TWI286802B - Semiconductor device with nanoclusters - Google Patents
Semiconductor device with nanoclusters Download PDFInfo
- Publication number
- TWI286802B TWI286802B TW093123830A TW93123830A TWI286802B TW I286802 B TWI286802 B TW I286802B TW 093123830 A TW093123830 A TW 093123830A TW 93123830 A TW93123830 A TW 93123830A TW I286802 B TWI286802 B TW I286802B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- region
- barrier layer
- dielectric
- layer
- oxidized barrier
- Prior art date
Links
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims description 32
- 230000004888 barrier function Effects 0.000 claims abstract description 79
- 238000003860 storage Methods 0.000 claims abstract description 40
- 238000000034 method Methods 0.000 claims abstract description 37
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims description 32
- 239000000463 material Substances 0.000 claims description 25
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 19
- 238000000151 deposition Methods 0.000 claims description 10
- 239000003989 dielectric material Substances 0.000 claims description 8
- 238000000059 patterning Methods 0.000 claims description 6
- QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N atomic oxygen Chemical compound [O] QVGXLLKOCUKJST-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 5
- IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N nitrogen Substances N#N IJGRMHOSHXDMSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 5
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 claims description 5
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 claims description 5
- 229910001362 Ta alloys Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 4
- 229910052758 niobium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 239000010955 niobium Substances 0.000 claims description 4
- GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N niobium atom Chemical compound [Nb] GUCVJGMIXFAOAE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052757 nitrogen Inorganic materials 0.000 claims description 3
- MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N tantalum nitride Chemical compound [Ta]#N MZLGASXMSKOWSE-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 240000007594 Oryza sativa Species 0.000 claims description 2
- 235000007164 Oryza sativa Nutrition 0.000 claims description 2
- 229910045601 alloy Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000000956 alloy Substances 0.000 claims description 2
- 235000009566 rice Nutrition 0.000 claims description 2
- 239000004575 stone Substances 0.000 claims description 2
- 240000008790 Musa x paradisiaca Species 0.000 claims 1
- 235000018290 Musa x paradisiaca Nutrition 0.000 claims 1
- 206010036790 Productive cough Diseases 0.000 claims 1
- 210000003298 dental enamel Anatomy 0.000 claims 1
- JVWJBBYNBCYSNA-UHFFFAOYSA-N lanthanum(3+) oxygen(2-) yttrium(3+) Chemical compound [O--].[O--].[O--].[Y+3].[La+3] JVWJBBYNBCYSNA-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims 1
- -1 nitrogen nitride Chemical class 0.000 claims 1
- 210000003802 sputum Anatomy 0.000 claims 1
- 208000024794 sputum Diseases 0.000 claims 1
- 238000007254 oxidation reaction Methods 0.000 abstract description 19
- 230000003647 oxidation Effects 0.000 abstract description 17
- 230000001590 oxidative effect Effects 0.000 abstract description 8
- 230000008569 process Effects 0.000 abstract description 8
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 abstract description 7
- 239000007800 oxidant agent Substances 0.000 abstract description 7
- XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N Silicon Chemical compound [Si] XUIMIQQOPSSXEZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 abstract 1
- 239000002159 nanocrystal Substances 0.000 abstract 1
- 229910052710 silicon Inorganic materials 0.000 abstract 1
- 239000010703 silicon Substances 0.000 abstract 1
- 239000010410 layer Substances 0.000 description 95
- 229910000420 cerium oxide Inorganic materials 0.000 description 5
- BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoceriooxy)cerium Chemical compound [Ce]=O.O=[Ce]=O BMMGVYCKOGBVEV-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 5
- 238000005229 chemical vapour deposition Methods 0.000 description 4
- 238000009792 diffusion process Methods 0.000 description 4
- 230000035515 penetration Effects 0.000 description 4
- MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N Nitric oxide Chemical compound O=[N] MWUXSHHQAYIFBG-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 238000000137 annealing Methods 0.000 description 3
- 229910000449 hafnium oxide Inorganic materials 0.000 description 3
- WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N hafnium(4+);oxygen(2-) Chemical compound [O-2].[O-2].[Hf+4] WIHZLLGSGQNAGK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 3
- 150000004767 nitrides Chemical class 0.000 description 3
- 229910052684 Cerium Inorganic materials 0.000 description 2
- GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N cerium Chemical compound [Ce] GWXLDORMOJMVQZ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000004020 conductor Substances 0.000 description 2
- 238000002309 gasification Methods 0.000 description 2
- 229910052735 hafnium Inorganic materials 0.000 description 2
- VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N hafnium atom Chemical compound [Hf] VBJZVLUMGGDVMO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 238000005468 ion implantation Methods 0.000 description 2
- 238000005121 nitriding Methods 0.000 description 2
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 125000006850 spacer group Chemical group 0.000 description 2
- GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N tantalum atom Chemical compound [Ta] GUVRBAGPIYLISA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- 239000010409 thin film Substances 0.000 description 2
- XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N water Substances O XLYOFNOQVPJJNP-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 2
- KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N Fluorane Chemical compound F KRHYYFGTRYWZRS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 241000238631 Hexapoda Species 0.000 description 1
- 229910001257 Nb alloy Inorganic materials 0.000 description 1
- 241000237509 Patinopecten sp. Species 0.000 description 1
- KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N Ruthenium Chemical compound [Ru] KJTLSVCANCCWHF-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000831 Steel Inorganic materials 0.000 description 1
- RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N Titanium Chemical compound [Ti] RTAQQCXQSZGOHL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- XGPTUSVNXUKIEM-UHFFFAOYSA-N [O-2].[Sr+2].[O-2].[Sr+2] Chemical compound [O-2].[Sr+2].[O-2].[Sr+2] XGPTUSVNXUKIEM-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 239000002253 acid Substances 0.000 description 1
- PSNPEOOEWZZFPJ-UHFFFAOYSA-N alumane;yttrium Chemical compound [AlH3].[Y] PSNPEOOEWZZFPJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N aluminium oxide Inorganic materials [O-2].[O-2].[O-2].[Al+3].[Al+3] PNEYBMLMFCGWSK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- MRPWWVMHWSDJEH-UHFFFAOYSA-N antimony telluride Chemical compound [SbH3+3].[SbH3+3].[TeH2-2].[TeH2-2].[TeH2-2] MRPWWVMHWSDJEH-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N azanylidyneniobium Chemical compound [Nb]#N CFJRGWXELQQLSA-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 230000008901 benefit Effects 0.000 description 1
- 239000003795 chemical substances by application Substances 0.000 description 1
- 229910017052 cobalt Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010941 cobalt Substances 0.000 description 1
- GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N cobalt atom Chemical compound [Co] GUTLYIVDDKVIGB-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- VLWBWEUXNYUQKJ-UHFFFAOYSA-N cobalt ruthenium Chemical compound [Co].[Ru] VLWBWEUXNYUQKJ-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000001875 compounds Chemical class 0.000 description 1
- 238000005520 cutting process Methods 0.000 description 1
- 230000007547 defect Effects 0.000 description 1
- 230000008021 deposition Effects 0.000 description 1
- HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N dioxoiridium Chemical compound O=[Ir]=O HTXDPTMKBJXEOW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000001312 dry etching Methods 0.000 description 1
- 238000004945 emulsification Methods 0.000 description 1
- 238000005530 etching Methods 0.000 description 1
- 230000005496 eutectics Effects 0.000 description 1
- PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N gold Chemical compound [Au] PCHJSUWPFVWCPO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000010931 gold Substances 0.000 description 1
- 229910000040 hydrogen fluoride Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000009413 insulation Methods 0.000 description 1
- 229910052741 iridium Inorganic materials 0.000 description 1
- GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N iridium atom Chemical compound [Ir] GKOZUEZYRPOHIO-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910000457 iridium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- DDTIGTPWGISMKL-UHFFFAOYSA-N molybdenum nickel Chemical compound [Ni].[Mo] DDTIGTPWGISMKL-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 150000002815 nickel Chemical class 0.000 description 1
- 230000005693 optoelectronics Effects 0.000 description 1
- 229910052762 osmium Inorganic materials 0.000 description 1
- SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N osmium atom Chemical compound [Os] SYQBFIAQOQZEGI-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoyttriooxy)yttrium Chemical compound O=[Y]O[Y]=O SIWVEOZUMHYXCS-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000012805 post-processing Methods 0.000 description 1
- 238000012545 processing Methods 0.000 description 1
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 description 1
- 230000009467 reduction Effects 0.000 description 1
- 229910052702 rhenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910052707 ruthenium Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910001925 ruthenium oxide Inorganic materials 0.000 description 1
- WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N ruthenium(iv) oxide Chemical compound O=[Ru]=O WOCIAKWEIIZHES-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 235000020637 scallop Nutrition 0.000 description 1
- 238000001338 self-assembly Methods 0.000 description 1
- 238000009718 spray deposition Methods 0.000 description 1
- 239000010959 steel Substances 0.000 description 1
- 229910052715 tantalum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000008719 thickening Effects 0.000 description 1
- 239000010936 titanium Substances 0.000 description 1
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L27/00—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate
- H01L27/02—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers
- H01L27/04—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body
- H01L27/10—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration
- H01L27/105—Devices consisting of a plurality of semiconductor or other solid-state components formed in or on a common substrate including semiconductor components specially adapted for rectifying, oscillating, amplifying or switching and having potential barriers; including integrated passive circuit elements having potential barriers the substrate being a semiconductor body including a plurality of individual components in a repetitive configuration including field-effect components
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/401—Multistep manufacturing processes
- H01L29/4011—Multistep manufacturing processes for data storage electrodes
- H01L29/40114—Multistep manufacturing processes for data storage electrodes the electrodes comprising a conductor-insulator-conductor-insulator-semiconductor structure
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y10/00—Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic
-
- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L29/00—Semiconductor devices specially adapted for rectifying, amplifying, oscillating or switching and having potential barriers; Capacitors or resistors having potential barriers, e.g. a PN-junction depletion layer or carrier concentration layer; Details of semiconductor bodies or of electrodes thereof ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/40—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor
- H01L29/41—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions
- H01L29/423—Electrodes ; Multistep manufacturing processes therefor characterised by their shape, relative sizes or dispositions not carrying the current to be rectified, amplified or switched
- H01L29/42312—Gate electrodes for field effect devices
- H01L29/42316—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors
- H01L29/4232—Gate electrodes for field effect devices for field-effect transistors with insulated gate
- H01L29/42324—Gate electrodes for transistors with a floating gate
- H01L29/42332—Gate electrodes for transistors with a floating gate with the floating gate formed by two or more non connected parts, e.g. multi-particles flating gate
-
- H—ELECTRICITY
- H10—SEMICONDUCTOR DEVICES; ELECTRIC SOLID-STATE DEVICES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H10B—ELECTRONIC MEMORY DEVICES
- H10B69/00—Erasable-and-programmable ROM [EPROM] devices not provided for in groups H10B41/00 - H10B63/00, e.g. ultraviolet erasable-and-programmable ROM [UVEPROM] devices
-
- B—PERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
- B82—NANOTECHNOLOGY
- B82Y—SPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
- B82Y40/00—Manufacture or treatment of nanostructures
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Power Engineering (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Physics & Mathematics (AREA)
- Computer Hardware Design (AREA)
- General Physics & Mathematics (AREA)
- Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
- Ceramic Engineering (AREA)
- Chemical & Material Sciences (AREA)
- Nanotechnology (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Mathematical Physics (AREA)
- Theoretical Computer Science (AREA)
- Crystallography & Structural Chemistry (AREA)
- Non-Volatile Memory (AREA)
- Semiconductor Memories (AREA)
- Metal-Oxide And Bipolar Metal-Oxide Semiconductor Integrated Circuits (AREA)
Description
1286802 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域] 本發明有關具有奈米簇之裝置。 【先前技術】 —-些裝置如記憶體(如非揮發性記憶體)會利用稱為夺米 族(如石夕,銘,金,或錯)之分離電荷儲存元件,而用以儲 電荷^-電晶體之電荷儲存位置。在一些範例中,設置該 奈米簇於二介電質層,-底介電質及-控制介電質之間f 該電晶體之範例包括薄膜儲存電晶體。一記憶體-般合包 括該電晶體之陣列。奈米蔡類型之範例包括石夕奈米晶i, =奈水晶體,金奈米簇’及紹奈米晶體。在-些範例中, 奈米簇之尺寸由UM_且可能為摻雜或非摻雜之半導體 材料或導電性材料製成。 “乍/、有不米族之電荷儲存電晶體之一些記憶體於積體 電路上,其亦包括在電路中使用以充電及放電該電荷錯存 電晶體之電荷儲存位置的高電壓電晶體。使用充電或放電 該電荷儲存位置以儲存至少一位元之資訊,且可視為程式 化或抹除。這些高電麼電晶體一般會包括一較厚閘極氧化 ,。該間極氧化物可藉由-蒸汽氧化處理而形成。該蒸汽 氧=處理可能穿透該電荷儲存電晶體之控制介電質,因而 不:要地氧化该奈米簇及不期望地增加該底介電質厚度。 而要肖以製造一具有奈米簇之裝置的改良方法。 【發明内容】 本申明案已在美國提出專利申請,申請號ι〇/663,62ι,申 94941.doc 1286802 請曰2003/09/16,以引用的方式併入本文中。 在一實施例甲,一製造一裝置之方法包括提供一基板, 及在該基板上形成奈米簇,在該奈米簇上沈積一氧化障壁 層,及定圖案以形成-第-區及一第二區。該第一區包括 該氧化障壁層及該基板上之奈米簇。該第二區具有該氧化 I1早壁層及已移除之該奈米簇。該方法亦包括定圖案後,在 該第一區上形成_帛二電介質。該方法更包括由隨後形成 第二電介質之第一區移除該氧化障壁層之至少一部分。該 至少一部分之移除至少會減少該氧化障壁層之厚度。 在另一實施例中,一製造一裝置之方法包括提供一基 板,其在該基板上具有一奈米簇及電介質之結構,及在該 結構上沈積一氧化障壁層,及定圖案以形成一第一區及一 第一區。該第一區包括該氧化障壁層及該基板上之結構。 ”亥第一區具有該氧化障壁層及至少已移除該結構之奈米 簇。忒方法亦包括在定圖案之後,在該第一區上形成一第 二電介質,及將該氧化障壁層之至少一部分由後續形成之 第一電介質之第一區中移除。該至少一部分之移除會至少 減少該氧化障壁層之厚度。 在另一實施例中,一製造一半導體裝置之方法包括提供 一基板,其在該基板上具有一奈米簇及電介質之結構,及 在忒釔構上沈積一氧化障壁層。該氧化障壁層包括由一氮 化矽,氮氧化矽,矽組成之群,一矽鍺合金,一高κ電介質 材料,及一金屬所選擇之任一。該方法亦包括定圖案以形 成第一區及一第二區。該第一區包括該氧化障壁層之部 94941.doc I286802 分及該結構,且該第二區具有該氧化障壁層之部分及至少 已移除該結構之奈米簇。該方法亦包括在定圖案之後,在 該第二區中形成一第二電介質,及將該氧化障壁層之至少 -部分由後續形成該第二電介質之第一區中移除。該至少 一部分之移除至少會減少該氧化障壁層之厚度。 在另一實施例中’ _製造__半導體記憶體之方法包括提 供-基板’該基板上具有—奈㈣及電介f之結構,在該 結構上沈積一氧化障壁層,及定圖案以形成一第一區及一 第二區。該第一區包括該氧化障壁層之部分及該結構,且 該第二區具有該氧化障壁層之部分及至少已移除該結構之 奈米族。该方法更包括形成一第二電介質於第一區外側, 隨後以定圖案及由隨後形成第二電介質之第一區移除該氧 化障壁層之至少—部分。該至少一部分之移除至少會減少 Z氧化障J層之厚度。该方法再包括形成一電荷儲存電晶 體於第一區中。利用該奈米竊之至少一部分作為一用於該 電荷儲存電晶體之電荷儲存位置。該方法亦包括形成一第 —電晶體於第二區中。該第二電介質之一部分會至少供應 一該第二電晶體之閘極電介質的一部分。 【實施方式】 隨後提出詳盡描述―用以實行本發明的方法。該描述意 在說明本發明且本發明不受其所限。 圖1-6是根據本發明第一實施例在製造包括奈米鎮之記 思體P白&期間’ 一半導體晶片之部分侧視圖。如稍後將描 、,〔的。亥方去包括利用一用以抑制該奈米蘿及底電介質之 94941.doc 1286802 氧化的氧化障壁層。 參考圖卜晶片101包括一半導體基板103。需藉由如氧化 或化子氣化沈積而在基板103上形成一底電介質(如二 氧化矽,氮氧化矽,氧化铪,氧化鋁,氧化鑭,或矽酸鑭)。 在一實施例中,底電介質具有5奈米之厚度,但在其他實施 例中可為其他厚度。藉由如化學氣化沈積技術,喷霧沈積 技Ί疋轉㈣技術,或自組裝技術(如將—薄膜退火以形 成奈米簇)而在底電介質105上形成一奈米簇1〇7之層(如 矽鋁,金,鍺,或一矽及鍺合金或其他類型傳導性材料 或推雜或非摻雜之半導體材料)。在-實施例中,該奈米簇 ⑽為石夕奈米簇。在-非揮發性記憶體中利用奈米簇之實施 $中,該奈米蔟具有尺寸5至7奈# 21χΐ()Λ12⑽巧的平面 在度。在一些實施例中,奈米簇尺寸由10-100埃。然而在 ^他實施財奈米簇可為其他尺寸及/或其他密度。將利用 :只簇107以實現在晶片i 〇丨上組裝一記憶體之電晶體(未 示)中的電荷儲存位置。 參考圖2,藉由如化學氣化沈積而在晶片ι〇ι上形成一介 電質材料層(如二氧化矽,氮氧化矽,氧化铪,氧化鋁,氧 化鑭,或石夕酸鑭),以形成一控制介電質2〇9。在一實施例 中’控制介電質209具有-5_10奈米之厚度,但在其他實施 例中可為其他厚度。 在些實靶例中,可藉由離子植入(如矽或鍺)一隨後使 用離子之退火的介電質材料層(未示),而形成底電介質 奈米簇107及控制介電質209,以在該介電質材料層中 94941.doc 1286802 ^成奈未族。在並AL· ^ / \ 料層之間之富石夕氧ΓΓ 可藉由再結晶二介電質材 夕乳化層,而形成底電介質1〇5,奈米蔡107 電質209’以形成奈米蔡。在其他實施例中,可在 介電質上多層中實作該奈米簇。在其他實施例中, 可猎由沈積-之奈米簇材料的薄非結晶層(如W奈米)(其 中2組合結構為一隨後退火處理機)而形成奈米蔡。 -乎;伴他蒦='中’可設置一由如氧化切製造之薄(如°·5 呆邊層(未示)於奈米箱上,其中在該保護層 制介電質209。 取役 參考圖3,在晶片⑻上沈積一氧化障壁層3ιι。在一實施 例中,由11化石夕製造層31卜在其他實施例中障壁層⑴可 :括任何材料或化合物,其妨礙氧化劑擴散至控制介電質 表面。該材料可包括氮化石夕,氮氧化石夕,石夕,石夕鍺合金,、 Μ介電質如氧化給,氧化鑭,酸鋼,五氧化麵,石夕化鉛, 矽化鑭,氧化鋁,負仆杜 备 、Ά产 乳化錯,氧化组,及一般無法滲透以通 過一氣化劑之材料。該材料之範例包括錯,石夕化僞,石夕化 鉬’鎳’矽化鎳,鈷’矽化鈷’銥,氧化銥,釕,氧化釕, 及鈦。 在一實施例中,障壁層311為9奈米厚。在其他實施例中, 層3U可為其他厚度。在—些實施例中,層3U可具有大於2 奈米之厚度。在一實施例中,障壁層311足夠地厚以持續不 具有使氧氣穿過較低障壁層311之「針孔」缺陷。在其他實 把例中,障壁層311之材料能夠阻擋一熔爐氧化處理的溫度 (如至少600°C )。 94941.doc 1286802 參考圖4,定圖案層311,控制介電質2〇9,奈米簇1〇7, 及底電介質105以脫離晶片1〇1之記憶體陣列區(如4〇3)中的 那些結構’及以自晶片101之其他區域(如高電壓區4〇5)移除 那些結構。在-實施例中,藉由乾蝕刻而移除層扣,及藉 由濕蝕刻而移除控制介電質2〇9,奈米簇1〇7,及底電介質 105。在另-實施例中,可使用—濕及乾钮刻之組合。在稱 後處理期間可形成多重電晶體於記憶體區4〇3中。 參考圖5 ’生成-高電壓介電f 515於高電壓區術及4〇5 中之基板103上。將利用介電質川作為—用於高電壓電晶 體之閘極介電質(未示),在__些實施例中,利用該閘極介電 質以實作程式化及抹去電路系統,其心充電及放電必須 形成於記憶體區403中之電荷儲存電晶體。在—實施例中, 藉由曝露晶片101於高溫蒸汽及氧或氧化氮,以氧化區術 及405中基板103所曝露之半導體材料,而生成介電質515。 在-實施例中,介電質川具有Μ間奈米之厚度,作在立 他實施例中可具有其他厚度。在其他實施例中,可藉由在 晶片101上之覆蓋層沈積,再接著移除該區域4〇3上之介電 質,而形成介電質515。 在介電質515之形成期間,障壁層311會抑制氧化劑渗透 至控制介電質,奈米簇107,及底電介質阳中。提供包 括-位於奈米簇上之障壁層以抑制氧化劑渗透至奈米藤, 控制介電質,及底介電質的古、土 . ^ ^ 电貝的方法,其可供在氧化形成期間 減少奈米簇之氧化及/或該底介電質增厚的方法。 參考圖6,在生成高電壓介電質515之後,會移除障壁層 94941.doc 1286802 3 1 1。在一貫施例中,藉由一選擇性濕I虫刻而移除障壁層 311。在其他實施例中,定圖案該晶片以曝露障壁層311及 保濩介電質515。在藉由一濕或乾姓刻移除障壁層3 1丨之 後,會移除該定圖案材料。 在隨後處理中(未示),形成電荷儲存電晶體於區域4〇3中 及在區域405和407中形成高電壓電晶體。在其他實施例 中,可在405和407中形成其他類型電晶體,如用於電路邏 輯的電晶體及積體電路的輸入/輸出電路系統。部分奈米鎮 107可用以形成一記憶體電荷儲存電晶體之電荷儲存位 置。在一些實施例的續後處理中,在晶片1〇1上沈積一閘極 材料層。接著,於區域405中定圖案該閘極材料層,奈米簇 107,及控制電介質209以形成閘極,電荷儲存位置,及該 電荷儲存電晶體之控制電介質。 圖7-11疋根據本發明第二實施例在一製造包括奈米簇記 憶體之階段期間,顯示一半導體晶片之部分侧視圖。參考 圖7,在一晶片7〇1之基板703上形成一底電介質7〇5。接著 在晶片701上形成奈米簇707。 參考圖8’在奈米簇707上之晶片7〇1上沈積一氧化障壁層 809。該氧化障壁層809為不同於奈米簇7〇7之材料。在一實 施例中層809包括氮化矽,但在其他實施例中,層8〇9可包 括其他材料如以上所述有關層3 η之材料。 參考圖9,定圖案層809,奈米簇7〇7,及底電介質7〇5以 脫離記憶體陣列區(如903)中之那些結構,及以自其他區域 (如高電壓區905)移除那些結構。 94941.doc -12- !286802 參考圖10,藉由已曝露半導體基板7〇3之氧化而在區域 905和907中生成一電介質層1〇15。在半導體基板7〇3之氧化 /月間,障壁層809會抑制氧化劑滲透至奈米簇7〇7及底電介 貝705中。如稍後將描述,將利用電介質層1015以形成部分 之°亥閘極電介質’其用於形成在區域905和907中之電晶體。 參考圖11,生成層1〇15之後,會移除障壁層8〇9及在晶片 7〇1上沈積電介質層1117,其包括覆蓋層1〇15及奈米簇 7〇7。在一實施例中,藉由一濕氮化條而移除層8〇9,但其 在其他實施例中可藉由其他技術移除。在一實施例中,由 藉由化學蒸汽沈積而沈積之二氧化矽製造電介質層丨丨丨7。 利用電介質層1117作為用於形成在記憶體陣列區9〇3中之 電晶體的控制電介質。電介質層1117亦可作為一該閘極電 介質之部分(連同電介質層1015),其用於形成在區域9〇5和 907中之電晶體。 在隨後處理中(未示),形成電荷儲存電晶體於區域9〇3 中’及形成高電壓電晶體(及/或其他類型電晶體)於區域9〇5 和905中。利用奈米簇707之部分以形成一記憶體電荷儲存 電晶體之電荷儲存位置。在一些實施例之後續程序中,會 在晶片101上沈積一閘極材料層。接著在區域9〇3中定圖案 該閘極材料層,奈米鎮107,及控制介電質209以形成閘極 及於該區域中形成電荷儲存電晶體之電荷儲存位置。可定 圖案該閘極材料層以形在區域905和907中所形成電晶體之 閘極。 圖12-18是根據本發明第三實施例在一製造包括奈米簇 94941.doc -13- 1286802 記憶體之階段期間,而顯示一半導體晶片之部分側視圖。 多W 在晶片1201之基板12〇3上形成一底電介質 1205。接著在晶片101上形成奈米簇1207。 >考圖13,藉由如化學蒸汽沈積而在晶片1別1上形成電 ^丨貝材料層(如二氧化矽)以形成控制電介質丨3〇9。在一實施 例中,控制電介質1309具有5_10奈米之厚度,但在其他實 施例中^具有其他厚度。接著在電介質1309上之晶片1201 上積一氧化障壁層1311。在一實施例中,層⑶以括氮化 石夕’但在其他實施例中,層1311可包括其他材料,如上述 有關層13 11的材料。 參考圖14,氧化該障壁層1311之頂端部分形成脫離層 剩餘部分1413的氧化部分1415。在—實施例中,使用 一蒸汽氧化處理而氧化層1311。在一實施例中,其中層Η u 為8.5奈米厚且由氮切所製造,該蒸汽氧化處理會;致部 分1415近乎3_5奈米厚且—般由二氧切所製造1部分 1413之頂端部分包括-氧氮化物。部分1413之底部分幾: 為氣化秒。 該蒸汽氧化處理會縮小障壁層之厚度(如 • 〇不米至小 於4奈米),而且減少部分1413之電荷儲存容量。因此 於形成在晶片1201上之電荷儲存電晶體,該主 結構將為奈求鎮1207,且不是部分1413之氮化矽(或其他材 料)。當部分1413靠近於電晶體之閘極,任、 1彳7儲存於部分 壓 1413中之電荷將僅具有一微小影響於—電晶體之門檻值電 94941.doc -14- 1286802 圖15顯示必須移除部分1415後之晶片12〇1。在一實施例 中,藉由一濕蝕刻(如一部分氟化氫至5〇部分水)或一乾蝕刻 而移除部分1415。 參考圖16,定圖案部分1413,控制電介質13 09,奈米簇 1207,及底電介質1205以脫離記憶體陣列區(如16〇3)中之那 些結構,及以自其他區域(如高電壓區16〇5)移除那些結構。 在一實施例中’藉由一乾蝕刻而移除部分1413,且藉由一 濕蝕刻而移除控制電介質13〇9,奈米簇12〇7,及底電介質 1205。在稍後處理期間會於記憶體區16〇3中形成多重電晶 體。 參考圖17,生成一高電壓電介質1715於高電壓區16〇7和 1605中。電介質1715作為用於高電壓電晶體(未示)之閘極電 介質,利用其在一些實施例中以實作程式化及抹去電路系 統,其用以程式化及抹去欲形成於記憶體區丨6〇3中之電荷 儲存電晶體。在一實施例中,電介質1715為1〇奈米厚。 在電介質1715形成期間,障壁部分1413會抑制氧化劑滲 透至控制電介質1309,奈米簇丨2〇7,及底電介質1205中。 參考圖18,在晶片1201上(包括記憶體陣列區16〇3中之覆 蓋部分1413)沈積一閘極材料層丨8〇2。在後續製程中,定圖 案層1802,部分1413,控制電介質1309,奈米簇1207,及 底電介質1205以形成區域1603中電荷儲存電晶體之閘極, 控制電介質,電荷儲存位置,及底電介質。並且,定圖案 層1802及電介質1715以形成區域1605和1607中電晶體(如 南電壓電晶體)之閘極及閘極電介質。 94941.doc -15- 1286802 、只W例中,底電介質丨205為5奈米厚,控制電介質 1309為5奈米厚’及部分1413為4奈米厚。然而,在其他實 施例中這些結構可為其他厚度。 在些實施例中,因一電荷儲存電晶體之部分1413中之 電荷胖T藉由部分1413之部分氧化,部分1413之厚度減 少而限制該Η檻值電㈣移,且部分1413最#近閘極電極 (使用層1802之部分以形成一電荷儲存電晶體之閘極)。 、利用上述圖12_18中方法的些許實施例會產生的優點 為,氮化條不為移除障壁層部分1413(其中層1311由氮化矽 ^製成)所需。這可提供控制電介質(13〇9)厚度與閘極電介 貝(1715)厚度兩者較佳之處理控制。 圖19為包括一高電壓電晶體及一電荷儲存電晶體(其由 相似於上述圖12-18中之方法所製造)兩者之晶片側視圖。形 成電荷儲存電晶體1909於晶片1901之一記憶體陣列區1951 中。電晶體1909包括一閘極1911,部分擴散障壁部分1923, 控制電介質1921 ,奈米簇1919,底電介質1917,及間隔 1925。藉由如離子植入而形成源極/汲極區1915及1913於基 板1903中。由擴散障壁層部分(如1413)而形成部分1923。在 貫施例中,在一非揮發性,電可抹去唯讀記憶體(EEpR〇M) 中利用電晶體1909。 電晶體1907為一形成於區域1952中之高電壓電晶體。電 晶體1907包括閘極1933,閘極電介質1931,間隔1935及源 極和汲極區1937和1939。在由形成部分1923之部分的形成 後,由生成於已曝露基板部分上之閘極電介質層(如16〇2) 94941.doc -16- 1286802 而形成閘極電介質1931。設置一絕緣區19〇5於基板刪中 用以隔離電晶體1907和1909。 在-實施射,電晶體撕為—程式中之電晶體,或用 以程式化及/或抹去儲存於奈米鎮1919中之電荷的抹去電 路。電晶體1907具有作有一高電壓電晶體之特徵,直中該 電晶體簡操作於一高於輸入輸出裝置之電晶體及積體電 路之邏輯電路的電壓。在-實施例中,電晶體⑽於6伏特 操作用以提供程式化及抹去電堡,以儲存電荷儲存電晶體 19〇9(其中該輸入/輸出裝置之電晶體及其他邏輯(未示)於 1.2伏特操作)中之電何。電晶體19〇7亦可為一於Μ v或夂3 V操作之輸入/輸出電晶體。 雖然在製造一記憶體中顯示用以抑制氧化劑氧化奈米簇 之氧擴散障壁的利用,但如上述可在其他利用奈米藏裝置 (如光電子裝置)之製造中利用相同或相似處理。 當已顯示及描述本發明之料實施例’將識別於該熟習 本技術者,及依其中之姑# 技術,不須由本發明及其較廣觀點 分離而可形成更多改轡另攸 W文吏及修改,且因此,伴隨之申請案為 欲包含其觀點,其中所古# A Μ 、甲所有该改變及修改均在本發明之真理 及觀點中。 ’ 【圖式簡單說明】 可較佳地瞭解本發明,及藉由參考伴隨附圖而明顯於熟 習此技術者之許多目的,特徵。 圖1是根據本發明第-實施例在-製造-積體電路之階 段期間’而顯半導體晶片之部分側視圖。 94941.doc -17- 1286802 /2是根據本發明第—實施例在—製造—積體電路之階 段期間’而顯示-半導體晶片之部分側視圖。 /3是根據本發明第一實施例在-製造-積體電路之階 長期間,而顯半導體晶片之部分側視圖。 圖4是根據本發明第—實施例在—製造—積體電路之階 &期間半導體晶片之部分側視圖。 段:門疋ΤΙ本發明弟一實施例在—製造-積體電路之階 ‘,,'貝不-半導體晶片之部分侧視圖。 % 圖6是根據本發明[實施例在—製造—龍電路 ^間’而顯示—半導體晶片之部分側視圖。 " :是根據本發明第二實施例在一製造一積體 』間,而顯半導體晶片之部分側_。 ^ 一=據本發明第二實施例在-製造-積體〜另 “又期間,而顯示-半導體晶片之部分側視圖。另 圖9是根據本發”二實施例在 -階段而顯示—半導體晶片之部分側=〜 一二〇=據本發明第二實施例在_製造-積體〜另 』間’而顯示-半導體晶片之部分側視圖。另 圖二是根據本發明第二實施例在—製造 -=期間’而顯示一半導體晶片之部分側視圖严另 圖X根據本發明第三實施例在—製造一 又期間’而顯示—半導體晶片之部分側視圖。 之階 二ΠΓ明第三實施例在—製造-積體〜另 間,而顯示-半導體晶片之部分側視圖。 94941.doc -18- 1286802 圖14是根據本發明第三實施例在—製造一積體電路 -P皆段期間’而顯示一半導體晶片之部分側視圖。另 圖15是根據本發明第三實施例在一製造一積體電路 -階段期間,而顯示一半導體晶片之部分側視圖。之另 圖16是根據本發明第三實施例在—製造一積體電 -階段期間,而顯示—半導體晶片之部分側視圖。之另 圖Π是根據本發明第三實施例在—製造一積體電路 -階段期間,而顯示一半導體晶片之部分側視圖。之另 圖18是根據本發明第三實施例在_製造一積體電路之 -階段期間,而顯示一半導體晶片之部分側視圖。之另 圖19是根據本發明一半導體晶片之部分側視圖。 在不同附圖中所用的相同參考符號险k 一 風除非其他特別的標 示’不然全代表相同一者。圖式中所示去 ▲丄、 丨丁言不全然按照比例 繪成。 【主要元件符號說明】 101 , 7(H , 1201 , 1901 晶片 103 , 703 , 1203 , 1903 基板 105 , 705 , 1205 , 1917 底電介質 209 , 1921 , 1309 控制電介質 3U,809,1311 氧化障壁層 403 , 1603 記憶體區 405 , 407 , 905 , 907 , 高電壓區 1605 , 1607 515 高電壓介電質 94941.doc •19- 1286802 903 記憶體陣列區 1015 , 1117 電介質層 1413 剩餘部分 1415 氧化部分 1715 電介質 1802 閘極材料層 1905 絕緣區 1907 、 1909 電晶體 1911 閘極 1913 , 1915 , 1937 , 1939 >及極區 1923 障壁部分 1925 間隔 1931 閘極電介質 1933 、 1935 閘極 1951 記憶體陣列區 1952 區域 94941.doc 20-
Claims (1)
1286802 第093123830號專利中請案 中文申請專利範圍替換本(94年5月) ’ 十、申請專利範園: 」 一種製造一裝置之方法,包括·· 提供一基板; 在該基板上形成奈米簇; 在該荨奈米蕉上沈積一氧化障壁層; 定圖案以形成一第一區及一第二區,該第一區包括該 基板上之該氧化障壁層及該等奈米簇,及該第二區已將 有該氧化障壁層及該等奈米簇移除; 在該定圖案後,在該第二區上形成一第二電介質,·及 將該氧化障壁層之至少一部分從該第一區中移除,其 中該移除至少-部分之動作至少會減少該氧化障壁層之 厚度。 2如Γ求項1之方法,其中該奈米簇包括由石夕奈米簇,鍺奈 未族’矽及鍺合金奈米簇,及金屬奈米簇構成之群詛中 選取之至少一者。 3.之至方法,其中該第二電介質之形成包括該氧化 丨羊土層置於至少60(rc之溫度。 4 項1之方法,其中該氧化障壁層包括由氮化石夕,氮 構成之錯合金’ — Μ電介f材料,及一金屬 構成之群組中選取之至少一者。 5. 求項1之方法,其中該氧化障壁層具有至少2奈米之 6. ^月未項!之方法,尚包括:在該第_及該第二 電明體’其中該第-區中之電曰體勺杯φ 成 之電明體包括電荷儲存電晶 1286802 7· 8· 9· 10. 11. 12. 體,其中該奈 電荷儲存位置 米簇之部分被用作為該 電荷儲存電 晶體之 如請求項1之古 今 / ,其中將5亥氧化障壁層之至少一部分由 Μ乐一區移除, 由哕第r L括將至乂實質上所有之該氧化障壁層 田”亥第一區移除。 士口 $奢求jt員Ί夕·上 <、方法,其中該氧化障壁層包括一第一層部分 化二二於該第一層部分上之第二層部分,其中將該氧 -思a曰之至部分由該第一區移除,包括移除該第 一曰W分而留下該第一層部分。 如請求項8之方法尚包括: 在移除該第二層部分之後,在該第一層部分上形成一 閘極材料層。 月求員1之方法,其中將該氧化障壁層之至少一部分從 該第一區中移除之步驟進一步包括在形成該第二介電質 之後將該氧化障壁層之至少一部分從該第一區中移除。 如請求項1之方法,其中定圖案之後在該第二區上形成該 第二電介質之步驟包括定圖案之後在該第一區上形成該 第二電介質之步驟。 一種製造一裝置之方法,包括: 提供一基板,在該基板上具有奈米簇及電介質之一結 構, 。 在該結構上沈積一氧化障壁層; 定圖案以形成一第一區及一第二區,該第一區包括該 基板上之該氧化障壁層及該結構,及該第二區具有該氧 94941-940510.doc 1286802 化障壁層及至少該結構之奈米簇被移除; 定圖案後,在該第二區上形成一第二電介質;及 將該氧化障壁層之至少一部分由第一區移除,其中該 至少一部分之移除至少會減少該氧化障壁層之厚度。 1 3· —種製造半導體裝置之方法,包括: 提供一基板,在該基板上具有奈米簇及電介質之一結 構, 在該結構上沈積一氧化障壁層,其中該氧化障壁層包 括由氮化矽,氮氧化矽,矽,一矽鍺合金,一高κ電介質 材料,及一金屬構成之群組中選取之至少一者; 定圖案以形成一第一區及一第二區,該第一區包括該 氧化障壁層及該結構之部分,及該第二區具有該氧化障 壁層及至少該結構之奈米簇被移除; 定圖案後,在該第二區上形成一第二電介質;及 形成該第二電介質之後,將該氧化障壁層之至少一部 分由該第一區移除,其中該至少一部分之移除至少會減 少該氧化障壁層之厚度。 14· 一種製造半導體記憶體之方法,包括·· 提供一基板,其具有該基板上之奈米簇及電介質之結 構; 在该結構上沈積一氧化障壁層; 定圖案以形成一第一區及一第二區,該第一區包括該 氧化障壁層及該結構之部分,及該第二區具有該氧化障 土層之邵分及至少該結構之奈米簇被移除; 94941-940510.doc 1286802 定圖案之後,在該第一區之外形成一第二電介質; 形成該第二電介質之後,將該氧化障壁層之至少一部 分由該第一區移除,其中該至少一部分之移除至少減少 該氧化障壁層之厚度; 於該第一區中形成一電荷儲存電晶體;其中該奈米簇 之至少一部分用作為一用於該電荷儲存電晶體之電荷儲 存位置; 形成一第二電晶體於第二區中,其中該第二電介質之 一部分作為該第二電晶體之一閘極電介質之一部分。 94941-940510.doc 4-
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
US10/663,621 US6958265B2 (en) | 2003-09-16 | 2003-09-16 | Semiconductor device with nanoclusters |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200520104A TW200520104A (en) | 2005-06-16 |
TWI286802B true TWI286802B (en) | 2007-09-11 |
Family
ID=34274432
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW093123830A TWI286802B (en) | 2003-09-16 | 2004-08-09 | Semiconductor device with nanoclusters |
Country Status (6)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US6958265B2 (zh) |
JP (1) | JP4902353B2 (zh) |
KR (1) | KR101095292B1 (zh) |
CN (1) | CN1842909B (zh) |
TW (1) | TWI286802B (zh) |
WO (1) | WO2005036640A1 (zh) |
Families Citing this family (39)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US6927454B2 (en) * | 2003-10-07 | 2005-08-09 | International Business Machines Corporation | Split poly-SiGe/poly-Si alloy gate stack |
US6964902B2 (en) * | 2004-02-26 | 2005-11-15 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method for removing nanoclusters from selected regions |
US7091089B2 (en) * | 2004-06-25 | 2006-08-15 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method of forming a nanocluster charge storage device |
US7091130B1 (en) * | 2004-06-25 | 2006-08-15 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method of forming a nanocluster charge storage device |
US7588988B2 (en) | 2004-08-31 | 2009-09-15 | Micron Technology, Inc. | Method of forming apparatus having oxide films formed using atomic layer deposition |
US20060054963A1 (en) * | 2004-09-10 | 2006-03-16 | Qian Rong A | Non-volatile and non-uniform trapped-charge memory cell structure and method of fabrication |
US7361543B2 (en) * | 2004-11-12 | 2008-04-22 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method of forming a nanocluster charge storage device |
US7186616B2 (en) * | 2005-03-16 | 2007-03-06 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method of removing nanoclusters in a semiconductor device |
US7927948B2 (en) | 2005-07-20 | 2011-04-19 | Micron Technology, Inc. | Devices with nanocrystals and methods of formation |
US7575978B2 (en) | 2005-08-04 | 2009-08-18 | Micron Technology, Inc. | Method for making conductive nanoparticle charge storage element |
US7241695B2 (en) * | 2005-10-06 | 2007-07-10 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor device having nano-pillars and method therefor |
TWI270168B (en) * | 2005-12-05 | 2007-01-01 | Promos Technologies Inc | Method for manufacturing non-volatile memory |
TW200737486A (en) * | 2006-03-24 | 2007-10-01 | Lightuning Tech Inc | Semiconductor integrated circuit chip with nano-structure-surface resin passivation and method of fabricating the same |
US7583542B2 (en) * | 2006-03-28 | 2009-09-01 | Freescale Semiconductor Inc. | Memory with charge storage locations |
US7445984B2 (en) * | 2006-07-25 | 2008-11-04 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method for removing nanoclusters from selected regions |
US7432158B1 (en) | 2006-07-25 | 2008-10-07 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method for retaining nanocluster size and electrical characteristics during processing |
US7687349B2 (en) * | 2006-10-30 | 2010-03-30 | Atmel Corporation | Growth of silicon nanodots having a metallic coating using gaseous precursors |
KR100791007B1 (ko) * | 2006-12-07 | 2008-01-04 | 삼성전자주식회사 | 금속 실리사이드 나노 결정을 구비하는 비휘발성 메모리소자, 상기 금속 실리사이드 나노 결정 형성 방법 및 상기비휘발성 메모리 소자의 제조방법 |
US7816211B2 (en) * | 2007-01-26 | 2010-10-19 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method of making a semiconductor device having high voltage transistors, non-volatile memory transistors, and logic transistors |
US7579238B2 (en) * | 2007-01-29 | 2009-08-25 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method of forming a multi-bit nonvolatile memory device |
KR100874944B1 (ko) * | 2007-02-02 | 2008-12-19 | 삼성전자주식회사 | 반도체 메모리 소자 제조 방법 및 이에 따른 반도체 메모리소자 |
ITMI20071140A1 (it) * | 2007-06-04 | 2008-12-05 | St Microelectronics Srl | Processo per la realizzazione di un dispositivo di memoria integrato su un substrato semiconduttore e comprendente celle di memoria a nanocristalli e transistori cmos. |
FR2919427B1 (fr) * | 2007-07-26 | 2010-12-03 | Soitec Silicon On Insulator | Structure a reservoir de charges. |
JP5044443B2 (ja) * | 2008-02-21 | 2012-10-10 | 株式会社東芝 | 半導体装置およびその製造方法 |
US9008467B2 (en) * | 2008-03-20 | 2015-04-14 | Hewlett-Packard Development Company, L.P. | Nanoparticle-based quantum confined stark effect modulator |
US7799634B2 (en) * | 2008-12-19 | 2010-09-21 | Freescale Semiconductor, Inc. | Method of forming nanocrystals |
US7871886B2 (en) * | 2008-12-19 | 2011-01-18 | Freescale Semiconductor, Inc. | Nanocrystal memory with differential energy bands and method of formation |
KR101140581B1 (ko) * | 2009-12-16 | 2012-05-02 | 순천대학교 산학협력단 | 실리콘 나노점 클러스터 및 그 제조방법 |
US8173507B2 (en) * | 2010-06-22 | 2012-05-08 | Micron Technology, Inc. | Methods of forming integrated circuitry comprising charge storage transistors |
US8679912B2 (en) * | 2012-01-31 | 2014-03-25 | Freescale Semiconductor, Inc. | Semiconductor device having different non-volatile memories having nanocrystals of differing densities and method therefor |
CN103413788B (zh) * | 2013-08-29 | 2016-03-09 | 厦门大学 | 非平面金属纳米晶多位存储器件的制备方法 |
US9218978B1 (en) * | 2015-03-09 | 2015-12-22 | Cypress Semiconductor Corporation | Method of ONO stack formation |
FR3046155B1 (fr) * | 2015-12-28 | 2020-01-10 | Commissariat A L'energie Atomique Et Aux Energies Alternatives | Procede de realisation de nanocristaux a dimensions et densite controlees |
US10361213B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-07-23 | Sandisk Technologies Llc | Three dimensional memory device containing multilayer wordline barrier films and method of making thereof |
US10355139B2 (en) | 2016-06-28 | 2019-07-16 | Sandisk Technologies Llc | Three-dimensional memory device with amorphous barrier layer and method of making thereof |
US10115735B2 (en) | 2017-02-24 | 2018-10-30 | Sandisk Technologies Llc | Semiconductor device containing multilayer titanium nitride diffusion barrier and method of making thereof |
US10229931B1 (en) | 2017-12-05 | 2019-03-12 | Sandisk Technologies Llc | Three-dimensional memory device containing fluorine-free tungsten—word lines and methods of manufacturing the same |
US10615123B2 (en) | 2018-03-14 | 2020-04-07 | Sandisk Technologies Llc | Three-dimensional memory device containing compositionally graded word line diffusion barrier layer for and methods of forming the same |
CN113130742A (zh) * | 2021-03-19 | 2021-07-16 | 厦门半导体工业技术研发有限公司 | 一种半导体集成电路器件及其制造方法 |
Family Cites Families (6)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPH11186421A (ja) * | 1997-12-25 | 1999-07-09 | Sony Corp | 不揮発性半導体記憶装置及びその書き込み消去方法 |
US6320784B1 (en) * | 2000-03-14 | 2001-11-20 | Motorola, Inc. | Memory cell and method for programming thereof |
JP2001308198A (ja) * | 2000-04-27 | 2001-11-02 | Ricoh Co Ltd | 半導体装置及びその製造方法 |
US6297095B1 (en) * | 2000-06-16 | 2001-10-02 | Motorola, Inc. | Memory device that includes passivated nanoclusters and method for manufacture |
US6444545B1 (en) * | 2000-12-19 | 2002-09-03 | Motorola, Inc. | Device structure for storing charge and method therefore |
JP3983105B2 (ja) * | 2002-05-29 | 2007-09-26 | Necエレクトロニクス株式会社 | 不揮発性半導体記憶装置の製造方法 |
-
2003
- 2003-09-16 US US10/663,621 patent/US6958265B2/en not_active Expired - Lifetime
-
2004
- 2004-07-15 CN CN2004800247795A patent/CN1842909B/zh not_active Expired - Fee Related
- 2004-07-15 JP JP2006526067A patent/JP4902353B2/ja not_active Expired - Fee Related
- 2004-07-15 WO PCT/US2004/022508 patent/WO2005036640A1/en active Application Filing
- 2004-07-15 KR KR1020067005285A patent/KR101095292B1/ko not_active IP Right Cessation
- 2004-08-09 TW TW093123830A patent/TWI286802B/zh not_active IP Right Cessation
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
WO2005036640A1 (en) | 2005-04-21 |
CN1842909A (zh) | 2006-10-04 |
US20050059213A1 (en) | 2005-03-17 |
JP2007506265A (ja) | 2007-03-15 |
US6958265B2 (en) | 2005-10-25 |
TW200520104A (en) | 2005-06-16 |
KR101095292B1 (ko) | 2011-12-16 |
CN1842909B (zh) | 2010-10-27 |
JP4902353B2 (ja) | 2012-03-21 |
KR20060080203A (ko) | 2006-07-07 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI286802B (en) | Semiconductor device with nanoclusters | |
TW587331B (en) | Double densed core gates in SONOS flash memory | |
TWI396238B (zh) | 形成奈米叢集電荷儲存裝置之方法 | |
US7361543B2 (en) | Method of forming a nanocluster charge storage device | |
TWI378530B (en) | Semiconductor devices including high-k dielectric materials and methods of forming the same | |
TWI375318B (en) | Method of forming a nanocluster charge storage device | |
TW561513B (en) | Semiconductor device and method of manufacturing the same | |
TWI328881B (zh) | ||
TWI609480B (zh) | Non-volatile semiconductor memory and non-volatile semiconductor memory manufacturing method | |
TWI289930B (en) | Method for fabricating semiconductor devices | |
TW200910532A (en) | Non-volatile memory device and method for manufacturing the same | |
TWI289913B (en) | Non-volatile semiconductor memory device and its manufacturing | |
US20040108540A1 (en) | Nonvolatile semiconductor memory device and method for manufacturing same | |
JP2006005006A (ja) | 不揮発性半導体メモリ装置 | |
JPH10163348A (ja) | 不揮発性半導体記憶装置の製造方法 | |
TW201013847A (en) | Method of manufacturing semiconductor device and semiconductor device | |
TW200901483A (en) | Electronic device including channel regions lying at different elevations and processes of forming the same | |
JP4617574B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置およびその製造方法 | |
CN103180952B (zh) | 存储器电荷存储结构中的吸气剂 | |
TW200400600A (en) | Semiconductor memory device and its manufacturing method | |
KR101139556B1 (ko) | 반도체 장치 및 그 제조 방법 | |
KR20090100291A (ko) | 불휘발성 반도체 기억 장치 | |
JP5361294B2 (ja) | 不揮発性半導体記憶装置 | |
JP2001332547A (ja) | 半導体装置及び半導体装置の製造方法 | |
CN101383379A (zh) | 多介质复合隧穿层的纳米晶浮栅存储器及其制作方法 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |