TWI280041B - Read-out circuit of image sensor - Google Patents
Read-out circuit of image sensor Download PDFInfo
- Publication number
- TWI280041B TWI280041B TW094130899A TW94130899A TWI280041B TW I280041 B TWI280041 B TW I280041B TW 094130899 A TW094130899 A TW 094130899A TW 94130899 A TW94130899 A TW 94130899A TW I280041 B TWI280041 B TW I280041B
- Authority
- TW
- Taiwan
- Prior art keywords
- signal
- reset
- line
- capacitors
- output
- Prior art date
Links
- 239000003990 capacitor Substances 0.000 claims abstract description 103
- 238000003199 nucleic acid amplification method Methods 0.000 claims abstract description 13
- 230000003321 amplification Effects 0.000 claims abstract description 12
- 230000000875 corresponding effect Effects 0.000 claims description 15
- 230000002596 correlated effect Effects 0.000 claims description 6
- 238000005070 sampling Methods 0.000 claims description 6
- 229910044991 metal oxide Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 150000004706 metal oxides Chemical class 0.000 claims description 4
- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 claims description 4
- 238000000034 method Methods 0.000 claims description 3
- 239000013078 crystal Substances 0.000 claims description 2
- 150000003839 salts Chemical class 0.000 claims 1
- 239000000872 buffer Substances 0.000 description 26
- 238000010586 diagram Methods 0.000 description 15
- 230000004044 response Effects 0.000 description 14
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 5
- YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N Fluorine atom Chemical compound [F] YCKRFDGAMUMZLT-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- HISOCSRUFLPKDE-KLXQUTNESA-N cmt-2 Chemical compound C1=CC=C2[C@](O)(C)C3CC4C(N(C)C)C(O)=C(C#N)C(=O)[C@@]4(O)C(O)=C3C(=O)C2=C1O HISOCSRUFLPKDE-KLXQUTNESA-N 0.000 description 1
- 230000000295 complement effect Effects 0.000 description 1
- 230000003111 delayed effect Effects 0.000 description 1
- 238000001514 detection method Methods 0.000 description 1
- 230000023077 detection of light stimulus Effects 0.000 description 1
- 230000005611 electricity Effects 0.000 description 1
- 229910052731 fluorine Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011737 fluorine Substances 0.000 description 1
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 1
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 1
- 229910052760 oxygen Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000001301 oxygen Substances 0.000 description 1
- 230000003071 parasitic effect Effects 0.000 description 1
- 238000002360 preparation method Methods 0.000 description 1
- 230000001052 transient effect Effects 0.000 description 1
- 239000002699 waste material Substances 0.000 description 1
- 239000002023 wood Substances 0.000 description 1
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/65—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise applied to reset noise, e.g. KTC noise related to CMOS structures by techniques other than CDS
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/60—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise
- H04N25/616—Noise processing, e.g. detecting, correcting, reducing or removing noise involving a correlated sampling function, e.g. correlated double sampling [CDS] or triple sampling
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/71—Charge-coupled device [CCD] sensors; Charge-transfer registers specially adapted for CCD sensors
- H04N25/75—Circuitry for providing, modifying or processing image signals from the pixel array
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/77—Pixel circuitry, e.g. memories, A/D converters, pixel amplifiers, shared circuits or shared components
-
- H—ELECTRICITY
- H04—ELECTRIC COMMUNICATION TECHNIQUE
- H04N—PICTORIAL COMMUNICATION, e.g. TELEVISION
- H04N25/00—Circuitry of solid-state image sensors [SSIS]; Control thereof
- H04N25/70—SSIS architectures; Circuits associated therewith
- H04N25/76—Addressed sensors, e.g. MOS or CMOS sensors
- H04N25/78—Readout circuits for addressed sensors, e.g. output amplifiers or A/D converters
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Multimedia (AREA)
- Signal Processing (AREA)
- Transforming Light Signals Into Electric Signals (AREA)
- Facsimile Heads (AREA)
Description
1280041 九、發明說明: ~ 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於一種影像感測器;且更特定言之,本發明 係關於一種影像感測器之一讀出電路,其用於產生一與入 射至知描型影像感測器之光的光感測量成比例的電訊號。 【先前技術】 在典型全氧半等皇(CMOS)I像感測||中,一用發 讀出自排列於像素陣列之水平線中之像素所感測之若干資 | 訊塊的程序自最上線至最底線順序地進行,其中該水平線 通常稱為掃描線。此讀出程序稱為線掃描模式。 圖1展示一用於讀出感測資訊之習知CMOS影像感測器的 一部分。該CMOS影像感測器包括:一像素陣列丨〇〇,其將 關於光之資訊轉換成一類比電訊號;一相關雙取樣(CDS) 單元120 ’其自該像素陣列偵測一輸出訊號;一可程式化增 盈放大器(PGA)單元140,其經由一類比匯流排而與該CDS 連接,且將來自CDS單元120之偵測訊號放大成一所欲位 •準;及一類比數位轉換器(ADC)16(),其將一類比訊號轉換 成一數位訊號。 藉由參考圖2,將詳細地描述使用影像感測器之習知讀出 電路的常用線掃描模式。 在像素陣列100中,其中產生與偵測光量成比例之電荷的 像素PIXEL以陣列形式排列,包括於目標掃描線中之個別 像素PIXEL的輸出作為重設值及訊號值而轉移至cDS單元 120,其經由相應的行線而配置於像素陣列1〇〇的邊緣部分 104825.doc 1280041 周圍。該等重設值為在相應像素PIXEL被重設之後所獲得 的輸出值,且該等訊號值為該等像素PIXEL之與被曝光一 預定時間後之感光性光的量成比例之輸出值。CDS單元120 將此等兩重設與訊號值個別地儲存於單獨電容器中。由於 同時將收集重設值之Orst訊號與收集訊號值之(j)Sig訊號提 供至若干行,因而同時將關於像素PIXEl之來自所選掃描 線的右干負-说塊儲存於CD S單元—4
Ocol訊號,重設值及訊號值經由緩衝器BUF並接著經由重 設及訊號線而輸入至PGA單元140。PGA單元140產生各與 個別重設值與個別訊號值間之差異成比例的輸出。 然而,上述習知的讀出電路具有若干限制。 首先,若偏移電壓(其為甚至在不存在輸入時存在的電壓 差)存在於重设及訊號線上,則PG a單元可產生與偏移電壓 成比例之輸出值。其次,在重設線及訊號線中,存在與一 方向線中之陣列化像素數目一樣多的用於如〇1訊號之開 關。然而,該等開關對該重設線及該訊號線造成負擔,藉 此減慢了 Λ號回應速度。增加個別緩衝器之運作電容係一 種解決該等開關中上述限制之方法。然而,在此狀況下, 功率耗散可能增加,且輸出訊號之動態範圍可能減少。 【發明内容】 因此,本發明之一目的係提供一種影像感測器之一讀出 電路’其可防止—由包括重設線及訊號線之類比匯流排中 之偏移電壓所導致之誤差。 本务月之另目的係提供一種影像感測器之一讀出電 104825.doc 1280041 : 路’其可改良類比匯流排之回應速度且降低功率耗散。 根據本發明之一態樣,提供一種影像感測器之一讀出電 路,其包括:一相關雙取樣(CDS)區塊,其包括:複數個重 口又私谷裔,其儲存像素之輸入重設值;複數個訊號電容器, 其儲存該等像素之輸入訊號值;複數個重設驅動裝置,其 輸出儲存於該等重設電容器中之該等重設值;複數個訊號 驅動裝1—,—其善I儲存於該等訊號電_容_器中之號 值;及複數個電容器均衡裝置,其均衡該等重設電容器與 痃等訊唬電容器之電位位準;一重設線,其轉移該CDS區 塊之重设值輸出訊號;一訊號線,其轉移該(:£)§區塊之訊 旎值輸出訊號,一差分放大單元,其放大該個別重設值輸 出Λ旒與該個別訊號值輸出訊號之間的差異;及一線均衡 裝置,其均衡該重設線與該訊號線之電位位準。 根據本發明之另一態樣,提供一種影像感測器之一讀出 包路,其包括.一 CDS區塊,其包括:複數個重設電容器, • 其接收像素之重設值且儲存該等重設值;複數個訊號電容 器,其接收該等像素之訊號值;複數個重設驅動裝置,其 輸出儲存於該等重設電容器中之該等重設值;複數個訊號 驅動叙置,其輸出儲存於該等訊號電容器中之該等訊號 值;及複數個電容器均衡裝置,其均衡該等重設電容器與 該等訊號電容器之電位位準;一重設線,其轉移該cDS區 塊之重没值輸出訊號;一訊號線,其轉移該^^^區塊之訊 旒值輸出訊號;及一差分放大單元,其放大該個別重設值 輸出訊號與該個別訊號值輸出訊號之間的差異。 104825.doc 1280041 ^根據本發明之另一態樣,提供一種影像感測器之一讀出 電路,其包括:一CDS區塊,其儲存且輸出像素之重設值 與汛號值;一重設線,其轉移該CDS區塊之重設值輸出訊 號;一訊號線’其轉移該CDS區塊之訊號值輸出訊號;一 差分放大單元,其放大該個別重設值輸出訊號與該個別訊 號值輸出訊號之間的差異;及一線均衡裝置,其均衡該重 設線與該訊號|之電位& # q_________________________________________________________________ 【實施方式】
