TWI276833B - Using time and/or power modulation to achieve dose gray-scaling in optical maskless lithography - Google Patents
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Description
1276833 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明大體上關於微成影。更特別地,本發明關於無 掩罩微成影。 【先前技術】 微成影係用以在基底表面上產生特徵的製程。這些基 底包含平面顯示器(舉例而言,液晶顯示器)、電路板、 不同積體電路、等等之製造中所使用的基底。這些應用中 經常使用的基底是半導體晶圓或玻璃基底。雖然此說明爲 了說明之目的而以半導體晶圓之觀點撰寫’但是,習於此 技藝者將瞭解本說明也可以應用至其它型式的基底。 在微成影期間,配置於晶圓台上的晶圓會曝露於微成 影設備中曝光裝置要投射於晶圓表面上之影像。雖然在微 成影的情形中使用曝光裝置,但是,可以視特定應用而使 用不同型式的曝光裝置。舉例而言,如同習於此技藝者所 知般,X光、離子、電子、或光子微成影均會要求不同的 曝光裝置。此處所討論的微成影之特別實施例僅爲說明之 用。 投影的影像會改變沈積於晶圓表面上例如光阻等層的 特性。這些改變相當於在曝光期間投影至晶圓的特徵。在 曝光之後,該層會被蝕刻以產生圖型化層。圖型相當於曝 光期間投影至晶圓上的那些特徵。接著使用此圖型化層以 移除或進一步處理晶圓內例如導電層、半導體層、或絕緣 -5- 1276833 (2) 層等下層結構層的曝露部份。接著重覆此製程與其它步驟 直到在晶圓表面上或不同層中形成所需的特徵爲止。 步進及掃瞄技術會配合具有窄成像槽之投影光學系統 工作。一次掃瞄個別圖場至晶圓,並非一次使整個晶圓曝 光。藉由同時移動晶圓及標線片以致於成像槽會在掃瞄期 間移動經過圖場,以完成此步驟。晶圓台接著必須在圖場 曝光之間非同步地步進以允許標線片圖案的多個拷貝曝露 在晶圓表面上。以此方式,投影於晶圓上的品質可以最佳 化。 習知的微成影系統及方法係於半導體晶圓上形成影像 。系統典型上具有微成影室,微成影室設計成含有在半導 體晶圓上執行影像形成的製程之裝置。該室可以設計成視 所使用的光波長而具有不同的混合氣體及真空度。將標線 片設置於室內。光線在與半導體晶圓反應之前會從照射光 源(設於系統外部)經過光學系統、標線片上的影像輪廓 、及第二光學系統。 需要多個標線片以在基底上製造裝置。由於特徵尺寸 及小特徵尺寸所需之準確公差,將使得這些標線片製造成 本及時間增加。而且,標線片在磨耗之前僅能使用一段特 定時間。假使標線片未在某公差之內或標線片受損時,經 常需要額外成本。因此,使用標線片之晶圓製造變得昂貴 且令人卻步。 爲了克服這些缺點,發展無掩罩(舉例而言,直接寫 入、數位、等等)微成影系統。無掩罩系統會以空間光調 -6- 1276833 (3) 變窃(81^]\4)(舉例而S ’數位微纟見裝置(DMD)、液晶顯示 器(LCD)、等等)取代標線片。SLM包含個別受控以形 成所需圖案之主動區陣列(舉例而言,鏡或透射區)。在 此技藝中,這些主動區也稱爲「像素」。根據所需圖案之 預定及先前儲存的演繹法係用以控制像素。SLM中的每 一像素可以以受控方式改變其光學特性(舉例而言,振幅 /相位透射)以改變送至晶圓表面之吸收劑量。 在典型的實施例中,每一像素可以取得任何有限數目 之不連續狀態,每一狀態對應於某程度的吸收劑量灰階化 。像素取得之很多狀態之一對應於未傳送光至曝光區之像 素。此狀態稱爲黑暗狀態或關閉狀態。像素的其它狀態對 應於受調變之像素,以致於其會傳送一定部份的入射光給 曝光區。爲了能夠控制印出的圖案(舉例而言,印出的線 之位置或寬度),希望具有儘可能多的灰階等級。但是, 藉由增加不連續的像素狀態數目而可取得之灰階等級的數 目至少會因下述理由而受限。 假使晶圓掃瞄與短雷射脈衝期間發生的曝光是連續的 ,則在S LM上的圖案典型上必須於每一雷射脈沖時更新 一次。假使以連續光源執行曝光,但晶圓在曝光期間是靜 止的或是曝光的污損不淸被補償時,至少非常經常地更新 圖案。結果,必須對S LM維持高資料傳輸速率。此資料 傳輸速率會與不連續狀態的數目之演繹法成比例地增加, 且對於最大的可能資料傳輸率之限制會造成像素狀態數目 及灰階等級數目之限制。 -7- 1276833 (4) 而且’具有大量數目的狀態會使得S LM的設計及狀 態的控制更加困難。 因此’需要的無掩罩微成影系統及方法將允許取得大 量的灰階等級’但卻不增加不同像素狀態的數目。 【發明內容】 本發明係關於在照明系統中產生大量的灰階等級但不 增加該系統中離散的像素狀態之數目。此發展對系統印出 的特徵提供精密控制,舉例而言,線的位置或寬度。 在一實施例中,本發明提供包含雷射之照明系統中灰 階化的方法,其中,改變雷射脈衝的持續時間會提供增加 的灰階等級。 在另一實施例中,本發明提供包含空間光調變器 (SLM)之照明系統中灰階化的方法,其中,改變SLM的像 素受致動的持續時間會提供增加的灰階等級。 在又另一實施例中,本發明提供照明系統中灰階化的 方法,其中,曝光光線的功率之變化會提供增加的灰階等 級。 在本發明的又另一實施例中,採用雷射脈衝持續時間 、像素致動時序、及雷射功率的不同組合。 在參考附圖之上述中詳述本發明的實施例、特點、及 優點以及本發明的不同實施例之結構和操作° 【實施方式】 -8- 1276833 (5) 槪述 雖然討論特定的規劃及配置,但是,應瞭解這僅是用 於說明之目的。習於此技藝者將瞭解,在不悖離本發明的 精神及範圍之下,可以使用其它規劃及配置。習於此技藝 者淸楚可知,本發明也可以應用於不同的其它應用。 本發明的實施例提供例如微成影機器等照明系統中灰 階化的方法。可以使用此系統及方法以增加印於基底上之 例如線的位置或寬度等特徵之控制,並維持離散的像素狀 態之數目。 無掩罩微成影系統 圖1係顯示根據本發明的實施例之無掩罩微成影系統 1 0 〇。系統1 0 0包含照明光源1 〇 2,其會將光經由分光器1 〇 6 及SLM光件108而傳送至反射式空間光調變器(SLM)104( 舉例而言,數位微鏡裝置(DMD)、反射式液晶顯示器( LCD)、等等)。SLM 104係用以將光圖型化以取代傳統的 微成影系統中的標線片。從S LM 1 04反射的已圖型化之光 會通過分光器1〇6及投影光件]10以及被寫至物件1 12上(舉 例而言,基底、半導體晶圓、用於平面顯示器之玻璃基底 、等等)。 要瞭解,如同此技藝中所習知般,照明光件可以容納 於照明光源1 02之內。也要暸解,如同此技藝中所知般, SLM光件108及投影光件1 ]〇可以包含將光導至SLM 104及 /或物件1 1 2的所需區域上所需要的光件之任何組合。 -9 - 1276833 (6) 在替代實施例中,光源1 〇 2及 S L Μ 1 Ο 4中任一者或二 者可以分別耦合至控制器1 1 4和1 1 6,或是與控制器丨丨4和 1 1 6形成一體。控制器1 1 4可以根據來自系統1 〇 〇的回饋以 調整照明光源1 02,或是執行校正。控制器1 1 6也可以用於 調整及/或校正。或者,控制器1 16可以用於切換SLM 104 上的像素3 02以使它們在它們的離散狀態之間切換(舉例 而言’在它們的灰度狀態之一與全黑或關閉狀態之間)( 請參見圖3 )。這可以產生用以曝照物件1 1 2之圖案。控制 器1 1 6可以具有一體的儲存或是耦合至具有預定資訊及/或 用以產生圖案之演繹法的儲存元件(未顯示)。 圖2係顯示根據本發明的又一實施例之無掩罩微成影 系統2 0 0。系統2 0 0包含照明光源2 02,其會將光傳送經過 SLΜ 204(舉例而言,透射式LCD、等等)以將光圖型化 。經過圖型化的光會通過投影光件2 1 0以將圖案寫於物件 212的表面上。在本實施例中,SLM 204是透射式SLM, 舉例而言,液晶顯示器等等。類似於上述,照明光源202 及SLM 2 04之一或二者可以分別耦合至控制器210和216或 與控制器2 1 0和2 1 6形成一體。如同習於此技藝者所知般, 控制器2 1 4和2 1 6可以執行類似於上述控制器1 1 4和1 1 6的功 能。 可以用於系統100或200之SLM實施例是由 Micronic Laser Systems AB of Sweden and Fraunhofer Institute for C i r c u i t s a n d S y s t e 】n s o f G e r m a n y 所製造。 僅爲便於說明,於下述中將僅參考系統1 0 0。.但是, - 10- 1276833 (7) 如同習於此技藝者所知般’下述所有觀念也可以應用至系 統2 0 0。習於此技藝者將淸楚知道不悖離發明的精神及範 圍之下之圖1及2的元件及控制器之其它配置或整合。 圖3係顯示舉例說明之S L Μ 1 〇 4之主動區3 0 0的細節。 主動區3 0 0包含η X m陣列的像素3 02 (分別由圖中的橢圓 形表示)。像素3 02可以是DMD上的鏡子或是LCD上的位 置。藉由調整像素3 02的物理特徵,它們可以被視爲處於 它們的狀態之一。根據所需圖案之數位或類比輸入訊號可 以被用以切換不同像素3 0 2的狀態。在某些實施例中,可 以偵測正被寫至物件1 1 2的真實圖案以及決定圖案是否在 可接受的公差之外。假使爲是,則控制器1 1 6可以用以產 生即時類比或數位控制訊號以微調(舉例而言,校正及調 整、等等)正由SLM 104所產生的圖案。 圖4係顯示 SLM 104的進一步細節。SLM 104可以包 含圍繞主動區3 00之非主動封裝400。而且,在替代實施例 中,主控制器402可以耦合至每一 SLM控制器1 16以監視 及控制 S LM陣列。圖4中的虛線代表S LM陣列中的第二 S L Μ。可以將一個以上的S L Μ加至陣列中以適合實施設 計。如下所述,在其它實施例中,相鄰的S LM可以彼此 偏移或交錯。 SLM陣列配置
圖5係顯示組合件5 00,包含支撐裝置5 0 2以容納SLM 1 04陣列。如同下述中更詳細說明般,在不同實施例中, - 11 - 1276833 (8) S L Μ 1 〇 4陣列可以根據所需的每一脈衝之曝照、或是其它 實施設計準則,而具有不同的行數、列數、每一行的 SLM數、每一列的 SLM數、等等。SLM 104可以耦合至 支撐裝置5 02。支撐裝置5 02可以具有熱控制區5 04 (舉例而 言’水或空氣通道等等)。支撐裝置5 0 2也具有用於控制 邏輯及其它電路之區域(舉例而言,參考顯示元件〗1 6和元 件402之圖4,其可爲 ASIC、A/D轉換器、D/A轉換器、 用於串流資料之光纖光件、等等)。此外,如同相關技藝 中所知般,支撐裝置5 02可以具有窗5 0 6 (形成於虛線形狀 之內)以容納 SLM 104。支撐裝置502、SLM 104、及所有 週邊冷卻或控制裝置電路稱爲組合件。組合件5 0 0允許所 需的步驟以產生用於領先的及尾隨的SLM所需的切換(舉 例而言’物件1 1 2上的特徵之相鄰元件的連接)及重疊。領 先的SLM是在掃瞄期間於物件〗1 2上產生序列影像中的第 一影像,尾隨的SLM是在掃瞄期間於物件1 1 2上產生序列 影像中之最後影像。來自不同掃瞄之領先及尾隨SLM 1 04 的影像重疊有助於移除導因於相鄰的、非重疊的掃瞄之接 縫。舉例而言,支撐裝置5 〇 2可以是2 5 0 m m X 2 5 0 m m或 是3 00 mm χ 3 00 mm。支撐裝置5 02可以根據用以製造其之 溫度穩定材料而用於熱管理。 支撐裝置5 02可以作爲機械主幹以確保SLM ] 04的間 隔控制以及用於嵌入電路控制和熱控制區5 〇4。任何電子 裝置可以安裝於支撐裝置5 〇2的背側及前側中的任一側上 或是二者」1。舉例而言,當使用類比爲基礎的SLM或是 -12- 1276833 Ο) 電子裝置時,接線可以從控制或耦合系統5 〇 4耦合至主動 區3 0 0 °以被安裝於支撐裝置5 02上爲基礎,這些接線可以 相當地短’因而相較於電路遠離支撐裝置之情形可以降低 類比訊號衰減。