TWI289734B - Apparatus and method for providing a confined liquid for immersion lithography - Google Patents

Description

1289734 九、發明說明： 一、【發明所屬之技術領域】 本發明係關於半導體晶圓製造，尤有關於更有效地在微影操 作中施行光阻之圖案化所用之設備與技術。 二、【先前技術】 半導體裝置製造之首要事項為選擇性地在基板之微小適當形 成區域進行操作之能力。在對半導體裝置達較高效能水平以及較 高功能性密度之持續需求下，微電子產業肩負運用新製程以更降 低半導體裝置最小特徵尺寸之使命。 圖1顯示簡化微影操作20之實施例。在操作20中，光源26 產生光穿過初縮遮罩28，初縮遮罩通常利用在一透明玻璃板上沉 積一鉻光罩而製成，接著通常將光罩塗上光阻，再以圖案產生器 在光阻上形成一圖案，接著顯影光阻，之後利用化學方式處理光 罩’以自玻璃板上去除除該圖案外之所有物質。為在光阻上形成 了1案’圖案產生器利用一電子束以於光阻上產生特徵，光通過 初縮遮^ 28後，接著可將已塗佈於基板22表面之光阻24圖案化， 再以如習於此技術者所熟知之程序處理光阻，在基板22上產生所 欲特徵。 當特徵尺寸減少時，裝置即可變小或雖仍維持相同尺寸但可 ^密包裝’因此將半導體裝置圖案化所使用之微影技術須同時進 二以期縮短特徵尺寸，方可顧及較小且較密之半導體裝置。為達 ，微影技術須逐漸提升其解決日益縮小之線寬的能力，該 俯it分由將光阻圖案化之光的波長決定，故透過微影技 露光二ΐίίί寸（CD)的主要方法之一為：持續減少用於暴 路先=產生適當形狀_輪_輻射波長。 产糌^至具有收縮幾何形狀之較高密度晶片時，高解析 ^ 、；疋更具挑戰性；再者，當金屬化互連線技術轉換至 1289734 雙重金屬鑲肷製辦，在電介質上形細或渠圖案之 僅更具關鍵性，且在產率及可靠度上杜接影響=長 tit目前光學《嫩工具必須改== 較短波長者，舰H較長波長製程改變至該157咖 =通常必須更換光學鄉卫具，例如個不同 4 鏡片概念，以及改變光罩材料。 竹及不门 因此，吾人需要-種可利用與j見存系統相同之光罩、光阻、 以及鏡片概念，但同時亦可提供因使錄短波長將 所產生較鮮明之圖案輪廓。 口系化* 三、【發明内容】 、廣泛言之，本發明藉提供以一最適及有效方式施行微影之方 法與設備，以滿足此些需求。吾人應明瞭本發明可以許多方式完

成，包括製程、設備、系統、裝置或方法。茲將本發明數個發 實施例說明於下。 X 在一實施例中提供處理基板之方法，其中包括產生一流體彎 月形部以處理該基板，其中該流體彎月形部係藉添加液體至其 中、並藉抽氣方式自該流體彎月形部移除流體以定時補充流體； 該方法亦包含將該流體彎月形部塗於基板表面之光阻上，並令圖 案化之光投射穿過該流體彎月形部至基板表面之光阻上。 在另一實施例中提供一處理基板之設備，其中包括一用以產 生有助於基板表面之光阻圖案化之流體彎月形部的近接頭，其中 該流體彎月形部係藉添加液體至其中、並藉抽氣方式自該流體彎 月形部移除流體以定時補充流體；該設備亦包括一至少部分定位 於該近接頭内之微影鏡片結構，該微影鏡片結構具有一微影鏡 片，其於操作中係與該流體彎月形部直接接觸；該微影鏡片結構 自該微影鏡片施加一圖案化之光穿過流體彎月形部而將基板表面 上之光阻圖案化。 