TW439002B

TW439002B - Reflective liquid crystal display device

Info

Publication number: TW439002B
Application number: TW087116735A
Authority: TW
Inventors: Yuzuru Kanemori; Kazuhiko Tsuda; Kozo Nakamura
Original assignee: Sharp Kk
Priority date: 1997-10-17
Filing date: 1998-10-08
Publication date: 2001-06-07
Also published as: JP3386701B2; CN1218199A; KR100277001B1; CN1161650C; US6275274B1; KR19990037164A; JPH11119254A

Description

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發明説明 439002 經濟部中央標準局員工消f合作社印製 I發明領域本發明係關於—種反射刑、k r m . 土说阳顯π裝置，其廣泛使用於電 ^ , 兒子计异機、電子運算機、及類似者疋顯示裝置。 2 相關技藝說明反射型液晶_示裝置因其低耗電量而已廣泛用於多種搞帶，：置’近年來由於資料之繁複，大爲需要對此攜帶式裝置只施顏色顯示，因此而主動地研發出反射型液晶顯示裝置。圖1 4係一習知主動矩陣式反射型液晶顯示裝置之結構平面不意圖，圖15係一平面圖且詳示圖14之習知顯示裝置。係截面圖且説明一非結晶秒（a-Si)薄膜電晶體（TFT)之結構’琢電晶體係做爲反射型液晶顯示裝置之主動元件。習知反射型液晶顯示裝置之結構與製造方法將參考圖14 至1 6説明之。首先’一金屬膜利用濺射以形成於一玻璃基材i 〇上，且利用光學石版印刷與蝕刻而製出圖案，以形成TFTs 2 6之閘區流排線（掃描線）2 0及閘極2 1。隨後一閘絕緣膜40、一半導體層41 '及一接觸層42依序形成及製出圖案，使半導體層41及接觸層42至少局部地形成於閘極2 1上方之部份處。此後，一做爲源匯流排線（訊號線）3 〇之金屬利用濺射積置及製出圖案，以利形成源匯流排線3 0以及TFTs 26之源極 3 1與漏極3 2，隨後位於TFTs 26槽道部份上方之接觸層4 2 (諳先閱I背面之注意事項再填窍本頁)

Λ7 El 2 經濟部中央標準局負工消费合作社印製 439002 五、發明説明（部份再予以去除。 —層間絕緣膜50形成於所生成之基材上方，以壓平基材之不均勻頂表面，接觸孔3 3再形成穿透層間絕緣膜5 〇之深度且在漏極32上方位置處。最後，一金屬薄膜形成及製出圖案以形成反射型像素極 6 0，像素極6 0經由接觸孔3 3以通電於對應之漏極3 2。因此’一主動矩陣基材即製成之，而生成之主動矩陣基材結合一反向基材，反向基材包括一反向電極形成於其大致整個表面上，且其間有一預定空間β 一液晶材料注入基材之間且形成一密封，藉以完成反射型液晶顯示裝置。如圖1 4所示，所示之習知反射型液晶顯示裝置係採三角形（△)排列之像素排列，其大體上係有利於視覺影像、靜 .¾影像、及類此物之顯示。當像素極6 〇形成重疊於具有層間絕緣膜在其間之相鄰閘匯流排線2〇時，一儲存電容（Cs) 即生成於各重疊邵份，且各像素極6 〇之面積增大，因此，此重疊結構可用於增加自顯示裝置反射之光量。 - 惟，上述結構具有以下問題，由於上述各Cs部份爲一像素區域&郅份，因此所生成之像素區域具有圖1 8所示形狀’其包含-概呈長方形之像素部份6〇a(如圖”所示當無 Cs部份形成時所取得之—像素極形狀）及另—像素部份（延伸段)6 〇b，另一像素部份係對應於自像素部分6 0 a延伸至一可親程度之Cs部份。藉由此像素極形狀，當顯示幕分隔爲由圖1 8所示垂直虛線定鼻泛段茨Λ ^ ^ ^ φ .、〜Q、p、〇，且各分隔段落 ^面積中之紅色⑻像素面積佔據率（文後稱爲㈣素之面 5- M良張尺度適用中國國家標孪（CNS ) Λ規格（210父297公及） Γ請先閲·讀背面之注意事項再填寫本頁}

