JP4912985B2 - エッチング処理方法 - Google Patents
エッチング処理方法 Download PDFInfo
- Publication number
- JP4912985B2 JP4912985B2 JP2007219792A JP2007219792A JP4912985B2 JP 4912985 B2 JP4912985 B2 JP 4912985B2 JP 2007219792 A JP2007219792 A JP 2007219792A JP 2007219792 A JP2007219792 A JP 2007219792A JP 4912985 B2 JP4912985 B2 JP 4912985B2
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- etching
- desmear
- liquid
- solution
- desmear liquid
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Expired - Fee Related
Links
Classifications
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/22—Secondary treatment of printed circuits
- H05K3/26—Cleaning or polishing of the conductive pattern
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
- H05K3/381—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal by special treatment of the substrate
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/10—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern
- H05K3/18—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits in which conductive material is applied to the insulating support in such a manner as to form the desired conductive pattern using precipitation techniques to apply the conductive material
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K3/00—Apparatus or processes for manufacturing printed circuits
- H05K3/38—Improvement of the adhesion between the insulating substrate and the metal
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
- H05K2203/0779—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing characterised by the specific liquids involved
- H05K2203/0786—Using an aqueous solution, e.g. for cleaning or during drilling of holes
- H05K2203/0793—Aqueous alkaline solution, e.g. for cleaning or etching
-
- H—ELECTRICITY
- H05—ELECTRIC TECHNIQUES NOT OTHERWISE PROVIDED FOR
- H05K—PRINTED CIRCUITS; CASINGS OR CONSTRUCTIONAL DETAILS OF ELECTRIC APPARATUS; MANUFACTURE OF ASSEMBLAGES OF ELECTRICAL COMPONENTS
- H05K2203/00—Indexing scheme relating to apparatus or processes for manufacturing printed circuits covered by H05K3/00
- H05K2203/07—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing
- H05K2203/0779—Treatments involving liquids, e.g. plating, rinsing characterised by the specific liquids involved
- H05K2203/0786—Using an aqueous solution, e.g. for cleaning or during drilling of holes
- H05K2203/0796—Oxidant in aqueous solution, e.g. permanganate
Landscapes
- Engineering & Computer Science (AREA)
- Manufacturing & Machinery (AREA)
- Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
- Manufacturing Of Printed Wiring (AREA)
