JP2006261517A - 有機薄膜トランジスタ、それを備えた表示装置および有機薄膜トランジスタの製造方法。 - Google Patents
有機薄膜トランジスタ、それを備えた表示装置および有機薄膜トランジスタの製造方法。 Download PDFInfo
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Abstract
【解決手段】 有機薄膜トランジスタ10は、基板1と、ゲート電極2と、ゲート絶縁膜3と、有機半導体膜4と、ソース電極5と、ドレイン電極6と、金属粒子7とを備える。ゲート電極2は、有機半導体膜4の膜厚方向に電界を生じさせる電界をゲート絶縁膜3を介して印加する。有機半導体膜4は、チオフェン骨格を有する有機半導体材料からなる。そして、有機薄膜トランジスタ10において、金属粒子7は、ソース電極5とドレイン電極6との間の有機半導体膜4の一主面に配置される。
【選択図】 図1
Description
Claims (6)
- 基板上に形成され、チオフェン骨格を有する有機半導体膜と、
前記有機半導体膜を通じて電流を流すための第1および第2の電極と、
前記有機半導体膜に接して形成された絶縁膜と、
前記有機半導体膜の膜厚方向に電界を生じさせる電圧を前記絶縁膜を介して印加するための第3の電極と、
前記第1および第2の電極間の前記有機半導体膜の一主面に配置された金属粒子とを備える有機薄膜トランジスタ。 - 前記金属粒子は、前記有機半導体膜と前記絶縁膜との界面に配置される、請求項1に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 前記金属粒子は、銀、銅、パラジウム、ロジウムおよびイリジウムのいずれかからなる微粒子または銀およびパラジウムのいずれかを含む合金の微粒子である、請求項1または請求項2に記載の有機薄膜トランジスタ。
- 請求項1から請求項3のいずれか1項に記載の有機薄膜トランジスタを備える表示装置。
- 有機薄膜トランジスタの製造方法であって、
前記有機薄膜トランジスタは、
基板上に形成され、チオフェン骨格を有する有機半導体膜と、
前記有機半導体膜を通じて電流を流すための第1および第2の電極と、
前記有機半導体膜に接して形成された絶縁膜と、
前記有機半導体膜の膜厚方向に電界を生じさせる電圧を前記絶縁膜を介して印加するための第3の電極と、
前記第1および第2の電極間の前記有機半導体膜の一主面に配置された金属粒子とを備え、
前記製造方法は、
前記第1および第2の電極を形成する第1のステップと、
前記第1のステップにおいて形成された前記第1および第2の電極間の部位に金属ナノ粒子を含む溶液を印刷法により印刷する第2のステップと、
前記印刷された溶液を乾燥する第3のステップとを含む、有機薄膜トランジスタの製造方法。 - 有機薄膜トランジスタの製造方法であって、
前記有機薄膜トランジスタは、
基板上に形成され、チオフェン骨格を有する有機半導体膜と、
前記有機半導体膜を通じて電流を流すための第1および第2の電極と、
前記有機半導体膜に接して形成された絶縁膜と、
前記有機半導体膜の膜厚方向に電界を生じさせる電圧を前記絶縁膜を介して印加するための第3の電極と、
前記第1および第2の電極間の前記有機半導体膜の一主面に配置された金属粒子とを備え、
前記製造方法は、
前記第1および第2の電極を形成する第1のステップと、
前記第1のステップにおいて形成された前記第1および第2の電極間の部位にスパッタリング法により前記金属粒子を形成する第2のステップを含む、有機薄膜トランジスタの製造方法。
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