將藉由參考隨附圖式來詳細地描述根據本發明之特定實 施例之影像感測器的讀出電路。應注意,即使在不同圖式 中’相同的參考數字亦係用於相同的裝置元件。 圖3為展示根據本發明之第一實施例之影像感測器之讀 出電路的詳細方塊圖。 該影像感測器之讀出電路包括一相關雙取樣(CDS)區塊 20。CDS區塊20包括:複數個重設電容器21,其儲存像素 PIXEL之輸入重設值;複數個訊號電容器22,其儲存該等 像素PIXEL之輸入訊號值;複數個重設緩衝器25,其輸出 儲存於重設電容器21處之重設值;複數個訊號緩衝器26, 其輸出儲存於訊號電容器22處之訊號值;及複數個電容器 均衡開關29,其均衡重設電容器21與訊號電容器22之f位。 該影像感測器之讀出電路進一步包括:一重設線,其上 負載有CDS區塊20之重設值輸出訊號;一訊號線,其上負 載有CDS區塊20之訊號值輸出訊號;一差分放大單元4〇, 其放大個別重設值輸出訊號與個別訊號值輸出訊號之間白勺 104825.doc 1280041 :m-線均衡開關5G ’其均衡該重設線與該訊號線之 電位。 本發明之上述實施例T更有效地應用於一以像素陣列組 怨之影像感測器,其包括經由線掃描模式而產生影像資料 之互補金氧半導體(CMOS)影像感測器單元。然而,上述實 施例之區別性特徵依賴類比匯流排,且因此,上述實施例 可應用於其他諸如電荷耗合裝置似辦备昏 元,只要一經由需要快速回應速度之類比匯流排而輸出影 > 像資料的特定結構被實施即可。 較佳地,CDS區塊20可進一步包括:複數個重設輸入開 關23 ’其輸入重設值;複數個訊號輸入開關24,其輸入訊 號值;複數個重設輸出開關27,其輸出該等重設值;及複 數個訊號輸出開關28,其輸出該等訊號值。 在一用於相應掃描線之電擋閘被打開之前,CDS區塊20 接收重設值’該等重設值為在所選掃描線之像素 重設時所獲得的輸出值,且該CDS區塊將該等重設值儲存 | r 至相應的重設電容器21。然後,將用於所選掃描線之電擋 閘打開一預定時間,CDS區塊20接收訊號值,該等訊號值 為對應於入射至相應像素PIXEL之入射光之量的輸出值, 且該CDS區塊將該等訊號值儲存至相應的訊號電容器22。 每一重設緩衝器25放大儲存於個別重設電容器21中之訊號 的當前值,且較佳地使用一源極跟隨器電路,該電路包括 兩N通道金氧半導體(NMOS)電晶體或兩P通道金氧半導體 (PMOS)電晶體。每一訊號缓衝器26放大儲存於個別訊號電 104825.doc 1280041 谷器22中之訊號的當前值,且較佳地使用一源極跟隨器電 路,該電路包括兩NMOS電晶體或兩PMOS電晶體。 當以一或兩MOS電晶體來組態該等輸入及輸出開關23、 24、27及28時,可容易製造重設輸入開關23、訊號輸入開 關24、重設輸出開關27及訊號輸出開關28。 較佳以一或兩MOS電晶體來組態電容器均衡開關29。若 所選電容器与翁間關2 9被關閑丄一勝CD各鬼2 〇將具^—— 電位位準之訊號輸出至兩輸出線(意即,重設線與訊號線)。 P 每一電容器均衡開關29消除一存在於類比匯流排(意即,重 設線與訊號線)中之偏移電壓效應。 為了消除由電容器均衡開關29所導致之偏移電壓效應, 差分放大單元40未簡單地以一放大兩輸入值間之電壓差的 結構來組態,而較佳地以一放大一藉由以下方式而獲得之 值的結構來組態:自所選均衡開關29被關閉時之兩輸入值 之電壓差減去所選電容器均衡開關29被開啓時之兩輸入值 之電壓差。對於此組態,可以一類似於CDS區塊20之結構 的結構來組態差分放大單元40;意即,差分放大單元4〇為 一用於放大CDS模組及CDS輸出之典型差分放大器單元。差 分放大器40可以下列一結構來組態:當輸入值之電位改變 曰守’該結構允許將兩輸出值改變為與該等輸入值之電位值 成比例或反比之值。 圖4為展示一在根據本發明之第一實施例之影像感測器 之讀出電路中具有差分放大單元之實施例的圖。差分放大 單元40為一種切換式電容器積分器,其包括:一差分放大 104825.doc -10- 1280041 杰42’其具有兩輸入端子與兩輸出端子;兩輸入電容器43 與44 ’其個別地連接至該等兩輸入端子;兩反饋電容器45 與46,其各連接於個別輸入端子與個別輸出端子之間。當 兩輸入電容器43與44之兩輸入值間之值差改變時,差分放 大單元40在兩輸出訊號^。與⑽^之間輸出一與該等兩輸 入值間之值差成反比的值差。由於差分放大單元4〇之輸出 值為一氟I值―丄風毒善由-秦 將此類比值轉換成一數位值。將所轉換之含有像素資料的 I 數位值輸入至其他影像處理裝置。 儘官圖4中例示了一包括一重設線、一訊號線及一差分放 大單元之線掃描路徑,但是可組態兩個以上線掃描路徑或 與行數目相同之特定數目的線掃描路徑以獲得更快速之處 理速度。在個別差分放大單元中,其中不管線掃描路徑的 數目如何,上面負載有重設值之重設線及上面負載有訊號 值之訊號線連接至輸入端子,其具有一線均衡開關以增加 該重設線及該訊號線之回應速度。 t 線均衡開關50係改良類比匯流排(意即,重設線與訊號線) 之回應速度。根據本發明之第一實施例之CDS區塊2〇包括 數目與一掃描線内之像素PIXEL之數目相同的CDS模組,且 該等CDS模組之複數個輸出訊號以一暫態基礎順序地輸出 至一對類比匯流排。因此,在一特定時刻,一 CDS模組與 該對類比匯流排連接。對於該CDS模組之此選擇性連接, 必須具有一裝置以自該等類比匯流排浮動其他CdS模組。 MOS電晶體開關為用於該浮動裝置之典型實例。然而,备 104825.doc -11 - 1280041 自特定NM0S電晶體/pMOS電晶體之源極/汲極方面考慮 時’寄生電容器處所產生之電容變成類比匯流排之負載, 藉此在所連接之CDS模組處發生預定改變時導致該等類比 匯流排之回應速度降低。線均衡開關5〇安置於差分放大單 元40之輸入端子側處,且在均衡所連接之CDS模組之輸出 訊號的時刻直接均衡類比匯流排。由於此直接均衡,因而 有可能改良類比匯流排之回應速备。一 ____________________ — — —_ 在CDS區塊20之CDS模組内所組態之複數個電容器均衡 I 開關29係消除存在於類比匯流排中之偏移電壓效應。基於 重設缓衝器25及訊號緩衝器26,可將所說明之影像感測器 内存在之偏移電壓分類成:一位於一像素側處之偏移電壓 (在下文中稱為第-偏移電壓),其配置於重設緩衝器25及訊 號緩衝器26的前面;及一位於一類比匯流排側處之偏移電 壓(在下文中稱為第二偏移電壓),其配置於重設緩衝器乃 及訊號緩衝H 26的後側。藉由獨立地讀出重設值與訊號 H將個職設值與個翁號值之㈣每-差異視為一 像素資料,可消除第一偏移電壓讀出。 L木藉由通#在製造重設緩衝器25及訊號緩衝器%時發 生之失配事件而產生第二偏移電壓。特別地,該第二偏移 3壓為個別重設緩衝器25與個別訊號緩衝器%之間的輸出 电L差w亥輸出私壓差係在相同輸入電壓施加至重設緩衝 及訊號緩衝器26時得以產生。在存在第二偏移電壓 ,分放大單元4G藉由該第二偏移電壓值而產生一輸出 值右在CDS杈組處產生第二偏移電壓之相同位準,則差 104825.doc -12- 1280041 分放大單元40之輸出值可藉由自該等輸出值減去該第二偏 移電壓來補償 '然而,每一 CDS模組具有第二偏移電壓之 :不同位準。因此’例示了圖4中所說明之差分放大單元 以消除偏移電壓’且將電容器均衡開關29個別地提供至 CDS模組。 圖4中所說明之差分放大單元4〇在輸出端子之間產生一 與母一輸入端子之一增量比(意即,導夏履)1 差。因此,當兩輸入端子間之電壓差在一特定時刻改變時, 不管偏移電壓如何’差分放大單元4〇產生一與該等兩輸入 端子間之電壓差之改變位準成比例的輸出值。 為了精確執行差分放大單元4〇 ,不應人工地移除重設線 及訊號線處之偏移電壓。因此,在個別重設緩衝器25與個 別訊號緩衝器26之輸人端子間之—部分中所組態的每一電 谷為均衡開關29產生一均衡訊號。使用根據本發明之第一 實施例之線均衡開關50會導致人工地消除類比匯流排之偏 移電壓,且因此,差分放大單元4〇會產生不精確的輸出值。 因此,控制訊號係基於圖6之時序圖而得以控制,以防止產 生不精確的輸出值。 圖5為展示與根據本發明之第一實施例之影像感測器之 碩出電路的運作有關之個別訊號的時序圖。藉由參考圖5, 將詳細地描述該讀出電路之運作。該運作之描述特別集中 於一掃描線。然而,視影像感測器之實施而定,每一掃描 線之運作可以一並行或順序的方式或類似於管線運作而發 104825.doc 1280041 生,每一掃描線之運作可彼此重疊。 在執行一感測運作之前,重設一相應掃描線之像素 PIXEL以消除先前儲存之電荷。啓動一 訊號以儲存重設 像素PIXEL之輸出電壓位準,該等輸出電壓位準為重設值 (意即,一種偏移電壓值)。接著,開啓重設輸入開關23以回 應®rst訊唬,且經由重設輸入開關23將重設像素PIXEL之輸 出電壓位準I存於重設電容器2冲。f 訊號同時供應- 至CDS區塊20之CDS模組,且因此,同時鎖存所選掃描線之 _ 像素PIXEL的重設值。 在<Drst訊號不啓動之後,將負責像素陣列1〇之相應掃描 線的電擔閘打開與關閉一預定時期。若該電擋閘被關閉, 則啓動一 Osig訊號,以鎖存在曝光期間回應於光之個別像 素PIXEL之另外輸出電壓位準。該等個別像素piXEL之其他 輸出電壓位準為訊號值。接著,開啓訊號輸入開關24以回 應(Dsig訊號,且經由訊號輸入開關23將曝光之像素pIXEL _ 之輸出電壓位準儲存於訊號電容器22中。將〇sig訊號同時 供應至CDS區塊20之CDS模組,且因此,同時鎖存所選掃描 線之像素PIXEL的訊號值。 必須開啓重設輸出開關27及訊號輸出開關28以傳遞被鎖 存至個別CDS模組之重設值及訊號值。然而,由於該等個 別CDS模組共用輸出類比匯流排(意即,重設線與訊號線) 且連接至一差分放大單元4〇,因而應順序地開啓包括〇coll 訊號至0>coln訊號之用於開啓重設輸出開關27及訊號輸出 開關28的(Dcoli訊號’且不應重疊開啓間隔。該〇c〇n訊號同 104825.doc -14- 1280041 時開啓重設輸出開關27及訊號輸出開關28,且因此,CDS 區塊20鎖存被暫時輸入之重設值及訊號值,且同時輸出該 等重設值及該等訊號值。 當啓動(Drst訊號時,一代表個別重設電容器21之電壓位 準的Crst訊號被改變為一相應的重設值位準,且維持此重設 值位準。當啓動cX>sig訊號時,一代表個別訊號電容器22之 電壓位準的C邱訊號秦洗^ 號值位準。 _ 在啓動Φ〇〇Π訊號時,啓動Oshl訊號及〇sh2訊號。被開啓 以回應Oshl訊號之電容器均衡開關29均衡重設電容器21之 電壓位準(意即,Crst訊號)與訊號電容器22之電壓位準(意 即’ Csig訊號)。被開啓以回應0sh2訊號之線均衡開關5〇均 衡一代表重設線之電壓位準的rst一bus訊號與一代表訊號線 之電壓位準的sig一bus訊號。將該rst—bus訊號及該Sig—bus訊 號輸入至差分放大單元40。 ❿ 差分放大單元40藉由一 <E>sh3訊號來維持具有相同電壓位 準之輸出訊號outl與cmt2,且接著,在〇sh3訊號不啓動時, 差分放大單元40產生位準與rst—bus訊號及sig—bus訊號之增 1比(意即,導數值)成比例的輸出訊號〇utl與〇ut2。儘管未 說明’但是輸出訊號⑽^與⑽^之間的電壓差輸入至一類比 數位轉換器(ADC)且轉換成數位訊號。 圖6為展示根據本發明之第一實施例之影像感測器之讀 出電路中在存在偏移電壓時之控制訊號及輸出訊號的時 序。特別地,圖6展示偏移電壓效應藉由改變讀出電路之運 104825.doc -15- 1280041 作訊號而消除。 儘管同時啓動(Dshl訊號及〇sh2訊號,但是(Dsh2訊號首先 不啓動。根據<E>sh2訊號而快速地均衡rst_bus訊號與sig_bus 訊號。然而,由於(Dsh2訊號在啓動〇shl訊號的中間不啓動, 因而維持了偏移電壓。意即,上述訊號控制方法使得有可 能增加代表重設線與訊號線之電壓位準之rst_bus訊號與 sig-bus訊號春回應速度。 ———.—— ______________ 圖7為說明根據本發明之第二實施例之影像感測器之讀 > 出電路的詳細方塊圖。 該影像感測器之讀出電路包括一 CDS區塊20。CDS區塊20 包括:複數個重設電容器21,其儲存像素PIXEL之輸入重 設值;複數個訊號電容器22,其儲存該等像素PIXEL之輸 入訊號值;複數個重設緩衝器25,其輸出儲存於重設電容 器21處之重設值;複數個訊號緩衝器26,其輸出儲存於訊 號電容器22處之訊號值;及複數個電容器均衡開關29,其 均衡重設電容器21與訊號電容器22之電位。 | 該影像感測裔之項出電路進一步包括:一重設線,甘卜 負載有CDS區塊20之重設值輸出訊號;一訊號線,其上負 載有CDS區塊20之訊號值輸出訊號;及一差分放大單元 40,其放大個別重設值輸出訊號與個別訊號值輸出訊號之 間的差異。 較佳地,CDS區塊20可進一步包括:複數個重設輸入開 關23 ’其輸入重設值;複數個訊號輸入開關24,其輸入訊 號值;複數個重設輸出開關27,其輸出該等重設值;及複 104825.doc -16- 1280041 數個訊號輸出開關28,其輸出該等訊號值。 儘管未說明,但是根據第二實施例之差分放大單元⑽具 有與圖4中所說明之結構相同的結構,其包括:一差分放大 器42,其具有兩輸入端子與兩輸出端子;兩輸入電容器43 與44,其相應地連接至該等兩輸入端子;兩反饋電容器μ 人46,其各連接於個別輸入端子與個別輸出端子之間。 二藉由參-考省姐具紅測 器之讀出電路的運作特徵。 圖8為展示該影像感測器之讀出電路中在不存在偏移電 壓時之控制訊號及輸出訊號的時序圖。儘管載運⑻一訊 號與sig 一 bus訊號之類比匯流排(意即,重設線與訊號線)的 回應速度與影像感測器之習知讀出電路相比得以改良,但 疋根據本發明之第二實施例之類比匯流排的回應速度與本 發明之第一實施例相比得以稍微延遲。如圖9中所說明,消 除了偏移電廢效應。 圖10為展示根據本發明之第三實施例之影像感測器之讀 出電路的詳細方塊圖。 