TWI279454B - Cathode for electrochemical regeneration of permanganate etching solutions - Google Patents

Description

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JLia範疇 a本發明係關於電化學佈置再生高錳酸鹽蝕刻溶液所用之 陰，，其製造方法以及用於電化學再生高錳酸鹽蝕刻溶液 之裝置。 x / 皦性 刷電路 工部件 安裝。 鹼及30 貴，通 當良好 和氫氧 專溶液 劑處理 由於 酸鹽種 一氣化 二氧化 法。此 處理廢 為解 述於歐 氧化劑 高錳酸鹽溶液不僅用於蝕刻塑料材料（例如製造印 板），而且較早用於金屬鍍覆由塑料製成之二=加 ，用於衛生器具、汽車工業、精密機械工業或#家多

此等溶液通常每1升水性溶性含3〇至丨〇〇克高缝酸鹽 至1〇〇克氫氧化物鹼。高錳酸鉀比高錳酸鈉不太 常以低於約65克/升濃度使用，而高錳酸鈉溶解相 ’通常以高於65克/升濃度使用。一般用氫氧化納 化鉀作為氫氧化物鹼源。通常以6 〇它至9 8它使用此 湖=便利蝕刻，通常在實際蝕刻製程前用有機溶顧 塑料表面。

，刻處理塑料表面，高錳酸鹽種類主要被還原成凝 類，其部件上錳酸鹽種類被歧化成高錳酸鹽種類和 猛在该反應期間，蝕刻溶液中可能-產生相當多量 錳淤渣。由於高錳酸鹽消耗，不可能連續操^該= 外’因為必須將高錳酸鹽加入溶液，而且必須持尹 料，所以該方法代價很高。 、、’ 決此等問冑，曾有人開發一種再生方法。此方法 洲專利第0 2 04 3 9 9 A1號。在此方法中，將一定量 加入經消耗咼錳酸鹽蝕刻溶液，其用量係足以再氧

1279454 五、發明說明（2) '化蝕刻溶液中高錳酸鹽種類與具有小於+ V I I氧化數之錳化 合物。由之形成高猛酸鹽。可將無機漠酸鹽、次氯酸鹽、 亞氯酸鹽、氣酸鹽、過二硫酸鹽、單過硫酸鹽及其混合物 用作氧化劑。再生反應期間氧化劑減少，並由該還原反應 而被消耗。 然而該反應表現得很複雜。而且，由於氧化劑補充，蝕 刻溶液中生成額外物質。結果是必須拋棄該溶液。因此又 有人開發電化學再生方法，此方法沒有不理想反應產生放 出。此類方法描述於歐洲專利第0 2 9 1 4 4 5 A 2號。該方法 用於再生糙化和淨化塑料表面（尤其為印刷電路板）所用之 __ —_____〆—〜_ — -- - ·—— 高錳酸鹽蝕刻溶液。該方法由將具+V I氧化數的錳電化學 氧化成具+ VII氧化數的錳組成。該反應在電化學裝置中進 行，並包括陽極反應。為此，在具有隔膜的電化學裝置中 佈置陰極和陽極，隔膜較佳位於其間。陽極和陰極係以這 樣一種方式連接電流源，陰極被陰極性極化，陽極被陽極 性極化。該文件明確指出，具有由隔膜使兩個電極室相互 分隔之裝置獲得最佳結果。然而，如果使用只具有一個電 極室且將兩個電極浸入該室之裝置，亦可取得足夠再生。 另外，有一種方法描述用高錳酸鹽鹼蝕刻溶液以大於3 微米蝕刻速率蝕刻環氧樹脂，尤其用於蝕刻印刷電路中内 腔，該蝕刻溶液含1 0至1 0 0克/升高錳酸鹽鹼及至少3 0克/ 升氫氧化物鹼。該方法包括以下步驟：a · 以0 . 5至2 5伏特 直流電壓和0. 1至2 0安培/厘米2直流密度由電化學陽極性 氧化使高ί孟酸鹽餘刻溶液穩定：b. 由電化學和/或光測量