439002 Λ7 B? 五、發明説明（3 ) ~ ' 積佔據率）相較於其他分隔段落者時，所得Q > p > 〇之結果將説明於後。圖1 8僅以三排像素舉例説明，三者之中之中間段Q包括僅-紅色（R)像素，應注意㈣，㈣像素排列之相同圖案持績於垂直方向中，若考量採用四排像素，則R 像素之面積佔據率應相同於三段(^者，上述相關於汉像素面積佔據率之説明亦適用於其他色彩G B。如圖14、U所示，TFTs 26父替地形成於各源匯流排線3 〇之左、右侧上，同色之像素則接於各源匯流排線3〇。圖19A係前述R像素面積佔據率之簡示圖，參閱圖19八，段 Q具有一紅色像素之高面積佔據率，段p具有減少之面積佔據率，因爲紅色像素重疊於閘匯流排線2 〇之另—像素部份 60b僅有一部份包括於其内，而段〇則無紅色像素部份。因此’由圖1 9 A可看出’在習知之反射型液晶顯示裝置中段落Q、P、Q、〇圖案構成一圖案循環，其對應於三個像素區域，此意指色彩陰影之一間距（—圖案循環）係三倍於像素間距。據此，當一像素之間距爲數十微米以上時，各顏色之密'度差異（即佔據面積）可用目視辨識出垂直條紋，且一垂直條紋圖案以三倍於像素間距之一間距觀察出，即大約0.5毫米間距，此將惡化顯示品質。特別是當使用圖 1 4、1 5所示之像素排列時，此一垂直條紋圖案可在一影像顯示幕上看到’顯示幕具有3吋之對角尺寸且包括數萬個像素。發明概述本發明之反射型液晶顯示裝置包括：一對基材，其間夾 ** 6 - 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公费） (-請先虬讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂經濟部中央標毕局員工消费合作社印製經濟部中央標準局S工消费合作社印製 4390 Q 2 ————~~—--__ 五、發明説明（4 ) ' ~ 置'一液晶層；眾多像夸SL古' _ . 、豕京極，具有一二角形排列形成於基材對心其中一者上；眾多訊號線，形成於基材對之立中一者上，訊號線具有彎折段；眾多掃描線，形成於基材對之其中-者上’眾多掃描線與訊號線係沿眾多像素極之周邊延伸’以利互相跨越；及眾多薄膜電晶體，係通電於眾多訊號線以控制像素極之電位，其中眾多薄膜電晶體之至少一者係形成於眾多訊號線之二相鄰訊號線之間距離由二相鄰訊號線其中至少一者之彎折段減少之—位置處。本發明之一實例中眾多薄膜電晶體之至少—者包括至少二薄膜電晶體且耦合於眾多訊號線其中一者，該至少二薄膜電晶體係各耦合於眾多訊號線其中—者之—側。本發明之另一實例中，眾多像素極係藉由形成穿透於一層間絕緣膜深度之接觸孔以通電於眾多薄膜電晶體至少一者之漏椏，而層間絕緣膜覆蓋於眾多之薄膜電晶體、訊號線、及掃描線’且像素極將至少爲掃描線或訊號線任—者重疊於其間之層間絕緣膜。 " 本發明之又一實例中，眾多薄膜電晶體至少—者之源極與漏極係大致垂直於眾多掃描線。本發明之再一實例中，沿眾多訊號線之一者而互相相鄭之至4 一薄膜電晶體之二者係相同尺寸，且連接於二薄膜電晶體之像素極係相同尺寸。本發明之又再一實例中，沿眾多訊號線之—者而互相相鄰〜土 y 薄膜電晶體之二者係相同尺寸’且連接於二薄膜電晶體之像素極係相同尺寸。 -7- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（21〇χ 297公浼） Γ#先I請背面之注意事項再填寫本¥0

