420、520：薄膜晶体管阵列基板

221：基板

222：栅极线            222a：第一栅电极

222b：第二栅电极       222c：栅极绝缘层

223：数据线

223a：第一数据线       223b：第二数据线

223c：第一源电极       223d：第二源电极

224：储存电容线       224a：储存电极

224b：第一辅助储存金属层

224c：第二辅助储存金属层

225、325、525：第一像素电极

226、426、526：电极绝缘层

226a、426a：绝缘层

227、327、427、527：第二像素电极

228：第一狭缝

229、329：第二狭缝

230：液晶层             240：第一偏光片

250：第二偏光片

201：像素区域           202：第一薄膜晶体管

202a：第一半导体岛

202b：第一欧姆接触层    202c：第一漏电极

203：第二薄膜晶体管    203a：第二半导体岛

203b：第二欧姆接触层   203c：第二漏电极

204：锯齿状结构         205：桥接部

206a、206b、406a、406b：第一接触孔

207a、207b、407a、407b、507a、507b：第二接触孔

427a、427b：导电连接部

具体实施方式

为了使本发明的上述和其它目的、特征、优点与实施例能更明显易懂，本说明书将列举一系列实施例来加以说明。但值得注意的是，这些实施例只是用以说明本发明的实施方式，而非用以限定本发明。

参照图1，其表示根据本发明第一实施例的液晶显示装置的剖面示意图。本实施例的液晶显示装置包括有背光模块100和液晶显示面板200。液晶显示面板200设置于背光模块100的上方，背光模块100可为侧光式(Edge Lighting)背光模块或直下式(Bottom Lighting)背光模块，以将背光源提供至液晶显示面板200，其中背光模块100优选地可设置光学膜片组(未示出)，以提升背光效率和准直性。光学膜片组例如可为：扩散片、棱镜片、逆棱镜片(Turning Prism Sheet)、增亮膜(Brightness EnhancementFilm；BEF)、反射式增亮膜(Dual Brightness Enhancement Film；DBEF)、非多层膜式反射偏光板(Diffused Reflective Polarizer Film；DRPF)或上述的任意组合。而背光模块100的光源(未示出)例如为：冷阴极荧光灯管(Cold Cathode Fluorescent Lamp；CCFL)、热阴极荧光灯(Hot CathodeFluorescent Lamp；HCFL)、发光二极管(Light-Emitting Diode；LED)、有机发光二极管(Organic Light Emitting Diode；OLED)或电致发光片(Electro-Luminescence；EL)。

如图1所示，本实施的液晶显示面板200至少包括有彩色滤光片(ColorFilter；CF)基板210、薄膜晶体管(Thin Film Transistor；TFT)阵列基板220、液晶层230、第一偏光片240及第二偏光片250。彩色滤光片基板210和TFT阵列基板220相对地设置，液晶层230形成于彩色滤光片基板210和TFT阵列基板220之间，其中TFT阵列基板220可设有一配向层(未示出)，其接触于液晶层230，用以决定液晶层230的液晶分子的配向。第一偏光片240设置于彩色滤光片基板210的一侧，并相对于液晶层230(即为彩色滤光片基板210的出光侧)，第二偏光片250设置于TFT阵列基板220的一侧，并相对于液晶层230(即为TFT基板220的入光侧)。值得注意的是，熟悉本领域的普通技术人员可理解，在一些实施例中，彩色滤光片和TFT阵列也可配置在同一基板上。

参照图2A至图2D，图2A表示根据本发明第一实施例的薄膜晶体管阵列基板的像素区域的俯视示意图，图2B表示根据本发明第一实施例的薄膜晶体管阵列基板的第一像素电极的俯视示意图，图2C表示根据本发明第一实施例的薄膜晶体管阵列基板的第二像素电极的俯视示意图，图2D表示根据本发明第一实施例的薄膜晶体管阵列基板的像素区域的布局图。本实施的TFT阵列基板220至少包括有基板221、多条栅极线222、多条数据线223、多条储存电容线224、多个第一像素电极225、电极绝缘层226及多个第二像素电极227。基板221例如为玻璃基板或可挠性基板，栅极线222和数据线223设置于基板221上，且相互垂直交错，而呈矩阵式排列，因而形成多个像素区域201，其中每一像素区域201中设有至少一个薄膜晶体管(Thin Film Transistor；TFT)，其电性连接于相邻的栅极线222与数据线223。栅极线222和储存电容线224的材料例如为Al、Ag、Cu、Mo、Cr、W、Ta、Ti或其合金。数据线223的材料例如为Mo、Cr、Ta、Ti或其合金，优选地为耐热金属。储存电容线224可平行于栅极线222，并可形成有多个储存电容单元，其分别设置于每一像素区域201中，用以在TFT关闭后的预定时间内，维持第一像素电极225和第二像素电极227的电压在特定范围内。

如图2A至图2D所示，每一第一像素电极225和每一第二像素电极227位于每一像素区域201中，其中第一像素电极225和第二像素电极227优选地以透光导电材料制成，例如：ITO、IZO、AZO、GZO、TCO或ZnO。

值得注意的是，优选地分别形成栅极线222、数据线223、第一像素电极225及第二像素电极227，因而栅极线222和数据线223的材料不同于第一像素电极225和第二像素电极227的材料，且栅极线或数据线的材料的电阻值优选地低于像素电极材料的电阻值。

参照图2A至图3，图3表示根据本发明第一实施例的液晶显示面板的局部剖面示意图。第一像素电极225形成于基板221上，电极绝缘层226形成于第一像素电极225上，第二像素电极227形成于电极绝缘层226上，因而通过电极绝缘层226来电性绝缘第一像素电极225与第二像素电极227。在本实施例中，第一像素电极225例如为く字形结构，并具有开口图案。其中每一第一像素电极225的面积约为每一像素区域201面积的1/3～1/2。电极绝缘层226的材料优选地为透光绝缘材料，例如：无机绝缘材料(例如氮化硅或氧化硅)、有机绝缘材料或其复合材料所制成。第二像素电极227对位于第一像素电极225来设置，第二像素电极227具有至少一个第一狭缝228及至少一个第二狭缝229，第一狭缝228与每一第一像素电极225不重叠，第二狭缝229可对应于第一像素电极225，而呈く字形狭缝，并与每一第一像素电极225重叠。此时，第二像素电极227的第一狭缝228可对位于第一像素电极225的开口图案中，因而未形成重叠。在本实施例中，彩色滤光片基板210和TFT阵列基板220之间的液晶层230可为垂直配向。

如图2D所示，在本实施例中，每一像素区域201中可设有第一薄膜晶体管202和第二薄膜晶体管203，第一像素电极225电性连接于第一薄膜晶体管202，而第二像素电极227电性连接于第二薄膜晶体管203。每一储存电容线224可设有多个储存电极224a，第一辅助储存金属层224b和第二辅助储存金属层224c位于储存电极224a上，且辅助储存金属层224b、224c和储存电极224a之间具有绝缘层，以增加储存电容的电容值。所述这些数据线223包括有多条第一数据线223a和多条第二数据线223b，每一第一数据线223a设有第一源电极223c，而每一第二数据线223b设有第二源电极223d。第一薄膜晶体管202电性连接于栅极线222和第一数据线223a，而第二薄膜晶体管203电性连接于栅极线222和第二数据线223b。

值得注意的是，第二像素电极227的第一狭缝228和第二狭缝229可选择性地设有锯齿状结构204(Fine Slit)和至少一个桥接部205。锯齿状结构204可形成于第一狭缝228和第二狭缝229的边缘处，以提升光学特性。桥接部205形成于第一狭缝228或第二狭缝229中，并可在第一狭缝228或第二狭缝229中形成多个子狭缝，用以限制和控制液晶分子的对准向量的奇异点(Singular Point)形成和液晶配向区域的面积，改善影像残留现象。