O:\71\71175.ptd 第6頁 1279454 五、發明說明（3) 及適當額外加料（若偏離預定值）調節高錳酸根和OHe離子 濃度。 類似用於電化學再生用於電化技術之化學氧化劑描述於 W. P·因斯（Innes). W. H.托勒（Tol ler)及D.托馬賽羅 (Tomasel lo). Plat. Surf. Finish. , 1 9 7 8,第 3 6 -4 0 頁 〇 此方法與再生溴酸蝕刻溶液有關。在此情況下，亦由隔膜 使再生裝置之陽極和陰極相互分離，該隔膜為長、多孔性 陶瓷圓筒。 進一步應用揭示於美國專利申請案第3, 470, 044號。該 文件所描述方法係關於電化學再生經消粍過二硫酸銨之溶 液。除其它外，此等溶液用於溶解金屬，如銅、始、鐵、 鎳、鋅及其合金。為進行該再生反應，使蝕刻溶液通過電 化池中陽極室，陽極係佈置於該室中。該室與陰極室由隔 膜分隔，且該隔膜為一種陰極離子交換膜。陰極係置於陰 極室中。在操作電化學裝置期間，在陽極氧化硫酸鹽產生 過二硫酸鹽。金屬離子移到陰極室，金屬離子在陰極被還 原成單質金屬。 再生高錳酸鹽蝕刻溶液之進一步裝置揭示於日本專利申 請案第6-306668 A號。此案中裝置包括再生容器，高錳酸 鹽蝕刻溶液即通過該容器，該容器中進一步佈置複性陰極 和陽極，且彼此相對。該陰極係部分由不導電層覆蓋，例 咖-.,...... ..........—*. 如聚四氟乙烯層。例如將該陰極設計為棒。該棒只在某些 區域由該層覆蓋。此等區域與其它未覆蓋區域交替出現。 經證實，用於蝕刻塑料表面之已知方法使用複雜，因為

O:\71\71175.ptd 第7頁 1279454 五、發明說明（4) 再氧化由#刻反應生成的具小於+ V丨[氧化數之錳種類消耗 大置化學品，或者消耗大量能量。尤其經證實，儘管連續 再生高錳酸鹽蝕刻溶液，但#生成大量二氧化錳淤渣。必 須分離及連續廢棄該淤渣。另外，溶液中淤渣通過陰極所 釋放氫氣吹起，以致可能達到用於處理塑料部件之處理容 器。另外已觀察到，在長時間再生操作以及（與此關聯）產 生相當多淤渣後，塑料表面糙化變得不均勻，以致塑料表 面粗糙化度波動。 此外觀察到’尤其在其中每單位時間蝕刻大塑料表面 時，再生高錳酸鹽效率逐漸降低。這—特性尤其在使用 S B U技術（後繽組建）時出現。兮社个6 ±甘μ i t s 5亥技術包括一種其中連續製 造其間具塑枓層之單獨電路单；々制加 _ ^ ^ , ^ ^ „早倜私峪十面之製程。電路載體中各介 電層必須用咼猛酸鹽蚀刻沒、、右、、全&』 & „ 了二—外人夜乎化和糙化，以保證後續電 ^e Η Γ 1 接者。由於該製程要處理大面 積，母早位日年間内消耗高錳酸鹽化合 相當多，例如錳酸鹽化合物和 及產物 七制、止机借由田τ 不一乳化猛。到現在為止，已 酸鹽浪度完全保持在理相水：再ί2將此等溶液中高錳 間，以致欲將單個單元並 而要大板層空 再生裝置）。此等問題不易解//出現問通（處理容器和 因此’本發明之問題包括避免已知裝 『發現-種適用以高效率再生高鍾酸鹽钱刻=之: 發明概要

第8頁 1279454 五、發明說明（5) 本發明包括一種電化學佈 '、、 之新穎陰極。 丹生面猛酸鹽蝕刻溶漭^ 本發明進一步包括電化與義▲ 厅用 新穎裝置。 予生咼錳酸鹽蝕刻溶液所用 本發明亦包括製造佈置電化風 用陰極之新穎方法。 予生鬲猛酸鹽钱刻溶液所 本發明之陰極用於再 裴置，該陰極特徵為其表：上刻溶液所用之電化學 層係以使電流能夠流動通過之；：夕孔性、不導電層。該 I，術語"多孔性"應被理解 二二,成。在本發明上下文 具習知多孔性材料層之陰極目;^牙孔"。因此，不僅 織物材料包覆之陰極亦包括在本發明範圍内，而且以 隙。 ，5亥孔為織物網眼間的間 該電化學再生裝置包括至小一 發明之陰極、用於該至少一 極、至少一個根據本 源以及介於電流源（一方面 ％極和至少一個陰極之電流 陰極（另一方面）間之電導線。°亥至〆個陽極及至少一個 本發明之方法包括以下方 多孔性、不導電層，b•進一牛二β +·a·對陰極體提供以 鹽之鹼性高錳酸鹽溶液接觸^具忒層之陰極體與含錳酸 性高錳酸鹽溶液接觸及d.葬=陽極與含錳酸鹽之鹼 由陰極和陽極形成之電流樣-種方式使 面上形成不溶層，且該層ΠΙίΐ:流，即’在陰極表 錳。 夕主要包含具+ιν氧化數之

1279454 五、發明說明（7) 的問題。 藉由其表面上以多孔性、不導電層包覆本發明電化學再 生裝置之陰桎，高猛酸鹽银刻溶液中具低於+ VI I氧化數之 锰化合物在其表面上以咼效率被再氧化成高猛酸鹽。效率 定義為’自鏟酸根離子生成的高猛酸根離子之電化學當量 對正被翻轉電荷之比，如果在電化學再生裝置中利用本發 明之陰極，則效率因數改良2至5。由於陰極表面上層之作 用’對電化學反應有效之區域降低（例如）到第5部份。然 而由此增加的局部電流密度並不產生本發明陰極之有益性 能。這可很容易由以下事實看出，由減小陰極體大小減小 陰極表面積並沒有與表面上所沈積層之相同效果。 同呀，與使用習知裝置情況比較，只產生非常少二氧化 錳淤渣。我們有趣地觀察到，在本發明陰極形成的二氧化 錳作為濃稠塗層固定黏著到陰極表面，而不落下來。由此 原因才產生非常少淤渣。因此亦解決進一步^題，即，在 習知裝置陰極放出的氫吹進二氧化錳淤渣，淤渣進入塑料 部件所用之處理容器，導致問題產生。 士在利用#中每單位時間钱刻大塑料表面積之_技術 =，本發明陰極和具有此等陰才亟的再生裝置具有有益效 且梦ΐ ί ’在此情況下’由於再生效率增加，㈣較少數 :2總電輸出之本發明電化學再生裝置足以保持蝕刻條 到=二’儘管蝕刻塑料表面有高度翻轉，但沒有看 到由飯刻產生的重大變化。 實施例說明

1279454 五、發明說明（8) 本發明之主要論點係關於電化學再生裝置陰極表面上之 多孔性、不導電層。 該陰極較佳全部以該不導電層包覆。設計該層應使電流 能夠通過，即使陰極完全以該不導電層覆蓋。

較佳使用抗酸和/或鹼層，例如由塑料或陶瓷製成。在 本發明一個較佳具體實施例中，該層包括尤其緊固配合陰 極表面之織物’且較佳由該織物組成。在此情況下，電流 能夠通過該層，因為織物之網眼間形成間隙。在本發明另 一具體實施例中，該層具有基本上或完全通過該層延伸之 亡孔，以保證導電性，但該層不由織物製成，而為完全覆 蓋陰極體的相當稠密材料。 好:!層可f其包括選自包含聚浠烴和聚全自代烯烴之群之 (ρρ ’ = ί該材料組成，尤其由選自包含聚丙烯 (ΡΡ)、同岔度聚乙烯（HDPE)及聚四氟乙烯之 成。基本上由聚四氟乙烯製成之網紗層尤佳， Λ 至1 00微米網眼大小。使用多孔性H DPE更一且其具有70

亦可使用多孔性陶瓷。因此，在本發明音，、、、有益。原則上 中電流能夠經通道流動之材料認作為適:=上應將所有其 由於具高於+IV氧化數（即，Μη04-，Mn〇2-(成多孔層。 + V氧化數錳之錳種類在陰極發生電化學^ 之錳種類和具 不溶性包覆層，該包覆層為不溶性，且至=，在陰極生成 + IV氧化數之錳，並被吸附在陰極表面上。夕主要包含具 和不導電層以及不導電層孔和織物空間之如，果陰極表面 充，則該包覆層與多孔性不導電層一起:，有必要填 〜氣化錳包覆層

第12頁 1279454 五、發明說明（9) 形成結合包覆層。在此情況下應懂得，二氧化物受均相溶 液或異相中電化學反應和氧化還原反應生成之反應產物限 定。該物質可能為軟錳磺物，亦可為任何二氧化錳礦物。 含此錳種類之陰極亦包括在本發明範圍内。 複合包覆層包括孔性、不溶且不導電層以及該不導電層 間隙和微孔内形成的包覆層。該複合包覆層為導電性。該 導電性可歸因於不導電層内微孔和間隙及包覆層内微孔， 亦可歸因於不導電層内微孔和間隙以及包覆層自身的一定 導電性。包覆層之導電性可歸因於二氧化錳之非化學計量 組合物，該組合物可由下式描述，如Μ η 02_x，X為0和1間之 數字。 ‘因此沒有必要給陰極表面留下部分開口，如曰本專利申 請案第6 - 3 0 6 6 6 8 A號所揭示。在此情況下，陰極棒僅部分 由不導電材料覆蓋。此時，主電流通過:游離於該不導電層 之陰極表面區域驅動。 該陰極體具有導電性表面，且較佳由金屬組成。在本發 明一個尤佳具體實施例中，陰極體用銅或亦耐熱鹼性高錳 酸鹽蝕刻溶液之特種不銹鋼製成。例如可使用V 4 A不銹 鋼。較佳將不鎮鋼佈於銅上，由於用銅製成之陰極體在清 洗再生室時須從再生裝置拆下，因為若銅材料陽極性極 化，則顯示不良而才性。 依據使用類型，可將層安置到陰極體，或者作為製造材 料沈積，此時則由適宜成膜方法形成孔性層。例如在前者 情形下，首先用層材料製造管，然後才安裝到陰極體。如

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五、發明說明（10) 必要，可選擇能夠收縮到陰極體上之管用材料。在後_替 代性情況下，則使原料粉末沈積於陰極體，隨後熔結，在

此方法下形成孔性層。以此方法亦可製造由（例如）陶竟擊 成之多孔層。 T 其後，使具該不 性高錳酸鹽溶液接 猛酸鹽#刻溶液相 與餘刻塑料表面所 面之溶液，如果將 蝕刻溶液，則在開 再生高錳酸鹽蝕刻 (expanded metal) 為產生二氧化鐘 產生於陰極表面之 内。例如，為此目 定初始低電流。在 一氧化猛屑一般形 生裝置期間，陰極 較佳將陰極做成 較佳將陽極設計成 心。圓筒亦較佳由 在陰極和陽極表面 間之空間内有對稱 電化學反應，以調 導電層之陰極體和陽 觸。為此，該南猛酸 同。產生二氧化猛包 用條件相同。為再生 具有多孔層之陰極體 始電流流動時亦生成 溶液情況下，亦可用 作為陽極。 包覆層，電流一般以 方式產生於由陰極和 的，以直流對陰極和 接通增加電流時，電 成速度。令人驚謌的 表面上不沈積二氧化 棒，尤其用金屬製成 穿孔圓筒，陰極呈軸 金屬組成，尤其用鋼 產生均勻電流密度分 電場。因此，可在電 郎装置中規定條件。 極與含猛酸鹽之驗 鹽溶液可與一般高 覆層所用條件亦可 該用於I虫刻塑料表 直接用於高錳酸鹽 一氧化猛包覆層。 由鋼製網形鐵金屬 使二氧化鍾包覆層 陽極形成之電路 陽極供電。較佳設 流逐漸增加到取得 是，在正常操作再 猛〇 ，較佳用鋼製造。 對稱佈置於陽極中 製造。由此佈置， 布，因為兩個電極 極表面再現性建立

第14頁 1279454 五、發明說明（11) ---- « 陽極尤其可用多孔金屬（eXpanded metal)製造。可很容 易製造此等陽極實施例。可首選用V4A鋼作為陽極材料' 為使陰極產生二氧化錳很少，較佳將陽極之幾何面積對 陰極之幾何面積之比設置為至少3 : 1數值。最佳設置可為 為進行電化學再生，將陰極電流密度設置在2 5至25〇安 培/分米2範圍内。如果將陰極體設計成具約丨5毫米直徑

棒，並浸入高錳酸鹽溶液約45厘米，在陰極將產生約5二〇安 培至約5 0 0安培總電流。 可將包含本發明陰極和陽極之再生裝置納入單獨容器， =錳酸，蝕刻溶液係藉助泵送裝置經液體輸導管線輸入钱 ς器，溶液自該容器經其它液體輸導管線被送回處理容 ;收^者將再生裝置整合入處理容器。如果可利用足夠空 置整合入處理容器，後-選擇性方法更為有益，因 二& Γ理塑料部件所用容器中，處理溶液可簡單由對流達 , 衣置。另外，無需額外泵和液體輸導管線。由於用 5明之再生裝置比用習知裝置得到更高電化學反應效

=斤：前者可以比習知裳置更小尺寸實現。因此，相省 了此在處理容器中佈置再生裴置。 在陰極和陽極間不句今 ^ 门不包3隔臊之具體實施例比包含之具磨 只％例更有幫助，俞去$且 小雷墊化Γ::， 產生問題，因為裝置中產生彰 罟^ , 千谓祀廣則上亦可用隔膜裝配再生裝 置’使陰極室自陽極室分離。 較佳在正用於處理印刷電路板的高猛酸鹽餘刻設備中矛

1279454 五、發明說明（12) 用再生裝置。如果在其中以水平運輸路徑運輸印刷電路板 並由之與高錳酸鹽蝕刻溶液接觸之所謂水平設備中使用再 生裝置，則顯得尤為有利。此時，較佳以水平排列或垂直 排列輸送印刷電路板。此等組合優勢產生於每單位時間處 理大塑料表面這一事實，因為此等水平設備產量相當大。 因此，該再生裝置應該具有高效率。 為更清楚描述本發明，現介紹以下各圖，以說明本發明 之較佳具體實施例： 圖1 :再生裝置中陽極/陰極偶合對之示意圖； 圖2 :通過第一具體實施例中本發明陰極之橫截面； 圖3 :通過第二具體實施例中本發明陰極之橫截面。 圖1中顯示再生裝置之示意圖。該裝置可用於（例如）印 刷電路板所用處理容器。 該裝置包括由多處V4A鋼金屬製成之陽極1及本發明之陰 極2。該陽極1具有圓筒形狀。陰極2亦由V4A鋼組成，並被 設計為棒。由於陽極1用多孔金屬製成，所以能夠產生使 處理液體通過陽極1穿孔之對流通道。因此，液體連續在 裝置内部區域中陽極1和陰極2之間交換和更新。陰極棒2 在陽極1内係以對陽極圓筒呈軸對稱之方式佈置。 為操作該再生裝置使陰極2陰極極化，使陽極1陽極極 化。 本發明陰極2之第一具體實施例以橫截面顯示於圖2中， 該陰極2包括具層7之陰極體3，此時該層7由具垂直網眼4 和水平網眼5之織物組成。該織物係作為管安裝到陰極體

O:\71\71175.ptd 第16頁 1279454 五、發明說明（13) 3。例如可利用由聚四氟乙烯[如，杜邦，耐默斯公司 (DuPont de Nemours, Inc.)之TEFLON(商標）]製成之織 物。二氧化锰包覆層6係在驗性高猛酸鹽溶液中通過電化 學還原反應於網眼4，5之間產生。 為產生該層，使陰極2 (約1 5毫米直徑棒，浸入高餘酸_ 溶液深度約4 5厘米）與具以下組分之高錳酸鹽蝕刻溶液於ι 8 0 °C溫度接觸： 65 克/ 升 KMn04

50 克/ 升 NaOH 溶於 水 反應發生於圖1所示之再生裝置中。隨後對電極施加電 壓，使陽極1和陰極2間流動5安培電流（約2伏特電壓）。由 於電流流動，織物網眼4、5之間生成初始二氧化猛包覆> 6。約2 0分鐘後，陰極2表面之電流密度增至約1 〇安培（約^ 伏特電壓）。在分別進一步進行2 0分鐘後，施加約2 〇安培 (3. 5伏特電壓）、約50安培（約4· 5伏特電壓）、約80安培° (約5伏特電壓）及最終約100安培（約5.4伏特電壓）之電° 流。隨後電流保持恒定。處理完成後，陰極體3上形成牢 固吸附二氧化猛包覆層。 如果藉助根據德國標準DIN 471之西格（Seeger)圓夾環 或不銹鋼夾將不導電織物製成之層固定到陰極體3，則可 在高錳酸鹽溶液中用所示方法更快形成陰極2。如果形成 步驟期間初始施加太高電流密度，則電流密度在1至5秒内 減至幾乎為0，或者電壓很陡上升，以致得到不容許電壓

O:\71\71175.ptd 第17頁 1279454 五、發明說明（14) 值（自8伏特開始不鎊鋼電性溶解）。 所述形成方法僅用陰極2進行一次。隨後以任何方式用 忒陰極2再生咼锰酸鹽溶液。即使在長時操作中， 可應用標稱電流。 μ ’亦 根據本發明陰極2之進一步具體實施例以橫截面顯示於 圖3中。此時，陰極2具有牢固附著陰極體3之陶瓷8之多孔 層7。 在此情況下，由於處理具層7之陰極體3(在對圖2險極2 所給相同條件下產生），陶兗8之層孔内產生二氧化： 層6。 ' 如果使用圖2和圖3所示陰極2之具體實施例，可 前述有益性能之再生裝置。 〃 以下給出一個實例和比較性實例： 實例 為製造具15毫米直徑和用V4A製成之棒形陰極體， 詹具70微米網眼大小之TEFL0N(商標）織物包覆施拔早 (Stahl)。藉助線環分別以2厘米間距將包覆層固定到陰極 體。線之直徑為0. 6毫米。如上所述，由漸烊 此方法製備之陰極體，陰極體上產生二氧化：包"’覆層/ 將所形成陰極浸入具350升體積之高錳酸鹽溶液。咳 示再生装^中 具120笔米直徑之陽極内’該陽極係安置於浴液内， 由V4A鋼之多孔金屬製成之籃形成。為此目的，將陰 配到置入圓筒形陽極内室之載體上（未顯示），使之=對陽'<'極

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Claims (1)

1279454矣·-4 二寒 六 申請專利範圍 0111957 95. 千 f-i V)'a ^ '廉瓜 m 7〇 1. 一種用於電化學佈置再生高錳酸鹽蝕刻溶液之陰 極，其中該陰極（2)之表面上具有包含多孔性、不導電層 (7，8)及含有具+ IV氧化數猛之包覆層（6)之複合包覆層。 2. 根據申請專利範圍第1項之陰極，其中該陰極（2 )係 以不導電層（7)完全包覆。 3. 根據申請專利範圍第1及2項中任一項之陰極，其中 該層（7 )包括对酸和/或驗之塑料材料。 4. 根據申請專利範圍第1及2項中任一項之陰極，其中 該層（7)包括緊固密合陰極（2)之織物（4、5)。 5. 根據申請專利範圍第1及2項中任一項之陰極，其中 該層（7 )包括一種選自包含聚烯烴和聚全i代烯烴所組成 之群之材料。 6. 根據申請專利範圍第1及2項中任一項之陰極，其中 該層（7)由一種選自包含聚丙烯、高密度聚乙烯及聚四氟 乙稀之群之材料組成。 7. 根據申請專利範圍第1及2項中任一項之陰極，其中 該陰極（2 )係形成一棒。 8. 一種製造用於佈置電化學再生高錳酸鹽蝕刻溶液之 陰極之方法，其中 a. 對陰極體（3)提供以多孔性、不導電層（7); b. 使具層（7 )之陰極體（3 )與含錳酸鹽之鹼性高錳酸 鹽溶液接觸； c. 使陽極（1 )與含錳酸鹽之鹼性高錳酸鹽溶液接觸； 及

O:\71\71175-950906.ptc 第21頁 1279454 _案號90Π1957_年月曰 修正_ 六、申請專利範圍 d . 藉助電流源使由陰極（2 )和陽極（1 )形成之電流環 路中以此種方式產生電流；不溶層（6 )形成於陰極（2 )之表 面上，該層（6 )至少主要包含具+ I V氧化數之錳。 9. 根據申請專利範圍第8項之方法，其中在進行方法步 驟d.時設置初始低電流，然後使電流進一步逐漸增加。 10. —種用於電化學再生高錳酸鹽蝕刻溶液之裝置，其 包括 a . 至少一個陽極（1 ); b. 至少一個根據申請專利範圍第1至7項中任一項之 陰極（2 ); c. 一種用於該至少一個陽極（1 )和至少一個陰極（2 ) 之電流源；以及 d · 介於該電流源（一方面）和該至少一個陽極（1 )及至 少一個陰極（2 )(另一方面）間之導電線路。 11. 根據申請專利範圍第1 0項之裝置，其中該至少一個 陰極（2 )係形成一棒，該至少一個陽極（1 )係形成為多孔圓 筒，各陰極（2 )係軸對稱佈置於至少一個陽極（1 )之中心區 域。 12. 根據申請專利範圍第1 0及1 1項中任一項之裝置，其 中該至少一個陽極（1)由網形金屬（expanded metal)組 成。 13. 根據申請專利範圍第1 0及1 1項中任一項之裝置，其 中該至少一個陽極（1 )之幾何面積對該至少一個陰極（2 )之 幾何面積之比為至少3 : 1。

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