1289734 、又f另-實施例中提供-處理基板之設備，其中包括一可產 生流體㈣形部以處理基板表面之近接頭，其巾該趙彎月形部 係藉添加液體至其中、並藉抽氣方式自該流卿月形部移除流體 以定時補充越；該設備更包含在該近接_之絲生源，1中 該光產生·操作巾雜職_月形部直接_，該圖案&之 光具有-進人該流體彎月形部前之第—波長，以及當穿過該流體 考月形部而施加於光阻時之有效波長，其中該有效波長較該 波長為短。 在另了實施例中提供一處理基板之設備，其中包括在基板表 面產生一彎月形部，並利用微影光穿過該彎月形部以進行基板表 面之微影處理。 又在另一實施例中提供一微影設備，其中包括一可在基板表 面產生4月形部之近接頭；該設備亦包括一用於自近接頭照射微 影光並穿過彎月形部之光源，其中該微影光係與基板表面直接接 觸，使微影處理得以進行。 <本發明具有許多優勢。其中最值得注意者為：此處所說明之 3又備與方法，可藉將光學訊號之波長轉換成較短有效波長，而在 浸潤式微影操作中有效率地形成光阻圖案。該較短有效波長可利 用具有微影鏡片之近接頭產生，該微影鏡片可直接接觸一流體彎 月形部，光學訊號係穿過該流體彎月形部而傳遞至基板表面之光 阻層。 具有微影鏡片之近接頭可供最適化操控使用或自水中移除流 體，藉此產生光學訊號可穿透之流體彎月形部。吾人可有效地移 動該流體彎月形部，而不喪失重要的穩定性；另外，該流體彎月 形部可以新液體補充1，故可大幅減少流體彎月形部内之起泡及污 柒情形而改良微影製程；此外，藉著使用此處所述之流體彎月形 部’可大幅減少晶圓表面所殘留之污染物，因此，藉著使用可縮 短來自微影鏡之光學訊號有效波長之流體彎月形部，其設備如一 般用於較長波長微影法之鏡片及光學儀器，即可用以產生較通常 1289734 所用者更精準鮮明之圖案。 本發明之其他方面及優勢，將以下列詳細說明及附圖、並藉 由援引本發明原理之實施例而令人更易明瞭。 四、【實施方式】 茲揭露一用於處理基板之方法與設備之發明，尤其是吾人提 供一在微影操作中形成光阻圖案之高效實際方式。在下列說明中 將陳述許多特殊細節，以提供對本發明之徹底了解；然而吾人須 ，瞭·本發明在不採用部分或全部此些特殊細節下，仍可為一般 熟於十技術者所施行；在其餘例子中，吾人並未詳細說明已熟知 製程操作，以避免對本發明造成不必要之混淆。 儘f本發明已就數個較佳實施例而論，但仍希望習於此技術 ^在閱碩上述說明及研究附圖時可了解其中各種不同之變化、增 =、變更與同義處，因此吾人意指本發明將所有此類變化、增補、 變更與同義處囊括於本發明之真實精神與範圍内。 下方諸圖均說明一示範晶圓處理系統之實施例，其中係施行 最適，微影操作；下方諸圖尤其說明—示範晶圓處理系統之實施 列二，、中係在控制環境中利用近接頭以產生流體彎月形部，該控 制，境包括至少部分位於近接頭内部之微影鏡片結構。在一實施 =、、1ΐϊ鏡片可與流體f月形部接觸，並令圖案化之光學訊號 月形部至已塗佈於基板表面之光阻；應瞭解將光阻塗 於此技術者所熟知之技術。藉由令光學訊號透射 月形部並令光學訊號作麟光阻上，光學訊號之波長 ^ 、艾一較紐有效波長，故可獲致較精確之光阻圖案。因此， 較精確之光阻圖案化方式，而在半導體晶圓内產生 了獲付較小且較密特徵之較小臨界尺寸。 細瞭··此處所說明之祕係作為示範用，任何可令近 二極接近晶圓之適當配置類型均可採用。在所示之實施 ’i中’近接頭可採用任何方便於雜贿化之方式移動；在一實 1289734 ίίΐ關近接ΐ可具有以任何通常與習於此技術者所熟知之步進 ;在另—實施例中，近接頭可以線性方式 工saU-jfe移動至對面另—端，或可利用其餘非線 ^=!如輻射形運動、圓周運動、螺旋運動、雜齒形運動^ 曰曰 =使用麵欲之任何射特定獅方式，只要能 _亦 用 f P °此外’此處所述之近接頭與晶圓處理系統可 日ί ί可f反形狀及尺寸之微影圖案，如200 mm晶圓、_丨 以吾日^處所述之方法與^1備可用於任何適當晶圓處理 ϋ亦綱瞭微影鏡4可使用任何適t近接頭，該近接頭 ^接觸，並在曰曰圓表面上進行光阻之微影圖案化；如此處所用之 ί影f片可為任何適當類型之微影設備，其可令贿化之光透射 牙過该鏡片以形成光阻贿。在—實施例中，微影鏡片可為附於 Γ縱列系統以形成微影光系統之微影鏡片結構的一部分，其中該 知支影光系統可包含一光源、一初縮遮罩、以及一或更多鏡片。 圖2顯示根據本發明一實施例之一晶圓處理系統丨〇〇。該系統 100包含一近接頭1〇β，其可產生此處所述之流體彎月形部112 ; 在一實施例中，該近接頭106可為臂104所支撐，且可移動至極 接近晶圓108上方處，晶圓log表面上塗佈有光阻ι1〇，該晶圓 108在光阻110_下可具有任何適當類型層、高度、或材料，依所需 之晶圓結構而定；在一實施例中，晶圓1〇8可以一夾盤116支撐。 吾人應明瞭晶圓108可以任何其他適當方式支承或撐托，例如萨 滾輪支撐晶圓108之邊界。 9 吾人應明瞭系統1〇〇可以任何適當方式配置，只要近接頭可 移動至極接近晶圓處，在利用與流體彎月形部U2接觸之微影鏡 片結構200形成光阻層圖案時，得以產生並控制彎月形部即可。 兹將參照圖3Α至4C更詳細地說明該微影鏡片結構2〇〇。吾人應明 1289734 當距離，只要仍可維持彎月 老^、成先阻圖案即可。在一實施例中，近接頭副（以及,tl· =斤述^任何其他近接頭）可位於自晶圓⑽算起約 ，處，以期在晶圓1〇8表面上產生流體彎月形部112 :在一ς 土貫施例中’近接頭1〇6 (以及此處所述之任何其他近接頭）= =起約〇·5腿至約4·5刪1處，以期在晶圓108表 月形部112 ;且在一較佳實施例中，近接頭 自晶圓算起約2刪處，以期在晶圓表面上產生流體彎月形 在一實施例中，系統1〇〇、近接頭1〇6可自已塗佈於晶 上之光阻賴案化部分移動絲圖案化部分；吾人綱瞭 頭106可採用任何適當移動方式，只要近接頭1〇6之移動可人^ 晶圓108之光阻層上形成所欲圖案即可，如上所述。晶^ 統100之近接頭106亦可為任—適#尺寸與形狀，例如此處所^ 之任一近接頭，故此處所述之不同配置即可在近接頭與晶 生一流體彎月形部；且另外，微影鏡片結構2〇〇可令圖 穿過-與越彎月形部112直接接觸之鏡片㈣加於^阻11〇 上，一旦光自鏡片直接移動至流體彎月形部112，根據該流體之折 射率，该光之有效波長將遠短於光尚未進入流體彎月形部前者。 吾人應明暸可縮短來自微影鏡片之光的有效波長之任何適當液體 均可採用，例如水、蔗糖或麥芽糖水溶液、或氯化物鹽類等； 由將流體彎月形部定位於與鏡片及光阻直接接觸處，^月形部二 鏡片界面以及液體一光阻界面處之折射均可大幅減少或消除，此 可令來自微影鏡片之圖案化之光移動穿過彎月形部而不發生折 射，如此可縮短已圖案化之光的有效波長，利用下表丨之^式可 求得已圖案化之光之有效;工

