CN1652165A - 显示装置 - Google Patents

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Abstract

一种显示装置，减少横纹的发生，提高显示品位。显示装置，包括以蛇行的方式在列的方向延伸，分别供给像素信号的多条信号线(5)，覆盖上述多条信号线(5)的绝缘膜，在上述绝缘膜上形成的，从上述的多条信号线(5)分别输入上述像素信号的多个像素电极(7)。列方向相邻的上述电极(7、7)之间的距离D0为上述信号线(5)的线幅w以上的长度。

Description

显示装置
技术领域
本发明，涉及一种与液晶显示装置(LCD)、等离子显示装置(PDP)、有机或者是无机电致发光显示装置、发光二极管(LED)显示装置、萤光显示管、电场放出型显示装置、电泳显示装置、电化学发光显示装置等有关的显示装置。
背景技术
作为有源矩阵驱动的液晶显示装置(LCD)，例举了使用薄膜晶体管(TFT)的彩色液晶显示装置(LCD)。这个彩色液晶显示装置(LCD)，具有作为有源矩阵驱动基板的薄膜晶体管基板，与薄膜晶体管基板对向配置的具备公用电极的对向基板，通过两基板之间的液晶层。薄膜晶体管基板，具有形成在栅极线及源极线交点近旁的薄膜晶体管、连接于薄膜晶体管的像素电极。通过对应各像素电极配置红(R)、绿(G)、兰(B)的彩色滤色器，形成各色像素。作为像素的排列方法，例举了例如USP5144288揭示的三角形排列。USP5144288，由参照包含在揭示中。
图1，是模式表示具有三角排列(Delta排列)像素的液晶显示装置(LCD)的薄膜晶体管基板的平面图。在薄膜晶体管基板的显示部分1中，形成了从栅极驱动器2延长的栅极驱动线4，从源极驱动器3延长的源极驱动线5。在栅极驱动线4和源极驱动线5的交点近旁形成了薄膜晶体管6，各个薄膜晶体管6与像素电极7联接。由栅极驱动线4通过地址化的薄膜晶体管6，将对应各像素的信号从源极驱动线5提供给像素电极7。由此在像素电极7和公用电极(未图示)之间施加了电压，控制对应于这个像素区域的液晶层的光学特性，进行显示。
在图1所示的薄膜晶体管基板中，相对于栅极驱动线4的行方向上直线状延长，源极驱动线5在列方向呈蛇行延长。还有，从同一源极驱动线5提供给信号的像素电极7，相对于源极驱动线5的每一行左右交替，也就是曲折状配置。
另一方面，有人开发了以提高像素孔径率为目的，在源极线上覆盖绝缘膜，在这个绝缘膜上形成了像素电极的高孔径率的液晶显示装置(LCD)。但是，如利用三角排列的高孔径率的液晶显示装置(LCD)中，会发生以下所示的问题。
图2，是模式表示图1所示的三角形排列显示板中源极线和像素电极之间的电容的平面图。如图2所示，从平面上看，各像素7是被行方向相邻的源极线5所夹。例如，图2所示的第1行的绿像素7G1及第3行的绿像素7G3，是被为向绿像素7G输入像素信号PS的绿像素用源极线5G和为向与绿像素7G行方向相邻的兰像素7B输入像素信号PS的兰像素用源极线5B所夹。
另一方面，图2所示的第2行绿像素7G2及第4行绿像素7G4，是被绿像素用源极线5G和为向与绿像素7G行方向相邻的红像素7R输入像素信号PS的红像素用源极线5R所夹。换句话说，被绿像素用源极线5G与兰像素用源极线5B所夹的绿像素7G1、7G3，和被绿像素用源极线5G与红像素用源极线5R所夹的绿像素7G2、7G4每一行交替排列。也就是在行方向上夹的源极线5与两种不同类的绿像素7G每隔一行交替排列。
图3，是图2中以第2行的绿像素7G2为中心的像素排列的部分扩大图。图4，是模式表示图3中A-B线剖面图。图5，是模式表示图3中C-D线剖面图。如图4及图5所示，因为像素电极7和源极线5通过绝缘膜8配置，所以就存在作为寄生电容的源极·漏极间电容。某一个像素电极7和向这个像素电极7输入像素信号PS的源极线5(换句话说，驱动这个像素电极7的源极线5)的寄生电容为电容Csd1，某一个像素电极7和不向这个像素电极7输入像素信号PS的源极线5(换句话说，不驱动这个像素电极7的源极线5)的寄生电容为电容Csd2。例如，在红像素用源极线5R和红像素7R之间存在电容Csd1，在红像素用源极线5R和兰像素7B或者绿像素7G之间存在电容Csd2。通过这些寄生电容Csd1、Csd2从源极线5的电位变动引入像素电极7的电位。例如，红像素用源极线5R及绿像素用源极线5G所夹的第2行绿像素7G2从这些源极线5R、5G引入电位，绿像素用源极线5G及兰像素用源极线5B所夹的第1行绿像素7G1从这些源极线5G、5B引入电位。因此，引入后的像素电极(例如绿像素7G)的电位Vpix可用下式表示。
Vpix＝Vsl0+(Csd1/Cpix)×ΔVsl1+(Csd2/Cpix)×ΔVsl2
(在此，Vsl0是引入前的电位(从用于向绿像素7G输入像素信号的源极线5G通过薄膜晶体管施加的电位)、ΔVsl1是为向绿像素7G输入像素信号的源极线5G的电压振幅、ΔVsl2是为不向绿像素7G输入像素信号的源极线5R或者5B的电压振幅、Cpix是加在绿像素7G上的电容(寄生电容、辅助电容等)的和。)
图6，是表示从源极线5向绿像素7G的电位引入的平面图。图6中上段的绿像素7G1从红像素用源极线5R及绿像素用源极线5G引入电位，图6中下段的绿像素7G2从绿像素用源极线5G及兰像素用源极线5B引入电位。因此，上段的绿像素7G1及下段的绿像素7G2由绿像素用源极线5G引入的电位相同。但是，从红像素用源极线5R引入的电位和从兰像素用源极线5B引入的电位并不一定相等，所以，就产生上段的绿像素7G1引入电位和下段的绿像素7G2引入电位的电位差。也就是，向绿像素7G施加的电压可以每一行不同。这种情况下，每一行像素的亮度差呈横纹出现，就得不到均匀的显示。例如，红像素7R为白显示(最高透过率的状态)，绿像素7G为中间色调显示，兰像素7B为黑显示(最低透过率的状态)的情况，可显见横纹。
这个现象，不只是绿像素7G，在红像素7R及兰像素7B上也产生。还有不只是三角排列，在马赛克(mosaic)排列，正方形(square)排列也产生。
发明内容
本发明的目的在于：降低横纹的发生，提高显示的品位。例如，绿像素7G中，通过由红像素用源极线5R引入的电位和由兰像素用源极线5B引入的电位之间生成的差发生横纹。也就是，上述横纹的发生，是由于上述的式中第3项值每一个水平线的都不同的原因。因此，通过缩小第3项中的Csd2，第3项的值就会变小，就可以降低横纹的出现。
本发明者们，着眼于尽可能降低像素电极与未驱动该像素电极的源极线之间的寄生电容Csd2，例如，对于绿像素7G，为红像素用源极线5R及兰像素用源极线5B的源极·漏极电容Csd2，完成了本装置。
本发明的显示装置，为在包括：以蛇行的方式在列的方向延伸，分别供给像素信号的多条信号线；覆盖上述多条信号线的绝缘膜；在上述绝缘膜上形成的，从上述的多条信号线分别输入上述像素信号的多个像素电极的显示装置中，列方向相邻的上述电极间的距离为上述信号线的线宽以上的长度。
图7，是表示本发明的显示装置中像素排列的模式平面图。图8，是图7中A-B线的剖面图。本发明的显示装置，在列方向通过信号线5相邻的像素电极7、7之间的距离D0为信号线5的线幅w以上的长度。
为了对比说明，表示了与图9及图10的比较例。图9，是比较例的像素排列的模式平面图。图10，是图9中A-B线的剖面图。比较例的显示装置，在列方向通过信号线5相邻的像素电极7、7之间的距离d为信号线5的线幅w以下的长度。因此，比较例的显示装置，从信号线5的行方向延伸部分和像素电极7、7在平面图上看具有重叠部分，所以由信号线5引起的电容Csd2就大。
对此，本发明的显示装置中，因为从信号线5的行方向延伸部分和像素电极7、7在平面图上看不重叠，所以由信号线5引起的电容Csd2就小。如参照图6所说明的那样，横纹是由不同的源极线之间的引入电位差而产生。因为引入电位是寄生电容产生的起因，所以，通过减小寄生电容Csd2，减小引入电位，不同源极线之间的引入电位的差也得到减小。因此，可以得到减少了横纹的良好的显示品位。
在理想的状态下，上述信号线，在行方向上，与从上述信号线输入上述像素信号的第1像素电极通过上述绝缘膜形成第1电容，并且，还与通过上述信号线与上述第1像素电极在行方向上相邻的第2像素电极通过上述绝缘膜形成第2电容，所述第1电容比第2电容大。
或者是，上述信号线的一部分，在行方向上，与从上述信号线输入上述像素信号的第1像素电极在平面上重叠，且与通过通过上述信号线与第1像素电极相邻的第2像素电极在平面上重叠，上述第1像素电极和上述信号线的重叠区域，比上述第2像素电极和上述信号线的重叠区域的面积大。
图11，是最好状态的显示装置中的像素排列的模式平面图。图12，是图11中C-D线剖面图。最好状态的显示装置，在信号线的列方向的延长部分和行方向上相邻的两个像素电极从平面图上重叠区域的面积在两像素电极之间不同。例如图11及图12所示，绿像素用源极线5G和从这个源极线5G输入像素信号的绿像素7G的重叠区域的宽度D1，比绿像素用源极线5G和红像素7R的重叠区域的宽度D2宽。换句话说，绿像素用源极线5G和绿像素7G之间的第1电容Csd1，比绿像素用源极线5G和红像素7R之间的第2电容Csd2大。
如参照图6说明的那样，对于在图6的上段的绿像素7G1及下段的绿像素7G2，由于绿像素用源极线5G引入的电位相同，由其他的源极线5R、5B引入的电位不同，因而产生横纹。根据最好状态的显示装置，由于其他源极线5R、5B引起的电容Csd2小，可以减小其他源极线5R、5B的引入电位的影响。因此，由图6上段的绿像素7G1和下段绿像素7G2引入的电位的差更小，可以抑制横纹的发生。
在另外的理想的状态下，在平面图中，上述信号线的至少一部分与从上述信号线输入上述像素信号的第1像素电极重叠，上述信号线与通过上述信号线与上述第1像素电极相邻的第2像素电极不重叠。根据这种状态，由于可以进一步减小第2电容Csd2，所以也就可以进一步抑制横纹的发生。
本发明的显示装置，还包括：进行上述像素电极和上述信号线之间的开关控制的开关元件；用于开关控制上述开关的供给扫描信号的扫描线亦可。还可以有用于形成辅助电容的辅助电容线。
上述扫描线形成的区域或者是上述辅助电容线的形成区域，包含列方向相邻的上述像素电极间的区域亦可。换句话说，在列方向通过信号线相邻的上述像素电极间的区域由上述扫描线或者是上述辅助电容线遮光亦可。
还可以有，包括上述扫描线及上述辅助电容线的任何一个不同的遮光层亦可。例如，具有与上述扫描线同层形成的遮光层，与布线及电极都不接触的遮光层，与上述扫描线相连接的遮光层，与上述辅助电容线相连接的遮光层亦可。
且，本发明说明书中“行方向”及“列方向”，并不一定是意味着横方向和纵方向。还有，也不是一定要两个方向相互垂直的意思，而是意味着两个方向相互交叉。例如，可以设定对于行方向倾斜的方向为列方向。
根据本发明，可以降低横纹的发生，提高显示品位。
附图说明
图1，是模式表示具有三角排列(Delta排列)像素的液晶显示装置(LCD)的薄膜晶体管基板的平面图。
图2，是模式表示图1所示的排列显示板中源极线和像素电极之间的电容的平面图。
图3，是图2中以第2行的绿像素7G2为中心的像素排列的部分扩大图。
图4，是模式表示图3中A-B线剖面图。
图5，是模式表示图3中C-D线剖面图。
图6，是表示从源极线5向绿像素7G的电位引入的平面图。
图7，是表示本发明的显示装置中像素排列的模式平面图。
图8，是图7中A-B线的剖面图。
图9，是比较例的像素排列的模式平面图。
图10，是图9中A-B线的剖面图。
图11，是最好状态的显示装置中的像素排列的模式平面图。
图12，是图11中C-D线剖面图。
图13，是扩大表示薄膜晶体管基板上的一个像素的平面图。
图14，是图13中A-B-C线剖面图。
图15，是图13中D-E线剖面图。
图16，是扩大表示实施方式2所涉及的薄膜晶体管基板上的一个像素的平面图。
图17，是扩大表示实施方式3所涉及的薄膜晶体管基板上的一个像素的平面图。
图18，是模式表示像素电极7的变形例的平面图。
(符号说明)
1    显示部分
2    栅极驱动器
3    源极驱动器
4    栅极线
4a   栅极电极
5    源极线(信号线)
5R   红像素用源极线
5G   绿像素用源极线
5B   兰像素用源极线
6    薄膜晶体管(TFT)
7    像素(电极)
7R   红像素
7G   绿像素
7B   兰像素
8    绝缘膜
10   玻璃基板
11   基层膜
12   半导体层
13   栅极绝缘膜
14      层间绝缘膜
15      辅助电容线
16      漏极电极
PS      像素信号
Csd1    像素电极和驱动该像素电极的源极线之间的寄生电容
Csd2    像素电极和不驱动该像素电极的源极线之间的寄生电容
D0      列方向相邻像素电极间的距离
w       信号线的宽度
D1      像素电极和驱动该像素电极的源极线的重叠区域的宽度
D2      像素电极和不驱动该像素电极的源极线的重叠区域的宽度
Figure A20051000916500111
具体实施方式
以下，参照图面说明本发明的实施方式。在以下的实施方式中，说明有关液晶显示装置(LCD)，但是，本发明的显示装置，不只限于液晶显示装置(LCD)，还包括有机或者是无机电致发光显示装置，等离子显示装置(PDP)，发光二极管(LED)显示装置，萤光显示管，电场放出型显示装置，电泳显示装置，电化学发光显示装置等的各种显示装置。
且，本说明书所使用的参照标号，总括表示同族的构成要素，省略英文字只用数字表示。例如，概括用源极线5表示红像素用源极线5R、绿像素用源极线5G及兰像素用源极线5B。
(第一实施例)
实施方式1的液晶显示装置(LCD)，具有薄膜晶体管基板，与此相对配置的彩色滤色器(CF)基板，被两基板所夹的向相液晶材料的液晶层。彩色滤色器基板，具有红绿兰三色彩色滤色器层，覆盖彩色滤色器层的由ITO(铟锡氧化物)等形成的公用电极，覆盖公用电极的液晶取向膜。且，彩色滤色器层有时也形成在薄膜晶体管基板上。
参照图1说明本实施方式的薄膜晶体管基板。在薄膜晶体管基板的显示部分1上，形成了从栅极驱动器2延伸的多条栅极线4，从源极驱动器3延伸的多条源极线5。在多条栅极线4和多条源极线5的各个交点近旁，形成了作为开关元件的多个薄膜晶体管6，在各个薄膜晶体管6上连接着像素电极7。在像素电极7上形成有由聚酰亚胺等制成的液晶取向膜。由栅极线4通过地址化了的薄膜晶体管6，将从源极线5的对应于各像素的信号(像素信号)提供给像素电极7。由此，在像素电极7和彩色滤色器基板的公用电极之间施加了电压，控制对应于这个像素区域的液晶层的光学特性，进行显示。
在本实施方式的液晶显示装置(LCD)中，像素电极7和公用电极的重叠区域成为像素。本说明书中，为了说明方便，称对应于红绿兰三色彩色滤色器层的像素为红像素7R、绿像素7G及兰像素7B。还有，对应于各色的像素电极7也简单称为像素7。例如，对应于绿色的像素电极7也称为绿像素7G。
在图1的薄膜晶体管基板上，在行方向上红像素7R、绿像素7G及兰像素7B周期地循环成直线状排列着。还有在每一行只以约1.5像素间距在行方向上偏离排列着同色像素7。栅极线4在行方向上直线延伸。相对于此，源极线5在蛇行的同时，换句话说使其成为弯曲状或者是曲线状在列方向延伸。由同一源极线5提供给信号(象素信号)的像素电极7，相对于源极线5的每一行左右交替，也就是成曲折状的配置。
图13，是扩大表示薄膜晶体管基板上的一个像素的平面图。图14，是图13中A-B-C线剖面图。参照图13、图14及图15，说明本实施方式的薄膜晶体管基板的制造工序的同时，说明薄膜晶体管基板的具体构成。
首先，在玻璃基板10的基板全表面上，由等离子CVD(热解化学气相沉积(Chemical Vapor Deposition))法成膜SiON膜(厚度100nm左右)，形成基层膜11。在基层膜11全表面上，通过等离子CVD法，用乙硅烷(Si2H6)作原料成膜非晶态多晶硅膜(厚度50nm左右)。再通过热处理，使非晶态多晶硅膜结晶化。其后，由光蚀刻法形成图形，形成半导体层12。
形成了半导体层12的基层膜11的全表面上，通过等离子CVD法成膜SiON膜(厚度115nm左右)，形成栅极绝缘膜13。在栅极绝缘膜13的全表面上，由溅射法顺次成膜氮化钽膜(厚度50nm左右)及钨膜(厚度370nm左右)。且，代替氮化钽膜及钨膜的积层膜，选用钽、钨、钛、钼、铝及铜组成的金属组中至少一种金属，以从上述金属组选出的至少一种金属为主要成份的合金材料或者是化合物材料形成单层膜或者是积层膜亦可。
其后，由使用光蚀刻法形成图形，形成：栅极线4，栅极电极4a，辅助电容线15及根据要求形成的遮光层(未图示)。且，遮光层与栅极线4、栅极电极4a及辅助电容线15的任何一个接触(物理接触)都可，或者是，与栅极线4、栅极电极4a及辅助电容线15的任何一个都不接触亦可。在本实施方式中，为两个栅极电极4a形成的多栅极型，但是，栅极电极4a为一个亦可。
以栅极电极4a为掩膜，通过栅极绝缘膜13向半导体层12掺入杂质，在对应于栅极电极4a的部分形成沟道区域、其外侧形成源极电极区域及漏极电极区域。通过加热处理，进行所搀杂元素的活化。其后，掺入作为杂质的磷形成N沟道型薄膜晶体管(TFT)6，掺入硼形成P沟道型薄膜晶体管(TFT)6。
在玻璃基板10上，通过CVD法成膜氮化硅膜及氧化硅膜的二层构造形成的积层膜(厚度为950nm左右)，形成层间绝缘膜14。在栅极绝缘膜13及层间绝缘膜14上形成到达半导体层12的源极电极区域的接触孔CH1的同时，在栅极绝缘膜13及层间绝缘膜14上形成到达半导体层12的漏极电极区域的接触孔CH2。
在层间绝缘膜14的全表面，由溅射法顺次形成钛膜(厚度为100nm左右)、铝膜(厚度为500nm左右)及钛膜(厚度为100nm左右)。其后，通过用光蚀刻法形成图形，形成源极线(包含源极电极)5及漏极电极16。通过进行加热处理，进行半导体层12的氢化。这个氢化工序，是由包含在氮化硅膜等制成的层间绝缘膜14中的氢，将半导体层12中的硅的悬挂键封端化的工序。再有，在层间绝缘膜14上，涂布膜厚为1.6μm左右的丙烯树脂等的有机绝缘材料，形成绝缘膜8。
在绝缘膜8上形成到达漏极电极16的接触孔CH3。在绝缘膜8上，由喷涂法成膜厚度为100nm的ITO膜后，由光蚀刻法形成图形制成像素电极7。再有，由印刷法在像素电极7及绝缘膜8上形成聚酰亚胺系树脂薄膜后，通过实施研磨处理形成液晶取向膜。由以上工序，形成本实施方式的薄膜晶体管基板。
接下来，说明彩色滤色器基板及本实施方式的液晶显示装置(LCD)的制造工序。在玻璃基板上涂布铬(Cr)或者是作为黑色树脂的黑色掩膜材料，在光工序中形成遮光层(厚度为100nm左右)。就红绿兰的每一个进行彩色滤色器膜的喷涂、进行光工序的所规定图形的形成及烧成，形成红绿兰的彩色滤色器层(厚度为2μm)。通过在彩色滤色器层上涂布1μm左右厚的丙烯树脂，形成覆盖涂层。在覆盖涂层上通过掩膜成膜ITO膜(厚度为100nm左右)，形成公用电极。与薄膜晶体管基板一样，在彩色滤色器基板上形成液晶取向膜。
薄膜晶体管基板或者是彩色滤色器基板上散布球状隔片(spacer)或者是形成柱状隔片。通过周边的密封材料粘合两基板，进行烧成。将粘合的基板以显示板单位分割。在分割后的显示板单元中用减压法注入如TN(Twisted Nematic)液晶材料，经过封口形成液晶层。通过以上的工序，制成本实施方式的液晶显示装置(LCD)。
本实施方式的液晶显示装置(LCD)，如图13及图15所示，在列方向通过信号线5相邻的像素电极7、7之间的间距D0为信号线(源极线)5的线幅w以上的长度。且，列方向相邻的像素电极7、7之间的间距D0，为从一个像素电极7的一侧边缘通过列方向的信号线5到相邻的另一个像素电极7的一侧边缘的最短距离。还有，信号线(源极线)5的线幅w，为信号线5的宽方向(相对于信号线5的延长方向的垂直方向)的信号线5的两端边缘之间的距离。
本实施方式的液晶显示装置(LCD)，从平面看信号线5的行方向延伸部分5a和像素电极7、7不重叠，所以由信号线5产生的寄生电容Csd2小。由此，可以降低信号线5引入的电位，就可以抑制横纹的发生。
在列方向通过信号线5相邻的像素电极7、7之间的间距D0比信号线(源极线)5的线宽w长的情况下，从平面上看像素电极7和信号线5之间产生间隙，这个间隙有可能漏光。在本实施方式中，至少在包含列方向上通过信号线5相邻的像素电极7、7之间区域的区域上，形成了辅助电容线15。这个辅助电容线15起到遮光层的功能，所以，就可以防止像素电极7和信号线5的间隙漏光。且，辅助电容线15，通过栅极绝缘膜13与半导体层12形成辅助电容。
本实施方式中，在至少包含列方向相邻的像素电极7、7之间区域的区域上，形成了辅助电容线15，但是，取代辅助电容线15形成扫描线(栅极线)4亦可。且，按要求形成的遮光层，可配置在列方向或者是行方向包含相邻像素电极7、7之间区域的区域。
(第二实施方式)
实施方式2的液晶显示装置(LCD)，与实施方式1相同，包括：薄膜晶体管基板，与此相对配置的彩色滤色器(CF)基板，被两基板所夹的向列液晶材料的液晶层。本实施方式的液晶显示装置(LCD)，除薄膜晶体管基板以外，与实施方式1和液晶显示装置(LCD)具有同样的构造。图16，是扩大表示本实施方式所涉及的薄膜晶体管基板上的一个像素的平面图。在图16中，与实施方式1的薄膜晶体管基板的构成要素和实质上具有相同功能的构成要素标有相同的符号，并省略其说明。
在本实施方式的薄膜晶体管基板中，列方向延伸的信号线5，偏向于行方向通过信号线5相邻的像素电极7、7中由信号线5驱动的像素电极7的一侧配置。下面参照图16具体说明。例如，绿像素7G从平面看由绿像素用源极线5G及兰像素用源极线5B所夹。绿像素用源极线5G的一部分，从平面上看与绿像素7G及兰像素7B各自重叠。但是，绿像素用源极线5G和绿像素7G的重叠区域宽度D1，比绿像素用源极线5G和红像素7R的重叠区域宽度D2宽。换句话说，绿像素用源极线5G和绿像素7G之间的电容量Csd1，比绿像素用源极线5G和红像素7R之间的电容量Csd2大。
同样，兰像素用源极线5B和兰像素7B的重叠区域宽度D1，比兰像素用源极线5B和绿像素7G的重叠区域宽度D2宽。换句话说，兰像素用源极线5B和兰像素7B之间的电容量Csd1，比兰像素用源极线5B和绿像素7G之间的电容量Csd2大。因此，列方向延伸的源极线5与在行方向相邻两个像素电极7、7中间配置的情况相比，寄生电容Csd1增加了，但是寄生电容Csd2却减小了。
根据本实施方式，因为引起电容Csd2的引入电位减小，与实施方式1相比更减小了每行的引入电位差，所以就可以抑制横纹的发生。
(实施方式3)
实施方式2的液晶显示装置(LCD)，在行方向，像素电极7与不驱动这个像素电极7的源极线5重叠。但是，为了尽可能减小电容Csd2，理想的是像素电极7与不驱动这个像素电极的源极线5不重叠。图17，是扩大表示本实施方式所涉及的薄膜晶体管基板上的一个像素的平面图。在图17中，与实施方式1的薄膜晶体管基板的构成要素和实质上具有相同功能的构成要素标有相同的符号，并省略其说明。
本实施方式的薄膜晶体管基板中，列方向延伸的信号线5，与在行方向通过信号线5相邻的两个像素电极7、7中的一个像素电极一部分重叠，而与另一个像素电极7不重叠。以下，参照图17具体说明。例如，绿像素用源极线5G从平面看一部分与绿像素7G重叠，但是，与行方向通过绿像素用源极线5G与绿像素7G相邻的红像素7R不重叠。同样，兰像素用源极线5B从平面看一部分与兰像素7B重叠，但是，与行方向通过兰像素用源极线5B与兰像素7B相邻的绿像素7G不重叠。根据本实施方式，与实施方式1及2相比，可以更加减小信号线5和像素电极7之间生成的寄生电容Csd2。因此，可以减小起因于电容Csd2的引入电位，所以比实施方式1及2更减小了每行的引入电位差，就可以进一步抑制横纹的发生。
本实施方式中，不仅是行方向，在列方向也产生像素电极7与信号线5之间的间隙，这个间隙有可能漏光。因此，理想的是在行方向通过信号线5至少包含相邻像素电极7、7之间区域的区域内形成遮光层。
(实施方式4)
实施方式1～3中，各像素(电极)7的形状为矩形，但是各像素(电极)7的形状不只限于此。图18，是模式表示像素电极7的变形例的平面图。例如图18所示，像素电极7的形状为六角形亦可。
图18所示像素排列中，与实施方式1～3相同，红像素7R、绿像素7G及兰像素7B在行方向周期性排列。还有信号线蛇行在列方向延伸，扫描线蛇行在行方向延伸。
(其他实施方式)
实施方式1～4中，说明了在每一行只以约1.5像素间距在行方向上偏离排列着同色像素7的三角排列。但是，本发明的显示装置，不只限于三角排列，是马赛克排列、正方形排列亦可。例如，相对于奇数行像素，由相同信号线驱动的偶数行像素，只要在行方向上偏移像素宽(行方向的像素间距)的3/2范围内的排列即可。
实施方式1～4的液晶显示装置(LCD)不只是透过型，是反射型或者是透过反射两用型亦可。例如，通过像素区域的一部分由反射像素电极形成，可以得到透过反射两用型液晶显示装置(LCD)。透过型液晶显示装置(LCD)中通过在扫描线4或者是辅助电容线15等的形成区域上形成反射像素电极，提高有效像素面积。
像素电极7和信号线5之间的进行开关控制的开关元件不只限于薄膜晶体管(TFT)，例如，MOS-FET(Metal Oxide Semiconductor-Field EffectTra-nsistor)等的其他三端元件亦可。或者是取代三端元件，使用MIM(Metal In-sulator Metal)等的非线型两端元件亦可。
以上，说明了本发明的理想的实施方式，但是，本发明的技术范围不只限于上述实施方式记载的范围。上述实施方式只是示例，由这些各构成要素或者是各处理工序的组合，还可能变形出各种各样的变形例，本件发明者认为这些变形例也属本发明的范畴。
本发明的显示装置，可以利用在液晶显示装置(LCD)、等离子显示装置(PDP)、有机或者是无机电致发光显示装置、发光二极管(LED)显示装置、萤光显示管、电场放出型显示装置、电泳显示装置、电化学发光显示装置等的各种显示装置。例如，可以利用于个人计算机的显示器、携带终端的显示器、彩色电视。

Claims (13)

1.一种显示装置，包括：以蛇行的方式在列的方向延伸，分别供给像素信号的多条信号线；覆盖上述多条信号线的绝缘膜；在上述绝缘膜上形成的、从上述多条信号线分别输入上述像素信号的多个像素电极；其特征为：
列方向相邻的上述像素电极间的距离为上述信号线的线宽以上的长度。
2.根据权利要求1所述的显示装置，其特征为：
上述信号线，在行方向上，通过上述绝缘膜与从上述信号线输入上述像素信号的第1像素电极形成第1电容，并且，还通过上述绝缘膜与通过上述信号线同上述第1像素电极在行方向上相邻的第2像素电极形成第2电容，第1电容比第2电容大。
3.根据权利要求1所述的显示装置，其特征为：
上述信号线的一部分，在行方向上，与从上述信号线输入上述像素信号的第1像素电极在平面上重叠，且与通过上述信号线同上述第1像素电极相邻的第2像素电极在平面上重叠，上述第1像素电极和上述信号线的重叠区域，比上述第2像素电极和上述信号线的重叠区域的面积大。
4.根据权利要求1所述的显示装置，其特征为：
平面图中，上述信号线的至少一部分与从上述信号线输入上述像素信号的第1像素电极重叠，上述信号线与通过上述信号线同上述第1像素电极相邻的第2像素电极不重叠。
5.根据权利要求1所述的显示装置，其特征为：
还包括：进行上述像素电极和上述信号线之间的开关控制的开关元件；以及用于供给开关控制上述开关元件的扫描信号的扫描线。
6.根据权利要求1所述的显示装置，其特征为：
还具有形成上述辅助电容的辅助电容线。
7.根据权利要求5所述的显示装置，其特征为：
上述扫描线的形成区域包含列方向相邻的上述像素电极间的区域。
8.根据权利要求6所述的显示装置，其特征为：
上述辅助电容线的形成区域包含列方向相邻上述像素电极间的区域。
9.根据权利要求5或者是7所述的显示装置，其特征为：
还包括上述扫描线和形成在同层上的遮光层。
10.根据权利要求1所述的显示装置，其特征为：
还包括与布线及电极的任何一个都不接触的遮光层。
11.根据权利要求5或者7所述的显示装置，其特征为：
还包括与上述扫描线相连接的遮光层。
12.根据权利要求6或者8所述的显示装置，其特征为：
还包括与上述辅助电容线相连接的遮光层。
13.根据权利要求5或者7所述的显示装置，其特征为：
还包括用于形成辅助电容的辅助电容线，以及与上述辅助电容线相连接的遮光层。
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