Λ7 R? 經濟部中央標準局員工消费合作枉印製五、發明説明（5 二例中，連接於二薄膜電晶體之像素極係相 §於各另J不同顏色之像素。 ::明，—實例中，一電極具有—電位且相同於一對應 ^仏’其係設於各像純下方以職-對應之掃描線形成一重叠部份。一本發、又w例中，各像素極重疊於一相鄰之掃描線，該相鄰之掃描線係在掃描訊號由另—相鄰掃描線接收前即先接收·ίψ痴訊就，而孩另—相鄰掃描線則經由眾多薄膜電晶體之至少一者以通電於各別之像素極。本發明之又-實例中，各薄膜電晶體之源極跨過薄膜電晶體（閘極寬度’且自問極突出一段距離，才目當於閘極與源極或較多者之間之失準量。本發明之又一實例中，眾多薄膜電晶體之至少一者包括至少二薄膜電晶體且耦合於眾多訊號線其中一者’該至少二薄膜電晶體係交替地形成於眾多訊號線其中一者之二側上c - 另者，本發明之反射型液晶顯示襞置包括_·—對基材，其間夹置一液晶層；眾多像素極，形成於基材對之其中—者上1多訊號線，形成於基材對之其中—者上，訊號線具有延伸段延伸於一第一方向及彎拆段延伸於—第—方内大致垂直於第二方向；"掃描線，係形成於大：：第：方向平行之基材對其中-者上1多掃描線與訊號線沿眾多像素極之周邊形成延伸，以利互相跨越；及薄膜電晶體’係賴合於眾多訊號線，且沿二相鄰訊號線之彎折本紙張尺度適用中国國家榇準（CNS ) Λ4規格（2丨0/ 297公处） C对先閱f背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部t央標準局K工消费合作社印裝 439002 五、發明説明（6 ) 〜- 間一共同軸線而形成。本發明之一實例中，耦合於眾多訊號線其中—者之薄膜電晶體係竊合於眾多訊號線其中—者之—側。本發明之另一實例中，耦合於眾多訊號線其中一者之薄膜電晶體係交替地耦合於眾多訊號線其中—者之二側。因此，係本發明所不，各像素極與閘匯流排線之重疊部份可免於像其他像素部份一樣沿著一平行於閘匯流排線之= 向延伸=結果，各色不同密度之圖案循環漸成像素間距之一倍半，使垂直條紋較爲見不到，因而改善顯示品質。依本發明所示，薄膜電晶體可以僅形成於各訊號.線之—側上，藉由此結構，即使薄膜電晶體之源極或漏極因製程中之失準而形成過度遠離或接近於訊號線，薄膜電晶體沿訊號線而相互鄰近之特徵仍可保持其匹配。依本發明所示，一層間絕緣膜之製成可令像素極重疊於至少掃描線或訊號線任一者，藉以改善反射效率。依本發明所示，各薄膜電晶體之源極及漏極可製成大致垂直於掃描線，藉由此結構，閘極與源極之重疊面積以及閘極與漏極之重疊面積皆可固定，即使在薄膜電晶體製成期間發生失準。依本發明所示，沿詛號線而互相鄰近之二薄膜電晶體可製成具有相同尺寸，且連接於二不同薄膜電晶體之對應像素極可製成具有相同尺寸。藉由此結構，二不同薄膜電晶體之電氣特徵如充電能力以及欲由薄膜電晶體驅動之液晶區域尺寸等等皆可製成相同，此有利於均勻顯示。本案所用 -9- 本纸張尺度適用中國國家標準（CNS ) Μ現格（210X297公疫） (·請先閱讀背面.V注意事項再填寫本頁} ,-3° Λ7 經濟部中央標準局员工消资合作社印製厶39Q Q 2 五、發明説明（7 ) 薄膜電晶體尺寸以狐表示，其中w係薄膜電晶體之槽遏寬度，而L爲其槽道長度。係本發明所示，一電極具有電位相同於像素極者可製成於。像素極下方，以重蠱於掃描線，藉由此結構，—較大之電容可由掃描線保持於重.疊部份。依本發明所示，各像素極可重疊於其中—相鄰之掃描線，邊知描線在掃描訊號由另一掃描線接收前可先接收一掃描訊唬’而該另一掃描線係經由薄膜電晶體而通電於像素極’藉由此結構，像素極具有一較大之長方形狀。依本發明所示，各薄膜電晶體之源極與漏極可製成沿掃描線而定向’且源極可跨過薄膜電晶體之閘極寬度，以利自間極突出一段相當於—失準或以上之量。藉由此結構，即使薄膜電晶體製成期間發生失準，閘極與源極之重疊面積以及閘極與漏極之重疊面積仍可固定。緣是，本發明可達成提供—反射型液晶顯示裝置之優點，其中一垂直條紋圖案無法以目視辨識且顯示品質得以改善。本發明之上述及其他優點可由習於此技者在審讀及瞭解以下詳細說明與相關圖式後得知。圖式簡單説明圖1係一平面圖，簡單説明本發明範例1之反射型液晶顯示裝置。 .圖2係一平面圖，詳細説明圖1之反射型液晶顯示裝置。圖3係一平面圖，説明範例1反射型液晶顯示裝置之像素形狀。 -10- 本纸乐尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210x297公發）請先亂讀背面之注意事項再填寫本頁}

