TWI290734B

TWI290734B - Electronic device, method of manufacturing an electronic device, and electronic apparatus

Info

Publication number: TWI290734B
Application number: TW094130951A
Authority: TW
Inventors: Takashi Masuda; Hiroshi Takiguchi
Original assignee: Seiko Epson Corp
Priority date: 2004-11-05
Filing date: 2005-09-08
Publication date: 2007-12-01
Also published as: JP2006135109A; KR20060051335A; CN1790766A; TW200625411A; US20060102894A1; KR100731538B1; JP4341529B2; US7504709B2

Description

1290734 (1) * 九、發明說明【發明所屬之技術領域】本發明是關於電子裝置、電子裝置之製造方法及電子機器。【先前技術】近年來，以作爲取代使用無機半導體材料之薄膜電晶 • 體的裝置而言，所注目的有使用有機半導體材料之薄膜電晶體（例如，參照專利文獻1 )。如此之薄膜電晶體是設置有有機半導體層，使接觸於源極電極及汲極電極。一般而言，源極電極及汲極電極因由金屬材料所構成，故活性（與有機物之反應性）爲高。因此，在該些電極，和構成有機半導體層之有機半導體材料之間，產生反應，有機半導體材料則變質、惡化，其結果則有薄膜電晶 • 體之特性則隨時間變化而惡化的問題。 [專利文獻]日本特開2004-6728號公報【發明內容】本發明·之目的，是在於提供一種特性優良，並且防止特性隨時間變化而惡化之裝置，及製造此電子裝置之電子裝置之製造方法及電子機器。上述之目的是藉由下述發明所達成。本發明之電子裝置，是具有一對電極和有機半導體層 -4- 1290734 冑 G9413G951 號專利 t請案 ————

- 中文說明書修正頁民國96年5月21曰r月>1 R ΊΤ1 ▲ 之電子裝置，其特徵爲：在上述一對電極中之至少一方之電極表面，具有結合含有非共軛系有機化合物之有機化合物而所構成之有機膜。 < 依此’可取得特性優良，並且防止特性隨時間變化而 A 惡化之電子裝置。本發明之電子裝置中，上述一對電極各構成源極電極及汲極電極，並且，爲具備有在上述有機半導體層施加電 φ 場的閘極電極爲佳。本發明之電子裝置雖然可適用於各種，但以適用於電晶體爲佳。本發明之電子裝置中，上述有機化合物是具有與上述電極結合的結合基，在形成有上述有機膜之電極表面上，具有上述結合基不結合之部分爲佳。藉此，可更有效率執行接收經由電極和有機半導體層之間之有機膜的電荷。 ^ 本發明之電子裝置中’上述有機化合物是具有與上述電極結合的結合基，在形成有上述有機膜之電極表面上，又殘存有上述上述結合基能結合之部分爲佳。依此，可更有效率執行接收經由電極和有機半導體層之間之有機膜的電荷。本發明之電子裝置中，上述有機化合物是具有與上述電極結合之結合基，該結合基爲SH基爲佳。 SH基因與金屬之間，可形成特強之結合，故藉由使用具有S Η基之有機化合物當作結合基，則可得到對電極 -5- 1290734 齡又Μ _傷正·頁 - _____^一一一^.‘L________________UJ丄..丨丨丨丨丨丨，丨丨丨丨 ---ητ··· _丨_ (3) _ 密著性高之有機膜。本發明之電子裝置中，上述有機化合物是在與上述結合基相反側上，具有能供給荷電至上述有機半導體層的置換基爲佳。依此，可更有效率執行接收經由電極和有機半導體層之間之有機膜的電荷。本發明之電子裝置中，上述有機化合物構成直鏈狀， I 上述有機膜之最大膜厚是比從上述有機化合物之上述結合基至上述置換基爲止的長度小爲佳。依此，即使有機膜之絕緣性比較高之時，由該薄化膜厚，則可以防止薄膜電晶體特性惡化之事態。本發明之電子裝置中，上述有機化合物是在與上述結合基相反側上具有表示撥水性之構造爲佳。依此，即使使電子裝置曝曬於例如大氣中等、溼度比較高之環境時，亦可以防止水分等附著於電極表面上。其，結果，可以防止因水分附著於電極表面而引起之電子裝置之特性惡化。本發明之電子裝置中，上述非共軛系有機化合物是以一般式·· CF3(CF2)m(CH2)nSH表示，m是表示1〜35之整數，η是表市2〜33之整數爲佳。依據以如此知非共軛系有機化合物爲主材料構成有機膜，電子裝置具有優良特性，並即使於曝曬於溼度比較高之環境下’亦可以更確實維持該優良特性。本發明之電子裝置中，上述一般式中之m/n爲滿足成 -6-

Γ290734 (4) 爲0.25〜18的關係爲佳。藉此’以上述一般式表示之非共軛系有機化合物，是該分子構造中氟基所佔之比率相當地高，更可發揮高撥水 • 性。 •本發明之電子裝置中’上述非共軛系有機化合物，是該碳總數量爲4〜45爲佳。藉此，可以確實防止電極與有機半導體層接觸，並可 φ 以防止有機膜之絕緣性不必要地變高，其結果，可以防止電子裝置之特性惡化。本發明之電子裝置中，結合至該電極之表面的上述有機化合物之數量爲〇·〇5χ1015〜〇·96χ1〇15個/cm2爲佳。依此，可更有效率執行接收經由電極和有機半導體層之間之有機膜的電荷。本發明之電子裝置中，上述有機膜之電極是藉由存在上述有機膜，防止與上述有機半導體層直接接觸爲佳。 • 依此，可以防止構成在有機半導體層之有機半導體材料和電極之間產生反應，進而防止有機半導體層變質、惡化之事態。其結果，可以適當防止薄膜電晶體之特性隨時間變化而惡化。本發明之電子裝置中，形成有上述有機膜之電極是以 Au、Ag、Cu、Pt或是含有該些之合金爲主材料而所構成爲佳。該些爲形成與構成有機膜之有機化合物容易結合之材料爲佳。 (5) (5) 機上 % 共，. 程 2 φ 而刖藉以依應中機分之置 1290734 本發明之電子裝置之製造方法，是具有一對電極半導體層的電子裝置之製造方法，其特徵爲：具備述一對電極之至少一方的電極表面，藉由結合包含軛系有機化合物之有機化合物，形成有機膜的第 ;和使接觸於上述有機膜地形成上述有機半導體層工程。依此，可製造出特性優良，並且防止特性隨時間惡化之電子裝置。本發明之電子裝置之製造方法中，於上述第1工，至少具有洗淨形成上述有機膜之電極之表面的工由氧電漿執行上述洗淨爲佳。當在電極表面施予氧電漿處理時，在電極表面例結合構成有機膜之有機化合物，形成凹凸部或缺線此可以容易控制有機化合物對電極表面之結合速度速度）或結合密度等。本發明之電子裝置之製造方法中，在上述第1 ，藉由使濃度爲〇.〇1〜10mM含有上述有機化合物膜形成液，接觸至形成上述有機膜之電極表面0.1 鐘，形成上述有機膜爲佳。依此，可更有效率執行接收經由電極和有機半導間之有機膜的電荷。本發明之電子機器其特徵是具備有本發明之電〇依此，可取得信賴性高之電子機器。和有有在有非 1工的第變化程之程，如難部， (反工程之有〜200 體層子裝 -8 - (6) 1290734 【實施方式】以下，針對本發明之電子裝置、電子裝置之及電子機器’根據圖示之最佳實施形態予以詳細 (第1實施形態）首先，以將本發明之電子裝置適用於薄膜電 φ 形代表說明。第1圖是表示表示將本發明之電子裝置適用晶體之時的第1實施形態的槪略圖（第1圖中向截面圖’ （b)爲平面圖）’第2圖及第3圖說明第1圖所示之薄膜電晶體之製造方法的圖示面圖）。第1圖所示之薄膜電晶體1爲上閘極型之體，具有互相分離而設置之源極電極 20a及 i…20b，和設置成能夠覆蓋源極電極20a及汲極電; 有機半導體層3 0，和位於有機半導體層3 0和閘之間的閘極絕緣層40，並設置在基板1 0上。以下，針對各部構成依序說明。基板Γ0是用以支撐構成薄膜電晶體1之部）者。在基板10上，可以使用玻璃基板；由聚對乙二酯（PET)、聚二甲酸乙二醇酯（PEN) P (PES )、聚芳香酯、聚醯亞胺（PI)等所構成製造方法說明。晶體之情於薄膜電 (a)爲縱各爲用以 (縱向截薄膜電晶汲極電極極20b之極電極5 0 各層（各苯二甲酸、聚醚楓之塑膠基 (7) 1290734 板（樹脂基板）：石英基板；矽基板；金屬基板；鎵砷基板等。對薄膜晶體1賦予可撓性之時，則在基板1 〇上選擇塑膠基板或是薄（膜厚較小）之金屬基板。在基板10上設置有源極電極20a及汲極電極20b ( — 對電極）。即是，源極電極20a及汲極電極20b幾乎是設置在同 φ 一平面上。以源極電極20a及汲極電極20b之構成材料而言，可舉出例如 Au、Ag、Cu、Pt、Ni、Cr、Ti、Ta、A1 或是包含有該些之合金的金屬材料等，可以組合該些中之i種或 2種以上而予以使用。即使於該些中，以源極電極20a及汲極電極20b之構成材料而言，是各以 Au、Ag、Cu、Pt或是包含該些之合金爲主之材料爲佳。該些材料因爲易形成與後述有機化合 B 物結合之材料故爲最佳。再者，該些材料因功函數比較大’故如後述般，有機半導體層30爲p型之時，藉由該些材料構成源極電極20a，則可以提昇有機半導體層30之電洞（載體）之注入效率。並且，源極電極20a及汲極電極20b之平均厚度雖然並不特別特定，但是各爲10〜2000nm左右爲佳，以〜1 〇〇〇nm左右爲更佳。在該些源極電極20a及汲極電極20b (以下，將該些總稱爲「電極2 0」）之表面上，各形成有有機膜6 0。 10- (8) 1290734 該有機膜60是使電極20之表面上結合含有非共軛矽有機化合物（非共軛系有機分子）之有機化合物（有機分子）者。即是’有機膜60即使由非共軛系有機化合物所構成亦可，由非共軛系有機化合物和其他化合物所構成亦、.可。 _ 並且，有機膜60最好是由以非共軛系有機化合物爲 •主之有機化合物所構成。 # 在電極20表面上，藉由設置有機膜60，則可以防止電極20和有機半導體層3 0直接接觸。藉此，可以防止構成有機半導體層30之有機半導體材料，和電極2〇之間產生反應，進而防止有機半導體層30變質、惡化。其結果，可以適當防止薄膜電晶體1之特性隨時間變化而惡再者，藉由設置有機膜60，則可以防止電極20之表面附著水分或污染。藉此，可以達到提昇薄膜電晶體1之 •特性。再者，因可以形成具有分子水準均勻之表面的有機膜 60，故對於每製造出之薄膜電晶體1，可以防止特性產生參差不齊，可以謀求提昇組裝如此之薄膜電晶體1之電子機器（後述顯示裝置）之信賴性。再者，電極20之表面，又如後述般殘留有結合基所結合之部份，即是結合基能夠取得結合之部份爲佳。一般而言’含有非共軛系有機化合物之膜（尤其，以非共軛系有機化合物爲主材料之膜），雖然絕緣性比較高，但是藉 11 - (9) 1290734 由至少在電極20之表面殘留有機化合間，則可以效率佳執行接收經由電極20 30之間之有機膜60的電洞（電荷）。即是，自源極電極20a對有機半導儀入，及自有機半導體層對汲極電極20b之由有機膜6 0效率佳地被執行，薄膜電晶數値的汲極電流（ON )電流。如此之有機膜60是以滿則下述條件佳，滿則雙方則更佳。即是，I :有機膜60是以使濃度0.01 機化合物之處理液（2 (ΓC )，最好以〇 · 1' 更好是以0.1〜200分鐘左右，又更好以：觸於電極20表面。 II:結合至電極20表面之有機化合 0·05χ1015〜0.96xl015 個/cm2 左右，更好爲 1015個/cm2左右，又更好爲0.50X1015〜< 左右。依據滿足如此之條件，有機膜60是極20和有機半導體層30之接觸，再者，行接收經由有機膜60之電極20和有機# 之有機膜的電洞（電荷）。構成有機層60之有機化合物是在結名表面側之端部具有結合基。就以該結合基得形成構成上述般之電極20的金屬和化物取得結合之空和有機半導體層 !層3 0之電洞注，電洞接收，各經體1是取得相當 I及π之一方爲〜1 OmM且含有有 -200分鐘左右， ;〜60分鐘左右接物之數量最好爲 0.20xl015 〜〇.94x )·92χ1015 個 /cm2 可以充分防止電可效率佳執行執 t導體層3 0之間 ί於該電極2 0之而言，如爲可取學結合者即可， -12- (12) 1290734 SH基之飽和碳化氫類或是使用該衍生物。作爲該可舉出在與SH基相反側之端部上，導入例如OH基基、COOH基等。形成有機膜60之源極電極20a，和形成有機膜汲極電極20b之距離，即是第1圖所示之通道長度以2〜30//m左右爲佳，以2〜20//m左右爲更佳。通道長度L之値設定在如此之範圍，則可以提升薄 • 體1之特性（尤其，ON電流値之上昇）。再者，形成有機膜60之源極電極20a及形成 60之汲極電極20b之長度，即是第1圖所示之通 W，是以0.1〜5 mm左右爲佳，以0.3〜3//m左右爲藉由將通道寬度W之値設定在如此之範圍，則可寄生電容，並可以防止薄膜晶體1之特性惡化。再以防止薄膜電晶體1之大型化。在基板10上，覆蓋各源極電極20a及汲極電極 i 並且設置有機半導體層30,以使接觸至有機膜60。在本實施形態中，該有機半導體3 0主要是以機半導體材料所構成。在p型之有機半導體材料可合物有機半導體材料（高分子系有機半導體材料）子系有機半導體材料中之任一者。作爲聚合物有機半導體材料，可舉出聚（文吩）、聚（3 -己烷基噻吩）（P3HT)、聚（3-辛j 吩）、聚（2，5-聚噻吩乙烯）（PTV)、聚（聚ί 烯）（PPV)、聚（9，9 -二辛基聚芴）（PFO〕衍生物卜ΝΗ: ;60之 L ’是藉由將膜電晶有機膜道寬度更佳。以減少者，可 20b， P型有使用聚、低分完基噻完基噻苯基乙 > 、聚 -15- (13) 1290734 (9,9-二辛基芴-共-雙-N，N-(4-甲氧甲基）-雙-Ν,Ν-苯基-1，4 -苯一胺）[poly ( 9,9f-dioctylfluorene-co-bis-N，N·- ( 4-butylpllenyl ) -bis-N，N 丨- phenyl-l，4-phenylenediamine )，、 PFMO]、聚（9,9-二辛基芴-共-雙-苯並硫二唑）[(9,9，-， dioctyl fluorene-co-bis-benzothiadiazole ) ，B T]、苟-三儲 •丙基胺共聚物、三烯丙基胺類聚合物、芴-并噻吩共聚物 (F8T2 )等。 φ 作爲低分子系有機半導體是可舉出例如C60、或是金屬苯二甲藍素或是該些至緩衍生物、或是多環芳烴、並四苯、五苯、並六苯等之並苯分子材料、或是α-寡聚噻吩類，具體而言四噻吩（4Τ)、六噻吩（6Τ)、八噻吩 (8Τ )、二已基四噻吩（DH4T )、二已基四噻吩 (DH6T)等。於該些中，Ρ型有機半導體層30尤其是以具有噻吩構造之有機半導體材料爲主材料而所構成爲佳。具有噻吩構 • 造之有機半導體材料因載體移動度高，故以如此之有機半導體爲主材料構成有機半導體層30,依此可以謀求提昇薄膜電晶體1之特性。再者，具有噻吩構造之有機半導體材料因尤其與金屬之反應性高，故對具備以如此之有機半導體材料爲主材料而所構成之有機半導體層30的薄膜電晶體1，適用苯發明特別有效果。再者，藉由有機半導體層30直接接觸於有機膜30’ 可更有效率執行接收電極20和有機半導體層30之間的電 -16 - (14) 1290734 洞（載體）。其結果，可以更提昇薄膜電晶體1之特性。該有機半導體層3〇之平均厚度雖然並不限定於此，但是以 0·1〜l〇〇〇nm左右爲佳，1〜5 00ηπι左右爲更佳， 1〜100nm左右又更佳。在有機半導體層30上，即是經由有機半導體層30, 在與源極電極20a及汲極電極20b相反側上設置有閘極絕緣層（絕緣體層）4 0。該閘極絕緣層4 0是對源極電極2 0 a及汲極電極2 0 b，絕緣後述閘極電極（第3電極）5 0。就以閘極絕緣層4 0之構成材料而言，若爲公知之閘極絕緣體材料即可，種類並無特別限定，可使用有機材料、無機材料中之任一者。作爲有機材料，可舉出甲基丙烯酸甲酯、乙烯基苯酣、聚醯亞胺、聚基乙烯、聚乙烯醇、聚醋酸乙烯等，可以使用組合該些中1種或2種以上之組合。另外’以無機材料而言，可以舉出矽石、氮化矽、氧化鋁、氧化鉅等之金屬氧化物、鈦酸緦鋇、鉻鈦酸鉛等之金屬複合酸化物，可以使用組合該些中一種或兩種以上。閘極絕緣層4 0之平均厚度雖然並不特別限定，但是以10〜5000nm左右爲佳，以1〇〇〜20〇〇nm左右爲更佳。藉由將閘極4 0之厚度設定成上述範圍，則可確實絕緣源極電極20a及汲極電極20b和閘極電極50，並降低薄膜電晶體1之動作電壓。並且，閘極絕緣膜40並不限定於單層構成，即使爲 -17- (15) 1290734 多數層之疊層構成亦可。閘極絕緣層4 0上之規定位置，即是對應於源極電極 2 〇 a和汲極電極2 0 b之間之區域的位置，設置有對有機半導體層3 0施加電場之閘極電極5 0。就以該閘極電極5 0之構成材料而言，若爲公知之電極材料即可，種類並不特別限定。具體而言，可以使用如