而且,在電路與主動區3 0 0之間具有短鏈 結可以增加通訊速度,並因而增加即時圖案調整速度。 在某些實施例中’當SLM 1〇4或電路中的電裝置損壞 時’可以容易地更換組合件5〇〇。雖然更換組合件5〇〇顯然 比僅更換組合件5 〇 〇上的晶片更爲昂貴,但是,更換整個 組合件5 0 〇事實上更有效率,因而能夠節省生產成本。而 且’組合件5 0 0可以重新裝配,所以,假使終端使用者願 意使用重新裝配的組合件5 0 0時,在零件更換上會降低成 本。一旦組合件5 〇 〇被更換時,在重新恢復製造之前僅需 整體對齊。 使用時間調變之灰階化 對於大部份的微成影應用,舉例而言,需要控制印刷 線的位置或寬度。控制這些圖案及增加解析度的有效方法 是具有儘可能多的灰階等級。 增加物件上的灰階之一方法是調變物件曝露於進入光 的時間長度。圖6係本發明的一實施例之流程圖,其中, 曝光的持續時間會被調變。在本實施例中,照明光源1 02 包含雷射(未顯示)。在步驟602中,來算照明光源102之光 會由SLM 1 〇4傳送以在物件1 12上形成第一圖案。 步驟6〇4包括改變來自照明光源]02中的雷射之雷射脈 -13- 1276833 (10) 衝的持續時間(舉例而言,脈衝寬度)。舉例而言,假使 雷射光分成多個平行光,且這些平行光的相對長度會改變 ’脈衝的持續時間也會改變。習於此技藝者顯然可知通常 用以改變雷射脈衝的持續時間之任何其它方法也可以用於 本實施例。 在步驟6 0 6中,此時具有不同脈衝寬度的來自照明光 源102之光會由SLM i 〇4傳送以在物件102上形成第二圖案 。第二圖案會與第一圖案重疊。重疊圖案可以產生灰階。 步驟6 0 8包括重覆步驟6 0 6直到取得所需的灰階程度爲 止。重覆每一時間步驟6 0 6,產生不同範圍之灰階等級。 來自不同的曝光之灰階的組合會造成增加的灰階。 圖7係代表本發明的第二實施例,其中,曝光的持續 時間會被調變。步驟702包括以來自照明光源102之光照射 SLM104。SLM 104會在光中產生圖案。 在步驟7 04中’物件1 12會由來自SLM 1〇4之已圖型化 的光曝照。 步驟706包括產生複數個灰階等級。將SLM 1〇4的像 素3 02之一部份比SLM 1〇4的其它像素3〇2更早從它們的狀 態之一切換至它們的次級狀態,可以達成此點。像素的次 級狀態可以是不同的灰階狀態,其中,像素會傳送不同部 份的入射光至曝光區。或者,像素切換之次級狀態可以是 像素不會傳送光至曝光區之關閉狀態。步驟7 0 6進一步說 明於圖I 〇中,其係範例步驟7 0 6的時序圖。X軸]〇 〇 2代表 增加時間’以t代表一掃猫的全部時間。Y軸]Q Q 4代表在 -14- 1276833 (11) 給定時間時爲主動之例如SLM 1〇4之像素3〇2的數目。假 設在時間〇時像素3 0 2的數目N爲主動。爲簡明起見’也 假設所有像素的次級狀態是關閉狀態。習於此技蟄者將瞭 解可以使用其它狀態。 在時間(t - β ),掃瞄經過的路徑之部份,像素3 0 2的第 一部份Α會切換至它們的關閉狀態。因此’正好在時間 (t - β )之後,(N - A )像素仍然維持在它們的主動狀態。稍後 ,在時間(t-α),((N-A)-B)像素維持在它們的主動狀態。 最後,當在時間t達到掃瞄的尾端時,其餘的((n-a)-b)像 素會切換至它們的關閉狀態,未留下維持在主動狀態之像 素。 使用功率調變之灰階化 圖8係代表根據本發明之第三實施例之方法。在方法 8 0 〇中,藉由調變每一曝光中的光率以產生灰階化。以圖 11進一步補充方法8 0 0,方塊圖代表投影光件110的一實施 例。在本實施例中,投影光件110包含濾光器1 102及其它 光件1 1 04。習於此技藝者將瞭解其它光件1 1 (Η可以置放於 濾光器1 102之前、之後、或二側上之光路徑1 1 06中。此外 ,在其它實施例中,濾光器1 102可以置於投影光件1 10外 面的光路徑中的任意處。 在圖Π中所示的實施例中,投影光件1 1 0也包含控制 系統1 1 〇 8,用於在其它事情之中控制濾光器1 1 0 2的強度傳 輸値。控制系統]](3 8可以是手動的或電子式的。舉例而言 -15- 1276833 (12) ,控制系統1 1 Ο 8可以包括開關。 在方法8 00中,步驟8 02包括使光從照明光源通過濾光 器1 102以產生經過過濾的光。濾光器1 102具有第—強度傳 輸値。 在步驟8〇4中,經過過濾的光會使物件ip曝光以在物 件112上產生第一圖案。 在步驟8 0 6中,濾光器1 1 0 2的強度傳輸値會由例如控 制系統1 I 〇 8改變,以致於濾光器1 1 〇 2具有第二強度傳輸値 〇 步驟808包括使第一圖案與第二圖案重疊,第二圖案 係光經過具有第二強度傳輸値的濾光器1 1 0 2而產生的。具 有第二圖案之曝光物件112會產生灰階,第二圖案係具有 不同於第一圖案之強度。可以重覆步驟8 0 6和8 0 8以增加物 件1 1 2上的灰階等級數目。 圖9係代表根據本發明的第四實施例之方法9 00。在方 法9 0 0中,藉由調變光束的個別部份中的功率以產生灰階 。以圖12進一步補充方法900,方塊圖包括可由方法900使 用之系統1 2 0 0中的元件。系統1 2 0 0在其它元件之中包括照 明光源102、分光器1 2 02、濾光器組1 204、SLM組合件 5 00、及物件1 12。濾光器組〗2 04包含濾光器Α-Ν,濾光器 Α-Ν在濾光器組1 2 04中以橢圓代表。類似地,SLM組合件 5 0 0包含至少數目與濾光器數目相同的SLM。舉例而言, 假使在濾光器組12〇4之中有Ν個濾光器,則在SLM組合 件5 0 0中也可以有Ν個S LM。 -16- 1276833 (13) 在方法9 Ο 0中,步驟9 Ο 2包括將來自照明光源的光分成 多於一光束段。光束段將稱爲光束段Α-Ν ° 在步驟9 0 4中,光束段A - N會通過濾光器組1 2 0 4中對 應的濾光器A - N。濾光器A - N會調變每一對應的光束段 A-N中的功率。在光束段A-N通過濾光器A-N之後,方 法900進行至步驟9 06。 在步驟906中,光束段A-N會照明SLM組合件5 00中 對應的S L M A - N。S L Μ組合件5 0 0中個別的S L M A - N接 著傳送個別的光束段A-N至物件1 1 2。 最後,在步驟9 0 8中,個別的光束段會以重疊方式曝 照物件1 12。由於在每一光束段中會由個別SLM A-N產生 不同圖案,所以,某些圖案會以不同於其它圖案之強度曝 照物件1 1 2。藉由不同強度之多個圖案之此曝照會在物件 1 1 2上產生灰階等級。藉由增加所使用的個別光束區段及 個別S LM之數目,可以增加灰階等級的數目。 VII 結論 雖然已於上述說明本發明的不同實施例,但是,應瞭 解它們僅是作爲舉例說明之用,且非限定。習於此技藝者 顯然可知,在不悖離本發明的精神及範圍之下,可以在形 式上及細節上作不同的改變。因此,本發明的廣度及範圍 不應受限於上述舉例說明的實施例,而是由根據後述的申 請專利範圍及其均等範圍所界定。 1276833 (14) 【圖式簡單說明】 附圖於此倂入說明書中並爲其一部份,這些圖式伴隨 說明以顯示本發明,又用以說明本發明的原理及使習於此 技藝者能夠達成及使用本發明。 圖I係顯不根據本發明的實施例之具有反射式s L Μ之 無掩罩微成影系統。 圖2係顯示根據本發明的實施例之具有透射式Slm之 無掩罩微成影系統。 圖3係顯示根據本發明之實施例之s l Μ。 圖4係顯示圖3中的S L Μ之更多細節。 圖5係顯示根據本發明的實施例之組合件。 圖6係流程圖,顯示根據本發明之灰階化方法的第一 «施例’其中,雷射脈衝的持續時間提供增加的灰階等級 〇 匾I 7係流程圖,顯示根據本發明之灰階化方法的第二 實施例’其中,改變像素的離散狀態的持續時間會提供增 加的灰階等級。 圖8係流程圖,顯示根據本發明之灰階化方法的第三 輕施例’其中,改變雷射脈衝的功率會提供增加的灰階等 級。 圖9係流程圖,顯示根據本發明之灰階化方法的第四 輕施例’其中,改變來自照明光源的個別光束之功率會提 供增加的灰階等級。 Θ 1 0係時序圖,顯示改變像素的離散狀態之持續時間 -18· 1276833 (15) 1 1 0的一實施例。 以使用之範例系統。 的代號中,元件第一次 表示。 以提供增加的灰階等級之實施例。 圖1 1係方塊圖,代表投影光件 圖1 2係方塊圖,代表本發明可 參考附圖說明本發明。在對應 出現的圖式典型上以最左方的數字 【主要元件符號說明】 100 無掩罩微成影系統 102 照明光源 104 空間光調變器 106 分光器 108 空間光調變器光件 110 投影光件 112 物件 π 4 控制器 116 控制器 2 0 0 無掩罩微成影系統 202 照明光源 2 04 空間光調變器 21〇 投影光件 2 12 物件 2 ] 4 控制器 216 控制器 3 0 0 主動區 -19- 像素 非主動封裝 主控制器 組合件 支撐裝置 熱控制區 窗 濾光器 其它光件 光路徑 控制系統 系統 分光器 -20-
Claims (1)
1276833 (1) 十、申請專利範圍 1 . 一種在具有空間光調變器之無掩罩微成影系統中 用於在物件上產生灰階之方法,該方法包括: 以光束曝照該物件以產生圖案;及 調變該物件的曝光時間以在該物件上產生灰階等級範 圍。 2 ·如申請專利範圍第1項之方法,其中,該調變步 驟包括改變雷射光源的脈衝寬度。 3 ·如申請專利範圍第2項之方法,其中,該圖案係 由第一脈衝寬度操作的雷射所產生,該方法又包括: 使該圖案與第一脈衝寬度操作之雷射相重疊,以產生 重疊曝光,其中,第二脈衝寬度不同於第一脈衝寬度, 以致於該重疊曝光在該物件上產生不同範圍的灰階等 級。 4 ·如申請專利範圍第3項之方法,其中,重覆該重 疊步驟直至取得所需數目的灰階等級爲止。 5 ·如申請專利車b圍第1項之方法,其中,該空間光 調變器具有多個像素,該方法在該曝光步驟之前進一步包 括: 在主動狀態之間切換該眾多像素,或是將該眾多像素 從一主動狀態切換至關閉狀態,其中,像素的主動狀態相 當於由處於特定灰階等級之該像素傳送光至該物件,該關 閉狀態相當於該像素未傳送光至該物件。 6 ·如申請專利範圍第5項之方法,其中,該調變步 -21 - 1276833 (2) 驟包括: 將該空間光調變器的眾多像素之部份比該空間光調變 器中的其它像素更早切換至交替狀態。 7 ·如申請專利範圍第6項之方法,又包括補償該圖 案的污損。 8 · —種在具有空間光調變器之無掩罩微成影系統中 用於在物件上產生灰階之方法,該方法包括: 以光束曝照該物件以產生圖案;及 調變該光束的功率以在該物件上產生灰階等級範圍。 9 .如申請專利範圍第8項之方法,其中,該圖案係 由具有第一功率之光束所產生,該方法又包括: 使該圖案與具有第二功率之光束相重疊,以產生重疊 曝光, 以致於該重疊曝光在該物件上產生不同範圍的灰階等 級。 1 〇 ·如申請專利範圍第9項之方法,其中,重覆該 重疊步驟直至取得所需數目的灰階等級爲止。 1 1 ·如申請專利範圍第1 0項之方法,其中,該重 疊步驟包括: 使光束通過具有特別用於該重疊曝光的固定強度傳輸 値之濾光器;及 將該光束傳送至該物件。 1 2 ·如申請專利範圍第9項之方法,其中,該重疊 步驟包括: -22- 1276833 (3) 將該光束分成多於一光束; 使每一光束通過具有固定強度傳輸値之濾光器; 使用其自己的個別空間光調變器以傳送每一光束;及 在該物件上重疊來自每一個別的空間光調變器之影像 〇 1 3 . —種無掩罩微成影系統,包括: 照明光源; 物件;及 控制器, 其中,該控制器會調變來自該光源之光束曝照該物件 之持續時間以在該物件上產生灰階等級範圍。 1 4 .如申請專利範圍第1 3項之無掩罩微成影系統 ,其中,該調變器會藉由在連續曝光之間改變雷射光源的 脈衝寬度以改變該持續時間。 1 5 .如申請專利範圍第1 3項之無掩罩微成影系統 ,又在該照明光源與該物件之間包括: 空間光調變器, 其中,該空間光調變器具有眾多像素,及 其中,像素的主動狀態相當於由處於特定灰階等級之 該像素傳送光至該物件,以及關閉狀態相當於該像素未傳 送光至該物件。 1 6 ·如申請專利範圍第1 5項之無掩罩微成影系統 ’其中,該調變器藉由使該空間光調變器中的至少一像素 比該空間光調變器中的其它像素更早切換到至少一交替狀 -23- 1276833 (4) 態,以改變該持續時間。 1 7 · —種無掩罩微成影系統,包括: 照明光源,輸出光束; 分光器’將該光束分成多個光束; 多個濾光器,每一該濾光器均對應於該多個光束之一 並具有固定的強度傳輸値;及 多個空間光調變器,每一該空間光調變器均對應於該 多個光束之一, 其中’該多個光束中每一光束會通過對應的該濾光器 及照明該對應的空間光調變器陣列,以致於該多個空間光 調變所產生的圖案會在該物件上重疊。 1 8 ·如申請專利範圍第1 7項之系統,又包括: 控制系統,用於控制該多個空間光調變器中每一者所 產生的每一圖案。 1 9 · 一種在具有設有多個像素的空間光調變器之無 掩罩微成影系統中用於在物件上產生灰階之方法,該方法 包栝: 以光束曝照該物件以產生圖案;及 調變該物件的曝光時間以在該物件上產生灰階等級的 第一範圍;及 調變該光束的功率以在該物件上產生灰階等級的第二 範圍。 2〇·如申請專利範圍第1 9項之方法,其中,調變 該物件的曝光時間包括下述組成的族群中之一: -24 - 1276833 (5) 在曝光與曝光之間改變該光束的脈衝寬度以產生重疊 曝光;及 將該空間光調變器的多個像素之部份比該空間光調變 器中的其它像素更早切換至交替狀態。 2 1 ·如申請專利範圍第1 9項之方法,其中,調變 該光束的功率包括下述組成的族群中之一; 在曝光與曝光之間改變該光束的功率以產生重疊曝光 改變該光束通過之濾光器的強度傳輸値以產生重疊曝 光;及 在將該光束分成多個光束之後,使每一光束通過其自 己之具有固定強度傳輸値的濾光器。
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SE0300516D0 (sv) * | 2003-02-28 | 2003-02-28 | Micronic Laser Systems Ab | SLM direct writer |
US7106417B1 (en) * | 2003-03-21 | 2006-09-12 | Silicon Light Machines Corporation | Tiling of modulator arrays |
EP1489449A1 (en) * | 2003-06-20 | 2004-12-22 | ASML Netherlands B.V. | Spatial light modulator |
US6831768B1 (en) * | 2003-07-31 | 2004-12-14 | Asml Holding N.V. | Using time and/or power modulation to achieve dose gray-scaling in optical maskless lithography |
US7012674B2 (en) * | 2004-01-13 | 2006-03-14 | Asml Holding N.V. | Maskless optical writer |
US7034985B1 (en) * | 2004-10-19 | 2006-04-25 | Reflectivity, Inc. | Asymmetric spatial light modulator in a package |
US7209275B2 (en) * | 2005-06-30 | 2007-04-24 | Asml Holding N.V. | Method and system for maskless lithography real-time pattern rasterization and using computationally coupled mirrors to achieve optimum feature representation |
US8982322B2 (en) * | 2006-03-17 | 2015-03-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus and device manufacturing method |
US7728955B2 (en) * | 2006-03-21 | 2010-06-01 | Asml Netherlands B.V. | Lithographic apparatus, radiation supply and device manufacturing method |
WO2008122419A1 (de) * | 2007-04-05 | 2008-10-16 | Heidelberg Instruments Mikrotechnik Gmbh | Verfahren und vorrichtung zum abbilden einer programmierbaren maske auf einem substrat |
KR101458208B1 (ko) | 2008-03-06 | 2014-11-04 | 엘지전자 주식회사 | 마스크리스 패턴 형성장치 및 패턴을 형성하는 방법 |
JP5589318B2 (ja) * | 2008-08-11 | 2014-09-17 | 住友電気工業株式会社 | レーザマーキング方法 |
US8390786B2 (en) * | 2008-09-23 | 2013-03-05 | Pinebrook Imaging Technology, Ltd. | Optical imaging writer system |
TWI471891B (zh) * | 2009-02-22 | 2015-02-01 | Mapper Lithography Ip Bv | 帶電粒子微影機器及基板處理系統 |
US8143602B2 (en) * | 2009-03-25 | 2012-03-27 | Taiwan Semiconductor Manufacturing Company, Ltd. | High-volume manufacturing massive e-beam maskless lithography system |
JP2011049296A (ja) * | 2009-08-26 | 2011-03-10 | Nikon Corp | マスクレス露光方法 |
CN102323726B (zh) * | 2011-09-19 | 2013-11-06 | 天津芯硕精密机械有限公司 | 通过扫描实现高精度灰度曝光的方法 |
CN102566312A (zh) * | 2012-01-13 | 2012-07-11 | 合肥芯硕半导体有限公司 | 无掩膜直写式光刻机系统中图形数据灰度值的计算方法 |
CN103226294A (zh) * | 2013-04-27 | 2013-07-31 | 苏州微影光电科技有限公司 | 一种提高曝光图形位置精度的光刻系统及方法 |
KR102151254B1 (ko) | 2013-08-19 | 2020-09-03 | 삼성디스플레이 주식회사 | 노광장치 및 그 방법 |
CN103472685A (zh) * | 2013-09-13 | 2013-12-25 | 苏州微影光电科技有限公司 | 同步装置、扫描式激光成像系统及同步方法 |
DE102014203041A1 (de) * | 2014-02-19 | 2015-08-20 | Carl Zeiss Smt Gmbh | Beleuchtungssystem einer mikrolithographischen Projektionsbelichtungsanlage und Verfahren zum Betreiben eines solchen |
JP7111466B2 (ja) * | 2014-08-01 | 2022-08-02 | アプライド マテリアルズ インコーポレイテッド | 3dパターン形成のためのデジタルグレイトーンリソグラフィ |
CN105989589B (zh) * | 2015-02-09 | 2019-01-18 | 上海微电子装备(集团)股份有限公司 | 一种掩模图形灰度化方法 |
CN104820345B (zh) * | 2015-05-23 | 2017-03-22 | 南昌航空大学 | 一种基于亚像素调制提高数字光刻分辨力的方法 |
KR102604859B1 (ko) * | 2018-06-19 | 2023-11-21 | 에베 그룹 에. 탈너 게엠베하 | 이미지 포인트 노출 방법 및 장치 |
US10488762B1 (en) | 2018-06-29 | 2019-11-26 | Applied Materials, Inc. | Method to reduce data stream for spatial light modulator |
EP3605231A1 (en) * | 2018-08-01 | 2020-02-05 | ASML Netherlands B.V. | Optical maskless lithography |
US10571809B1 (en) * | 2019-02-19 | 2020-02-25 | Applied Materials, Inc. | Half tone scheme for maskless lithography |
US10495979B1 (en) | 2019-02-19 | 2019-12-03 | Applied Materials, Inc. | Half tone scheme for maskless lithography |
EP3862813A1 (en) * | 2020-02-07 | 2021-08-11 | ASML Netherlands B.V. | Methods and systems for maskless lithography |
CN111367147B (zh) * | 2020-02-26 | 2022-04-01 | 合肥芯碁微电子装备股份有限公司 | 控制直写光刻机曝光的方法、装置和光刻机 |
KR20210128529A (ko) * | 2020-04-16 | 2021-10-27 | 삼성디스플레이 주식회사 | 노광 장치 및 이를 이용하는 표시 장치 제조 방법 |
CN114253079B (zh) * | 2020-09-21 | 2024-04-09 | 浙江水晶光电科技股份有限公司 | 灰度光刻的光强矫正方法、装置、设备及存储介质 |
US11934091B1 (en) | 2021-07-26 | 2024-03-19 | Technologies Digitho Inc. | Photolithography mask and photolithography system comprising said photolithography mask |
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Family Cites Families (41)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS63249334A (ja) | 1987-04-03 | 1988-10-17 | Sanyo Electric Co Ltd | レジストパタ−ン形成方法 |
US5523193A (en) | 1988-05-31 | 1996-06-04 | Texas Instruments Incorporated | Method and apparatus for patterning and imaging member |
JP2938568B2 (ja) | 1990-05-02 | 1999-08-23 | フラウンホファー・ゲゼルシャフト・ツール・フォルデルング・デル・アンゲバンテン・フォルシュング・アインゲトラーゲネル・フェライン | 照明装置 |
US5229872A (en) | 1992-01-21 | 1993-07-20 | Hughes Aircraft Company | Exposure device including an electrically aligned electronic mask for micropatterning |
JP3110134B2 (ja) | 1992-03-16 | 2000-11-20 | 富士写真フイルム株式会社 | 画像露光装置 |
US6219015B1 (en) | 1992-04-28 | 2001-04-17 | The Board Of Directors Of The Leland Stanford, Junior University | Method and apparatus for using an array of grating light valves to produce multicolor optical images |
US5497181A (en) | 1992-06-29 | 1996-03-05 | Xerox Corporation | Dynamic control of individual spot exposure in an optical output device |
JP3224041B2 (ja) | 1992-07-29 | 2001-10-29 | 株式会社ニコン | 露光方法及び装置 |
US5729331A (en) | 1993-06-30 | 1998-03-17 | Nikon Corporation | Exposure apparatus, optical projection apparatus and a method for adjusting the optical projection apparatus |
JP3339149B2 (ja) | 1993-12-08 | 2002-10-28 | 株式会社ニコン | 走査型露光装置ならびに露光方法 |
US5677703A (en) | 1995-01-06 | 1997-10-14 | Texas Instruments Incorporated | Data loading circuit for digital micro-mirror device |
US5530482A (en) | 1995-03-21 | 1996-06-25 | Texas Instruments Incorporated | Pixel data processing for spatial light modulator having staggered pixels |
EP0991959B1 (en) | 1996-02-28 | 2004-06-23 | Kenneth C. Johnson | Microlens scanner for microlithography and wide-field confocal microscopy |
EP0914626A4 (en) | 1996-07-25 | 2002-02-20 | Anvik Corp | MASKLESS AND DISCONTINUOUS LITHOGRAPHIC SYSTEM INCLUDING A LIGHT SPACE MODULATOR |
US6312134B1 (en) * | 1996-07-25 | 2001-11-06 | Anvik Corporation | Seamless, maskless lithography system using spatial light modulator |
EP0956516B1 (en) | 1997-01-29 | 2002-04-10 | Micronic Laser Systems Ab | Method and apparatus for the production of a structure by focused laser radiation on a photosensitively coated substrate |
US6097361A (en) | 1997-01-29 | 2000-08-01 | Advanced Micro Devices, Inc. | Photolithographic exposure system and method employing a liquid crystal display (LCD) panel as a configurable mask |
US6177980B1 (en) | 1997-02-20 | 2001-01-23 | Kenneth C. Johnson | High-throughput, maskless lithography system |
SE509062C2 (sv) | 1997-02-28 | 1998-11-30 | Micronic Laser Systems Ab | Dataomvandlingsmetod för en laserskrivare med flera strålar för mycket komplexa mikrokolitografiska mönster |
US5982553A (en) | 1997-03-20 | 1999-11-09 | Silicon Light Machines | Display device incorporating one-dimensional grating light-valve array |
US6232963B1 (en) | 1997-09-30 | 2001-05-15 | Texas Instruments Incorporated | Modulated-amplitude illumination for spatial light modulator |
SE9800665D0 (sv) | 1998-03-02 | 1998-03-02 | Micronic Laser Systems Ab | Improved method for projection printing using a micromirror SLM |
US6262829B1 (en) | 1999-07-29 | 2001-07-17 | Hewlett-Packard Co. | Method of digital grayscale control using modulation of a slow-acting light source |
DE10012017A1 (de) | 2000-03-11 | 2001-09-13 | Basysprint Gmbh Sys Druckind | Belichtungsvorrichtung und Verfahren zur Kompensation von optischen Fehlern |
KR100827874B1 (ko) | 2000-05-22 | 2008-05-07 | 가부시키가이샤 니콘 | 노광 장치, 노광 장치의 제조 방법, 노광 방법, 마이크로 장치의 제조 방법, 및 디바이스의 제조 방법 |
US6493867B1 (en) | 2000-08-08 | 2002-12-10 | Ball Semiconductor, Inc. | Digital photolithography system for making smooth diagonal components |
DE10046518A1 (de) | 2000-09-15 | 2002-04-04 | Fraunhofer Ges Forschung | Verfahren zur Verbesserung der Bildqualität und zur Erhöhung der Schreibgeschwindigkeit bei Belichtung lichtempfindlicher Schichten |
US20020122237A1 (en) * | 2001-03-01 | 2002-09-05 | Torbjorn Sandstrom | Method and apparatus for spatial light modulation |
JP4495898B2 (ja) | 2001-04-04 | 2010-07-07 | マイクロニック レーザー システムズ アクチボラゲット | 改良型パターン・ジェネレータ |
US7095484B1 (en) * | 2001-06-27 | 2006-08-22 | University Of South Florida | Method and apparatus for maskless photolithography |
JP2003029423A (ja) * | 2001-07-13 | 2003-01-29 | Fuji Photo Film Co Ltd | 画像記録装置 |
JP2003068610A (ja) | 2001-08-24 | 2003-03-07 | Matsushita Electric Ind Co Ltd | 感光性樹脂のパターニング方法 |
JP3563384B2 (ja) | 2001-11-08 | 2004-09-08 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 画像記録装置 |
EP1316850A1 (en) | 2001-11-30 | 2003-06-04 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
TW556043B (en) * | 2001-11-30 | 2003-10-01 | Asml Netherlands Bv | Imaging apparatus, device manufacturing method and device manufactured by said method |
KR100545297B1 (ko) | 2002-06-12 | 2006-01-24 | 에이에스엠엘 네델란즈 비.브이. | 리소그래피장치 및 디바이스 제조방법 |
US6870554B2 (en) | 2003-01-07 | 2005-03-22 | Anvik Corporation | Maskless lithography with multiplexed spatial light modulators |
JP4169264B2 (ja) * | 2003-04-18 | 2008-10-22 | 大日本スクリーン製造株式会社 | 光ビーム生成装置 |
EP1482373A1 (en) | 2003-05-30 | 2004-12-01 | ASML Netherlands B.V. | Lithographic apparatus and device manufacturing method |
JP4373731B2 (ja) * | 2003-07-22 | 2009-11-25 | 富士フイルム株式会社 | 描画装置及び描画方法 |
US6831768B1 (en) * | 2003-07-31 | 2004-12-14 | Asml Holding N.V. | Using time and/or power modulation to achieve dose gray-scaling in optical maskless lithography |
-
2003
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-
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