- Treatments Of Macromolecular Shaped Articles (AREA)
- ing And Chemical Polishing (AREA)
Description
かかる粗面化は、通常、アルカリ過マンガン酸エッチング液から成るデスミア液に樹脂部材を浸漬して、樹脂部材の表面にエッチング処理を施して行う。
この様にして粗面化した樹脂部材と銅めっきで形成した銅膜のピール強度とは、樹脂部材の表面の凹凸程度が関係する。かかる樹脂部材の表面の凹凸程度は、エッチング処理中にチェック困難であるため、通常、デスミア液のエッチング速度に応じたエッチング処理時間で管理している。このため、デスミア液としては、適度なエッチング速度が必要である。
ところで、樹脂部材をデスミア液に浸漬するエッチング処理を何回が施すと、下記特許文献1に記載されている如く、デスミア液中に炭酸イオンが蓄積される。この様に、炭酸イオンが蓄積されたデスミア液では、そのエッチング速度が促進され、適度なエッチング速度の範囲を越え、樹脂部材の表面に形成する凹凸程度を制御できなくなる。このため、所定の炭酸イオンが蓄積されたデスミア液は廃棄される。
廃棄されたデスミア液は、下記特許文献1で提案されている様に、デスミア液に塩化バリウムを添加して、デスミア液中の炭酸イオンを難溶性の炭酸バリウムにして限外濾過して除去し、再使用が図られている。
しかし、デスミア液の入替作業中は、エッチング工程を停止しなくてはならず、デスミア液の液寿命を可及的に延長できれば、エッチング工程の稼働効率を向上できる。
また、所定のエッチング速度のデスミア液であっても、浸漬され樹脂部材の表面に形成する凹凸程度を調整すべく、樹脂部材をデスミア液に浸漬する浸漬時間を調整することは、エッチング工程の管理を煩雑化し、且つエッチング工程の前工程及び後工程での管理も複雑化する。
そこで、本発明では、樹脂部材の表面に形成する凹凸程度を調整するには、デスミア液に浸漬する樹脂部材の浸漬時間を調整しなくてはならず、且つデスミア液の液寿命が短い従来のエッチング処理方法の課題を解決し、デスミア液に浸漬する樹脂部材の浸漬時間が一定時間であっても、樹脂部材の表面に形成する凹凸程度を容易に調整でき、且つデスミア液の液寿命を延長できるエッチング処理方法を提供することを目的とする。
しかしながら、デスミア液に塩化バリウムを添加して炭酸イオンを除去しても、デスミア液中に生成して沈殿した炭酸バリウムを除去しなかった場合、エッチング速度は殆ど低下しないことが判明した。
本発明者は更に検討したところ、水酸化カルシウム[Ca(OH)2]を炭酸イオンが蓄積したデスミア液に添加すると、生成した炭酸カルシウムを除去しなくてもデスミア液のエッチング速度が抑制されることを知った。
また、本発明者は、デスミア液のエッチング速度を向上すべく、過マンガン酸化合物の添加量を多くしたところ、デスミア液のエッチング速度は向上されたものの、樹脂部材の表面に形成された凹凸が粗くなることを知った。
このため、本発明者は、過マンガン酸化合物の添加量を増やすことなくエッチング速度を向上でき且つ樹脂部材の表面に微細な凹凸を形成できるデスミア液について検討を重ねたところ、炭酸ナトリウム(Na2CO3)を添加したデスミア液によれば、樹脂部材のエッチング速度が促進され、且つ樹脂表面に微細な凹凸を形成できることを見出し、本発明に到達した。
このため、樹脂部材の表面に形成する凹凸程度を変更する際にも、予め定められた所定のエッチング処理時間内に所望サイズの凹凸が樹脂部材の表面に形成されるように、促進剤又は抑制剤をデスミア液に添加してエッチング速度を調整できる。その結果、デスミア液に樹脂部材を浸漬するエッチング処理時間を変更することなく所望サイズの凹凸を樹脂部材の表面に形成できる。
また、エッチング処理を繰り返して行い炭酸イオンが蓄積されてエッチング速度が促進され、樹脂部材の表面に形成する凹凸程度を制御できなくなったデスミア液であっても、抑制剤を添加することによってエッチング速度を抑制できる。その結果、デスミア液の寿命を延長でき、エッチング工程の稼働効率を向上できる。
本発明では、かかるデスミア液の樹脂部材を形成する樹脂に対するエッチング速度を、エッチング速度を促進する促進剤とエッチング速度を抑制する抑制剤との少なくとも一方を用いて調整する。
この促進剤としては、デスミア液中で溶解して炭酸イオン(CO3 2−)を生成する炭酸化合物、特に炭酸ナトリウム(Na2CO3)を好適に用いることができる。
また、抑制剤としては、デスミア液中で溶解してカルシウムイオン(Ca2+)を生成するカルシウム化合物、特に水酸化カルシウム[Ca(OH)2]を好適に用いることができる。
かかるエッチング処理を樹脂部材に施す際に、エッチング速度を促進したい場合としては、例えば所定のエッチング速度のデスミア液であっても、樹脂部材の表面に形成する凹凸程度を、エッチング処理時間を延長することなく大きくしたい場合である。
この場合、デスミア液中で溶解して炭酸イオン(CO3 2−)を生成する炭酸化合物、例えば炭酸ナトリウム(Na2CO3)をデスミア液に添加することによって、デスミア液のエッチング速度を促進できる。このため、エッチング処理時間を延長することなく樹脂部材の表面に形成する凹凸程度を大きくできる。
また、この様に、エッチング速度が促進されたデスミア液を、促進剤としての炭酸ナトリウム(Na2CO3)添加前のエッチング速度に戻したい場合には、エッチング速度を抑制する抑制剤として、デスミア液中で溶解してカルシウムイオン(Ca2+)を生成するカルシウム化合物、例えば水酸化カルシウム[Ca(OH)2]をデスミア液に添加することによって、デスミア液のエッチング速度を元の水準に戻すことができる。このため、デスミア液を入れ替えることなくエッチング処理を樹脂部材に施すことができる。
更に、炭酸イオン(CO3 2−)が蓄積してエッチング速度が制御できない程度に促進され廃棄されるデスミア液にも、デスミア液中で溶解してカルシウムイオン(Ca2+)を生成するカルシウム化合物、例えば水酸化カルシウム[Ca(OH)2]を添加することによって、デスミア液のエッチング速度を制御できる水準に戻すことができる。このため、デスミア液の寿命を延長できる。
このエッチング処理では、過マンガン酸ナトリウムを65g/Lの割合で溶解した水溶液に水酸化ナトリウムを39g/L添加して得たアルカリ過マンガン酸液を80℃に維持したデスミア液に、アルカリ膨潤処理した樹脂基板を20分間浸漬した。
かかるエッチング処理を施した樹脂基板は、デスミア液から取り出して水洗し、過マンガン酸の中和処理を施した後、更に水洗・室温乾燥を施した。
その後、樹脂基板を120℃で5分間の乾燥を施した後、重量を測定してエッチング処理後重量とした。
このエッチング処理後の重量とアルカリ膨潤処理前に樹脂基板の重量を測定した処理前の重量との差分をエッチング処理重量とした。このエッチング処理重量を樹脂基板の表面積200cm2当たりに換算して、エッチング量(mg/200cm2)として表した。
かかるエッチング量は、デスミア液に何等添加しなかった場合には、42.0mg/200cm2であった。
図1から明らかな様に、デスミア液に添加する炭酸ナトリウムの添加量が増加するに従ってエッチング量は増加する。このエッチング量をエッチング速度に換算した結果を図2に示す。図2では、横軸に添加した炭酸ナトリウム量(g/L)を示し、縦軸にエッチング速度(mg/min・200cm2)を示す。
図2で示す様に、デスミア液に添加する炭酸ナトリウムの添加量が増加するに従ってエッチング速度は増加する。従って、炭酸ナトリウムは、デスミア液のエッチング速度を促進する促進剤である。
この様に、炭酸ナトリウムの添加によってエッチング速度が増加するため、所定量の炭酸ナトリウムをデスミア液に添加することによって、エッチング処理時間を一定に保持しつつ、樹脂基板の表面に形成する凹凸を大きくできる。
更に、図3に示すエッチング量をエッチング速度に換算した結果を図4に示す。図4では、横軸に添加した水酸化カルシウムをカルシウム(Ca)濃度(ppm)に換算して示し、縦軸にエッチング速度(mg/min・200cm2)を示す。
図3及び図4に示す水酸化カルシウムが無添加のデスミア液(Ca濃度が0の水準)では、そのエッチング量及びエッチング速度から、図1及び図2に示す炭酸ナトリウムを120g/L添加したデスミア液の水準と略等しい。
かかるデスミア液に水酸化カルシウムを添加することによりエッチング速度は低下する。具体的には、水酸化カルシウムをカルシウム(Ca)濃度で4ppm添加すると、エッチング量は17.2mg/200cm2減少する。従って、水酸化カルシウムはデスミア液のエッチング速度を抑制する抑制剤である。
この様に、水酸化カルシウムの添加によってエッチング速度が抑制されるため、炭酸イオンが蓄積しエッチング速度が制御できない水準に到達し廃棄処分されるデスミア液でも、水酸化カルシウムを添加してエッチング速度を制御できる水準に戻すことができる。このため、デスミア液の寿命を延長できる。
また、実施例1で用いたアルカリ過マンガン酸液から成るデスミア液に、水酸化カルシウムをカルシウム(Ca)濃度で8.6ppm添加してエッチング処理を施した樹脂基板の表面状態についての倍率5000倍のSEM写真を図5(b)に示し、水酸化カルシウムをカルシウム(Ca)濃度で31ppm添加してエッチング処理を施した樹脂基板の表面状態についての倍率5000倍のSEM写真を図5(c)に示す。
図5(a)に示す樹脂基板の表面状態に対して、デスミア液にエッチング速度を抑制する抑制剤としての水酸化カルシウムを添加したデスミア液に浸漬してエッチング処理を施した樹脂基板の表面状態は、その凹凸程度が水酸化カルシウムの添加量の増加に伴って抑制される。
従って、添加する水酸化カルシウムの添加量を調整してデスミア液のエッチング速度を制御することによって、樹脂基板の表面の凹凸程度も調整できる。
この銅めっきは、エッチング処理後にデスミア液から取り出した樹脂基板に、水洗、過マンガン酸の中和処理、水洗・室温乾燥を施した後、無電解銅めっきによって形成した無電解銅めっき膜を給電層する電解銅めっきによって厚さ35μmの銅めっき膜を形成した。
水酸化カルシウムが無添加のデスミア液を用いてエッチング処理を施した樹脂基板の表面粗さは0.4μmであり、銅めっき膜のピール強度は1kgf/cmであった。
また、水酸化カルシウムを3.8ppm添加したデスミア液を用いてエッチング処理を施した樹脂基板の表面粗さは0.37μmであり、銅めっき膜のピール強度は0.9kgf/cmであった。
ところで、図3及び図4に示す様に、デスミア液中のカルシウム濃度が0〜8.6ppmの範囲では、エッチング量及びエッチング速度が直線的に低下している。このため、銅めっき膜のピール強度も、デスミア液中のカルシウム濃度が0〜8.6ppmの範囲では直線的に低下するもとの仮定して、デスミア液中のカルシウム濃度が0と3.8ppmとの結果から推定すると、デスミア液中のカルシウム濃度が8ppmでは、銅めっき膜のピール強度は0.8kgf/cmと推定される。
尚、配線基板分野において、銅めっき膜のピール強度について、0.8kgf/cm以上が要求されている。
先ず、実施例1で用いたアルカリ過マンガン酸液から成るデスミア液に、一辺が5cmの正方形の樹脂基板(表面積が50cm2)を20分間のエッチング処理を施して、実施例1と同様にしてエッチング量を測定したところ、図6に示す様に、60.8mg/200cm2のエッチング量であった。
かかるデスミア液に炭酸ナトリウムを40g/L添加した後、同様に、一辺が5cmの正方形の樹脂基板(表面積が50cm2)に20分間のエッチング処理を施してエッチング量を測定したところ、図6に示す様に、エッチング量が76.4mg/200cm2と、炭酸ナトリウム添加前のデスミア液よりエッチング量が増加(エッチング速度が促進)されている。
このエッチング速度が促進されたデスミア液に、水酸化カルシウムをCa濃度換算で4.3ppmとなるように添加すると、図6に示す様に、樹脂基板(表面積が50cm2)のエッチング量は69.2mg/200cm2とエッチング量が抑制(エッチング速度が抑制)されている。