^effective 折射率 1289734 在上述方私式申，為進入流體彎月形部前之已圖案化之光 波長，Xeffeetive為施加至晶圓表面光阻之已圖案化之光的有效波長。 在一實施例中，水可作為浸潤式微影用之液體，水之折射率&為 1· 43 ’因此若微影鏡片施力口波長193 nm的光至流體彎月形部，; 用於光阻上之光學訊號有效波長可縮短至約135 nm，因^二萨 使用其中令微影鏡片與流體彎月形部之液體直接接觸之配置，曰可 大中田減少來自微影鏡片之光的有效波長，施，加在基板表面光阻上 之縮短有效波長光可形成任何適當之所欲光阻圖案。吾人應明 來自光源的光可透射穿過初縮遮罩，其可產生所欲圖案，該光^ 可為可產生形成光阻圖案之光學訊號之任何適當設備，例如 燈、激分子雷射等；該初縮遮罩可由習於此技術者所熟知 適當方法產生。 在一實施例中，微影鏡片結構2〇〇係附於一圖案化之光產生 設備，如圖2中所示之縱列系統2〇2,該縱列系統2〇2可為具有 源以及初縮遮罩之任一適當設備，其中來自光源之未圖案化之 可透射通過初縮遮罩，產生用於透射通過形成光阻丨1〇圖 之微影鏡片結構200之圖案化之光；吾人須明瞭微影鏡片結構2卯 可為任一適當配置及/或尺寸之任一適當結構，該任一適°當配 及/或尺寸係至少部分形成於近接頭範圍内，如此亦可幫助 化之光自縱列系統202透射至流體彎月形部ία。在一實施例中。 圖案化之光可依序自縱列系統202穿過微影鏡片結構2〇〇之’ 直接到達流體彎月形部112,再穿過流體彎月形部112逵曰 108表面上之光阻11〇 ;接著圖案化之光可施加於光阻ιΐ()上曰，曰 疋，案即印在光阻110上，故在一實施例中，微影鏡片結構^ 可在一通道内包含一或更多延伸穿過微影鏡片結構2⑽之 以使光可自近接頭1G6之部分透射至近_⑽ ’ 分；吾人須注意醜化之光可贿—射形式產生所^ 之實施例本f上則於示範。 藉著將流體作用於晶圓表面以及自該表面上移除流體，同時 1289734 光阻，靖月形部可移動穿 警Η 進處在—實施例中，步進裝置可用以將微 Γ見曰π 晶圓部分之上方移動；在微影圖案化操作進行 日m亦可以—光柵形運動方式移動，吾人須日膽系統100 可處理晶g之-表面或晶κ之頂、底兩表面。 2施例中，吾人可藉由令流體透過管道⑷如此處所述 广、、六，U Ϊ二及源出σ)作用於晶圓表面並自晶圓表面移 而產生流㈣月形部112，吾人須日膽管道如人口及出口在

_有開孔’且該f道可具有任—適當配置，只要可 利用到此處所述之穩定彎月形部即可。 柳，f二實ΐ例中，至少―氣體人σ可與至少一真空出口相 < 1 = / —真空出口可與至少—處理流體人口相鄰，以形成 工:處理流體取向結構，吾人應了解其他類型之取向結 構如乳體-處理流體-真S、處理流體—真氣體、真空一氣 體ί亦可採用，依所需之晶圓製程與所尋求改良之晶 ^處,，而疋’在另-實施例中’吾人可明智地採用氣體—真 工-處理k體取向結構，並有效地產生、控制及移動位於近接頭 ，晶圓間之-月形部，憑藉處理f月形部之能力，微影鏡片可維

持在液體/鏡片界誠及趙/光阻界面可減少作餘光阻上之 光學訊號有效波長的位置上。 f流«月形部可採—穩定方式產生並轉，則處理流體入 二氣體^口:以及真空出口可以任一適當方式排列，例如除該 氣體入口夕卜，该真空出口以及該處理流體人口，在_額外實施例 中可有氣體入口、處理流體入口以及/或真㈣σ之額外組合， 根據所需近接碩之配置而定。吾人應明瞭氣體真空處理流體取向 結構之確貫配置可依應用方式而改變，例如可改變氣體入口、真 空:以及處，流體入口等位置彼此間之距離，使距離一致或不二 致；此外，氣體入口、真空、以及處理流體入口彼此間之距離大 小可依近頭106之尺寸、形狀、配置與製程彎月形部之所需尺 12 1289734 寸（亦即彎月形部形狀及尺寸）而定。 在一實施例中，近接頭106可定位於極接近晶圓1〇8之頂部 表面處，且吾人可利用該氣體及處理流體入口與真空出口，以產 生與晶圓108接觸之晶圓處理彎月形部，如此可對頂部表面作處 ，。在一實施例中，IPA (異丙醇）/沁蒸氣氣體可當作氣體而由

氣體入口輸入，去離子水可當作流體而自處理流體入口輸入，IPA ^處理流體兩者實於同時間輸入，在極接迎晶圓表面處可進行抽 了空處理，以去除IPA蒸氣、處理流體、以及/或可能存在於晶 圓表面之流體；吾人應明瞭在示範實施例中雖使用，但亦可採 用1何其他適當類型之蒸氣，如任一適當醇類蒸氣（乙醇、丙醇、 丁醇、己醇等）、酮類、醚類、或其他可與用以產生流體彎月形部 之液體互溶之有機化合物等，其蒸氣可藉一惰性氣體帶走，而位 於近接頭與晶圓間區域之處理流體部分即為彎月形部。吾人應了 解·此處所用之「輸出」可指自晶圓⑽與特殊近接頭間之區域 移，流體，❿「輸入」可指導入流體至晶目1〇8與特殊近接頭間 之區域。 在一實施例中，系統100更包含一流體供應分配器，其可供 ^流體至近3頭並自近接頭⑽移除越，吾人應了解該流 j應分配f可為任何可以控制方式（例如歧管）以供應及接收 3之適當設備；在—實施射，該流體供應分配^自流體源接 =體，吾人可藉任一可管理流體輸入至近接頭106之適當硬體 軟體之流體供應控制，以管理並控繼流體源、，接著近接頭106 可產生可處理晶圓108之彎月形部H2。 圖3A說明根據本發明一實施例之附微影鏡片結構2〇〇之近接 2二如上Ϊ述，該微影鏡片綱可連接至可產生在晶圓表面形成 j之圖ί化之光的任—適當設備；在一實施例中，如圖2所示， =、化之光產生設備為縱列系統2G2，其可貼附於微影鏡片結構 影鏡片結構2GG可包含—直接與流體彎月形部 夺圖案化之光傳送至光阻之鏡片；在一實施例中，該鏡 13 1289734 片可由所需波長光可透射之任何適當材料所製成，例如CaF2、石 英等。 在一實施例中，近接頭106包含入口 302、306、與出口 304 ; 在一次潤式微影操作之示範實施例中，近接頭106可產生一流體 彎月形部，微影鏡片結構200可令圖案化之光透射穿過該流體彎 月形部而在晶圓108表面之光阻上形成圖案（如參照圖3B及3C 更詳細說明者），入口 302及306可根據所，需之特殊晶圓處理操 作，而分別輸入任何適當表面張力降低氣體/蒸氣及處理流體；' 出口 304可產生真空，其可自晶圓108表面移除任意適量之表面 張力降低氣體及處理流體（以及在晶圓1〇8上之任何其他流體）， 因此，近接頭106可令此處所述之流體彎月形部產生，以創造出 圖案化之光可透射穿過之流體媒介。在此一示範實施例中，近接 頭106可處理晶圓1〇8,故如縱列結構内部之初縮遮罩所形成之圖 案，可藉由令圖案化之光傳遞通過微影鏡片結構2〇〇之鏡片而轉 印至光阻上；鏡片可與流體彎月形部直接接觸，故來自鏡片之圖 案化之光可透射進入並通過流體彎月形部到達光阻，其中光阻可 與由近接頭106所產生之流體彎月形部直接接觸。當圖案化之光 由微影鏡片移動至流體彎月形部時，流體彎月形部之反射率可降 低施加於光阻上之圖案化之光的有效波長。 吾人應明瞭在近接頭1〇6之另一實施例中，可撤除入口 3〇2 而僅保留入口 306及出口 304。在此一配置中，與近接頭處理表面 之其餘部分相較，出口 3G4及入口 306所處之區域可為鋸齒狀， 口此心體％月开可包含於該鑛齒狀區域内，而無須使用承壓氣 體以及/或表面張力改變氣體，故處理流體可透過入口 3〇6輸入 並透過出口 304移除，以形成可令微影發生之穩定彎月形部。 圖3B顯示根據本發明一實施例之近接頭1〇6 ® 〇 t ^ ^ 106 302 ^ 口 304，在-實施辦，#處理流體例如去離子水（請 入口 306而施加於晶圓表面時，流體即形成可藉由透過源入口逝 1289734 加諸如IPA/N2之氣體施加以及移除IpA/N2與DIW之源出口 3〇4 所限制之流體f月形部，該流體彎月形部接觸微影鏡片結構· 之鏡片與晶圓表面之光阻兩者，以提供來自微影鏡片結構2〇〇之 i 可施加於光阻上之媒介。在—實施例中，微影鏡片結 構200包含-可將圖案化之光自縱列系統直接透射至流體彎月形 片，，如上所述，該源入口 302可輸入任何類型的氣體， 惟八須可IV低組成液體彎月形部之液體的麵張力。在一實施例 =，^體於流體f月形部之液體/氣體邊界產生表面張力梯度； 相一例巾’該氣體為—適當張力活性流體蒸氣，如醇類、嗣 八他可與用以產生流體彎月形部之流體互溶且具張力活性 2,53化合物。在一較佳實施例中，氣體為在氮氣中之異丙 PA/%)，此—實施例中之1PA/N2可降低液體例如水之 ί面Π因為在一實施例中，流體f月形部内之則係定時補 ’在微影操作期間晶圓表面可保持於相當乾淨之狀態；此外， 成並維持流體彎月形部之硬體，配置成令流體彎月形 二# 現象達最輕微或完全消除，藉以將圖案化操作最適 1 H方式，晶圓表面上不留污染物之穩"月形部即可產 ^ - 音偷flf顯示根據本發明一實施例之操作中的近接頭⑽。在此 氣於i® =接ΐ 106正處於操作狀態，且已產生具有一液體/ 乳體界面388之流體彎月形部112。在一實施例中，吾 並 而輸入具有可降低來自微影鏡片結構施< 光有效ί ϋΐί??體如水；此外，氣體蒸氣例如張力活性氣體像Μ ίΐΪ直LfT 圓表面之光阻上移除。在一實施例中，吾 晶除=以及1PA/% ’流體彎月形部112可藉此法在 其中微影鏡片結構200可施加圖案化之光400穿 過该曰曰Η表面，·因為微影鏡片結構觸之鏡片施 15 1289734 部112相接觸，而流體彎月形部U2與光阻相接觸，組成流體彎 月形部之流體的折射率可能降低自微影鏡片結構2〇〇施加至光阻 110上之圖案化之光400的有效波長。在此一實施例中，微影鏡片 結構200之鏡片200a先與流體彎月形部112形成一鏡片/液體界 面402，依序流體彎月形部112與光阻Π0形成液體/光阻界面 404，故圖案化之光可自微影鏡片結構通過彎月形部到達光阻上， 以於晶圓108上之光阻no的區域390形成圖案。 圖4A為根據本發明一實施例之近接頭1〇6，，其具有可供選 擇之不範入口/出口配置。在一實施例中，近接頭1〇6，包括微影 鏡片結構200，微影鏡片結構2〇〇之一侧有源入口 3〇6，近接頭 106亦包括在微影鏡片結構2〇〇另一側之源出口 304 ;在一實施 例中，源入口 302實質上可圍繞微影鏡片結構2〇〇、源入口 3〇2、 以及源出口 304。 、圖4B顯示根據本發明一實施例之近接頭内部結構侧視圖，該 近接頭具有可供選擇之示範入口/出口配置。在一實施例中，近 接頭106’包括含鏡片2〇〇a之微影鏡片結構2〇〇，鏡片2〇〇a可令 貼附於微影鏡片結構2〇〇頂部之縱列系統所產生之圖案化之光透 射過，該圖案化之光對應於所欲產生於預定處理之晶圓'表面上之 光阻，近接頭106，可包含在微影鏡片結構200 —側之源入口 3〇2 及306而在被影鏡片結構2〇〇另一側有一源入口 go?及一源出口 304。在此-配置中，經由源入口 3〇6所輸入之液體可施行至晶圓 表面之光阻詹’而源入口 302可使氣體作用至晶圓表面上，實際 2入口 302係在來自源入口 306之液體中輸送氣體，故盆中^ 有來自源入口 302之液體；源出口 304可自源入口 3〇2去^液 自與源出口 304同側之源入口 302之氣體，因此在此 =施例中亦可產生用以幫助此處所述微影操作之穩定流體彎月形 ，4^顯示根據本發明一實施例之近接頭，其正進行微影操 作。在-貫施例中，近接頭廳，已產生具有液體/氣體界面· 1289734 之流體彎月形部112 ;在一實施例中，吾人依箭號所示方向314 輸入具有可減少來自微影鏡片結構2〇〇之光的有效波長之液體， 如去離子水（DIW);另外，表面張力降低氣體如jpa/沁可依箭號 所不方向310輸入，DIW及IPA/N2可依箭號所示方向312自晶圓 ^面去除。動態流體彎月形部可藉此方法在晶圓表面產生，而微 影鏡片結構200可施加圖案化之光4〇〇通過此動態流體彎月形 部。圖案化之光棚可自微影鏡片結構2_通過流體彎月形部而 移動至光阻，因微影鏡片結構2〇〇係與流體彎月形部112直接接 觸，組成流體彎月形部112之液體的折射率可減少來自微影鏡片 結構200的圖案化之光400之有效波長，有效波長已減少之該圖 案化之光400可在晶圓表面之光阻區域39〇形成圖案。在此一實 施例中，微影鏡片結構200之鏡片2〇〇a可與流體彎月形部H2形 成鏡片/液體界面402,且流體彎月形部112可與光阻n〇形成液 體阻界面404 ;因此，圖案化之光4〇〇可自微影鏡片結構2〇〇 穿過脊月形部而到達光阻上，以於晶圓則表面之 39〇 形成圖案。 雖然本發明已根據數個較佳實施例作說明，但吾人瞭解習於 本技術者在職前述說财及審視關時可日膽其巾之 變化三增補、變更、及等效設計；因此本發明在本發明之真實精 神與範圍内，係包含所有此類變化、增補、變更、等效設計。 五、【圖式簡單說明】 圖1顯不-~簡化微影操作之^—例。 圖2為根據本發明-實施例之晶圓處理系統。 頭 圖3A顯示根據本發明—實施例之具有微影鏡片結構之近接 】—實施例之該近接_部結構侧視圖。 圖3C顯祿據本發明—實施狀操作巾的 圖4Α為根據本發明一實施例之近接頭，其具有可供選擇之示 17 1289734 範入口/出口配置。 近接=有顯可;根選據擇本之 配置 構侧視 圖4C顯不根據本發明一實施例之近接頭，其正進行微 圖 镇 影操作 【主要元件符號說明】 20微影操作 22基板 24光阻 26光源 28初縮遮罩 1〇〇晶圓處理系統 近接頭支撐臂 106近接頭 108晶圓 110光阻 112流體、彎月形部 116夾盤 2〇〇微影鏡片結構 202縱列系統 302 入口 304 出口 306 入口 310方向箭號 312方向箭號 314方向箭號 388液體/氣體界面 390光阻區域 400圖案化之光 1289734 402鏡片/液體界面 404液體/光阻界面

Claims (1)

1289734_二：第9311麵號專辦職中文中請專利翻修正本(無劃線〉 十、申請專利範圍： lsf7· V9日修叮 ΐ· 一種基板處理設備，用以處理一基板，包括·· :近接頭，其係用以產生—流體-月形部，; iji;面亡1湖案’該流體-月形部係藉將流體加入ίΚ; 經常補充該流體，該近接頭具有通人―表面 ::表降低該流體物部相對= 二微影鏡#結構’其至少部分形成於魏 在，間與該流體彎月形部直2接觸= 一 j衫鏡片結構係用以自該微影鏡片穿過該流體彎月形部 也口圖案化之光，以在該基板表面上將該光阻圖案化。 户η ?專利範圍第1項所述之基板處理設備，其中該微影 、見：,、貝附於一縱列系統，該縱列系統包含用於產生該圖案 化之光之一光源及一初縮遮罩。 3如申請專利範圍第丨項所述之基板處理設備，其中該近接 頭包含複數條可形成該流體彎月形部之管道。 t如申睛專利範圍第3項所述之基板處理設備，其中該複數 條^包含以下至少其中之—：_第—人口，用於將該流體施加 於“"阻上，該等源入口，用於將該表面張力降低氣體施加於該 光以及一出口，用於自該光阻去除該流體及該表面張力降 低氣體。 5二如申請專利範圍第3項所述之基板處理設備，其中該微影 鏡片貫質上係由複數條管道所圍繞。 20 1289734 6·如申請專利範圍第1項所述之基板處理設備，其中該流體 之折射率大於1。 ' 7·如申請專利範圍第1項所述之基板處理設備，豆中該 化之光於進人流料月形部前具有_第—波長，而當該圖案化^ 光透射通過該流體彎月形部並施加於該光阻上時，其呈較該第 一波長為短之有效波長。 以 8_如申請專利範圍第4項所述之基板處理設備，里中該表 急體為一可促進在該流體，f月形部邊界之表面張力梯 # * H*、申叫專利靶圍弟8項所述之基板處理設備，其中該基 ▲體中之醚類蒸氣其 氣氣體為乙醇蒸氣、酮類蒸氣、以及在惰性氣， ’ …、 中之一。 八 氣氣解繼8賴述之基板處理設備，其中該蒸 一種基板處理方法，用以處理一基板，包括： 其把一近接頭將流體施加至一基板表面並以該近接頭自該 土表，去除流體，而在該基板表面產生一彎月形部；、 低氣之:界面及該基板表面施加-表面張力降 面張力梯_氣體係促進在該彎月形部之該界面的表 知加微影光穿過鱗月形部，輯行錄絲面之微影處理。 該微Ϊ光圍第U項所述之基板處理方法，其中施加 弓月形部包括令一未圖案化之光透射穿過一初縮 21 1289734 遮罩，以產生該微影光。 ^ 13‘如申請專利範圍第11項所述之基板處理方法，其中施加 该微影光包含於該微影鏡片直接與該彎月形部接觸況，八 該微影光自一微影鏡片透射穿過該彎月形部。 、月/ ^ 14·如申請專利範圍第11項所述之基板處理方法，其中在該 基板表面產生一彎月形部包括： 透過一近接頭之一第一入口而將該流體施加於該美夷 透過該近接頭之-第二人口而將絲面張力降低t體施加於 該基板表面’該雜彎月形部係受該表面張力降低氣體施加 制；以及 透過該近接頭之一出口而自該表面去除該流體及若 本 張力降低氣體。 τπ㈣ 15·如申睛專利乾圍弟Π項所述之基板處理方法，复線 月形部係藉由將流體加入該流體彎月形部並以抽真空去二 而經常補充該流體之流體彎月形部。 〃二*〜脰 16·如申請專利範圍第14項所述之基板處理方法，复 體之折射率大於丨。 、干该^ 17·如申請專利範圍第Η項所述之基板處理方法，其 體為去離子水（DIW)且該氣體為一 IPA/N2蒸氣氣體。、μ机 18·如申請專利範圍第Η項所述之基板處理方法，其中該美 板表面包含一光阻層，該彎月形部係施加於該光阻層上。 乂土 19·如申請專利範圍第18項所述之基板處理方法，其中施加 22 1289734 微影光穿過該彎月形部之步驟包含使一圖案化光穿過該彎月形部 而至該光阻層，該圖案化光在進入該彎月形部前具有一第一波 長，且該圖案化光在透射通過該流體彎月形部並被施加於該光阻 上時，具有較該第一波長為短之有效波長。 十一、圖式：