TWI277917B - Display device - Google Patents
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Description
(1) 參 1277917 • 九、發明說明 - 【發明所屬之技術領域】 本發明,涉及一種與液晶顯示裝置(L C D ) 示裝置(PDP )、有機或者是無機電激發光顯示 光二極管(LED )顯示裝置、螢光顯示管、電場 示裝置、電泳顯示裝置、電激彩色發光顯示裝置 顯不裝置。 【先前技術】 • 作爲主動矩陣驅動之液晶顯示裝置(LCD ) . 使用薄膜電晶體(T F T )的彩色液晶顯示裝置( 這個彩色液晶顯示裝置(LCD),具有作爲主動 基板的薄膜電晶體基板,與薄膜電晶體基板相對 備共用電極之對向基板,介於兩基板之間的液晶 電晶體基板,具有形成在閘極線及源極線交點近 φ 電晶體、連接於薄膜電晶體的畫素電極。藉由對 電極配置紅(R )、綠(G )、藍(B )之彩色濾 成各色畫素。作爲畫素的配列方法’例_ USP5 1 44288揭載的三角配列。 圖1,係模式顯示具有三角配列(Delta配列 液晶顯示裝置(LCD )的薄膜電晶體基板之平面 膜電晶體基板的顯示部分1中,形成了從閘極驅 長的閘極線4,從源極驅動器3延長的源極線ί 線4和源極線5的交點附近形成了薄膜電晶體ί 、電漿顯 裝置、發 放出型顯 等有關之 ,例舉了 LCD ) 〇 矩陣驅動 配置的具 層。薄膜 旁的薄膜 應各畫素 光板,形 $ 了例如 )畫素之 圖。在薄 動器2延 。在閘極 ,各個薄 -5- (2) 1277917 膜電晶體6與畫素電極7連接。由閘極線4通過被定址的 薄膜電晶體6,將對應各畫素的訊號從源極線5提供給畫 素電極7。由此在畫素電極7和共用電極(未圖示)之間 施加了電壓,控制對應於這個畫素區域的液晶層之光學特 性,進行顯示。 在圖1所示的薄膜電晶體基板中,相對於閘極線4的 行方向上之直線延長,源極線5在列方向上爲蛇行延長。 還有,從同一源極線5提供給訊號的畫素電極7,相對於 源極線5的每一行左右交替,亦係曲折狀配置。 另一方面,以提高畫素開口率爲目的,開發了在源極 線上覆蓋絕緣膜,在這個絕緣膜之上形成畫素電極的高開 口率之液晶顯示裝置(LCD )。但是,如利用於三角配列 的高開口率之液晶顯示裝置(LCD )中,會發生以下所示 之問題。 圖2,係模式顯示圖1所示的三角配列顯示板中源極 線和畫素電極之間的電容之平面圖。如圖2所示,從平面 上看,各畫素7係被行方向相鄰的源極線5所夾。例如, 圖2所示的第1行之綠畫素7G1及第3行之綠畫素7G3, 係被爲向綠畫素7G輸入影像訊號PS的綠畫素用源極線 5G和爲向與綠畫素7G行方向相鄰的藍畫素7B輸入影像 訊號PS的藍畫素用源極線5B所夾。 另一方面,圖2所示的第2行綠畫素7G2及第4行綠 畫素7G4,係被綠畫素用源極線5G和爲向與綠畫素7G行 方向相鄰的紅晝素7R輸入影像訊號PS的紅畫素用源極線 -6 - (3) 1277917 5R所夾。換言之,被綠畫素用源極線5G與藍畫素用源極 線5B所夾之綠畫素7G1、7G3,和被綠畫素用源極線5G 與紅畫素用源極線5R所夾之綠畫素7G2、7G4的每一行 交替排列。亦係在行方向上夾的源極線5與兩種不同類的 綠畫素7G每隔一行交替排列。 圖3,係圖2中以第2行的綠畫素7G2爲中心的畫素 配列之部分擴大圖。圖4,係模式顯示圖3中A-B線之剖 面圖。圖5,係模式顯示圖3中C-D線之剖面圖。如圖4 及圖5所示,因爲畫素電極7和源極線5介於絕緣膜8配 置,就存在寄生電容的源極·汲極間電容。某一個畫素電 極7和向這個畫素電極7輸入影像訊號PS的源極線5( 換言之,驅動這個畫素電極7的源極線5)的寄生電容爲 電容Csdl,某一個畫素電極7和不向這個畫素電極7輸 入影像訊號P S的源極線5 (換言之,不驅動這個畫素電 極7的源極線5 )的寄生電容爲電容Csd2。例如,在紅畫 素用源極線5R和紅畫素7R之間存在電容Csdl,在紅畫 素用源極線5R和藍畫素7B或者綠畫素7G之間存在電容 Csd2。介於這些寄生電容Csdl、Csd2通過源極線5的電 位變動引入畫素電極7之電位。例如,紅畫素用源極線 5R及綠畫素用源極線5G所夾的第2行綠畫素7G2從這些 源極線5R、5G引入電位,綠畫素用源極線5G及藍畫素 用源極線5B所夾的第1行綠畫素7G1從這些源極線5G、 5B引入電位。因此,引入後的畫素電極(例如綠畫素7G )的電位Vpix可用下式顯示。 (4) 1277917
Vpix = VslO + (Csdl/Cpix)xAVsll+(Csd2/Cpix)xAVsl2 {在此,VslO係引入前的電位(爲向綠畫素7G輸入 影像訊號之從源極線5G介由薄膜電晶體施加的電位)、 △ Vsll係爲向綠畫素7G輸入影像訊號的源極線5G的電壓 振幅、AVS12係爲不向綠畫素7G輸入影像訊號的源極線 5R或者5B的電壓振幅、Cpix係加在綠畫素7G上的電容 (寄生電容、輔助電容等)的和。} 圖6 ’係顯示從源極線5向綠畫素7 G的電位引入之 平面圖。圖6中上段的綠畫素7G1從紅畫素用源極線5R 及綠畫素用源極線5 G引入電位,圖6中下段的綠畫素 7 G 2從綠畫素用源極線5 G及藍畫素用源極線5 B引入電位 。因此,上段的綠畫素7G1及下段的綠畫素7G2由綠畫 素用源極線5 G引入之電位相同。但是,從紅畫素用源極 線5 R引入之電位和從藍畫素用源極線5 b引入之電位並不 一定相等’所以,就產生上段的綠畫素7G 1引入電位和下 段的綠畫素7G2引入電位之電位差。亦即,向綠畫素7G 施加的電壓可以每一行不同。這種情況,每一行畫素的亮 度差呈橫紋出現,就得不到均勻的顯示。例如,紅畫素 7 R爲白顯示(最高透過率的狀態),綠畫素7 G爲中間色 調顯示,藍畫素7 B爲黑顯示(最低透過率的狀態)的情 況,可顯見橫紋。 這個現象’不只是綠畫素7G,在紅畫素7R及藍畫素 (5) 1277917 7B上亦產生。還有不只是三角配列,在馬賽克(mosaic) 配列,正方形(s q u a r e )配列亦產生。 【發明內容】 本發明之目的在於:降低橫紋的發生,提高顯示的品 質。例如,綠畫素7G中,藉由紅畫素用源極線5R引入之 電位和由藍畫素用源極線5B引入之電位之間生成的差發 生橫紋。亦係,上述橫紋的發生,係藉由上述之式中第3 項値每一個水平線的都不同之原因。因此,藉由縮小第3 項中的Csd2,第3項的値就會變小,就可以降低橫紋的 出現。 本案發明人等,著眼於儘可能降低畫素電極與未驅動 該畫素電極的源極線之間的寄生電極 Csd2,例如,對於 綠畫素7G,爲紅畫素用源極線5R及藍畫素用源極線5B 的源極·汲極電容Csd2,完成了本裝置。 本發明之顯示裝置,係包括:以蛇行之方式在列的方 向延伸,分別提供給影像訊號的複數訊號線;覆蓋上述複 數訊號線的絕緣膜;在上述絕緣膜上形成的,從上述之複 數訊號線分別輸入上述影像訊號的複數畫素電極之顯示裝 置;列方向相鄰的上述電極間之距離爲上述訊號線的線幅 以上之長度。 圖7,係顯示本發明的顯示裝置中畫素配列之模式平 面圖。圖8,係圖7中A-B線之剖面圖。本發明之顯示裝 置,介於列方向訊號線5的相鄰畫素電極7、7之間的距 -9- (6) 1277917 離D 0爲訊號線5的線幅w以上之長度。 爲了對比說明,顯示了與圖9及圖1 〇之比較例。圖9 ,係比較例的畫素配列之模式平面圖。圖1 〇,係圖9中 A-B線之剖面圖。比較例的顯示裝置,介於列方向訊號線 5的相鄰畫素電極7、7之間的距離d爲訊號線5的線幅w 以下之長度。