TWI279837B - Semiconductor apparatus, solid state image pickup device using the same, and method of manufacturing them - Google Patents
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|---|---|---|---|---|
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Families Citing this family (35)
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| CN109216393B (zh) * | 2018-10-31 | 2023-05-19 | 锐芯微电子股份有限公司 | Cmos-tdi图像传感器及其形成方法 |
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Family Cites Families (16)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US5438211A (en) * | 1993-03-31 | 1995-08-01 | Kabushiki Kaisha Toshiba | Charge-transfer device having an improved charge-sensing section |
| JP3240828B2 (ja) | 1994-04-20 | 2001-12-25 | ソニー株式会社 | Mosトランジスタ構造およびこれを用いた電荷転送装置 |
| JP3282375B2 (ja) * | 1994-05-25 | 2002-05-13 | 株式会社デンソー | 相補型絶縁ゲート電界効果トランジスタ |
| JP2878137B2 (ja) * | 1994-06-29 | 1999-04-05 | シャープ株式会社 | 増幅型光電変換素子、それを用いた増幅型固体撮像装置、及び増幅型光電変換素子の製造方法 |
| US5625210A (en) * | 1995-04-13 | 1997-04-29 | Eastman Kodak Company | Active pixel sensor integrated with a pinned photodiode |
| JP3359258B2 (ja) * | 1997-05-30 | 2002-12-24 | キヤノン株式会社 | 光電変換装置及びそれを用いたイメージセンサ、画像読取装置 |
| JPH11274454A (ja) | 1998-03-19 | 1999-10-08 | Canon Inc | 固体撮像装置及びその形成方法 |
| JP2000077613A (ja) * | 1998-08-28 | 2000-03-14 | Nec Corp | 半導体装置の製造方法 |
| JP2000353756A (ja) * | 1999-06-14 | 2000-12-19 | Toshiba Corp | 半導体装置およびその製造方法 |
| JP3856283B2 (ja) * | 2000-02-14 | 2006-12-13 | シャープ株式会社 | 固体撮像装置および撮像装置の駆動方法 |
| JP4811895B2 (ja) * | 2001-05-02 | 2011-11-09 | ルネサスエレクトロニクス株式会社 | 半導体装置およびその製造方法 |
| US6747318B1 (en) * | 2001-12-13 | 2004-06-08 | Lsi Logic Corporation | Buried channel devices and a process for their fabrication simultaneously with surface channel devices to produce transistors and capacitors with multiple electrical gate oxides |
| JP4069670B2 (ja) * | 2002-05-14 | 2008-04-02 | 日本ビクター株式会社 | 固体撮像装置とその駆動方法 |
| JP3720014B2 (ja) * | 2002-11-01 | 2005-11-24 | 日本テキサス・インスツルメンツ株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP4391145B2 (ja) * | 2003-06-27 | 2009-12-24 | 富士フイルム株式会社 | 固体撮像装置 |
| JP2006197393A (ja) * | 2005-01-14 | 2006-07-27 | Canon Inc | 固体撮像装置、カメラ、及び固体撮像装置の駆動方法 |
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Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| TWI392352B (zh) * | 2007-08-06 | 2013-04-01 | Sony Corp | 固態影像擷取裝置,固態影像擷取裝置的類比/數位轉換方法,及影像擷取裝置 |
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