Cr、Al、Ta、Mo、Nb、Cu、Ag、Au、Pd、In、Ni、Nd、 φ Co或是包含該些之合金般之金屬材料，及該些之氧化物。再者，閘極電極5 0是可以由導電性有機材料所構成。閘極電極5 0之平均厚度雖然並不特別限定，但是以 1〜2000nm左右爲佳，又以1〜lOOOnm左右爲更佳。如此之薄膜電晶體1是在源極電極20a及汲極電極 2 0b之間施加電壓之狀態下，當對閘極電極50施加閘極電 i 壓時，則在與有機半導體層3 0之閘極絕緣層40之界面附近形成通道，藉由通道區域移動載體（電洞），使得電流流入源極電極20a及汲極電極20b之間。即是，在電壓被施加至閘極電極50之OFF狀態下，即使電壓施加至源極電極20a及汲極電極20b之間，因在有機半導體層30中幾乎不存在載體，故僅流些許電流。另外，在閘極電極5 0上施加有電壓之ON狀態下，在面對於有機半導體層3 0之閘極絕緣層40之部份激起電荷，形成通道（載體之流路）。在該狀態下，當在源極電 -18- (16) 1290734 極20a及汲極電極20b之間施加電壓時，電流通過通道區域而流動。以述般之薄膜電晶體1是可以例如由下述般所製造 • 出。 . 第1圖所示之薄膜電晶體1之製造方法是具有在基板 - 10上形成源極電極20a及汲極電極20b之工程[A1]、在源，極電極20a及汲極電極20b之表面形成有機膜60之工程 φ [A2]、使能夠覆蓋形成有機膜60之源極電極20a及汲極電極20b地形成有機半導體層30之工程[A3]、在有機半導體層30上形成閘極絕緣層40之工程[A4]，和在閘極絕緣膜層40上形成閘極電極50之工程[A5]。 [A1]形成源極電極及汲極電極形成工程首先，在基板10上，形成源極電極20a及汲極電極 2〇b (參照第2圖（a))。 • 該源極電極20a及汲極電極20b是可以例如使用蝕刻法、微影成像法等而予以形成。藉由蝕刻法形成源極電極20a及汲極電極20b之時， 1:首先，使用濺鍍法、蒸鍍法、鍍層法等，在基板10之全面上形成金屬膜（金屬層）。II :接著，使用例如微影成像法、微接觸式印刷法等，在金屬膜上（表面）形成光阻層。III :接著，將使用罩幕將該光阻層予以掩蔽，對金屬膜實施蝕刻，而圖案製作成規定圖案。再者，於藉由微影成像法，形成源極電極20a及汲極 -19- (17) 1290734 電極20b之時，I:首先，在形成有源極電極20a® 電極20b之區域以外的區域，形成光阻層。II.:接著用例如蒸鍍法、鍍層法等，在基板1 〇之光阻層之全形成金屬膜（金屬層）。ΠΙ :接著，除去光阻層。 [A2]有機膜形成工程（第1工程）接者’在源極電極20a及汲極電極20b之表面形 • 極電極（參照第2圖（b))。首先，洗淨形成有源極電極20a及汲極電極20b 板10。作爲基板10 (電極20 )之洗淨方法，是可舉出藉由洗淨液之洗淨、氧電漿處理、氬電漿、紫外線臭理等。該些洗淨方法即使單獨執行亦可，組合任意2 以上之方法而予以執行亦可。例如，藉由洗淨液洗淨基板1 0而執行乾燥後， • 行如氧電漿處理、氬電漿、紫外線臭氧處理之至少1 理，並執行多次洗淨時，則可以使源極電極2 0 a及汲極20b之表面高度清淨化。即使於該些中，作爲基板1〇(電極20)之洗法，是以氧電漿處理爲佳。當對電極20之表面施予漿處理時，在電極20之表面例如形成與構成有機膜有機化合物難以結合之凹凸部或缺陷部。依此，容易電極20表面之有機化合物之結合速度（反應速度）合量等，並可以容易將有機化合物之結合數設定在上汲極，使面上〖成源之基丨例如 :氧處種類當執個處 :極電淨方氧電 60之控制或結述般 -20- (18) 1290734 之範圍。其結果，可以謀求提昇薄膜電晶體1之特性。尤其，藉由降低有機化合物之結合密度，則可以在電極2 0之表面形成不結合有機化合物之部份。再者，直鏈 ' 狀之有機化合物相對於電極20之表面難以站立，成爲橫 .向之成分變多。其結果，即使有機膜60之絕緣性比較高 < 時，因該膜厚變薄，故可以防止薄膜電晶體1之特性惡，化。 φ 例如，以有機化合物具有上述般之置換基（具有摻雜性之置換基）時，有機膜60之最大厚度是比有機化合物之結合基至置換基爲止之長度小爲佳。依此，可以更提昇上述效果。該氧電漿處理之條件是例如設定成下述般爲佳。以處理氣體而言，是以使用純氧氣體爲佳。再者，處理氣體之流量是以10〜5 00SCCm左右爲佳，又以50〜400sccm左右爲更佳。 # 再者，RF功率是以 0.005〜0.2W/cm2左右爲佳，以 0.05 〜0· 1 W/cm2 爲更佳。再者，氧電漿處理中之時間（處理時間）是以1〜6 00 秒左右爲佳，又以180〜3 6 0秒左右爲佳。再者，氧電漿處理中之環境溫度是以〇〜1〇〇 °C左右爲佳，以20〜50°C左右爲更佳。再者，氧電漿處理中之環境壓力是以設爲減壓狀態 (例如，1 X 1 (Γ 1左右）爲佳。接著，在電極20之表面接觸包含有上述般之有機化 -21 - (19) 1290734 合物之有機膜形成用液。依此，構成電極20之金屬材料和有機化合物所具有之結合基反應，有機化合物結合至電極20之表面上，席成有機膜60。使有機膜形成液接觸至電極20之表面的方法，可以使用例如將基板1 〇浸泡在有機膜形成用液之方法、將有機膜形成用液淋浴狀噴在基板1 〇之方法、將形成有機板 10之電極20之面，接觸至有機模型成用液之方法等。作爲調整處理液之溶媒，可以使用例如乙醇、三氯甲烷、二氯甲烷、二甲基甲醯胺、1，4-二氧二乙稀、醋酸丁酯、二甲苯、丙醇、水等，可以單獨使用該些或混合該〇 [A3]有機半導體層形成工程（第2工程）接著，覆蓋形成有機膜60之源極電極20a及汲極電極20b，並且形成有機半導體層30使可接觸有機膜60 (參照第2圖（c ))。此時，在源極電極20a及汲極電極20b之間，形成有通道區域。有機半導體層30是由聚合物有機半導體材料（高分子系有機半導體材料）所構成之時，例如可以使用旋轉塗層法或浸塗法般之塗佈法、噴墨印刷法（液滴吐出法）或網印刷法般之印刷法而予以形成。再者，有機半導體層30於以低分子系有機半導體材料所構成之時，是可以使用例如蒸鍍法，或將低分子系有 -22- (20) 1290734 機半導體材料之先軀體之溶液，使用如旋轉塗層法或浸塗法般之塗佈法，噴墨印刷法或網印刷法般之印刷法’而形成塗膜之後，藉由對該塗膜施以退火處理，則可以形成。並且，有機半導體層30之形成區域並不限定於圖示之構成，有機半導體層3 0即使選擇性形成在源極電極2 0 a 及汲極電極20b之間的區域（通道區域）亦可。依此’在同一基板上，並列設置多數薄膜晶體（元件）1之時，藉 φ 由獨立各元件之有機半導體層3 0而予以形成，則可以抑制洩漏電流、各元件間之串音。再者，可以刪減有機半導體材料之使用量，並可以刪減製造成本。 [A4]閘極絕緣層形成工程接著，在有機半導體層30上，形成閘極絕緣層40 (參照第3圖（d ))。例如，以有機高分子材料構成閘極絕緣層40之時， i 閘極絕緣層40是塗佈成能夠將包含有機高分子材料或是該先軀體之溶液，覆蓋有機半導體層30上之後，因應所需，藉由對該塗膜施予後處理（例如，施予加熱、紅外線照射、超音波等）而予以形成。作爲將包含有機高分子材料或是該先軀體之溶液，塗佈在有機半導體層30上之方法，可以使用以上述工程[A3] 所舉出之塗佈法、印刷法等。再者，以無機材料構成閘極絕緣層40之時，閘極絕緣層4 0是例如可以藉由熱氧化法、C V D法、S Ο G法而形 -23- (21) 1290734 成。再者，可以藉由原材料使用聚硅氮烷，以濕式製程形成矽膜、氮化矽膜當作閘極絕緣膜40。 • [A5]閘極電極形成工程 .接著，在閘極絕緣膜40上，形成閘極電極50 (參照 •第 3 圖（e ))。 .首先，形成金屬膜（金屬層）。 φ 該是藉由例如電漿CVD、熱CVD、雷射CVD般之化學蒸鍍法（CVD )、蒸鍍、濺鍍（低溫濺鍍）、離子植入等之乾式鍍層法、電解電鍍、浸漬電鍍、無電解電鍍等之濕式鍍層法、溶射法、溶膠-凝膠法、MOD法、金屬箔之接合等來形成。在該金屬膜上，於塗佈光阻材料後使其硬化，形成對應於閘極電極50形狀的光阻層。使用罩幕掩蔽該光阻層，除去金屬膜不需要之部份。 • 除去該金屬膜是可以使用組合例如電漿蝕刻、反應性離子鈾刻、離子束蝕刻、光輔助蝕刻等之物理飩刻法，濕蝕刻等之化學性鈾刻之中的1種或2種以上。之後，藉由除去光阻層，取得閘極電極5 0。並且，閘極電極50是在閘極絕緣層40上塗佈（供給）例如包含導電性粒子或導電性有機材料之導電性材料而形成塗膜之後，亦可以因應所需，藉由對該塗膜施予後處理（例如，施予加熱、紅外線照射、超音波等）而加以形成。 -24- (22) 1290734 就以包含導電性粒子之導電性材料而言，可舉出分散金屬微粒子之溶液、包含導電性粒子之聚合物混合物等。再者，以包含導電性有機材料之導電性材料而言，可舉出導電性有機材料之溶液或是分散液等。作爲將導電性材料塗佈（供給）在閘極絕緣層4 0上之方法，可以使用例如以上述工程[A3]中所舉出之塗佈法、印刷法等。經由上述之工程，取得第1實施形態之薄膜電晶體。並且，在本實施形態中，雖然針對在源極電極2 0 a及汲極電極20b之表面形成有機膜60之時之情形予以表示，但是即使在汲極電極20b之表面不形成有機膜60，選擇性在源極電極20a之比面形成有機膜60亦可。再者，不導入具有摻雜性之功能團至構成有機膜60 之有機化合物時，即使在包含有源極電極20a及汲極電極 2〇b之表面之基板10之上面全體上，形成有機膜60亦可〇再者，例如藉由選擇構成有機膜60之有機化合物之種類，亦可以使用η型之有機半導體導體層當作有機半導體層30。 [第2實施形態] 接著，針對將本發明之電子裝置適用於薄膜電晶體之時的第2實施形態予以說明。第4圖是表示將本發明之電子裝置適用於薄膜電晶體 -25- (23) 1290734 之時之第2實施形態的槪略截面圖。以下，針對第2實施形態之薄膜電晶體，以與上述第 1實施形態不同之點爲中心予以說明，針對相同之事項， • 省略該說明。 •第2實施形態之薄膜電晶體1全體構成是與第1實施 •形態不同，除此之外與上述第1實施形態之薄膜電晶體1 ，相同。 φ 即是，第4圖所示之薄膜電晶體1是閘極電極5 0經由閘極絕緣層40，位於比源極電極20a及汲極電極20b還靠基板1 0側之底閘極型之薄膜電晶體。然後，形成在源極電極20a及汲極電極20b之表面上之有機膜60是成爲與上述第1實施形態相同之構成。如此之薄膜電晶體1亦可以與上述第1實施形態之薄膜電晶體1相同製造出。亦可依據如此之第2實施形態之薄膜電晶體1，取得 # 與上述第1實施形態之薄膜電晶體1相同之作用、效果。並且，本發明之電子裝置是如上述般，並不是限定於上述般之薄膜電晶體之適用，例如亦可以適用於有機EL 元件或光電變換元件等。 [顯示裝置] 接著，針對組裝有具備上述般之薄膜電晶體1之主動矩陣裝置的顯示裝置，以電泳顯示裝置作爲例予以說明。第5圖是表示電泳顯示裝置之實施形態的縱截面圖， -26- (24) 1290734 第6圖是表示第5圖所示之電泳顯示裝置所具備之主動矩陣裝置之構成的方塊圖。第5圖所示之電泳顯示裝置200是由被設置在基板 500上之主動矩陣裝置300，和電性被連接於該主動矩陣裝置3 0 0上之電泳顯示部4 0 0所構成。如第6圖所示般，主動矩陣裝置300是具有互相正交之多數資料線301，和多數掃描線3 02，和被設置在該些 • 資料線3 0 1和掃描線3 02之各交點附近之薄膜電晶體1。然後’薄膜電晶體1所具有之闊極電極50是連接於掃描線3 02，源極電極20a是連接於資料線301，汲極電極2 0b是連接於後述之畫素電極（個別電極）401上。如第5圖所示般，電泳顯示部40 0是在基板500上具有順序被疊層之畫素電極401、微膠囊402、透明電極 (共同電極）403及透明基板404。。然後，藉由連結材405在畫素電極401和透明電極 I 403之間固定微膠囊402。畫素電極40 1是被分割成矩陣狀、即是縱橫規則配列。在各微膠囊402內各封入特性不同之多數種電泳粒子、在本實施形態中，封入包含有電荷及顏色（色相）不同之2種電泳粒子421、422之電泳分散液420。如此之電泳顯示裝置200是當供給選擇訊號\選擇電壓）至1條或多數條掃描線3 02之時，被連接於供給該選擇訊號（選擇電壓）之掃描線302之薄膜電晶體1則成爲 ON。 -27- (25) 1290734 依此’背離接於如此之薄膜電晶體1之資料線畫素電極40 1實質上爲導通。此時，若爲將所欲 (電壓）供給至資料線3 01之狀態，該資料（電壓 • 供給至畫素電極401。 ^ 依此，在畫素第電極401和透明電極403之間 •場，因應該電場方向、強度、電泳粒子421、422 -等，電泳粒子421、422是朝向任一電極電氣游動。 • 另外，自該狀態當停止對掃描線3 02供給選 (選擇電壓）時，薄膜電晶體1則成爲OFF，被連此之薄膜電晶體1之資料線3 0 1和畫素電極4 0 1則導通狀態。因此，藉由執行對掃描線3 02供給或停止選擇或是適當組合對掃描線3 02供給或停止選擇訊號，顯示裝置200之顯示面側（透明基板404側）則可所欲之畫像（資訊）。 # 尤其，本實施形態之電泳顯示裝置2 0 0是可藉泳粒子421、422之顏色成爲不同，顯示多灰階之畫再者，本實施形態之電泳顯示裝置2 0 0因藉由動矩陣裝置3 00，可以選擇性ΟΝ/OFF被連接於特線3 02之薄膜電晶體1，故難以產生串音之問題，因可使電路動作高速化’故可以取得高品質之畫訊）。再者，本實施形態之電泳顯示裝置2 0 0因以低壓動作，故可省電力化。 30 1和之資料 )則被產生電之特性擇訊號接於如成爲非訊號，在電泳以顯示由使電 :像。具有主定掃描再者，像（資驅動電 -28- (26) 1290734 並且，組裝有具備上述般之薄膜電晶體之主動矩陣裝置之顯示裝置，並不限定於適用如此之電泳顯示裝置 200，亦可以適用於例如液晶顯示裝置、有機或是無機El '顯示裝置等。 •[電子機器] _ 如此之電泳顯示裝置200可以組裝於各種電子機器。 • 以下，針對具備有電泳顯示裝置2 00之本發明之電子機器予以說明。 [電子紙] 首先，針對將本發明之電子機器適用在電子紙之時的實施形態予以說明。第7圖是表示將本發明之電子機器適用於電子紙之時之實施形態的斜視圖。 • 該圖所示之電子紙600是具備有由具有與紙相同質感及柔軟性之可反復擦寫片所構成之本體60 1，和顯示元件 602 ° 如此之電子紙600中，顯示元件602是由上述般之電泳顯示裝置‘200所構成。 [顯示器] 接著，針對將本發明之電子機器適用於顯示器之時的實施形態予以說明。 -29- (27) 1290734 第8圖是表示將本發明之電子機器適用於顯示實施形態的圖示，（a )爲截面圖，（b )爲平面圖該圖所示之顯示器8 00是具備有本體部801、對該本體部801可拆裝自如之電子紙600。並且，紙600是與上述般之構成，即是第7圖所示之構成: 本體部8 01是在該側部（圖中，右側）形成可子紙600之插入口 8 05，再者，在內部設置有二組 φ 輪對8 02a、802b。當將電子紙600經由插入口 805 本體部801內時，電子紙600是在被搬運滾輪對 8 0 2b所挾持之狀態下，設置在本體部801。再者，在本體部801之顯示面側（下圖（b ) 側）上形成有矩形狀之孔部8 03，在該孔部8 03嵌明玻璃板804。依此，自本體部801之外部可以辨設置在本體部801之狀態的電子紙600。即使，在器8 00中，藉由在透明玻璃板804可辨識到被設置，部801之狀態的電子紙600，構成顯示面。再者，在電子紙600之插入方向前端部（圖側）上，設置有端子部8 06，在本體部801之內部將電子紙600設置在本體部801之狀態設置有連接 806之插座’8 07。在該插座8 07上電性連接有控制和操作部8 0 9。在如此之顯示器800中，電子紙600是被設置本體部801拆裝自如，亦可以在從本體部801取出下攜帶使用。之時的〇設置成該電子相同。插入電搬運滾插入至 802a > 中，則入有透識到被該顯示在本體中，左上，以端子部器808 成可在之狀態 -30- (28) 1290734 再者，如此之顯示器8 0 0中，電子紙6 0 0是如上述般之電泳顯示裝置200所構成。並且，本發明之電子機器並不限定於以上之適用，例如可以舉出電視、取景型、螢幕直視型之攝影機、汽車導航裝置、呼叫器、電子記事本、電子計算機、電子新聞、打字機、個人電腦、作業台、視頻電話、POS終端機、具備有觸控面板之機器等，可將電泳顯示裝置2 00適用於該 ® 些之各種電子機器之顯示部。以上，雖然針對本發明之電子裝置、電子裝置之製造方法及電子機器予以說明，但是本發明並不限定於此。再者，本發明之電子裝置及電子機器之各部構成，是可以與發揮相同功能之任意者置換，或是附加任意構成。 [實施例] 接著，針對本發明之具體實施例予以說明。 • 首先，準備以下所示之化合物（1 )〜（1 3 )當作有機化合物。 [化1 CF3(CF2)9(CH2)2SH ( 1 ) [化2] CF3(CF2)9(CH2)8SH ( 2 ) 31 - (29) 1290734 [化3]