因此,比較例的顯示裝置,從訊號線5的行 方向延伸部分和畫素電極7、7的平面圖上看具有重疊部 分,由訊號線5引起之電容Csd2就大。 對此,本發明之顯示裝置中,因爲從訊號線5的行方 向延伸部分和畫素電極7、7的平面圖上看沒有重疊部分 ,由訊號線5引起的電容Csd2就小。如參照圖6所說明 的一樣,橫紋係由不同的源極線之間的引入電位差而產生 。因爲引入電位係起因於寄生電容,所以,藉由減小寄生 電容Csd2,可減小引入電位,不同源極線之間的引入電 位的差亦得到減小。因此,可以得到減少了橫紋的良好之 顯示品質。 在較佳之狀態下,上述訊號線,在行方向上,中介著 上述絕緣膜,與從上述訊號線輸入上述影像訊號的第1畫 素電極形成第1電容,並且,還是中介著上述絕緣膜,與 隔著上述訊號線與上述第1畫素電極在行方向上相鄰的第 2畫素電極形成第2電容,第1電容比第2電容大。 或者是,上述訊號線的一部分,在行方向上,與從上 述訊號線輸入上述影像訊號的第1畫素電極在平面上重疊 ,且中介著上述訊號線與第1畫素電極相鄰的第2畫素電 -10- (7) 1277917 極在平面上重疊,上述第1畫素電極和上述訊號線的 區域,比上述第2畫素電極和上述訊號線之重疊區域 積大。 圖Π,係較佳之狀態之顯示裝置中的畫素配列之 平面圖。圖12,係圖1 1中C - D線之剖面圖。較佳之 之顯示裝置,在訊號線的列方向之延長部分和行方向 鄰之兩個畫素電極從平面圖上重疊區域的面積在兩畫 g 極之間不同。如圖1 1及圖12所示,綠畫素用源極| 和從這個源極線5G輸入影像訊號的綠畫素7G之重 域的寬度D 1,比綠畫素用源極線5 G和紅畫素7R之 區域的寬度D2寬。換言之,綠畫素用源極線5 G和 素7G之間的第1電容Csdl,比綠畫素用源極線5G 畫素7R之間的第2電容Csd2大。 如參照圖6說明的一樣,對於在圖6的上段之綠 7G1及下段之綠畫素7G2通過綠畫素用源極線5G引 φ 電位相同,由其他的源極線5R、5B引入之電位不同 此就產生橫紋。如較佳狀態之顯示裝置,藉由其他源 5R、5B引起的電容Csd2小,可以減小其他源極線 5B的引入電位的影響。因此,由圖6上段之綠畫素 和下段之綠畫素7G2引入的電位差更小,可以抑制橫 發生。 在其他較佳狀態之下,平面圖中,上述訊號線的 一部分與從上述訊號線輸入上述影像訊號的第1畫素 重疊,上述訊號線與介於上述訊號線的上述第1畫素 重疊 的面 模式 狀態 上相 素電 \ 5G 疊區 重疊 綠畫 和紅 畫素 入的 ,如 極線 5R、 7G1 紋之 至少 電極 電極 -11 - (8) 1277917 相鄰的第2畫素電極不重疊。如這種狀態,可以進一步減 小第2電容Csd2,亦就可以進一步抑制橫紋之發生。 本發明之顯示裝置,還包括:進行上述畫素電極和上 述訊號線之間的開關控制之開關元件;爲開關控制上述開 關的供給掃描訊號之掃描線亦可。還有,爲形成輔助電容 線亦可。 上述掃描線形成之區域或者是上述輔助電容線之形成 區域,包含列方向相鄰的上述畫素電極間之區域亦可。換 ® 言之,在列方向介於訊號線相鄰的上述畫素電極間的區域 由上述掃描線或者是上述輔助電容線遮光亦可。 還有,包括上述掃描線及上述輔助電容線的任何一個 不同之遮光層亦可。例如,與上述掃描線同層形成的遮光 層、與配線及電極都不接觸的遮光層、與上述掃描線相連 的遮光詹、與上述輔助電容線相連的遮光層均可。 且,本發明申請書中“行方向”及“列方向,,,並不一定 $ 意味著橫方向和縱方向。還有,亦不一定要有相互垂直之 意,而係意味著相互交叉的兩個方向。例如,可以設定對 於行方向傾斜的方向爲列方向。 如本發明,可以降低橫紋之發生,提高顯示品質。 【實施方式】 以下,參照圖示說明本發明之實施方式。在以下之實 施方式中,說明有關液晶顯示裝置(L C D ),但是,本發 明之顯示裝置,不只限於液晶顯示裝置(L C D ),還包括 -12- 1277917 Ο) 有機或者是無機電激發光顯示裝置,電漿顯示裝置(pDp )’發光二極管(LED)顯示裝置,螢光顯示管,電場放 出型顯示裝置,電泳顯示裝置,電激彩色發光顯示裝置等 各種顯示裝置。 且’本說明書所使用之參照符號,總括顯示同族之構 成要素,省略英文字只用數字顯示。例如,用源極線5槪 括顯示紅畫素用源極線5 R、綠畫素用源極線5 g及藍畫素 g 用源極線5 B。 (第一實施例) 實施方式1之液晶顯示裝置(LCD),具有包含薄膜 電晶體基板,與此相對配置的彩色濾光板(CF )基板,被 兩基板所夾的向列相(nematic )液晶材料之液晶層。彩色 濾光板基板,具有紅綠藍三色彩色濾色層,覆蓋彩色濾色 層的由ITO (銦錫氧化物)等形成之共用電極,覆蓋共用 φ 電極之液晶配向膜。且,彩色濾色層亦有形成在薄膜電晶 體基板上的形式。 參照圖1說明本實施方式之薄膜電晶體基板。在薄膜 電晶體基板的顯示部分1上,形成了從閘極驅動器2延伸 之複數閘極線4,從源極驅動器3延伸之複數源極線5。 在複數閘極線4和複數源極線5的各個交點附近,形成了 作爲開關元件之複數薄膜電晶體6,在複數薄膜電晶體6 上連接著畫素電極7。在畫素電極7上形成有由聚醯亞胺 (ρ ο 1 y i m i d e )等製成的液晶配向膜。藉由閘極線4定址的 -13- (10) 1277917 薄膜電晶體6,將從源極線5的對應於各畫素之訊號(影 像訊號)提供給畫素電極7。由此,在畫素電極7和彩色 濾光板基板之間施加了電壓,對應於這個畫素區域的液晶 層之光學特性就被控制,顯示就得以進行。 在本實施方式之液晶顯示裝置(LCD )中,畫素電極 7和共用電極的重疊區域成爲畫素。本說明書中,爲了說 明方便,稱對應於紅綠藍三色彩色濾色層的畫素爲紅畫素 7R、綠畫素7G及藍晝素7B。還有,對應於各色之畫素電 極7亦簡單稱之爲畫素7。例如,對應於綠色的畫素電極 7亦稱爲綠畫素7G。 在圖1的薄膜電晶體基板上,在行方向上紅畫素7R 、綠畫素7G及藍畫素7B週期循環的成直線狀地配列著。 還有在每一行只以1 · 5畫素間距在行方向上偏離配列著同 色畫素7。閘極線4在行方向上直線延伸。對此,源極線 5在蛇行之同時,換言之使其成爲彎曲狀或者是曲線狀在 列方向延伸。由同一源極線5提供給訊號之畫素電極7, 對於源極線5的每一行左右交替,亦係成曲折狀之配置。 圖1 3,係擴大顯示薄膜電晶體基板上的一個畫素的平 面圖。圖14,係圖13中A-B-C線之剖面圖。參照圖13、 圖1 4及圖1 5,說明本實施方式的薄膜電晶體基板的製造 工序之同時,說明薄膜電晶體基板之具體構成。 首先,在玻璃基板1 〇的基板全表面上,由電漿熱解 化學氣相沈積(Chemical Vapor Deposition)法成膜 SiON 膜(厚度lOOnm程度),形成底層膜1 1。在底層膜1 1全 -14- (11) 1277917 表面上,藉由電漿熱解化學氣相沈積法,用乙矽烷( Si2H6 )成膜多晶矽膜(厚度50nm程度)。再由熱處理, 結晶多晶矽膜。其後,由光蝕刻法形成圖案,形成半導體 層1 2。 形成了半導體層12的底層膜11之全表面上,藉由電 漿熱解化學氣相沈積法成膜SiON膜(厚度1 15nm程度) ,形成閘極絕緣膜1 3。在閘極絕緣膜1 3之全表面上,由 p 噴鍍法順次成膜氮化鉅膜(厚度5 0nm程度)及鎢膜(厚 度3 70nm程度)。且,代替氮化钽膜及鎢膜的積層膜,選 用鉅、鎢、鈦、鉬、鋁及銅組成的金屬組中至少一種金屬 ’以從上述金屬組選出的至少一種金屬爲主要成份的合金 材料或者是化合物材料形成單層膜或者是積層膜亦可。 其後’由使用光蝕刻法形成圖案,形成:閘極線4, 閘極電極4a,輔助電容線i 5及如要求形成的遮光層(未 圖示)。且,遮光層與閘極線4、閘極電極4a及輔助電容 φ 線1 5的任何一個接觸(物理接觸)都可,或者是,閘極 線4、閘極電極4 a及輔助電容線1 5的任何一個都不接觸 亦可。在本實施方式中,爲兩個閘極電極4a形成的成對 閘極型’但是,閘極電極4a爲一個亦可。 以閘極電極4a爲遮罩,通過閘極絕緣膜1 3向半導體 層1 2摻入雜質,在對應於閘極電極4a的部分形成通道區 域、其外側的源極電極區域及汲極電極區域。藉由加熱處 理’進行摻雜元素的活化。其後,摻入作爲雜質的磷形成 ^^通道型薄0吴電晶體(TFT) 6,摻入硼形成p通道型薄膜 -15- (12) 1277917 電晶體(TFT ) 6。 在玻璃基板1 〇上,藉由熱解化學氣相沈積法成膜氮 化矽膜及氧化矽膜的二層構造形成的積層膜(厚度爲 9 5 Onm程度),形成層間絕緣膜14。在閘極絕緣膜13及 層間絕緣膜1 4上形成到達半導體層1 2的源極電極區域接 觸孔CH 1的同時,在閘極絕緣膜1 3及層間絕緣膜1 4上形 成到達半導體層1 2的汲極電極區域接觸孔CH2。 _ 在層間絕緣膜1 4的全表面,由濺鍍法順次形成鈦膜 (厚度爲l〇〇nm程度)、鋁膜(厚度爲500nm程度)及 鈦膜(厚度爲lOOnm程度)。其後,藉由光蝕刻法形成圖 案,形成源極線(包含源極電極)5及汲極電極16。藉由 進行加熱處理,進行半導體層12之氫化。這個氫化工序 ,由包含在氮化矽膜等製成的層間絕緣膜1 4中的氫,係 將半導體層12中的矽的不成對電子對(dangling bond) 予以終結的工序。再有,在層間絕緣膜1 4上,塗布膜厚 φ 爲1 · 6 程度的丙烯樹脂等的有機絕緣材料,形成絕緣膜 8 ° 在絕緣膜8上形成到達汲極電極丨6的接觸孔CH3。 在絕緣膜8上,由噴塗法成膜厚度爲100nm的IT0膜後 ,由光鈾刻法形成圖案製成畫素電極7。再有,由印刷法 在畫素電極7及絕緣膜8上形成聚醯亞胺系樹脂薄膜後, 藉由實施摩擦處理形成液晶配向膜。由以上工序,形成本 實施方式的薄膜電晶體基板。 接下來’說明彩色濾光板基板及本實施方式之液晶顯 -16- (13) 1277917 示裝置(LCD )的製造工序。在玻璃基板上塗布鉻(Cr) 或者是黑色遮罩材料,在黃光工序中形成遮光層(厚度爲 10 Onm程度)。就紅綠藍的每一個進行彩色濾色膜的噴塗 、黃光工序形成及燒成所規定的圖案,形成紅綠藍的彩色 濾色層(厚度爲2μηι )。藉由在彩色濾色層上塗布Ιμιη程 度厚的丙烯樹脂,形成外層。在外層上介於遮罩成膜ΙΤΟ 膜(厚度爲lOOnm程度),形成共用電極。與薄膜電晶體 _ 基板一樣,彩色濾光板基板上形成液晶配向膜。 薄膜電晶體基板或者是彩色濾光板基板上散佈球狀間 隔件(spacer )或者是形成柱狀間隔件。藉由周邊的封口 材料粘合兩基板,進行燒成。將粘合的基板以顯示板單位 分割。在分割後的顯示板部件中用減壓法注入如TN ( Twisted Nematic)液晶材料,經過封口形成液晶層。藉由 以上的工序,製成本實施方式之液晶顯示裝置(LCD)。 本實施方式之液晶顯示裝置(LCD ),如圖13及圖 φ 1 5所示,在列方向介於訊號線5相鄰的畫素電極7、7之 間的間距DO爲訊號線(源極線)5的線幅w以上的長度 。且,列方向相鄰的畫素電極7、7之間的間距DO,爲從 一個畫素電極7的一側邊緣介於列方向的訊號線5到相鄰 的另一個畫素電極7的一側邊緣的最短距離。還有,訊號 線(源極線)5的線幅w,爲訊號線5的寬方向(相對於 訊號線5的延長方向的垂直方向)的訊號線5的兩端邊緣 之間的距離。 本實施方式之液晶顯示裝置(LCD ),從平面看訊號 -17- (14) 1277917 線5的行方向延伸部分5 a和畫素電極7、7不重疊,所以 由訊號線5的寄生電容Csd2小。由此,可以降低訊號線 5引入的電位,就可以抑制橫紋的發生。 在列方向介於訊號線5相鄰的畫素電極7、7之間的 間距DO比訊號線(源極線)5的線幅w長的情況下,從 平面上看畫素電極7和訊號線5之間產生間隙,這個間隙 有可能漏光。在本實施方式中,至少在包含列方向上介於 訊號線5相鄰的畫素電極7、7之間區域的區域上,形成 B 了輔助電容線1 5。這個輔助電容線1 5起到遮光的功能, 所以,就可以防止畫素電極7和訊號線5的間隙漏光。且 ,輔助電容線1 5,介於閘極絕緣膜1 3與半導體層1 2形成 輔助電容。 本實施方式中,在至少包含列方向相鄰畫素電極7、7 之間區域的區域上,形成了輔助電容線1 5,但是,取代輔 助電容線1 5形成掃描線(閘極線)4亦可。且,按要求形 0 成的遮光層,可配置在列方向或者是行方向包含相鄰畫素 電極7、7之間區域的區域。 (第二實施方式) 實施方式2之液晶顯示裝置(LCD ),與實施方式1 相同,包括:薄膜電晶體基板,與此相對配置的彩色濾、光 板(C F )基板,被兩基板所夾的向相液晶材料的液晶層。 本實施方式之液晶顯示裝置(LCD ),除薄膜電晶體基板 以外,與實施方式1和液晶顯示裝置(LCD )具有同樣的 -18- (15) 1277917 構造。圖1 6,係擴大顯示本實施方式所涉及之薄膜電晶體 基板上的一個畫素之平面圖。在圖16中’與實施方式1 的薄膜電晶體基板的構成要素和實質上具有相同功能的構 成要素標有相同之符號,並省略其說明。 在本實施方式的薄膜電晶體基板中,列方向延伸的訊 號線5,偏向於行方向介於訊號線5相鄰的畫素電極7、7 中由訊號線5驅動的畫素電極7的一側配置。下面參照圖 16具體說明。例如,綠畫素7G從平面看由綠畫素用源極 線5G及藍畫素用源極線5B所夾。綠畫素用源極線5G的 一部分,從平面上看與綠畫素7G及藍畫素7B各自重疊。 但是,綠畫素用源極線5G和綠畫素7G的重疊區域寬度 D 1,比綠畫素用源極線5 G和紅畫素7R的重疊區域寬度 D2寬。換言之,綠畫素用源極線5G和綠畫素7G之間的 電容量Csdl,比綠畫素用源極線5G和紅畫素7R之間的 電容量Csd2大。 同樣,藍畫素用源極線5B和藍畫素7B的重疊區域寬 度D1,比藍畫素用源極線5B和綠畫素7G的重疊區域寬 度D2寬。換言之,藍畫素用源極線5B和藍畫素7B之間 的電容量Csdl,比藍畫素用源極線5B和綠畫素7G之間 的電容量Csd2大。因此,列方向延伸的源極線5與在行 方向相鄰兩個畫素電極7、7之間配置的情況相比,寄生 電容Csdl增加了,但是寄生電容Csd2卻減小了。 如本實施方式,因爲引起電容Csd2的引入電位減小 ’與實施方式1相比更減小了每行的引入電位差,所以就 -19- (16) 1277917 可以抑制橫紋的發生。 (實施方式3 ) 實施方式2之液晶顯示裝置(LCD),在行方向,畫 素電極7與不驅動該畫素電極的源極線5重疊。但是,爲 了儘可能減小電容Csd2,較佳者係畫素電極7與不驅動 該畫素電極的源極線5不重疊。圖1 7,係擴大顯示本實施 g 方式所涉及的薄膜電晶體基板上的一個畫素之平面圖。在 圖17中,與實施方式1的薄膜電晶體基板的構成要素和 實質上具有相同功能的構成要素標有相同的符號,並省略 其說明。 本實施方式之薄膜電晶體基板中,列方向延伸的訊號 線5 ’與在行方向介於訊號線5相鄰的兩個畫素電極7、7 中的一個畫素電極一部分重合,而與另一個畫素電極7不 重疊。以下,參照圖1 7具體說明。例如,綠畫素用源極 φ 線5G從平面看一部分與綠畫素7G重疊,但是,與行方 向介於綠畫素用源極線5G又與綠畫素7G相鄰的紅畫素 7R不重疊。同樣,藍畫素用源極線5B從平面看一部分與 藍畫素7B重疊,但是,與行方向介於藍畫素用源極線5B 又與藍畫素7B相鄰的綠畫素7G不重疊。如本實施方式, 與實施方式1及2相比,可以更加減小訊號線5和畫素電 極7之間生成的寄生電容Csd2。因此,可以減小電容 Csd2引起的引入電位,所以比實施方式1及2更減小每 行的引入電位差,就可以進一步抑制橫紋的發生。 -20- (17) 1277917 本實施方式中,不僅行方向,在列方向亦產生畫素電 極7與訊號線5之間的間隙,這個間隙有可能漏光。因此 ,較佳之係在行方向介於訊號線5至少包含相鄰畫素電極 7、7之間區域的區域內形成遮光層。 (實施方式4 ) 實施方式1〜3中,各畫素(電極)7的形狀爲矩形, 但是各畫素(電極)7的形狀不只限於此。圖1 8,係模式 顯示畫素電極7的變形例之平面圖。例如圖1 8所示,畫 素電極7的形狀爲六角形亦可。 圖18所示畫素配列中,與實施方式1〜3相同,紅畫 素7R、綠畫素7G及藍畫素7B在行方向週期性配列。還 有訊號線蛇行在列方向延伸,掃描線蛇行在行方向延伸。 (其他實施方式) 實施方式1〜4中,說明在每一行只以1 · 5畫素間距在 行方向上偏離配列著同色畫素7的三角配列。但是,本發 明的顯示裝置,不只限於三角配列,如馬賽克配列、正方 形配列亦可。例如,相對於奇數行畫素,由相同訊號線驅 動的偶數行畫素,只要在行方向上偏移畫素寬(行方向的 畫素間距)的3/2範圍內的配列即可。 實施方式1〜4之液晶顯示裝置(LCD )不只是透過型 ,如反射型或者是透過反射兩用型亦可。例如,藉由畫素 區域的一部分由反射畫素電極形成,可以得到透過反射兩 -21 - (18) 1277917 用型液晶顯不裝置(LCD)。透過型液晶顯示裝置(LCD )中藉由在掃描線4或者是輔助電容線1 5等的形成區域 上形成反射畫素電極,提高有效畫素面積。 畫素電極7和訊號線5之間的進行開關控制的開關元 件不只限於薄膜電晶體(TFT ),例如,MOS-FET ( Metal Oxide Semic- onductor-Field Effect Transistor)等的其他 三端子元件亦可。或者是取代三端子元件,使用MIM ( g Metal Insulator Metal )等的非線型兩端子元件亦可。 以上’說明瞭本發明的較佳之實施方式,但是,本發 明的技術範圍不只限於上述實施方式記載之範圍。上述實 施方式僅僅爲示例,由這些各構成要素或者是各處理工序 之組合,還可能變形出各種各樣之變形例,本件發明者認 爲适些變形例亦屬本發明之範疇。 本發明之顯示裝置,可以利用於液晶顯示裝置(LCD )、電漿顯示裝置(PDP )、有機或者是無機電激發光顯 φ 示裝置、發光二極管(LED )顯示裝置、螢光顯示管、電 場放出型顯示裝置、電泳顯示裝置、電激彩色發光顯示裝 置等的各種顯示裝置。例如,可以利用於電腦的螢幕、攜 帶終端的螢幕、彩色電視。 【圖式簡單說明】 圖1,係模式顯示具有三角配列(Delta配列)畫素之 液晶顯示裝置(LCD)的薄膜電晶體基板之平面圖。 圖2,係模式顯示圖1所示的配列顯示板中源極線和 -22- (19) 1277917 畫素電極之間的電容之平面圖。 圖3,係圖2中以第2行的綠畫素7G2爲中心的畫素 配列之部分擴大圖。 圖4 ’係模式顯示圖3中A-B線之剖面圖。 圖5 ’係模式顯示圖3中C-D線之剖面圖。 圖6,係顯示從源極線5向綠畫素7 G的電位引入之 平面圖。 圖7’係顯示本發明的顯示裝置中畫素配列之模式平 面圖。 圖8,係圖7中A-B線之剖面圖。 圖9,係比較例的畫素配列之模式平面圖。 圖1 〇,係圖9中A-B線之剖面圖。 圖1 1,係較佳之狀態的顯示裝置中的畫素配列之模式 平面圖。 圖1 2,係圖1 1中C -D線之剖面圖。 圖1 3,係擴大顯示薄膜電晶體基板上的一個畫素之平 面圖。 圖14,係圖13中A-B-C線之剖面圖。 圖15,係圖13中D-E線之剖面圖。 圖1 6,係擴大顯示實施方式2所涉及的薄膜電晶體基 板上的一個畫素之平面圖。 圖1 7,係擴大顯示實施方式3所涉及的薄膜電晶體基 板上的一個畫素之平面圖。 圖1 8,係模式顯示畫素電極7的變形例之平面圖。 -23- (20) (20)1277917 【主要元件之符號說明】 1 :顯示部分 2 :閘極驅動器 3 :源極驅動器 4 :鬧極線 4a :閘極電極 5 :源極線(訊號線) 5 R :紅畫素用源極線 5 G :綠畫素用源極線 5 B :藍畫素用源極線 6 :薄膜電晶體(TFT) 7 :畫素(電極) 7R :紅畫素 7G :綠畫素 7B :藍畫素 8 :絕緣膜 1 〇 :玻璃基板 1 1 :底層膜 12 :半導體層 1 3 :閘極絕緣膜 1 4 :層間絕緣膜 1 5 :輔助電容線 1 6 :汲極電極 -24- (21) (21)1277917 P S :影像訊號
Csdl :畫素電極和驅動該畫素電極的源極線之間之寄 生電容
Csd2 :畫素電極和不驅動該畫素電極的源極線之間之 寄生電容 DO :列方向相鄰畫素電極間之距離 w :訊號線之寬度 D 1 :畫素電極和驅動該畫素電極的源極線的重疊區域 之寬度 D2 :畫素電極和不驅動該畫素電極的源極線的重疊區 域之寬度 CH1 :接觸孔 CH2:接觸孔 CH3 :接觸孔
-25-
Claims (1)
- (1) 1277917 十、申請專利範圍 1 · 一種顯示裝置,包括:以蛇行的方式在列方向延 伸’分別提供給影像訊號之複數個訊號線;覆蓋上述複數 訊號線之絕緣膜;在上述絕緣膜上形成的,從上述的複數 個訊號線分別輸入上述影像訊號之複數個畫素電極;其特 徵爲: 列方向相鄰的上述畫素電極間的距離爲上述訊號線的 線幅以上之長度。 2 ·如申請專利範圍第1項之顯示裝置,其中: 上述訊號線,在行方向上,介於上述絕緣膜,與從上 述訊號線輸入上述影像訊號的第1畫素電極形成第1電容 ,並且,介於上述絕緣膜,且隔著上述訊號線與在行方向 上和上述第1畫素電極相鄰的第2畫素電極形成第2電容 ,第1電容比第2電容大。 3·如申請專利範圍第1項之顯示裝置,其中: 上述訊號線的一部分,在行方向上,與從上述訊號線 輸入上述影像訊號的第1畫素電極在平面上重疊,且隔著 上述訊號線與上述第1畫素電極相鄰的第2畫素電極在平 面上重疊,上述第1畫素電極和上述訊號線的重疊區域, 比上述第2畫素電極和上述訊號線的重疊區域之面積大。 4.如申請專利範圍第1項之顯示裝置,其中: 於平面圖中,上述訊號線的至少一部分與從上述訊號 線輸入上述影像訊號的第1畫素電極重疊,上述訊號線與 隔著上述訊號線的上述第1畫素電極相鄰的第2畫素電極 -26- (2) 1277917 不重疊。 5 ·如申請專利範圍第1項之顯示裝置,其中·· 還包括:進行上述畫素電極和上述訊號線之間的開關 控制之開關元件;用於提供給開關控制上述開關元件的掃 描訊號之掃描線。 6·如申請專利範圍第1項之顯示裝置,其中: 還具有形成上述輔助電容之輔助電容線。 7·如申請專利範圍第5項之顯示裝置,其中: 上述掃描線的形成區域包含列方向相鄰的上述畫素電 極間之區域。 8 ·如申請專利範圍第6項之顯示裝置,其中: 上述輔助電容線的形成區域包含列方向相鄰上述畫素 電極間之區域。 9·如申請專利範圍第5或7項之顯示裝置,其中: 還包括上述掃描線和形成在同層上之遮光層。 10·如申請專利範圍第1項之顯示裝置,其中: 還包括與配線及電極的任何一個都不接觸之遮光層。 1 1 ·如申請專利範圍第5或7項之顯示裝置,其中: 還包括與上述掃描線相連之遮光層。 12.如申請專利範圍第6或8項之顯示裝置,其中: 還包括與上述輔助電容線相連之遮光層。 1 3.如申請專利範圍第5或7項之顯示裝置,其中: 還包括爲形成輔助電容的輔助電容線,與上述輔助電 容線相連之遮光層。 -27-
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