TWI273529B - Electro-optical device, method of manufacturing the same, and electronic apparatus - Google Patents

Description

1273529 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係屬於例如具備有源矩陣驅動之液晶裝置，電 子紙等之電泳裝置，EL(Electro-Luminescence)顯示裝置 ，電子釋放元件（Field Emission Display 及 Surface-Conduction Electron-Emitter Disply)等裝置之光電裝置及 其製造方法之技術領域，另外，本發明係亦有關由具備如 此光電裝置而成之電子機器的技術領域。 【先前技術】 以往，於基板上，由具備有配列成矩陣狀之畫素電極 及接續於各個該電極之薄膜電晶體（以下稱爲TFT(Thin Film Transistor)，接續於各自該TFT，並各自於行及列方 向平行設置之資料線及掃描線的情況，可進行所謂有源矩 陣驅動之光電裝置，則眾所週知。 而在如此之光電裝置之中係加上上述，具備有對向配 置於前述基板之對向基板的同時，於該對向基板上，具備 對向於畫素電極之對向電極，並更加地由具備夾合於畫素 電極及對向電極間的液晶層之情況進行畫像顯示，即，液 晶層內之液晶分子係根據設定在畫素電極及對向電極間之 規定的電位差來適當地變更其配向狀態，並由此，根據透 過該液晶層之光的透過率變化之情況，而進行畫像之顯示 〇 更加地，前述光電裝置係爲具備有接續於TFT及畫 -4- 1273529 (2) 素電極之儲存電容的情況，而由此儲存電容，可將施加於 畫素電極之電位作爲一定期間維持，並可顯著地使其電爲 維持特性提升。 【發明內容】 [欲解決發明之課題] 但，但，針對在以往之光電裝置係有以下的問題點， 即，前述之儲存電容係典型來說具備有以電接續於TFT 及畫素電極之第1電極，對向配置於此而維持爲固定電位 .之第2電極，以及夾合於這兩電極之介電質膜之三層構造 ，而在此，第1電極及第2電極間係當然不能以電來接續， 而如短路將無法得到作爲儲存電容來發揮機能。 但，針對近年來，更要求有提升光電裝置之小型化. 微細化，而包含有關之儲存電容，前述TFT，資料線，掃 描線及畫素電極等各種構成要素係有需要在非常狹小的範 圍來構築，在這之中關於儲存電容係除了需要滿足如此微 細化等請求之外，亦必須滿足一定程度以上之電容値的確 保，即，必須謀求電極面積或謀求介電質膜之介電率的要 求。 係 求 要 之 反 相 此 如 足 滿 了 爲 於 對第 之 述 自 各 爲 如 而 積 面 極 1¾ ρτ 之 自 各 極 電 2 第 及 極 一 S ιρτ 前 修 成， 形此 等據 均根 有 沒 極 電 的 方1 如 分 部 的 極 S» 之 方 揮積 發面 無之 係限 容有 電上 存板 儲基 將 則 分 部 的 一 餘 另剩 於之 向能 對機 方1 其 在 並 不極 電 兩 從 即 費 浪 會 爲有 作佔 ， 地 浪 無 均 方 雙 係 -5- 1273529 (3) 費相互對向之情況，不但達成小型化·微細化，也不會浪 費地削減電容値。 但，如此，當第1電極及第2電極雙方具有相同面積而 相互對向時，針對在其端面係夾合於這兩電極之介電質膜 亦成爲曝露於外部之狀態，即，有關之三層構造所謂[斷 層]則出現在表面，而這是例如針對在該儲存電容之形成 過程，將前述第1電極，介電質膜及第2電極進行圖案化時 ，所謂產生[蝕刻殘留]乃至殘渣（以下稱爲[殘渣])時，根 據此殘渣附著於前述端面之情況，有著使短路發生在第1 電極及第2電極間之可能性，另外即使不至於產生短路而 根據前述殘渣之存在，亦可認爲有在前述端面發生電場集 中而發生耐壓下降之情況。 而更加地，如此之問題點係有不限於如此第1電極及 第2電極由相同面積來形成之情況而發生之可能性，例如 兩電極之中位置在最下側的電極則即使如從以平面來看位 置在最上側的電極（以下爲求方便稱爲[上側電極])及介電 質膜露出所形成之情況，這些上側電極與介電質膜的斷層 如爲暴露於外部之狀態，亦於針對在前述上側電極知該端 面的角部產生電場集中，並得到發生與前述相同之耐壓降 低的問題。 本發明係爲有鑑於上述問題所作爲之構成，其課題爲 提供具備有耐壓性能優越，且得到適當機能之儲存電容之 光電裝置，另外，本發明之課題係提供由具備如此隻光電 裝置而成之電子機器。 -6- 1273529 (4) [爲解決課題之手段] 本發明之光電裝置係爲了解決上述之課題，具備有延 設在機板上之資料線與，延伸於交差在前述資料線之方向 的掃描線與，包含由前述掃描線供給掃描信號之半導體的 薄膜電晶體與，由前述資料線再藉由前述薄膜電晶體來供 給畫像fe之畫素電極與’由以電接續於前述薄膜電晶體及 前述畫素電極之第1電極，對向配置於該第1電極之第2電 極，以及配置在前述第1電極及前述第2電極之間的介電質 膜而成之儲存電容與，氧化前述第1電極及前述第2電極之 至少一方的表面全部或一部分之氧化膜。 如根據如此之光電裝置，由因應掃描信號而控制開關 之薄膜電晶體之ON.OFF，從資料線供給畫像信號於畫素 電極，或停止供給，而由此，成爲可進行所謂有源矩陣驅 動，另外，如根據本發明，根據形成由第1電極，介電質 膜及第2電極而成之儲存電容的情況，將可顯著提升例如 針對在畫素電極之電位維持特性，並有助於晝質之提升， 然而，在本發明所指之[儲存電容]係除了包含意味提升針 對在如現在所述之畫素電極之電位維持特性之外，亦意味 著包含施加依據畫像信號之電位於畫素電極之前，具有作 爲可暫時儲存之記憶體的機能。 並且，如根據本發明，特別是於前述第1電極及前述 第2電極之至少一方的表面全部或一部分形成氧化膜，而 根據此氧化膜’將可幾乎不會使第1電極及第2電極間發生 短路等之事態’由其對於前述表面係因包含第1電極之後 1273529 (5) 述的邊緣部，或第2電極的邊緣部，並關於該邊緣部亦形 成得到氧化膜，故可相當提升該儲存電容之耐壓性能。 更加地，針對在形成前述第1電極，前述第2電極，將 這些前驅膜進行圖案化時，即使產生其殘渣，因此殘渣亦 成爲另外被氧化而構成前述氧化膜之一部分，故亦可防止 因該殘渣而造成耐壓性能下降之情況。 然而，針對本發明，[表面]係指除了包含針對在畫素 電極側電容電極，該畫素電極側電容電極與介電質膜沒有 接觸的面之外，亦包含該畫素電極側電容電極與介電質膜 相互接觸的面（以下爲求方便稱爲[接觸面])，而此係介電 質膜例如由氧化矽膜而成之情況，因在氧化第1電極之過 程所使用的氧則亦可經由該介電質膜至前述接觸面而使其 氧化之情況，另外，雖稱爲[表面]，但根據前述氧化，前 述第1電極係實際上加上於字義的表面，靠近其內部之附 近當然也成爲變化爲前述氧化膜之情況，而對於[表面]係 也包含如此之趣旨，另上述所述之情況係關於第2電極亦 爲相同。 另外，在本發明所稱之[氧化膜]係指典型來說不只意 味具有所想定之平面形狀之膜形態的構成，例如，即使只 作爲氧化後述之[邊緣部]，其被氧化的部分亦包括[氧化 膜]之範圍。 加上，針對在本發明，儲存電容係作爲在前述基板上 構築之堆積構造一部分來形成前述之薄膜電晶體，資料線 ，掃描線及畫素電極之情況，即，可作爲三層構造之堆積 -8- 1273529 (6) 構造物來形成構成該儲存電容之第1電極，介電質膜及第2 電極，而此情況，第1電極及第2電極的配置位置，更具體 來說係哪個成爲最上層，哪個成爲最下層都可以。 在本發明之光電裝置之一形態之中係前述表面包含該 第1電極及該第2電極之至少一方的端面。 如根據此形態，首先，[端面]係指例如意味接續於將 第1電極，介電質膜及第2電極進行圖案化時出現之圖案形 狀的邊緣部份，所謂相當於壁面的部分，而在此，例如形 成第1電極及第2電極之至少一方與介電質膜於同一平面（ 該平面係典型來說係想定爲垂直直立於基板之假想的[平 面]，而前述壁面係成爲形成在該平面之情況）地進行前述 之圖案化之情況，前述壁面的面，即端面係因畫素電極側 電容電極的端部，介電質膜的端部，以及第2電極的端部 則成爲所謂集中之形式，故容易發生短路乃至電場集中之 後的絕緣破壞之不良情況，然而，在本發明之中係針對在 其端面形成有前述氧化膜，隨之，更可確實享受到前述之 作用效果。 再此形態之中係前述端面亦可如包含前述第1電極及 前述第2電極之至少一方的邊緣部地來構成。 如根據如此之構成，比較於前述端面，更加地針對在 容易發生電場集中之後的絕緣破壞等之不良情況之邊緣部 ，從形成有前述氧化膜的情況，更可使該儲存電容之耐壓 性能提升。 然而，在本構成所稱之[邊緣部]係指，具體來說係例 1273529 (7) 如對於第1電極爲直方體之情況係相當於構成該直方體之 六點的角部，而關於第2電極亦爲相同。 另外，針對在本構成係從被作爲[至少一方之邊緣部] 之情況，亦可氧化第1電極及第2電極之兩方的邊緣部，反 而這樣比行程氧化膜於只有任何一方之邊緣部來的更爲理 想，而更理想係如同時氧化第1電極之邊緣部與，夾合介 電質膜來位置在對向於此之第2電極之邊緣部則更好，而 如根據此，更可確實提升耐壓性能。 或者在形成氧化膜於[端面]之形態之中係前述端面亦 可搭載於交叉在前述基板之同一平面內地來構成。 如根據如此之構成，則如既已敘述之，從端部則成爲 所謂集中之形式情況，將容易發生電場集中之後的絕緣破 壞之不良情況，但如根據本發明，將不必承受其不良情況 而既可完成之。 在本發明之光電裝置之其他形態之中係前述氧化膜係 形成在面對前述第1電極及前述第2電極之至少一方的前述 介電質側之表面即可，更加地，前述氧化膜係形成在前述 第2電極之所有表面即可，另外，前述氧化膜係形成在前 述第1電極及第2電極之所有表面即可，而在本發明之光電 裝置之其他形態之中係前述氧化膜的厚度爲1.5 [nm]以上 ，30[nm]以下。 如根據此形態，從適當設定前述氧化膜的厚度之情況 ，得到如接下來之作用效果，即，當氧化膜的厚度下降 1 .5 [nm]水準以下時，則無法得到充分之絕緣效果，隨之 1273529 (8) ，無法得到該儲存電容之充分的耐壓性能，而另一方，當 氧化膜的厚度超出30[nm]之情況’例如，針對在爲了得到 有關之氧化膜的熱氧化工程，將也成爲無法進行薄膜電晶 體之半導體層之氧化情況，並有使薄膜電晶體之ON電流 下降之虞，隨之，如根據本形態，將可得到充分的耐壓性 能之享受與確保適當進行動作之作用效果。 在本發明之光電裝置之其他形態之中係前述介電質膜 係包含氮化矽膜。 如根據此形態，因介電質膜包含比較來說介電率大之 氮化矽膜，故可得到增加儲存電容之電容値的情況，另外 ，因此當與介電質膜例如只由氧化矽膜而成之情況來做比 較時，因可將有關本形態之介電質膜作爲更薄，故可更佳 達成光電裝置之小型化·微細化之情況，而由此情況亦可 謀求製造時間之縮短化等之情況。 但，當介電質膜變薄時，當然第1電極及第2電極間的 距離係因變窄，故將會有顧慮耐壓性能下降，但，針對在 本發明係如既已說明之，因這些第1電極及第2電極均被氧 化，故幾乎消除有關的疑慮，也就是，介電質膜由包含氮 化矽膜之情況，即使作爲盡可能縮小其厚度之情況幾乎也 不會有該儲存電容之耐壓性能下降之情況。 如以上’如根據本形態，因可同時享受儲存電容之電 容增大與，優越之耐壓性能之二個效果情況，故本形態係 可稱爲爲了可更加享受有關本發明之作用效果的最適合之 形態之一。 -11 - 1273529 (9) 在本發明之光電裝置之其他形態之中係至少包覆構成 前述薄膜電晶體之半導體層之通道範圍地配置前述第1電 極之同時由遮光性材料而成之。 如根據此形態，因可防止對於構成薄膜電晶體之半導 體層之光射入，故可防止針對在該半導體層之光泄漏電流 之發生，進而可防止於畫像上發生閃爍之情況，另外，即 使爲本形態之情況，在第1電極及第2電極間亦會得到發生 短路乃至電場集中之後的絕緣破壞之不良情況，故同樣地 發揮本發明之作用效果，即，如根據本形態，加上確實確 保作爲儲存電容之機能的情況，對於該儲存電容亦可擔任 作爲遮光膜之機能，故可謀求該光電裝置之簡易化，另外 ，更加可達成其小型化.細微化等之情況。 然而，作爲在本形態所稱之[遮光性材料]係指，例如 具體來說係可舉出包含Ti(鈦）、Cr(鉻）、W(鎢）、Ta(鉬）、 Mo (鉬）等之高融點金屬之中之至少一個之金屬單體、合金 、金屬矽化物、多矽化物，堆積這些之構成等之情況，而 特別理想係從光吸收性能等之觀點爲Wsi，CoSi及TiSi ο 在本發明之光電裝置之其他形態之中係係前述第2電 極係被作爲固定電位。 如根據此形態，該儲存電容係可更適當地儲存所期望 之電荷。 然而，從本形態之記載，相反地了解到，有關本發明 之第2電極係未必需要作爲固定電位，例如，亦可將第2電 -12- (10) 1273529 極的電位作爲可變或浮動。 本發明之光電裝置之製造方法係爲了解決上述課題， 係爲於基板上由延伸在一定方向之資料線及，延伸在交差 於該資料線的掃描線與，由前述掃描線供給掃描信號之薄 膜電晶體與’由前述資料線藉由前述薄膜電晶體來供給畫 像信號之畫素電極而成之光電裝置之製造方法，其中具備 有將以電接續於前述薄膜電晶體及前述畫素電極之第〗電 極的前驅膜進行成膜之工程與，於前述第1電極上方將介 電質膜的前驅膜進行成膜之工程與，於前述介電質膜上方 將第2電極的前驅膜進行成膜之工程與，由進行對於前述 第1電極，前述介電質膜及前述第2電極各自的前驅膜之圖 案化之情況來形成前述第1電極，前述介電質膜及前述第2 電極，而因而形成儲存電容之工程與，氧化前述第1電極 及前述第2電極之至少一方的表面全部或一部分來形成氧 化膜之氧化工程。 如根據本發明之光電裝置之製造方法，將可適當地製 造上述之光電裝置。 另外，特別是如根據本發明，氧化工程則對於第1電 極及第2電極所進行之，換言之，前述第1電極及前述第2 電極係如前述，根據將這些各自之前驅膜進行圖案化的情 況來形成，但本發明所指之氧化工程係成爲對於如此所謂 形成完成之第1電極及第2電極來進行之情況，如此，在此 氧化工程之中係成爲亦氧化針對在前述圖案化之工程發生 之殘渣的情況，由此，針對在該儲存電容，將不會發生因 -13- (11) 1273529 兩電極間的短路或殘渣造成電場集中之不良情況，而將可 優越適當維持該儲存電容之耐壓性能。 然而，在本發明所指之[氧化工程]係具體來說例如可 認爲進行陽極氧化之工程，進行硫酸洗淨之工程，在導入 臭氧之適當的室內進行等離子處理之工程等情況。 另外，在本發明所指之[氧化膜]及[表面]的意義係與 關於前述本發明之光電裝置所述之構成相同。 在本發明之光電裝置之製造方法之一形態之中係前述 表面係根據前述圖案化所表現，包含前述第1電極及前述 第2電極之至少一方的端面。 如根據此形態，典型來說例如針對在第1電極的前端 ，介電質膜之前端，以及第2電極之前端成爲所謂集中的 形式之[端面]，容易發生短路乃至電場集中之後的絕緣破 壞等之不良情況，然而，在本發明之中係至少針對在此端 面，形成有前述氧化膜，隨之，成爲更確實享受前述之作 用效果之情況，然而，[端面]的意義係與關於前述本發明 之光電裝置之一形態所述之情況相同。 在此形態之中係前述端面係根據前述圖案化所表現， 亦可包含前述第1電極及前述第2電極之至少一方的邊緣部 地構成之。 如根據如此構成，針對在比較於前述端面更容易發生 電場集中之後的絕緣破壞等之不良情況之邊緣部，從形成 前述氧化膜的情況，更可使該儲存電容之耐壓特性提升， 然而[邊緣部]的意義係與關於前述本發明之光電裝置之一 -14- (12) 1273529 形態所述之情況相同。 在本發明之光電裝置之製造方法之其他形態之中係形 成前述氧化膜之工程係包含熱氧化工程。 如根據此形態，將可比較容易且迅速地氧化第1電極 及第2電極，另外，在本形態之熱氧化工程之中係因可於 兩電極表面及其靠近內部之附近容易使氧化擴散發生而形 成安定之氧化膜，相信可更確實提升耐壓性能。 順便帶說，如由典型之形式來實施本形態之[熱氧化 工程]，亦可比較容易地氧化第1電極及第2電極之前述邊 緣部，而此係例如假設想定第1電極及第2電極由單結晶矽 而成之情況時，可瞭解到，因在其邊緣部係對於除此之外 的部分，成爲出現擁有更容易進行氧化之面方位的面之情 況，然而，如此之情況係兩電極並不限於由單結晶矽而成 之情況，而對於一般的情況亦爲適合。 如此，如根據本形態，針對在極容易發生電場集中之 後的絕緣破壞等之不良情況之邊緣部，因可更針對重點， 且更容易地形成氧化膜，故適合對於使儲存電容之耐壓性 能提升。 如根據此形態，從適當地設定前述氧化膜厚度的情況 ’得到接下來的作用效果，即，當氧化膜的厚度下降 1.5[nm]水準以下時，則無法得到充分之絕緣效果，隨之 ’無法得到該儲存電容之充分的耐壓性能，而另一方，當 氧化膜的厚度超出3 0 [nm]之情況，例如，針對在爲了得到 有關之氧化膜的熱氧化工程，將也成爲無法進行薄膜電晶 -15- 1273529 (13) 體之半導體層之氧化情況，並有使薄膜電晶體之ON電流 下降之虞，隨之，如根據本形態’將可得到充分的耐壓性 能之享受與確保適當進行動作之作用效果。 或者，前述熱氧化工程係亦可如在3 5 0 [°C]以上的環境 來進行。 如根據此形態，可更確實且迅速地氧化第1電極及第2 電極，然而在熱氧化工程之中係從環記溫度相當貢獻於氧 化膜之形成速度的情況，故希望盡可能爲高溫的情況，而 從如此之觀點來看，氧化溫度最理想爲作爲800 [°C ]以上 之情況。 更加地，前述熱氧化工程係亦可在氧濃度爲2%以上 之環境來進行。 如根據此形態，可更確實且迅速地氧化第1電極及第2 電極。 加上，在包含熱氧化工程之形態之中係更具備有於前 述儲存電容之上方形成層間絕緣膜之工程，並前述熱氧化 工程係以可在形成前述層間絕緣膜之後來進行。 如根據如此構成，因可合倂實施對於形成後之層間絕 緣膜得燒成工程與，構成儲存電容的各電極之氧化工程之 情況，故將兩工程比較於個別實施的情況，將可謀求製造 工程之簡略化乃至製造迅速化的情況。 然而，如此，對於合倂實施燒成工程及氧化工程之情 況係理想爲將其處理由適量將氧氣加上於氮氣之環境氣內 來實施之情況。 -16 - (14) 1273529 在此構成之中係更加地於前述層間絕緣膜之上方更具 備由形成前述資料線之工程而成，而前述熱氧化工程係亦 可由構成前述資料線的材料之熔點以下溫度之環境下來進 行之。 如根據此形態，例如可由不溶解由鋁而成之資料線地 進行第1電極，或第2電極之氧化，然而在本構成之中係以 資料線作爲前提，但本構成之想法係關於其他各種構成要 素，爲同樣適用，例如針對在於儲存電容之上方，依第1 層間絕緣膜，資料線，第2層間絕緣膜，接續在前述第2電 極之電容配線，第3層間絕緣膜及畫素電極的順序構築堆 積構造之情況係在資料線，電容配線及畫素電極之中，可 由具有最低熔點之構成的該熔點以下之溫度環境下實施熱 氧化工程。 在本發明之光電裝置之其他形態之中係形成前述儲存 電容之工程係將前述第1電極及前述第2電極之至少一方， 具有與前述介電質膜相同平面形狀地包含進行圖案化之工 程。 如根據此形態，例如第2電極之端面與介電質膜之端 面則載置在相同的平面內，隨之，假設，於該介電質膜之 下方，即使存在有具有比這些第2電極及介電質膜還大面 積之第1電極，即，即使第1電極之端面係並無載置在前述 平面，亦會在該第1電極之表面與，第2電極之前述端面， 或絕緣部之間招致絕緣之破壞的可能性，然而，針對在本 發明係即使在如此之情況，根據氧化第1電極，或第2電極 1273529 (15) 之情況，幾乎沒有該儲存電容之耐壓性能下降之虞，而相 反地來說，針對在有關之情況，更可以有效享受到有關本 發明之作用效果。 然而，[如具有與介電質膜相同平面形狀地進行圖案 化]係指例如除了先前，如作爲配合只就介電質膜進行圖 案化之結果而產生之介電質膜的平面形狀，之後，實施關 於第1電極之前驅膜形成及其圖案化等之情況以外，亦包 含同時將介電質膜之前驅膜及第1電極之前驅膜雙方進行 圖案化的結果，兩者的平面形狀則成爲相同等之情況。 在本發明之光電裝置之其他形態之中係形成前述儲存 電容的工程係包含一並將前述第1電極，前述介電質膜及 前述第2電極之所有進行圖案化之工程。 如根據此形態，從包含一並進行圖案化之工程之情況 ，例如比較於包含個別獨立將構成儲存電容之三要素進行 圖案化工程之情況等，將可謀求製造工程之簡略。 另外，如根據本形態，特別是從一並進行圖案化之工 程之情況，第1電極之端面，介電質膜之端面及第2電極之 端面所有係載置在同一平面內，而換言之，這些各端面係 成爲所謂集中的形式，而將成爲更造成前述電場集中之後 的絕緣破壞等不良情況，然而，針對在本發明係如既已所 敘述之，根據氧化第1電極，或第2電極之情況’幾乎沒有 該儲存電容之耐壓性能下降之虞’而相反地來說’針對在 有關之情況，更可以有效享受到有關本發明之作用效果。 本發明之電子機器係爲了解決上述課題’由具備上述 -18- 1273529 (16) 本發明之光電裝置（但，包含其各種形態）而成之。 如根據本發明之電子機器，因由具備上述本發明之光 電裝置而成，故具備有耐壓性能優越，且得到適當機能之 儲存電容，而由此，將可實現更高品質畫像之投射器，液 晶電視，行動電話電子辭典，文書處理機，取景型·監視 直視型之錄影機，工作站，視訊電話，POS終端，觸控面 板等之電子機器。 由接下來說明之實施形態，瞭解到本發明之如此作用 及其他優點。 【實施方式】 [爲了實施發明之最佳的形態] 在以下之中係關於本發明之實施型態，參照圖面進行 說明，而以下之實施型態係將本發明之光電裝置適用在液 晶裝置之構成。 [針對在畫素部之構成] 在以下之中係關於針對在本發明之實施型態之光電裝 置畫素部構成，參照從圖1至圖4進行說明，而在此圖1係 針對在形成爲構成光電裝置之畫像顯示範圍之矩陣狀之複 數畫素的各種元件，配線等之等效電路，而圖2及圖3係爲 形成資料線，掃描線，畫素電極等之TFT陣列基板之作 爲相鄰接的複數畫素群平面圖，然而圖2及圖3係在後述之 堆積構造之中，各自圖示了解下層部分（圖2)與上層部分（ -19- 1273529 (17) 圖3)，另外，圖4係重疊圖2及圖3之情況的A-A’剖面圖 ，然而，針對在圖4係爲了將各層.各構件可在圖面上作爲 可辨識程度之大小，對於每個各層.各構件做不同的尺寸 c 然而，在以下之中係關於有關本實施形態之光電裝置 之基本構成預先說明之後，針對在本實施形態，關於特徵 的構成等係作爲提出之後重新成爲（儲存電容之構成）及（ 儲存電容之製造方法）項目進行詳述。 (畫素部之電路構成） 針對圖1，對於形成爲構成針對在本實施型態之光電 裝置之畫面顯示範圍之矩陣狀的複數畫素係各自形成有畫 素電極9a與，爲了切換控制該畫素電極9a之TFT30，並 供給畫面信號之資料線6a則被以電接續於該TFT30之源 極，而寫入於資料線6a的畫面信號SI，S2，…，Sn係依 此順序供給也沒關係，而對於同爲相鄰接之複數資料線6a 來供給至每個組群也可以。 另’電接續閘道電極3a於TFT30之閘道，並以規定 的時機’以此順序線順脈衝地將掃描信號G 1、G2、... Gm 施加於掃描線11a及閘道電極3a所構成，畫素電極9a係 電接續於TFT30之汲極，並根據只有在一定期間關閉爲切 換元;件之TFT30之開關之情況，以規定之時機來寫入畫像 信號 SI，S2，…，Sn。 而藉由畫素電極9a來寫入於作爲光電物質一例之液 -20- 1273529 (18) 晶之規定標準畫像信號SI，S2，…，Sn係在與形成在後 述之對向基板之對向電極之間，被一定期間所維持，液晶 係根據所施加之電壓標準，再由分子集合之配向或秩序變 化之情況，可將光進行調製，進行深淡程度顯示，而如爲 正常白模式，因應在各畫素之單位所施加的電壓來對於射 入光之透過率則將減少，如爲正常黑模式，因應在各畫素 之單位所施加的電壓來對於射入光之透過率則將增加，並 作爲全體，從光電裝置係射出擁有因應畫像信號之對比的 光。 在此，被維持之畫像信號爲了防止泄放之情況，與形 成在畫素電極9 a與對向電極之間之液晶電容並列附加儲 存電容70，而儲存電容70係並列設置於掃描線lla，並包 含固定電位側電容電極之同時，亦包含固定爲定電爲之電 容電極300。 [畫素部之具體構成] 在以下係關於由上述資料線6a，掃描線1 1 a及閘道電 極3a，TFT3 0等，實現如上述之電路動作的光電裝置之具 體構成，參照圖2乃至圖4來進行說明。 首先，針對圖3，畫素電極9a係於對於TFT陣列基板 10上，複數設置成矩陣狀（根據虛線部表示輪廓），並各 自沿著畫素電極9a之縱橫邊界設置資料線6a及掃描線1 la ’而資料線6a係如後述，由包含鋁膜等之堆積構造而成 ’並掃描線1 1 a係例如由導電性之聚矽膜等而成，另外， (19) 1273529 掃描線1 la係藉由接觸孔12cv電接續於半導體層la之中 對向於由圖中右上斜線範圍所示之通道範圍1 a’之閘道電 極3 a，並該閘道電極3 a係成爲包含於該掃描線1 1 a之形式 ，即，對於閘道電極3 a與資料線6a之交差處係各自於通 道範圍la’，設置對向配置含在掃描線11a之閘道電極3a 的畫素切換用之TFT30，而由此，TFT30(除了閘道電極） 係成爲存在於閘道電極3a與掃描線1 1 a之間的型態。 接著，光電裝置係如成爲圖2及圖3 A-A’線剖面圖之 圖4所示，例如，具備有由石英基板，玻璃基板，矽基板 而成之TFT陣列基板10與，對向配至於此.例如由玻璃基 板或石英基板而成之對向基板20。 對於TFT陣列基板10側係如圖4所示，設置有前述畫 素電極9a，並於其上側係設置有施以平膜處理等之規定的 配向處理之配向膜16，而畫素電極9a係例如由 ITO(Indium Tin Oxide)膜等之透明導電性膜而成，而另一 方，對於對向基板20側係跨越全面設置有對向電極21，並 於其下側係設置有施以平膜處理等之規定的配向處理之配 向膜22，而對向電極21係與上述之畫素電極9a相同地例 如由ITO膜等之透明導電性膜而成。 對於如此所對向配置之TFT陣列基板10及對向基板 20間係封入液晶等之光電物質於根據後述之密封材52(參 照圖17及圖18)所圍住之空間，再形成液晶層50，而液晶 層5 0係由無施加從畫素電極9a之電場的狀態，根據配向 膜16及22得到規定之配向狀態。 -22- 1273529 (20) 另一方面，對於TFT陣列基板10上係除了前述之畫 素電極9a及配向膜16以外，形成堆積構造而具備包含這 些之各種構成，而此堆積構造係如圖4所示，由下依序由 包含掃描線11a之第1層，含有包含閘道電極3a之TFT3 0 等之第2層，包含儲存電容之第3層，包含資料線6a之第4 層，包含電容配線400等之第5層，包含前述畫素電極9a 及配向膜16等之第6層（最上層）而成，另外各自於第1層及 第2層間係設置下地絕緣膜1 2，於第2層及第3層間係設置 第1層間絕緣膜41，於第3層及第4層間係設置第2層間絕緣 膜42，於第4層及第5層間係設置第3層間絕緣膜43，於第5 層及第6層間係設置第4層間絕緣膜44，並防止前述各要素 間短路之情況，另外，對於這些各種絕緣膜1 2、4 1、42、 43及44係亦例如另外設置電接續TFT30之半導體層la中 之高濃度源極範圍Id與資料線6a之接觸孔等，而在以下 係關於這些各要素，由下依序進行說明，然而，從前述之 中第1層至第3層爲止則作爲下層部分圖示於圖2，並從第4 層至第6層爲止則作爲上層部圖示於圖3。 (堆積構造·第1層之構成-掃描線-) 首先，對於第1層係例如設置有包含Ti(鈦）、Cr(鉻） 、W(鎢）、Ta(鉅）、Mo(鉬）等之高融點金屬之中之至少〜 個之金屬單體、合金、金屬矽化物、多矽化物，堆積這些 之構成，或由導電性矽等而成之掃描線1 1 a，而此掃描線 1 1 a係以平面來看，沿著圖2X方向，圖案化爲條紋狀，而 (21) 1273529 更詳細來看時，條紋狀之掃描線1 1 a係具備如沿著圖2X方 向地延伸之主線部與，沿著延伸存在有資料線6a或電容 配線400之圖2Y方向之突出部，然而，從鄰接之掃描線 1 1 a延伸之突出部係並無相互接續，而隨之該掃描線1 1 a 係成爲1條1條分斷之形態。 (堆積構造·第2層之構成-TFT-) 接著，作爲第2層，設置有包含閘道電極3a之TFT30 ，而 TFT30係如圖6所示，具有 LDD ( Lightly Doped Drain )構造，並作爲其構成要素，具備有上述之掃描線 3 a、例如根據由聚矽膜而成，從閘道電極3 a之電場形成 通道之半導體la之通道範圍la’ 、包含將掃描線3a與半 導體1 a進行絕緣之閘道絕緣膜之絕緣膜2、針對在半導體 1 a之低濃度源極範圍1 b及低濃度汲極範圍1 c、以及高濃 度源極範圍1 d以及高濃度汲極範圍1 e。 另外，在本實施形態之中係於此第2層，作爲與上述 之閘道電極3a同一膜形成有中繼電極719，而此中繼電極 719係由平面來看’如圖2所不，位置於沿著各畫素電極9a 之X方向的一邊略中央地，形成爲導狀，中繼電極71 9與 閘道電極3 a係因作爲同一膜所形成，故針對在例如後者 由導電性矽膜等而成之情況係前者，亦另外由導電性砂膜 等而成。 然而，上述之TFT30，理想則是如圖4所示，具有 L D D構造’但亦可爲具有不進行打入不純物於低濃度源 (22) 1273529 極範圍1 b及低濃度汲極範圍1 c之偏移構造，或爲將閘道 電極3a作爲光罩以高濃度打入不純物，並自我整合地形 成高濃度源極範圍及高濃度汲極範圍之自調整型之TFT。 (堆積構造·第1層及第2層之構成-下地絕緣膜-) 對於以上說明之掃描線11a的上方，且TFT30的下方 係設置例如由矽氧化膜等而成之下地絕緣膜1 2，而下地絕 緣膜12係除了從掃描線11a層間絕緣TFT30之機能之外， 根據形成於TFT陣列基板1 0全面的情況，具有由針對在 TFT陣列基板10之表面硏磨時之龜裂或，洗淨後殘留之污 漬等來防止畫素切換用之TFT30的特性變化之機能。 對於下地絕緣膜12係於平面來看半導體層la之兩旁 側，鑽掘有沿著後述之資料線6a延伸之半導體層1 a之通 道長度方向之溝狀的接觸孔12cv，並因應此接觸孔12cv， 堆積在其上方之閘道電極3 a係包含形成爲凹狀於下側之 部分，另外根據如埋設此接觸孔1 2cv全體地形成閘道電 極3 a之情況，對於該閘道電極3 a係延設著與此一體成型 之側璧部3b(前述之[形成凹狀於下側之部分])，而由此， TFT3 0之半導體層la係如圖2所示，由平面來看，成爲從 側方所包覆，並至少控制從此部分之光的射入。 另外，此側璧部3b係在埋入前述之接觸孔12cv地來 形成之同時，其下端則作爲與前述掃描線1 1 a接合，而在 此，掃描線1 1 a係如上述從形成爲條紋狀之情況，存在於 某個行之閘道電極3 a及掃描線1 1 a係只要著眼於該行，則 -25- (23) 1273529 經常成爲同電位。 (堆積構造·第3層之構成-儲存電容等_) 持續前述第2層，對於第3層係設有儲存電容70，而儲 存電容70係根據藉由介電質膜75對向配置作爲接續在 TFT30之高濃度汲極範圍le及畫素電極9a的畫素電位側電 容電極的下部電極71與，作爲固定電位側電容電極之電容 電極300之情況所形成之，而如根據此儲存電容70，將成 爲可明顯提升針對在畫素電極9a之電爲維持特性，另外 ，有關本實施形態之儲存電容70係由看圖2平面圖即可瞭 解，因並無形成至幾乎因應畫素電極9a之形成範圍的光 透過範圍，換言之，因放入於遮光範圍內地來形成，故光 電裝置全體之畫素開口率係比較來說較大來維持，並由此 ，將可顯示更明亮之畫像。 然而，此儲存電容70係因爲爲特別關聯於本發明之構 成要素，故關於更詳細之說明係在成爲之後的（儲存電容 之構成）及（儲存電容之製造方法）之項目內進行說明。 (堆積構造.第2層及第3層間之構成-第1層間絕緣膜-) 對於以上說明之TFT30乃至閘道電極3a及中繼電極 719之上方，且儲存電容70之下方係例如形成有由NSG， PSG，BSG，BPSG等之矽石玻璃膜或氮化矽膜或氧化矽膜 等，或者理想是由構成NSG而成之第1層間絕緣膜41。 並且，對於此第1層間絕緣膜4 1係持續貫通後記第2層 -26- 1273529 (24) 間絕緣膜之同時，將以電接續T F T 3 0之高濃度源極範圍1 d 與後述之資料線6a的接觸孔8 1進行開孔，另外對於第1層 間絕緣膜41係將以電接續TFT30之高濃度汲極範圍le與 構成儲存電容70之下部電極71的接觸孔83，進行開孔，而 更加地，對於此第1層間絕緣膜4 1係將爲了以電接續作爲 構成儲存電容70之畫素電位側電容電極之下部電極71與中 繼電極7 1 9之接觸孔8 8 1進行開孔，另更加上，對於第1層 間絕緣膜4 1係持續貫通後記第2層間絕緣膜之同時，將爲 了以電接續中繼電極719與後述之第2中繼電極6 a2之接觸 孔8 82進行開孔。 (堆積構造.第4層之構成-資料線等-) 持續前述之第3層，而對於第4層係設置有資料線6a， 而此資料線6 a係如圖4所示，由下依序，作爲具有由鋁而 成的層（參照針對圖4之符號41 A)，由氮化鈦而成的層（參 照針對圖4之符號41 TN)，由氮化矽膜而成的層（參照針對 圖4之符號401)之三層構造的膜所構成之，而氮化砂膜係 圖案化成比如包覆其下層之鋁層與氮化鈦層稍大尺寸。 另外，對於此第4層係作爲與資料線6a同一層，形成 有電容配線用中繼層6a 1及第2中繼電極6a2，而這些係如 圖3所示，由平面上來看時，並非形成爲具有與資料線6a 連續之平面形狀，而各者間係如在圖案化上分斷第來形成 ，例如當著眼於位置在圖3中最左方之資料線6a時，則形 成有在其右方具有略四邊形之電容配線用中繼層6al，而 -27- (25) 1273529 更加地在其右方具有擁有比電容配線用中繼層6al若干大 之面積的略四邊形之第2中繼電極6 a2。 順便帶說，這些電容配線用中繼層6al及第2中繼電極 6a2係從作爲同一膜來形成資料線6a之情況，具有由下層 依序由鋁而成的層，由氮化鈦而成的層，由氮化矽膜而成 的層之三層構造。 (堆積構造.第3層及第4層間之構成-第2層間絕緣膜·） 對於以上說明之儲存電容70之上方，且資料線6a之 下方係例如形成有由 NSG、PSG、BSG、BPSG等之矽石 玻璃膜或氮化矽膜或氧化矽膜等，或者理想是由採用 TEOS 氣體之等離子 CVD(Chemical Vapor Deposition)法 所形成之第2層間絕緣膜42，而對於此第2層間絕緣膜42係 以電接續TFT30之高濃度源極範圍Id與資料線6a，將前 述之接觸孔81進行開孔之同時，將以電接續前述電容配線 用中繼層6al與，成爲儲存電容70之上部電極的電容電極 3 〇 〇之接觸孔8 0 1進行開孔，而更加地，對於第2層間絕緣 膜42係形成爲了以電接續第2中繼電極6a2與中繼電極719 之前述接觸孔882。 (堆積構造·第5層之構成-電容配線等·） 持續前述之第4層，而對於第5層係形成有電容配線 400 ’而此電容配線400係當由平面上來看時，如圖3所示 ’如各自延伸存在於圖中X方向及Y方向地，形成爲格 -28- (26) 1273529 子狀，而關於在該電容配線400之中延伸存在於圖中γ方 向之部分，特別是如包覆資料線6a地，且比該資料線6a 還寬幅度地來形成之，另外，關於延伸存在於圖中X方 向之部分係爲了確保形成後述之第3中繼電極402之範圍， 於各畫素電極9a之一邊的中央附近具有缺口部。 更加地係圖3中，針對在各自延伸存在於χγ方向之 電容配線400交差部分的角落部係埋入該角落部來設置略 三角形之部分，而於電容配線400，根據設置此略三角形 之部分的情況，將可有效進行對TFT30之半導體層la之 光的遮蔽，即，對於半導體層1 a，從斜上方進入的光係將 成爲由此三角形之部分所反射或吸收而不會進入至半導體 層la，隨之，可控制光泄放電流之發生，進而可顯示無閃 爍之局品質畫像，此電容配線400係從配置畫素電極9a之 畫像顯示範圍l〇a延設至其周圍，並由與定電位源電接續 之情況，作爲固定電位。 另外，對於第5層係作爲與如此之電容配線400同一膜 來形成第3中繼電極4 02，而此第3中繼電極4 02係具有藉由 後述之接觸孔8 04及89來將第2中繼電極6 a2及畫素電極9a 間之電氣接續進行中繼之機能，然而，這些電容配線400 及第3中繼電極402係並無連續平面形狀地來形成，而兩者 間係圖案化上分斷地形成之。 另一方，上述之電容配線400及第3中繼電極402係具 有在下層由鋁而成的層，而在上層由氮化鈦而成的層之二 層構造。 -29- 1273529 (27) (堆積構造·第4層及第5層間之構成-第3層間絕緣膜等_) 對於資料線6a之上方，且電容配線400之下方係形成 有第3層間絕緣膜43，而對此第3層間絕緣膜43係各自將爲 了以電接續前述電容配線400與電容配線用中繼層6al之接 觸孔803，以及爲了以電接續第3中繼電極4 02與第2中繼電 極6a2之接觸孔804進行開孔。 (堆積構造·第6層以及第5層間及第6層間之構成-畫素電及 等-) 在最後，對於第6層係如上述形成畫素電極9a爲矩陣 狀，並形成配向膜16於該畫素電極9a，並且，對於此畫素 電極9a下方係形成有第4層間絕緣膜44，而對於此第4層 間絕緣膜44係將爲了以電接續畫素電極9a及前述第3中繼 電極402間之接觸孔89進行開孔，而畫素電極9a與TFT30 之間係成爲藉由此接觸孔89及第3中繼電極402，以及前述 接觸孔804，第2中繼電極6a2，接觸孔8 82，中繼電極719 ，接觸孔881，下部電極71及接觸孔83來進行電氣接續之 情況。 (儲存電容之構成） 針對在具備如以上所敘述之構成的光電裝置，針對在 本實施形態係特別是儲存電容7〇，尤其關於構成此之電容 電極300及下部電極71的構成有特徵，而在以下之中係參 照於前述所參照之各圖及圖5乃至圖7來就有關此進行詳述 -30- (28) 1273529 ，而在此圖5係爲爲擴大爲附上圖4之符號C之圓內部分之 儲存電容端部附近來表示的剖面圖，而圖6係爲更加擴大 圖5之符號3 00C部分來表示之剖面圖，另外，圖7係爲由 具備有與無具備有氧化膜之情況來表示儲存電容的耐壓特 性可提升多少的圖表。 首先，本實施形態之儲存電容70係由下部電極71，電 容電極3 00及介電質膜75而成，而這之中下部電極71係例 如由導電性之聚矽膜而成，並作爲畫素電極側電容電極來 發揮機能，另外，此下部電極7 1係除了作爲畫素電極側電 容電極之機能外，還擁有將羣素電極9a與TFT30之高濃 度汲極範圍1 e作爲中繼接續之機能，而順帶說明，在此 所稱之中繼接續係藉由前述之中繼電極719來進行，而另 一方面，電容電極300係例如由導電性之聚矽膜而成，並 作爲儲存電容70之固定電位側電容電極來發揮機能，針對 在本實施形態，對於爲了將電容電極300作爲固定電位係 根據謀求與作爲固定電位之前述電容配線400電氣接續之 情況而進行之，並且，介電質膜75由例如膜厚爲5〜200nm 程度之比較薄之 HTO(High Temperature Oxide)膜， LTO(Low Temperature Oxide)膜之氧化矽膜等所構成之， 而從使儲存電容70增大之觀點來看係針對只要充分得到膜 的信賴性，介電質膜75係越薄愈好，然而，在本實施形態 之中係介電質膜75成爲單層構造，但根據情況係亦可例如 作爲氮化矽膜及氧化矽膜之二層構造，或具有這以上之堆 積構造。 -31 - 1273529 (29) 另外，在如此之儲存電容70之中係如於圖2及圖3，或 圖4所示，電容電極3 00及下部電極71以及介電質膜75以平 面來看具有同一形狀地來形成，由此，電容電極3 00之端 面3 00W及下部電極71之端面71W係成爲載置在垂直直立 於TFT陣列基板10之假想的平面（無圖示）上方之情況，而 換言之，這些端面300W及71 W係如圖5及圖6所示，成爲 所謂集中之情況，根據此，一方的電極沒有對向於另一方 之電極的部分，即，作爲儲存電容係無發揮機能之剩餘的 部分則將不會浪費地佔有TFT陣列基板10上有限之面積 ，並在其一方，從電容電極3 00及中繼兩電極71係雙方均 無浪費相互對向之情況，不但達成小型化.微細化，也不 會浪費地削減電容値。 並且，針對在本實施形態係特別是電容電極3 00及下 部電極71的表面係如圖5及圖6所示，被氧化處理（在圖4之 中係無圖示），並形成氧化膜501，而此氧化膜501係包含 電容電極300之端面300W，而亦形成於圖中上面及下面， 另下部電極71亦爲相同，然而，在電容電極3 00之圖中下 面亦進行氧化之情況係也爲因經由介電質膜75供給氧於該 下面，另外，在下部電極71之圖中下面進行氧化之情況， 也爲因經由第1層間絕緣膜4 1供給氧於該下面。 另外，針對在本實施形態係特別是在包含於端面 3 00W內之邊緣部300C之中係如圖6所示，略半圓形（之二 分之一）的範圍（如以立體來看，將角部爲中心，略半圓形 (之八分之一）的範圍）則成爲氧化膜5 0 1，而此係在該部分 -32- (30) 1273529 ，從成爲圖中右方的面之端面3 00 W及圖中下面，等方方 式進行氧化之結果，並且，針對在邊緣部300C之氧化膜 501的厚度係比起針對在其他部分還大，然而，針對在本 實施形態係針對在邊緣部3 00C之氧化膜501的厚度係指， 作爲以圖6所示之符號”DC”來表示之部分的構成，如此， 產生邊緣部3 00C之厚度Dc與針對在其他部分之厚度D之 不同情況係針對在該邊緣部3 00C，成爲出現具有更容易進 行氧化的面方位的面之情況，或針對在如邊緣部3 00C之 前端銳利之部分係一般來說化學反應則更容易進行，即根 據氧化劑之作用則更爲積極進行作用等之理由，而以上所 述之情況係關於下部電極7 1之邊緣部7 1 C亦爲適合，順帶 說明，有關本實施形態之氧化膜501的厚度”D”係滿足成 爲 l_5[nm]SDS30[nm]之條件。 有關本實施形態之光電裝置係根據具備如此之氧化膜 50 1的情況，將可得到如以下之作用效果，即，根據此氧 化膜501，將幾乎不會發生電容電極300及下部電極71短路 等之事態，另外，尤其是從形成氧化膜501於端面300W及 7 1，更加地也形成於邊緣部3 00C及7 1 C之情況，將相當 可使該儲存電容70之耐壓性能提升。 此情況係可更實際地由圖7來確認，而在此圖7係如既 已說明之，爲由具備有與無具備有氧化膜之情況來表示儲 存電容的耐壓特性可提升多少的圖表，但更爲詳細圖7係 所謂威伯爾圖表（Weibull Prot)，其中對於持續加上電壓 1.8 [V]於具備氧化膜501之儲存電容70(參照圖中符號Q)與 1273529 (31) ，無具備氧化膜501之儲存電容（參照圖中符號Q1)之各自 的情況，表示該儲存電容在如何狀況而使故障率上升之圖 表，然而，得到圖7的橫軸係以時間t，縱軸係以故障分部 函數（乃至係爲不信賴度函數）F(t)來表示之”ln(-ln(i-F(t)))”，在此函數F(t)係爲威伯爾分佈之故障分部函數， 並表示爲F(t)=l-[exp{-(t-Y)/ 7? }m](但，m係形狀參數， 77係尺度參數，而針對在有關前述縱軸的式子” ln(-ln(l-F(t)))”係針對在前述之F(t)之表式，作爲Y = 0，並由式 當的移項操作與對兩邊取得二次對數等所得到，並且從圖 7可瞭解到，具備氧化膜501之儲存電容70的一方（參照圖 中符號Q)則比起無具備氧化膜之儲存電容（參照圖中符號 Q 1 )，由更長的時間進行的階段圖表才上升之情況而知道 其耐壓性能有提升之情況。 如以上，針對在本實施形態係根據於構成儲存電容7 0 之電容電極3 00及下部電極71，形成氧化膜501之情況，提 升該儲存電容70之耐壓性能，隨之，有關本實施形態之儲 存電容70係因可充分發揮使畫素電極9a之電位特性提升 之本來所期待之性能，故更可顯示高品質之畫像，另外， 可提供可更安定之動作的光電裝置。 另外，針對在本實施形態係從適度設定氧化膜5 0 1之 厚度D之情況，將可得到如接下來之作用效果，而在以 下之中係參照圖8來說明此，在此，圖8係表示氧化膜的厚 度對於儲存電容的耐壓性之提升有多少影響之圖表。 首先，此圖8係更詳細爲對於作爲參數（1，1 · 5及3 -34- 1273529 (32) [nm])來使氧化膜501之厚度變化之儲存電容70，與前述圖 7相同地，針對在持續施加一定電壓1 8.5 [V]之情況的威伯 爾圖表，而如從圖8可瞭解到，在厚度爲1 [nm]之情況與 ，：K5 [nm]及2 [nm]之情況看到顯著的不同，即，在前者 之中係對於圖形曲線上升在比較早期所看到，而後者則慢 ，根據此時，根據儲存電容70之耐壓性的提升而戰厚度D 之增減大的主因係爲T爲針對在1 [nm]與1.5 [nm]之間， 更加地，厚度T如爲1.5 [nm]以上，之後則認爲耐壓性之 提升係作爲一定程度安定之構成，而由此情況，引導氧化 膜501之厚度T作爲1.5 [nm]以上之情況則爲理想。 另一方面，雖無圖示，但厚度D並非越大越好，即 ，當厚度D過大時，針對在爲了得到氧化膜501之熱氧化 工程，成爲亦使TFT30之半導體層la氧化之情況，而有 使該TFT3 0之之ON電流下降之虞，如根據本如申請專利 發明者之硏究，從如此之觀點來看，氧化膜501之厚度D 係爲一定程度以下之情況則爲理想，而更具體來說係引導 理想爲30 [nm]以下之情況。 由以上結果針對在本實施形態，如根據氧化膜501之 厚度T滿足成爲1.5[nm] S D‘ 30[nm]之條件，將可得到充 分之耐壓性能的享受與適當進行動作之TFT30的確保之作 用效果，然而，針對圖5，主要支配儲存電容70之耐壓性 能的部分係作爲從爲邊緣部3 00C及71C之情況時，至少 針對此部分，如充分形成有氧化膜，則認爲可得到此相應 之效果，隨之，針對前述，作爲1.5[nm]SDS30[nm]之條 -35- 1273529 (33) 件係根據情況，可思考置換爲1 · 5 [ n m ] S D c $ 3 Ο [ n m ]之情 況，而此情況，假設可局部進行氧化處理等，亦可思考只 就該邊緣部300C及71C，滿足有關前述Dc之條件地實施 其氧化處理等之情況（參照之後的圖9，圖1 0及圖1 2)，而 如此之形態係當然爲本發明之範圍內。 然而’在上述之本實施形態之中係作爲儲存電容70之 形態，均關於根據由導電性之聚矽膜而成之電容電極3 00 及下部電極71，以及由氧化矽膜，或氮化矽膜而成之介電 φ 質膜75所構成之情況等已說明過，但本發明並不限定於如 上述之形態，而在以下之中係關於各種變形形態，適宜參 照圖9至圖13進行說明之，在此，圖9及圖10係爲與圖5同 趣旨，其中表示具有與圖5不同形態之電容電極之儲存電 容的剖面圖，而圖11係爲與圖5相同趣旨的圖示，其中表 示具有與圖5不同形態之下部電極之儲存電容的剖面圖， 而圖12及圖13係爲與圖11相同趣旨的圖示，其中表示具有 與圖1 1不同形態之電容電極之儲存電容的剖面圖。 ® 首先，關於介電質膜75係替代或加上於氧化矽膜，而 採用氮化矽膜也可以（然而，所謂[加上]係指例如可認爲 如上述，作爲氧化矽膜及氮化矽膜之二層構造），如爲如 此作爲，介電質膜75因含有比較大介電率之氮化矽膜，故 可增大儲存電容7〇之電容値，另外，因此當介電質膜75與 例如由氧化矽膜而成之情況作比較時，因可將介電質膜75 作爲更薄之情況，故更可達成光電裝置之小型化·細微化 ，並由此情況亦可謀求製造時間之縮短化’但當介電質膜 -36- 1273529 (34) 75變薄時，因電容電極300及下部電極71間的距離變窄， 故擔心有耐壓性能降低之情況，但，針對在本實施形態係 如既已說明之，從氧化這些電容電極300及下部電極71之 情況，幾乎消除有關的疑慮，也就是，介電質膜由包含氮 化矽膜之情況’即使作爲盡可能縮小其厚度之情況幾乎也 不會有該儲存電容之耐壓性能下降之情況。 接著，關於電容電極係替代或加上於前述之導電性之 聚矽膜，例如圖9所示，亦可採用鎢化合物（Wsi)，而針對 圖9，電容電極350係於其下層具有導電性聚矽膜351及於 其上層具有Wsi膜3 52，如爲如此作爲，從包覆半導體層 la地配置電容電極300之同時（參照圖2及圖3)亦含有比較 來說光吸收性能優越之Wsi膜3 52之情況，將可防止光射 入於該半導體層1 a乃至其通道範圍1 a ’之情況，即，可將 在半導體層1 a內使光泄放電流產生而於畫像上產生閃爍 之事態防範未然，並且，即使爲如此之情況，例如圖9所 示，可由使有關之電容電極3 5 0氧化之情況來形成氧化膜 502，然而，針對圖9之氧化膜502係表示作爲只形成於電 容電極350之邊緣部350C之構成。 根據如以上之情況，如根據有關圖9之構造，從具有 優越之耐壓性能的情況，加上確實確保得到作爲儲存電容 70之機能的情況，亦可對於該儲存電容70亦發揮作爲遮光 膜之機能的情況，針對在可由一個構造來實現雨個機能之 意思，將可謀求該光電裝置之構造的簡易化，另外更可達 成光電裝置之小型化.細微化之情況° -37- (35) 1273529 然而，針對在有關前述之圖9的構造，爲了得到氧化 膜5 02乃至針對在下部電極71之氧化膜501，而對於實施熱 氧化工程之情況係有顯著氧化Wsi膜3 5 2之虞，隨之，爲 了防止此，如圖所示，加上於導電性聚矽膜361，Wsi 膜362，而於其上層採用如具備氮化矽膜3 63之構造也可以 ，根據此氮化矽膜3 62之存在，將可防範前述不良狀況發 生於未然，另外將半導體層1 a作爲可得到有效遮光之材 料係除了上述之Wsi之外，還可舉出CoSi，或Ti Si等之 情況，而更爲一般來說係可舉出包含Ti(鈦）、Cr(鉻）、W( 鎢）、Ta(鉅）、Mo (鉬）等之高融點金屬之中之至少一個之 金屬單體、合金、金屬矽化物、多矽化物，堆積這些之構 成等之情況，而更加地不只電容電極300，關於下部電極 71亦可採用與有關前述電容電極3 00所述相同之構成，或 由包含金屬或合金之單一膜或多層膜來構成也可以。 那麼，針對在上述之實施形態係電容電極3 00及下部 電極7 1的平面形狀係作爲相同，但本發明也並不限定於如 此形態，例如，如圖1 1所示，亦可構成將位置在最下層之 下部電極711的面積作爲更大，而將位置在最上層之電容 電極300的面積作爲更小之儲存電容70，而針對在此情況 只要存在電容電極300之端面300W，或者邊緣部3 00C，則 也有可能發生針對在該邊緣部300C之電場集中等之後的 絕緣破壞等不良情況，然而，針對在圖1 1係關於電容電極 300，與前述之圖5相同，形成氧化膜501之同時，關於下 部電極71 1亦形成有氧化膜503，果然該儲存電容之耐壓性 1273529 (36) 能係爲提升，然而，針對在有關如此圖Π之構造亦如圖1 2 及圖13所示，當然亦可構成依據與前述圖9及圖1〇相同趣 旨之儲存電容，然而，針對在圖12及圖13之氧化膜係表示 作爲只形成在電容電極3 50之邊緣部35 0C及電容電極360 之邊緣部3 60C之構成。 (儲存電容之製造方法） 如以上所述之氧化膜501係例如圖14及圖15所示地來 製造，在此圖14及圖15係爲針對圖4的觀點依序表示上述 實施形態之光電裝置製造工程之製造工程剖面圖，然而， 針對以下係作爲主要只就對於本發明有特別關係之儲存電 容70之製造工程進行說明之情況，另外，針對在圖14及圖 15係省略關於對向基板20側之構成的說明。 首先，針對在TFT陣列基板10上，由公知的方法形 成至第1層間絕緣膜4 1以及接觸孔8 3及8 8 1爲止之堆積構造 ，如圖14之工程（1)所示，於其第1層間絕緣膜41之上方， 由約45 0〜5 5 0°C，理想爲約5 00 °C之比較低溫環境中，根據 採用流量約400〜600cc/min之甲硅烷氣體，乙硅烷氣體等 之減壓CVD(例如壓力約20〜40Pa之CVD)，形成非晶質矽 膜，此時，由先導入P離子於該環境氣體內之情況，摻雜 P離子於該非晶質矽膜內，之後，在氮素環境氣體中，根 據以約600〜700°C實施約1〜1〇小時，而理想爲4〜6小時之熱 處理的情況，使P-Si(聚矽）膜固體成長至成爲約50〜2〇〇nm 的厚度，而理想係爲約1 OOnm之厚度，而作爲使其固體成 -39· 1273529 (37) 長的方法係亦可爲使用RTA(Rapid Thermal Anneal)之退 火處理，而也可爲採用準分子雷射之雷射退火，而此聚矽 膜係將來相當於成爲下部電極71之前驅膜71k。 接著，如圖14之工程（2)所示，於前述前驅膜71k上方 形成介電質膜75之前驅膜75k，而此前驅膜75k係根據約 900〜1 3 00°C的溫度，而理想係爲1 000°C之溫度進行熱處理 來形成下層絕緣膜，而根據情況，持續此由根據減壓 CVD法等形成上層絕緣膜之情況，作爲由一層或多層之 高溫氧化矽膜（HTO膜）或氮化矽膜而成之構成來形成之， 接著，如圖14之工程（3)所示，與前述前驅膜71k同樣作爲 ，將來，形成爲了成爲電容電極300之前驅膜3 00k。 接著，如圖14之工程（4)所示，關於前驅膜71k，前驅 膜75k及前驅膜300k，一並進行圖案化處理（微縮術及蝕 刻處理），由此，前驅膜71k係於下部電極71，而前驅膜 75k係於介電質膜75，前驅膜300k係於電容電極300，各 自形成儲存電容7〇，而如此，如一並實施圖案化處理，例 如比較於個別形成電容電極3 00，介電質膜75及下部電極 7 1之情況，將可謀求製造工程之簡略化，另外如實施如此 之圖案化處理，當然，電容電極3〇〇之端面300W，介電質 膜75W及下部電極71W之端面係成爲如作爲載置於同一平 面地來形成之，換言之’有關之圖案化處理係亦可說是電 容電極300及下部電極71與介電質膜75則對於平面來看之 情況具有相同形狀地來進行圖案化之處理。 接著，如圖1 5之工程（5 )所示’適當來說係根據熱氧 -40- (38) 1273529 化工程氧化如前述作爲所形成之電容電極3 00及下部電極 71之表面（參照圖5及圖6)，而更具體來說係例如由氧（02) 濃度作爲2%之環境氣體之縱型熱擴散爐，以850 [°C ]實施5 分鐘之熱氧化即可，而由此，其厚度則如前述，可適當地 將滿足成爲1.5[nm]S DS 30[nm]之條件的氧化膜501進行 成膜，然而，針對在圖15之工程（5)係實施氧化處理之情 況則以箭頭槪念方式表示之。 在此針對在本實施形態特別是如與圖5同趣旨之圖1 6 所示，根據前述之圖案化處理中之蝕刻處理，將有可能殘 存殘渣X於端面300W，或者端面71W附近，然而，針對. 在圖16之殘渣X及後述之殘渣Y係相當誇張所描述，而 當殘留有如此之殘渣X時，在本實施形態之中係特別是 對於從端面300W及71 W集中之情況，而使電容電極300及 下部電極7 1間的耐壓性能下降，造成重疊不良條件之萬一 的情況係也有可能產生短路，另外，如合倂於圖1 6所示， 假設，對於出現前端之尖端殘渣Y例如附著於端面7 1 W 之狀態之情況係因容易產生電場集中於其尖端部份，故此 亦招致儲存電容70之耐壓性能的下降，然而，在本實施形 態之中係在實施圖案化處理之後，如前述實施熱氧化工程 ，並且，針對在此熱氧化工程係如圖1 6所示亦氧化殘渣X 及Y，然後成爲形成氧化膜50 IX及501 Y於其表面之情況 ，隨之，在有關本實施形態之製造方法之中係殘渣X及Y 即使爲成爲其他任何形狀·形態之殘渣，亦可相當降低蒙 受由此之不良情況之可能性。 -41 - 1273529 (39) 另外，關於前述氧濃度.氧化溫度，如作爲滿足以下 條件即可，首先，氧濃度係作爲2[%]以上之環境氣即可， 而由此將可更確實且更迅速地來實施電容電極300及下部 電極71之熱氧化，另一方面，氧化溫度係作爲350[°C]以上 之環境氣即可，而由此將可更確實且更迅速地氧化電容電 極300及下部電極71，然而，在熱氧化工程之中係從環境 氣溫度相當貢獻於氧化膜5 0 1之形成速度之情況，期望盡 可能爲高溫的情況，而從如此之觀點來看，氧化溫度係更 爲理想爲800[°C ]以上，而更適當係如前述作爲85 0 [°C ]程 度即可。 而如此作爲，作爲其構成要素而包含具備氧化膜501 之電容電極300及下部電極71，，而針對在本實施形態， 完成特徵之儲存電容70。 然而，針對在本發明係除了前述之製造方法，例如可 採用如以下之製造方法，即，針對在前述係在實施對於前 驅膜30〇k等之圖案化處理之後，馬上實施熱氧化處理， 但針對在本發明係取代此，例如圖1 5之工程（6)所示，實 施前述圖案化處理來形成儲存電容70，而更加地於形成第 2層間絕緣膜42於該儲存電容70上方之後實施熱氧化工程 也可以，此情況則看成在工程（5)並無實施熱氧化處理而 隨之無描繪針對工程（5)之圖的箭頭構成，此時，作爲該 熱氧化工程的條件係具體來說，例如由氧濃度作爲2%之 環境氣之縱型熱擴散爐來實施95 0 [°C ] 20分鐘的熱氧化即 可，而如根據如此方法，因可合倂實施對於形成後之第2 -42- 1273529 (40) 層間絕源膜4 2之燒成工程與，構成儲存電容7 0之電容電極 300及下部電極71的氧化工程之情況，故比較於個別實施 兩工程之情況，將可謀求製造工程之簡略化乃至製造工程 迅速化，然而，如此，對於合倂實施燒成工程及氧化工程 之情況係理想爲，由適量加上滿足前述氧濃度之氧氣的環 境氣內來實施其處理之情況。 另外，針對在本發明係如更廣泛來說，亦可形成前述 第2層間絕源膜4 2，而並更加第形成資料線6 a，電容配線 用中繼電極6al及第2中繼電極6 a2之後實施熱氧化工程， 但此情況係特別是如前述，由具有構成資料線6a之各層 之中最低熔點的構成（在本實施形態之中係爲[由鋁而成的 層4 1 A]之情況）之該熔點以下之溫度環境，實施熱氧化工 程，而由此將可避免該資料線6a等之融解。 更加地，針對在本發明係最終來說，即使針對在形成 前述資料線6a之後的任何時點，即，形成第3層間絕源膜 於資料線6a上方之後，或者更加在形成電容配線4〇〇於該 弟3層間絕源膜4 3上方之後等等，實施熱氧化工程也可以 ，但針對在此情況係資料線6a，電容配線400及畫素電極 9a等之熔點將成爲問題，而爲了不使這些各要素融解， 當然理想係進行與有關氧化溫度之前述相同之考慮。 [光電裝置之全體構成] 在以下’關於有關前述之光電裝置之實施型態全體構 成，參照圖17及圖18來進行說明，而在此，圖17係爲將 1273529 (41) TFT陣列基板，與形成在其上方之各構成要素同時從對向 基板側來看之光電裝置的平面圖，而圖18係爲圖17之H-H ’剖面圖，在此係以爲光電裝置之一例的驅動電路內藏型 之TFT有源矩陣驅動方式之液晶裝置爲例。 針對圖17及圖18，在有關本實施型態之光電裝置之中 係對向配置TFT陣列基板10與對向基板20，而於TFT陣 列基板10與對向基板20之間封入著液晶層50，並TFT陣 列基板1 〇與對向基板20係由設置在位置於畫像顯示範圍 l〇a之周圍的密封範圍的密封材52，所相互接續。 密封材52係由爲了貼合兩基板之例却紫外線硬化樹脂 ，熱硬化樹脂等而成，並針對在製造處理塗抹於TFT陣 列基板1 〇上之後，由紫外線照射，加熱等而使其硬化之構 成，另外，對於密封材52中係散佈有爲了將TFT陣列基 板10與對向基板之間隔（基板間間隔）作爲規定値之玻璃纖 維或玻璃珠等之間隔材，即，本實施型態之光電裝置係適 合於作爲投射器之燈泡用以小型進行擴大顯示之情況。 並行於配置密封材52之密封範圍之內側，規定畫像顯 示範圍1 〇a之邊緣範圍的遮光性邊緣遮光膜5 3則設置於對 向基板20側，但，如此之邊緣遮光膜53之一部分或全部係 亦可作爲內藏遮光膜來設置於TFT陣列基板10側，而由 此邊緣遮光膜53以外之週邊範圍之中，對於位置在配置密 封材52之密封範圍外側之範圍係特別沿著TFT陣列基板 1 0的一邊，設置有資料線驅動電路1 01及外部電路接續端 子102，另外，掃描線驅動電路104係沿著鄰接於此一邊的 1273529 (42) 2邊，且，被前述邊緣遮光膜53包覆地所設置著，而更加 地，如此爲了連接設置在畫像顯示範圍1 Oa兩側之二個掃 描線驅動電路104間，沿著TFT陣列基板10之剩餘的一邊 ，且被前述邊緣遮光膜53包覆地設置複數之配線105。 另外，對於對向基板20之4個角部係配置有作爲兩基 板間之上下導通端子發揮機能之上下導通材106，而另一 方，對於TFT陣列基板10係針對在對向於這些角之範圍 ，設置有下導通端子，由此，將可在TFT陣列基板10與 對向基板20之間採取電氣之導通。 針對圖18，對於TFT陣列基板10上係於形成畫素切 換用之TFT或掃描線，資料線等之配線之後的畫素電極 9a上，形成配向膜，而另一方，對於對向基板20上係除 了對向電極21之外還形成有格子狀或條紋狀的遮光膜23， 更加地於最上層部分形成配向膜，另外，液晶層5 0係例如 由混合一種或數種類之絲狀液晶之液晶而成，並在這一對 之配向膜得到規定的配向狀態。 然而，對於圖17及圖18所示之TFT陣列基板10上係 加上於這些資料線驅動電路101 ’掃描線驅動電路1〇4等， 亦可形成將畫像信號線上之畫像信號進行取樣，然後供給 至資料線之取樣電路，將規定電壓等級之預通電信號先行 於畫像信號來各供給至複數資料線之預通電電路，爲了檢 查製造中圖或出貨時之該光電裝置之品質，缺陷等之檢查 電路等。 -45- (43) 1273529 (電子機器） 接著，關於作爲將以上詳細說明之光電裝置作爲光閥 來採用之電子機器一例之投射型彩色顯示裝置實施型態， 來就有關其全體構成，特別是光學的構成來進行說明，在 此圖1 9係爲投射型彩色顯示裝置之圖式剖面圖。 針對圖1 9，作爲針對本實施型態之投射型彩色顯示裝 置一例之液晶投射器1 100係準備3個包含搭載驅動電路於 TFT陣列基板之液晶裝置100之液晶膜組，作爲各自RGB 用之光閥l〇〇R，100G，100B來採用之投射器所構成，而 對於這些光閥10 OR，10 0G，10 0B係採用前述之光電裝置（ 參照圖1乃至圖5)，另在液晶投射器1100之中，當從金屬 輝亮燈等之白色光源之光源元件發射投射光時，根據3片 之透鏡1106及2片之分色鏡1108分爲因應RGB3原色之光 成分R，G，B，並各自被引導至因應各色之光閥100R， 100G，100B，此時特別是B光係爲了防止由長光路之光 損失，藉由由入射透鏡1122，中繼透鏡11 23及射出透鏡 11 24而成之中繼透鏡系1121所引導，並且因應根據光閥 l〇〇R，100G及100B，所各自調至之3原色之光成份係由 分色菱鏡111 2再次合成後，藉由投射透鏡1114作爲彩色畫 面投射至銀幕1 120。 本發明係並不限定於上述實施型態之構成，而不脫離 從如申請專利範圍及明細書全體所看到之發明主旨或想法 ’都可作適宜的變更，並伴隨如此之變更的光學裝置及其 製造方法，以及電子機器亦包含在本發明之技術範圍。 -46 - (44) 1273529 【圖式簡單說明】 圖1係針對在形成爲構成光電裝置之畫像顯示範圍之 矩陣狀之複數畫素的各種元件，配線等之等效電路。 圖2係爲形成資料線，掃描線，畫素電極之TFT陣列 基板之相鄰接的複數畫素群平面圖，其中只表示有關下層 部分（至針對圖4之符號70(儲存電容）爲止之下層的部分）之 構成的部分。 圖3係爲形成資料線，掃描線，畫素電極之TFT陣列 基板之相鄰接的複數畫素群平面圖，其中只表示有關下層 部分（超出針對圖4之符號70(儲存電容），下層的部分）之構 成的部分。 圖4係爲重疊圖2及圖3情況之A-A’剖面圖。 圖5係爲爲擴大爲附上圖4之符號C之圓內部分之儲存 電容端部附近來表示的剖面圖。 圖6係爲更加擴大圖5之符號3 00C部分來表示之剖面 圖。 圖7係爲由具備有與無具備有氧化膜之情況來表示儲 存電容的耐壓特性可提升多少的圖表。 圖8係表示氧化膜的厚度對於儲存電容的耐壓性之提 升有多少影響之圖表。 圖9係爲與圖5相同趣旨的圖示，其中表示具有與圖5 不同形態之電容電極（含有鎢化物層）之儲存電容的剖面圖 圖10係爲與圖5相同趣旨的圖示，其中表示具有與圖5 1273529 (45) 不同形態之電容電極（含有鎢化物層及氮化矽層）之儲存電 容的剖面圖。 圖11係爲與圖5相同趣旨的圖示，其中表示具有與圖5 不同形態之下部電極（相對來說面積較當之下部電極）之儲 存電容的剖面圖。 圖12係爲與圖11相同趣旨的圖示，其中表示具有與圖 1 1不同形態之電容電極（含有鎢化物層）之儲存電容的剖面 圖。 圖13係爲與圖11相同趣旨的圖示，其中表示具有與圖 1 1不同形態之.電容電極（含有鎢化物層及氮化矽層）之儲存 電容的剖面圖。 圖1 4係爲針對圖4的觀點依序表示本實施形態之光電 裝置製造工程之製造工程剖面圖（其1)。 圖1 5係爲針對圖4的觀點依序表示本實施形態之光電 裝置製造工程之製造工程剖面圖（其1)。 圖16係爲與圖5相同趣旨的圖示，其中表示根據圖案 化處理而產生之殘渣的說明圖。 圖17係爲將TFT陣列基板與形成再其上方之各構成 要素同時從對向基板側來看之光電裝置的平面圖。 圖18係爲圖〗7之H-H，剖面圖。 Η 1 9係爲表示成爲本發明之電子機器實施形態之投射 Μ彩色顯示裝置之一例的彩色液晶投射器之圖式方式剖面 圖。 -48- (46) 1273529 【主要元件符號說明】 10 : TFT陣列基板 1 1 a :掃描線 6a :資料線 6 a 1 :電容配線 6a2:第2中繼電極 4 〇 〇 :電容配線 30 ： TFT · la :半導體層 9a :畫素電極 7 1 9 :中繼電極 4 1 :第1層間絕緣膜 42 :第2層間絕緣膜 43 :第3層間絕緣膜 44 :第4層間絕緣膜 300，350，360:電容電極 _ 3 00W :端面 3 00C :邊緣部 3 5 1，3 6 1 :導電性聚矽膜 3 52，3 62 ： Wsi 膜 3 63 :氮化矽膜 75 :介電質膜 7 1，7 1 1 :下部電極 7 1 W :端面 -49- (47) 1273529 7 1 C :邊緣部 70 :儲存電容 501，502，503，501X，501Y ：氧化膜 D及De:氧化膜的厚度 X，Y :殘渣 3 00K ：電容電極的前驅膜 75K :介電質膜的前驅膜 71K:下部電極的前驅膜

-50-

Claims (1)

1. θ 條復)正替換il 1273529 (1) 十、申請專利範圍 第9 3 1 2 2 7 2 8號專利申請案 中文申請專利範圍修正本 民國9 5年5月 4日修正 1·一種光電裝置，其特徵乃具備 延伸設於基板上之資料線，

   和包含電性連接於前述資料線之半導體層的 的薄膜電晶體， 和對應於前述薄膜電晶體設置之畫素電極， 和由電氣連接於前述薄膜電晶體及前述畫素電極的第 1電極、對向配置於該第1電極之第2電極、及配置於前述 第1電極及前述第2電極間的介電質膜所成保持電容； 於前述第1電極及前述第2電極之至少邊緣部，形成氧 化膜，

   於形成前述氧化膜之前述第1電極及前述第2電極間， 形成前述介電質膜。 2·如申請專利範圍第1項之光電裝置，其中，前述氧 化膜乃形成於面向前述第1電極及前述第2電極之至少一 $ 之前述介電質側的表面。 3 ·如申請專利範圍第2項之光電裝置，其中，前述氧 化膜乃形成於前述第2電極之所有表面。 4·如申請專利範圍第3項之光電裝置，其中，前述氧 化膜乃形成於前述第1電極之所有表面。 5·如申請專利範圍第1項之光電裝置，其中，前述氧 ^月/曰修(更)正替換頁 1273529 (2) 化膜之厚度爲1.5[nm]以上、30[nm]以下。 6·如申請專利範圍第1項之光電裝置，其中，前述介 電質膜乃包含氮化矽膜。 7·如申請專利範圍第1項之光電裝置，其中，前述第1 電極乃至少被覆構成前述薄膜電晶體之半導體層之通道範 圍地加以配置的同時，由遮光性材料所成者。 8·如申請專利範圍第1項之光電裝置，其中，前述第2 電極乃成爲固定電位。

   9· 一種光電裝置之製造方法，其特徵乃具備 於基板上延伸設置資料線之工程， 和形成包含電性連接於於前述資料線之 之半導體層的薄膜電晶體之工程， 和成膜電氣連接於前述薄膜電晶體及前述畫素電極的 第1電極之前驅膜之工程，

   和於該第1電極上，成膜介電質膜之前驅膜之工程， 和於該介電質膜上，成膜第2電極之前驅膜之工程， 和經由對於前述第1電極、前述介電質膜及前述第2電 極之各前驅膜進行圖案化，形成前述第1電極、前述介電 質膜及前述第2電極，進而形成保持電容之工程， 和形成前述第1電極及前述第2電極之至少一方之表面 部分被氧化之氧化膜的氧化工程； 前述第1電極、前述介電質膜及前述第2電極之端面乃 各別整飭地加以形成’ 於前述第1電極及前述第2電極之至少邊緣部，形成氧 化膜， -2- 1273529 ~~—_ (3) W军Γ月芦日修(更)正替換頁 於形成化氧化膜之前述第1電極及前述第2電極間，形 成前述介電質膜。 10.如申請專利範圍第9項之光電裝置之製造方法，其 中，形成前述氧化膜之工程乃包含熱氧化工程。 1 1 .如申請專利範圍第1 〇項之光電裝置之製造方法， 其中，前述熱氧化工程乃使前述氧化膜之厚度成爲 1.5[nm]以上、30[nm]]以下而進行。

   12·如申請專利範圍第10項之光電裝置之製造方法， 其中，前述熱氧化工程乃於350 [°C ]以上之氣氛下進行。 13·如申請專利範圍第10項之光電裝置之製造方法， 其中，前述熱氧化工程乃於氧濃度2 [ % ]以上之氣氛下進 行。 I4·如申請專利範圍第1〇項之光電裝置之製造方法， 其中，更具備於前述保持電容上，形成層間絕緣膜之工程 ，前述熱氧化工程乃於形成前述層間絕緣膜工程後加以進 行。

   15.如申請專利範圍第14項之光電裝置之製造方法， 其中，更具備於前述層間絕緣膜上，形成前述資料線之工 程，前述熱氧化工程乃於構成前述資料線之材料之融點以 下之溫度之氣氛下進行。 16·如申請專利範圍第9項之光電裝置之製造方法，其 中，形成前述保持電容之工程乃包含將所有前述第i電極 、前述介電質膜及前述第2電極，一齊圖案化之工程。 17·—種電子機器，具備如申請專利範圍第i至第8項 之任一項之光電裝置。 -3 - 1273529 七 明 說 單 圖簡 \JX 5^ :表 為代 圖件 表元 代之 定圖 指表 :案代 圖本本 代 定一二 匕日 膜 緣 絕 間 層15ΪΪ 1部端 第下： ::W 極 電面 71C :邊緣部 75 :介電質膜 3 〇〇 :電容電極 300C :邊緣部 3 00W :端面 5 0 1 :氧化膜 八、本案若有化學式時，請揭示最能顯示發明特徵的化學 式：