TWI288178B - Silver alloy for reflective film - Google Patents
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Description
1288178 九、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於-種適合作為設置在光記錄 之反射膜之構成材料之銀合金。特別是關於—是H 之使用也可以維持反射率之反射膜用之銀合金。p使疋在長』 【先前技術】 銀係成為最適合作為使用在光記錄媒體、顯示器等之反射 膜材料之最理想材料。由於銀係反射率變高，並且，更加便宜 於具有同樣高之反射率之金之緣故。特別是在光記錄媒體之領 域，隨著變遷至追記.重寫型媒體（CD—r/rw、dvd_r/rw /編）而要求適用更高之反射率之材料。這個係廣泛地使用 有機色素材料，來作為追記·重寫型媒體之記錄層之構成材料， 在有機色素材料，雷射之衰減變大，因此，藉由提高反射膜之 反射率而補足該衰減。 另一方面，銀係有所謂缺乏於耐腐蝕性、由於腐蝕而變色 成為黑色來降低反射率之問題發生。該反射膜之雜之一種要 因係由於其適用之裝置而不同，例如對於適用在絲錄媒體之 記錄層之有機色素材料，成為耐腐蝕性之惡處，結果，由於長 期間之使用而看到反射率之降低。此外，在顯示器之反射膜， 恐怕由於大氣中之濕度等而發生反射膜之腐蝕。 此外，在由銀所構成之反射膜，會有由於熱所造成之反射 率之惡化之問題發生。確認：由於該加熱所造成之反射率降低 之機構係並非明確’但是，在加熱銀薄膜之狀態下，產生薄膜 之局部凝集，產生所謂露出底材層之現象。因此，可能在光記 錄媒體、電漿顯示器等之反射膜，承受加熱，因此，也要求耐
2169-6712-PF 5 1288178 熱性。 一為j對應於以上之反射膜之反射率降低之問題，因此，向來 係進行確保反射率並且提高耐腐姓性、耐熱性之 =開發。、這些之許多係揭示：以銀作為主成分，在這個添加' 〇 ^ 2種以上之各種添加元素，例如在銀，添加〜4 &原子 /之把等。接著，這些銀合金係耐脑性良好，即使是在使用 j境下’也可以維持反射率，適合於反射膜（就該先前技術之 詳細而言、參考專利文獻1)。 【專利文獻1】曰本特開2〇〇〇_ 109943號公報 就前述銀合金而言，就耐腐錄、耐熱性而看到一次之改 善。但是，並非所謂即使是這些銀合金也在使用環境下不完全 惡化之緣故。接著，即使是就反射率之降低而言，也無法完全 地保證這個，要求能夠以更加高之次元來維持反射率之材料。 此外，在光記錄裝置之領域，在現在之時間點，作為記錄 用光源係適用紅色之半導體雷射（波長65〇nm)，但是，在最近， 成立藍色雷射（波長405nm)之實用化之預測。在適用該 雷射時，可以確保現在之光記錄裝置之5〜6倍之記憶容量了因 此，認為下—世代之光記錄裝置係適用藍色f射者成為主流。 在此，如果藉由本發明人們的話，則確認：反射膜之反射率係 由於入射雷射光之波長而不同；特別是確認：大多是對於短波 長之雷射照射’無關於腐钱之有無，降低反射率，也使得由於 腐，所造成之反射率降低之幅寬更加大於長波長雷射之照射之 狀悲SI此’為了製造能夠對應於今後之記錄用光源之變遷之 記錄媒體’ 0此’要求即使是對純波長 有高反射率並且還可以在實用之範圍内來維持反射率; 開發。
2169-6712-PF 1288178 本發明係成為在以上之背景下，其目的係提供一種成為構 成光記錄媒體等之反射膜之銀合金並且可以發揮即使是長期之 ，用也並綺低反㈣之功能之材料。此外，還提供—種即使 疋對於短波長之雷射光也具有高反射率之材料。 【發明内容】 應該解決此種課題，因此，本發明人們儀相同於先前技術， 以銀作為主體，並且，進行適當之添加元素之選定。結果，發 現到：藉由添加熔點更加低於銀之低熔點金屬元素，來作為^ 加元素，而具有反射率維持之效果，有用於耐熱性、耐濕性^ 耐硫化性之提升；以致於想到本發明。 本發明係一種光記錄媒體之反射膜用之銀合金，係以銀作 為主成分，包含至少-種溶點更加低於銀之低熔點金屬元素， 來作為第1添加元素。 在此，藉由是否選擇何種來作為成為第J添加元素並且溶 點更加低於銀之低溶點金屬元素或者是否重視薄臈特性之盆中 -種。如果藉由本發明人們的話，則作為有用於由銀所構成之 薄膜之性能提升之麟點金屬元㈣u u、嫁、辞、 m·在這些當中’紹、銦、錫係特別有用於薄膜之耐 硫化性之提升。另-方面m n m心 耐熱性、耐濕性之提升。因此，可以藉由含有這些金屬元素之 至少一種而成為高反射率之銀薄膜。 、，接著，如果藉由本發明人們之檢討㈣，則確認：在前面 敘述，即使是在添加作為第丨添加元素所列舉之低溶點金屬元 素中，也在添加鎵之銀合金，以特別高之次元，來㈣反射媒 所要求之各種特性。該銀_鎵合金係不僅是在光記錄媒體用之
2169-6712-PF 7 1288178 反射層，並且，也適合於顯示器用之反射臈。 此外，在本發明，作為第2添加元素係最好是添加白金、 銳、：、：”、錯、銅、鐘、石夕、鎳、路、録、紀、鐵、 釩、锆、鈦、鈮、錮、鈕、鶴、銓、鑭、鈽、镨、歛、釤、銪、 :1:力鏑去：、兹、鏡、·、厕之至少一種。這些元素係和 、ΉΤΟ素-起具有改請硫化性、耐濕性㈣熱性之作用， 呈複合地作用於第1添加元素。 特別是添加白金、鈀、铥或鏑來作為第2添加元素之銀合 金係可以在加濕環境中，有效地抑制在薄膜材料中之所發生2 喊集現象’成為理想之合金。 接著，添加元素濃度、也就是第1添加元素之 添加元素之濃度間之合計係最較o.m原子於在未 滿0.01原子％之添加量，並無反射率維持之效果，並且，在添 加元素濃度超過5.0原子％時，由於使用環境、入射雷射光之波 長而使得反射率之降低變大，無法保證反射率之緣故。接著， 特別理想之濃度係G.G1〜1.5原子％。由於在該範圍，不依賴使 用環境、雷射光之波長，能夠以更高之次元，來維持反射率之 緣故。 作為以上說明之本發明之反射膜材料之銀合金係能夠藉由 熔解鑄造法 '燒結法而進行製造。在藉由熔解鑄造法所造成之 製^，並無特別困難之方面存在，能夠藉由秤量各種原料並且 進行熔融混合來進行鑄造之一般方法而進行製造。此外，即使 疋在藉由燒結法所造成之製造，也並無特別困難之方面存在， 能夠藉由秤量各種原料來進行燒結之一般方法而進行製造。
本發明之銀合金係具有理想之特性來作為反射膜，在使用 過程，抑制反射率之降低。此外，正如後面之敘述，即使是在 2169-6712-PF 1288178 短波長之雷射光照射下，也顯示比起習知之反射膜用材料還更 加良好之反射率及其維持。接著，正如前面敘述，在光記錄媒 體之反射膜之製造，-般係適錢鍍法。因此，本發明之由銀 合金所構成之濺鍍標靶係可以製造將具有理想特性之反射膜予 以具備之光記錄媒體、顯示器等。 正如以上所挽明的，如果藉由本發明的話，則可以製造即 使是由於長期使用也使得反射率之降低變少之反射膜，能夠藉 此而對於適用光記錄媒體、顯示器等之反射膜之各種裝置之壽 命，來進行長期化。此外，本發明之銀合金係即使是在短波長 之雷射光照射下，也顯示比起習知之反射膜用材料還更加良好 之反射率及其維持。因此，也可以對應於成為今後主流之短波 長之雷射成為光源之光記錄裝置用之記錄媒體。 【實施方式】 以下，一起說明本發明之理想之實施形態及比較例。在此， 製，以Ag作為主要成分之2元系、3元系之各種組成之銀合金， 由這個來製造標靶，藉由濺鍍法而形成薄膜。接著，就該薄膜 而言，進行在各種環境下之腐蝕試驗（加速試驗），就腐蝕試驗 後之反射率之變化而進行檢討。 銀合金之製造係秤量各種金屬而成為既定濃度，在高週波 溶解爐中，進行熔融及混合而成為合金。接著，將這個鑄入至 鑄模中，進行凝固而成為錠塊，在對於這個進行鍛造、壓延、 熱處理後，進行成形而成為濺鍍標靶。 薄膜之製造係將基板（硼矽酸玻璃）及標靶設置在濺鍍裝 置’在對於裝置内進行拉引至真空而成為5_〇xlO_3Pa為止後， V入氬氣至5.〇\1〇-4&為止。濺鍍條件係以直流4kw來進行$
2169-6712-PF 1288178 Γ鐘之成膜，使㈣厚麵簡A。此外，膜厚分布糾〇%以 =就耐熱性、耐濕性而進行評價。這些特 波長=定=於環境中’利用分光光度計，來改變 J疋戎驗後之薄膜之反射率，而進行特性_價， /、變化，而進行特性評價。 上，薄膜,耐熱性之加熱試驗係將薄膜載置於加熱板 κ 25GC ’進行1小時之加熱，評價加熱後之反射 Γ〇〇°Λ赠Λ薄膜之耐濕性之加熱試驗係在溫度iG(rc、濕度 中，曝露薄膜，評價加職之反射率。曝露時間係 進灯於24小時（加濕試驗1)、1⑼小時（加濕試驗m之2 種。將該腐钱試驗之結果，顯示在表]〜表3。在這些表之所顯 示之反射率係成膜即刻後之銀反射率成為⑽之相對值。此外’， 各個測絲係波長40〇nm、55〇nm、㈣nm (相#於各種該色、 黃色、紅色雷射之波長）之反射率。此外，在表中，為了靡進行 比較，因此，也顯示就由純銀所構成之標靶來進行製造之 之試驗結果。 / 、 2169-6712-PF 10 1288178 【表1】 入射光波長：400mn 試料組成 反射率 (原子％) 蒸鍵即刻後 加熱試驗 加濕激I 加濕試驗I Ag-3.9A1 80.6 52.1 68.0 68.1 Ag-0.9In 92.4 62.3 63.2 52.8 Ag-0.9Sn 88.5 80.6 58.5 31.4 Ag-1.4Sr 90.8 84.1 86.4 81.6 Ag-2.6Ca 87.1 61.6 80.8 77.2 Ag-0.5Al-0.5In 97.9 56.1 90.6 89.9 Ag-0.5In-0.4Sm 104.3 91.1 80.7 35.7 Ag-0.5In-0.8Cu 101.1 89.9 87.4 70.7 Ag-0.5In-0.5Bi 94.4 71.4 80.4 51.6 Ag-0.5In-0.5G6 94.7 90.1 88.1 84.0 Ag-0.5Sn-0.4Cu 92.1 89.1 79.5 63.2 Ag (比較） 100.0 30.5 45.9 37.5 2169-6712-PF 11 1288178 【表2】 入射光波長：550nm 試料組成 反射率 (原子％) 蒸鐘即刻後 加熱試驗 加濕試驗I 加濕試驗Π Ag-3.9A1 90.4 68.7 90.1 93.2 Ag-0.9In 96.5 76.0 85.3 76.2 Ag-0.9Sn 97.7 93.8 88.3 69.3 Ag-1.4Sr 99.4 94.7 97.6 96.2 Ag-2.6Ca 98.2 82.5 97.4 92.7 Ag-0.5Al-0.5In 98.8 73.8 95.0 95.6 Ag-0.5In-0.4Sm 99.7 92.8 85.5 40.5 Ag-0.5 In-0.8 Cu 100.0 92.8 85.8 69.7 Ag-0.5In-0.5Bi 98.9 80.6 89.3 62.0 Ag-0.5In-0.5Ge 97.3 95.1 92.5 89.4 Ag-0.5Sn-0.4Cu 98.7 97.7 89.1 75.1 Ag (比較） | 100.0 52.5 78.4 67.8 2169-6712-PF 12 1288178 【表3】 入射光波長：650mn 試料組成 反射率 (原子％) 蒸鐘即刻後 加熱言 加濕繼I 加濕試驗I Ag-3.9A1 95.2 84.3 95.4 95.1 Ag-0·9Ιη 97.4 79.6 85.8 81.0 Ag-0.9Sn 98.7 96.2 93.1 80.5 Ag-l_4Sr 100.0 95.9 98.1 96.6 Ag-2.6Ca 98.5 88.2 98.1 93.3 Ag-0.5Al-0.5In 98.8 76.0 95.6 96.1 Ag-0.5In-0.4Sm 99.1 92.9 86.8 42.0 Ag-0.5In-0.8Cu 99.9 92.3 86.0 71.3 Ag_0.5In-0.5Bi 99.3 81.5 89.9 63.7 Ag-0.5In_0.5Ge 98.3 97.0 95.0 92.4 Ag-0.5Sn-0.4Cu 99.3 98.6 89.3 75.4 Ag (比較） 100.0 60.5 86.0 78.6 由該結果而顯示：由觀看反射率之值時，藉由本實施例之 銀合金所製造之薄膜更加高於銀之值；確認耐熱性、耐濕性之 改良效果。此外，作為整體之傾向係在入射光波長變短時，看 到反射率之降低。 接著，製造由添加鎵來作為第丨添加元素之各種銀合金所 構成之標靶，由這個來製造銀合金薄膜（12〇〇人）而評價其特性。 標靶之製造製程及在薄臈製造時之濺鍍條件係相同於/前面敘 述n ’ it行相’前面敘述之同樣之加熱試驗以及在溫度 80 c、濕度85%之氣氛中而曝露薄膜24小時之加濕試驗（加濕 試驗瓜）之2種。表4〜6係顯示其結果。 ^
2169-6712-PF 13 1288178 【表4】 入射光波長·· 400nm 試料組成 反射率 (原子％) 蒸鑛即刻後 加熱言蠊 加濕試驗ΙΠ Ag-0.3Ga 98.0 44.1 98.1 Ag_0.5Ga 95.6 51.5 96.3 Ag-0.8Ga 95.3 69.8 96.1 Ag-1.5Ga 91.0 84.2 91.0 Ag-2.0Ga 85.4 79.0 81.5 Ag-0 · 8 Ga-0 · 5Zn 83.2 75.8 76.9 Ag-0.2Ga-0.2Cu 94.7 63.6 80.6 Ag-0.5Ga-0.3Cu 90.1 78.9 88.2 Ag-1 .0Ge-0.5Cu 88.3 63.7 81.4 Ag-0.25Ga-0.25Sn 88.9 76.1 81.5 Ag-0.5Ga-0.5Sn 90.4 77.6 88.6 Ag-0.2Ga-0.3Pd 91.1 78.6 90.3 Ag-0.5Ga-0.5Pd 88.6 88.3 83.6 Ag_l.0Ga-0.5Pd 84.7 65.2 87.9 Ag-0.5Ga-0.5In 94.3 79.4 94.0 Ag-0.2Ga-0.2In 93.6 60.9 94.2 Ag-l.2Ga-0.2In 92.4 85.1 91.5 Ag-0.6Ga-0.2In 92.7 67.8 91.1 Ag (比較） 100.0 30.5 79.8 2169-6712-PF 14 1288178 【表5】 入射光波長：550nm 試料組成 反射率 (原子％) 蒸鑛即刻後 加熱繼 加濕織ΙΠ Ag-0.3Ga 98.6 67.3 100.3 Ag-0.5Ga 97.7 73.0 99.5 Ag-0.8Ga 98.1 81.8 99.8 Ag-1.5Ga 97.0 94.8 98.5 Ag-2.0Ga 95.8 93.9 96.2 Ag-0.8Ga-0.5Zn 92.8 90.0 85.6 Ag-0.2Ga-0.2Cu 96.9 77.6 96.0 Ag-0.5Ga-0.3Cu 97.2 93.8 88.3 Ag-l.0Ga-0.5Cu 94.6 82.6 91.8 Ag-0.25Ga-0.25Sn 97.7 94.6 96.9 Ag_0.5Ga-0.5Sn 97.3 95.0 98.2 Ag-0.2Ga-0.3Pd 98.1 95.6 94.1 Ag-0.5Ga-0.5Pd 97.0 91.4 94.3 Ag-l.0Ga-0.5Pd 93.8 85.8 99.3 Ag-0.5Ga-0.5In 97.5 88.9 98.7 Ag-0.2GE-0.2In 97.8 72.6 99.1 Ag-l.2Ga-0.2In 95.6 90.6 93.9 Ag-0.6Ga-0.2In 97.6 83.8 98.2 Ag (比較） 100.0 52.5 92.3 2169-6712-PF 15 1288178 【表6】 入射光波長：650nm 試料組成 反射率__ (原子％) 蒸鍵即刻後 加熱雜 加濕試驗ΙΠ Ag-0.3Ga 98.8 76.9 100.6 Ag-0.5Ga 98.1 80.9 99.8 Ag-0.8Ga 98.4 85.6 100.2 Ag-1.5Ga 97.7 96.3 99.2 Ag-2.0Ga 96.7 95.8 97.9 Ag-0.8Ga-0.5Zn 95.5 93.6 96.6 Ag-0.2Ga-0.2Cu 99.2 80.4 84.6 Ag-0.5Gs-0.3Cu 97.9 94.8 97.8 Ag-l.0Ga-0.5Cu 95.9 90.4 91.3 Ag-0.25Ga-0.25Sn 98.5 '92.6 94.1 Ag-0.5Ga-0.5Sn 98.4 95.8 98.3 Ag-0.2Ga-0.3Pd 99.4 95.3 98.0 Ag-0.5Ga-0.5Pd 98.0 91.1 93.9 Ag-l.0Ga-0.5Pd 96.8 92.3 95.2 Ag-0.5Ga-0.5In 97.7 90.3 99.3 Ag-0.2Ga-0.2In 98.2 75.8 99.6 Ag-l.2Ga-0.2In 97.0 95.8 96.5 Ag-0.6Ga-0.2In 97.9 88.0 98.9 Ag (比較） 100.0 60.5 94.5
由表4〜6而得知··即使是鎵成為第1添加元素之銀合金薄 膜，也相同於前面敘述，來改良耐熱性、耐濕性。接著，這些 銀一鎵系合金薄膜係特別是反射率維持之效果變高，特別即使 疋對於短波長之入射光，也良好地看到反射率維持之效果。可 以確認：在該方面，要求在顯示器之反射膜不依賴人射光之波 長而使得反射率變得均㈣，銀—㈣合㈣膜係也有用於此 種用途。
2169-6712-PF 16 1288178 接著就n造之薄膜之—部分而進行應該評價耐硫化性之 硫化試驗，來評似驗後之反射率。硫㈣ 〇.〇1%硫化鈉水溶液（溫度25。|0)1小時。將誃社：溥膜/父/貝於 者係可以由該試驗結果來確認：在全部之波長區°果顯示於表7 態之合金薄膜係有提高耐硫化性之傾向發生。域’本實施形 【表7】
--一~- ------—.— 2169-6712-PF 17 1288178 :者，就本發明之銀合金膜而言，評價作為實際之反射膜 價係藉由本發明人們所考慮之簡便之模擬之呼 :2以及實際地製造光記錄媒體來檢討其性能（有無錯誤） ==2種評價方法而進行。在本案，進行前述模擬之 Γ貝者係豬由以下之理由。如果採用光記錄媒體的話，則正如 =面敘述’光記錄媒體絲了反射層以外，也藉著基板、記錄 Ί體之形式’而由介電質層、放熱層等之許多層來構成。 接者’為了評價光記錄媒體之反射層之適應性，因此，必須在 基板，形成這些之構成層，來製造及評價記錄媒體，因此，、 得煩雜。 此外，現在，就成為實用化之光記錄媒體而言，製造這個 所評價者係也可以說是比較容易。但是，正如肪—麵，今後， 在朝向實用化而開發之高密度、大容量之記錄媒體，其構造變 得複雜’反射層也發揮作為半透過反射層之功能，因此，還有 進仃薄膜化而使用之預測（現在使用之光記錄媒體之反射層之 膜厚係麵〜1200A前後，該下—世代之光記錄媒體之反射層 係以20GA以下之媒厚而進行檢討。）。關於此種複雜化之媒體 而言，不容易實際地進行製造及評價。 *因此，本發明人們係評價作為不製造光記錄媒體所形成之 薄膜之反射膜之適應性，因此，作為簡便方法係藉由曝露於既 定之環境，觀察後面之表面形態，而評價對於實際使用之適應 性0 在該方法將製造後之薄膜，放置在冑溫以下（最好 是l〇°C)之冷卻氣氛（2G〜30分鐘），—起充分地冷卻基板和 薄膜’將㈣《在既定之加濕環境或加熱環境，觀察在取出· 乾燥後之薄膜之表面形態。最好是作為加濕環境係溫度1〇〇亡、
2169-6712-PF 18 1288178 濕度100%之氣氛，在該能 ^ ,χ Η ^ , ^ ϋ心下之曝露時間係20分鐘。此外， 攱f疋作為加熱環境係25〇。 間係60分鐘。 C之大乳祝鼠，在該狀態下之曝露時 表面價在_環境下’在曝露後’在薄膜 生程声V點狀所產生之銀凝集（以下，稱為黑點。）之發 =1运個係由於成為加熱之銀合金膜之惡化形態，在 具表面上，產生局部之銀凝隼， Μ Λ ^ . 木仁疋，這個係對於反射膜之特 膜之、高岸:Y可以猎由㈣黑點之差生程度而判定作為反射 〜'广S 時，最好是以成為計數對象之黑點尺寸成為1 明確而㈣1 為對象。可以藉由像這樣，使得評價對象變得 人二ΓΓ 便利。此外，該尺寸係在光記錄媒體，符 口於使用在圮錄再生用之符號之尺寸。 黑點之發生程度之評價係例如藉由攝影薄臈表面之相片， 進行圖像處理，算出黑點之面積率，而進行評價。作 更之方法係有：以形成即刻後之銀薄膜之表面狀態作 為基準/在該狀態下、幾乎不產生黑點），相對地判定對於這個 ==後之表面狀態’進行數個階段之水準區別，來進行評價 。接著，在本實施形態，設定作為加濕環境來成為溫度_ c、濕度100%之氣氛，曝露時間成為2〇 之薄膜之模擬評價，製造一20。入之各種銀 冷卻這個後，曝露於前述加濕環境，藉由光學顯微鏡而觀察= 面之薄膜之表面形態（1200 A僅進行加濕試驗）。接著，，=後 即刻後之銀薄膜之表面狀態作為基準而成為「水準丨，’以形成 狀態更加不良於這個之順序（黑點變多之順序）來進〜乂表面 段之評價，區分成為水準1〜水準5而判定膜之 -個^ 、T丨王。表8係顯 2169-6712-PF 19 1288178 示其結果。 【表8】
膜厚：120A 水準 試料(原子％) 2元系合金 3元系合金 1 Ag-1.5Ga Ag-0.5Ga-0.5In 2 3 4 Ag-02Bi Ag-2.0SnAg-1.5Ge Ag-1.0Zn Ag-2.0In Ag-0.5Ga-0.5In Ag-l.OGa- l.OGe 1 Ag-l.0G2rl.0Sn Ag-l.0Ga-l.0Mo 5 Ag-0.8MgAg-l.0Al Ag-2.0Ga-0.3In 膜厚：1200人 水準 試料(原子％) 2元系合金 3元系合金 1 Ag-1.5Ga Ag-0.5Ga-0.5In 2 Ag-0.8MgAg-l.0Zn 3 Ag-1.0A1 Ag-1.0In-1.0Zn 4 Ag_0.2Bi Ag-2.0Sn 5 Ag-1.5Ge Ag-2.0In Ag-l.OSr Ag-l.OCa Ag-0.5In-0.8Cu Ag-0.5In-0.5Sm 進行該模擬試驗，結果，確認：由於膜厚而即使是相同組 成之銀合金，也使得黑點之產生水準呈不同。此外，還得知添 加鎵來作為第1添加元素之銀合金係可能不依賴膜厚，具有理 想之特性。
因此，使用由銀一鎵系銀合金所構成之濺鍍標靶，製造DVD 2169-6712-PF 20 1288178 一R媒體，評價作為光記錄媒體之反射膜之特性。在該試驗， 使用藉由具備形成預先格式化·圖案之打印器之射出成形機所 製造之聚碳酸酯基板（直徑120mm、板厚0.6mm、溝槽深度 0·17μιη、溝槽幅寬0.3μπι、溝槽間距0·74μπι)，來作為基板。接 著，在該基板之上面藉由旋轉塗敷器而塗敷含金屬之偶氮基系 記錄用油墨來進行乾燥後，藉由在本實施形態所製造之濺鍍標 靶，而以膜厚1200人，來形成反射膜。接著，在該基板，使用 紫外線硬化樹脂而接合尺寸相同於基板之同樣尺寸之聚碳酸酯 基板，製造DVD—R媒體。 接著，確認：就製造之DVD— R媒體而言，施加在光碟評 價裝置（脈衝科技工業製之光碟評價裝置ODU1000)而測定製 造後之初期狀態之抖動值、PI錯誤（PI8錯誤）、PO錯誤，這些 位處於DVD規格之範圍内。在確認後，進行DVD—R媒體曝露 於溫度80°C、相對濕度85%之環境中之加速環境試驗，就加速 環境試驗後之DVD— R媒體而進行藉由評價裝置所造成之各個 值之測定。 圖1〜圖4係顯示在該試驗所測定之加濕時間和抖動值、PI 錯誤、PI8錯誤值、PO錯誤間之關係。在這些圖，也一起顯示 就在純銀成為反射膜之DVD— R媒體以及市面販賣之DVD—R 媒體而進行同樣試驗時之結果。 由這些圖而得知：確認具備由本實施形態之銀一鎵系銀合 金所構成之反射膜之記錄媒體係即使是在長時間之加濕後，也 使得各個值清楚規格，具有長期穩定性。相對於此，在具備純 銀反射膜之記錄媒體，在150小時之加濕，無法認識於記錄裝 置，變得無法使用。此外，還確認：即使是就市面販賣品而言， 也使得抖動值超過規格，並且，錯誤值係比起能夠清楚規格之 2169-6712-PF 21 1288178 本實施形態之記錄媒體，還使得特性更加地惡化。 此外，製造具備由其他組成、其他合金系銀合金所構成之 反射膜之DVD— R媒體，相同於前面敘述，曝露於加濕環境中， 測定後面之抖動值、PI8錯誤、P0錯誤。表9係顯示其結果。 【表9】 抖動值 PI8錯誤 PO錯誤 初期 曝露後 初期 曝露後 初期 曝露後 Au-2.0Ga-l.7Cu 7.5 7.7 38 185 1 10 Ag-O2Mg-0.3Ni 7.5 7.7 39 188 2 12 實 Ag-02Bi-02Mo 7.5 7.7 41 189 2 14 施 Ag-l.0Ge-l.7Cu 7.5 7.7 45 217 5 19 Ag-l.0Al-0.3Co 7.6 7.8 53 250 3 18 例 Ag-l.0Zh-0.5Sm 7.6 7.8 57 241 2 25 Ag-l.0Sn-l.0Ma 7.7 7.8 72 269 4 53 Ag-1.0M-0.5Y 7.8 7.9 81 271 6 41 比 Ag 82 11.7 207 299 25 83 A公司市面販賣品 8.6 10.7 224 305 31 73 較 B公司市面販賣品 8.3 ^11.9 185 3318 45 ^104 例 夫射各 8.00以下 280以下 182以下 也由該表之結果而確認：具備本發明之銀合金來作為反射 層之媒體係即使是在加濕後，也使得各個值清楚規格，具有長 期穩定性。此外，製造這些媒體所進行之評價係也符合已經進 行之模擬試驗（1200人之評價結果）。因此，確認：在本實施形 態所進行之模擬試驗係方便於實際不製造記錄媒體而判定銀合 金之特性之方法。 2169-6712-PF 22 1288178 【圖式簡單說明】 ^ 示就具備本實施形態之反射膜之DVD — R媒體而 進行之力ϋ迷環境試驗之結果（抖動值）之圖。 ® 2係顯示就具備本實施形態之反射膜之DVD—R媒體而 進行之加速環境試驗之結果（ΡΙ錯誤值）之圖。 圖3係顯示就具備本實施形態之反射膜之DVD—R媒體而 進行之加速環境試驗之結果（ΡΙ8錯誤值）之圖。 圖4係顯示就具備本實施形態之反射膜之DVD — R媒體而 進行之加逮環境試驗之結果（Ρ0錯誤值）之圖。
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Claims (1)
- ^79§1376〇1號申請專利範圍修正本 修正曰期：96.5.30 十、申請專利範圍： 陽通。r ] \ | 種反射膜用之銀合金，以銀作為主成丨分丄塞加奴、㈤或 鈣至少任何一種，來作為第1添加元素，第1添加元素濃度之 合計係0.01〜5.0原子％。 2·如申請專利範圍第1之反射膜用之銀合金，更包括添加 白金金、姥、錶、釕、|巴、船、銅、猛、石夕、鎳、鉻、録、 紀鐵、銳、錄、鈦、銳、鉬、组、鶴、給、鑭、筛、镨、鉉、 釤、銪、釓、铽、鏑、鈥、鍤、鏡、鎂、硼之至少一種，作為 第2添加元素，第1添加元素濃度與第2添加元素濃度的合計 係0.01〜5.0原子％。 3·如申請專利範圍第2項之反射膜用之銀合金，其中，第 2添加元素係白金、飽、録、鏑之至少一種。 4·如申請專利範圍第1項之反射膜用之銀合金，其中，第1 添加元素濃度之合計係（^(^〜丨·5原子％。 5·如申請專利範圍第2項中之反射膜用之銀合金，其中， 第1添加元素濃度與第2添加元素濃度之合計係〇·〇1〜1.5原子 %。 6.如申專利範圍第1項所述之反射膜用之銀合金，用於濺鍍 標乾。 2169-6712-PF2 24
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| JP4201006B2 (ja) * | 2005-10-31 | 2008-12-24 | ソニー株式会社 | 光記録媒体 |
| WO2007074895A1 (ja) | 2005-12-29 | 2007-07-05 | Mitsubishi Materials Corporation | 光記録媒体用半透明反射膜および反射膜、並びにこれら半透明反射膜および反射膜を形成するためのＡｇ合金スパッタリングターゲット |
| JP4553149B2 (ja) * | 2005-12-29 | 2010-09-29 | 三菱マテリアル株式会社 | 光記録媒体用半透明反射膜および反射膜、並びにこれら半透明反射膜および反射膜を形成するためのＡｇ合金スパッタリングターゲット |
| US8101005B2 (en) * | 2007-12-21 | 2012-01-24 | Cima Nanotech Israel Ltd. | Process of making metal nanoparticles |
| JP2009187642A (ja) * | 2008-02-08 | 2009-08-20 | Kobe Steel Ltd | 光情報記録媒体の反射膜および半透過反射膜、これらを製造するためのスパッタリングターゲット、並びに光情報記録媒体 |
| JP4735734B2 (ja) * | 2009-04-02 | 2011-07-27 | Ｔｄｋ株式会社 | 光メディア用スパッタリングターゲット、その製造方法、ならびに、光メディア、およびその製造方法 |
| JP5428990B2 (ja) * | 2010-03-25 | 2014-02-26 | 三菱マテリアル株式会社 | 反射膜形成用蒸着材 |
| JP5666156B2 (ja) * | 2010-03-25 | 2015-02-12 | 株式会社徳力本店 | 微量元素添加Ａｇ合金およびその製造方法 |
| US8395079B2 (en) * | 2010-07-12 | 2013-03-12 | Lawrence Livermore National Security, Llc | Method and system for high power reflective optical elements |
| JP5669014B2 (ja) * | 2011-04-06 | 2015-02-12 | 三菱マテリアル株式会社 | 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| GB201117877D0 (en) * | 2011-10-17 | 2011-11-30 | Johnson Matthey Plc | Silver alloy |
| CN102515562A (zh) * | 2011-12-23 | 2012-06-27 | 福耀玻璃工业集团股份有限公司 | 一种镀膜产品 |
| JP5806653B2 (ja) * | 2011-12-27 | 2015-11-10 | 株式会社神戸製鋼所 | 反射電極用Ａｇ合金膜、反射電極、およびＡｇ合金スパッタリングターゲット |
| JP5159962B1 (ja) | 2012-01-10 | 2013-03-13 | 三菱マテリアル株式会社 | 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
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| JP5928218B2 (ja) * | 2012-07-20 | 2016-06-01 | 三菱マテリアル株式会社 | Ａｇ合金膜及びその製造方法 |
| JP5522599B1 (ja) * | 2012-12-21 | 2014-06-18 | 三菱マテリアル株式会社 | Ａｇ合金スパッタリングターゲット |
| JP5612147B2 (ja) * | 2013-03-11 | 2014-10-22 | 三菱マテリアル株式会社 | 導電性膜形成用銀合金スパッタリングターゲットおよびその製造方法 |
| US9391241B2 (en) * | 2013-03-15 | 2016-07-12 | Materion Corporation | Light emitting diode |
| CN104419844A (zh) * | 2013-08-23 | 2015-03-18 | 光洋应用材料科技股份有限公司 | 银合金材料 |
| CN103614588A (zh) * | 2013-11-19 | 2014-03-05 | 苏州衡业新材料科技有限公司 | 银及银合金微细线的制备方法 |
| CN103710566B (zh) * | 2013-12-19 | 2015-07-22 | 北海鑫利坤金属材料科技开发有限公司 | 一种银合金材料 |
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| CN114015989A (zh) * | 2021-10-11 | 2022-02-08 | 芜湖映日科技股份有限公司 | 一种银钪合金溅射靶材及其制备方法 |
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| CN117431430A (zh) * | 2022-07-12 | 2024-01-23 | 华为技术有限公司 | 银合金及其制备方法、导电薄膜和显示器件 |
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| CN115976478B (zh) * | 2022-12-13 | 2023-11-28 | 江苏迪纳科精细材料股份有限公司 | 一种抗硫化银合金靶材及其制备方法 |
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| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| NL8102283A (nl) * | 1981-05-11 | 1982-12-01 | Philips Nv | Optisch uitleesbare informatieschijf met een reflectielaag gevormd uit een metaallegering. |
| JPS62243725A (ja) * | 1986-04-16 | 1987-10-24 | Seiko Epson Corp | 耐硫化性銀合金 |
| EP0378847A1 (en) * | 1989-01-11 | 1990-07-25 | Kabushiki Kaisha Zero One | Ag alloy of high discolouration resistance |
| JPH10143917A (ja) * | 1996-11-08 | 1998-05-29 | Kao Corp | 光記録媒体 |
| US6139652A (en) * | 1997-01-23 | 2000-10-31 | Stern-Leach | Tarnish-resistant hardenable fine silver alloys |
| US6294738B1 (en) * | 1997-03-31 | 2001-09-25 | American Superconductor Corporation | Silver and silver alloy articles |
| JPH11134715A (ja) * | 1997-10-28 | 1999-05-21 | Kao Corp | 光記録媒体 |
| US6544616B2 (en) * | 2000-07-21 | 2003-04-08 | Target Technology Company, Llc | Metal alloys for the reflective or the semi-reflective layer of an optical storage medium |
| JP4007702B2 (ja) | 1998-10-05 | 2007-11-14 | 株式会社フルヤ金属 | 薄膜形成用スパッタリングターゲット材およびそれを用いて形成されて成る薄膜、および光学記録媒体 |
| JP2001126315A (ja) | 1999-10-26 | 2001-05-11 | Victor Co Of Japan Ltd | 光学的情報記録媒体 |
| JP2001184725A (ja) * | 1999-12-21 | 2001-07-06 | Victor Co Of Japan Ltd | 光学的情報記録媒体 |
| DE60230728D1 (de) * | 2001-03-16 | 2009-02-26 | Ishifuku Metal Ind | Optisches Plattenmedium, reflektierende STN-Flüssigkristallanzeige und organische EL-Anzeige |
| JP2002319185A (ja) * | 2001-04-23 | 2002-10-31 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 光記録ディスク反射膜用銀合金 |
| JP4801279B2 (ja) | 2001-05-09 | 2011-10-26 | 石福金属興業株式会社 | スパッタリングターゲット材 |
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| JP2003293055A (ja) | 2002-04-08 | 2003-10-15 | Sumitomo Metal Mining Co Ltd | 銀合金薄膜および薄膜製造用銀合金 |
| US7514037B2 (en) * | 2002-08-08 | 2009-04-07 | Kobe Steel, Ltd. | AG base alloy thin film and sputtering target for forming AG base alloy thin film |
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