經濟部中央標準局t;!i工消f合作社印¾ Λ7 _______ _—__B1 ___ 五、發明説明（8 ) 圖4係一平面圖，詳細説明本發明範例2之反射型液晶顯示裝置。圖5係沿圖4之Y - Y線所取之截面圖。圖6係一平面圖，説明範例3之反射型液晶顯示裝置之比較範例。圖7係一平面圖，説明圖ό比較範例之像素形狀。圖8係一平面圖，簡單説明本發明範例3之反射型液晶顯示裝置。圖9係面圖’样細說明範例3、4之反射型液晶顯不'裝· 置。 1 . 圖1 0係一平面圖，説明範例3之反射型液晶顯示裝置之像素形狀。圖11A係一平面圖，局部説明TFTs交替地形成於一訊號線左與右側上之結構，及圖11B、；!丨C係平面圖，説明因失準所致之閘-漏電容（Cgd)變化。圖12 A、1 2B係平面圖，詳細説明本發明範例5之反射型液晶顯示裝置。圖1 3係一平面圖’詳細説明本發明範例6之~反射型液晶 ί嘴不裝置。圖1 4係一平面圖，説明一習知反射型液晶顯示裝置。圖1 5係一平面圖，詳細説明圖1 4之反射型液晶顯示裝置。 f 圖1 6係一TFT部份之截面圖，其—般係設於習知反射型液晶頭示裝置及範例1至6之反射型液晶顯示裝置中。 -11 - 本紙張尺度適用中囡"5^標準（CNS) Λ视‘（210><297公幻' 〜 -— (·請先M-請背面之注意事項再填寫本頁}

經濟部中央標準局員工消费合作社印製 ϊ 4 3 9 0 0 2 a? Η 7 ----------------------- 五'發明説明（9 ) _ 圖17係一平面圖，説明未形成（^部份之一習知反射型液晶顯示裝置之像素形狀。圖1 8係一平面圖，説明習知反射型液晶顯示裝置之像素眞實形狀。圖19Α、19Β係概念圖，分別説明習知反射型液晶顯示裝置與本發明反射型液晶顯示裝置之色彩陰影分佈。較佳實例説明首先將説明本發明之概念。如先前技藝之問題所述，垂直條紋可發現於習知之顯示裝置中’因爲各色之像素組合爲當顯示區域由圖18.所示之垂直線为隔成务干段洛時’諸段落即具有各色互不相同之密度，因此不同密度之圖案循環可做目視辨認。圖1、2説明本發明用於解決上述問題之結構範例，其中 TFTs 26之位置已有變化，特別是各像素極6 〇大致上係由二相鄰閘匯流排線2 0交叉於二相鄰源匯流排線3 〇而定義之，易言之，閘匯流排線2 0及源匯流排線3 0係相關於各像素極 6 0之一周邊而形成，在本發明中，閘匯流排線2 〇亦可視爲掃描線，且源匯流排線3 0視爲訊號線。如圖1所示，源匯流排線3 0包含延伸段3 0a及大致垂直於延伸段30a之彎折段30b，再者，沿一既定源匯流排線3 〇之彎折段30b係依圓示在相對立方向交叉延伸。在各像素極6 〇内，一 TFT 26係鄰近於一區域中之源匯流排線3 0而設，在此區域中之二相鄰訊號線間距係利用彎折段3 Ob以減少之，易言之，TFT 26係沿二相鄰源線3 0之彎折段3〇b之間一共同 -12- 本纸ί艮尺度適用中國國家標莘（CNS ) Λ4規格（210X297公犮） C請先亂讀背面之注意事項再填寫本頁) 、1Τ 今广--- Λ7 R / 經濟部中央標準局負工消f合作社印製 4390 0 2 I I - 五、發明説明（10 軸線A〗形成。藉由設置TFTs %於此位置，各像素極“具有一大致相似於長方形之形狀，且具有—小型突出之正方形。藉由上述結構，含有閘匯流排線2〇之各像素極6〇重疊部份可避免沿著一平行於閘匯流排線2 〇之方向延伸，該方向即如圖1 S所示其他像素部份6〇b所發生者，結果，如圖3、 19B所示，各色之不同密度之圖案循環漸成像素間距之一倍半。較特別的是，由於一相當於圖1 8所示習知者段p之中密度段並不存在於此範例中’因此色彩陰影之間距減少至一半，致使垂直條紋較看不出來，故可改善顯示品質_。 TFTs 26之位置可用多種方式變化，如本發明之以下範例所述。文後本發明將參考相關圖式而舉例説明。 (範例1) 在此例中，僅有相同顏色像素沿各源匯流排線3 〇排列之例子係用於取得無延伸段之像素。圖1係此範例之一反射型液晶顯示裝置1 〇〇平面示意圖，圖2係一平面圖，詳細説明反射型液晶顯示裝置100，沿圖2 之X - X線所取之截面圖係大致相同於圖1 6者。在圖1、2 中，相同於圖1 5所示習知顯示裝置者之組件係以相同編號表示。此範例之反射型液晶顯示裝置1 00中，不同於圖1 5所示習知顯示裝置之TFTs的是，各TFT 26係鄰設於有彎折段3〇b 延伸之區域中之源匯流排線3 0以利減少相鄰源匯流排線3 〇 -13 - 本纸悵尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4规格（210X 297公砬） (.諳先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)

