TWI277375B - Co-fired ceramic capacitor and method for forming ceramic capacitors or use in printed wiring boards - Google Patents

Description

1277375 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 此技術領域為陶瓷電容器。更特定言之，該技術領域包 括可以後入印刷線路板的共燒陶资電容哭。 【先前技術】 利用在箔片上燒結之技術而形成而夜入至印刷線路板的 無源電路元件已為人所知。已知的元件是分別地在箔片上 燒結。"分別地在箔片上燒結”之電容器藉由將一厚膜介電 负物料層沉積在一金屬箔片基板上而且在厚膜燒結條件下 進行燒結，並接著將一頂端電極金屬沉積在該厚膜介電質 物料層上而形成。頒給Felten的美國專利第6,3 17,023 B1號 揭不該種方法。 該厚膜介電其物料在燒結作用之後應該具有一高介電常 數（K)。一高K值厚膜介電質是利用將一高介電常數值κ的粉 末Γ功能相π)與一玻璃粉混合並且將該混合物分散至一厚膜 網版印刷載體上而形成。高Κ值玻璃可以是全部或是部分的 結晶質，視其組成及所沈積的高κ值結晶質的量而定。這些 玻璃常稱為”玻璃陶瓷”。 在厚膜介電質物料之燒結期間，該介電質物料的玻璃成 分在頂點燒結溫度到達之前會軟化並且流動，結合，將功 能相封入並且接著結晶，形成玻璃陶瓷。然而該玻璃陶资 在接下來之燒結上並不再軟化及流動，而且其表面通常很 困難去黏附。 銀及銀鉑合金是形成電容器電極的較佳金屬因為其與使 88071 1277375 用在於箔片上燒結之電容器中的介電質在熱膨脹係數（TCE) 上相當小之差異。小TCE差異會由於從頂點燒結溫度冷卻 而在電極中產生低的應力。然而銀及銀鉑合金由於銀的遷 移作用之可能性而在一些應用上是不欲的。此外，銀及銀 合金之相對的低熔點而排除了其在較高之燒結溫度下的使 用。 銅為形成電極之一較佳物料，但是在銅與厚膜電容器介 電質之間大的TCE差異會導致在電極中的後燒結應力。該 應力造成電極裂化。此外，因為預燒結玻璃陶瓷在接續的 燒結中並不再軟化及流動，在一預燒結玻璃陶瓷表面上之 銅電極可能不會良好的黏附在該玻璃陶瓷上。該電極可能 因此與介電質分離。裂化與分離兩者都會造成高逸散因素。 【發明内容】 根據第一具體實施例，製造在箔片上燒結之陶瓷電容器 結構的一方法包括在一金屬箔片上形成第一介電質，在該 第一介電質上形成第一電極，並且將第一介電質及第一電 極共燒。在第一具體實施例中，由於在電極與介電質之間 的熱膨脹係數差異而造成的電極與介電質之破裂及分離藉 由將電極及介電質共燒而避免。TCE問題的降低也讓使用 較佳物料，例如銅，以形成電極可行。 根據第二具體實施例，二層電容器結構包括一金屬箔片， 置於該箔片上之介電質，置於該第一介電質上之第一電極， 及置於該介電質上及在該第一電極上之第二電極。在第二 具體實施例中，該電容器結構之電容密度增加因為額外之 88071 1277375 介電質/電極層。另外的層也加入，以更進一步的增加電容 密度。另外根據第二具體實施例，該電容結構可以包括一 銅箱及銅電極。 【實施方式】 圖1A-1D說明了製造一電容器結構1〇〇(圖ιΕ)之一般方 法’該電容器在金屬箔片上具有單一層電容器之設計。圖1E 為完成後電容器結構1〇0之俯視圖。電容器結構1〇〇之特定 實例也在下面敘述。 圖1A為製該電容器結構ι〇〇之第一階段的側視圖。在圖ία 中，提供一金屬箔片11 〇。該箔片11 〇可以是一般可在工業 中取得之類型。例如，箔片11 〇可以是銅，銅-因鋼_銅，因 鋼’鎳’鎳塗佈的銅，或是其他具有熔點超過厚膜膏狀物 燒結溫度之金屬。較佳的箔片包括主要是由銅組成之箔片， 例如經逆處理的銅箔片，雙重處理之銅箔片，及其他常使 用在多層印刷電路板工業中之銅箔片。箔片1丨〇的厚度可以 是在例如大約1-1 00微米之範圍中，較佳地3_75微米，並且 最佳地12-36微米，對應到在大約1/3盎司或是1盎司之間的 銅箔片。 該箔片110可以藉由塗佈一下印刷層112在該箔片11〇上而 預處理。該下印刷層112為塗佈在該箔片11 〇的元件側之表 面上一相當薄的層。在圖1A中，下印刷層112係指在箔片11〇 上的一表面塗層。該下印刷層112良好的黏附在金屬箔片1 i 〇 以及沈積在該下印刷層11 2上之層。該下印刷層112可以是 例如從一塗佈在該箔片11 〇上之膏狀物形成，並且接著在低 88071 1277375 於箔片110軟化點的一溫度下燒結。該膏狀物可以印刷成在 该箔片11 0上整個表面的開放式塗層，或是在該箔片丨丨〇選 定之區域上印刷。在箔片的選定區域上印刷下印刷層膏狀 物叙疋更經/齊的。當一銅结片110是與一銅下印刷層112 起使用時，在該銅下印刷層膏狀物中的玻璃會阻礙了該 銅箔片110的氧化性腐蝕作用，並且因此塗佈箔片1 i 〇的整 個表面可能是較佳的，如果是使用掺雜氧的燒結作用。 在圖1A中，一介電質物料是網印到該經預處理之箔片11〇 上，形成第一介電質層120。該介電質物料可以是，舉例來 說，一厚膜介電質油墨。該介電質油墨可以由例如一膏狀 物形成。該第一介電質層120接著乾燥。在圖⑺中，接著塗 佈第二介電質層125並且乾燥。在另一具體實施例中，單一 層的介電質物料可以經由一粗篩網沈積而在一印刷中提供 相同之厚度。 在圖1C中，一電極130在第二介電質層125上形成並乾燥。 該電極130可以藉由例如網印一厚膜金屬油墨而形成。一般 而T，茲介電質層125的表面積應大於電極13〇的表面積。 第-介電質層12〇,第二介電質層125,及電極13〇接著進 行共燒作用。該厚膜介電質層12〇, 125可以由例如與一玻 璃陶资熔塊相混合的-高介電常數功能相，例如欽酸鎖以 及-介電性質修飾添加劑例如二氧化錯形成。在共燒㈣月 間中，該玻璃陶竞溶塊相軟化，潤澄該功能相及添加劑相 並且結合以產生在玻璃陶究基體中的功能相及修飾添加劑 的分散作用。同時，層13G的銅電極粉末制軟化玻璃陶资 88071 1277375 熔塊相潤溼並且燒結在一起以形成—固體電極。該層13〇具 有與由共燒產生之高K值介電質128的強結合。該後燒結結 構在圖1D中以前視圖方式表示。 圖1E為元成後電容器結構1〇〇之一俯視圖。在圖π中，表 示了在該箔片110上的四個介電質/電極堆疊14〇。然而，任 何數量4堆疊1 40，以各種圖樣，都可排列在一箔片丨丨〇上 以形成電容結構1〇〇。 貫例1-3說明了使用在實施由圖1A_1E所說明之一般方法 的特定物料及方法。 圖2A-2J說明了製造一電容器結構2〇〇之方法，該電容器 具有於金屬箔片上之雙層電容器的設計。圖2K為完成後電 容器結構200之俯視圖。 圖2Α為製造電容器結構2〇〇的第一階段之前視圖。在圖2α 中，提供一金屬箔片210。該箔片21〇可利用塗佈及燒結一 下印刷層212而進行預處理，如上面參照圖1Α所討論。一介 電質物料是網印到該經預處理箔片21〇，形成第一介電質層 220。該第一介電質層22〇接著進行乾燥。 在圖2Β中，第二介電質層225接著塗佈，並且乾燥。單一 層的介電質物料可另外使用。 。在圖2C中’第-電極23()在第二介電質層⑶上形成並乾 燥。該第一電極可利用例如網印一厚膜金屬油墨而形成。 孩第一電極23 0形成以延伸而接觸該箔片21〇。 第介'®貝層22〇，第二介電質層225，及第一電極230接 著進行共燒。該介電質層22〇,225可以具有與上面參照圖 88071 1277375 ΙΑ-1E所討論足物料的相似組成，並且共燒方法賦予了黏附 芡優點及無缺點之處理方法，如上面所討論。所產生之介 電質228是由共燒步驟而形成，如在圖21)中所示。 在圖2E中’第三層介電物料是網印至圖2D的共燒結構 上开y成第一介電質層240。該第三介電質層24〇接著乾 燥。在圖2F中，第四介電質層245被塗体並乾燥。單一層的 介電物料可以另外使用。 在圖2G中，第二電極25〇在第四介電質層加上形成並且 乾燥。第二電極250延伸以接觸箔片210。該結構接著進行 共燒。圖2H說明在共燒之後的結構，有所產生之介電質26〇 及介電質/電極堆叠265。在共燒之後，該介電質細安全地 黏附在電極230，250兩者上，並且電極23〇，25〇沒有裂化。 至於另外如參照圖2〇與21^所討論二個各別燒結步驟，單 一共燒可以在形成第二電極25〇之後進行。單一共燒在生產 成本降低上是有利的。然而，二個各別燒結可以在第一次 燒結之後檢查第一電極23G之缺點，例如裂化及印刷對正的 問題。 在圖2丨中，該結構可以反轉並且層合。例如，該落片21〇 之元件面可以與層合物料27()層合。該層合作用可以施行， 例如’使用在標準印刷電路板方法中的FR4聚脂膠片。在一 具體實施例中，1G6環氧樹§旨聚脂膠片可以被使用。適當的 層合作用條件為185°C在2〇8 Psi下1小時，在—真空室中抽 真空至28英对汞柱…韓壓著橡膠整及—平滑ρτρΕ充填 坡璃釋放薄片可以與該络片210接觸以防止環氧樹酿與層合 88071 •10- 1277375 板黏結在一起。一箔片2 8 〇 供一主I、、 j 用土疼層合物料270上提 、 表面以產生電路。參，昭圖〗F匕；w 1Λα 圖1Ε上面所討論之電容哭纟士槿 的具體實施例也可以以此方法厣 " 屉人此万法層口。孩介電聚脂膠片及 層合物料可以是任何類型之介 ^ ^ , ;丨私貝物枓，例如，舉例來說， k準裱氧樹酯，高環 一衣嫌曰，聚醯亞胺，聚四氧乙烯， 二戈酉曰树脂，填充樹脂系統，環氧 ^ ϋ Α承虱树酯，及可以提供在 电路間隔絕作用之其他樹脂及層合物。 2考圖2J，在層合作用後’光阻應用至該搭片21〇上並且 ^白片使用標準印刷電路板方法條件而進行成像，姓刻及 剥：。該姓刻作用在該落片210中產生一溝215，其破壞了 在罘-電極230及第二電極25〇之間的電接觸。圖2κ為完成 後電容器結構200之上倚視圖。該箔片21〇之一區段216為產 生電容器結構200的一電極，並且可以藉由導電性軌跡218 而連接至其他電路。區段227偶合到第二電極23〇並且可以 利用導電性軌跡2 1 8而連接到其他軌跡2 1 9。 上面所討論之電容器結構2〇〇具有高電容密度，由於其兩 層電容器結構。此外，該電容器結構2〇〇可以利用共燒介電 質層及電極而無裂化的製造。 圖3就明電容器結構的第三具體實施例。該電容器結構3 〇〇 為一個三層的具體實施例，其具有高電容密度。該電容器 結構300包括一箔片31〇及多個介電質/電極堆疊365(只有一 個堆疊365被圖示）。該介電質/電極堆疊365包括第一電極33〇 及第二電極350，其以一介電質36〇分開，相似於上面所討 論電容器結構200之第一及第二電極230，250。每一介電質 88071 -11 - 1277375 ^隹邊365也具有第三電極在介電質36〇上形成。溝gig 中斷了泊片310與電極35〇的部份316與箔片31〇，第—電極 I30及第二電極335的邵份3 17之電接冑。層合物料370及 第二箔片380可以包含在電容器結構3〇〇中。 電容器結構300可以相似於電容器結構2〇〇之方法製造。 在堆疊365中介電質鳩的第三層部份可以由一或是多個介 電質油墨層形成’如上面所討論，並且電極335可以在介電 質360上形成。 介電質/電極堆叠365可以在三個各別步驟中，或是在單 一步驟中進行共燒。每-電極/介„層之燒結作用可以檢 查產物之缺點。’然而’單—燒結降低了製造電容器結構300 之成本。 在介電質/電極堆疊365中另外的層提供了電容器結構· —高電容密度。介電質層及電極的共燒提供低逸散因素及 無裂化結構。 在其他具體實施例中，四或是更多層的電容器結構可以 利用另外地形成介電質及電極層並且共燒該層而製造。 在此規範中所討論的具體實施例中，術語"膏狀物"可以 對應至使用在電子物料工業中的_般術語，並且通常是指 -厚膜組成物。-般而言，下印刷層膏狀物的金屬成分相 稱於在金屬落片中之金屬。例如，如果使用銅簿片，那麼 一銅膏狀物可以使用做為下印刷層。其他應用的實例會是 具有相似的金屬下印刷層膏狀物的成對之銀及鎳洛片。厚 膜膏狀物可以使用以形成下印刷層與無源組件兩者。 88071 1277375 及厚膜#狀物包括散佈在溶於塑化劑，分散劑 =機合物中之聚合物内的陶资，玻璃，金屬Μ 其他固體精細地分 简次疋 使用在鋼荡片的較佳的電容 為㈢狀物具有在氮氣大 體。該種載體—Μ入P U畢作用之一有機載 ’又G s非吊少量的樹脂，例如高分子量乙 基纖維素，其中口堂B 、 乙 ^ 、 /、而要v里以產生適合網印之黏度值。此 "成刀例如氮酸鋇粉末，摻合至介電質粉末混 口物中T桌助有機成分在氮氣大氣中燃畢。固體盘本質 上為惰性的液體媒介（，，載體，，）混合，接著散佈在三滾輪混煉 機中以形成適合網印的類膏狀物成分。任何本質上為惰性 的液體可以被使用做為載體。例如，不同的有機液體，具 有或是沒有稍化及/或是穩定劑及/或是其他—般的添加物， 可以使用做為載體。 尚K值厚腠介電膏狀物一般包含至少一高κ值功能相粉末 及至少一玻璃粉末，其散佈在由至少一樹脂及一溶劑所組 成之一載骨豆系統中。該載體系統被設計成經網印以提供緊 後、並且在$間上界定良好之膜。該高Κ值功能相粉末可以包 括鈣鈥礦類形的強介電組成物，具有通式為ΑΒ〇3。該種組 成物的實例包括 BaTi03 ; SrTi03 ; PbTi03 ; CaTi03 ; PbZrO3 ; BaZr03和SrZr03。其他組成物利用取代另一元素到a及/或 是B的位置也是可行的，例如pb(Mg1/3Nb2/3)03及 Pb(Zn1/3Nb2/3)03而可行。Ti〇2&SrBi2Ta2〇9為其他可行的高 K值物料。 摻雜及混合金屬方式的上述組成物也很適合。掺雜及混 88071 1277375 合主要是為了達到必要的終點使用性質規範而進行，例如， 舉例來說，必要之溫度電容係數以使得物料符合工業定義， 例如’’X7R”或是’’Z5U，，標準。 