該影像感測器之讀出電路包括一 CDS區塊2〇A,其中CDS 區塊20包括:複數個重設電容器21,其儲存像素ριχΕΕ之 輸入重設值;複數個訊號電容器22,其儲存該等像素pixEL 之輸入訊號值;複數個重設緩衝器25,其輸出儲存於重設 電容器21處之重設值;及複數個訊號緩衝器26,其輸出儲 存於訊號電容器22處之訊號值。 該影像感測器之讀出電路進一步包括:一重設線,其上 104825.doc -17- 1280041 負載有CDS區塊20A之重設值輸出訊號;一訊號線,其上負 載有CDS區塊20A之訊號值輸出訊號;一差分放大單元4〇, 其放大個別重設值輸出訊號與個別訊號值輸出訊號之間的 差異’及一線均衡開關50’其安置於差分放大單元之輸 入端子侧處,且均衡該重設線與該訊號線之電位。 較佳地,CDS區塊20A可進一步包括:複數個重設輸入開 關23,车輪入委設養;香數备號鲁入香細夺务乂齋— 號值;複數個重設輸出開關27,其輸出該等重設值;及複 .數個訊號輸出開關28,其輸出該等訊號值。 儘管未說明,但是根據第三實施例之差分放大單元4〇具 有與圖4中所說明之結構相同的結構,其包括:一差分放大 器42,其具有兩輸入端子與兩輸出端子;兩輸入電容器43 與44,其相應地連接至該等兩輸入端子;兩反饋電容器45 與46 ’其各連接於個別輸入端子與個別輸出端子之間。 根據第二實施例,有可能改良包括重設線與訊號線之類 . 比匯机排的回應速度。然而,如圖丨i中所說明,當存在偏 移電壓時’難以校正由該偏移電壓所導致之誤差。儘管未 況明,但疋若不存在該偏移電壓,則每一訊號之時序相同 於圖5中所說明之時序圖案(除(Dshl訊號以外)。 基於本發明之第一至第三實施例,有可能消除由影像感 須丨]器之古矣屮當a ° °貝冤路中所包括之類比匯流排的偏移電壓所導致 之誤差的機备。7 . ^ 又’改良了母一類比匯流排之回應速度而 未消耗高功率位準。 本申叫案含有與韓國專利局在2004年9月8日申請之韓國 104825.doc -18- 1280041 專利申請案第KR 10.2004.^566號有關之主旨,該案之 全部内容以引用的方式併入本文中。 ’、 雖然已關於特定較佳實施例而描述了本發明,但是孰染 此項技術者將顯而易見’可做出各種改變及修改,而;: 離如以下^凊專利範圍中所界定之本發明之精神及範嘴。 【圖式簡單說明】 圖1為展示測器之簡化方塊圖; 圖2為展示影像感測器之習知讀 圖3為展示根據本發明之第-實施例之影像感測器之讀 出電路的詳細方塊圖; 圖4為展示根據本發明之第—實施例之影像感測器之讀 出電路的差分放大單元之電路圖; 圖5為展不圖3所却日日y | " 之項出電路中在不存在偏移電壓時 之控制訊號及輸出訊號的時序圖; 圖6為展不圖3所却日日+ h, 所况明之項出電路中在存在偏移電壓時之 控制訊號及輸出訊號的時序圖; ^為展示根據本發明之第二實施例之影像感測器之讀 出電路的詳細方塊圖; 回為展不圖7所%明之讀出電路中在不存在偏移電壓時 之控制訊號及輸出訊號的時序圖; 圖9為展示圖7所% & ^… β w兄月之項出電路中在存在偏移電壓時之 拴制訊號及輸出訊號的時序圖; =為展不根據本發明之第三實施例之影像器之 出電路的詳細方塊圖;及 圖11為展示圖10所說明之讀出電路中在存在偏移電壓時 104825.doc -19- 1280041 之控制訊號及輸出訊號的時序圖。 【主要元件符號說明】
10 像素陣列 20 相關雙取樣(CDS)區塊 20A CDS區塊 21 重設電容器 22 訊號電容器 23 重設輸入開關 24 訊號輸入開關 25 重設緩衝器 26 訊號緩衝器 27 重設輸出開關 28 訊號輸出開關 29 電容器均衡開關 40 差分放大早元 42 差分放大器 43 輸入電容器 44 輸入電容器 45 反饋電容器 46 反饋電容器 50 線均衡開關 100 像素陣列 120 相關雙取樣(CDS)單元 140 可程式化增益放大器(PGA)單元 160 類比數位轉換器(ADC) 104825.doc -20-
Claims (1)
1280041 十、申請專利範圍: - 1 · 一種影像感測器之一讀出電路,其包含: 一相關雙取樣(CDS)區塊,其包括: 複數個重设電容器’其儲存像素之輸入重設值; 複數個訊號電谷器,其儲存該等像素之輸入訊號值; 衩數個重设驅動裝置,其輸出儲存於該等重設電容 — 器等重設值;__—_____________ 複數個號驅動裝置,其輸出儲存於該等訊號電容 • 器中之該等訊號值;及 複數個電容器均衡裝置,其均衡該等重設電容器與 該等訊號電容器之電位位準; 一重設線,其轉移該CDS區塊之重設值輸出訊號; 一成號線’其轉移該CDS區塊之訊號值輸出訊號; 一差分放大單元,其放大該個別重設值輸出訊號與該 個別訊號值輸出訊號之間的一差異;及 一線均衡裝置,其均衡該重設線與該訊號線之電位位 • 準。 2·如請求項1之讀出電路,其中該cds區塊進一步包括: 複數個重設輸入開關,其將該等像素之該等重設值轉 移至該等相應重設電容器;及 複數個訊號輸入開關,其將該等像素之該等訊號值轉 移至該等相應訊號電容器。 3 ·如明求項1之讀出電路,其中該區塊進一步包括: 複數個重設輸出開關,其將該等重設值輸出訊號轉移 104825.doc 1280041 至該重設線;及 複數個訊號輸出開關,其將命莖〜4 , 八將4專§fL號值輸出訊號轉移 至該訊號線。 4.如請求項1之讀出電路,其中該篝 T茨寺復數個重設驅動裝置與 該等複數個訊號驅動裝置為各句扭 钓谷包括兩金氧半導體(MOS) 電晶體之源極跟隨器。 5 ·如請求其·^_入 端子,且在該等兩輸人端子具有_改變電壓差時產生一 擊與一電壓差之該改變位準成比例的輪出。 6·如請求項5之讀出電路,其中該差分放大單元包括: -差分放大器’其包括兩輪入端子與兩輸出端子; 兩輸入電容器,其與該等兩輸入端子進行一個別連 接;及 兩反饋電容器’其各連接於該相應輸入端子與該相應 輸出端子之間。 _ 7· %請求項1之讀出電路,其中該等電容器均衡裝置為购3 電晶體開關。 8. 如請求項1之讀出電路,其中該線均衡裝置為一 M〇s電晶 體開關。 9. 如請求項!之讀出電路,其中在該等重設值輸出訊號及該 等訊號值輸出訊號轉移至該差分放大單元之後,該等電 容器均衡裝置及該線均衡裝置被開啓相同時期。 1 〇.如請求項1之讀出電路,其中: 在。亥寺重ά又值輸出§fl號及该等訊號值輸出訊號轉移至 104825.doc 1280041 該差分放大單元之後,該等電容器均衡裝置及該線均衡 裝置被同時間啓; 該線均衡裝置在-預定延遲時間之後被關閉;且 -亥等電各器均衡裝置在一預定延遲時間之後被關閉。 11· 一種影像感測器之一讀出電路,其包含: 一 CDS區塊,其包括·· 儲存該 等重設值; 數個訊號電容器帛收該等像素之訊號值; 複數個重設驅動裝置,其輸出儲存於該等重設電容 器中之該等重設值; 複數個訊號驅動裝置,其輸出儲存於該等訊號電容 器中之該等訊號值;及 複數個電谷器均衡裝置,其均衡該等重設電容器與 該等訊號電容器之電位位準; 一重設線,其轉移該CDS區塊之重設值輸出訊號; I 一 §fl號線,其轉移邊CDS區塊之訊號值輸出訊號;及 一差分放大單元,其放大該個別重設值輸出訊號與該 個別訊號值輸出訊號之間的一差異。 12.如請求項11之讀出電路,其中該CDS區塊包括: 複數個重设輸入開關’其將該等像素之該等重設值轉 移至該等相應重設電容器;及 複數個訊號輸入開關’其將該等像素之該等訊號值轉 移至該等相應訊號電容器。 104825.doc 1280041 13 ·如請求項11之讀出電路 複數個重設輸出開關 至該重設線;及 複數個訊號輸出開關 至該訊號線。 14·如請求項u之讀出電路 與咸寺-^數個jTl 極跟隨器。 其中該CDS區塊進一步包括: 其將該等重設值輸出訊號轉移 其將該等訊號值輸出訊號轉移 其中該等複數個重設驅動裝置 —之源
1 5 ·如請求項11之讀出雷欧 、屬路’其中該差分放大單元包括兩輸 入端子,且在該等兩輪入端子具有一改變電壓差時產生 一與一電壓差之該改變位準成比例的輸出。 16.如料項15之讀出電路,其中該差分放大單元包括: -差分放大器’其包括兩輸入端子與兩輸出端子; 兩輸入電容器,其與該等兩輸入端子進行一個別連 接;及 兩反饋電容器,其各連接於該相應輸入端子與該相應 輸出端子之間。 17.如請求項11之讀出電路,其中該等電容器均衡裝置為 M〇s電晶體開關。 18·^求項U之讀出電路,|中在該等重設值輸出訊號及 °亥荨訊號值輸出訊號轉移至該差分放大單元之後,兮等 電容器均衡裝置均衡該等重設電容器與該等訊號電容器 之電位位準。 1 9· 一種影像感測器之一讀出電路,其包含: 104825.doc 1280041 一 CDS區塊,其儲存且輸出像素之重設值與訊號值; 一重設線,其轉移該CDS區塊之重設值輸出訊號; 一訊號線,其轉移該CDS區塊之訊號值輸出訊號; 一差分放大單元,其放大該個別重設值輸出訊號與該 個別訊號值輸出訊號之間的一差異·,及 一線均衡裝置’其均衡該重設線與該訊號線之電位位 準。____.___ 20·如請求項19之讀出電路,其中該差分放大單元包括兩輸 入端子,且在該等兩輸入端子具有一改變電壓差時產生 一與一電壓差之該改變位準成比例的輸出。 21·如請求項20之讀出電路,其中該差分放大單元包括: 一差分放大器,其包括兩輸入端子與兩輸出端子; 兩輸入電容器,其與該等兩輸入端子進行一個別連 接;及 兩反饋電谷裔,其各連接於該相應輸入端子與該相應 輸出端子之間。 22.如請求項19之讀出電路,其中該⑽區塊包括: 複數個重設電容器,其接收該等像素之該等重設值且 儲存該等重設值; 複數個訊號電容器,i垃d今 八接收该4像素之該等訊號值且 健存該等訊號值; 複數個重設驅動裝置,1鈐 /、輸出储存於該等重設電容器 中之該等重設值;及 複數個訊號驅動裝置,Α輪 /、輸出儲存於該等訊號電容器 1〇4825.doc 1280041 中之該等訊號值。 23·如請求項22之讀出電路,其中該CDS區塊進一步包括·· 複數個重設輸入開關,其將該等像素之該等重設值轉 移至該等相應重設電容器;及 複數個訊號輸入開關,其將該等像素之該等訊號值轉 移至該等相應訊號電容器。 ――24.如請 區塊進一步包本: 複數個重設輸出開關,其將該等重設值輸出訊號轉移 ’ 至該重設線;及 複數個訊號輸出開關,其將該等訊號值輸出訊號轉移 至違訊5虎線。 25·如睛求項19之讀出電路,其中該線均衡裝置為一 MQS電 晶體開關。 26·如清求項19之讀出電路,其中在該等重設值輸出訊號及 該等訊號值輸出訊號轉移至該差分放大單元之後,該線 均衡裝置均衡該重設線與該訊號線。 104825.doc
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
KR1020040071566A KR100656666B1 (ko) | 2004-09-08 | 2004-09-08 | 이미지 센서 |
Publications (2)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
TW200625927A TW200625927A (en) | 2006-07-16 |
TWI280041B true TWI280041B (en) | 2007-04-21 |
Family
ID=36073516
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
TW094130899A TWI280041B (en) | 2004-09-08 | 2005-09-08 | Read-out circuit of image sensor |
Country Status (5)
Country | Link |
---|---|
US (1) | US7956908B2 (zh) |
JP (1) | JP4677310B2 (zh) |
KR (1) | KR100656666B1 (zh) |
CN (1) | CN100499735C (zh) |
TW (1) | TWI280041B (zh) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI386050B (zh) * | 2009-02-17 | 2013-02-11 | Himax Imaging Inc | 影像感測器的讀出電路 |
Families Citing this family (15)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JP4835290B2 (ja) * | 2006-07-07 | 2011-12-14 | コニカミノルタホールディングス株式会社 | 固体撮像装置 |
KR100833630B1 (ko) | 2007-02-28 | 2008-05-30 | 삼성전자주식회사 | 기생 커패시턴스의 영향을 제거할 수 있는 인터 페이스 및그 방법 |
JP4561763B2 (ja) * | 2007-03-22 | 2010-10-13 | 三菱電機株式会社 | 光電変換装置 |
US8159585B2 (en) | 2007-05-01 | 2012-04-17 | Omnivision Technologies, Inc. | Image sensor pixel with gain control |
US7872676B2 (en) * | 2007-07-13 | 2011-01-18 | Micron Technology, Inc. | Methods, systems, and devices for offset compensation in CMOC imagers |
TWI375465B (en) | 2008-02-27 | 2012-10-21 | Pixart Imaging Inc | Correlation double sampling circuit for image sensor |
JP5161676B2 (ja) * | 2008-07-07 | 2013-03-13 | キヤノン株式会社 | 撮像装置及び撮像システム |
WO2010023903A1 (ja) * | 2008-09-01 | 2010-03-04 | 株式会社ニコン | 撮像素子および撮像装置 |
CN101605201B (zh) * | 2008-12-24 | 2011-06-22 | 昆山锐芯微电子有限公司 | 图像传感器的列处理电路及图像传感器 |
US8570414B2 (en) * | 2009-02-05 | 2013-10-29 | Texas Instruments Incorporated | Multiplexed read-out architecture for CMOS image sensors |
KR101136808B1 (ko) | 2010-06-25 | 2012-04-13 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센서 |
US9077917B2 (en) | 2011-06-09 | 2015-07-07 | Apple Inc. | Image sensor having HDR capture capability |
CN102495351B (zh) * | 2011-12-23 | 2013-08-07 | 江苏物联网研究发展中心 | 基于斩波技术的传感器阵列读出电路 |
CN102946510A (zh) * | 2012-11-21 | 2013-02-27 | 合肥埃科光电科技有限公司 | 高速cmos线扫描相机 |
KR20210112765A (ko) * | 2020-03-06 | 2021-09-15 | 에스케이하이닉스 주식회사 | 이미지 센싱 장치 및 그의 동작 방법 |
Family Cites Families (26)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS55118221A (en) * | 1979-03-06 | 1980-09-11 | Nec Corp | Comparison circuit |
US4553052A (en) * | 1982-04-23 | 1985-11-12 | Nec Corporation | High speed comparator circuit with input-offset compensation function |
JPS6337711A (ja) | 1986-07-31 | 1988-02-18 | Toshiba Corp | アナログ演算回路 |
JPH0241079A (ja) * | 1988-07-30 | 1990-02-09 | Fuji Xerox Co Ltd | 画像読取装置 |
JP2811704B2 (ja) * | 1989-01-27 | 1998-10-15 | ソニー株式会社 | Ccd出力回路 |
JP2919110B2 (ja) * | 1990-08-28 | 1999-07-12 | 池上通信機株式会社 | 固体撮像装置の出力信号処理回路 |
JP2753655B2 (ja) * | 1990-11-22 | 1998-05-20 | 株式会社ニコン | 固体撮像装置 |
US5471515A (en) * | 1994-01-28 | 1995-11-28 | California Institute Of Technology | Active pixel sensor with intra-pixel charge transfer |
US6320617B1 (en) * | 1995-11-07 | 2001-11-20 | Eastman Kodak Company | CMOS active pixel sensor using a pinned photo diode |
US5736886A (en) * | 1996-02-06 | 1998-04-07 | Analog Devices, Inc. | Input clamping method and apparatus with a correlated double-sampling circuit |
JPH10126695A (ja) | 1996-10-18 | 1998-05-15 | Sony Corp | 固体撮像素子およびその駆動方法並びにカメラ |
JP3673620B2 (ja) | 1997-07-18 | 2005-07-20 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置 |
US6529237B1 (en) * | 1997-12-02 | 2003-03-04 | Texas Instruments Incorporated | Complete CDS/PGA sample and hold amplifier |
US6366320B1 (en) * | 1997-12-08 | 2002-04-02 | Intel Corporation | High speed readout architecture for analog storage arrays |
JP4390881B2 (ja) * | 1998-12-02 | 2009-12-24 | 浜松ホトニクス株式会社 | 光検出装置 |
US6466265B1 (en) * | 1998-06-22 | 2002-10-15 | Eastman Kodak Company | Parallel output architectures for CMOS active pixel sensors |
JP3791767B2 (ja) * | 2001-03-27 | 2006-06-28 | 株式会社デンソー | フライングキャパシタ式電圧検出回路 |
US6914227B2 (en) | 2001-06-25 | 2005-07-05 | Canon Kabushiki Kaisha | Image sensing apparatus capable of outputting image by converting resolution by adding and reading out a plurality of pixels, its control method, and image sensing system |
WO2003054922A2 (en) * | 2001-12-21 | 2003-07-03 | Koninklijke Philips Electronics N.V. | Image pick-up device and camera system comprising an image pick-up device |
JP4251811B2 (ja) | 2002-02-07 | 2009-04-08 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 相関二重サンプリング回路とこの相関二重サンプリング回路を備えたcmosイメージセンサ |
JP4187502B2 (ja) | 2002-07-25 | 2008-11-26 | 富士通マイクロエレクトロニクス株式会社 | 画質を向上させたイメージセンサ |
US7382407B2 (en) * | 2002-08-29 | 2008-06-03 | Micron Technology, Inc. | High intrascene dynamic range NTSC and PAL imager |
CA2502467C (en) * | 2002-11-07 | 2012-07-03 | Xenics N.V. | Read-out circuit for infrared detectors |
JP2004312556A (ja) * | 2003-04-09 | 2004-11-04 | Sony Corp | 差動増幅器及び同差動増幅器を具備する2段増幅器並びに同2段増幅器を具備するアナログ/ディジタル変換器 |
US20040246354A1 (en) | 2003-06-04 | 2004-12-09 | Hongli Yang | CMOS image sensor having high speed sub sampling |
US7385166B2 (en) * | 2003-10-30 | 2008-06-10 | Micron Technology, Inc. | In-pixel kTC noise suppression using circuit techniques |
-
2004
- 2004-09-08 KR KR1020040071566A patent/KR100656666B1/ko active IP Right Grant
-
2005
- 2005-09-07 US US11/222,133 patent/US7956908B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2005-09-08 CN CNB2005101025149A patent/CN100499735C/zh active Active
- 2005-09-08 TW TW094130899A patent/TWI280041B/zh not_active IP Right Cessation
- 2005-09-08 JP JP2005260198A patent/JP4677310B2/ja active Active
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
TWI386050B (zh) * | 2009-02-17 | 2013-02-11 | Himax Imaging Inc | 影像感測器的讀出電路 |
Also Published As
Publication number | Publication date |
---|---|
KR100656666B1 (ko) | 2006-12-11 |
US7956908B2 (en) | 2011-06-07 |
JP2006081189A (ja) | 2006-03-23 |
US20060061675A1 (en) | 2006-03-23 |
KR20060022804A (ko) | 2006-03-13 |
TW200625927A (en) | 2006-07-16 |
CN1747526A (zh) | 2006-03-15 |
JP4677310B2 (ja) | 2011-04-27 |
CN100499735C (zh) | 2009-06-10 |
Similar Documents
Publication | Publication Date | Title |
---|---|---|
TWI280041B (en) | Read-out circuit of image sensor | |
TW407424B (en) | Pixel sensor column amplifier architecture | |
TWI478578B (zh) | 固態影像拾取器件、驅動其之方法、用於其之信號處理方法、以及影像拾取裝置 | |
JP5311954B2 (ja) | 固体撮像装置の駆動方法 | |
US8310578B2 (en) | Image sensors and methods with column readout circuits | |
US6919551B2 (en) | Differential column readout scheme for CMOS APS pixels | |
TWI252686B (en) | Method of controlling semiconductor device, signal processing method, semiconductor device, and electronic apparatus | |
TW201236450A (en) | Analog row black level calibration for CMOS image sensor | |
EP2362640B1 (en) | Compact low noise signal readout circuit and method for operating thereof | |
CN102164252B (zh) | 固态图像拾取设备及其驱动方法 | |
JP2012512555A (ja) | ノイズキャンセリングの撮像素子 | |
JP2000165754A (ja) | 固体撮像装置および固体撮像装置の信号読出し方法 | |
JP2009141631A (ja) | 光電変換装置及び撮像装置 | |
US7479995B2 (en) | On chip real time FPN correction without imager size memory | |
US6441357B2 (en) | Using cascaded gain stages for high-gain and high-speed readout of pixel sensor data | |
CN105706361A (zh) | 适用于cmos成像传感器的放大器 | |
TW201143412A (en) | Solid-state imaging device and method of reading signals from the pixel array of solid-state imaging device | |
JP2001177084A (ja) | 固体撮像素子 | |
WO2019196089A1 (zh) | 图像传感电路及其控制方法 | |
JP2010273383A (ja) | 撮像装置 | |
JP3851770B2 (ja) | 増幅型固体撮像装置 | |
TW200847767A (en) | Sensors using a passive s/h and DDA | |
JP2001257938A (ja) | 固体撮像装置と信号転送方法とその装置 | |
US8872951B2 (en) | Method and system for operating an image data collection device | |
JP4835290B2 (ja) | 固体撮像装置 |
Legal Events
Date | Code | Title | Description |
---|---|---|---|
MM4A | Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees |