CN117431430A - 银合金及其制备方法、导电薄膜和显示器件 - Google Patents
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Abstract
本申请提供了一种银合金及其制备方法、导电薄膜和显示器件。该银合金包括银以及第一掺杂物质和第二掺杂物质，第一掺杂物质选自钌、钯、锡、锂、钠、钾、铷、铯、钫、镁、钙、锶、钡、镭、镉、铝、镓、锑、硒、碲、钋、砹、镧、铈、镨、钕、钷和钐中的至少一种，第二掺杂物质为锌；其中，以原子数百分比计，第一掺杂物质的含量为0.01％～1.3％，第二掺杂物质的含量为0.01％～1.3％，且第一掺杂物质和第二掺杂物质的总含量为0.02％～1.6％。利用该银合金用作显示器件的电极，具有良好的可靠性，同时在蓝光波段具有较高的反射率。
Description
技术领域
本申请涉及光电器件领域，具体涉及一种银合金及其制备方法、导电薄膜和显示器件。
背景技术
有机发光二极管(organic light emitting diode，OLED)，是基于有机半导体材料的发光二极管。OLED由于具有全固态、主动发光、高对比度、超薄、低功耗、无视角限制、响应速度快、工作温度范围宽、易于实现柔性和大面积、功耗低等优点，不但可以作为显示器件，还可应用于照明领域。OLED的基本结构通常是一种有机半导体层夹在两个电极之间的三明治结构，其中正极常采用薄而透明的具有半导体特性的铟锡氧化物(indium tinoxide，ITO)，负极通常采用低功函数的金属；当正负极外加电压时，有机半导体层内就会产生激子并发光。
OLED器件的发光方式可分为底部发光和顶部发光，相对于底部发光方式，顶部发光方式更有利于提高发光亮度。为了能进一步提升顶部发光型OLED器件的发光效率，需要提高阳极材料的功函数和反射率。纯银薄膜具有较高的反射率，但是纯银薄膜作为阳极时，经过约150℃的加热工艺后易发生迁移、导致凝聚、空洞以及向ITO薄膜扩散等问题，该特性会严重影响器件的耐候性和寿命。因此，现有的OLED器件的阳极材料通常采用二元银基合金，比如在银基材料中掺入In、Sn、Ga等元素形成Ag合金，通过固溶强化和细晶强化等效应，提高银合金薄膜的可靠性。但是其它元素的加入又会使得银合金薄膜的反射率下降，尤其在蓝光波段(～450nm)反射率的降幅更为明显。相对于绿光波段(～550nm)和红光波段(～650nm)，Ag合金薄膜在蓝光波段的反射率下降5个百分点以上，导致了显示器件的50％以上的耗电由蓝光发光引起。因此，现有的二元银基合金，其可靠性虽高，但其反射率较低，尤其在蓝光波段的反射率较低。由此，如何获得同时具有高可靠性、并且在蓝光波段具有高反射率银合金材料，对于提高显示器件效率有重要意义。
发明内容
本申请提供了一种银合金及其制备方法、导电薄膜和显示器件，以提高显示器件阳极在蓝光波段的反射率，降低显示器件的能耗，提高显示器件的效率。
第一方面，本申请提供一种银合金，该银合金包括银以及第一掺杂物质和第二掺杂物质，所述第一掺杂物质选自钌、钯、锡、锂、钠、钾、铷、铯、钫、镁、钙、锶、钡、镭、镉、铝、镓、锑、硒、碲、钋、砹、镧、铈、镨、钕、钷和钐中的至少一种，所述第二掺杂物质为锌；其中，以原子数百分比计，第一掺杂物质的含量为0.01％～1.3％，第二掺杂物质的含量为0.01％～1.3％，且第一掺杂物质和第二掺杂物质的总含量为0.02％～1.6％。
本申请的银合金，通过在银中掺杂第一掺杂物质，可使Ag基合金保持较高的可靠性和抗氧化性，同时，通过掺杂少量第二掺杂物质，即锌元素，可实现提高Ag基合金在蓝光波段反射率的独特性质，该银合金在400～500nm蓝光波段的反射率提高0.5个百分点以上。由此，本申请提供的银合金既具有银优异的导电性、导热性和反射率，又具有合金化后增强的强度、硬度和抗蠕变，从而使银合金在高温高湿条件下具有较高的耐蚀性，同时相较于其他银合金，在蓝光波段具有较高的反射率，利用本申请的银合金作为显示器件，可以改善器件能耗。
在一种可选的实现方式中，以原子数百分比计，第一掺杂物质的含量为0.15％～1％，优选为0.15％～0.5％。
在一种可选的实现方式中，以原子数百分比计，第二掺杂物质的含量为0.15％～1％，优选为0.15％～0.5％。通过优化第二掺杂物质的含量，可进一步提高银合金耐候性能的同时，使银合金保持较高的反射率和导电率。其中，由于对于经过高温高湿环境后，银合金在蓝光波段的反射率的下降趋势得以缓解。
在一种可选的实现方式中，银合金中的晶粒的平均粒径小于150μm，优选为1～100μm，进一步优选为5～80μm。相比纯银材料，掺入的第一掺杂物质和第二掺杂物质可引起掺杂点位附近区域的晶格畸变，易导致晶界形成，从而银合金晶粒尺寸变小而数量变多，同时晶粒分布会更加均匀。因此，银合金晶粒尺寸相比纯银尺寸减小，利用该银合金作为形成薄膜器件的溅射靶材时，可抑制出现喷溅现象，在溅射时，降低玻璃基板出现污点的概率，提高OLED器件面板的生产良率。
第二方面，本申请还提供一种上述银合金的制备方法，包括以下步骤：
将银源、第一掺杂源和第二掺杂源进行熔炼和浇铸，得到铸锭；其中，第一掺杂源中含有第一掺杂物质，第二掺杂源含有第二掺杂物质；
铸锭依次经热处理、锻造、冷却、冷轧和再结晶处理，得到银合金。
本申请提供的银合金的制备方法，经过热处理提高银合金的塑性，经过锻造改善银合金的组织，提高银合金的力学性能和物理性能；通过再结晶处理使银合金中的晶粒转变为等轴晶粒，降低银合金的电阻率，消除银合金中的内应力。利用本申请的制备方法制备得到的银合金在高温条件下具有较高的耐蚀性，能够减少银合金在高温条件下形成岛状结构，进而提高其耐久性。
其中，热处理的温度为600～850℃，热处理的时间为1～2h。锻造的温度为500～600℃，锻造的总变形量为45～65％。锻造后可冷却至室温进行冷轧，其中，冷却速度可为200～1000℃/min。冷轧的温度为冷却后的温度，冷轧可为多道次轧制，多道次轧制中的每道次的压下率独立为15～30％，多道次轧制的总压下率可为50～65％。再结晶处理的温度可为350～500℃，时间可为1.8～2.2h。
其中，本申请上述各可能实现方式中的数据，例如第一掺杂物质的含量、第二掺杂物质的含量、银合金中的晶粒的平均粒径、反射率、温度、时间等数据，在测量时，工程测量误差范围内的数值均应理解为在本申请所限定的范围内。
第三方面，本申请提供一种导电薄膜，该导电薄膜包括银合金层以及设于银合金层两侧表面的透明导电薄膜，银合金层利用本申请第一方面的银合金制备形成。
该导电薄膜可以达到的技术效果，可以参照上述第一方面中的相应效果描述，这里不再重复赘述。
第四方面，本申请提供一种显示器件，该显示器件包括依次叠层设置的阴极层、电子注入层、发光层、空穴注入层、阳极层以及基板层，阳极层包括第三方面的导电薄膜。
由于本申请的显示器件利用本申请第三方面的导电薄膜作为阳极，在本申请的银合金在蓝光波段具有高反射率的情况下，该显示器件可具有更低的能耗。
附图说明
图1为本申请实施例提供的一种OLED器件的结构示意图；
图2为合金实施例2-1的银合金的晶相图；
图3为对比例9的银的金相图；
图4为薄膜2-1和对比薄膜9之间的反射率对比图；
图5为薄膜2-1和对比薄膜2-1的反射率对比图；
图6为薄膜2-1和对比薄膜2-1的反射率比值图。
附图标记：
11-阴极；12-阳极；13-有机半导体层；131-空穴注入层；132-空穴传输层；133-发光层；134-电子传输层；135-电子注入层；14-基板层。
具体实施方式
为了使本申请的目的、技术方案和优点更加清楚，下面将结合附图对本申请作进一步地详细描述。
以下实施例中所使用的术语只是为了描述特定实施例的目的，而并非旨在作为对本申请的限制。如在本申请的说明书和所附权利要求书中所使用的那样，单数表达形式“一个”、“一种”、“所述”、“上述”、“该”和“这一”旨在也包括例如“一个或多个”这种表达形式，除非其上下文中明确地有相反指示。
在本说明书中描述的参考“一个实施例”或“一些实施例”等意味着在本申请的一个或多个实施例中包括结合该实施例描述的特定特征、结构或特点。由此，在本说明书中的不同之处出现的语句“在一个实施例中”、“在一些实施例中”、“在其他一些实施例中”、“在另外一些实施例中”等不是必然都参考相同的实施例，而是意味着“一个或多个但不是所有的实施例”，除非是以其他方式另外特别强调。术语“包括”、“包含”、“具有”及它们的变形都意味着“包括但不限于”，除非是以其他方式另外特别强调。
显示器件，以OLED器件为例，其基本结构通常是一种有机半导体层夹在两个电极之间的三明治结构，图1为一种OLED器件的结构示意图，如图1所示，该OLED器件可包括叠层设置的阴极11、阳极12、设于阴极11与阳极12之间的有机半导体层13、以及基板层14。其中，阳极12与基板层14贴合设置，阳极12常采用薄而透明的具有半导体特性的铟锡氧化物，阴极11通常采用低功函数的金属；当在阳极12和阴极11之间施加外加电压时，有机半导体层13内就会产生激子并发光。为了获得更高性能的OLED，有机半导体层13通常包含多个层，如空穴注入层131、空穴传输层132、发光层133、电子传输层134和电子注入层135。现有阳极材料通常采用二元银合金薄膜作为电极，而二元银合金薄膜，在蓝光波段(450nm附近)的反射率相对于绿光(550nm)、红光(650nm)的反射率降低5～10％，造成蓝光波段的耗电占OLED显示器件的50％以上。因此如何提高蓝光波段的反射率对降低OLED显示器件的耗电有重要意义。
为提高阳极材料在蓝光波段的反射率，本申请提供一种用于电极的银合金，银合金包括银、第一掺杂物质和第二掺杂物质，第一掺杂物质和第二掺杂物质不同，由此，该银合金至少为三元合金材料。
其中，第一掺杂物质包括在小于等于1400℃的熔炼温度下能与银形成均匀合金的元素，且第一掺杂物质不包括锌。示例性地，第一掺杂物质选自钌、钯、锡、锂、钠、钾、铷、铯、钫、镁、钙、锶、钡、镭、镉、铝、镓、锑、硒、碲、钋、砹、镧、铈、镨、钕、钷和钐中的至少一种。
其中，以原子数百分比计，银合金中第一掺杂物质的含量为0.01％～1.3％，优选为0.1％～1％，进一步优选为0.15％～0.5％。以原子数百分比计，银合金中，第一掺杂物质的掺杂量例如可为0.01％、0.05％、0.1％、0.12％、0.15％、0.17％、0.2％、0.22％、0.25％、0.28％、0.3％、0.35％、0.38％、0.40％、0.42％、0.45％、0.47％、0.5％、0.52％、0.55％、0.58％、0.6％、0.62％、0.65％、0.68％、0.7％、0.72％、0.75％、0.77％、0.8％、0.9％、1％、1.2％。
本申请实施例中，第二掺杂物质为锌。以原子数百分比计，银合金中，第二掺杂物质的含量为0.01％～1.3％，优选为0.15％～1％，进一步优选为0.15％～0.5％。以原子数百分比计，银合金中，Zn的掺杂量例如可为0.01％、0.05％、0.1％、0.12％、0.15％、0.17％、0.2％、0.22％、0.25％、0.28％、0.3％、0.35％、0.38％、0.40％、0.42％、0.45％、0.47％、0.5％、0.52％、0.55％、0.58％、0.6％、0.62％、0.65％、0.68％、0.7％、0.72％、0.75％、0.77％、0.8％、0.9％、1％、1.2％。
其中，锌元素容易氧化，单独掺入形成的合金，其稳定性较差，和第一掺杂物质共同掺入有利于减少锌元素使用量，并降低其不利影响。
其中，第一掺杂物质和第二掺杂物质的总含量为0.02％～1.6％。余量可以包括银以及不可避免的杂质。以原子数百分比计，第一掺杂物质和第二掺杂物质的总含量优选为0.3％～1.3％，进一步优选为0.3％～0.8％。示例性地，第一掺杂物质和第二掺杂物质的总的掺杂量例如可为0.02％、0.05％、0.1％、0.12％、0.15％、0.17％、0.2％、0.22％、0.25％、0.28％、0.3％、0.35％、0.38％、0.40％、0.42％、0.45％、0.47％、0.5％、0.52％、0.55％、0.58％、0.6％、0.62％、0.65％、0.68％、0.7％、0.72％、0.75％、0.77％、0.8％、0.9％、1％、1.2％、1.3％、1.5％或1.6％。
需要说明的是，不可避免的杂质为银合金在原料的制备过程以及银合金自身的制备过高中引入的不可去除的杂质。
在一种可选的实施例中，银合金中的晶粒的平均粒径小于150μm，优选为1～100μm，进一步优选为5～80μm。具有该晶粒尺寸的银合金，作为溅射靶材时，可抑制喷射现象的发生。
本申请实施例提供的银合金既具有银优异的导电性、导热性和反射率，又具有合金化后增强的强度、硬度和抗蠕变，从而使银合金在高温高湿条件下具有较高的耐蚀性，同时相较于其他银合金，在蓝光波段具有较高的反射率。
以上对银合金的具体组成做了说明，以下将对该银合金的制备过程进行详细说明。
本申请实施例银合金的制备方法可包括如下步骤：
S11、将银源、第一掺杂源和第二掺杂源进行熔炼和浇铸，得到铸锭；其中，第一掺杂源中含有第一掺杂物质，第二掺杂源含有第二掺杂物质；
S12、铸锭依次经热处理、锻造、冷却、冷轧和再结晶处理，得到银合金。
其中，银源可为银单质，第一掺杂源可为钌单质、钯单质、锡单质、锂单质、钠单质、钾单质、铷单质、铯单质、钫单质、镁单质、钙单质、锶单质、钡单质、镭单质、镉单质、铝单质、镓单质、锑单质、硒单质、碲单质、钋单质、砹单质、镧单质、铈单质、镨单质、钕单质、钷单质或钐单质中的至少一种。第二掺杂源可为锌单质。
其中，步骤S11中，熔炼可为真空熔炼，本申请实施例对真空熔炼的装置无特殊要求，例如可采用真空感应熔炼炉。真空熔炼的真空度为可为1×10-4～1×10-2托，优选为1×10-3～8×10-3托；真空熔炼的温度可为1100～1300℃，优选为1150～1200℃。可以理解的是，本申请实施例的制备方法对熔炼的时间无特殊限定，只要能够使原料完全熔化即可。
其中，步骤S11中，铸造可为浇铸，浇铸所用的模具可为铸铁。可以理解的是，本申请实施例对模具的尺寸和形成并未特殊要求，可根据所需铸锭的尺寸和形状进行设定即可。
步骤S12中，热处理的温度为600～850℃，优选为700～800℃；热处理的时间为1～2h，优选为1.5～1.8h。利用上述热处理工艺条件，可使所得银合金的组分更均匀。其中，热处理的温度典型但非限制性地为600℃、620℃、640℃、660℃、680℃、700℃、720℃、740℃、760℃、780℃、800℃、820℃或850℃；热处理的时间典型但非限制性地为1h、1.1h、1.2h、1.3h、1.4h、1.5h、1.6h、1.7h、1.8h、1.9h或2.0h。
步骤S12中，锻造过程中，总的变形量控制在45～65％，优选为50～60％。锻造后，将锻造件冷却至室温，例如20～30℃。冷却可为淬冷，淬冷的介质可为水。冷却过程中的冷却速率可为200～1000℃/min，优选为500～800℃/min。
冷却结束后，可对冷却后的锻造件进行冷轧处理，冷轧的温度可为锻造件冷却后的温度。其中，冷轧可为多道轧制，多道次轧制中，每道次的压下率各自独立地为15～30％，优选为20～25％；多道次轧制的总压下率优选为70～85％，优选为75～80％。其中，在多道轧制中，相邻两道次冷轧延的轧延方向例如可相差45°～90°，优选为50°～80°。
冷轧后，可对冷轧件进行再结晶处理，其中，再结晶的温度可为350～500℃，优选为400～450℃；再结晶的时间可为1.8～2.2h，优选为2h。
利用上述银合金可制备导电薄膜。在一种实施例中，导电薄膜可包括银合金层和设于银合金层两侧表面的透明导电薄膜，其中，银合金层利用本申请实施例的银合金制备形成。
其中，银合金层的厚度可为98～102nm，更优选为100nm；透明导电薄膜可为氧化铟锡薄膜，氧化铟锡薄膜的厚度可为9.8～10.2nm，优选为10nm。
本申请实施例的导电薄膜可采用溅射镀膜的方法制备。示例性地，可将本申请实施例的银合金作为溅射靶材，在透明导电薄膜层的表面进行溅射可以得到银合金层，然后再在银合金层表面溅射另外一层透明导电薄膜。作为示例性说明，溅射镀膜用气体可为氩气，溅射过程中，氩气的流量可为15～30sccm，溅射镀膜用电源的功率可为152～250W，溅射镀膜的溅镀腔体的真空度可为3～8毫托。需要说明的是，本申请对溅射镀膜的装置和方式无特殊限定，采用本领域常规的装置和方式即可。
本申请实施例的导电薄膜可用作显示器件，如OLED器件的电极，例如可作为OLED器件的阳极。
参照图1，OLED器件可包括依次叠层设置的阴极11、电子注入层135、发光层133、空穴注入层131、阳极12以及基板层14，阳极12利用本申请实施例的导电薄膜形成，该导电薄膜的两侧分别设有透明导电薄膜层，其中一个透明导电薄膜层设于银合金层的面向空穴注入层的一侧表面，另一个透明导电薄膜层设于银合金层的面向基板层的一侧表面。
以下将结合具体实施例和对比例对本申请的银合金做进一步详细说明。
合金实施例1
该实施例为一种银合金，该银合金利用以下方法制备得到：
将单质银、单质锌和单质钌(锌、钌的原子百分含量分别为0.41％、0.17％)置于真空感应熔炼炉中于真空度为1×10-3、温度为1000～1400℃的条件下进行真空熔炼，将熔炼得到的熔液倒入一铸铁模具中冷却固化后取出，得到铸锭；
将所得铸锭在650～850℃热处理1.5h后，在500～600℃下进行锻造处理(变形量为45～60％)；将热锻造后的产物在水中进行淬冷，按照500℃/min的冷却速度冷却至25℃；将冷却后的合金进行多道次冷轧(每道次冷轧的压下率为20％，总压下率为78％，相邻两道次冷轧延的轧延方向相差50°)；将冷轧后合金在400℃再结晶2h，得到银合金，记为合金1-1。
参照上述方法，更改其中的锌、钌的质量百分含量，获得合金1-2和合金1-3。合金1-2以及合金1-3的具体组成参见表1。
合金对比例1
按照实施例1的方法制备银合金，不同之处在于原料不同，具体原料组成参见表1。参照上述方法，更改其中的锌、钌的质量百分含量，获得对比合金1-1和对比合金1-2。对比合金1-1以及对比合金1-2的具体组成参见表1。
合金实施例2
按照实施例1的方法制备银合金，其中，形成合金的原料组成为单质银、单质锌和单质锡，具体原料组成参见表1。其中，该实施例对应三种不同组成的合金，所得合金分别记为合金2-1、合金2-2和合金2-3。
合金对比例2
按照实施例1的方法制备银合金，不同之处在于原料不同，具体原料组成参见表1。参照上述方法，更改其中的锌、锡的质量百分含量，获得对比合金2-1和对比合金2-2。对比合金2-1以及对比合金2-2的具体组成参见表1。
合金实施例3
按照实施例1的方法制备银合金，其中，形成合金的原料组成为单质银、单质锌和单质锶，具体原料组成参见表1。其中，该实施例对应三种不同组成的合金，所得合金分别记为合金3-1、合金3-2和合金3-3。
合金对比例3
按照实施例1的方法制备银合金，不同之处在于原料不同，具体原料组成参见表1。参照上述方法，更改其中的锌、锶的质量百分含量，获得对比合金3-1和对比合金3-2。对比合金3-1以及对比合金3-2的具体组成参见表1。
合金实施例4～8
按照实施例1的方法制备银合金，不同之处在于原料不同，具体原料组成参见表1。
合金对比例2～8
按照实施例1的方法制备银合金，不同之处在于原料不同，具体原料组成参见表1。
对比例9
该对比例为纯银材料，其晶粒大小为30.6μm。
表1
注：表1中，各元素的含量为质量百分含量。
图2为合金实施例2-1的银合金的晶相图，图3为对比例9的银的金相图，由图2和图3对比可知，通过添加Zn以及Sn，可达到细化晶粒的效果，由此，在溅射过程中可抑制喷溅现象的发生。另外，由表1中的数据可以看出，合金实施例1-8的晶粒尺寸均显著小于纯银材料的晶粒。
薄膜实施例
分别以实施例1-8以及对比例1-9对应的各合金以及对比合金为靶材，在厚度为10nm的氧化铟锡薄膜层上溅射镀膜形成银合金薄膜。其中，溅射镀膜用气体为流量为20sccm的氩气，电源的功率为200W，溅镀腔体的真空度为5毫托；然后用溅射镀膜技术在银合金薄膜的另一表面再制备一层氧化铟锡薄膜(厚度10nm)，得到银合金复合薄膜；其中，银合金复合薄膜的厚度为100nm。
合金实施例1所对应获得的薄膜分别记为薄膜1-1、薄膜1-2、薄膜1-3；
合金对比例1所对应获得的薄膜分别记为对比薄膜1-1、对比薄膜1-2；
合金实施例2所对应获得的薄膜分别记为薄膜2-1、薄膜2-2、薄膜2-3；
合金对比例2所对应获得的薄膜分别记为对比薄膜2-1；
合金实施例3所对应获得的薄膜分别记为薄膜3-1、薄膜3-2、薄膜3-3；
合金对比例3所对应获得的薄膜分别记为对比薄膜3-1、对比薄膜3-2；
合金实施例4至合金实施例8所对应获得的薄膜分别记为薄膜4、薄膜5、薄膜6、薄膜7、薄膜8；
合金对比例4至合金对比例8所对应获得的薄膜分别记为对比薄膜4、对比薄膜5、对比薄膜6、对比薄膜7、对比薄膜8。
对比例9所对应的纯银材料形成的纯银薄膜记为对比薄膜9。
银合金薄膜测试1
分别测试对应的银合金薄膜的高温老化前后的反射率及薄膜对比例9的纯银薄膜的高温老化前后的反射率。其中，高温老化为高温高湿老化，具体条件为85℃温度、85％湿度条件下放置7×24h。
图4为薄膜2-1和对比薄膜9之间的反射率对比图，其中，纵坐标表示高温老化前后的反射率比值，如图4所示，相比于纯银薄膜，本申请实施例的银合金薄膜在经过高温老化后，反射率下降的趋势得以缓解，尤其在400-500nm范围内的反射率得到明显的改善，这说明，通过添加一定量的锌和锡，可有效改善银合金的耐老化性能，使银合金在经过高温老化后，仍能保持较好的蓝光反射率。
图5为薄膜2-1和对比薄膜2-1的反射率对比图，图6为薄膜2-1和对比薄膜2-1的反射率比值图，相对于对比薄膜2-1的银合金，本申请的银合金通过添加一定量的锌，可显著提升银合金薄膜在400-500nm范围内的反射率。
按照上述方法分别测试不同薄膜和对比薄膜在不同波长范围内的反射率，以及可靠性实验(高温高湿实验)后的反射率，测试结果列于表2。
表2
由表2中的薄膜1-1至薄膜1-3以及对比薄膜1-1至对比薄膜1-2的相关测试数据可以看出，在Ag-Zn-Ru体系中，薄膜1-1至薄膜1-3在400～500nm反射率，比对比薄膜1-1的反射率高0.5％百分点以上，显示领域，银合金材料反射率数值变化0.5％，已是很大程度的改善；同时，相对于只掺杂Zn的Ag-Zn体系的对比薄膜1-2，薄膜1-1至薄膜1-3的耐候性显著提升，反射率在可靠性实验后的衰减比例从-1.13％缩小至-0.23％～-0.52％，反射率衰减比例减少0.5％以上。由此，利用本申请实施例的银合金作为显示器件的阳极，具有很好的耐候性，同时，可显著提高阳极在蓝光波段的反射率，进而可显著提升显示器件发光效率，降低显示器件的能耗。另外，从该组对比数据中可以看出，当第一掺杂物质和第二掺杂物质分别在其优选范围内时，可进一步降低薄膜在蓝光波段的反射率的衰减比例，进而可进一步提高阳极的耐候性，降低显示器件的能耗，提高显示器件的发光效率。此外，从该组对比数据中还可以看出，相对于各对比薄膜，本申请实施例的各薄膜在绿光波段，即～550nm波段的反射率也有相对应的提升，但是在耐候性方面，本申请实施例的各薄膜，在经过可靠性实验后，其在绿光波段衰减幅度有限，说明本申请实施例的银合金中第一掺杂物质和第二掺杂物质的加入，对绿光波段的反射率的影响较小，而在蓝光波段，第一掺杂物质和第二掺杂物质的加入，可对合金的薄膜的反射率产生较大的影响，因此，从上述对比可以看出，本申请实施例中第一掺杂物质和第二掺杂物质的加入可以更好地改善银合金薄膜在蓝光波段的反射性能。
由表2，在Ag-Zn-Sn体系中，即薄膜2-1至薄膜2-3以及对比薄膜2-1至对比薄膜1-2的相关测试数据，可得到与Ag-Zn-Ru体系相同的结论；另外，从在Ag-Zn-Sr体系中，即薄膜3-1至薄膜3-3以及对比薄膜3-1至对比薄膜1-2的相关测试数据，可得到与Ag-Zn-Ru体系相同的结论。
另外，由表2中薄膜4-8在各波段范围内的反射率也要优于对比薄膜4-8，尤其蓝光波段的反射率也有较大幅度的提升。由表2中的各实施例薄膜和与其相对应体系的对比薄膜的相关测试数据可知，相对于本申请各实施例的薄膜，未添加Zn的对比薄膜，其在非蓝光薄膜的反射率与相应实施例的薄膜的反射率相差不大，例如薄膜4与对比薄膜4在非蓝光波段的反射率，基本相差在0.5％左右，而在蓝光波段的反射率要相差1％以上，薄膜5与对比薄膜5、薄膜6与对比薄膜6、薄膜7与对比薄膜7、以及薄膜8与对比薄膜8之间的测试数据亦如此，这说明，通过优化锌的添加量可有效提高银合金的反射率，尤其是蓝光波段的反射率提升幅度更大。
同时，各实施例表面的反射率在可靠性实验后均保持了较小的衰减幅度，相对于纯银材料，展现出了优异的耐候性能。总体来讲，本申请实施例的各银合金可具有优异的综合性能，可用于显示器件中，以降低显示器件的能耗，提升显示器件的发光效率，以及使用寿命。
以上，仅为本申请的具体实施方式，但本申请的保护范围并不局限于此，任何熟悉本技术领域的技术人员在本申请揭露的技术范围内，可轻易想到变化或替换，都应涵盖在本申请的保护范围之内。因此，本申请的保护范围应以权利要求的保护范围为准。
Claims (10)
1.一种银合金，其特征在于，所述银合金包括银以及第一掺杂物质和第二掺杂物质，所述第一掺杂物质选自钌、钯、锡、锂、钠、钾、铷、铯、钫、镁、钙、锶、钡、镭、镉、铝、镓、锑、硒、碲、钋、砹、镧、铈、镨、钕、钷和钐中的至少一种，所述第二掺杂物质为锌；
其中，以原子数百分比计，所述第一掺杂物质的含量为0.01％～1.3％，所述第二掺杂物质的含量为0.01％～1.3％，且所述第一掺杂物质和所述第二掺杂物质的总含量为0.02％～1.6％。
2.根据权利要求1所述的银合金，其特征在于，以原子数百分比计，所述第一掺杂物质的含量为0.15％～1％。
3.根据权利要求2所述的银合金，其特征在于，以原子数百分比计，所述第一掺杂物质的含量为0.15％～0.5％。
4.根据权利要求1-3任一项所述的银合金，其特征在于，以原子数百分比计，所述第二掺杂物质的含量为0.15％～1％。
5.根据权利要求4所述的银合金，其特征在于，以原子数百分比计，所述第二掺杂物质的含量为0.15％～0.5％。
6.根据权利要求1-5任一项所述的银合金，其特征在于，所述银合金中的晶粒的平均粒径小于150μm。
7.一种如权利要求1-6任一项所述的银合金的制备方法，其特征在于，包括以下步骤：
将银源、第一掺杂源和第二掺杂源进行熔炼和浇铸，得到铸锭；其中，所述第一掺杂源中含有所述第一掺杂物质，所述第二掺杂源含有所述第二掺杂物质；
所述铸锭依次经热处理、锻造、冷却、冷轧和再结晶处理，得到所述银合金。
8.根据权利要求7所述的制备方法，其特征在于，所述热处理的温度为600～850℃，热处理的时间为1～2h。
9.一种导电薄膜，其特征在于，包括银合金层以及设于所述银合金层两侧表面的透明导电薄膜，所述银合金层利用如权利要求1-6任一项所述的银合金制备形成。
10.一种显示器件，其特征在于，包括依次叠层设置的阴极层、电子注入层、发光层、空穴注入层、阳极层以及基板层，所述阳极层包括如权利要求9所述的导电薄膜。
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