4 3 9 0 0 2 五、發明説明（11 ) Λ 7 B? 請 it 閲-請背注，意事項‘ 再填· r- 頁之間距離，易言之’ TFT 26係沿二相鄰源線3 0之彎折段30b 之間一共同軸線A 1而形成。再者，如圖1所示，TFTs 26交替地排列於一既定源匯流排線3 0之二側上，使得一既定源線3 0之所有TFTs對應於相同顏色之一像素。再者，在此例子中，像素電極6 0重疊於一與習知例子相反侧上之閘匯流排2 0，如圖1 5之習知狀沉所示，像素極6 〇重疊於電極區域底部中之一開匯流排線2 0 ’而在本發明中，如圖1所示，電極6 0則重眷於電極區域頂部中之一閘醒流排線2 0。訂結果’含有閘匯流排線2 0之像素極6 0重疊部份可免於形成一延伸段平行於閘匯流排線2 0。圖3所示生成像.素之形狀概呈長方形，且無圖1 8所示之延伸段6〇b，對於顏色之排列而言’如圖3所示’由於其並不具有段落對應於包括圖18所示一部份延伸段60b之段P ’因此二種段落型式q、〇即可如圖19B所示交替地排列。經濟部中央標隼局負工消费合作社印製據此’此範例之反射塑液晶顯示裝置中，由於段p並不存在’橫向中之色彩陰影圖案循環會減少至習知狀況之— 半’亦即其爲像素區域60寬度W之一倍半，此令垂直方向條紋圖案之間距變小，並使條紋較不易見到。偶有的是各像素極60重叠於閘醒流排線20 ’以盡可能保持反射區域較大，由此以改善反射性及取得相亮之顯示。用於製造此範例反射型液晶顯示裝置之製程將參考圖i、 2、1 6説明之。首先’一金屬薄膜形成於一絕緣基材上，在此範例中赵利用政射以積置至一玻璃基材10上達到500奈米厚度，然後利 -14- 本紙浓尺度適用中國國家標毕（CNS )从規格（2ΙΟχ297公趁） ------- 經濟部中央標準局員工消f合作社印裝 439002 Λ7 -一________________ B7 五、發明説明（12 ) —_____ 用光學石版印刷技術製成圖案，以製出Tm26之閘匯流排線2 0及閘極2 1。隨後，一閘絕緣膜4 〇、一半導體屉4 ]、忍干守姐層41及—接觸層42依序由電漿化學氣體積置（CVD)製成，在此範例中，、非結晶矽、及H+非結晶矽分別積置至3〇〇、1〇〇、8〇奈米厚度。半導體層41及接觸層42製成圖案且至少局部積置於閘電極21上’閘絕緣膜4〇位於匯流排線終端部份内者先去除，例如位於裝置顯示區域之周邊者，以利通電至閘匯流排線 20 〇妲隨後利用濺射積置卫製出圖案以形成源匯流排線3〇、源極3 1、及漏極3 2。此後’對應於TFTs 26槽道部份之接觸層4 2部份利用蚀刻或類似方式去除，藉以完成TFTs 26，其後，一丙烯酸光感性樹脂均勻地施加於生成之基材，且將之曝露於光線及顯影’即形成一層間絕緣膜5 〇。在層間絕緣膜5 〇.生成時，接觸孔3 3係於漏極3 2上方之位置處穿過層間絕緣膜5 〇之深度而形成，同時，接觸孔亦生成於匯流排線終端部份中，生成之基材隨後加熱以固化樹脂。銘隨後以濺射積置及製出圖案以形成像素極6 0，一主動矩陣基材因而完成。以此製成之主動矩陣基材再接合一反向基材，反向基材具有一濾色片及一反向電極，反向電極上設有一預定空間且其間利用間隔片以形成之，一液晶材料隨後注入空間内且於其間形成一密封，因此可取得.一反射型液晶顯示裝置α -15- 本纸尺度適用令國國家標準（CNS ) Λ衫見格（2丨Οχ 297公尕） (請先亂讀背面之注意事項再填寫本頁)

經濟部中央標準局^;工消費合作社印製 4 3 9 Ο Ο 2 Λ7 ---____ '_ _Β7 五、發明説明（13) ^ — ' 砍袄如上述反向基材之生成及—液晶材料之注入亦可使用習知技術實施。 (實例2) 在此範例中，範例丨之反射型液晶顯示裝置之儲存電容量 (Cs)增大。圖4係此範例之反射型液晶顯示裝置2〇〇平面圖，圖5係沿圖4之γ_γ線所取之截面圖，反射型液晶顯示裝置2⑽包括右干重疊部份3 6，其各重疊於閘匯流排線2 〇且經由一延伸段3 5以連接於TFT 26之漏極3 2。在圖1、1 6所示之範例ϊ中，二絕緣膜，即閘絕緣膜4 〇與層間絕緣膜5 0，係存在於閘匯流排線2 〇與像素極6 〇之間而構成一儲存電容，惟，在範例2中，如圖5所示，各儲存電容係產生於通電至像素極6 〇之重疊部份3 6與閘匯流排線2 〇之間’由於僅有閘絕緣膜4 〇存在於其間，因此在此範例中之免容即大於範例1者，所增大之値則相當於缺少了層間絕緣膜5 0所致3由於儲存電容値較大，顯示品質即較高，此只要TFT之驅動能力容許即可β據此，在此範例中顯示品質可進一步提昇。 (範例3 ) 在此範例中，將説明像素不同於範例1之排列方式。圖8係此範例之一反射型液晶顯示裝置3〇〇平面示意圓，圖9係一平面圖，説明反射型液晶顯示裝置3 〇〇之細部結構。此範例之反射型液晶顯示裝置300中，二種型式之顏色像 -16- 本紙idk適用中國國家標窣（CNS )八4说格（2lOX297公垃） ί·請先閱請背面之注意事項再填"本頁}

43 90 0 2 ..¾濟部中央榡率局員工消贤合作it印製 Λ7 B? 五、發明説明（14 ) —' 素係交替地排列於各源匯流排線3 0之一側上，TFTs 26僅形成於源匯淡排線3 0之一側上。形成TFTs 26於各源匯流排線3 0僅一側上之上述狀沉亦可由圖6之TFT排列方式與圖7之顏色像素排列方式予以滿足，由圖7可知，此種像素排列方式會造成上述之先前技藝問題。因此，在此範例中之丁FTs 26係設於圖8、9中之位置，亦即各TFT 26位於由源匯流排線3 0之彎折段3〇b窄化之像素區域處。據此’由像素極60定義之像素區域形狀漸呈大致長方形。 (範例4 ) 在此範例中，即使範例1、2中之反射型液晶顯示裝置内 TFTs位置偏差時仍可避免發生顯示失效。此範例反射型液晶顯示裝置之結構係相同於圖9所示者。在範例1、2之反射型液晶顯示裝置中，爲了在整個顯示幕上有大致相同之像素形狀’亦即以大致相同形狀之像素反覆圖案構成整個顯示幕，則像素即交替地排列於各源匯流排線3 0之左、右側上，在此情況下TFTs 26自然地以圖 11A所示交替地形成於各源匯流排線3〇之左、右側上，在此例中，當源匯流排線、源極、及漏極之—右側或左侧失準發生於一金屬生成之曝露時，如圖丨1β、丨1C所示，則源極與漏極對於閘極之重眷面積即改變。假设源極與閘極之重疊面積以Sgs表示且漏極與閘極之重疊面積以Sgd表示，當一左側失準如圖丨1B所示地發生時， -17- 張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格 (210X297公犮）『靖先^-謂背面之注意事項再填寫本頁}

439002 Λ7 ------ B7 五 '發明説明（15 ) _ '~~ 圖11A所πΤΡΤ-Α之Sgs即増大且其Sgd減小，反之，圖nA所示TFT-B之Sgs即減少而其Sgd増大。此重疊面積中之變化造成閘_漏電容（Cgd)中之變化，由於 Cgd成比例於Sgd，在上例中，圖11A所示TFT_A2Cgd減小，而圖1] A所示TFT-B之Cgd増大，因此，連接於一源匯流排線之像素具有不同之Cgd値，造成欲施加於各像素所用反向電極之理想電壓値變化，因而導致閃爍現象發生及像素殘留影像產生，此將減低所生成顯示幕之品質。當一右側失準現彖如圖i 所示地發生時，圖丨a所示 TFT-A之Cgd即增大而圖11A所示TFT-B之Cgd減小.，相反於前述情形。在此範例中，其提供一種用於解決上述問題之像素形狀。圖9係此範例之反射型液晶顯示裝置平面圖，在此例子中’爲了避免連接於一源匯流排線之像素Cgd變化，tfts 26係僅設於各源匯流排線3 〇之一侧上，再者，在此範例中爲了在有源匯流排線3 〇彎折段3 〇b延伸之像素區域一側上形成TFTs 26 ’二種型式之TFTs 26a、26b即沿著源匯流排線3 0 交替地形成。經濟部中央標準局貞工消費合作社印製易言之，一组二種型式之像素係重覆地排列，較特別的是’對於圖9中所示之上排像素而言，TFT 26a設於左側上且相對立於各源匯流排線3 〇之右側彎折段3 〇b，而對於下排中之像素而言，TFT 26b係設於各源匯流排線3 〇之左側彎折段3 0 b左側上再者，此範例中之TFTs 26a、26b係形成於圖8、9所示之 -18 - 本纸垠尺度遇用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（2I0X297公釐） Λ7 4 3 9 0 0 2 五、發明説明（16) ' -------.---i------IT , - y ,. {諳先叫讀背面之注意事項再填寫本頁) 位置，即TFTs26a、26b各形成於源匯流排線3〇彎折段3仙延伸之一位置處，以利減少相鄱源匯流排線3 〇之間距，據此，由像素極60定義之像素形狀將漸呈長方形。圖·i、4所示之像素排列中，—組一像素與—先前像素之側向倒置式像素構成一重覆圖案單元，據此，所有像素皆可藉由僅設計一像素而製成。在此範例中，一组由二種型式像素沿源匯流排線3 0相鄰组成之設計爲製成所有像素所需，實際上，二型式之像素係設計成使其具有大致相同之像素極面積與大致相同之丁FTs尺寸，特別TFTs26a、26M^ 計成具有相同尺寸。此一反射型液晶顯示裝置實際製造用於測試’並且評估裝置之顯示狀態，測試期間，垂直條紋或發生閃燦或產生殘留影像等皆未看到，亦未測出此範例結構所產生之顯示失效。 (範例5 ) 經濟部中央標準局負工消费合作社印裂圖12Α、1 2Β分別爲範例1、4之反射型液晶顯示裝置修正例之平面圖，在諸修正例中，各TFT 26之源極3 !與漏極3 2 排列方向係大致垂直於閘匯流排線2 〇。在圖12jB之狀況中， TFTs 26a、26b係如範例4所示僅形成於各源匯流排線3 0之一側上’因此，防止各像素中因失準所致閘-漏電容變化之效果可如範例4般取得。在圖12Αι狀況中，tf丁s 26a、26b係交替地設於各源匯流排線3 0之右與左侧上，在考量上述之失準問題時，自源匯流排線3 0延伸之各TFTs 26a、26b之源極3 1係做成突出自 TFT之閘極2 1 ’且跨過其寬度後有—段相當於失準量以上之 -19- 本紙张尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公殓） 4 3 9 0 0 2：五 '發明説明（17 ) 長度，亦即源極31突出於閘極21有—段如圖12八所示之長度d，做爲失準之邊距。藉由此構造，吾人即可取得太致相同於範例4之效果。 (範例6) 圖1 3係此範例之反射型液晶顯示裝置平面圖。此範例之反射型液晶顯示裝置在基本概念上係相同於範例 4者，但是其差異處在TFTs之位置及結構。在範例4中，圖9所示下排中之各TFTs 26係形成於源匯流排線30之左侧彎折段30b左側上，而在範例6中，圖13所示下排中之丁FTs 26b則形成於位置大致相同於上排中之TFTs 26a者，即像素極60之右下角隅者。各TFTs 26b可用以下方式形成於上述位置：閘匯流排線 20之一突出部2〇3係伸出，使源匯流排線3〇跨過突出部 20a，即閘極2 1，而源極3 1與漏極3 2則形成於突出部2〇&之頂部上。上述之範例1至6中，層間絕緣膜5 〇係依圖1 6製成，.使得像素極60尺寸可較大。一不具有層間絕緣膜之結構亦可行° 經濟部中央標準局貝工消费合作衽印製在上述無層間絕緣膜之情況中，爲了避免像素極6 〇通電於源匯流排線30，像素極60需在平行於基材表面之方向$ 相隔於源匯流排線3 0。再者，像素極6 〇與TFTs 26之重A現象並不可行，因爲此將減少各像素極6 〇面積且因而減低反射效率。惟，在此情況下，一相當於範例2所取得之儲存電容値僅可藉由將像素極60重疊於閘匯流徘線2〇上而取得： -20- 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公浼） 4 3 9 C Ο 2 a? B7 - --~— 1 _______ 五、發明説明（18) 因此，此結構之優點在於相同之儲存電容可利用較範例2簡化之結構取得。緣是，依本發明之反射型液晶顯示裝置所示，垂直條紋可避免見於顯示幕上，由此以改善顯示品質。其他修改方式在不脱離本發明精神範疇下皆可由習於此技者達成，據此，本案之申請範例不應偈限於前述説明，而應做廣義之主張= 經濟部中央標準局眞工消费合作社印製 2 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Λ4規格（210X 297公焱）

Claims

4 3 90 Ο 2 ί -Τ .孤- Α8 Β8 C8 D8 申請專利範圍經濟部中央榇準局員工消費合作社印製種反射型液晶释示裝置，包含：一對基材，其間夹置一液晶層；眾多像素極，具有一三角形排列形成於基材對之其 —者上：眾多訊號線有彎折段；眾多掃描線，形成於基材對之其中一者上，眾多掃描線與訊號線係沿眾多像素極之周邊延伸，以利互相跨越；及眾多薄膜電晶體’係通電於眾多訊號線以控制像素極之電位；其中眾多薄膜電晶體之至少一者係形成於眾多訊號線之二相鄰訊號線之間距離由二相鄰訊號線其中至少—者之彎折段減少之一位置處。 2. 如申請專利範園第！項之反射型液晶顯示裝置，其中眾多薄膜電晶體之至少一者包括至少二薄膜電晶體且韓合於眾多訊號線其中一者，該至少二薄膜電晶體係各耦合於眾多訊號線其中一者之一側。 3. 如申請專利範園第1項之反射型液晶顯示裝置，其中眾多像素極係藉由形成穿透於—層間絕緣膜深度之接觸孔以通電於眾多薄膜電晶體至少一者之漏極，而層間絕緣膜覆蓋於眾多之薄膜電晶體、訊號線、及掃描線，且像素極將至少爲掃描線或訊號線任一者重疊於其間之層間絕緣膜。 1. 形成於基材對之其中一者上，訊號線具 -22 本纸法尺度適用中國國家揉準（CNS ) Α4規格（210χ297公釐 (請先閲讀背面之注$項再填寫本頁) 訂 4390 0 2 A8 B8 C8 D8 申請專利範圍 4，如申請專利範圍第1項之反射型碇晶顯示裝置，其中眾 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 夕薄膜％ mil豆土少一者之源極與漏極係大致垂直於眾多掃描線。 5. 如申請專利範圍第2項之反射型液晶顯示裝置，其中沿眾多訊號線之一者而互相相鄰之至少二薄膜電晶體之二者係相同尺寸，且連接於二薄膜電晶體之像素極係相同尺寸。 6. 如申請專利範園第4項之反射型液晶顯示裝置，其中沿眾多訊號線之一者而互相相鄭之至少一薄膜電晶體之二者係相同尺寸，且連接於二薄膜電晶體之像素極係相同尺寸。 7. 如申請專利範圍第5項之反射型液晶顯示裝置，其中連接於一薄膜電晶體之像素極係相當於各別不同顏色之像素。 8. 如申請專利範圍第3項之反射型液晶顯示裝置，其中— 黾極具有一電位且相同於一對應像素極之電位，其係奸 Γ 於各像素極下方以利與一對應之掃描線形成—重爲部份。 9. 如申請專利範圍第1項之反射型液晶顯經濟部中央標準局員工消費合作社印茉 ®，其中各像素極重疊於一相鄰之掃描線，該相鄰之掃榀線係在掃描訊號由另一相鄰掃描線接收前即先接收—掃福訊號，而琢另一相鄰掃描線則經由眾多薄膜電晶體 s --- 以通電於各別之像素極c 10-如申請專利範園第4項之反射塑液晶顯示迎，其中各 23- 卜錄尺度適用中國國家標準（CNS)从祕（21〇><297公楚） 439002 經濟部中央榇準扃貝工消費合作社印製 A8 Μ C8 D8六、申請專利範圍 ^ 薄膜电之源極時過薄膜電晶體之閘極寬度，且自閘極大出一段距離’相當於閘極與源極或較多者之間之失準量。 11. 如申相專利範園第i项之反射型液晶顯示裝置，其中眾 # «電晶體之至少—I包括至少」薄膜電晶體且輕合於眾多訊號線其中—者，該至少二薄膜電晶體係交替地形成於眾多訊號線其中—者之二侧上。 12. —種反射型液晶顯示裝置，包含：一對基材，其間夹置一液晶層；眾多像素極’形成於基材對之其中—者上；-眾多訊號線’形成於基材對之其中一者上，訊號線具有延伸段延伸於一第一方向及彎折段延伸於一第二方甸且大致垂直於第一方向；眾多掃描線’係形成於大致與第二方向平行之基材對其中一者上’眾多掃描線與訊號線沿眾多像素極之周邊形成延伸，以利互相跨越；及薄膜電晶體’係偶合於眾多訊號線，且沿二相鄰訊號線之霉折段之間一共同轴線而形成。 13_如申請專利範園第1 2項之反射型液晶顯示裝置，其中耦合於眾多訊號線其中一者之薄膜電晶體係麵合於眾多訊號線其中一者之一側。 14‘如申請專利範園第1 2項之反射型液晶顯示裝置，其中耦合於眾多訊號線其中一者之薄膜電晶體係交替地耦合於眾多訊號線其中—者之二側。 -24- 度適用中國國家標準（CNsTMim ( 210Χ297/>ίΤ 〈请先開#背齒之法意事蹲存填寫本頁'I ί-^. ^---------z----.iI----