在膏狀物中的玻璃可以是，舉例來說，Ca_A1硼矽酸鹽， Pb-Ba硼矽鉍鹽，Mg-Al矽酸鹽，稀有土族硼酸鹽，及其他 相似玻璃組成物。高K值玻璃陶瓷粉末，例如鍺酸鉛 (Pb5Ge3Ou) ’為較佳的。 用以形成電極層的膏狀物可以是基於金屬粉末的銅，鎳’ 銀，含銀貴重金屬組成物，或是這些化合物之混合物。銅 粉末組成物是較佳的。 敘述在此規範中的電容器結構具體實施例有許多的應 用。舉例來說，該電容器結構具體實施例可以在有機印刷 龟路板，ic構裝，该結構在去偶合應用中之應用，及例如 模組的裝置或是手持式裝置主機板中使用。 在上述具體實施例中，該電極層是敘述成以利用綱印方 式形成。然而，其他方法例如利用電極金屬的濺鍍或是蒸 發到介電質層表面上的沉積作用也可以使用。 本發明别面之敘述說明並且敘述本發明。另外，該揭示 中僅表示並且敘述本發明的較佳具體實施例，但是應了解 本發明可以以各種其他組合，修正，及環境中使用並且可 以在於此所表示之發明構想，與上述所言一致，以及/或是 相關技藝之技術及知識之範圍内進行改變或是修正。在此 處上面所敘述的具體實施例更意欲解釋實施本發明的最佳 已知棱式並且使得其他熟知技術者可以以該種，或是其他 88071 -14- 1277375 知正或是本發明 具體實施例並以各種特別之應用所需要的 之使用而利用本發明。 實例 實例1 ^圖Μ·1Ε’敘述了電容器結構⑽的特定具體實施例。 ^此具體實施例中，以nG為銅落片。”片⑴的類型 疋任何使用在印刷電路板工業中的商用級銅落片，並 且可以是在！/3盘司（大概為12微米厚）銅落片^盘司銅笛片 (大概為36微米厚）的範圍巾。該銅落片11〇是利用塗佈一銅 下印刷層膏狀物在該洛片11〇的選定區域中而預處理。產生 之產物接著在9峨氮氣中以頂點溫度燒結10分鐘，而總週 期時間為大約1小時，形成下印刷層112。 在圖1B，厚膜介電質油墨是經由400篩網而網印到該預 處理銅猪片11〇上以產生一 1/2英吋乘以1/2英吋的第一介電 質層120圖樣。孩第一介電質層12〇的潮溼印刷厚度是大約 12-15微米。該第一介電質層12〇是在125。〇下乾燥大約⑶分 叙，並且第二介電質層125是以網印方式塗佈，接著在125 C下的另一乾燥步驟。該厚膜介電油墨包括一鈦酸鋇成分， 一氧化錘成分’及一玻璃陶资相。 參照圖1C ’厚膜銅電極油墨層13〇經由4〇〇篩網印刷到介 電方形區域120中’並且在125^下乾燥大約1〇分鐘以形成 〇.9cm乘以0.9cm之方形電極。一般而言，該印刷電極130厚 度只由無針孔膜的需求而限制，並且一般是在3至丨5微米的 範圍中。該產生之結構共燒至9〇〇。〇 1〇分鐘，在頂點溫度下 88071 -15- 1277375 利用一氮氣剖面圖。該氮剖面圖包括在燃畢區中少於50 ppm 的氧，及在燒結區中2-1 0 ppm的氧，並以總週期時間1小時。 在該介電質/電極堆疊140中所產生的共燒作用在圖1E中說 明。 在此實例中，該厚膜介電物料具有下列的組成： 鈦酸鋇粉末 64.18% 氧化锆粉末 3.78% 玻璃A 11.63% 乙基纖維素 0.86 % Texanol(醇酉旨） 18.21 % 氮酸鋇粉末 0.84% 磷酸鹽溼化 0.5 % 玻璃A包括： 氧化鍺 21.5% 四氧化錯 78.5 % 玻璃A組成對應於Pb5Ge3On，其在燒結期間沈積，並且 具有大約70-1 50的介電常數。該厚膜銅電極油墨包括： 銅粉末 55.1 % 玻璃A 1.6% 氧化亞銅粉末 5.6% 乙基纖維素T-200 1.7% Texanol(醇醋） 36.0 % 在燒結之後，該電容器結構為無裂化並且具有下列的電 88071 -16- 1277375 特質： 電容密度 逸散因素 隔離電阻 擊穿電壓 大約 150nF/in2 大約1.5 % >5 xlO9 Ohms 大約800 volts/mil. 在此貝例中，使用銅做為物料形成箔片11 0及電極1 3 〇是 有利的’因為鋼並不會進行大程度之遷移。在一般、各別

地在名片上燒結之方法中，在銅及介電物料之間大的TCE 差異會造成電極從介電物上裂化及分離，以及高逸散因素。 然而藉由共燒電極及介電質，裂化並沒有發生並且可達到 低逸散因素。 實例2 重覆如在實例1中敘述之方法，除了該厚膜介電質128是 經由325篩網印刷，以兩層中每一潮溼厚度大概為15_2〇微 米^結果是相似於實例丨的具體實施例，除了該電容密度為 大約 120 nF/inch2。 實例3 如在實例2中敘述的方法被重覆，使用各種的介電質及電 極尺寸，在下列表中所示： 88071 -17- 1277375 介電質尺寸mils 電極尺寸mils 介電質尺寸mils 電極尺寸mils 250x250 210x210 36x338 20 X 320 56 X 340 40 X 320 96 X 340 80x320 176x340 160x320 36 X 178 20 X 157 96 X 180 80 X 158 336X180 320X158 26x180 10x159 56 X 180 40 X 158 176X180 160X158 26 X 100 10x74 36x98 20x77 56 X 100 40x78 56 X 100 40x78 96 X 100 80x78 176x100 160x78 26x60 10x39 36x58 20x37 56 X 60 40x38 96 X 60 80x38 26x40 10x 18 36x38 16 X 17 56x40 40x 18 26x30 10x9 36x28 20x7 26 X 340 10x318 336x340 320x318 90x90 70x70 170X170 150x 150 330x330 310x310 240 X 240 229.5 x 229.5 119.5x119.5 109.5 X 109.5 在這些具體實施例中之電容是與印刷銅電極的區域成正 比，但是所計算之電容密度實質上是相同於實例1中的密 度0 【圖式簡單說明】 詳細敘述將參照下列圖式，其中相同數字係指相同元件， 88071 -18- 1277375 並且其中： 圖1A至ID以前示圖方式表示，圖示說明製造第一具體實 施例的電容器結構之步驟； 圖1E為第一電容器結構具體實施例的俯視圖； 圖2A至2J以前示圖方式表示，圖示說明製造第二具體實 施例的電客為·結構之步驟， 圖2K為第二電容器結構具體實施例的俯視圖；及 圖3說明了第三具體實施例電容器結構。 【圖式代表符號說明】 100，200，300 電容器結構 110，210，310 金屬箔片 11 2，2 1 2 下印刷層 120，220 第一介電質層 125，225 第二介電質層 130 電極 128，228，260，360 介電質 140，365介電質/電極堆疊 215 ， 315 溝 216，227 區域 2 1 8，2 1 9導電性軌跡 230，330第一電極 240第三介電質層 245第四介電質層 250，350第二電極 88071 -19 - 1277375 270，370層合物料 280，380 箔片 335第三電極 3 1 6，3 1 7 部分 20- 88071