如图2D和图3所示，当本实施例的TFT阵列基板220用以形成多区域电场时，第一像素电极225连通于第一电压电平，其例如由第一薄膜晶体管202来提供。第二像素电极227连通于第二电压电平，其例如由第二薄膜晶体管203来提供，其中第一像素电极225的第一电压电平高于第二像素电极227的第二电压电平，以在彩色滤光片基板210的公共电极层211与TFT阵列基板220的第二像素电极227之间改变电场分布状态，因而液晶层230中的液晶分子可形成多个液晶配向区域(Multi-domain)，由此增加视角范围。而且，由于第一像素电极225与第二像素电极227的第二狭缝229重叠，而与第一狭缝228不重叠，因此，位于第一狭缝228和第二狭缝229上的区域分别具有不同的电场情形，使得位于第一狭缝228和第二狭缝229上的液晶分子分别具有不同的偏转角度，即位于第一狭缝228上及位于第二狭缝229上的液晶层230对于背光模块100所入射的光线可分别具有不同的透射率，因而当大视角显示时可用以对应补偿像素区域201中的色偏情形，确保色彩质量，而可达到宽视角低色偏(Low Color Shift)的效果。

参照图4A至图4J，其表示根据本发明第一实施例的薄膜晶体管阵列基板的制程剖面示意图。如图4A所示，当制造本实施例的TFT阵列基板220时，首先，提供基板221，接着，在基板221上形成第一薄膜晶体管202、第二薄膜晶体管203、第一储存电容单元及第二储存电容单元。当形成上述单元时，首先，在基板221上形成栅极线222和储存电容线224，并在基板221上形成第一栅电极222a、第二栅电极222b及储存电极224a，其中第一栅电极222a和第二栅电极222b分别为栅极线222的一部分，且第一栅电极222a对应于第一薄膜晶体管202，第二栅电极222b对应于第二薄膜晶体管203。

如图4B所示，接着，在第一栅电极222a、第二栅电极222b及储存电极224a上形成栅极绝缘层222c，其中栅极绝缘层222c的材料例如为氮化硅(SiNx)或氧化硅(SiOx)，且例如以等离子体增强化学气相沉积(PlasmaEnhanced Chemical Vapor Deposition；PECVD)方式来沉积形成。

如图4C所示，接着，在栅极绝缘层222c上形成第一半导体岛202a和第二半导体岛203a，其中第一半导体岛202a位于第一栅电极222a上，第二半导体岛203a位于第二栅电极222b上，且第一半导体岛202a和第二半导体岛203a优选地由非晶硅(a-Si)或多晶硅制成。

如图4D所示，接着，在第一半导体岛202a上形成第一欧姆接触层202b，并在第二半导体岛203a上形成第二欧姆接触层203b，其中第一欧姆接触层202b和第二欧姆接触层203b优选地由重掺杂有N型杂质(例如磷)的N+非晶硅(a-Si)或其硅化物所形成，其可利用离子掺杂制程来进行离子植入，或者例如以化学气相沉积方式临场(In-situ)沉积形成。

如图4E所示，接着，形成第一数据线223a、第二数据线223b、第一漏电极202c、第二漏电极203c、第一辅助储存金属层224b及第二辅助储存金属层224c，其中第一数据线223a的第一源电极223c和第一漏电极202c位于第一欧姆接触层202b上，第二数据线223b的第二源电极223d和第二漏电极203c位于第二欧姆接触层203b上，而第一辅助储存金属层224b和第二辅助储存金属层224c形成于栅极绝缘层222c上，且位于储存电极224a上。此时，可预先沉积形成金属层，再利用光刻与蚀刻制程来图案化该金属层，由此限定出第一数据线223a、第二数据线223b、第一漏电极202c、第二漏电极203c、第一辅助储存金属层224b及第二辅助储存金属层224c，该金属层的材料优选地为Mo、Al、Cr、Ta、Ti或其合金，也可为具有耐热金属薄膜和低电阻率薄膜的多层结构，例如氮化钼薄膜和铝薄膜的双层结构。此时，第一辅助储存金属层224b、栅极绝缘层222c及储存电极224a可形成第一储存电容单元，而第二辅助储存金属层224c、栅极绝缘层222c及储存电极224a可形成第二储存电容单元。

如图4F所示，接着，移除第一源电极223c和第一漏电极202c之间的部分第一欧姆接触层202b，以及第二源电极223d和第二漏电极203c之间的部分第二欧姆接触层203b，且第一半导体岛202a和第二半导体岛203a并未暴露出栅极绝缘层222c，由此限定第一薄膜晶体管202和第二薄膜晶体管203的沟道(Channel)，因而形成第一薄膜晶体管202和第二薄膜晶体管203。

如图4G所示，接着，在第一薄膜晶体管202、第二薄膜晶体管203、第一储存电容单元及第二储存电容单元上形成绝缘层226a。绝缘层226a具有多个第一接触孔206a及206b，其分别暴露出部分第一漏电极202c和部分第一辅助储存金属层224b。第一接触孔206a及206b优选地具有倾斜或阶梯式的侧壁。

如图4H所示，接着，在绝缘层226a上形成第一像素电极225，并覆盖于第一接触孔206a及206b上，以电性连接于第一薄膜晶体管202的第一漏电极202c及第一储存电容单元的第一辅助储存金属层224b。

如图4I所示，接着，在绝缘层226a和第一像素电极225上形成电极绝缘层226。电极绝缘层226具有多个第二接触孔207a及207b，其分别暴露出部分第二漏电极203c和部分第二辅助储存金属层224c。第一接触孔206a及206b优选地具有倾斜或阶梯式的侧壁。

如图4J所示，然后，在电极绝缘层226上形成第二像素电极227，并覆盖于第二接触孔207a及207b上，以电性连接于第二薄膜晶体管203的第二漏电极203c及第二储存电容单元的第二辅助储存金属层224c，因而形成本实施例的TFT阵列基板220。

值得注意的是，当本实施例的TFT阵列基板220应用于垂直配向型液晶显示面板(如图3所示)或装置时，可在第二像素电极227上形成配向层(或配向膜)，用以使液晶分子形成垂直配向。因此，本实施例的TFT阵列基板220可形成部分重叠的第一像素电极225和第二像素电极227，以达到多域配向效果，而无需配合彩色滤光片基板210，因而可避免彩色滤光片基板210和TFT阵列基板220之间的对位误差问题，确保液晶显示器的显示质量。且TFT阵列基板220可减少在大视角显示时的色偏情形，而具有宽视角且低色偏的效果。

参照图5A至图5C，图5A表示根据本发明第二实施例的薄膜晶体管阵列基板的第一像素电极的俯视示意图，图5B表示根据本发明第二实施例的薄膜晶体管阵列基板的第二像素电极的俯视示意图，图5C表示根据本发明第二实施例的薄膜晶体管阵列基板的像素区域的布局图。以下仅就本实施例与第一实施例的不同处进行说明，关于相似处在此不再赘述。相比于第一实施例，第二实施例的第一像素电极325可呈十字形结构，此时，第二像素电极327的第二狭缝329可对应于第一像素电极325，而呈十字形狭缝。因此，第二实施例的TFT阵列基板320可通过第一像素电极325和第二像素电极327来形成多域配向效果。

值得注意的是，本发明的第一像素电极可呈く字形或十字形结构，然而不限于此，第一像素电极也可为其它任意形状，以达到本发明的相同功效。

参照图6A至图6D，其表示根据本发明第三实施例的薄膜晶体管阵列基板的制程剖面示意图。以下仅就本实施例与第一实施例的不同处进行说明，关于相似处在此不再赘述。相比于第一实施例，如图6A所示，第三实施例的TFT阵列基板420在形成绝缘层426a时，绝缘层426a可先不形成第一接触孔206a及206b。接着，在形成第一像素电极225后(如图第6B所示)，在绝缘层426a和第一像素电极225上形成电极绝缘层426(如第6C图所示)。此时，电极绝缘层426可形成有多个第一接触孔406a及406b，以及多个第二接触孔407a及407b。第一接触孔406a及406b分别暴露出部分第一像素电极225、部分第一漏电极202c及部分第一辅助储存金属层224b，而第二接触孔407a及407b分别暴露出部分第二漏电极203c和部分第二辅助储存金属层224c。如图6D所示，接着，在形成电极绝缘层426后，在电极绝缘层426上形成第二像素电极427，其中部分第二像素电极427覆盖于第二接触孔407a及407b上，以电性连接于第二薄膜晶体管203的第二漏电极203c及第二储存电容单元的第二辅助储存金属层224c。且每一第二像素电极427还设有两个导电连接部427a及427b，其分别覆盖于第一接触孔406a及406b上，且未连接于第二像素电极427的其它部分(即导电连接部427a及427b电性隔离于第二像素电极427的其它部分)。由于导电连接部427a及427b至少完全覆盖于第一接触孔406a及406b的内侧壁，因而第三实施例的第一像素电极225可分别通过导电连接部427a及427b来电性连接于第一薄膜晶体管202的第一漏电极202c及第一储存电容单元的第一辅助储存金属层224b，而形成第三实施例的TFT阵列基板420。因此，第三实施例的TFT阵列基板420可形成部分重叠的第一像素电极225和第二像素电极427以达到多域配向效果，避免彩色滤光片基板210和TFT阵列基板420之间的对位误差问题，并可减少在大视角显示时的色偏情形，而具有宽视角且低色偏的效果。而且，第三实施例的TFT阵列基板420可在形成电极绝缘层426后再形成有第一接触孔406a及406b，以及第二接触孔407a及407b，因而可简化制程步骤。

参照图7A至图7C，其表示根据本发明第四实施例的薄膜晶体管阵列基板的制程剖面示意图。以下仅就本实施例与第一实施例的不同处进行说明，关于相似处在此不再赘述。相比于第一实施例，第四实施例的TFT阵列基板520在形成第一薄膜晶体管202、第二薄膜晶体管203、第一储存电容单元及第二储存电容单元后，并未形成绝缘层226a。即，如图7A所示，此时，可在基板221上形成第一像素电极525，其中部分第一像素电极525覆盖于薄膜晶体管202的第一漏电极202c和第一储存电容单元的第一辅助储存金属层224b，以电性连接于薄膜晶体管202和第一储存电容单元，即第一像素电极525直接接触于栅极绝缘层222c。如图7B所示，接着，在第一薄膜晶体管202、第二薄膜晶体管203、第一储存电容单元、第二储存电容单元及第一像素电极525上形成电极绝缘层526，其中电极绝缘层526形成有多个第二接触孔507a及507b，其分别暴露出部分第二漏电极203c和部分第二辅助储存金属层224c。如图7C所示，然后，在电极绝缘层526上形成第二像素电极527，并覆盖于第二接触孔507a及507b上，以电性连接于第二薄膜晶体管203的第二漏电极203c及第二储存电容单元的第二辅助储存金属层224c，因而形成第四实施例的TFT阵列基板220。因此，第四实施例的TFT阵列基板520可形成部分重叠的第一像素电极525和第二像素电极527以达到多域配向效果，避免彩色滤光片基板210和TFT阵列基板520之间的对位误差问题，并可减少在大视角显示时的色偏情形，而具有宽视角且低色偏的效果。而且，第四实施例的TFT阵列基板520可仅在第一像素电极525和第二像素电极527之间形成电极绝缘层526，因而可进一步简化制程步骤。

由上述本发明的实施例可知，本发明的TFT阵列基板与其制造方法、以及液晶显示面板与其所应用的液晶显示装置可形成多域配向的效果，以扩大显示视角，且可减少液晶显示面板中的对位误差问题，确保液晶显示器的显示质量。而且，本发明可具有低色偏效果，减少大视角显示时的色偏情形。

虽然本发明已通过实施例进行了如上公开，然其并非用以限定本发明，任何熟悉本领域的普通技术人员，在不脱离本发明的精神和范围内，可做出各种更动与修改，因此本发明的保护范围由所附的权利要求书限定。

Claims (35)

1.一种薄膜晶体管阵列基板，至少包括：

基板；

多个第一像素电极，设置于所述基板上；

电极绝缘层，设置于所述第一像素电极上；

多个第二像素电极，设置于所述电极绝缘层上，其中每一所述第二像素电极具有至少一个第一狭缝及至少一个第二狭缝，所述第一狭缝与每一所述第一像素电极不重叠，所述第二狭缝与每一所述第一像素电极重叠；

储存电极，设置于所述基板上，且位于所述第一像素电极和所述第二像素电极下方；以及

第一辅助储存金属层和第二辅助储存金属层，设置于所述储存电极之上，其中所述第一辅助储存金属层与所述第二狭缝重叠，且所述第二辅助储存金属层与所述第一狭缝重叠。

2.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，还至少包括：

多条栅极线，设置于所述基板上；以及

多条数据线，设置于所述基板上，且所述数据线与所述栅极线相交，用以形成多个像素区域，其中每一所述像素区域中设有至少一个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管电性连接于相邻的所述栅极线中之一与相邻的所述数据线中之一。

3.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述栅极线和所述数据线的材料不同于所述第一像素电极和所述第二像素电极的材料。

4.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其中每一所述像素区域中设有第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一像素电极中之一电性连接于所述第一薄膜晶体管，而所述第二像素电极中之一电性连接于所述第二薄膜晶体管。

5.根据权利要求4所述的薄膜晶体管阵列基板，其中每一所述第一像素电极与所述第一薄膜晶体管的栅极绝缘层直接接触。

6.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，还至少包括：

多条储存电容线，平行于所述栅极线。

7.根据权利要求2所述的薄膜晶体管阵列基板，其中每一所述第一像素电极的面积实质为每一所述像素区域面积的1/3~1/2。

8.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述第一像素电极和所述第二像素电极以透光导电材料制成。

9.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中每一所述第一像素电极呈ㄑ字形结构。

10.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中每一所述第一像素电极呈十字形结构。

11.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，还至少包括：

绝缘层，形成于所述基板与所述第一像素电极之间。

12.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述第二像素电极的所述第一狭缝和所述第二狭缝分别设有锯齿状结构，所述锯齿状结构形成于所述第一狭缝和所述第二狭缝的边缘处。

13.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述第二像素电极的所述第一狭缝和所述第二狭缝分别设有至少一个桥接部，其形成于所述第一狭缝和所述第二狭缝中。

14.根据权利要求1所述的薄膜晶体管阵列基板，其中所述第一像素电极连通于第一电压电平，所述第二像素电极连通于第二电压电平，且所述第一电压电平高于所述第二电压电平。

15.一种薄膜晶体管阵列基板的制造方法，至少包括：

提供基板；

在所述基板上形成多个第一薄膜晶体管和多个第二薄膜晶体管；

在所述基板上形成多个第一像素电极，其中每一所述第一像素电极电性连接于所述第一薄膜晶体管中之一；

在所述第一像素电极上形成电极绝缘层；

在所述电极绝缘层上形成多个第二像素电极，其中每一所述第二像素电极电性连接于所述第二薄膜晶体管中之一，且每一所述第二像素电极具有至少一个第一狭缝及至少一个第二狭缝，所述第一狭缝与每一所述第一像素电极不重叠，所述第二狭缝与每一所述第一像素电极重叠；

形成储存电极于所述基板上，且所述储存电极位于所述第一像素电极和所述第二像素电极下方；以及

形成第一辅助储存金属层和第二辅助储存金属层于所述储存电极之上，其中所述第一辅助储存金属层与所述第二狭缝重叠，且所述第二辅助储存金属层与所述第一狭缝重叠。

16.根据权利要求15所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，其中所述形成所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管的步骤至少包括：

在所述基板上形成多条栅极线，其中每一所述栅极线设有多个第一栅电极和多个第二栅电极；

在所述第一栅电极和所述第二栅电极上形成栅极绝缘层；

在所述栅极绝缘层上形成多个第一半导体岛和多个第二半导体岛，其中所述第一半导体岛位于所述第一栅电极上，所述第二半导体岛位于所述第二栅电极上；

在所述第一半导体岛上形成多个第一欧姆接触层，并在所述第二半导体岛上形成多个第二欧姆接触层；

形成多条第一数据线、多条第二数据线、多个第一漏电极及多个第二漏电极，其中所述第一数据线的多个第一源电极和所述第一漏电极位于所述第一欧姆接触层上，所述第二数据线的多个第二源电极和所述第二漏电极位于所述第二欧姆接触层上；以及

移除所述第一源电极与所述第一漏电极之间的部分所述第一欧姆接触层，且移除所述第二源电极与所述第二漏电极之间部分所述第二欧姆接触层，不暴露出所述栅极绝缘层。

17.根据权利要求16所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，还至少包括：

在所述基板上形成多条储存电容线，其中每一所述储存电容线设有多个所述储存电极；

在所述储存电容线上形成栅极绝缘层；以及

在所述栅极绝缘层上形成所述第一辅助储存金属层和所述第二辅助储存金属层。

18.根据权利要求15所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，还至少包括：

在形成所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管后，在所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管上形成绝缘层，其中所述绝缘层具有多个第一接触孔，其分别暴露出每一所述第一薄膜晶体管的第一漏电极；

其中，所述电极绝缘层具有多个第二接触孔，其分别暴露出每一所述第二薄膜晶体管的第二漏电极，由此在所述电极绝缘层上形成所述第二像素电极，并覆盖于所述第二接触孔上。

19.根据权利要求15所述的薄膜晶体管阵列基板的制造方法，还至少包括：

在形成所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管后，在所述第一薄膜晶体管和所述第二薄膜晶体管上形成所述电极绝缘层；

其中，所述电极绝缘层具有多个第一接触孔和多个第二接触孔，所述第一接触孔分别暴露出每一所述第一薄膜晶体管的第一漏电极，所述第二接触孔分别暴露出每一所述第二薄膜晶体管的第二漏电极；

其中当所述第二像素电极形成于所述电极绝缘层上，并覆盖于所述第二接触孔上时，所述第二像素电极还设有多个导电连接部，其分别覆盖于所述第一接触孔上，且未连接于所述第二像素电极的其它部分。

20.一种液晶显示面板，至少包括：

彩色滤光片基板；

薄膜晶体管阵列基板，相对于所述彩色滤光片基板，

其中所述薄膜晶体管阵列基板至少包括：

基板；

多个第一像素电极，设置于所述基板上；

电极绝缘层，设置于所述第一像素电极上；

多个第二像素电极，设置在于所述电极绝缘层上，其中每一所述第二像素电极具有至少一个第一狭缝及至少一个第二狭缝，所述第一狭缝与每一所述第一像素电极不重叠，所述第二狭缝与每一所述第一像素电极重叠；

储存电极，设置于所述基板上，且位于所述第一像素电极和所述第二像素电极下方；以及

第一辅助储存金属层和第二辅助储存金属层，设置于所述储存电极之上，其中所述第一辅助储存金属层与所述第二狭缝重叠，且所述第二辅助储存金属层与所述第一狭缝重叠。

21.根据权利要求20所述的液晶显示面板，其中所述薄膜晶体管阵列基板还至少包括：

多条栅极线，设置于所述基板上；以及

多条数据线，设置于所述基板上，且所述数据线与所述栅极线相交，用以形成多个像素区域，其中每一所述像素区域中设有至少一个薄膜晶体管，所述薄膜晶体管电性连接于相邻的所述栅极线中之一与相邻的所述数据线中之一。

22.根据权利要求21所述的液晶显示面板，其中所述栅极线和所述数据线的材料不同于所述第一像素电极和所述第二像素电极的材料。

23.根据权利要求21所述的液晶显示面板，其中每一所述像素区域中设有第一薄膜晶体管和第二薄膜晶体管，所述第一像素电极中之一电性连接于所述第一薄膜晶体管，而所述第二像素电极中之一电性连接于所述第二薄膜晶体管。

24.根据权利要求23所述的液晶显示面板，其中每一所述第一像素电极与所述第一薄膜晶体管的栅极绝缘层直接接触。

25.根据权利要求21所述的液晶显示面板，其中所述薄膜晶体管阵列基板还至少包括：

多条储存电容线，平行于所述栅极线。

26.根据权利要求21所述的液晶显示面板，其中每一所述第一像素电极的面积实质为每一所述像素区域面积的1/3~1/2。

27.根据权利要求20所述的液晶显示面板，其中所述第一像素电极和所述第二像素电极以透光导电材料制成。

28.根据权利要求20所述的液晶显示面板，其中每一所述第一像素电极呈ㄑ字形结构。

29.根据权利要求20所述的液晶显示面板，其中每一所述第一像素电极呈十字形结构。

30.根据权利要求20所述的液晶显示面板，其中所述第二像素电极的所述第一狭缝和所述第二狭缝分别设有锯齿状结构，所述锯齿状结构形成于所述第一狭缝和所述第二狭缝的边缘处。

31.根据权利要求20所述的液晶显示面板，其中所述第二像素电极的所述第一狭缝和所述第二狭缝分别设有至少一个桥接部，其形成于所述第一狭缝和所述第二狭缝中。

32.根据权利要求20所述的液晶显示面板，其中所述第一像素电极连通于第一电压电平，所述第二像素电极连通于第二电压电平，且所述第一电压电平高于所述第二电压电平。

33.一种薄膜晶体管阵列基板，至少包括：

基板；

多个第一透明像素电极，设置于所述基板上；

电极绝缘层，设置于所述第一透明像素电极上；以及

多个第二透明像素电极，设置于所述电极绝缘层上，其中每一所述第二透明像素电极具有至少一个第一狭缝及至少一个第二狭缝，所述第一狭缝与每一所述第一透明像素电极不重叠，所述第二狭缝与每一所述第一透明像素电极重叠；

储存电极，设置于所述基板上，且位于所述第一透明像素电极和所述第二透明像素电极下方；以及

第一辅助储存金属层和第二辅助储存金属层，设置于所述储存电极上，其中所述第一辅助储存金属层与所述第二狭缝重叠，且所述第二辅助储存金属层与所述第一狭缝重叠。

34.根据权利要求33所述的薄膜晶体管阵列基板，其中每一所述第一透明像素电极电性连接于第一薄膜晶体管，每一所述第二透明像素电极电性连接于第二薄膜晶体管。

35.根据权利要求33所述的薄膜晶体管阵列基板，还包括：

多条数据线，设置于所述基板上，其中所述多条数据线的材料的电阻值低于所述第一透明电极的材料的电阻值。

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