CF3(CF2)9(CH2)iiSH

[化4]

CF3(CF2)9(CH2)17SH

[化5]

cf3(cf2)9(ch2)33sh [化6]

CF3(CF2)12(CH2)17SH

[化7]

CF3(CF2)nSH

[化8]

CH3(CF2)nSH

[化9]

CF3(CH2)i7SH

[it 10]

HO(CH2)uSH (30) 1290734 [化 11] HOOC(CH2)i〇SH (11) [化 12]

(12) [化 13] C6F5(CH2)2SH ( 13 ) (實施例1 ) 1-1.薄膜電晶體之製造如下所示，各製造1 A〜17A之薄膜電晶體200個。 (樣品 Νο·1Α) 首先，準備玻璃基板（NEC Corning公司製造「OA10」），使用水洗淨後，予以乾燥。接著，在玻璃基板上藉由微影成像法，在源極電極及汲極電極之形成區域以外之區域上，形成光阻層。然後，在玻璃基板之光阻層側之面上，藉由蒸鍍法形成金之薄膜後，剝離光阻層。依此，形成平均厚度l〇〇nm之源極電極及汲極電極。 -33- (31) 1290734 接著，對玻璃基板之形成有源極電極及汲極電極之側的面，執行氧電漿處理。並且，氧電漿處理之條件是如下述。處理氣體：純氧氣體 •處理氣體之流量：lOOsccm , R F 功率：0 · 0 5 W / c m 2 φ 處理時間：3 0 0秒環境溫度：2 5 °C 環境壓力·· lxlO_1Pa 接著，將形成有源極電極及汲極電極之玻璃基板，浸泡在化合物（1)之 O.lmM三氯甲院（chloroform)溶液 (有機膜形成用液）中0.05分鐘。並且，有機膜形成用液之溫度設爲20 °C。 • 依此，源極電極及汲極電極之表面形成有機膜。並且，結合於源極電極及汲極電及之表面之化合物 (1)之數量爲 O.OlxlO15 個/cm2。結合於該源極電極及汲極電極之表面之有機化合物之數量之測定，是使用 QCM ( Quarts Crystal Microbalance ) 、S Ρ Μ ( Scanning Probe Microscope )等之裝置。再者，形成有機膜之源極電極和形成有機膜之汲極電極之距離（通道長度）爲20//m，通道寬度W爲1mm。 -34 - (32) 1290734 接著，在玻璃基板上，藉由旋轉塗層法（2400rpm ) 塗佈芴並噻吩（fluorine-bithiophene)共聚體（F8T2)之 l%wt/vol甲苯溶液之後，以60°C xlO分鐘予以乾燥。依此，形成平均厚度50nm之有機半導體層。接著，在有機半導體層上，藉由旋轉塗層法 (2400rpm ) 塗佈聚甲基丙烯酸甲酯（P MM A ) 之 . 5%wt/vol醋酸乙烯溶液之後，以60°C xlO分鐘予以乾燥。 φ 接著，藉由旋轉塗層法（2400rpm )塗佈聚乙烯吡咯烷酮 (PVP )之2%wt/vol 丁醇溶液之後，以60°C X 1 0分鐘予以乾燥。依此’形成平均厚度（合計）500nm之2層構成之閛極絕緣層。接著，藉由噴墨法將Ag微粒子水分散液，塗佈在閘極絕緣層上之對應源極電極和汲極電極之間之區域的區域上之後，以80°C xlO分鐘予以乾燥。 φ 依此，形成平均厚度l〇〇nm，平均寬度30//m之閘極電極。藉由以上之工程，取得樣品No · 1 A之薄膜電晶體。 (樣品 Νο·2Α〜16A) 除將有機膜形成液之種類、基板浸泡至有機膜形成用液之浸泡時間，變更成如表1所示之外，其他則與上述樣品No.l相同，製造出薄膜電晶體。 -35- (33) 1290734 (樣品 Νο.17Α) 除省略有機膜之形成外，其他則與上述樣品No · 1相同，製造出薄膜電晶體。並且，樣品No. 1 A〜14A所形成之有機膜之最大厚度各比形成各有機膜所使用之化合物（1 ) 、（ 2 )及 (7) 、（11)所具有之亞甲基之反覆構造之長度還小。 # 1 - 2 .評估針對各樣品No·之薄膜電晶體，各在氮環境下測定汲極電流値Id、臨界電壓値Vth、S値。在此，臨界電壓値Vth爲表示閘極電壓和Id1/2之關係的近似式（關係式）之値成爲0時之閘極電壓，可以視爲汲極電流開始流動所需之閘極電壓。再者，S値是汲極電流之値上升1位數所需之閘極電壓之値。 • 並且，該些値各在製造薄膜電晶體後立即和在氮環境下放置3週後測定出。再者，汲極電流値Id是將源極電極-汲極電極間之電位差設爲40V，並使閘極電壓予以變化而所測定出。將該結果表示於表1。並且，表1中之汲極電流値Id是閘極電壓在一 4〇V 中的値。再者，表1中之各數値爲200個薄膜電晶體之平均値。 -36- (34)1290734

3週後〇 <N rn 〇〇二 ON ο 〇〇 oo o (N 〇 (N 寸 (N (N VO CN 1— 立即〇 CN r·^ rn q 〇 r—^ 卜 C\ ο 00 00 〇 <N 〇 CN m CN 〇 (N (N (Ν’ 1M m 3週後 (N (N Ο 〇〇〇 ο f—4 (N (N ro <N ΓΠ 立即 ο 〇〇〇 ο r—^ <N (N cn <N rn I iM 挺< 3週後 460 m Ό •^) 869 955 960 〇〇 Ο 486 i οο οο 卜 678 m 〇 o ΓΛ wn m wn 1 218 立即 509 VO ON in 877 954 963 Ό 〇〇 oo Ov 485 νο οο 1 698 657丨 C\ Ό OO ir^ ΟΟ 電極表面之有機化合物的結合;數 [χ10Γ5 個/αϊ?] 0.01 0.19 0.48 0.79 0.91 0.93 0.95 0.97 0.89 0.91 0.88 0.87 0.89 0.86 0.83 0.85 1 浸泡時間 [分鐘] 0.05 〇 m 〇 200 270 m II f·—^ d s 5 5 5 ^Η 5 5 5 S 5 溶媒之種類 sgf fr Ο 喊ο …1 壊| _ 〇 1Π1 m§ 〇 wo …1 mi 喊ο …ϊ mi fr 〇 wo mi Sgf 减ο nil ss| m 〇 …i mi …1 mi fr Ο 喊ο i'll 喊ο 1Π| Jgf f o m 〇蹈f m O sgf W o i'll 蹈？〇 i'll igf 〇〇 1H| 蹈？ m 〇 1Ί| 有機化合物之種類化合物⑴ 化合物(1) 化合物⑴ 化合物(1) 化合物(1) 化合物⑴ 化合物⑴ I 化合物(1) 化合物(2) 化?sTVoe1) ss ••赛 8.. 髮o <nf Is 4啦 $ ·· o" in ii Is ·· o T— NS^ · · <0 II 化合物(12) 化合物(13) 樣品 No. 1Α(本發明） 2A(本發明） 3A(本發明） 4Α(本發明） 5A(本發明） 6A(本發明） 7A(本發明） 8A(本發明） 9Α(本發明） 10A体發明） 11A体發明） 12A(本發明）! 13 A体發明） 14A(本發明） 15 A(比較例） 16Α(比較例），^s 鎰 ±Λ r- -37- (35) 1290734 如表1所示般，樣品No. 1A〜14A之薄膜電晶體（本發明）中之任一者經過2週時間後，仍維持該特性。即是，明顯可知該些任一者即使經過時間變化該特性也難以惡化。再者，藉由適當設定結合於源極電極及汲極電極之表 ’面的有機化合物之數量，表示提昇薄膜電晶體之特性的傾 .向，尤其在樣品Νο.4Α及5Α之薄膜電晶體中可取得高特 φ 性。對此，樣品No· 15 Α〜17Α之薄膜電晶體（比較例）中之任一者特性惡化，尤其可知無設置有機膜之樣品 No· 17A之薄膜電晶體經過3週時間後，特性惡化更爲明顯。 (實施例2 ) 2-1.薄膜電晶體之製造 # 使成爲下述般，製造樣品No.lB〜4B之薄膜電晶體各 200 個。 (樣品 No.lB ) 與上述樣品Νο·5Α相同，製造出薄膜電晶體。 (樣品 Νο_2Β ) 除對源極電極及汲極電極之表面，執行氬電漿處理取代氧電漿處理之外，其他與上述樣品No · 1 Β相同，製造出 -38- (36) 1290734 薄膜電晶體。並且，氬電漿處理之條件是如下述。處理氣體：純氬氣體處理氣體之流量：1 0 0 S c c m ， RF 功率：〇.〇5W/cm2 .處理時間：3 00秒 φ 環境溫度：25t 環境壓力：lxlO·1!^ (樣品 Νο·3Β ) 除對源極電極及汲極電極之表面，執行紫外線臭氧處理取代氧電漿處理之外，其他與上述樣品Νο·1Β相同’製造出薄膜電晶體。並且，紫外線臭氧處理之條件是如下述。紫外線之波長：254nm 紫外線之強度：0.01 W/cm2 處理時間：900秒環境：大氣環境（藉由照射紫外線產生臭氧）環境溫度：2 5 °C 環境壓力：大氣壓 (樣品 Νο·4Β ) -39- (37) 1290734 除省略對源極電極及汲極電極之表面執行氧電漿處理之外，其他與上述樣品Ν ο · 1 B相同，製造出薄膜電晶體。並且，以樣品No. 1B〜4B所形成之有機膜之最大厚度各比化合物（1)所具有之亞甲基之反覆構造之長度還小0 2 - 2 .評估針對各評估樣品No·之薄膜電晶體，各在氮環境下測定汲極電流値I d、臨界電壓値V t h、S値。並且，該些値各在製造薄膜電晶體之後馬上測定。再者，汲極電流値Id是將源極電極-汲極電極間之電 {立差設爲40V，並使閘極電壓予以變化而所測定出。將該結果表示於表2。並且，表2中之汲極電流値Id是閘極電壓在一 40 V 中的値。再者，表2中之各數値爲200個薄膜電晶體之平均値0 - 40- 1290734

m ^ 〇〇 (N (N 臨界電壓値 Vth[V] — ———— 〇 T—Η 〇汲極電流値 Id[nA] 〇〇 ON 735 767 778 電極之表面處理 I 氧電漿處理氬電漿處理紫外線臭氧處理 1 浸泡時間 i [分鐘] 有機膜形成用液濃度 [mM] r—Η τ-Η 溶媒之種類 i 三氯甲院(chloroform) 三氯甲院(chloroform) 三氯甲院(chloroform) 三氯甲院(chloroform) 有機化合物之種類化合物⑴ 化合物⑴ 化合物⑴ 化合物(1) 樣本No. 1B(本發明） 2B(本發明） 3B(本發明） 4B(本發明） -41 (39) 1290734 如表2所示，可知藉由於形成有機膜之前’對源極電極及汲極電極之表面施予氧電漿處理，則可以取得特性優良之薄膜電晶體。 (實施例3 ) 3-1.薄膜電晶體之製造使成爲下述般，製造樣品No.1C〜7C之薄膜電晶體各 • 200 個。 (樣品 No.lC ) 與上述樣品No.5A相同，製造出薄膜電晶體。

(樣品No.2C〜）C 除如表所示般變更有機膜形成液之種類外，其他與上述樣品No. 1B相同，製造出薄膜電晶體。 # 並且，氬電漿處理之條件是如下述。 (樣品 No.7C) 除省略有機膜之形成外，其他與上述樣品No . 1 B相同，製造出薄膜電晶體。並且，以樣品No. 1C〜6C所形成之有機膜之最大厚度各比化合物（1)〜（6)所具有之亞甲基之反覆構造之長度還小。 -42- (40) 1290734 3 - 2 · 3平估針對各評估樣品No.之薄膜電晶體，測量各個汲極電流値1 d。並且，汲極電流値各是在製造薄膜電晶體之後立即在氮瓌境中，及放置大氣壓1天後在大氣中所測定。再者，汲極電流値Id是將源極電極-汲極電極間之電位差設爲40V，並使閘極電壓予以變化而所測定出。籲將該結果表示於表3。再者，表3中之各數値爲200個之薄膜電晶體之平均値。

-43 - 1290734

汲極電流値Id[nA] OFF電流値IdOFF 1天後 (大氣中） 9xl〇·3 9x10_3 lxlO'2 lxlO-2 2x10"2 lxlO"2 3xl〇·2 立即 (氮氣中） 9x10·3 9xl0'3 9xl0·3 9xl0_3 9χ1(Τ3 9x10'3 1 9x10'3 ON電流値IdON 1天後 (大氣中） 758 717 r-H oo 1—^ ON Os m § 立即 (氮氣中） G\ to cn 917 Ό ON 00 (N oo 00 -j 485 浸泡時間 [分簡 1 有機膜形成用液濃度 [mM] r—Η r—Η 1—H r-H 溶媒之種類三氯甲院(chloroform) 三氯甲院(chloroform) 三氯甲院(chloroform) 三氯甲院(chloroform) 三氯甲烷(chloroform) 三氯甲烷(chloroform) 有機化合物之種類化合物⑴ 化合物(2) 化合物(3) 化合物(4) 化合物(5) 化合物⑹ 樣品No. 1C(本發明） 2C(本發明） 3C(本發明） 4C体發明） 5C(本發明） 6C(本發明）1 7C(比較例） -44 - (42) 1290734 如表3所示般，樣品No. 1C〜6C之薄膜電晶體（本發明）中之任一者皆爲特性優良者。再者，該些中之任一者雖然放置在大氣中後之特性惡化，但是比起樣品Νο·7之薄膜電晶體（比較例）明顯爲低。再者，藉由適當設定構成有機膜之有機化合物 (CF2 )單元之數量和（CH2 )單元之數量，表示抑制放 φ 置在大氣中後特性惡化之傾向，並確認出樣品No . 1 C及 2 C之薄膜電晶體之抑制效果尤其爲高。並且，比較表1〜表3明顯可知，形成有機膜之本發明之薄膜電晶體於以相同條件所製造出之時（比較樣品 No.5A、IB、1C )，對於特性誤差小之薄膜電晶體，省略形成有機膜的比較例之薄膜電晶體，即使在以相同條件製造之時（比較樣品Νο·17Α、7C)，特性誤差亦爲顯著。【圖式簡單說明】第1圖是表示將本發明之電子裝置適用於薄膜電晶體之時之第1實施形態的槪略圖。第2圖是用以說明第1圖所示之薄膜電晶體之製造方法的圖式（縱截面圖）。第3圖是用以說明第1圖所示之薄膜電晶體之製造方法的圖式（縱截面圖）。第4圖是表示將本發明之電子裝置適用於薄膜電晶體之時之第2實施形態的槪略截面圖。 -45- (43) 1290734 第5圖是表示電泳顯示裝置之實施形態之縱截面圖。第6圖是表示具備第5圖所示之電泳顯示裝置之主動矩陣裝置之構成的方塊圖。 •第7圖是表示將本發明之電子機器適用於電子紙之時 -之實施形態的斜視圖。 ♦ 第8圖是表示將本發明之電子機器適用於顯示器之時 ^ 之實施形態的圖式。【主要元件符號說明】 1 :薄膜電晶體 1 0 :基板 2 〇 a :源極電極 2 0 b ·汲極電極 2 0 :電極 3〇 :有機半導體層 • 40 :閘極絕緣層 5 0 :閘極電極 6 0 :有機膜 2 0 0 :電泳顯示裝置 300 :主動矩陣裝置 301 :資料線 302 :掃插線 400 :電泳顯示部 4 〇 1 :畫素電極 -46- (44) 1290734 402 :微膠囊 420 :電泳分散液 4 2 1、4 2 2 :電泳粒子： 403 :透明電極 404 :透明基板 4 0 5 :連結材 5 0 0 :基板 φ 6 0 0 :電子紙 601 :本體 602 :顯示單元 8 0 0 :顯示器 8 0 1 :本體部 802a、802b :搬運滾輪對 803 :孔部 804 :透明玻璃板 # 8 05 :插入口 8 0 6 :端子部 807 :插座 8 0 8 :控制器 8 09 :操作部 -47-

Claims

1290734 --—--- • %年艾月>1日.(更)正本 (1) L______________ 十、申請專利範圍第94 1 3095 1號專利申請案中文申請專利範圍修正本民國96年5月21日修正 1· 一種電子裝置，其特徵爲：具備：閘極電極； | 有機半導體層； ί立於上述閘極電極和上述有機半導體層之間的閘極絕緣層；和將載體注入至上述有機半導體層的屬於源極及汲極之一對電極，在上述一對電極中之至少一方之電極表面，具有結合含有非共軛系有機化合物之有機化合物而所構成之有機膜。 Ρ 2·如申請專利範圍第1項所記載之電子裝置，其中，上述有機化合物是具有與上述電極結合的結合基，在形成有上述有機膜之電極表面上，具有上述結合基不結合之部分。 3 ·如申請專利範圍第1項所記載之電子裝置，其中，上述有機化合物是具有與上述電極結合的結合基，在形成有上述有機膜之電極表面上，又殘存有上述上述結合基能結合之部分。 4 ·如申請專利範圍第1項所記載之電子裝置，其中， 1290734 . (2) . 上述有機化合物是具有與上述電極結合之結合基，該結合基爲SH基。 5. 如申請專利範圍第4項所記載之電子裝置，其中，上述有機化合物是在與上述結合基相反側上，具有能供給荷電至上述有機半導體層的置換基。 6. 如申請專利範圍第5項所記載之電子裝置，其中，上述有機化合物構成直鏈狀， # 上述有機膜之最大膜厚是比從上述有機化合物之上述結合基至上述置換基爲止的長度小。 7 .如申請專利範圍第6項所記載之電子裝置，其中，上述有機化合物是在與上述結合基相反側上具有表示撥水性之構造。 8·如申請專利範圍第7項所記載之電子裝置，其中，上述非共軛系有機化合物是以一般式： C F 3 (C F 2) m (C Η 2 ) n S Η表示，m是表示1〜3 5之整數，η是表 _ 不2〜33之整數。 9·如申請專利範圍第8項所記載之電子裝置，其中，於上述一般式中，m/n爲滿足成爲0.25〜18的關係。 1 〇 ·如申請專利範圍第1項所記載之電子裝置，其中，上述非共軛系有機化合物，是該碳總數量爲4〜45。 1 1 ·如申請專利範圍第1項所記載之電子裝置，其中，在形成有上述有機膜之電極中，結合至該電極之表面的上述有機化合物之數量爲0·05χ1015〜0·96χ1〇15個/em2。 12·如申請專利範圍第1項所記載之電子裝置，其 2- 1290734 / (3) ，中，形成有上述有機膜之電極是藉由上述有機膜之存在，防止與上述有機半導體層直接接觸。 1 3 .如申請專利範圍第1項所記載之電子裝置，其中，形成有上述有機膜之電極是以Au、Ag、Cu、Pt或是含有該些之合金爲主材料而所構成。 14. 一種電子裝置之製造方法，其特徵爲：包含= > 形成屬於源極及汲極電極之一對電極的工程；在上述一對電極之至少一方的電極表面，結合含有非共軛系有機化合物之有機化合物而形成有機膜的工程；在上述有機膜形成有機半導體層的工程；在上述有機半導體層上形成閘極絕緣層的工程；和在上述閘極絕緣層上形成閘極電極的工程。 15. 如申請專利範圍第14項所記載之電子裝置之製造方法，其中，於形成上述有機膜之工程前，具有藉由氧電 ί 漿處理洗淨上述一對電極表面的工程。 16. 如申請專利範圍第14或15項所記載之電子裝置之製造方法，其中，在形成上述有機膜之工程中，使濃度爲〇·〇1〜10Mm含有上述有機化合物之有機膜形成用液，接觸至形成上述有機膜之上述一對電極之至少一方表面〇·1〜200分鐘，形成上述有機膜。 17·—種電子機器，其特徵爲：具備有申請專利範圍第1至1 3項中之任一項所記載之電子裝置。