Claims (1)

1277375 拾、申請專利範圍： 1. 一種製造在箔片上燒結之電容器結構的方法，其包括： 提供一金屬箔片； 在該箔片上形成至少一個第一介電質； 在該第一介電質上形成至少一個第一電極；及 將該第一介電質及該第一電極共燒。 2. 根據申請專利範圍第1項之方法，其中形成該第一電極包 括： 形成包括一金屬之第一電極，其中該金屬箔片也包括 該金屬。 3. 根據申請專利範圍第2項之方法，其中該金屬為銅。 4. 根據申請專利範圍第1項之方法，其包括： 在該第一電極上形成至少一第二介電質；及 在該第二介電質上形成至少一第二電極。 5. 根據申請專利範圍第4項之方法，其包括： 將第二介電質及第二電極共燒。 6. 根據申請專利範圍第4項之方法，其中共燒作用包括： 將第二介電質及第二電極與第一介電質及第一電極共 燒。 7. 根據申請專利範圍第4項之方法，其包括： 在兔片上形成· 溝以將弟一及弟二電極電絕緣。 8. 根據申請專利範圍第4項之方法，其包括： 將箔片含有第一介電質及第一電極之側層合。 9. 根據申請專利範圍第4項之方法，其包括： 88071 1277375 在第二電極上形成至少一第三介電質；及 在滅第一介上形成至少一第三電極。 10·根據申請專利範圍第9項之方法，其包括： 將第二介電質及第三電極共燒。 U.根據中請專利範”，之方法，其中共燒作用包括： 將第三介電質及第三電極與第一和第二介電質及第一 和第二電極共燒。 12·根據申請專利範圍第9項之方法，其包括： 在络片上形成-溝以將第一及第三電極與第二電極· 絕緣。 兒 Π.根據申請專利範圍第丨項之方法，其中提供—落片包本. 以下印刷層加工該羯片；及 ϋ 在低於該箔片敕化點的溫度下進行燒結。 =據中請專利範圍第1項之方法，其" 在該箔片上網印一層介電質油墨；及 乾燥該介電質油墨。 =據中請專利範圍第14項之方法，纟中形成第-電極包 在第一介電質上網印一層金屬油墨；及 乾燦:該金屬油墨。 根據申請專利範圍第丨項之方法，其中： 人^成至少-第-介電質包括在該洛片上形成多— a电質之圖樣；及 88071 1277375 形成至少一第一電極包括在第一介電質上形成多個第 一電極的圖樣。 17. —電容器結構，其包括： 一金屬箔片； 置於該箔片上之至少一介電質； 置於該介電質一部分上之至少一第一電極；及 置於該介電質一部分上及第一電極部分上至少一第二 電極，其中介電質之部分是置於第一及第二電極之間。 18. 根據申請專利範圍第17項之電容器結構，其中該箔片包 括： 將第一電極與第二電極電絕緣之一溝。 19. 根據申請專利範圍第17項之電容器結構，其中： 至少一介電質，其包括多個介電質； 至少一第一電極，其包括多個第一電極； 至少一第二電極，其包括多個第二電極；及 介電質，第一電極，第二電極係排列成在金屬箔片上 的多個堆疊，每一堆疊包括一第一電極，一第二電極，及 一介電質。 20. 根據申請專利範圍第19項之電容器結構，其包括： 多個第三電極，每一堆疊中有一個，其中每一個第三 電極是置於對應之介電質的部分上及對應之第一電極的部 分上而且是電連接至對應之第一電極。 21. 根據申請專利範圍第19項之電容器結構，其中該金屬箔片 及第一和第二電極包括銅。 88071