TWI276125B

TWI276125B - Ceramic electronic device and production method thereof

Info

Publication number: TWI276125B
Application number: TW094135474A
Authority: TW
Inventors: Kazushige Ito; Akira Sato
Original assignee: Tdk Corp
Priority date: 2004-10-12
Filing date: 2005-10-12
Publication date: 2007-03-11
Also published as: DE602005002212T2; CN100521005C; CN1767100A; US7323428B2; DE602005002212D1; ATE371941T1; EP1648002A1; TW200627486A; EP1648002B1; KR20060052213A; JP4299759B2; US20060088719A1; KR100673932B1; JP2006114563A

Description

1276125 九、發明說明：【發明所屬之技術領域】本發明係關於例如積層陶竟電容器等之陶曼電及其製造方法，特別係關於靜電六旦w 溫度依存性低，信賴性高之：：：又特性優良，IR 【先前技術】 ”電子-件及其製造方法。作為電子元件之一例之# a ^ Λ 〆 j之積層陶瓷電容器，舉例而言，

係ί既定之介電質究器組合物所形成之陶竟生胚板片、與 =疋圖樣之内部電極層交互重疊’將之後使其一體化而得到之生胚晶片，同時燒成來製造。由於積層陶竟電容琴之内部電極層，係藉由燒成來與陶莞介電質一體化， :不與陶竟介電質反應來選擇材料。因此，作為構成内部電極層之材料，在以往’不得不使用白金或把等之高價貴金屬。貝貝。然而’近年來’可使用鎳或銅等低價賤金屬之介電質瓷器組合物被開發，實現了大幅的成本降低。貝近年來，積層陶瓷電容器開始被使用於搭載於汽車引擎室内之引擎電子控制單位(ECU)，曲柄角偵測器，防鎖死煞車系統（ABS)模組等之電子裝置。這些電子 ^ 、I，甶於係為了安定地進行引擎控制、驅動控制以及煞車控制之物，所以被要求回路之溫度安定性良好。預想使用這些電子裝置之環境，在寒冷地帶之冬季溫度降至-20 C之程度以下，又，在引擎啟動後，在夏季溫度升尚到130C之程度以上。在最近，有將電子襞置與其俨 2030-7463-PF ς (§ 1276125 制對象機器連結之控制線置於車外，因此，對於電子;電子裝置有時也被苛，所以具有優良溫度特性之、電子^:置環吉境變的愈來愈嚴电卞褒置一直被期待著。以改善上述溫度特性為目的，例如，在專利文獻^(日本專利特開2004-107200號& 子、藉由此主結晶粒子來形成I:::具:主結晶粒一面間粒界相、会右 =::6型結晶(M為驗金屬、“希土類)之三重點粒界相而形成之介電質瓷器組合物。 -又，在專利文獻2(特開2004_155649號公報）中，開不音=〇心為&等，MW)為主成分，含有希土類 ::去希土類元素及W之至少-部分，係以含有希 u Si且與主成分之_3相異之複合化合物來存在之介電質陶瓷。然而，在上述專利文獻1及專利文獻2中，溫度特性只能保證到125t:，在更高溫（例如，15吖）使用的情況時，會有靜電容量惡化之問題。而且’在這些專利文獻記載之介電質中，溫度依存性大，特別時，在高溫使用時之電卩（IR)低下很顯著，也有信賴性不佳之問題。【發明内容】【發明所欲解決之課題】本發明，有鑒於如此之實狀，以提供靜電容量溫度特 I·生棱良IR溫度依存性低，信賴性高之陶瓷電子元件及其製ia方法為目的。特別是，在本發明中，以提供：即使是在高溫（例如15〇。〇,也可有效防止靜電容量及ir(絕緣電

2O30-7463-PF 6 1276125 阻）之低下，更高溫對應之陶瓷電子元件及其製造方法為目的。【用以解決課題之手段】為達成上述目的，與本發明有關之陶瓷電子元件係具有介電質層，其特徵在於：前述介電質層係含有以組合式 BamTi〇2+m表示，前述組合式中之111為〇.995$mg1〇i〇，h 與Ti之比為〇.995 sBa/Tig1〇1〇之主成分，與副成分^ 前述副成分係包含A1氧化物、Si氧化物或R氧化物（其77中， R 係從 Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、几、

Ho、Er、Tm、Yb及Lu選出至少！種）來作為副成分，前述 A1氧化物之至少一部分與前述Si氧化物或是前述r氧化物之至少-部分，形成由相異於主要為前述主成分所構成之主相之2次相，前述介電f層中包含前述2次相。在本發明中，在介雷暂丨層中，藉由形成含有前述A1 t 化物及前述Si氧化物之乳虱化物之2次相（偏析相），或是含 A1氧化物及前述R氧化物述 ^ ^ ^ 吻之2次相（偏析相），而可得到靜電容量之溫度特性優良，I ^ ，皿度依存性低之陶究電件。特別是，在本發明中，電子疋使在尚溫時（例如15 01 )，也可有效防止靜電容量及^ 里久(絕緣電阻）之低下，更高溫對應之陶瓷電子元件。 _ 而了侍到又，在本發明中，前少從Sc、Y、La、Ce、Pr、人目所含有之R氧化物係至含有2種以上之氧化物（例如二1種之氧化物，也可形成

Sc之氧化物及γ之氧化物）

2030-7463-PF 1276125 之2次相。又，在本發明中2次相（前述A1氧化物、i ^ ^ ^ ^ ^ 複a&氧化物以及/前述R氧化物作為 ^ 析，相較於主要以主成分所構成之主相，二些氧化物以高濃许六士土相，延次相中，也可含二ς之部分。又，在本發明中’前述2 在本發明中鱼R各氧化㈣外之添加副成分。電子元件，前述二情況為’係具有介電質層之陶竟 4 = / 電質層係含有以組合式“ΤΙ表示，别述組合式中之^ 〇 995 ^^ 〇i〇 b 二〇. 995 ^Ba/Ti^ i nm 11 之比為係含Ai氧化：、s."之主成分’與副成分，前述副成分

Sl軋化物以及R氧化物（其十，R係從Sc、 :、Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、 =Yb及Luit出至少1種）來作為副成分，其特徵在於：月.卜A1乳化物、前述Si氧化物及前述r氧化物之至少— 口P刀’形成由相異於主要為前述主成分所構成之主相之次相，前述介電質層中包含前述2次相。人^本發明中，前述介電質層中所形成之2次相中，以 3有刖述A1氧化物、前述Si氧化物、與前述r氧化物 :二藉由以含有M、Si、R之各氧化物之複合氧化物來形剛述2次相，相較於形成主要僅以si氧化物及r氧化物 ’構成之2次相之情況’可改善靜電容量之溫

溫度依存性。 iR 在本卷明中，較佳的情況是，前述A丨氧化物之含有量，相對於前述主成分100莫耳，以Ah〇3換算為0〜4.〇莫

2030-7463-PF 1276125 耳（其中，不包含〇)，而以〇· 5〜2· 5莫耳含有量若過多，則平均壽命有惡化之傾向。另二：化： :添：Μ氧化劑，則介電質層之燒結性低下，燒纟二的: 難。在本發明中，前述Α1氧化物之至少一邻八人的困述2次相。 °卩分，含有於前

^ 本發明中，較佳的情況是’前述Si氧化物之 =且相對於前述主成分_莫耳，以抓換算為〇 5ι〇苴耳’而以2〜10莫耳較佳，2〜5.5莫耳更佳，特別以2555 、耳為佳。前述Si氧化物之含有量若過少，則燒結性有低 :之傾向。另一方面，若含有量過多，則除了高溫負荷备的不充分，介電率也會急遽低下。前述以氧化物之：少一部分，包含於前述2次相為佳。在本發明中，較佳的情況是，前述R氧化物之含有量，相對於前述主成分100莫耳，以R2〇3換算為〇·2〜7莫耳， :以W莫耳較佳，1〜6莫耳更佳，特別以2〜6莫耳為佳。月J过R氧化物，具有使居禮溫度往高溫側移動之效果。前述R氧化物之含有量若過少，則此效果會變的不充分。另一方面，若含有量過多，燒結性有惡化之傾向。前述r氧化物之至少一部分，包含於前述2次相為佳。又’在以前述A1及R之各氧化物來形成前述2次相之情況時’前述Si氧化物之含有量可為〇，又，在以前述A1 及Si之各氧化物來形成前述2次相之情況時，前述r氧化物可為0。在本發明中，較佳的情況是，前述介電質層更含有··

2O30-7463-PF 9 Ϊ276125 相i=g〇、⑽、如〇及Sr〇選擇之至少1種之副成分，子於刖述主成分100莫耳，為0〜3.0莫耳（其中，不包含相對^包十含從V2〇5、Μο〇3及w〇3選擇之至少1種之副成分，子於别述主成分100莫耳，為0.01〜0 5莫耳。勺入本表月中，較佳的情況是，前述介電質層更含有·· =:CaZr〇3或Ca〇+ Zr〇2之副成分，相對於前述主成分⑽ 、耳，為5莫耳以下（其中，不包含〇)。與本發明有關之„電子元件之製造方法係製造上述一種陶莞電子元件，其特徵在於包括··將除了 A1化入物、S“匕合物以及/或R化合物(其中， le广、Nd —mH〇、Er、T二二;：了至少1種)之外之粉體預燒結，而得到已預燒結 1之製程.在前述已預燒結粉體令，添加前述A1化人化合物以及/或前述R化合物，而得到燒成：知體之製私，以及將前述燒成前粉體燒成之製程。除了 A1化合物、Si化合物以及/或r化合物，將主成分與根據必要而添加之其他副成分預燒結 A1化合物…化合物以及…化合物，藉由燒成，；：成含有A1氧化物、Si氧化物以及…氧化物 •或者是’與本發明有關之陶竟電子元件之製造方法係

電子疋件，其特徵在於包括：將除 …匕合物、Si化合物以及〜化合物(其中，R係從I Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm、c ^ ^m 111 Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、

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Tm几及LU選出至少i種）糊料化 m在前…糊料中，添加前述二:::料之製 W物《及/瞻Rw，州2讀料=程述 ’、A1化合物、Sl化合物以及/或R化合物成分與根據必要而添加之其他副成分混合將主糊料中，添加^化合物、Si化合物以及…=欠作為2次糊料’使用此2次糊料’形成生胚晶μ :

成，可以有效地形成含有^氧化物、Si氧化物〉、氧化物之2次相。乂及/或R 又i在本發明中，前述A1化合物、前述&化合物以及/或前述R化合物，分別係意味著A1氧化物、^氧化物乂及/ 4 R 匕4勿，或是藉由燒成可形成這些氧化物化合物。【發明效果】

根據本發明，可提供··靜電容量之溫度特性優良，IR /皿度依存性低’信賴性高之陶瓷電子元件及其製造方法。特別是’根據本發明，可提供··即使在高溫（例如1 50°C )，也可高度保持靜電容量及IR(絕緣電阻）之陶瓷電子元件及其製造方法。【實施方式】積層陶竟器1 如第1圖所示，與本發明一實施形態有關之積層陶竞電容器1’係具有：介電質層2與内部電極層3交互積層所構成之電容器元件本體1〇。在此電容器元件本體1〇之

2030-7463-PF 11 1276125 厣端口p $成著與在元件本體i 〇内部交互配置之内部電極 ^ 3各自導通之—對的外部電極4。電容H元件本體1〇之 /狀並/又有特別限定，通常為長方體狀。又，其尺寸也沒有特別限定，可以根據用途來做成適當之尺寸。内部電極層3,係使各端面可以交互露出於電容器元，本體1〇之對向之2端部表面來積層。-對之外部電極4, 係形成於電容器元件本體1〇之兩端部，連接於交互配置之内4電極層3之露出端面，來構成電容器回路。 φ 企電質層9 ;1電質層2，係含有介電質瓷器組合物。在本實施形態中，上述介電質瓷器組合物，係含有以組合式BaraTi〇2+ra表示，前述組合式中之m為0·995 ^π^ 1· 010 ’ Ba 與 Τι 之比為〇· 995 gBa/Tig L 〇1〇之主成分。又，上述介電質瓷器組合物，含有A1氧化物、Si氧化物或R氧化物（其中，R係從Sc、γ、u、Ce、pr、Nd、

Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb 及 Lu 選出至 _少1種)來作為副成分。亦即，本實施形態之介電質瓷器組合物，係以下述之任一種組合而含有上述A1、Si、R之各氧化物。 (1) A1氧化物及s i氧化物 (2 ) A1氧化物及R氡化物 (3) A1氧化物、Si氧化物及R氧化物 A1氧化物之含有量，相對於前述主成分丨〇〇莫耳，以 Al2〇3換算為〇〜4.0莫耳（其中，不包含〇)為佳，而以〇5〜2.e 2030-7463-PF 12 4 1276125 莫耳更佳。A1氧化物，具有提高介電質層2之燒結性之效果。A1氧化物含有量若過多，則平均壽命有惡化之傾向。另-方面，若不添力A1氧化物，則介電質層之燒結性低下，燒結變的困難。又，在本實施形態中，之後會詳述， A1氧化物之至少一部分，係與Si氧化物以 ^ 物之至少一部分一起形成2次相。乳化

si氧化物之含有量，相對於前述主成分1〇〇莫耳，以 Si〇2換算為0.5〜10莫耳為佳，而以2〜1〇莫耳較佳，255 莫耳更佳，特別以2. 5〜5. 5莫耳為佳。Si氧化物具有提高介電質層2之燒結性之效果。Si氧化物之含有量若過少，則燒結性有低下之傾向。另一方面’若含有量過多，則除了高溫負荷壽命變的不充分，介電率也會急遽低下。又，在本實施形態中，之後會詳述，Si氧化物之至少一部分，係與A1氧化物之至少一部分(更可根據必要與以化物之至少一部分）一起形成2次相為佳。 R氧化物之含有量，相對於前述主成分100莫耳，以 R2〇3換算為〇·2〜7莫耳為佳，而以1〜7莫耳較佳，1〜6莫耳更佳’特別以2〜6莫耳為佳。R氧化物，具有使居禮溫度往高溫侧移動之效果。前述R氧化物之含有量若過少，則此效果會變的不充分。另一方面’若含有量過多，燒結性有惡化之傾向。又，在本實施形態中，之後會詳述，R氧化物之至少一部分，係與A1氧化物之至少一部分（更可根據必要與Si氧化物之至少一部分）一起形成2次相為佳。上述R氧化物，係從Sc、Y、La、Ce、Pr、Nd、Pm 13

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Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、Ho、Er、Tm、Yb 及 Lu 選出之至少 i 種之氧化物。在本實施形態中，在此其中，又以從Sc、Y、 Tb'Dy、Ho、Er、Tin、Yb及Lu選出之至少1種氧化物為佳，特別是以從Sc、Y、Dy、Ho、Yb及Lu選出之至少i種氧化物更佳。在介電層2中，更含有：包含從Mg〇、Ca〇、Ba〇及Sr〇選擇之至少1種之副成分；包含從[Ο5、M〇〇3及w〇3選擇之至少1種之副成分；與包含從CaZr〇3或Ca0+ Zr〇2之副成分為佳。包含從MgO、CaO、BaO及SrO選擇之至少1種之副成分之含有量，相對於主成分1〇〇莫耳，為〇〜3. 〇莫耳（其中，不包含0)，而以〇·5〜2· 5莫耳更佳。含有量若過少，則容量溫度變化率會變大。另一方面，若含有量過多，則燒結性惡化之同時，高溫負荷壽命也有惡化之傾向。又，各氧化物之構成比率是任意的。

包含從V2〇5、Μο〇3及W〇3選擇之至少i種之副成分之含有量，相對於前述主成分1〇0莫耳，為〇〇1〜〇·5莫耳，而以j.l〜0.4莫耳為佳。這些副成分，顯示在居禮溫度以上使容量溫度特性平坦化之效果，與使高溫負荷壽命改善之效果。若含有量過少，則如此之效果變的不充分。另一方面，若含有量過多，則11?顯著低下。又，各氧化物之構成比率是任意的。包含CaZrCh或Ca0+ Zr〇2之副成分之含有量相對於前述主成分100莫耳，為5莫耳以下（其中，不包含〇)，

2030-7463-PF 14 1276125 而以3莫耳以下（其中，不包含〇)更佳。包含⑴或。〇 + 訏〇2之副成分，除了使居禮溫度往高溫側移動之外，還具有使谷1溫度特性平坦化、絕緣電阻（IR)增加、破壞電壓增加、使燒成溫度低下等之效果。在本實施形態中，如第3圖所示，介電質層2中，除了主相（介電質粒子）21之外，另外形成著2次相（偏析相）22。此2次相22，係含有A1氧化物、Si氧化物以及/ 或R氧化物來作為複合氧化物，相較於主要為主成分所構 • 成之主相21，為這些氧化物高濃度存在之部分。 2次相22係以下述之任一種組合而含有Ai、si、R之 _ 各氧化物。 (1) A1氧化物及si氧化物 (2) A1氧化物及r氧化物 (3) A1氧化物、si氧化物及R氧化物在本實施形態中，由於形成含有A1氧化物、Si氧化物以及/或R氧化物來作為複合氧化物之2次相22，不僅 • 可改善靜電容量之溫度特性，還可使IR溫度依存性低。特別是’在本實施形態中，即使是在例如1 50°c之高溫時，也可有效防止靜電容量及IR(絕緣電阻）之低下。根據本發明者們之見解，為發揮本發明之作用效果，在上述2次相22中，必須含有A1氧化物、Si氧化物以及 /或R氧化物。亦即，上述2次相22中，即使是在含有 S i氧化物及R氧化物之狀態（不含有a 1氧化物），或是，在含有A1氧化物之狀態（不含有s i氧化物或R氧化物）之 15

2030-7463-PF 1276125 狀態，也無法發揮本發明之作用效果。 —述2 -人相22之在介電質層2中之大小，並沒有特別限定，通常，為介雷皙厚9 + 為電質層2之1/100〜1/10程度。或是，在 "電貝層2中2次相22之比率’相較於介電質層2全體，為0〜20體積％(其中，不包含（υ之程度。2次相22’對於介電負層2若過大，則短路不良比率增大，介電率有低下之傾向。 "電質層2之厚度’並沒有特別限定，-層平均在4 5 =下為佳，而在3.5…下較佳，更以在3〇… 4择。厚度之下限’並沒有特別限定，例如為0.5“之程度。佳限 ”電貝層2之積層數，並沒有特別限^，以別以上為而以50以上f #，4主口丨 . 、、更佳特別以100以上為佳。積層數之上並沒有特別限定，例如為2000左右。 _内部雷榀層3 ^電_ 3所含有之導電材並沒有特別限定二電貝層2之構成材料具有耐還原性，所以可為佳作為N i合金，以彡V ϋΐ η 以從Mn、Cr、Co以及A1選擇出！種以上之元素與以之合金為擇出1種重量%以上為佳。又，Ni, w.中之Nl含有1以在95 %程卢以下之P望 1或Nl合金中，也可含有0.1重量广之各種微量成分。内部電極層3之厚度可 U〜峰度^ 但通常以0.1〜…，特別是

2030-7463-PF 16 1276125 外部電極4 外部電極4所含有之導電材並沒有特別限定，在n 明中，可使用廉價之Ni、Cu或它們的合金。外部電極4之厚度可根據用途來適當決定’通常以10〜50//m程度為佳積層陶瓷電容器之製造方法本實施形態之積層陶瓷電容器，係與以往之積層陶二是電容器相同，使用糊料藉由通常之印刷法或板片法來製作生胚晶片，將此燒成之後，藉由印刷或轉寫外部電極後少矣成來製造。以下，對於製造方法來具體說明。首先’準備包含於介電質層用糊料中之燒成前粉體（介電質瓷器組合物粉末）。作為燒成前粉體中之BamTi〇2+n粉末’通书’不僅可為混合原料、預燒結、粉碎之所謂故相法所得到之粉體，也可為藉由草酸鹽法或水熱合成法等所谓液相法所得到之粉體。

在本發明中，在得到前述組合之燒成前粉體之前，進行預燒結。首先，除了會形成2次相22之A1化合物、si 化合物及/或R化合物，將主成分dm)與上述其他副成分（❹，MgO、Ca0、V2〇5、CaZr〇3或是藉由熱處理而成為MgO、Ca0、VA、CaZr〇3之化合物等）藉由球磨等混合，藉由乾燥，來準備預燒結前粉體。上述猎由熱處理而成為久畜几仏, 乂句谷虱化物（MgO、CaO、V2〇5、 C a Z r 03)之化合物，例如，可與 · 卜了牛出·石反酸鹽、草酸鹽、硝酸

鹽、氫氧化物、有機金屬化合物笪 L x A • 興ϋ σ物專。又，上述A1化合物、 S i化合物及r化合物，择音本係思味者A卜Si、R之氧化物（Al2〇3、

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Si〇2、R2〇3)或藉由熱處理而成為A1、Si、R氧化物之化合物。接著’將上述所得到之預燒結前粉體預燒結，而得到已預燒結粉體。預燒結條件，並沒有特別限定，升溫速度以50〜4〇〇°c/小時為佳，而以ioo〜3〇〇°C/小時更佳，保持溫度以700〜11〇〇。〇為佳，而以700〜900°C更佳。又，溫 ^^保持時間（預燒結時間），以0 · 5〜6小時為佳，而以比較短時間之1〜3小時更佳。又，作為預燒結之氣氛，係在空氣中或氮氣中。又，關於S i化合物、R化合物，係使其含有於介電質層2中，但若不使其含有在2次相22中之情況時，與主成分及其他副成分一起進行長時間之預燒結即可。又，在發

揮本發明之效果之範圍内，上述A1化合物、Si化合物及R 化合物，最終添加之添加量之中的一部，也可在預燒結前添加。接著，將預燒結後之已預燒結粉體，藉由氧化鋁輥輪 •等粗粉碎後，添加會形成2次相22之A1化合物、Si化合物以及/或R化合物’而成為混合粉體。之後，將此混合粉末，根據必要，藉由球磨等混合，藉由乾燥，而得到燒成前粉體。又，在已預燒結粉體中，添加AH匕合物、：i 化合物以及/或R化合物時，將這些化合物混合，預燒結後作為複合氧化物來添加也可。在本實施形態中，將除了會形成2次相22之Μ化人物、Si化合物以及/或R化合物之外，預燒結而得到已

2030-7463-PF 18 1276125 預燒結粉體，接著，在此已預燒結粉體中添加ai化合物、

Si化合物以及/或1?化合物來作為燒成前粉體。然後，將此燒成前粉體塗料化’得到介電質層用糊料，使用此介電質糊料，製作生胚晶片來燒成。因此，在本實施形態中，可有效地形成含有A1氧化物、Si氧化物以及，或R氧化物之2次相22。接著，將所得到之燒成前粉體塗料化，調整介電質層用糊料。介電f層用糊料’可為混練了燒成前粉體與有機載劑之有機系塗料，也可為水系塗料。在塗料化之前的狀態，燒成前粉體之粒徑，通常，平均粒徑為G.l〜3"ra’而以程度為佳。有機載劑係將黏結劑溶解於有機溶劑中之物。有機載劑所使用之減劑並沒有特職m基纖維素、聚乙稀醇縮丁搭等之通常之各種黏結劑來適當選擇即可。又，所用之有機溶劑也沒有特別行⑺限疋，根據印刷法或板片法等所利用之方法，可你社ϋ # α 口醇、丁基卡必醇、丙酮、甲苯等各種有機溶劑來適當選擇即可。又’使介電質層用糊料為水系糊料之情況時，只要鱼將水溶性黏結劑或分散劑等 '、 1 4，合解於水中之水系載劑，與介 %負原枓混練即可。太备番十丨" 糸載蜊所使用之水溶性黏結劑並沒有特別限定，例如，可使泣故从便用聚乙烯醇、纖維素、水溶性丙烯酸樹脂等即可。内部電極層用糊料，係彳糸將上述由各種導電性金屬或合金所形成之導電材、吱县户 A疋在燒成後成為上述導電材之各種

2030-7463-PF 1276125 氧化物、有機金屬化合物、混練而調製。荨，與上述有機載劑外部電極用糊料，係同調製即可。纟门於上述之内部電極層用糊料來二：糊料中之有機載劑之含有量通常之含有量，例如，黏亏職疋 _重量咖P可。又:在：糊;;中重量%程度’溶劑為而含有從各種分散劑二根據必要之添加物。這此各 I粒寺所選擇 — 有1，以在10重量％以下為佳。声用糊料，籍展p 糸將"電貝層用糊料及内部電極層用料，積騎刷在PET等之基板上，依03既定斷之後’從基板剝離而得到生胚晶片。 y 又，使用板月M y 成生胚板片，在立上=用介電質層用糊料來形積層來作為生胚晶片，刷内部電極層用掏料之後，將它們

在燒成月!J ?對於^座狀曰U 劑處理，可根據内脫黏結劑處理。脫黏結糠内七電極層糊料中之導電材之種類來適當 ’、疋即可，但使用Ni或Ni合金等賤金屬來作為導電材之障况’脫黏結劑氣氛中之氧氣分壓以i〇_4，，a為佳。氧氣分壓若未滿前述範圍’則脫黏結劑之效果低下。氧氣分塵若超過前述範圍，則内部電極層有氧化之傾向。又，作為其他之脫黏結劑條件，升溫速度以5〜3〇〇七 /小時為佳，而以1〇〜1〇rc /小時更佳，保持剛〜為佳’而以2〇〇〜3啊更佳，溫度保持時間以

2030-7463-PF 20 1276125 〇· 5〜24小時為佳，以空氣或還原性氣气Λ 日、更佳。脫黏結劑之氣氛濕，作為在還原Γ:!，例如將Ν2與Η2之混合氣體加在還原性虱氣中之氣氛氣體來使用為佳。粑櫨内：’燒成生胚晶片。生胚晶片燒成時之氣氛，可以根據内電極芦用斗细极但使用導電材種類來適當決定即可， W Nl合金等賤金屬來作為導電材之情況，燒成述範圍，物電極…電= 圭。Γ若未滿前片1电往層之導電材發生異常燒結，有中斷之月/又’减錢若超過前㈣目化之傾向。电1嘈頁乳 ”二义堯成時之保持溫度，以1100〜14〇〇°C為佳，而以八务C更佳。保持溫度未滿上述範圍則緻密化變的不士生右超過别述範圍，則容易產生内部電極層之異常燒 :所k:之電極中斷，或是内部電極層構成材料之擴散所 &成之谷里，凰度特性之惡化，介電質瓷器組合物之還原。為除此以外之燒成條件，升溫速度以5 0〜5 0 0 °C /小夺為佳❿以200〜360°C/小時更佳，溫度保持時間，以。〇· 5〜8小時為佳，而以1〜3小時更佳，冷卻溫度以50〜500 小時為佳，而以_〜3G(TC/小時更佳。X，燒成氣讥以還原性軋氛為佳，例如將N2與I之混合氣體加濕，作為在氣氛氣體來使用為佳。、在還原II氛中燒成之情況，胃於電容器元件本體施以退火為佳。退火係為了使介電質層再氧化之處理，藉由此可使IR命命顯著的變長，而可改善信賴性。

2030-7463-PF 21 1276125 •一在退火氣氛中之氧氣分麼，以〇.H〇Pa為壓若未滿前述範圍，則介電質層之刀 R 虱困難，若超過前述靶圍，則内部電極層有氧化之傾向。退火時之溫度’以在1 1 〇〇 Of 〇r y 你11UUC以下，特別是在500〜1100 C為佳。保持溫度若未滿上述範圍，則介電質層之氧化變的不充刀，IR低，且高溫負荷壽命容易變短。另—方面，保持酿度若超過前述範圍，助部電極層氧化，不僅容量低下’且内部電極層與介電質素地反應，I易產生容量：度特性之惡化、IR低下、高溫負荷壽命之低下。又，退：也可僅由升溫過程及降溫過程來構成。亦即，溫度保持時間也可為零。在此情況，保持溫度與最高溫度為同義。作為除此以外之退火條件，溫度保持時間，以0〜20小時為佳，而以2〜10小時更佳，冷卻溫度以5〇〜5〇〇。〇/小，為佳，而卩100〜30(TC/小時更佳。X，作為退火之氣氛氣體’例如使用加濕之N2氣體為佳。在上述脫黏結劑處理、燒成及退火中，為加濕心氣體或混合氣體等，可使用加濕器等即可。在此情況，水溫以 5〜75°C左右為佳。脫黏結劑處理、燒成及退火，可以連續進行，也可以獨立進行。如上述所得到之電容器元件本體，藉由滾磨或喷砂等來將端面研磨，將外部電極用糊料印刷或轉寫後燒成，而形成外部電極4。外部電極用糊料之燒成條件，例如，以在加濕之N2與H2之混合氣體中，在600〜80(TC燒成ΙΟ”

2030-7463-PF 22 1276125 小時左右為佳。然後，根據必要，在外部電極4表面上，藉由電鍍等來形成覆膜層。如此所製造之本發明之積層陶究電容器，係藉由焊接等來實裝在印刷基板上等，而使用於各種電子機器。、以上，對於本發明之實施形態做了說明，但本發明，並不限於上述之實施形態，在不脫離本發明之要旨之範圍内’可以做各種改變。例如，在上述實施形態中，舉例積層陶究電容器作為與本發明有關之電子it件，但與本發明有關之電子元件，並不限定於積層陶竟電容器，只要是具有由上述組合之介電質瓷器組合物所構成之介電質層者皆可。

又，在上述實施形態中，採用：將除了會形成2次相 22之A1化合物、Si化合物以及/或R化合物之外者，預燒結，在此已預燒結粉體中添加A1化合物、si化人物以及/或R化合物而得到燒成前粉體，將此燒成前粉體塗料化，而製作介電質層用糊料之製程，但也可以採用以下所首先，除了會形成2次相22之^化合物、si化合物以及/或R化合物之外，將主成分及其他副成分(例如， Mg〇、Ca〇、V2〇5、（:aZr〇3或是藉由熱處理而成為_ n V2〇5、CaZr〇3之化合物等)藉由球磨等混合，而得到i次料。接著，在此1次糊料中，添加A1化合物、&化人物以或R化合物，藉由球磨等來混合’而得至”次糊料(介電質層用糊料）。又，在1次糊料中，添加M化合物、“

2030-7463-PF 23 1276125 化合物以及/或R化合物時，也可將這些化合物混合，預燒結後作為複合氧化物來添加。藉由採用如此之製程，在2次糊料（介電質層用糊料）中’可將預先混合之主成分及其他副成分，與之後添加之 A1化合物、Si化合物以及/或r化合物不均一地混合。因此’使用此2次糊料（介電質層用糊料），製作生胚晶片，藉由將此燒成，可有效地形成含有A1氧化物、Si氧化物以及/或R氧化物之2次相22。【實施例】以下’基於更詳細之實施例來說明本發明，但本發明並不限定於這些實施例。實施例1 首先，為製造預燒結前粉體，準備平均粒徑^ 〇 3“ 之主成分原料（BaTi〇0及如以下所示各副成分之原料將其混合’準備預燒結前粉體。

Mg〇 : 1. 1 莫耳 # V2〇5 : 〇. 〇6 莫耳

MnC〇3 : 〇. 4 莫耳 CaZr〇3 : 1· 7 莫耳上述各副成分之添加量，係對於主成分之BaTi〇d〇〇莫耳之莫耳數。接著’將此預燒結前粉體預燒結。預燒結條件，係如以下所示。升溫速度：200°C /小時 2030-7463-PF 24 12^76125 保持溫度：800°C 溫度保持時間：2小時氣氛：空氣中將藉由此預燒結所得到之材料，後作為已預燒結粉體。之徭機如碎1小時 _咖莫耳，添加作為a414將此已預燒結粉體，對於為Si氧化物之Si〇23莫耳，作_匕^之Al2〇d. 5莫耳，作

藉由氧化鍅製球磨16小時，、、晶：R乳化物之Tb2〇33莫耳，前粉體。 ^式混合後乾燥’而得到燒成接者’對於所侍到之乾焊八t %後之燒成前粉體100舌旦刀’與丙烯酸樹脂4. 8重孴八 ^ 重里刀、乙酉夂乙酯1〇〇重量分、石油溶劑6重量分、甲苯4曹旦與重里分以球磨混合使其糊料化，而传到介電質層用糊料。接者’將Ni粒子44 β舌曰\ ^ 丁 44.6重置分、祐品醇52重量分、基纖維素3重量分、與笨养一七、本开二唑0·4重量分，藉由3輥輪來混練，而得到懸浮液化之向

卞從化之内部電極層用糊料。使用這些糊料，如下沭，制、止，μ 1 ^ 製以如第1圖所示之積層型陶瓷晶片電容器1。百先，使用所得到之介電質層用糊料，在PET薄膜上形成生胚板片。在其上印刷内部電極層用糊料後，從薄膜上將板片義。接著，將這些生胚板片與保護用生胚板片（沒有印刷内部電極層用糊料者）積層，壓著，而得到生胚晶片。接著，將生胚晶片依照既定尺寸切斷，以下述條件進

2030-7463-PF 25 1276125 仃脫黏、、、口 Μ處理、燒成以及退火，得到積層陶竞燒成體。脫黏結劑處理條件，為升溫速度：3〇它/小時，保持度· 260 c ’溫度保持時間：8小時，氣氛：空氣中。 &成條件，為升溫速度：200°C /小時，保持溫度：1240 c，溫度保持時間：2小時，冷卻溫度：2〇〇它/小時，氣沉氣體：加濕之化與I之混合氣體（氧氣分壓：i〇_2pa)。退火條件，為升溫速度：2〇(Tc /小時，保持溫度：1〇〇〇 c，度度保持時間：2小時，冷卻溫度：3〇〇。〇 /小時，氣藝氛氣體：加濕之N2氣體（氧氣分壓：i〇-lpa)。、又j燒成以及退火時之氣氛氣體之加濕，係使用水溫為5〜7 5 C之加濕器。接著，將所得到之積層陶瓷電容器燒成體之端面以噴砂研磨後，塗布In—Ga作為外部電極，而得到如第工圖所示之積層陶瓷電容器之試料。所得到之電容器試料之尺寸，為3.2mmxl 6mmx().6_，

内部電極層所夾的介電質層數為4，〗層平均之介電質層厚 Φ 度（層間厚度）為3.5#m，内部電極層之厚度為J 對於所得到之電容器試料，分別藉由下述所示之方法來進行2次相之觀察、靜電容量之溫度依存性之測定以及 IR溫度依存性之測定。 2次相之觀察首先，將電容器試料以相對於介電質層垂直之面來切斷。接著，對此切斷面進行SEM觀察及EPMA分析，從^ 元素、Si元素及R元素（在本實施例中，為Tb元素）之元

2030-7463-PF 26 1276125 素定位結果來確認2次相之有無。又，第3圖（A)〜第3圖（D)，係之後會說明之實施例3 之試料之SEM照片、ΕΡΜΑ照片。具體而言，第3圖（A)係實施例3之試料之SEM照片，第3圖（Β)係表示a 1元素之元素定位結果之照片’第3圖（C)係表示S i元素之元素定位結果之照片，第3圖（D)係表示Y元素（R元素）之元素定位結果之照片。又，圖中之白色部分，係A1元素、Si元素及Y元素（R元素）之偏析部分。曼J：容量之溫度依存對於電容器試料，測定在2〇〇c、125它、15(rc之各溫度時之靜電容篁，算出對於2〇°c時之靜電容量之在125〇c 及150C之靜電容量之變化率△以單位為。靜電容量之變化率，以接近0%(絕對值小）者為佳。在本實施例中，在 15(TC時靜電容量之變化率，以在側以内為良好。於表1。

首先，對於電容器試料，阻之絕緣電阻工/制疋在25C時之絕緣電絕緣電阻之敎，係^ 5代之絕緣電阻1Rl5。。 mm)，在25t、125t邑緣電阻計（阿德凡測試公司製秒後之絕緣電阻IR(單位：n15〇t ’測定施加阻值IRm及Π?25以下述式、’、）。接著，分別算出從絕緣電從絕緣電阻值H5g及I 、斤示之在125 C之位數減少，數減少。位數減少之信25从下述式（2)所示之在150°C之位有為佳。在本實施例甲，在

2030-7463-PF 27 1276125 結果示於表〇 1 50°C之位數減少之值，以—2· 〇〇以上為佳。 l〇g(IRm/ IR25)…⑴ l〇g(IR15〇/ IR25)…（2) 實施例2〜9 作為R氧化物，除了以表1所示之各希土买貝几素來取》代Tb氧化物（Tb2〇3)以外，同於實施例1，來· 个衣w實施例2〜9 之各電容器試料，藉由同於實施例1之方法，延打2次相之觀察、靜電容量之溫度依存性及IR溫度依存性之各評

價。結果示於表1。又，在各實施例中，R氧化物之添加量，係同於實施例1。表1 形成2次相之元辛容量之溫度依存性[°/〇] IR溫度依存性在呂矽希土 1 9C0P 15Q°C 125〇C 150°C A1 Si -^ 1^0 V./ 實施例1 Tb 一 - 5·1 -13.7 -0.89 一1 9 實施例2 A1 Si Jy -3. 2 -11.5 - 0.96 -1.97 ^—. 實施例3 A1 Si Y '— — -2· 5 -9.2 -0.81 -1. 87 實施例4 A1 Si H〇 -2.7 -9. 5 -0.92 -1.91 ^〜— 實施例5 A1 Si Er 一 - 2·1 - 8· 1 - 0.78 -1 81 實施例6 A1 Si Tm — - 2 -7.4 -0. 86 一 1 87 實施例7 A1 Si Yb 一 -1·7 -5. 6 - 0.81 X · LI 1 -1.82 實施例8 A1 Si Lu 〜—〜 -1.5 -5 -0.89 一 1 89 實施例9 A1 Si Sc _ —— -1· 2 -4. 8 - 0.92 丄· LI U -1.91 mt 1

2030-7463-PF 28 1276125 在表1中，顯示在實施例1〜9之電容器試料中，形成 2次相之元素、靜電容量之溫度依存性及ir溫度依存性之測定結果。從表1，可確認到：藉由形成含有A1氧化物、si氧化物以及R氧化物（在本實施例中，r為Tb、Dy、Y、Ho、Er、 Tm、Yb、Lu及Sc)之2次相，可使在150°C之容量變化率（容量之溫度依存性）在±15%以内，且在150°C中之IR溫度依存性（位數減少）為—2· 〇以上。又，從表i可清楚知道，即鲁使在使用各種希土類氧化物來作為R氧化物之情況，也可確認到可得到本發明之作用效果。實施你丨1 除了使用Dy氧化物（DyW)及Yb氧化物（Yb2〇3)取代Tb 氧化物（Tb203)來作為R氧化物以外，同於實施例1，製造實細*例1 0之電容器試料，藉由同於實施例1之方法，來進仃2次相之觀察、靜電容量之溫度依存性及IR溫度依存性之各評價。結果示於表2。又，在實施例1〇中，Dy2〇3及 • Yb2〇3之添加量，相對於BaTi〇3l〇〇莫耳，Dy2〇3為1.5莫耳， Yb2〇3為3· 0莫耳。 f施例Π〜9卩除了以表2所示之各希土類元素來取代Dy氧化物 (Dy2〇3)及Yb氧化物(Yb2〇3)作為R氧化物以外，同於實施例1 〇製每實施例11〜23之各電容器試料，藉由同於實施例1之方法，來進行2次相之觀察、靜電容量之溫度依存及IR /皿度依存性之各評價。結果示於表2。又，在各實

2030-7463-PF <1 29 1276125 施例中，2種類之R氧化物添加量，係同於實施例1〇。表2 衫成2 ^ :相之元素容量之溫度依存性[%] IR溫度依存性崔呂矽希土類元素 125〇C 15(TC 125〇C 150°C 實施例10 A1 Si Dy Yb _3· 1 -10.1 -0.79 -1.8 實施例11 A1 Si Dy Lu -2.6 -9.4 -0·82 -1.84 實施例12 A1 Si Dy Sc -2 - 8· 1 -0.84 -1.85 實施例13 A1 Si Y Ho -2.4 -9· 3 -0.76 -1.78 實施例14 A1 Si Y Er - 3· 1 -9.1 -0.75 -1.77 實施例15 A1 Si Y Tm -2· 5 -8· 4 -0· 81 -1.79 實施例16 A1 Si Y Yb -1.9 - 7·1 - 0·79 -1· 8 實施例17 A1 Si Y Lu - 2· 1 -6.4 -0· 81 -1· 84 實施例18 A1 Si Y Sc -2 -5.9 Ό.77 -1· 82 實施例19 A1 Si Ho Er -2.8 -9.5 Ό.87 -1· 89 實施例20 A1 Si Ho Tb -3·1 - 9·1 -0.88 -1.88 實施例21 A1 Si Ho Yb - 3 -8· 9 -0.9 -1.91 實施例22 A1 Si Ho Lu - 2 - 8· 1 ~0·92 -1· 93 實施例23 A1 Si Ho Sc -1.1 -7.1 -0.9 -1.91 評價2 在表2中，顯示在實施例10〜23之電容器試料中，形成2次相之元素、靜電容量之溫度依存性及IR溫度依存性之測定結果。從表2，可確認到：即使使用2種之希土類元素氧化 2030-7463-PF 30 1276125 物來作為2次相所含有之R氧化物之情況，也與實施例η 相同，可使在150 C之容量變化率（容量之溫度依存性）在土〇乂内且在150 C中之IR溫度依存性（位數減少）為_2· 〇 =上又，從表2可清楚知道，即使組合使用各種希土類乳化物來作為R氧化物之情況，也可確認到可得到本發明之作用效果。實施你丨？ 4

除了在已預燒結粉體中，添加A1氧化物及R氧化物 (Y2〇〇而得到燒成前粉體以外，同於實施例i，製造實施例 24之電容器試料，藉由同於實施例i之方法，來進行2次相之觀察、靜電容量之溫度依存性及IR溫度依存性之各評價。亦即，在實施例24中，係在預燒結前添加&氧化物，在添加Si氧化物之狀態下進行預燒結，在預燒結之後，不添加S i氧化物。結果示於表3。實施例Μ 除了使用Yb2〇3取代Υ2〇3作為R氧化物之外，同於實施例24,製造電容器試料，藉由同於實施例丨之方法，來進仃2次相之觀察、靜電容量之溫度依存性及溫度依存性之各評價。結果示於表3。實施例除了使用Y2〇3及Yb2〇3來取代Υ2〇3作為r氧化物之外，同於實％例2 4，製造電谷器試料，藉由同於實施例1之方法，來進行2次相之觀察、靜電容量之溫度依存性及^溫度依存性之各評價。結果示於表3。又，在實施例26中， 2030-7463-PF 31 1276125 Υ π 2 3及Yb2〇3之添加量，相對於BaTi〇3為ι〇〇莫耳，γ2〇3為 4· 0莫耳，Yb2〇3為1. 5莫耳。 27 除了在已預燒結之粉體中，添加A1氧化物及Si氧化而得到燒成前粉體之外，同於實施例1，製造實施例27 之電谷器試料，以同於實施例1之方法，來進行2次相之規$靜電容量之溫度依存性及IR溫度依存性之各評價。、P，在實施例中，在預燒結前添加R氧化物之γ2〇3，在添加了 R氧化物之狀態進行預燒結，在預燒結後，不添力口 R氧化物。結果示於表3。

在表成2次相之測定結從表化物或R 3中，顯示在實施例24〜27之電容器試料中，形之元素靜電各量之溫度依存性及I r溫度依存性果。 1，可確認到：即使在形成含有A1氧化物、si氧氧化物之2次相之情況時，也同於實施例i〜9，

2030-7463-PF 32 1276125 可使在150°C之容量變化率（容量之溫度依存性）在±15%以内’且在150 C中之IR溫度依存性（位數減少）為_2. 〇以上亦即’以A1氧化物與r氧化物之組合（實施例2 4〜2 6 )，與以A1氧化物與Si氧化物之組合（實施例27)來作為2次相之任一情況中，皆可確認到可得到本發明之作用效果。比較例1 在預燒結之前，添加A1氧化物（Al2〇3)、Si氧化物（Si〇2) 及R氧化物Y2〇3，進行長時間之預燒結，在預燒結後，除 • 了 A1氧化物、s i氧化物及r氧化物皆不添加以外，同於實施例1 ’製作比較例1之電容器示料，以同於實施例1 之方法，來進行2次相之觀察、靜電容量之溫度依存性及溫度依存性之各評價。結果示於表4。比較例2 除了在已預燒結粉體中，添加R氧化物[Ο3來得到燒成如粕體之外，同於實施例1，製造比較例2之電容器試料，以同於實施例丨之方法，來進行2次相之觀察、靜電 _ 容量之溫度依存性及IR溫度依存性之各評價。亦即，在比較例2中’係在預燒結前添加Ai氧化物及Si氧化物，在添加了 A1氧化物及s i氧化物之狀態進行預燒結，預燒結後’沒有添加A1氧化物及s i氧化物。結果示於表4。比較例3 除了在已預燒結粉體中，添加Si氧化物及R氧化物 Y2〇3來得到燒成前粉體之外，同於實施例1，製造比較例3 之電容器試料，以同於實施例1之方法，來進行2次相之 2030-7463-PF 33

(S 1276125 觀察、靜電容量之溫度依存性及IR溫度依存性之各評價。亦即，在比較例3中，係在預燒結前添加M氧化物，在添加了 A1氧化物之狀態進行預燒結，預燒結後，沒有添加 A1氧化物。結果示於表4。达較例4 除了在已預燒結粉體中，添加A1氧化物來得到燒成前粉體之外，同於實施例丨，製造比較例4之電容器試料，以同於實施例1之方法，來進行2次相之觀察、靜電容量 _ 之/JDL度依存性及1 R溫度依存性之各評價。亦即，在比較例 4中，係在預燒結前添加Si氧化物及R氧化物Υ2〇3，在添 - 加了 Si氧化物及R氧化物之狀態進行預燒結，預燒結後， >又有添加s i氧化物及R氧化物。結果示於表4。多成2次相之元素容量之溫度依存性[%] IR溫度依存性鋁矽希土類元素 125〇C 150°C 125〇C 150°C 比較例1 — — — — -12.3 -20.1 -0.8 -4.81 比較例2 — 一 Y — -10.1 -18.9 -1.03 -2.01 比較例3 — Si Y 一 -2.1 -10.1 -2. 21 -2· 97 比較例4 A1 一 — — -7.8 -16.7 -1.21 -2. 34 評價4 在表4中’顯示在比較例丨〜4之電容器試料中，形成 2次相之元素、靜電容量之溫度依存性及if{溫度依存性之測定結果。

2030-7463-PF 34 1276125 從表4，在預焯蛀义 P儿队疋、·、口别，添加A1氧化物、Si氧化物以及产St:比較例1中’沒有形* 2次相，靜電容量-潘 :依存性為，·1%，得到對靜電容量溫度依存性不佳之、结果0 又，在預燒結後，在單獨添加R氧化物之比較例2、

:添加Si及R氧化物之比較例3中，雖然分別形成含有R 乳化（比較例2)、含冑R氧化物& Si氧化物（比較例3)之 2次相，但皆得到對IR溫度依存性不佳之結果。更且，在預燒結後單獨添加A1氧化物之比較例4中，」有开/成3有A1氧化物之2次相’但仍得到對（R溫度依存性不佳之結果。藉由比較例1〜4可確認到以下之情況。曰由比較例1，可確認到若沒有形成2次相，則靜電容里之溫度依存性惡化。由比較例2、3，可確認到即使形成了 2次相，若沒有含有A1氧化物，則IR溫度依存性惡化。由比較例4，可確認到即使形成了含有A1之2次相，在2次相中沒有含有Si氧化物或R氧化物之情況時，同樣的’ IR溫度依存性也會惡化。亦即’可確認到：為發揮本發明之作用效果，必須形成含有A1氧化物、Si氧化物以及/或R氧化物之2次相\ 【圖式簡單說明】第1圖係與本發明之一實施形態有關之積層陶竞電容器之剖面圖。 2030-7463-PF 35 1276125 第2圖係表示與本發明之一實施形態有關之介電質層之構造圖。第3圖（A)係與本發明之實施例有關之介電質層之TEM 照片，第3圖（B)〜第3圖（D)係與本發明之實施例有關之介電質層之微細構造之TEM照片。【主要元件符號說明】 1積層陶瓷電容器 2介電質層 3内部電極層 4外部電極 10元件本體 21主相 22 2次相 2030-7463-PF 36

Claims

1276125 十、申請專利範圍： 1· 一種陶瓷電子元件，具有介電質層其特徵在於：月1j述介電質層係含有以組合式BamTi〇2+m表示，前述組合式中之m為0.995 ^1(^,心與口之比為〇 995 $ Ba/Ti各1. 〇1〇之主成分’與副成分，前述副成分係包含η 氧化物、Si氧化物或R氧化物（其巾，R係從Sc、γ、u、 Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、H〇、ErTm、Yb

及Lu選出至少i種），刖述A1氧化物之至少一部分與前述&氧化物或是前 :R氧化物之至少-部分，形成由相異於主要為前述主成刀所構成之主相之2次相，前述介電質層中包含前述2次相0 2·—種陶瓷電子元件，具有介電質層，其特徵在於：前述介電質層係含有以組合式BanTiu示，前述組弋中之m為〇.995Sm$i.〇i〇，^與Ti之比為〇 995g "Ti _ 1. 〇1〇之主成分，與副成分，前述副成分係含μ 氧化物、si氧化物以及R氧化物(其中，R係從Sc、Y、La、 Ce、Pr、Nd、Pm、Sm、Eu、Gd、Tb、Dy、H〇ErTmYb 及Lu選出至少1種），前述A1氧化、前述Si氧化物及前述R氧化物之至少 P刀形成由相異於主要為前述主成分所構成之主相之 2次相，前述介電質層中包含前述2次相。 2030-7463-PF 37

包含從MgO、CaO、分，相對於前述主成分包含0);以及 1276125 3.如申清專利範圍第〗或2項之陶瓷電子元件，其中，前述A1氧化物之含有量，相對於前述主成分ι〇〇莫耳，以 Al2〇3換算為〇〜4. 〇莫耳（其中，不包含〇)。二、4·如申請專利範圍第1或2項之陶究電子元件，其中，前述Si 1化物之含有量，相對於前述主成们⑽莫耳，以 Si〇2換算為〇_ 5〜1〇莫耳。义5.如申請專利範圍帛i或2項之陶竞電子元件，其中，前述R氧化物之含有量，相對於前述主成分1〇〇莫耳，以 R2〇3換算為〇· 2〜7莫耳。 6·如申請專利範圍第i或2項之陶竟電子元件，其中，前述介電質層更含有： BaO及Sr0選擇之至少i種之副成 1〇〇莫耳，為〇〜3· 0莫耳（其中，不匕含從V2〇5、Mo〇3及W〇3選擇之至幻種之副成分，相對於前述主成分1〇〇莫耳，為〇〇1〜〇·5莫耳。、7·如申請專利範圍帛6項之陶兗電子元件，述"電質層更含有：包含Ca7 η $ r ^ 3 L Zr〇3 或 Ca〇+ Zr〇2 之副成分，相對於前述主成分1〇〇莫耳，為〇)。 ~夫斗从下（其中，不包含 8· —種陶瓷電子元件之製造方法第1或2項之陶瓷電子元件，其特徵在於包括：製造申請專利範圍將除了 A1化合物、s i化合物以及/或R化合物（其中， 2030-7463-PF 38 I276125 g 係從 Sc、γ、u、Ce、pr、Μ、pm、&、肋、Gd、几、、 Er 、 τ 而〜 Tm、Yb及Lu選出至少1種）之外之粉體預燒結， :到已預燒結粉體之製程：在前述已預燒結粉體中，添 1述A1化合物、前㉛Si化合物以及/或前述^合物，而知到燒成前粉體之製程；以及將前述燒成前粉體燒成之製程。製造申請專利範圍

9. 一種陶瓷電子元件之製造方法第1或2項之陶瓷電子元件，其特徵在於包括：將除了 A1化合物、S i化合物以及/ + «係從 Sc'Y、La、Ce、Pr、Nd、Pln、s；；?W(〇’ “，、…選出至幻：^吻、物料之製程；以及 4化，而得到1次在前述1次糊料令，添加前述A1化人合物以及/或前述R化合物， 5物、前述Si化 "次糊料之製程。

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