CN1161650C - 反射型液晶显示装置 - Google Patents

Abstract

本发明的反射型液晶显示装置包括：一对基片，在它们之间夹有液晶层；具有Δ结构的多个象素电极，它们形成在一对基片之一上；多条具有弯折部分的信号线，它们形成在一对基片之一上；多条扫描线，它们形成在一对基片之一上，多条扫描线和信号线形成得沿多个象素电极的周界伸展，从而相互交叉；以及多个薄膜晶体管，它们电气上连接至多条信号线，其中，至少一个薄膜晶体管形成在这样的位置处，在该处，两条相邻的信号线之间的距离被至少一条信号线的弯折部分缩短。

Description

反射型液晶显示装置

本发明涉及反射型液晶显示装置，它广泛地用作计算机、便携式信息终端、电子计算器、电子记事本(organizer)等的显示装置。

由于反射型液晶显示装置的低功耗，它们已经广泛地用于不同类型的便携式设备。近年来，随着信息的复杂化，对这些便携式设备进行彩色显示的需求增加了。因此，已经积极地开发了反射型彩色液晶显示装置。

图14是一种传统的有源矩阵型反射型液晶显示装置之结构的平面示意图。图15是更详细地描述图14的传统的显示装置的平面图。图16是描述一种非晶硅(a-Si)薄膜晶体管(TFT)之结构的剖面图，该TFT用作反射型液晶显示装置的有源元件。

下面将根据图14至16描述传统的反射型液晶显示装置的结构和制造方法。

首先，在玻璃基片10上用溅射方法形成一层金属薄膜，并且采用光刻和腐蚀方法构成图案，以形成TFT26的栅极总线20(扫描线)和栅极电极21。

然后，依次构成栅极绝缘薄膜40、半导体层41和接触层42，并构成图案，从而在栅极电极21的一些部分上至少部分地形成半导体层41和接触层42。

在此之后，通过溅射淀积用于源极总线(信号线)的金属和构成图案，以形成TFT26的源极总线30以及源极电极31和漏极电极32。接着，去除位于TFT26的沟道部分上方的部分接触层42。

在得到的基片上形成层间绝缘薄膜50，以使基片不平整的顶面变平。然后在漏极电极32上方的位置处，贯通层间绝缘薄膜50的深度而形成接触孔33。

最后，形成金属薄膜，并构成图案，以形成反射象素电极60。象素电极60通过接触孔33与相应的漏极电极32电接触。

于是，制得了有源矩阵基片。将得到的有源矩阵基片与相对的基片以预定的间隔接合在一起，相对的基片包括相对的电极，它在该基片差不多整个表面上形成。把液晶材料注入基片之间的间隔，并在它们之间形成密封，由此完成反射型液晶显示装置的制造。

如图14所示，所描述的传统的反射型液晶显示装置使用一种称之为Δ结构的象素结构，一般，这种结构在显示电视图像和静止图像等方面是有利的。当象素电极60形成得与相邻的栅极总线20重叠(在它们之间具有层间绝缘薄膜)时，在每个重叠部分处产生存储电容(Cs)，而且每个象素电极60的面积增加了。因此，这种重叠结构起着增加显示装置反射光量的作用。

然而，上述结构具有下述问题。因为认为每个上述Cs部分是象素区域的一部分，因此得到的象素区域具有图18所示的形状，它由象素部分60a和附加的象素部分60b(延伸部分)组成，象素部分60a大体上为矩形(它是如图17所示不形成Cs时的象素电极的形状)，而附加的象素部分60b相应于从象素部分60a延伸至一相当范围的Cs部分。由于象素电极具有这种形状，当如图18所示将显示屏划分为由竖直虚线确定的Q、P和O部分，并且在每个划分部分的整个区域内例如把红色(R)象素的区域占有(下面称为R象素的区域占有)与其他划分部分的R象素的区域占有作比较时，会得到Q＞P＞O的结果，这将在下面描述。作为一个例子，图18只描绘了三行象素，因而示出这三行中的中心部分Q只包括一个红色(R)象素。应该注意，由于沿竖直方向连续有相同的象素安排，如果考虑四行象素，则R象素的区域占有将对于三个部分Q相同。上述对于R象素的区域占有亦适用于其他颜色G和B。如图14和15所示，TFT26交替地形成在每条源极总线的左侧和右侧，而将相同颜色的象素连接至每条源极总线30。

图19A是上述R象素的区域占有的简图。参见图19A，在部分Q对于红色象素具有高的区域占有，在部分P对于红色象素具有低的区域占有，因为在那里只有红色象素与栅极总线20重叠的附加象素部分60b的一部分被包括在内，而在部分O中不包括红色象素部分。

于是，如从图19A将看到的，在传统的反射型液晶显示装置中，部分Q、P、Q和O的图案构成了一个图案周期，它相应于三个象素区域。这意味着，一个颜色色调(shade)的间距(pitch)(一个图案周期)是一个象素间距的三倍。因此，当一个象素间距为数十个微米或更大时，每种颜色的密度差(即，占有区域)可由肉眼认出为竖条，并且看到竖条图案的间距是象素间距的三倍，即，竖条图案的间距约为0.5mm。这使得显示质量变坏。说得更具体些，当使用图14和15的象素结构时，在图像显示屏上可以看到这样的竖条图案，显示屏的对角线尺寸为3英寸，并且包括数万个象素。

本发明的反射型液晶显示装置包括：一对基片，其间夹有液晶层；多个象素电极，它们形成在一对基片的一块基片上，具有Δ结构；多条信号线，形成在一对基片的一块基片上，信号线具有弯折部分；多条扫描线，形成在一对基片的一块基片上，形成多条扫描线和信号线，沿多个象素电极的周界延伸，以相互交叉；以及多个薄膜晶体管，它们在电气上连接至多条信号线，用于控制象素电极的电位，其中，多个薄膜晶体管中的至少一个薄膜晶体管形成在这样的位置处，在该处，多条信号线的两条相邻的信号线之间的距离被两条相邻信号线的至少一条信号线的弯折部分缩短。

在本发明的一个实施例中，多个薄膜晶体管的至少一个薄膜晶体管包括耦合至多条信号线之一的至少两个薄膜晶体管，而至少两个薄膜晶体管的每个薄膜晶体管耦合至多条信号线之一的一侧。

在本发明的另一个实施例中，通过贯穿覆盖多个薄膜晶体管、信号线以及扫描线的层间绝缘薄膜的深度而形成的接触孔，把多个象素电极在电气上连接至多个薄膜晶体管的至少一个薄膜晶体管的漏极电极，并且象素电极至少与扫描线或信号线重叠，而层间绝缘薄膜插在它们之间。

在本发明的又一个实施例中，多个薄膜晶体管的至少一个薄膜晶体管的源极电极和漏极电极之取向大体上垂直于多条扫描线。

在本发明的又一个实施例中，沿多条信号线之一互相邻近的至少两个薄膜晶体管的两个薄膜晶体管在尺寸上相同，并且连接至两个薄膜晶体管的象素电极在尺寸上相同。

在本发明的又一个实施例中，连接至两个薄膜晶体管的像素电极对应于各自不同颜色的像素。

在本发明的又一个实施例中，沿多条信号线之一互相邻近的至少一个薄膜晶体管的两个薄膜晶体管在尺寸上相同，并且连接至两个薄膜晶体管的象素电极在尺寸上相同。

在本发明的又一个实施例中，具有与相应的象素电极的电位相同电位的电极形成在每个象素电极的下面，从而与相应的扫描线形成重叠部分。

在本发明的又一个实施例中，每个象素电极与相邻的扫描线之一重叠，该扫描线在扫描信号被另一条相邻的扫描线(它通过多个薄膜晶体管的至少一个薄膜晶体管电气上连接至有关的象素电极)接收之前接收扫描信号。

在本发明的又一个实施例中，每个薄膜晶体管的源极电极跨过薄膜晶体管的栅极电极的宽度，并且从栅极电极突出一段与栅极电极和源极电极之间的对不准量相应或更大的距离。

在本发明的又一个实施例中，多个薄膜晶体管的至少一个薄膜晶体管包括耦合至多条信号线之一的至少两个薄膜晶体管，并且至少两个薄膜晶体管交替地形成在多条信号线之一的两侧。

或者，本发明的反射型液晶显示装置包括：一对基片，其间夹有液晶层；多个象素电极，它们形成在一对基片的一块基片上；多条信号线，形成在一对基片的一块基片上，信号线具有沿第一方向延伸的延伸部分和沿第二方向延伸的弯折部分，第二方向大体上垂直于第一方向；多条扫描线，大体上平行于第二方向形成在一对基片的一块基片上，形成多条扫描线和信号线，沿多个象素电极的周界延伸，以相互交叉；以及薄膜晶体管，它们耦合至多条信号线，并且沿两条相邻信号线的弯折部分之间的公共轴线形成。

在本发明的一个实施例中，将耦合至多条信号线之一的薄膜晶体管耦合至多条信号线之一的一侧。

在本发明的另一实施例中，将耦合至多条信号线之一的薄膜晶体管交替地耦合至多条信号线之一的两侧。

于是，按照本发明，每个象素电极与栅极总线的重叠部分避免如附加象素部分出现的沿平行于栅极总线的方向延伸。结果，每种颜色不同密度的图案周期变为象素间距的1.5倍。这使得竖直条不太看得出，由此提高了显示质量。

按照本发明，薄膜晶体管可以只在每条信号线的一侧形成。采用这种结构，即使在形成过程中由于未对准而使薄膜晶体管的源极电极或漏极电极形成得离信号线过远或过近，沿信号线相互邻近的薄膜晶体管的特性仍能保持匹配。

按照本发明，层间绝缘薄膜的形成使得象素电极能够至少与扫描线或信号线重叠，由此提高反射效率。

按照本发明，每个薄膜晶体管的源极电极和漏极电极可以形成得与扫描线大体上垂直。由于用了这种结构，即使在形成薄膜晶体管期间出现了对不准，也能够固定栅极电极和源极电极的重叠区域以及栅极电极与漏极电极的重叠区域。

按照本发明，沿信号线相互邻近的两个不同的薄膜晶体管可以形成得具有相同的尺寸，并且连接至这两个不同的薄膜晶体管的相应的象素电极可以形成得具有相同的尺寸。由于用了这种结构，可以使两个不同的薄膜晶体管的电特性(诸如充电能力)以及要由薄膜晶体管驱动的液晶区域的尺寸相同。这允许有均匀的显示。这里使用的薄膜晶体管的尺寸用W/L来表示，其中W是薄膜晶体管的沟道宽度，而L是薄膜晶体管的沟道长度。

按照本发明，在每个象素电极下方，可以形成一个具有与象素电极的电位相同电位的电极，以与扫描线重叠。由于用了这种结构，能够确保在与扫描线的重叠区域有较大的电容。

按照本发明，每个象素电极可以与相邻的扫描线之一重叠，该扫描线在扫描信号被通过薄膜晶体管电气连接至象素电极的另一条扫描线接收之前接收扫描信号。由于用了这种结构，象素电极具有较大的矩形的形状。

按照本发明，每个薄膜晶体管的源极电极和漏极电极可以形成得沿扫描线取向，并且源极电极可以形成得跨过薄膜晶体管的栅极电极的宽度而从栅极电极突出一个相应于未对准的量或更大的量。由于用了这种结构，即使在薄膜晶体管形成期间出现了对不准，仍能固定栅极电极与源极电极的重叠区域以及栅极电极与漏极电极的重叠区域。

于是，这里描述的本发明能够提供一种用肉眼识别不出竖条图案的反射型液晶显示装置，因而提高了显示质量。

在阅读和理解了下面参照附图的详细描述之后，对于熟悉本领域的人来说，本发明的这些和其他的优点将变得显而易见。

图1是示意地示出按照本发明的例1的反射型液晶显示装置的平面图。

图2是详细描述图1的反射型液晶显示装置的平面图。

图3是描述例1的反射型液晶显示装置的象素形状的平面图。

图4是详细示出按照本发明的例2的反射型液晶显示装置的平面图。

图5是沿图4的Y-Y线截取的剖面图。

图6是描述例3的反射型液晶显示装置的比较例的平面图。

图7是描述图6的比较例的象素形状的平面图。

图8是示意地示出按照本发明的例3的反射型液晶显示装置的平面图。

图9是详细描述例3和例4的反射型液晶显示装置的平面图。

图10是描述例3的反射型液晶显示装置的象素形状的平面图。

图11A是部分地描述在信号线的右侧和左侧交替地形成TFT的一种结构，而图11B和11C是描述由于未对准而引起的栅极-漏极电容(Cgd)的变化的平面图。

图12A和12B是详细描述按照本发明的例5的反射型液晶显示装置的平面图。

图13是详细描述按照本发明的例6的反射型液晶显示装置的平面图。

图14是示意地描述传统的反射型液晶显示装置的平面图。

图15是详细描述图14的反射型液晶显示装置的平面图。

图16是TFT部分的剖面图，该部分通常在传统的反射型液晶显示装置和例1至例6的反射型液晶显示装置中形成。

图17是描述不形成Cs部分的传统的反射型液晶显示装置的象素形状的平面图。

图18是描述传统的反射型液晶显示装置的象素的实际形状的平面图。

图19A和19B分别是描述传统的反射型液晶显示装置和按照本发明的反射型液晶显示装置的颜色浓淡分布的草图。

首先，描述本发明的概念。

如上面就现有技术的问题所描述的，在传统的显示装置中可以看到竖条，这是因为每种颜色的象素是这样安排的，如图18所示，当显示区域被竖直线划分成一些部分时，这些部分具有每种颜色的互不相同的密度，从而用肉眼可以识别不同密度的图案周期。

图1和2描述了按照本发明解决上述问题的结构之一例，在该例中，TFT26的位置是改变的。特别是，每个象素电极60大体上由与两条相邻的源极总线30相交的两条相邻的栅极总线20确定。换言之，栅极总线20和源极总线30都围绕着每个象素电极60的周界而形成。在本发明中，栅极总线20也可以称为扫描线，而源极总线30也可以称为信号线。

从图1可见，源极总线30包括延伸部分30a和大体上垂直于延伸部分30a的弯折部分30b。还有，可以看出沿一条给定的源极总线30的弯折部分30b交替地沿相反的方向伸展。在每个象素电极60中，TFT26在邻近源极总线30的一个区域中形成，在该区域中，两条相邻的信号线之间的距离被弯折部分30b缩短了。换言之，TFT26沿公共轴线A1在两条相邻的源极线30的弯折部分30b之间形成。通过将TFT26设置在这一位置，每个象素电极60具有大体上类似于矩形的形状，它具有小的突出的方块。

由于用了上述结构，防止了每个象素电极60与栅极总线20重叠的部分如图18中所示的附加象素部分60b那样沿平行于栅极总线20的方向延伸。结果，如图3和19B所示，每种颜色不同密度的图案周期变为象素间距的1.5倍。说得更具体些，由于在此情形中不存在相应于示于图18之传统情形中的部分P的中间密度部分，因此颜色浓淡的间距减少到一半。这使得竖条用肉眼不容易看出，由此提高了显示质量。

TFT26的位置可以不同的方式变化，这将在下面的本发明的例子中加以描述。

下面，将参照有关的附图用例子来描述本发明。

(例1)

在本例中，采用沿每条源极总线30只安排相同颜色的象素这样一种情形，以实现没有延伸部分的象素。

图1是本例的反射型液晶显示装置100的示意平面图。图2是更详细地描述反射型液晶显示装置100的平面图。沿图2的X-X线截取的剖面图大体上与图16的剖面图相同。在图1和2中，用相同的标号来表示与图15所示之传统的显示装置的部件相同的部件。

在本例的反射型液晶显示装置100中，与图15所示之传统的显示装置不同，每个TFT26在邻近源极总线30的一个区域中形成，在该区域中，弯折部分30b如此伸展，从而缩短了相邻的源极总线30之间的距离。换言之，沿一条公共的轴线A1在两条相邻的源极线30的弯折部分30b之间形成TFT26。还有，如图1所示，将TFT26交替地安排在一条给定的源极总线30的两侧，从而一条给定的源极线30之所有的TFT相应于同样颜色的象素。在本例中，象素电极60还与一条栅极总线20重叠，该栅极总线位于与在传统的情形中的那侧相对的一侧。例如，如在图15的传统的情形中所示，象素电极60在电极区域的下部与一条栅极总线20重叠，而在如图1所示的本发明中，电极60在电极区域的上部与一条栅极总线20重叠。

结果，象素电极60与栅极总线20的重叠部分防止形成平行于栅极总线20伸展的延伸部分。如图3所示，得到的象素的形状大体上是矩形，而没有诸如图18所示的延伸部分60b之类的延伸部分。至于颜色安排，如图3所示，由于没有相应于部分P的部分(如图18所示，部分P包括了延伸部分60b的一部分)，因而如图19B所示，交替地安排两种类型的部分Q和O。

因此，在本例的反射型液晶显示装置中，由于不存在部分P，因此沿横向的颜色浓淡的图案周期减小到传统情形下的一半。即，它是象素区域60的宽度W的1.5倍。这使得竖条图案的间距较小，因而使得竖条用肉眼不容易看出。顺便说一下，把每个象素电极60做得与栅极总线20重叠，以确保反射区域尽可能地大，以增加反射，于是可以得到较亮的显示。

参见图1、2和16描述本例的反射型液晶显示装置的制造方法。

首先，在一块绝缘基片上形成一层金属薄膜。在本例中，通过溅射将Ta淀积在一块玻璃基片10上，至500nm的厚度，然后用光刻方法构成图案以形成TFT26的栅极总线20和栅极电极21。

然后，通过等离子体化学气相淀积(CVD)依次形成栅极绝缘薄膜40、半导体层41和接触层42。在本例中，SiN_x、非晶Si和n⁺-非晶Si分别淀积至300nm、100nm和80nm的厚度。

然后对半导体层41和接触层42构成图案，以至少部分地淀积在栅极电极21上。例如，在装置的显示区域的周界处，去除在总线端部中的栅极绝缘薄膜40，以允许与栅极总线20电接触。

然后通过溅射方法淀积Ta并构成图案，以形成源极总线30、源极电极31和漏极电极32。

在此以后，通过腐蚀等方法，去除与TFT26的沟道部分对应的接触层42的部分，由此完成TFT26的制造。接下来，例如将光敏丙烯酸树脂均匀地施加至得到的基片上，并且进行曝光和显影，以形成层间绝缘薄膜50。在形成层间绝缘薄膜50时，在漏极电极32上方的位置处，通过贯通层间薄膜50的厚度而形成接触孔33。与此同时，还在总线端部形成接触孔。然后将得到的基片加热，以使树脂固化。

然后通过溅射方法淀积A1并构成图案，以形成象素电极60。于是完成了有源矩阵基片的制造。

把如此制造的一块有源矩阵基片和一块形成有滤色器和相对电极之相对基片接合在一起，用间隔物在两块基片之间形成预定的间隔。然后将液晶材料注入间隔，并在两块基片之间形成密封。于是，得到了反射型液晶显示装置。

可以采用已知的技术来完成诸如形成上述的相对基片和注入液晶材料等步骤。

(例2)

在本例中，增大了例1的反射型液晶显示装置的存储电容(Cs)。

图4是本例的反射型液晶显示装置200的平面图。图5是图4沿Y-Y线截取的剖面图。反射型液晶显示装置200包括重叠部分36，每个重叠部分36与栅极总线20重叠，并且通过延伸部分35与TFT26的漏极电极32相连接。

在图1和6所示的例1中，在栅极总线20和象素电极60之间存在两个绝缘薄膜，即，栅极绝缘薄膜40和层间绝缘薄膜50，它们构成了存储电容。然而，在例2中，如图5所示，在电连接到像素电极60的重叠部分36与栅极总线20之间产生每个存储电容。由于在它们之间只存在栅极绝缘薄膜40，因此，本例中的电容要比例1中的电容大一个量，该量与没有层间绝缘薄膜50相对应。由于存储电容的值较大，因此显示质量较高，只要TFT的驱动能力允许。因此，在本例中，能够进一步提高显示质量。

(例3)

在本例中，将描述象素结构不同于例1中的象素结构的情形。

图8是本例的反射型液晶显示装置300的示意平面图。图9是更详细地描述反射型液晶显示装置300的平面图。

在本例的反射型液晶显示装置300中，在每条源极总线30的一侧，交替地安排两种采色象素。TFT26只在源极总线30的一侧形成。

上述只在每条源极总线30的一侧形成TFT26的条件也适合于具有图6的TFT结构和示于图7的彩色象素结构的情形。从图7显然可见，这种象素结构引起了上述的现有技术问题。

于是，在本例中，在图8和9所示的位置处形成TFT26。即，在象素区域的一个位置处形成每个TFT26，该象素区域被源极总线30的弯折部分30b变窄。因此，由象素电极60确定的象素区域的形状大体上变为矩形。

(例4)

在本例中，即使TFT位置偏离，也能在例1和例2的反射型液晶显示装置中避免显示故障的出现。

本例的反射型液晶显示装置的结构与图9所示的结构相同。

在例1和例2的反射型液晶显示装置中，为了要使象素在整个显示屏内具有大体上相同的形状，即，考虑到用形状大体上相同的象素的重复图案来构成整个显示屏，要把象素交替地安排在每条源极总线30的右侧和左侧。在这种情形中，自然地，TFT26要交替地形成在每条源极总线的右侧和左侧，如图11A所示。在这种情形中，当在形成源极总线、源极电极和漏极电极而将金属曝光时，如果发生向右或向左的对不准，如图11B和11C所示，则源极电极和漏极电极与栅极电极的重叠面积发生变化。

假设源极电极与栅极电极的重叠面积用Sgs表示，而漏极电极与栅极电极的重叠面积Sgd表示。当如图11b所示发生向左的对不准时，示于图11A的TFT-A的Sgs增大而它的Sgd减小。反之，示于图11A的TFT-B的Sgs减小而它的Sgd增大。

这种重叠面积的改变导致栅极-漏极电容(Cgd)的改变。由于Cgd正比于Sgd，在上述情形中，示于图11A的TFT-A的Cgd减小而示于图11A的TFT-B的Cgd增大。于是，连接至一条源极总线的象素交替地具有不同的Cgd值，导致对每个象素要施加至相对电极之最佳电压值的改变，由此引起闪烁的出现和产生象素的残留图像。这降低了得到的显示屏的质量。

当发生如图11C所示的向右的对不准时，示于图11A的TFT-A的Cgd增大而示于图11A的TFT-B的Cgd减小，与上述情形相反。

在本例中，为解决上述问题而提出了一种象素形状。

图9是本例的反射型液晶显示装置的平面图。在本例中，为了避免连接至一条源极总线的象素的Cgd发生改变，故只在每条源极总线30的一侧形成TFT26。还有，为了在象素区域的一侧(源极总线的弯折部分在该侧伸展)形成TFT26，故在本例中沿源极总线30交替地形成两种类型的TFT26a和26b。

换言之，重复地安排一组包括两种类型的象素。说得更具体些，对于如从图9看到的上面一行中的象素，TFT26a形成在与每条源极总线30的向右弯折部分30b相对的左侧。对于下面一行中的象素，TFT26b形成在与每条源极总线30的向左弯折部分30b的左侧。

在本例中，TFT26a和TFT26b也形成在图8和9所示的位置处。即，每个TFT26a和TFT26b形成在这样的位置处，在那里，源极总线30的弯折部分30b伸展，从而缩短了相邻的源极总线30之间的距离。因此，由像素电极60确定的象素区域的形状大体上成为矩形。

在图1和4所示的象素结构中，包括一个象素和前一个象素的横向倒转样式的象素的组构成了重复图案的一个单元。因此，通过只设计一个象素就能制造出所有的象素。在本例中，为了制造所有的象素，需要设计包括沿源极总线30相互邻近的两种类型的象素构成的一组象素。实际上，如此设计两种类型的象素，从而它们具有大体上相等的象素电极面积和大体上相同的TFT尺寸。特别是，将TFT26a和26b设计得具有相同的尺寸。为进行试验而实际制造这样的反射型液晶显示装置，并对该装置的显示质量进行评估。在试验期间，既没有观察到竖条也没有看到出现闪烁或产生残留图像。还没有检查出特别由于本例的结构造成的显示故障。

(例5)

图12A和12B分别是例1和4的反射型液晶显示装置的变更例的平面图。在这些变更例中，使每个TFT26的源极电极31和漏极电极32结构的取向大体上垂直于栅极总线20。在图12B的情形中，如在例4中那样，TFT26a和26b只形成在每条源极总线30的一侧。因此，如在例4中那样，可以获得防止在每个象素中由于未对准而引起栅极-漏极电容改变的效果。

在图12A的情形中，TFT26a和26b交替地形成在每条源极总线30的右侧和左侧。考虑到上述的对不准，使得从源极总线30延伸的每个TFT26a和26b的源极电极31，在跨过TFT的栅极电极的宽度后，从TFT的栅极电极21突出一个与对不准的量相应或更大的长度。即，作为对准余量，使源极电极31从栅极电极21突出一个示于图12A的长度d。由于用了这种结构，可以获得如在例4中得到的相同的效果。

(例6)

图13是本例的反射型液晶显示装置的平面图。

本例的反射型液晶显示装置与例4在基本概念方面相同，但是TFT的位置和结构方面不同。

在例4中，从图9看得的下面一行中的TFT26b形成在源极总线30的向左弯折部分30b的左侧。在例6中，从图13看得的下面一行中的TFT26b形成在与在上面一行中的TFT26a的位置大体上相同的位置处，即，在象素电极60的右下角。

每个TFT26b能够用这样的方式形成在上述位置处：栅极总线20的突出部分20a如此延伸，从而源极总线30跨过突出部分20a，即，栅极电极21以及源极电极31和漏极电极32形成在突出部分20a的顶部。

在上述例1至例6中，如图16所示形成层间绝缘薄膜50，从而能够把象素电极60的尺寸做得较大。然而没有层间绝缘薄膜的结构也是可能的。

在没有层间绝缘薄膜的上述情形中，为了防止象素电极60与源极总线30电接触，象素电极60必须沿平行于基片表面的方向形成得远离源极总线30。此外，象素电极60不可能与TFT26重叠。这减小了每个象素电极60的面积，于是降低了反射效率。然而，在这种情形中，只要通过把象素电极60重叠在栅极总线20上，就能得到与在例2中得到的相等的存储电容值。于是，这个结构的优点在于，能够用比例2的结构简单的结构获得同样的存储电容。

于是，按照本发明的反射型液晶显示装置，基本上防止了在显示屏上看到竖条，于是提高了显示质量。

不偏离本发明的范围和精神的各种其他的变更对于熟悉本领域的人来说将是显而易见的，并且他们能够容易地做出这些变更。因此，不打算将所附的权利要求的范围限于这里给出的描述，而要对权利要求作概括的解释。

Claims (10)

1.一种反射型液晶显示装置，其特征在于，包括：

一对基片，在它们之间夹有液晶层；

具有△结构的多个象素电极，它们形成在所述一对基片中的一个基片上；

多条信号线，它们形成在所述一对基片中的所述一个基片上，所述信号线具有弯折部分；

多条扫描线，它们形成在所述一对基片中的所述一个基片上，所述多条扫描线和信号线形成为沿所述多个象素电极的周界伸展，从而相互交叉；以及

多个薄膜晶体管，它们电气上连接至所述多条信号线，用于控制所述象素电极的电位；

其中，所述多个薄膜晶体管中的至少一个薄膜晶体管形成在这样的位置处，在该处，所述多条信号线的两条相邻信号线之间的距离被所述两条相邻信号线中的至少一条信号线的弯折部分缩短；并且

所述多个薄膜晶体管具有耦合至所述多条信号线中的一条信号线的至少两个薄膜晶体管，而所述至少两个薄膜晶体管中每个薄膜晶体管都耦合至所述多条信号线中的所述一条信号线的一侧，致使与所述多条信号线中的所述一条信号线耦合的所有晶体管都耦合到所述一条信号线的一侧。

2.如权利要求1所述的反射型液晶显示装置，其特征在于，所述多个象素电极通过接触孔与所述薄膜晶体管的漏极电极电气连接，其中所述接触孔是通过贯穿覆盖所述薄膜晶体管、信号线以及扫描线的层间绝缘薄膜之深度而形成的，并且所述象素电极至少与所述扫描线或信号线重叠，而所述层间绝缘薄膜插在它们之间。

3.如权利要求2所述的反射型液晶显示装置，其特征在于，在每个象素电极的下面形成一个对应的电极，所述电极的电位与相应的象素电极的电位相同，从而与相应的扫描线形成重叠部分。

4.如权利要求1所述的反射型液晶显示装置，其特征在于，所述两个薄膜晶体管的源极电极和漏极电极的取向大体上垂直于所述扫描线。

5.如权利要求4所述的反射型液晶显示装置，其特征在于，所述薄膜晶体管中沿所述多条信号线之一、彼此相邻的两个薄膜晶体管在尺寸上相同，并且连接至所述两个薄膜晶体管的所述象素电极在尺寸上相同。

6.如权利要求4所述的反射型液晶显示装置，其特征在于，每个所述薄膜晶体管的所述源极电极跨过每个相应薄膜晶体管的所述栅极电极的宽度，并且从栅极电极突出一段距离，所述距离对应于所述栅极电极和所述源极电极之间的对不准量或者更大。

7.如权利要求1所述的反射型液晶显示装置，其特征在于，所述至少两个薄膜晶体管中沿所述多条信号线中的所述一条信号线、彼此相邻的两个薄膜晶体管在尺寸上相同，并且连接至所述两个薄膜晶体管的所述象素电极在尺寸上相同。

8.如权利要求7所述的反射型液晶显示装置，其特征在于，连接至所述两个薄膜晶体管的所述象素电极对应于具有各自不同颜色的象素。

9.如权利要求1所述的反射型液晶显示装置，其特征在于，每个所述象素电极与一条相邻的扫描线重叠，所述一条相邻的扫描线在一扫描信号被另一条相邻扫描线接收之前接收所述扫描信号，所述另一条相邻的扫描线通过所述多个薄膜晶体管的所述至少一个薄膜晶体管电气上连接至相应的所述象素电极。

10.如权利要求1所述的反射型液晶显示装置，其特征在于，多条信号线中的每条信号线都连接到多个具有不同颜色的象素。

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