更に、かかるデスミア液に、水酸化カルシウムをCa濃度換算で8.6ppmとなるように添加すると、図6に示す様に、樹脂基板(表面積が50cm2)のエッチング量は54.8mg/200cm2とエッチング量が更に抑制(エッチング速度が更に抑制)されている。
この様に、デスミア液に炭酸ナトリウムの添加によって、デスミア液の樹脂基板に対するエッチング速度を増加できる。また、かかる炭酸ナトリウムの添加によってエッチング速度が増加されたデスミア液に、水酸化カルシウムの添加によってエッチング速度を減少できる。
従って、デスミア液に炭酸ナトリウムと水酸化カルシウムとを添加し、デスミア液のエッチング速度を所望の範囲に調整できる。
更に、デスミア液に添加する塩化バリウム量を変更して、同様にして、樹脂基板(表面積が50cm2)のエッチング量を測定し、その結果を図7に示す。
図7から明らかな如く、デスミア液に塩化バリウムを添加して炭酸イオンを除去しても、生成する炭酸バリウム等の沈殿物を除去しない場合には、樹脂基板のエッチング量は塩化バリウムを添加しない水準と殆ど同一であった。
尚、図7に示す様に、エッチング処理を施した樹脂基板の表面粗さも、各水準とも殆ど同一であった。
Claims (1)
- 過マンガン酸ナトリウムまたは過マンガン酸カリウムを水酸化ナトリウムで強アルカリにした水溶液から成るデスミア液を用いてエポキシ系有機樹脂から成る樹脂部材にエッチング処理を施す際に、
前記デスミア液のエッチング速度を促進する促進剤として前記デスミア液中で溶解して炭酸イオンを生成する炭酸ナトリウムと、前記エッチング速度を抑制する抑制剤として前記デスミア液中で溶解してカルシウムイオンを生成する水酸化カルシウムとを用いて、
前記促進剤および前記抑制剤を添加して前記エッチング速度を調整した75℃〜85℃の前記デスミア液に、前記樹脂部材を浸漬してエッチング処理することを特徴とするエッチング処理方法。
Priority Applications (5)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007219792A JP4912985B2 (ja) | 2007-08-27 | 2007-08-27 | エッチング処理方法 |
| KR1020080081787A KR20090023131A (ko) | 2007-08-27 | 2008-08-21 | 에칭 처리 방법 |
| US12/196,467 US8257604B2 (en) | 2007-08-27 | 2008-08-22 | Etching processing method |
| TW097132484A TW200913823A (en) | 2007-08-27 | 2008-08-26 | Etching processing method |
| CNA2008101467171A CN101378631A (zh) | 2007-08-27 | 2008-08-27 | 蚀刻处理方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP2007219792A JP4912985B2 (ja) | 2007-08-27 | 2007-08-27 | エッチング処理方法 |
Publications (3)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JP2009054774A JP2009054774A (ja) | 2009-03-12 |
| JP2009054774A5 JP2009054774A5 (ja) | 2010-06-17 |
| JP4912985B2 true JP4912985B2 (ja) | 2012-04-11 |
Family
ID=40405759
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP2007219792A Expired - Fee Related JP4912985B2 (ja) | 2007-08-27 | 2007-08-27 | エッチング処理方法 |
Country Status (5)
| Country | Link |
|---|---|
| US (1) | US8257604B2 (ja) |
| JP (1) | JP4912985B2 (ja) |
| KR (1) | KR20090023131A (ja) |
| CN (1) | CN101378631A (ja) |
| TW (1) | TW200913823A (ja) |
Families Citing this family (2)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| JP2011082374A (ja) * | 2009-10-08 | 2011-04-21 | C Uyemura & Co Ltd | 中和還元剤及びデスミア方法 |
| KR102360293B1 (ko) * | 2020-02-12 | 2022-02-10 | 대덕전자 주식회사 | 디스미어 공정 알칼리 관리방법 |
Family Cites Families (15)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| US4073740A (en) * | 1975-06-18 | 1978-02-14 | Kollmorgen Technologies Corporation | Composition for the activation of resinous bodies for adherent metallization |
| US4948630A (en) * | 1984-06-07 | 1990-08-14 | Enthone, Inc. | Three step process for treating plastics with alkaline permanganate solutions |
| US4698124A (en) * | 1985-05-31 | 1987-10-06 | Morton Thiokol, Inc. | Method of regenerating permanganate etch bath |
| JPH0683593B2 (ja) * | 1987-08-14 | 1994-10-19 | 株式会社日立製作所 | 発電電動装置及び制御方法 |
| US4911802A (en) * | 1988-03-09 | 1990-03-27 | Macdermid, Incorporated | Conversion of manganate to permanganate |
| DE3823137C2 (de) * | 1988-07-05 | 1993-12-02 | Schering Ag | Verfahren zur Ätzung von Epoxid-Harz |
| JP2742178B2 (ja) * | 1992-06-23 | 1998-04-22 | 富山日本電気株式会社 | アルカリ過マンガン酸デスミアプロセスのエッチング浴の管理方法 |
| JP3709287B2 (ja) * | 1998-06-23 | 2005-10-26 | 株式会社日立コミュニケーションテクノロジー | 樹脂のエッチング方法、エッチング装置およびプリント基板 |
| US6139762A (en) * | 1998-12-11 | 2000-10-31 | Shipley Company, L.L.C. | Methods for manufacture of electronic devices |
| JP2001156428A (ja) * | 1999-11-26 | 2001-06-08 | Hitachi Ltd | エッチング処理装置及びエッチング処理方法 |
| JP2001249121A (ja) * | 2000-03-06 | 2001-09-14 | Hitachi Ltd | アルカリ性過マンガン酸塩浴中の水酸化物イオン濃度管理方法及び水酸化物イオンの濃度分析装置 |
| US6454868B1 (en) * | 2000-04-17 | 2002-09-24 | Electrochemicals Inc. | Permanganate desmear process for printed wiring boards |
| DE10025551C2 (de) * | 2000-05-19 | 2002-04-18 | Atotech Deutschland Gmbh | Kathode für die elektrochemische Regenerierung von Permanganat-Ätzlösungen, Verfahren zu deren Herstellung sowie elektrochemische Regeneriervorrichtung |
| EP1657324B1 (en) * | 2004-11-10 | 2007-10-31 | ATOTECH Deutschland GmbH | Method for metallizing insulating substrates wherein the roughening and etching processes are controlled by means of gloss measurement |
| US7695638B2 (en) * | 2006-11-24 | 2010-04-13 | Shinko Electric Industries Co., Ltd. | Regeneration process of alkaline permanganate etching solution and unit therefor |
-
2007
- 2007-08-27 JP JP2007219792A patent/JP4912985B2/ja not_active Expired - Fee Related
-
2008
- 2008-08-21 KR KR1020080081787A patent/KR20090023131A/ko not_active Withdrawn
- 2008-08-22 US US12/196,467 patent/US8257604B2/en not_active Expired - Fee Related
- 2008-08-26 TW TW097132484A patent/TW200913823A/zh unknown
- 2008-08-27 CN CNA2008101467171A patent/CN101378631A/zh active Pending
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| CN101378631A (zh) | 2009-03-04 |
| KR20090023131A (ko) | 2009-03-04 |
| TW200913823A (en) | 2009-03-16 |
| JP2009054774A (ja) | 2009-03-12 |
| US20090057270A1 (en) | 2009-03-05 |
| US8257604B2 (en) | 2012-09-04 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6666987B1 (en) | Liquid etchant and method for roughening copper surface | |
| KR102490491B1 (ko) | 조면화 처리 구리박, 동장 적층판 및 프린트 배선판 | |
| TWI627308B (zh) | 銅的微蝕刻劑及配線基板的製造方法 | |
| JP5184699B2 (ja) | 金属表面に耐酸性を付与する組成物及び金属表面の耐酸性を改善する方法 | |
| JP2002047583A (ja) | 銅または銅合金のマイクロエッチング剤およびそれを用いるマイクロエッチング法 | |
| TWI479961B (zh) | 增層層合基板之製造方法 | |
| JPH02236289A (ja) | 銅または銅合金の化学研磨方法 | |
| WO2017068042A1 (en) | Surface treatment agent for copper and copper alloy surfaces and method for treating copper or copper alloy surfaces | |
| JP6164861B2 (ja) | 銅または銅合金用エッチング液およびこれを用いた銅または銅合金のエッチング方法 | |
| CN110997981A (zh) | 铜蚀刻液 | |
| JP4912985B2 (ja) | エッチング処理方法 | |
| JP5330474B2 (ja) | デスミア液及びデスミア処理方法 | |
| US6372055B1 (en) | Method for replenishing baths | |
| US9301399B2 (en) | Method of treating wiring substrate and wiring substrate manufactured by the same | |
| JP5499049B2 (ja) | 金属表面に対する高分子材料の接着性の改善方法 | |
| JP4280171B2 (ja) | 銅及び銅合金の表面粗化処理液 | |
| JP5317099B2 (ja) | 接着層形成液 | |
| CN101736331A (zh) | 粘着层形成液以及粘着层形成方法 | |
| KR20140137909A (ko) | 동박 표면 처리용 에칭 조성물 | |
| JP4918342B2 (ja) | 銅箔の粗面化処理方法 | |
| US6454954B1 (en) | Desmear etchant and use thereof | |
| JP2010196119A (ja) | 金属表面処理剤 | |
| KR100871028B1 (ko) | 인쇄회로기판의 표면처리방법 | |
| JP2016063120A (ja) | 多層プリント配線板の形成方法 | |
| KR20140027633A (ko) | 회로기판의 제조방법 |
Legal Events
| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20100421 |
|
| A621 | Written request for application examination |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A621 Effective date: 20100421 |
|
| A977 | Report on retrieval |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A971007 Effective date: 20111012 |
|
| A131 | Notification of reasons for refusal |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A131 Effective date: 20111025 |
|
| A521 | Written amendment |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A523 Effective date: 20111130 |
|
| TRDD | Decision of grant or rejection written | ||
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 Effective date: 20120110 |
|
| A01 | Written decision to grant a patent or to grant a registration (utility model) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A01 |
|
| A61 | First payment of annual fees (during grant procedure) |
Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: A61 Effective date: 20120118 |
|
| R150 | Certificate of patent or registration of utility model |
Ref document number: 4912985 Country of ref document: JP Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 Free format text: JAPANESE INTERMEDIATE CODE: R150 |
|
| FPAY | Renewal fee payment (event date is renewal date of database) |
Free format text: PAYMENT UNTIL: 20150127 Year of fee payment: 3 |
|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |