JP5044443B2 - 半導体装置およびその製造方法 - Google Patents
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Description
Vfg=C1/(C1+C2)×Vcg
で表される。上記のC1/(C1+C2)は、カップリング比と呼ばれている。
Vfg=C1/(C1+C2+α)×Vcg
で表されるように、カップリング比は小さくなる。
図1は、第1の実施形態に係る半導体装置を示す平面図であり、具体的には、半導体装置内のメモリセルアレイを構成している複数の不揮発性メモリセル(以下、単にメモリセルという。)を示す平面図である。
トンネル絶縁膜2上には、浮遊ゲート電極3が設けられている。浮遊ゲート電極3の上方には、制御ゲート電極5が設けられている。浮遊ゲート電極3と制御ゲート電極5との間には電極間絶縁膜4が設けられている。制御ゲート電極5上には、加工マスクとして使用されたシリコン窒化膜8が設けられている。シリコン窒化膜8以外の絶縁膜も加工マスクとして使用できる。
シリコン基板1の表面に、トンネル絶縁膜2として、複数のシリコン粒を含むシリコン酸化膜を形成する。この段階では、チャネル長方向およびチャネル幅方向のいずれにおいても、シリコン粒の粒径の大きさは一様である。このようなシリコン粒の一例としては、Siドットで構成された量子ドットがあげられる(特許文献1)。シリコン粒の他の例としては、Siクラスタがあげられる。複数のSiクラスタを含むシリコン酸化膜の形成方法としては、例えば、非化学量子論組成を有するSiOx に対して、窒素雰囲気中での300〜1100℃、1時間程度の熱処理を施す方法がある。
全面に素子分離絶縁膜(例えば、シリコン酸化膜)6を堆積して、素子分離溝31を埋め込み、その後、表面部分の素子分離絶縁膜6をCMP(Chemical Mechanical Polish)プロセスにより除去して、表面を平坦化する。このとき、マスク材30は露出させる。
マスク材30を選択的にエッチング除去し、さらに、素子分離絶縁膜6の露出表面をエッチング除去することにより、多結晶シリコン膜3の上部側面を露出させる。これらのエッチング除去は例えば薬液を用いて行う。
全面に電極間絶縁膜4をCVDプロセスにより形成する。電極間絶縁膜4上に、制御ゲート電極(ワード線)となる、多結晶シリコン膜5をCVDプロセスにより形成する。浮遊ゲート電極よび制御ゲート電極が多結晶シリコン膜で構成されている場合、電極間絶縁膜4はインターポリ絶縁膜と呼ばれる。
酸素ラジカル41を用いた酸化処理により、チャネル長方向におけるトンネル絶縁膜2の両端部のシリコン粒を酸化して粒径を選択的に小さくする。酸素ラジカル41以外の酸化種も使用可能であるが、酸素ラジカル41には以下の利点がある。
イオン注入と熱アニールにより、ソース/ドレイン領域7を形成する。その後、層間絶縁膜の形成工程、配線層の形成工程等の周知の工程を経てNAND型フラッシュメモリが完成する。
図14は、第2の実施形態に係る半導体装置を示す断面図である。図14は図2に対応するチャネル長方向の断面図である。なお、図14において、既出の図と対応する部分には既出の図と同一符号を付してあり、詳細な説明は省略する。
また、第2の実施形態では、チャネル長方向における浮遊ゲート電極3の側面にシリコン窒化膜9を設けたが、逆に、チャネル幅方向における浮遊ゲート電極3の側面にシリコン窒化膜9を設けても構わない。このような構造は、例えば、図8の工程の後に、窒素ラジカルで、浮遊ゲート電極3の側面を窒化することで得られる。さらに、チャネル長方向およびチャネル幅方向の両方において、浮遊ゲート電極3の側面にシリコン窒化膜9を設けても構わない。
Claims (5)
- 半導体基板と、
前記半導体基板上に設けられた不揮発性メモリセルであって、前記半導体基板の表面上に設けられ、両端部に含まれる半導体粒が他の部分に含まれる半導体粒よりも粒径が小さいトンネル絶縁膜と、前記トンネル絶縁膜上に設けられた電荷蓄積層と、前記電荷蓄積層上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられた制御ゲート電極とを含む前記不揮発性メモリセルと
を具備してなることを特徴とする半導体装置。 - 前記トンネル絶縁膜は、前記半導体粒がシリコン粒であるシリコン酸化膜であることを特徴とする請求項1に記載の半導体装置。
- 前記トンネル絶縁膜の前記両端部上の前記電荷蓄積層の側面に設けられた酸化防止膜をさらに備えていることを特徴とする請求項1または2に記載の半導体装置。
- 半導体基板と、前記半導体基板上に設けられた不揮発性メモリセルであって、前記半導体基板の表面上に設けられ、両端部に含まれる半導体粒が他の部分に含まれる半導体粒よりも粒径が小さいトンネル絶縁膜と、前記トンネル絶縁膜上に設けられた電荷蓄積層と、前記電荷蓄積層上に設けられた絶縁膜と、前記絶縁膜上に設けられた制御ゲート電極とを含む前記不揮発性メモリセルとを具備してなる半導体装置の製造法であって、
前記半導体基板上に、内部に含まれる半導体粒の粒径が一様であるトンネル絶縁膜を形成する工程と、
前記トンネル絶縁膜の両端部に含まれる前記半導体粒の粒径を選択的に小さくする工程とを含むことを特徴とする半導体装置の製造方法。 - 前記内部に含まれる前記半導体粒の粒径が一様である前記トンネル絶縁膜は、前記半導体粒がシリコン粒であるシリコン酸化膜であり、
酸化処理により、前記トンネル絶縁膜の両端部に含まれる前記半導体粒の粒径を選択的に小さくすることを特徴する請求項4に記載の半導体装置の製造方法。
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