TWI260312B - Method for forming ceramic microstructures on a substrate using a mold and articles formed by the method - Google Patents

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TWI260312B
TWI260312B TW091121595A TW91121595A TWI260312B TW I260312 B TWI260312 B TW I260312B TW 091121595 A TW091121595 A TW 091121595A TW 91121595 A TW91121595 A TW 91121595A TW I260312 B TWI260312 B TW I260312B
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Description

1260312 A7 B7
1260312 五、發明説明（2 ) 致燃燒將玻璃顆粒在基材上熔融於定位。然而，在諸如PDP 基材之應用中，須要具極少或沒有瑕疲或破裂之高度精密 及均勻的障壁肋條。此尤其在將模型自原始狀態障壁移除 之過程中及在燃燒原始狀態障壁肋條之過程中會造成困 難。 移除模型會由於脫模的困難而損壞障壁。由於障壁肋條 在燃燒過程中有收縮的傾向，因而原始狀態障壁肋條一般 較熔融障壁的期望尺寸高。較高的結構會使得脫模更加困 難。移除模型亦會損壞模型。當無法將材料自模型完全移 除時’典型上將模型丟棄。此外，在燃燒所需之溫度下， 障壁肋條會破裂，自基材脫層，或彎曲。基材在燃燒過程 中亦會經歷因熱膨脹及内部應力之釋放所致的尺寸變化。 亦可將微結構，諸如障壁肋條，使用於其他的應用中。 發明概要 一般而言，本發明係關於具有設置於基材上之微結構的 物件及裝置，及此等物件及裝置之製造方法。pDp及其他顯 不器裝置係此種物件及裝置之例子。一具體實施例係微結 構化的組合。此微結構具有交替的障壁部分及地面部分， 其分別具有障壁表面及地面表面。各障壁表面及地面表面 係由曲面（其係曲線部分的部分）相連。曲面及地面表面實 質上為連續。 本發明之另一具體實施例係微結構化的組合。此組合包 括於具有可編址電極之圖案之玻璃基材上模塑及硬化的陶 瓷微結構。此微結構具有交替的障壁部分及地面部分，其 本紙張尺度適用中關家襟靴㈣趟故 -5- 1260312 A7 --------------51 五、發明説明（3 ) 刀別具有障壁表面及地面表面。各障壁表面及地面表面係 由曲面（其係曲線部分的部分）相連。曲面及地面表面實質 上為連續。微結構之地面部分亦與玻璃基材之電極的圖案 對準。 本發明之另一具體實施例係微結構化的組合。此組合包 括於基材上模塑及硬化的微結構。此微結構包括交替的障 壁部分及地面部分。障壁部分於其頂部之寬度不多於75微 米。 本發明之另一具體實施例係微結構化的組合。此組合包 括於基材上模塑及硬化的微結構。此微結構具有交替的障 壁部分及地面部分，其分別具有障壁表面及地面表面。障 壁部分亦具有階梯形狀的末端。 本發明之另一具體實施例係微結構化組合之製造方法。 將一可固化材料設置於圖案化基材上。一模型將材料成形 成具有交替障壁部分及地面部分（其分別具有障壁表面及 地面表面）之微結構。各障壁表面及地面表面係由曲面（其 係曲線部分的部分）相連。曲面及地面表面實質上為連續。 將模型移除。視需要將材料固化或處理，以使微結構硬化 。視需要將模型拉伸，以使微結構與圖案化基材對準。 本發明之另一具體實施例係微結構化組合之製造方法。 將包含陶瓷粉末及可固化易變黏合劑之料漿設置於經電極 圖案化之玻璃基材上。利用模型將料漿成形成具有交替障 壁部分及地面部分（其分別具有障壁表面及地面表面）之微 結構。各障壁表面及地面表面係由曲面（其係曲線部分的部 -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1260312 A7 B7 五、發明説明（4 ) 分）相連。曲面及地面表面實質上為連續。使黏合劑固化， 以使料漿硬化，及使料漿黏著至基材。將模型移除，而於 基材上留下複製模型之圖案的原始狀態微結構。將原始狀 態微結構脫黏及燃燒，以燒盡黏合劑及燒結陶瓷粉末，而 形成陶瓷微結構。 另一具體實施例係將微結構之障壁末端成形之方法。將 重物外加至原始狀態微結構之障壁末端。重物之一部分 的底部與障壁末端之頂部角落接觸。將微結構燃燒，及將 重物移除。 圖式簡單說明 結合附圖考慮以下之本發明之各種具體實施例之詳述將 可更完整明瞭本發明，其中： 圖1係電漿顯示器面板組合之立體概略圖式； 圖2係於圖案化基材上模塑及對準之微結構的橫向橫剖 面概略圖式； 圖3係將模型自原始狀態微結構移除之方法的概略圖式； 圖4係於圖案化基材上之微結構的橫向橫剖面概略圖式 ，其顯示自原始狀態收縮的圖案； 圖5係陶瓷微結構障壁部分之末端的橫向橫剖面概略圖 式’其顯示自原始狀態收縮的圖案； 圖6係於基材上之具有曲率之微結構之第一具體實施例 的橫向橫剖面概略圖式； 圖7係於基材上之具有曲率之微結構之第二具體實施例 的橫向橫剖面概略圖式； 本紙張尺度適财國S家鮮(CNS) A4規格(2ΐ〇χϋ^7 1260312
圖8係於基材上之具有曲率之微結構之第三具體實施例 的橫向橫剖面概略圖式； 圖9係具有降低障壁部分寬度之微結構之一具體實施例 的橫向橫剖面概略圖式； 圖10係具有階梯末端之微結構障壁部分之第一具體實施 例的橫向橫剖面概略圖式；
圖π係具有階梯末端之微結構障壁部分之第二具體實施 例的橫向橫剖面概略圖式； 圖12係具有錐形末端之微結構障壁部分之橫向橫剖面概 略圖式； 圖13係具有重物之微結構障壁部分之橫向橫剖面概略圖 式；及 圖14係微結構之一部分表面之概略圖式的橫剖面圖。 訂
線 雖然本發明可有各種修改及替代形式，但於圖式中舉例 顯示其之明確細節，且將作詳細說明。然而，應明瞭其並 非要將本發明限制至所說明的特殊具體實施例。相對地， 其係要涵蓋在本發明之精神及範圍内的所有修改、相等物 、及替代物。 詳述 先前已有人說明可將微結構於圖案化基材上準確模塑及 成形之方法。舉例來說，PCT專利公告第WO/0038829號及美 國專利申請案第09/219, 803號說明將陶瓷障壁微結構於電 極圖案化基材上模塑及對準。PCT專利公告第WO/0038829 號及美國專利申請案第09/219, 803號說明尤其有用於電子 -8- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 1260312
顯不器，諸如PDP及PALC顯示器之陶瓷障壁微結構（其中像 元係經由在相對基材之間之電漿產生而編址或照明）的成 形方法。於同曰提出申請之美國專利申請案，標題為「利 用模型於基材上成形微結構之方法（METfl〇D F〇R f〇rming MICROSTRUCTURES ON A SUBSTRATE USING A MOLD)」，案 號56390US002，說明利用模型於基材上製造陶竞微結構之 方法。 如圖1所說明，此種電漿顯示器具有各種基材元件。方向 遠離觀看者之背侧基材元件具有背侧基材21，其具有可獨 立編址的平行電極23。背侧基材21可由各種組合物，例如 ，玻璃、陶瓷、金屬 '或塑膠形成。陶瓷微結構25包括設 置於背側電極23之間的障壁部分32及其中沈積紅色（R)、綠 色（G)、及藍色（B)鱗光質之個別區域。前側基材元件包括 玻璃基材51及一組可獨立編址的平行電極53。前側電極53 (亦稱為維持電極）係垂直於背侧電極23(亦稱為編址電極） 定向。在一完成的顯示器中，將在前側及背侧基材元件之 間的區域填充惰性氣體。為點亮像元，在相交的維持5 3及 編址電極23之間施加足夠強度的電場，以使其間的惰性氣 體原子激發。激發惰性氣體原子發射uv(紫外）輻射，其導 致燐光質發射红色、綠色、或藍色可見光。 背侧基材21係透明玻璃基材較佳。典型上，背侧基材21 係由視需要可實質上不含鹼金屬之鹼石灰玻璃製成。在加 工過程中達到之溫度會造成在基材中在鹼金屬之存在下之 電極材料的遷移。此遷移會於電極之間產生導電性路徑， -9- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 1260312 A7 B7
因而使相鄰的電極短路，或在電極之間造成稱為Γ串音」 之不期望的電干擾。背側基材21應可承受燒結或燃燒陶竟 障壁材料所需之溫度。燃燒溫度可自約4〇〇 °c至1600 °C寬廣 地變化，但製造於鹼石灰玻璃基材上之PDP的典型燃燒溫度 係視料漿中之陶瓷粉末的軟化溫度而自約4〇〇°c至約6〇〇 。刖側基材51係一透明玻璃基材，其以具有與背側基材21 相同或大約相同的熱膨脹係數較佳。
訂
線 電極係導電性材料之長條。典型上，電極為含銅、鋁、 或銀的導電性玻料。電極亦可由透明導電性氧化物材料， 諸如銦錫氧化物製成，尤其係在希望具有透明顯示器面板 的情況中。電極係於背側基材21之上或之中圖案化。舉例 來說’可將電極形成為隔開約120微米至360微米，寬度約 50微米至75微米，厚度約2微米至15微米，及長度跨越整個 有效顯示器面積（其可自數公分至數十公分）的平行長條。 在一些情況中，背側電極23之寬度可視微結構25之構造而 ’例如，較50微米窄或較75微米寬。舉例來說，在高鮮明 度的電漿顯示器面板中，電極之寬度低於5〇微米較佳。 用於形成微結構25之材料典型上包括可經由燃燒而溶融 或燒結形成硬質、實質上密實之介電結構的陶瓷顆粒。微 結構25之陶瓷材料係不含鹼金屬較佳，且可包括玻璃及其 他的非結晶氧化物。於玻璃玻料或陶瓷粉末中存在鹼金屬 會導致導電性材料之不期望的自電極遷移於基材上。形成 障壁之陶瓷材料具有較基材之軟化溫度低的軟化溫度。軟 化溫度係玻璃或陶瓷材料可熔融成具有極少或沒有表面相 -10-
1260312 A7 _ B7 五、發明説明（8 ) ^ ~~ 連孔隙度之相當密實結構的最低溫度。料漿之陶瓷材料的 軟化溫度係不多於約60(rC較佳，不多於約56〇它更佳及 不多於約500C最佳。微結構25之材料具有在玻璃基材之膨 脹係數之ίο%内的熱膨脹係數較佳。微結構25與背側基材21 之膨脹係數的密切配合使在加工過程中損壞微結構25的機 會降低。此外，熱膨脹係數的差異會造成顯著的基材彎曲 或斷裂。 PDP中之障壁部分32可具有，例如，約微米至約 微米之南度及約20微米至約80微米之寬度。障壁之節距 (單位橫向橫剖面單位長度之障壁數）以與電極之節距相符 較佳。 PCT專利公告第ffo/0038829號，美國專利申請案第 09/219, 803號，及於同日提出申請之美國專利申請案，標 題為「利用模型於基材上成形微結構之方法」，案號 56390US002，說明於圖案化基材上成形及對準微結構之^ 法 種方法係經由將包含可固化材料之混合物置於圖案 化基材與模型之圖案化表面之間而進行。圖2說明模型3〇 ，形成微結構25之可固化材料，及具有背侧電極23之背側 基材21的橫向橫剖面。模型30之圖案化表面可由在模型3〇 與背側基材21之間之可固化材料形成複數個微結構25。視 需要可將模型30拉伸，以使模型30之圖案化表面的預定部 分與圖案化背侧基材21之相對的預定部分對準，如由背側 電極23之間隔所定義。 用於在圖案化背側基材21上形成微結構25之材料可以各 -11 -
1260312 A7 「 —__B7 五、發明説明（9 ) 種方式置於模型30與背側基材21之間。可將材料直接置於 模型30之圖案中’隨後再將模型30及材料置 上;可將材料置於背侧基材21上，隨後再;模== 背側基材21上之材料上；可將材料置於背侧基材以上，然 後再與模型30接觸；或可當利用機械或其他方式使模型3〇 及背側基材21靠在一起時，將材料引入至模型3〇與背側基 材21之間的間隙中。用於將材料置於模型3〇與背側基材21 之間的方法尤其係視待形成於背側基材21上之微結構25的 長徑比（aspect ratio)、微結構形成材料之黏度、及模型 30之剛性而定。一般而言，具有高度相對於其寬度而言大 的微結構2 5 (咼長徑比的結構）係利用具有相當深之刻紋的 模型30。在此等情況，視材料之黏度而定，除非利用一些 力將材料注入至模型30之刻紋中，否則可能很難將模型3〇 之刻紋完全填充。將模型30之刻紋完全填充，同時使氣泡 或二氣囊之引入於材料中減至最小較佳。 當將可固化材料置於模型30與背側基材21之間時，可於 貪侧基材21與模型3 0之間施加壓力，以設定地面部分3 4之 厚度，如同圖2。地面部分34大致係在障壁部分32之間之微 結構25的部分，且其部分環繞背側電極23或係設置於背側 電極23上方。如須要零厚度的地面部分34，則可將模型3〇 填充材料，然後再在與背側基材21接觸之前使用刀片或刮 墨刀將任何過剩的材料自模型3〇移除較佳。對於其他的應 用，可能希望具有非零厚度的地面部分34。在PDP的情況中 ’形成微結構25之材料一般為介電質，且地面部分34之厚 -12- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇 X 297公釐） 1260312 A7 _____ B7 I、發明説明（10~~" 度決定設置於背侧電極23上之介電材料的厚度。因此，對 於PDP，地面部分34之厚度對於決定要在背側電極23與維持 電極53之間施加何種電壓，以產生電漿及使圖像元件活化 可能相當重要。 於模型30之圖案與基材之圖案對準之後，使模型3〇與背 侧基材21之間之材料固化，而形成黏著至背侧基材2丨之表 面的原始狀態微結構45。可將在脫黏之前的微結構稱為原 始狀態微結構。材料之固化可視所使用之黏合劑樹脂而以 各種方式進行。舉例來說，材料可使用可見光、紫外光、 電子束輻射、其他形式之輻射、熱固化、或自熔融態冷卻 至固化狀態而固化。當利用輻射固化時，輻射可行進通過 背側基材21，通過模型30，或通過背侧基材21及模型30。 所選擇之固化系統可促進固化材料之黏著至背側基材21較 佳。因此，在使用在硬化及輻射固化過程中有收縮傾向之 材料的情況中，材料係經由透過背側基材21輻照而固化較 佳。如材料僅透過模型30而固化，則材料會在固化過程中 經由收縮自背側基材21拉離，因而不利地影響對背侧基材 21之黏著。在本申請案中，可固化係指可如前所述而固化 之材料。 於使材料固化形成黏著至背侧基材21表面及與背側基材 21之圖案對準的原始狀態微結構45之後，可將模型3〇移除 。提供可拉伸的軟質模型30由於可將模型30向後剝離，以 致脫模力可集中於較小的表面積上，而可促進模型30的移 除。如圖3所示，當將具有障壁部分32之原始狀態微結構45 -13- 本紙張尺度適用中國國豕標準(CNS) A4規格(210 X 297公爱） 1260312 A7 Γ________Β7 五、發明説明（彳1 ) 模塑時，經由沿與障壁部分32及模型3〇之圖案平行之方向 向後剝離，而將模型30移除較佳。此可降低在模型移除過 程中垂直施加於障壁部分32之壓力，因而減低損壞障壁部 分32的可能性。將脫模劑包含作為在模型3〇之圖案化表面 上的塗層’或包含在用於形成微結構25本身的材料中較佳 。當形成較高長徑比的結構時，脫模劑材料會變得更為重 要。較高長徑比的結構會使得脫模更為困難，且會導致對 微結構25的損壞。如以上所論述，自背側基材21側固化材 料不僅有助於改良硬化原始狀態微結構45對背側基材21之 黏著’並且可使原始狀態微結構45在固化過程中朝背侧基 材21收縮，因而自模型30拉離而可較容易地脫模。 於將模型30移除後，留下其上黏著與背側基材21之圖案 對準之複數個硬化原始狀態微結構45的圖案化背側基材21 。此可視應用而為完成產品。在其他的應用中，硬化材料 包含黏合劑，其以經由在高溫下脫黏而移除較佳。於將黏 合劑脫黏或燒盡之後，進行原始狀態微結構之燃燒，以使 玻璃顆粒熔融或使陶瓷顆粒燒結於微結構材料中。此可提 高微結構25之強度及剛性。在燃燒過程中當微結構25密實 化時，亦會發生收縮。圖4說明於在具有圖案化背側電極23 之背側基材21上燃燒後之陶瓷微結構25。燃燒使微結構25 密實化，以致其之側面如圖所示自原始狀態微結構45之側 面稍微收縮。如圖所示，經燃燒之微結構25維持其之位置 及其之根據背侧基材21圖案的節距。 對於PDP顯示器的應用，將燐光質材料塗布至微結構25 -14- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X 297公釐）
訂
k 1260312 A7 ^________B7 五、發明説明（12 ) 一 --— ^通道^然後可將具有經燃燒微結構巧之背側基材21裝 &至顯tf H組合中。此可包括將具有維持電極Η之前側基 材51與具有背側電極23、微結構25、及燐光質之背側基材 21對準，以致維持電極53與背側電極23垂直，如圖1所示。 相對電極相交通過的區域界定顯示器之像元。然後當將基 材黏合在一起並於其之邊緣密封時，將基材之間的空間抽 真空，並填充惰性氣體。 微結構25之地面部分34的厚度侧面，包括介電質厚度， 可為電漿顯不器面板的一重要態樣。地面部分34之厚度會 p響電漿顯不器面板的電性能。可將微結構25模塑，或以 其他方式成形，以產生地面部分34之厚度側面。可將厚度 側面設計成提供在地面部分34之寬度上為定值的厚度。在 其他情況中，可將地面部分34之厚度側面設計成提供可在 地面部分34之寬度上變化的厚度。可變化的厚度側面可與 PDP的其他態樣，例如，背侧電極23之設置及尺寸或障壁部 分32之構造相容。然而，在加工過程中，微結構託之材料 會發生對PDP之電性能具有不利影響的改變。 在個別地面部分34之間的實質差異，例如，地面部分34 之不同厚度或不同厚度側面，會導致不期望的光發射圖案 (例如，燐光質之不均等的發射）。此可為，例如，個別像 元在電漿顯示器面板之操作過程中因在個別地面部分之間 之實質差異所致之交換電壓之實質差異的結果。此等不期 望的光發射圖案可由像元對像元亮度之變化或點亮一些像 元的困難所表現。 -15- 本紙張尺度“中國國家標準(CNS) A4規格(21G X 297公爱)
1260312 A7 B7 五、發明説明（13
電性能亦會因於製造步驟後（諸如固化或熱加工步驟）引 入至微結構25中之瑕疵而受損。微結構25會因諸如，比方 說’破裂、裂開、斷裂、不均等收縮、分裂、及膨脹之瑕 疮而受損。如圖4所說明，微結構25中之破裂33或其他瑕疵 會使背側電極2 3、背侧基材21、或兩者之部分暴露。此等 瑕疵亦會經由在電漿顯示器面板之操作過程中於交換電壓 產生實質的差異，而造成電漿顯示器之不期望的電性能。 此外’破裂會捕捉氣體物種，其在操作過程中會隨時間經 過而擴散至相鄰的晶格内。此會使電漿顯示器面板在使用 過程中之性能退化，及最終會縮短其之壽命。 訂
線 除了需要較少步驟於成形之外，經模塑成具有均句地面 部分34及障壁部分32之微結構可具有期望的物性。地面部 分34之存在可使模塑微結構25具有整體的結構安定性。然 而，在脫黏及燒結過程中引入於地面部分34中或其附近之 破裂會潛在地對障壁部分32之附著至背侧基材21產生危 害。 在燃燒過程中當微結構25密實化時會發生收縮。圖4說明 於燃燒後在背側基材21上之微結構25的橫向橫剖面圖，及 圖5說明於燃燒後在背側基材21上之微結構25之末端的橫 向橫剖面圖。燃燒使微結構2 5密實化，以致其之侧面如圖 所示自其之原始狀態側面45務微收縮。如圖所示，大部分 的經燃燒微結構25大致維持其之根據原始狀態微結構45之 形狀的相對形狀。圖4亦說明經燃燒微結構25大致維持其之 相對於背侧基材21及於背側基材21上圖案化之背側電極23 -16- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 1260312 A7 _________ B7 五、發明説明（Μ ) 的位置及節距。然而，微結構25於燃燒過程中之收縮會造 成經燃燒材料中的增加應力。此應力於燃燒或冷卻過程中 釋放’且會於微結構25中產生裂紋或破裂。 破裂33至少部分可歸因於在熱加工前之原始狀態微結構 45的形狀。經模塑形成與圖4所說明者類似形狀之原始狀態 微結構45於燃燒之後尤其可能產生破裂33。當原始狀態微 結構45之橫向橫剖面側面包含靠近地面部分34的表面不連 續43時尤係如此。如圖4所說明，微結構25包括具有表面61 之通道16’表面61包括障壁表面52及地面表面54 ^表面不 連續43係表面61之兩部分相會的點（如圖4所說明，其係障 壁表面52與地面表面54相會之點），且其有斜率的實質不連 續’例如，障壁表面52之斜率相對於地面表面54之斜率的 實質不連續。 圖6顯示另一例子，其說明具有曲線部分36之微結構25 。在此例子中，當地面表面54之斜率實質上不同於在點43 之曲面56之斜率時，在曲面56與地面表面54之間的表面61 上會存在於該點43處的表面不連續。可將表面不連續視為 表面61之平滑的斷裂。表面不連續亦可存在於，例如，曲 面56與障壁表面52相會之點，然而，在鄰近地面部分34之 表面不連續處或其附近典型上會發生破裂。 如圖14所說明，如當自一方向接近時於該點43之斜率ι〇2 與當由相反方向接近時於該點43之斜率104之間有實質的 差異，則將表面61視為於點43不連續。換言之，如圖14所 說明，如經由自沿表面61之兩方向接近點所得之瞬間線性 -17- 1260312 A7 — __ ________________ Β7 五、發明説明ΰ ~一· 斜率102、104當線性延伸時之角度ι〇6差不多於約5度，及 以不多於約3度較佳時，則此處所使用之表面61在點1〇〇為 連續。 關於微結構困難的另一來源，在微結構之燃燒過程中發 生的收縮會影響障壁部分之末端。如圖5所說明，橫向橫剖 面顯不於熱加工後出現於微結構25之障壁部分末端29的變 形（例如，變形37)。燃燒使微結構25密實化，以致其之側 面如圖所不自其之原始狀態側面45收縮。在至少一些情況 中’此收縮於燃燒後係自3〇%至4〇%。 如圖所不，在障壁部分32之大部分長度上之障壁部分的 頂部48維持相當平坦的表面。然而，障壁部分末端29一般 不會與其餘的障壁部分32均句地收縮，且典型上會發生障 壁部分末端29的輕微捲曲，而產生變形37。此變形37會於 電漿顯不器面板或其他裝置之組合及功能中產生多種問題 。首先，在顯示器之密封及操縱中，機械力會使變形37斷 裂。斷裂的末端片會對PDP的功能及壽命有害。其次，如變 f 37於顯示器中保持完整，則變形37將提供使前側基材51 提升的區域。前側基材51將不會沿障壁部分32之長度與障 壁部分之頂部48齊平，且會於障壁部分之頂部48與前側基 材51之表面之間產生間隙。此會導致於相鄰晶格中之激發 亂體物種之間的串音以及在操作過程中於交換電壓中之大 的差異。 已發展出加入新穎形狀的微結構。若須要，可使用本發 月於克服材料之熱加工所面臨之一或多種問題，例如，該 -18 - 本紙張尺度適财國國家鮮(CNS) A4規格(21GX挪公董) ---------— 1260312 A7 I---—-----—__^____ 五、發明説明（16 ) 材料之破裂及變形。此尤其可有用於製備包括地面部分及 障壁部分之微結構。在一具體實施例中，將微結構設置為 具有與地面部分之地面表面連續之曲線部分的曲面。在另 一具體實施例中，將微結構設置為具有薄障壁寬度側面。 在此等具體實施例中，微結構之形狀或尺寸典型上提供增 加的耐破裂性。在本發明之另一具體實施例中，微結構包 括具有成形末端，尤其係階梯形末端的障壁部分。在又另 一具體實施例中，提供一種經由將障壁部分之末端加重而 將微結構之障壁末端成形的方法。此外，可將微結構模塑 及成形之技術亦係本發明之具體實施例。 微結構25之形狀係利用經大致製造成為形成於背侧基材 21上之原始狀態微結構之相反影像的圖案化模型3 0形成。 微結構25大致係經由將材料置於背側基材21與模型之圖 案化表面之間而形成。在一具體實施例中，如圖6所說明， 圖案化模型30將材料成形成複數個重複的微結構單元15, 各重複的微結構單元15具有三主要部分：障壁部分32、地 面部分34、及曲線部分36。重複的微結構單元15於材料中 形成複數個通道16,通道16具有表面61，其之一部分為彎 曲’且係由障壁部分32、地面部分24、及曲線部分36之形 狀所界定。通道16之表面61可包括相對於各別部分之表面 的障壁表面52、地面表面54、及曲面56。 若須要，可將微結構25成形，以降低如圖4所說明，將會 於靠近障壁部分32與地面部分34相會之微結構25之區域產 I 生破裂⑽的機率。在一具體實施例中，其之一例子說明於 -19· 本紙張尺度適用中S國家標準(CNS) A4規格(21GX297公爱） '一 1260312 A7 ---— _B7 五、發明説明（17 ) 圖6,提供自曲線部分36至地面部分24之實質上連續的表面 61°此處所論述之本發明說明包括具有與地面表面54連續 之曲面56之曲線部分36之微結構25，及製造微結構25的技 術。以下說明描述微結構25之整體形狀，包括表面61之參 數的例子。 對於典型的電漿顯示器面板（圖丨），圖案化模型3〇可於背 侧基材21之表面上形成1〇〇〇至5〇〇〇個以上的重複微結構單 元15。背側基材21之表面典型上經平行的編址電極23圖案 化’及當形成微結構25時，使微結構25與背側電極23對準 。典型上’地面部分34係與背侧電極23對準。 障壁部分32形成實質容納電漿顯示器面板之惰性氣體的 障壁結構。雖然障壁部分32之材料在物理上係與地面部分 34及曲線部分36之材料連續，但可經由界定障壁部分μ之 人工邊界而方便地說明本發明的細節。障壁部分32之各側 以障壁線42為界。障壁線42自障壁部分頂部48延伸至在微 結構/基材界面41上之點。障壁線42係順著靠近障壁部分頂 部48之障壁部分32之垂直表面的斜率。由障壁線42及微結 構/基材界面41形成障壁線角49。障壁線角49一般係在130。 至90。之範圍内，典型上係在丨丨5。至9〇。之範圍内，且可在95。 至90°之範圍内。 電漿顯示器面板之一例子包括具有在8〇至2〇〇微米之範 圍内或在100至170微米之範圍内之自微結構/基材界面ο 測量至障壁部分頂部48之高度（hBP)的障壁部分32。在障壁 部分頂部48，障壁部分32之寬度典型上係，例如，在2〇至 -20- 本紙張尺度適用中國國家標準…^^) A4規格(210X297公釐) 1260312 A7 B7 五、發明説明（18 80微米之範圍内。在微結構/基材界面41，障壁部分32之寬 度典型上係，例如，在20至120微米之範圍内。 在一些情況中，地面部分34可形成包圍在背侧基材21之 表面上之背側電極23之頂部及側面的介電層。舉例來說， 當將背側電極23形成於背側基材21之表面上（例如，在微結 構/基材界面41上方）時，微結構25之材料係與背侧電極23 之頂部及側面接觸。在其他情況中，可將背侧電極23形成 於背側基材21中，以致微結構25之材料僅與背側電極23之 頂部接觸，或完全不與背侧電極23接觸。 地面部分34之材料係與障壁部分32及曲線部分36之材料 相連。地面部分34之各侧係以相鄰障壁部分32之障壁線42 為界；因此，障壁線42可界定地面部分34之寬度。地面部 分34之底部係以微結構/基材界面41為界，及地面部分％ 之頂部係以地面線4 4 (其係沿地面表面5 4延伸的水平線）為 界。當表面61自地面部分34彎開時，地面線44偏離地面表 面54 〇 在電漿顯示器面板之一例子中，地面部分具有在8至25 微米範圍内之自微結構/基材界面41測量至地面表面μ之 厚度。以在相鄰障壁部分3 2之障壁線4 2之間的距離測量， 地面部分之寬度，例如，係在1〇〇至4〇〇微米之範圍内。由 於地面部分3 4之一部分的材料形成在背側電極2 3上方的介 電層，因而在一些情況中，希望使此層之厚度於背側電極 23之至少一部分的寬度上方維持定值。舉例來說，厚度係 固定超過電極之至少75%、85%、95%、或以於1〇〇%較佳。 -21 - 1260312 A7 B7 五、發明説明（19 在本發明之一具體實施例中，如圖6所說明，表面61係自 曲面56至地面表面54實質上為連續。表面61視需要可包括 在曲面56與障壁表面52之間的表面不連續。因此，曲面56 可不與障壁表面52連續。可經由將曲面56定義為起自障壁 表面52及終止於地面表面54，而方便地說明此具體實施例 之細節。在一具體實施例中，曲面56以起自於較障壁部分 頂部48更靠近微結構/基材界面41之障壁線42較佳。曲面56 以終止於較背側電極23更靠近障壁線42之地面線44較佳。 在另一具體實施例中，如圖7所示，表面61可於障壁表面 52與地面表面54之間實質上為連續。沿表面61之連續性並 未於通道16内提供表面不連續。在一具體實施例中，曲面 56以起自於較障壁部分頂部48更靠近微結構/基材界面“ 之障壁線42較佳。在一具體實施例中，曲面56以終止於較 背側電極23更靠近障壁線42之在地面線44上之點較佳。 在本發明之另一具體實施例中，如圖8所說明，曲面56 係起自於障壁頂部角落63及水平終止於地面表面54 ^由於 曲面56係起自於障壁頂部角落63，因而障壁部分32之側面 一般具有曲率。在一具體實施例中，曲面56以終止於較背 側電極23更靠近障壁線42之侧面之在地面線44上之點較 佳。 在一些情況中，可有用地以曲率半徑R定義表面“或曲面 56。曲率半徑R及曲率κ係彼此成反比，且可以下式表示： R= 1 /κ s曲率半径R增加時，曲率κ減小。曲面之曲率半徑r可相對
裝 訂
-22-
1260312 A7 _____ B7 I、發明説明（20~~~^ 於微結構25之其他尺寸，例如，障壁部分高度^?、障壁部 分寬度wBP、或地面部分厚度hLp作描述。 在本發明之一具體實施例中，微結構25之曲面56具有單 一的曲率半徑。此表示曲率κ不會在沿曲面56的任何點上改 變。曲面56之形狀可與圓弧之形狀相同，其中圓之半徑即 等於曲面56之曲率半徑R。曲率半可基於微結構25之其 他尺寸作選擇。舉例來說，曲率半徑R可為障壁部分高度hBp 之刀數。在其中之微結構25具有曲面56，且曲面5 6係由單 一曲率半徑R所定義之本發明的一有用具體實施例中，曲率 半徑R係在障壁部分高度hBP之5%至80%的範圍内，在障壁部 分高度hBP之10%至50%的範圍内，或在障壁部分高度hBp之 12%至25%的範圍内。 在本發明之另一具體實施例中，曲面56係由多於一個曲 率半徑所定義。在此具體實施例之一例子中，如圖6所說明 ，兩曲率半徑R1及R2分別定義地面表面54與曲面56相會及 曲面56與障壁表面52相會處的曲面56。可使用多於兩個曲 率半技。在一些具體實施例中，包括多於一個曲率半徑之 曲面56實質上為連續（即不包含表面不連續）。舉例來說， 曲面對曲面56上之個別點包括在ri及R2之值之間的曲率半 徑。沿曲面上之點之曲率半徑的改變係依循曲面56之函數 。應明瞭可將曲率半徑之變化與如關於描繪於圖6、7、及8 之任何具體實施例所說明之微結構25之曲面56的任何形狀 結合使用。 本發明之另一態樣係關於經由修改微結構25之尺寸而降 -23- 本紙張尺度適财國时標準(CNS) A4規格(21Gχ 297公爱) 1260312 A7 B7 五、發明説明（21 低或防止破裂。經發現降低障壁部分之寬度亦可降低或防 止當將微結構材料脫黏及燒結時所發生之應力相關破裂。 因此，在另一具體實施例中，如圖9所說明，本發明包括含 具有降低障壁部分寬度…？之障壁部分32的微結構25。在此 具體實施例中’於微結構/基材界面41處測得之障壁部分寬 度wBP係在25-75微米之範圍内較佳，在50-75微米 <範圍内 更佳’及在65-75微米之範圍内最佳。障壁部分高度j^p典 型上係在100-170微米之範圍内。 一般而言，可使用說明於此之方法及結構於形成具有降 低破裂之微結構的物件及裝置。舉例來說，可形成具有於 基材上之微結構的物件及裝置，其中至少99%之微結構，及 以100%之微結構較佳，不具有深度等於在微結構/基材界面 41與地面線44之間測得之地面厚度之25%以上的裂紋。 於脫黏及燒結之後，典型上希望障壁部分之頂部48為平 坦，且實質上沒有物理不規則。此平坦度可促進相面對之 玻璃基材51與障壁部分之頂部48沿其之全體長度的接觸。 此完全接觸亦可「密封」由障壁部分32形成之通道16，及 防止或實質上阻止相鄰通道16中之氣體種類經由在障壁部 分之頂部與相面對之玻璃基材51之間之間隙逸出。 在脫黏及燒結過程中，微結構25之障壁部分32的末端經 歷收縮，並受到不均等的應力釋放。如圖5所說明，橫向橫 剖面顯示微結構25之障壁部分32之末端於脫黏及燒結後之 變形。燃燒使微結構25密實化，以致其之侧面如圖所示自 其之原始狀態側面4 5收縮。如圖所示，在障壁部分末端2 9 * 24 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 1260312
= 部分32之大部分長度上之障壁部分的頂部 48維持根據原始狀態微結構45之形狀的平坦表面。然而， 障壁部分末端29並未與其餘的障壁部分以均勾地收縮且 發生障土邛刀末端29之輕微捲曲，而產生變形37。變形37 之存在會於罪近障壁部分末端29之障壁部分的頂部仏產生 -提升區域。變形37會於電聚顯示器面板之組合及功能中 產生夕種問題。首先，在顯示器之㈣及操縱中，機械力 會使變形37斷裂。斷裂的障壁末端片會對pDp的功能及壽命 有害。其次，如先前所指示，變形37會阻止相面對之玻璃 基材51與障壁部分之頂部48的完全接觸。在缺乏完全接觸 時’、在障壁部分之頂部48與前側基材51之表面之間會存在 間隙。此會導致於相鄰晶格中之激發氣體物種之間的串音 以及在操作過程中於交換電壓中之差異。 因此’希望以可防止變形干擾pDp之適當組合或功能的方 式將原始狀態微結構45之障壁末端成形。如圖10所說明， 本發明之一具體實施例提供經模塑成具有階梯形狀末端47 之原始狀態微結構45，其尤其可克服與當將微結構脫黏及 燒結時所發生之變形3 7相關的問題。 如圖10所說明，障壁部分之階梯形狀末端47具有第一階 梯58、第二階梯68、及第三階梯78。階梯形狀末端47具有 至少兩階梯較佳。階梯形狀末端47之各階梯具有階梯高度 hS、階梯寬度…、及階梯角67。階梯形狀末端47之各階梯 分別可具有不同的階梯高度hS、不同的階梯寬度wS、及不 同的階梯角67。各階梯之階梯高度hS係至少20微米較佳， -25- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(21〇 X 297公釐) 1260312 A7 __B7 五、發明説明（23~" ~ " 及階梯寬度wS係等於或大於階梯高度hS較佳。階梯角一般 係在90至175°之範圍内，典型上係在90至145°之範圍内，且 可在90至125°或90至110°之範圍内。微結構25於燃燒後之形 狀可模仿原始狀態微結構45於障壁部分32之整個橫向橫剖 面侧面上之形狀，包括階梯形狀末端47。在階梯形狀末端 47上，通常在鄰接於背側基材21之階梯上之位置，例如在 第三階梯78上，階梯形狀末端47可顯現於脫黏及燒結之後 出現的變形37。然而，在階梯形狀末端47中，此變形37不 太可能不利於PDP之組合或功能。 在此具體實施例之另一變形中，如圖11所說明，鄰接於 背側基材21之階梯’例如第三階梯78，經延長。鄰接於背 側基材21之階梯，例如第三階梯78之階梯高度hS對階梯寬 度wS之比（hS:wS)係在1:1至1:1〇之範圍内較佳，在1:1 5 至1:8之範圍内更佳，及在1:2至1:6之範圍内最佳。 在本發明之另一具體實施例中，如圖12所說明，障壁部 分32之末端47自障壁部分頂部48至背侧基材21表面成錐形 。障壁部分32之錐形末端47可為各種形狀或形體，且提供 當經熱加工時在結構上穩定，且不會形成提升高出障壁部 分頂部48之實質變形的原始結構形狀47。原始狀態錐形末 端47之錐形末端角度57係不多於60。及不低於15。較佳。 如圖12所說明，原始結構狀態中之障壁部分32之錐形末 端47的適當形狀包括自原始狀態微結構45之頂部延伸至背 側基材21之表面的直線。於熱加工後，微結構自其之原始 狀態形狀45收縮至經加工狀態25。然而，由於錐形末端 -26- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐) 1260312 A7 ----- -B7 五、發明説明（24 ) ，任何在熱加工過程中所發生之在障壁部分犯之末端的形 狀變化並不會實質上地影響障壁部分頂部48之平坦度或 壁部分之末端的完整性。 另一具體實施例係防止或降低障壁部分犯之末端在微結 構25之脫黏及燒結過程中捲曲之可能性或量之方法。如圖 13所示，將重物19放置成與障壁部分之頂部角落口接觸。 典型上，重物將與障壁部分之至少一頂部角落77接觸。可 沿存在障壁末端之組合的各邊緣存在多個重物：在一較佳 具體實施例中，沿存在障壁末端之各組合邊緣放置重物， 且重物與障壁部分之大部分或全部的頂部角落接觸。 由障壁部分之頂部角落77上之重物所施加之壓力係足以 防止在脫黏及燒結過程中產生變形37(例如，如圖5所見） 較佳。在脫黏及燒結過程中由重物所施加之壓力會產生有 角度的障壁末端角落87。壓力不應過大，以致將障壁部分 32之末端壓平至背側基材21之表面。典型上，足夠的壓力 係在每個障壁末端〇.0〇〇1至〇 〇〇2牛頓（趵之範圍内較佳， 在每個障壁末端0.0001至0.001牛頓之範圍内更佳，及在每 個障壁末端0.0002至0.0005牛頓之範圍内最佳。重物19可 為各種形狀，例如，矩形、三角形、梯形、或長菱形。重 物1 9之底部75為平坦較佳，然而，亦可使用稍微彎曲或有 角度的底部75’其限制條件為重物19之重物底部75與障壁 部分之頂部角落77明顯地接觸。 在一具體實施例中，如圖13所說明，在障壁部分之頂部 角落77與重物底部75上之點之間進行接觸，且亦於背侧基 -27- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐) 1260312
材21之表面上之點在外側底部角落7丨與背側基材2丨之間進 行接觸。然而，另一種方式為外側底部角落71可與另一表 面例如，未與組合結合之物體的表面接觸。外側底部角 落7丨與背側基材21於背側基材21之表面上之點的接觸可產 生重物/基材角85。重物/基材角85 一般係在〇· 5至2· 5。之間 ，典型上係在0·5至Γ之間，且可在〇5至〇8。之間。 重物19典型上包含可承受在陶瓷材料之脫黏及燒結過程 中所達到之溫度的材料，例如，玻璃或金屬。此等材料在 脫黏及燒結過程中不會鍵結至陶瓷材料或與其化學反應較 佳。適當材料的例子包括氧化鋁、鹼石灰玻璃、及錯氧。 一較佳之材料為锆氧。未上底塗料的鹼石灰玻璃在燒結過 程中會輕微黏著至肋條配方。铭氧及錯氧並不會。错氧最 不具反應性。 當知曉亦可使用具有模塑微結構之基材形成其他物件。 舉例來說’可使用模塑微結構於形成供諸如電泳板之應用 用的毛細通道。此外，可將模塑微結構使用於電漿或其他 產生光的應用。 實施例 實施例1 -10 使用模型及可光固化之玻璃玻料料漿於基材上形成障壁 肋條。製備玻璃玻料料漿。此等實施例中所使用之玻璃玻 料料漿配方包括80份重量之RFW030玻璃粉末（Asahi Glass Co·(曰本東京）），其包含具有耐火填料諸如Ti〇2及ai2〇3之 硼矽酸鉛玻璃玻料。於玻璃粉末中加入8· 034份重量之購自 -28- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)
裝
k 1260312 A7 _______ B7 五、發明説明（26 )
Sartomer Company, Inc· (Exton，PA)之 BisGMA(雙紛-a 二 縮水甘油基醚二甲基丙烯酸酯）及4· 326份重量之購自 Kyoeisha Chemical Co·，Ltd·(日本）之 TEGDMA(三乙二醇 二甲基丙烯酸酯），而形成可固化易變黏合劑。使用7份重 量之 1，3-丁二醇（Aldrich Chemical Co· (Milwaukee，WI)) 作為稀釋劑。此外，加入0.12份重量之購自3M Company (St· Paul，MN)之POCAII (磷酸聚氧烷基多元醇）（可使用購自其 他製造商之其他磷酸聚氧烷基多元醇）作為分散劑，加入 0· 16 份重量之 A174 石夕院（Aldrich Chemical Co.(Milwaukee，WI))作為石夕烧偶合劑，及加入0.16份重量 之 Irgacur™ 819 (Ciba Specialty Chemicals(Basel， Switzer land))作為固化引發劑。此外，加入0.20份重量之 購自 BYK Chemie USA(Wal 1 ingford，CT)之BYK A555作為脫 氣劑。 將所有的液體成份及光引發劑結合於不銹鋼混合容器中 。使用利用氣動馬達驅動之罩式刮板（cowles blade) (VWR Scientific Products(West Chester, PA))將成份換混。 邊使混合刮板運轉，邊將固體成份緩慢加入。於所有成份 皆加入後，使混合物再多摻混5分鐘。將料漿移至經裝入1 /2 英吋圓柱形高密度氧化鋁研磨介質的高密度聚乙烯容器中 。使用塗料調理器（Red Devil 5100型（Union，NJ))進行研 磨30分鐘。然後使料漿自球磨機排出。最後，使用三輥磨 (2.5x5 TRM型，Charles Ross & Son Company(Haupauge， NY))在60°C下研磨料漿。 -29- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 x 297公釐) 1260312 A7 _______ B7 五、發明説明（27 ) 使用刮刀塗布機於將料漿塗布於2. 3毫米厚的鹼石灰玻 璃基材（Libbey Owen Ford Glass Co. (Charleston，WV)) 上。對於所有的樣品，將刀片間隙設於75微米。 於塗布之後，將具有障壁肋條特徵之模型層合於經塗布 基材上。層合壓力係標稱〇·68公斤/公分，及層合速度係標 稱3公分/秒。所使用之模型係經鑄塑及固化於高挺度背襯 材料諸如 125微米厚之ΡΕΤ(Ε· I. Du Pont De Nemours and Company(Wi 1 mington，DE))上之聚碳酸酯或可光固化之丙 烯酸酯材料。模型係經由使丙烯酸酯樹脂靠著金屬工具鑄 塑及固化而製得。評估具有不同類型之障壁肋條微結構的 模型。 於模塑之後，使經塗布基材暴露至藍色光源，以使玻璃 玻料料漿硬化。使用藍色光源在1 · 5英吋（約3. 8公分）樣品 表面進行固化。光源係由10個隔開2英吋（約5· 1公分）之超 光化螢光燈（TLDK 30W/03 型，Philips Electronics N.V.(Einhoven，Netherlands))所構成。此等超光化燈提 供在約400至500奈米（nm)之波長範圍内之光。固化時間典 型上係30秒。 將模型移除，及使樣品於空氣中根據以下的熱循環燒結 :3°C/分鐘至300°C，5°C/分鐘至560eC，維持20分鐘，及 在2-3°C/分鐘下冷卻至環境溫度。 在燒結過程中，障壁肋條被壓迫至硬質玻璃基材。由於 此壓迫，當障壁肋條於燒結過程中密實化及收縮時產生平 面内應力。再者，由於在障壁肋條與相鄰連續地面區域之 -30- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐) 1260312 A7 B7 五、發明説明（28 間之特徵厚度之間之大的差異，在燒結過程中會產生大的 示差應力。因此，在障壁肋條之底部的尖銳角落顯示在燒 結過程中有高的龜裂傾向。結果無異於在此區域中作出切 面。為減輕此龜裂，自障壁肋條至地面之過渡係以相當平 滑的方式完成。就數學上而言，如要使自障壁肋條側壁至 地面之過渡呈現為連續線條，則此函數之導數為連續，以 避免產生大的應力集中較佳。在實施例4-8及10中，測試具 有各種肋條底部曲率半徑之障壁肋條。其皆產生悉裂的游 離部分。在實施例3及9之情況中，半徑摻混並非對地面層 完全正切，且觀察到裂紋。 肋條裂紋係使用光顯微術（透過透射光）（Leitz DMRBE， Leica Mikroskopie & System GmbH(Wetzlar, Germany)) 及掃描電子顯微鏡（AMPAX 1920型（Bedford，MA))評估。所 有的裂紋皆係於肋條底部觀察得。下表提供於各實施例中 製得之產品的訊息。所有尺寸皆係參照在燒結前之原始狀 態。牽引角係指障壁線相對於垂直的角度。 實施例 肋條 節距 (pm) 肋條 南度 (μπι) 頂部 寬度 (μπι) 牽引角 肋條底部 曲率半徑 摻混之 品質 裂紋？ 1 360 202 68 8° <0. 1 μιη N/a 是 2 220 185 75 8° 切面 N/a 是 3 360 213 37 8° 50 差 是 4 360 213 37 8° 50 良好 否 5 286 202 37 8° 25 良好 否 -31 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐)
裝 訂
k 1260312 A7 B7
五、發明説明（29 )
A4 了 /由 實施例11-14係以與實施例卜10相同的〜 用金屬測厚規調整塗層間隙。此等模型 〜渾壁肋條尺寸袁 360微米節距、21 3微米高、37微米肋條頂邮 Λ — 肖峥寬度、8。牽引 角、及50微米平滑半徑摻混。 午
實施例
層合速度 (cm/sec) 層合壓力 (kg/cm) 經燃燒地面厚度 (μπι)
此顯示可經由選擇塗層厚度而控制地面厚度 裝 訂
實施例15 如實施例1至10之說明將微結構化障壁肋條形成於基材 上。在脫黏及燒結過程中，將障壁肋條末端加重物以防止 變形。使用三種不同的長條材料作為重物：i) 98%鋁，2) 經釔安定化之锆氧，及3)鹼石灰玻璃。鋁件為1 02公分X 25·4公分X 0.060公分，6.0克，以360微米節距覆蓋大約282 個肋條。玻璃件為14· 2 X 2 X 0· 28公分，19. 8克，以360 -32- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公釐) 1260312
微米節距覆蓋大約394個肋條。鍅氧件為5·8 χ 2 χ 〇 5公 分，34. 8克，覆蓋大約161個肋條。如下表所列，將不同的 負荷施加於肋條邊緣上。所有樣品的肋條高度為2〇2微米及 360微米節距。肋條數=長度/節距。可基於角度、重量、及 皇寬I度而以牛頓/肋條為單位計备荷 角度， 重物尺寸（cm: 材料 鋁氧 SL玻璃 錯氧 長度 102 14· 2 5. 8 寬度 25· 4 2. 0 2· 0 厚度 0. 06 0· 28 0· 5 重量gm6_ 19· 8 34. 8 A 0^ 0· 肋條負荷 N/rib 0.0001 Q.00025 0.0011 在所有情況中，於脫黏及燒結後，肋條末端實質上並未 在燒結過程中提升。當在此程序中使用鍅氧重物時，肋條 末端短10-20微米。於脫黏及燒結之後，錘氧重物展現最小 之對玻璃玻料的黏著量，及鹼石灰玻璃展現最大的黏著量 。於燒結之後在錘氧重物上並未觀察到殘留的玻璃玻料。 有小的玻璃玻料碎片於燒結之後黏合至鹼石灰玻璃長條。 不應將本發明視為受限於前述之特定實施例，反之應明 暸其係涵蓋詳盡記述於隨附之申請專利範圍中之本發明的 所有態樣。熟悉本發明相關技藝之人士當回顧本說明書時 當可容易明白可應用本發明的各種修改、相等方法、以及 許多結構。 -33- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)

Claims (1)

126034291 121595號專利申請案 中文申請專利範圍修正本(9、5年3月）漂 - J 7 ίγ»〇 申請專利範圍公告本 A8 B8 1. 種微結構化之組合，包括 一基材；及 年灼ί】95· 3. 31 认置於基材上之複數個微結構，該複數個微結構包括 交替的包括一材料之障壁部分及地面部分，其分別具有 障壁表面及地面表面，各障壁部分及相鄰的地面部分藉 由曲線部分結合，此曲線部分具有延伸自地面表面並‘ 質上與其成連續的曲面，及其中該地面部分之材料與障 壁部分之材料係連續的。 2·根據申請專利範圍第1項之組合，以該基材係為玻壤 基材，其包括複數個設置於玻璃基材上之電極。 3.根據中請專職圍第2項之組合，其巾該微結構係與基 材上之複數個電極對準。 ^ 土 4·根據申請專利範圍第1項之組合，其中該曲面係由單— 的曲率半徑所定義。 5. 根據申請專利範圍第4項之組合，其中該曲面包括在障 为尚度之5-200 %範圍内之曲率半徑。 6. 根據申請專利範圍第1項之組合’其中該曲面係由至小 兩曲率半徑所定義。 ) 7·根據申請專利範圍第6項之組合，其中最小的曲率半徑 係卩早壁部分雨度之至少5%，及最大的曲率半徑係障壁 分高度之不多於200%。 土 ° 8·根據申請專利範圍第6項之組合，其中該曲面包括靠近 地面表面之第一曲率半徑及靠近障壁表面之第二曲= 半仅其中3亥弟一曲率半徑較該第一曲率半後小。'
1260312 -~-—.^、、申清專利範圍 A B c D 9·根據申請專利範圍第1項之組合，其中該曲面係起自輕 障壁部分之頂部更靠近基材之障壁斜率線 根據申請專利範圍第1項之組合，其中該曲面係終止衣 較障壁斜率線更靠近鄰接障壁部分之電極之側面的辦 面線。 根據申請專利範圍第1項之組合，其中該曲線部分之# 面積係在障壁部分面積之5-80%之範圍内。 根據申請專利範圍第1項之組合，其中該障壁部分更自 括階梯形狀的末端。 3 ’根據申凊專利範圍第丨2項之組合，其中該階梯形狀的库 端包括至少兩階梯。 14·根據申請專利範圍第13項之組合，其中各階梯包括： 高度至少20微米之垂直階梯表面， 見度較泫垂直階梯表面之高度大之水平階梯表面， 其中該垂直階梯表面及該水平階梯表面形成一階梯 角’該階梯角係至少90。。 15·根據申請專利範圍第1項之組合 表面實質上為連續。 根據申請專利範圍第1項之組合 不多於75微米之其頂部之寬度。 一種微結構化之組合，包括： 一背側玻璃基材，其具有形成圖幸 > 址之電極；及 ϋ木之谩數個可獨立 複數個陶瓷微結構，包括交替的 J匕栝一材料之障壁 10 11 12 16 其中該曲面及該障 其中各障壁部分具 -2 - 17. 18, 1260312 六、申請專利範園 分及地面部公，甘八σ, 一刀別具有障壁表面及地面表面，各障 Si::: Γ的地面部分藉由曲線部分結合，此曲線部 :” 地面表面並實質上與其成連續的曲面，其 之材料與障壁部分之材料係連續的，該陶 £ 構係與基材上之電極對準。 一種形成微結構之方法，包括： 將可固化材料設置於圖案化基材上； :二权型將可固化材料成形成設置於圖案化 之稷數個微結構，該複數個微結構包 料之障壁部分及地面部分，匕括材 77八刀別具有P早壁表面及地面 :曲ίΓ壁部分及相鄰的地面部分藉由曲線部分結合 的：nt具有延伸自地面表面並實質上與其成連續 =及部分之材料與障壁部分之材料係連 將模型移除。 T據申請專利範圍第18項之方法，其中該成形步驟包括 使可固化材料固化。 20.2據申請專利範圍第18項之方法，其中該成形步驟包括 處理微結構，以使微結構實質上硬化。 21·晴請專利範圍第18項之方法，其中。該成形步驟包括 將Μ結構脫黏及燃燒，以使微結構實質上硬化 22·根據申請專利範圍第18項之方法，其更包括拉伸㈣， 以使該複數個微結構之至少—部分與圖案化基材對準。 2 3· —種形成微結構之方法，包括： -3 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210X297公釐） 裝 訂 19. 1260312 申請專利範圍 將包含陶瓷粉末及可固化易變黏合劑之混合物的料 漿設置於經複數個電極圖案化之玻璃基材上； 利用圖案化模型將料漿成形成設置於基材上之複數個 U…構，该複數個微結構包括交替的包括一材料之障壁部 刀及也面口ρ刀，其分別具有障壁表面及地面表面，各障壁 部分及相鄰的地面部分藉由曲線部分結合，此曲線部分2 有延伸自地面表面並實質上與其成連續的曲面，其中該地 面部分之材料與障壁部分之材料係連續的； 使可固化易變黏合劑固化以使料漿硬化及使料 著至基材； 、 將模型移除，而留下黏著至玻璃基材之料聚的原始狀 恕微結構’該原始狀態微結構實質上係複製圖案化模型 :及 將原始狀態微結構脫黏及燃燒’以實質上燒盡易變黏 24, 25 合劑及燒結陶瓷粉末，而形成陶竞微結構。 一種將微結構之障壁末端成形之方法，包括： 將一重物外加至至少一原始肤綠彡 〒始狀恕U結構之障壁末端 ’其中重物之一部分的底部與障壁太 觸； 早土末糕之頂部角落接 將原始狀態微結構脫黏及燃燒；及 將重物移除。 根據申凊專利範圍第2 4項之方法，並由 ^ 具中该重物包括锆 氧。 4- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐)
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Families Citing this family (24)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6761607B2 (en) * 2000-01-11 2004-07-13 3M Innovative Properties Company Apparatus, mold and method for producing substrate for plasma display panel
US7176492B2 (en) * 2001-10-09 2007-02-13 3M Innovative Properties Company Method for forming ceramic microstructures on a substrate using a mold and articles formed by the method
US7033534B2 (en) * 2001-10-09 2006-04-25 3M Innovative Properties Company Method for forming microstructures on a substrate using a mold
US20040007975A1 (en) * 2002-07-09 2004-01-15 Hsu-Pin Kao Barrier rib structure for plasma display panel
KR100450832B1 (ko) * 2002-07-15 2004-10-12 엘지전자 주식회사 모세관 몰딩법에 의한 플라즈마 디스플레이 소자의 격벽제조방법 및 그것의 페이스트 조성물
JP3986386B2 (ja) * 2002-07-17 2007-10-03 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー 微細構造体の製造方法
KR100536199B1 (ko) * 2003-10-01 2005-12-12 삼성에스디아이 주식회사 격벽을 개선한 플라즈마 디스플레이 패널
KR100669693B1 (ko) * 2003-10-30 2007-01-16 삼성에스디아이 주식회사 유전체막용 도료 및 이를 이용한 플라즈마 디스플레이 패널
US7288013B2 (en) * 2003-10-31 2007-10-30 3M Innovative Properties Company Method of forming microstructures on a substrate and a microstructured assembly used for same
JP2005193473A (ja) * 2004-01-06 2005-07-21 Three M Innovative Properties Co 転写用成形型及びその製造方法ならびに微細構造体の製造方法
JP2005288933A (ja) * 2004-04-01 2005-10-20 Three M Innovative Properties Co 可とう性成形型及びその製造方法
US20060043637A1 (en) * 2004-08-26 2006-03-02 3M Innovative Properties Company Methods of forming barrier rib microstructures with a mold
CN101010772A (zh) * 2004-08-26 2007-08-01 3M创新有限公司 用模板形成微结构的方法
JP2008511123A (ja) * 2004-08-26 2008-04-10 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー ローラ上に提供された別個のモールドで微細構造を形成する方法
KR100627361B1 (ko) * 2004-09-20 2006-09-21 삼성에스디아이 주식회사 플라즈마 디스플레이 패널 및 이의 제조 방법
US7478791B2 (en) 2005-04-15 2009-01-20 3M Innovative Properties Company Flexible mold comprising cured polymerizable resin composition
US20070018363A1 (en) * 2005-07-20 2007-01-25 3M Innovative Properties Company Methods of aligning mold and articles
US20070071948A1 (en) * 2005-09-28 2007-03-29 3M Innovative Properties Company Method of making barrier partitions and articles
US8628819B2 (en) * 2006-02-24 2014-01-14 GM Global Technology Operations LLC Method of depositing a nanoparticle coating on a bipolar plate and removing the nanoparticle coating from the lands of the bipolar plate
US20080093776A1 (en) * 2006-10-05 2008-04-24 3M Innovative Properties Company Method of molding ultraviolet cured microstructures and molds
WO2008073719A1 (en) * 2006-12-07 2008-06-19 3M Innovative Properties Company Method of molding barrier ribs with hygroscopic polymeric molds
US8531759B2 (en) * 2007-12-29 2013-09-10 Texas Instruments Incorporated Dielectric microstructure for use in microelectromechanical systems and method of forming same
JP5212174B2 (ja) * 2008-02-28 2013-06-19 東レ株式会社 プラズマディスプレイパネル用部材およびその製造方法
CN102543622A (zh) * 2012-03-08 2012-07-04 安徽鑫昊等离子显示器件有限公司 一种平板显示屏生产工艺

Family Cites Families (95)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US893813A (en) * 1907-03-14 1908-07-21 Charles D Sherman Folding cutting and paste table.
GB1257621A (zh) 1967-09-15 1971-12-22
US3816043A (en) * 1970-09-04 1974-06-11 Armstrong Cork Co Apparatus for making hollow tubing having an annular wall of foamed material
US3689346A (en) * 1970-09-29 1972-09-05 Rowland Dev Corp Method for producing retroreflective material
US3811814A (en) * 1971-07-08 1974-05-21 Johns Manville Vibration impact texturing apparatus
GB1501735A (en) * 1975-09-19 1978-02-22 Ici Ltd Phosphate glass composition
US4340276A (en) * 1978-11-01 1982-07-20 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method of producing a microstructured surface and the article produced thereby
JPS5922399B2 (ja) * 1981-10-14 1984-05-26 日本電気株式会社 多層セラミツク基板
US5352478A (en) * 1982-02-10 1994-10-04 Dai Nippon Insatsu Kabushiki Kaisha Plasma display panel and method of manufacturing same
JPS6042247A (ja) * 1983-08-16 1985-03-06 Asahi Glass Co Ltd 低膨張性ガラス
US4554259A (en) * 1984-05-08 1985-11-19 Schott Glass Technologies, Inc. Low expansion, alkali-free borosilicate glass suitable for photomask applications
IT1177945B (it) * 1984-07-31 1987-08-26 Siv Soc Italiana Vetro Procedimento per la produzione di un nastro continuo composito comprendente una pellicola a base acrilica,adatta per l'uso in lastre di vetro laminato di sicurezza e procedotto cosi' ottenuto
JPS6172652A (ja) * 1984-09-14 1986-04-14 Asahi Glass Co Ltd 歯科材料用リン酸カルシウム系結晶性ガラス
US4756856A (en) * 1984-12-20 1988-07-12 Polaroid Corporation Method of and apparatus for forming surface of magnetic media
US4857420A (en) * 1987-10-13 1989-08-15 International Fuel Cell Corporation Method of making monolithic solid oxide fuel cell stack
JPH01137534A (ja) 1987-11-25 1989-05-30 Oki Electric Ind Co Ltd プリズマディスプレイの隔壁形成方法
US4867935A (en) * 1988-02-26 1989-09-19 E. I. Du Pont De Nemours And Company Method for preparing ceramic tape compositions
JPH0743996B2 (ja) * 1988-03-02 1995-05-15 ガス放電表示装置の製造方法
KR910003690B1 (en) * 1988-09-14 1991-06-08 Samsung Electronic Devices Pdp manufacturing method
KR910003693B1 (en) * 1988-09-14 1991-06-08 Samsung Electronic Devices Pdp barrack manufacturing method
KR910004346Y1 (ko) * 1988-09-16 1991-06-29 삼성전관 주식회사 보조전극을 설치한 플라즈마 표시소자
US5209688A (en) 1988-12-19 1993-05-11 Narumi China Corporation Plasma display panel
DE69019010T2 (de) * 1989-02-10 1996-01-18 Dainippon Printing Co Ltd Plasma-Anzeigetafel und Herstellungsverfahren derselben.
US5175030A (en) * 1989-02-10 1992-12-29 Minnesota Mining And Manufacturing Company Microstructure-bearing composite plastic articles and method of making
US5183597A (en) * 1989-02-10 1993-02-02 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method of molding microstructure bearing composite plastic articles
KR910005090B1 (en) * 1989-06-02 1991-07-22 Samsung Electronic Devices Method of making the spacer of display device
US5096401A (en) * 1989-06-26 1992-03-17 Canon Kabushiki Kaisha Apparatus for producing a substrate sheet for optical recording media
JPH0354569A (ja) 1989-07-24 1991-03-08 Dainippon Printing Co Ltd レジストパターンの形成方法
KR0143804B1 (ko) * 1990-07-06 1998-08-17 요시오 모리야마 금속베이스가 없는 전구 소켓 및 그 제조방법
KR930000575B1 (ko) * 1990-10-31 1993-01-25 삼성전관 주식회사 플라즈마 표시소자와 그 제조방법
CA2078019C (en) * 1991-09-13 2002-08-27 Siegbert Heinrich Bissbort Substance or composition and uses thereof
US5601468A (en) * 1991-10-14 1997-02-11 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Plasma display panel and method for forming fluorescent screens of the same
US5268233A (en) * 1991-11-22 1993-12-07 The Lubrizol Corporation Methods of preparing sintered shapes and green shapes used therein
US5342563A (en) * 1991-11-22 1994-08-30 The Lubrizol Corporation Methods of preparing sintered shapes and green bodies used therein
NO924368L (no) * 1991-11-22 1993-05-24 Lubrizol Corp Fremgangsmaate for fremstilling av sintrede legemer og sammensetninger brukt i disse
US5205770A (en) * 1992-03-12 1993-04-27 Micron Technology, Inc. Method to form high aspect ratio supports (spacers) for field emission display using micro-saw technology
US5424605A (en) * 1992-04-10 1995-06-13 Silicon Video Corporation Self supporting flat video display
JP3264027B2 (ja) * 1993-02-24 2002-03-11 ソニー株式会社 放電セル及びその製造方法
US5672460A (en) * 1994-06-10 1997-09-30 Nippon Hoso Kyokai Method for forming conductive or insulating layers
US5629583A (en) * 1994-07-25 1997-05-13 Fed Corporation Flat panel display assembly comprising photoformed spacer structure, and method of making the same
US5484314A (en) * 1994-10-13 1996-01-16 Micron Semiconductor, Inc. Micro-pillar fabrication utilizing a stereolithographic printing process
US5658832A (en) * 1994-10-17 1997-08-19 Regents Of The University Of California Method of forming a spacer for field emission flat panel displays
US5840465A (en) * 1995-07-17 1998-11-24 Taiyo Ink Manufacturing Co., Ltd. Compositions and method for formation of barrier ribs of plasma display panel
US5509840A (en) * 1994-11-28 1996-04-23 Industrial Technology Research Institute Fabrication of high aspect ratio spacers for field emission display
US5581876A (en) * 1995-01-27 1996-12-10 David Sarnoff Research Center, Inc. Method of adhering green tape to a metal support substrate with a bonding glass
US5714840A (en) * 1995-03-07 1998-02-03 Asahi Glass Company Ltd. Plasma display panel
JP3589500B2 (ja) 1995-03-30 2004-11-17 大日本印刷株式会社 プラズマディスプレイパネルパネルのセル障壁製造方法
JP3591920B2 (ja) 1995-05-25 2004-11-24 大日本印刷株式会社 プラズマディスプレイパネルのセル障壁製造方法
JP3791022B2 (ja) 1995-06-26 2006-06-28 旭硝子株式会社 基板上への隔壁形成方法
JP3340011B2 (ja) 1995-09-06 2002-10-28 京セラ株式会社 プラズマ表示装置用基板の製造方法
JP3340004B2 (ja) 1995-11-22 2002-10-28 京セラ株式会社 プラズマ表示装置用基板の製造方法
US6023130A (en) * 1995-09-06 2000-02-08 Kyocera Corporation Plasma display substrate and a production method thereof
JPH0992134A (ja) * 1995-09-22 1997-04-04 Dainippon Printing Co Ltd ノズル塗布方法及び装置
WO1997022961A1 (en) 1995-12-18 1997-06-26 Philips Electronics N.V. Plasma addressed liquid crystal display with organic-walled plasma channels
US6156433A (en) * 1996-01-26 2000-12-05 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Electrode for plasma display panel and process for producing the same
US5747931A (en) * 1996-05-24 1998-05-05 David Sarnoff Research Center, Inc. Plasma display and method of making same
US5909083A (en) * 1996-02-16 1999-06-01 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Process for producing plasma display panel
US5725407A (en) * 1996-04-08 1998-03-10 Industrial Technology Research Institute Process for manufacturing a luminescent display screen that features a sloping structure
JPH09283017A (ja) 1996-04-11 1997-10-31 Matsushita Electric Ind Co Ltd ガス放電パネルおよびその製造方法並びにガス放電パネルの製造装置
US5853446A (en) 1996-04-16 1998-12-29 Corning Incorporated Method for forming glass rib structures
EP0802170A3 (en) 1996-04-16 1997-11-05 Corning Incorporated Method and apparatus for forming glass rib structures
TW375759B (en) 1996-07-10 1999-12-01 Toray Industries Plasma display and preparation thereof
JPH10188793A (ja) * 1996-10-21 1998-07-21 Hitachi Ltd ガス放電型表示パネル、ガス放電型表示パネルの製造方法およびガス放電型表示パネルを用いた表示装置
TW353762B (en) 1996-10-21 1999-03-01 Dainippon Printing Co Ltd Transfer sheet, and pattern-forming method
JP3660449B2 (ja) 1996-10-29 2005-06-15 鈴木総業株式会社 微細隔壁の形成方法
US5854153A (en) * 1997-01-09 1998-12-29 Corning Incorporated Glasses for display panels
US6008582A (en) * 1997-01-27 1999-12-28 Dai Nippon Printing Co., Ltd. Plasma display device with auxiliary partition walls, corrugated, tiered and pigmented walls
JPH10241579A (ja) * 1997-02-27 1998-09-11 Toppan Printing Co Ltd プラズマディスプレイ用背面基板及びその製造方法
US6149482A (en) * 1997-04-30 2000-11-21 Kyocera Corporatin Method for manufacturing flat plate with precise bulkhead, flat plate with precise bulkhead, method for manufacturing plasma display unit substrate and plasma display unit substrate
JPH10326571A (ja) 1997-05-27 1998-12-08 Kyocera Corp プラズマディスプレイパネル用隔壁及びその製造方法
FR2764438A1 (fr) 1997-06-10 1998-12-11 Thomson Tubes Electroniques Procede de realisation d'une couche dielectrique comportant des motifs en relief, sur une dalle de panneau a plasma
EP0893813A3 (en) 1997-07-25 1999-02-10 E.I. Dupont De Nemours And Company Composite and method for forming plasma display apparatus barrier rib
TW396365B (en) * 1997-08-27 2000-07-01 Toray Industries Plasma display decive and its method of manufacture
JPH11339668A (ja) 1998-05-27 1999-12-10 Toray Ind Inc プラズマディスプレイおよびその製造方法
JP3428451B2 (ja) 1997-08-27 2003-07-22 東レ株式会社 プラズマディスプレイおよびその製造方法
US5854152A (en) * 1997-12-10 1998-12-29 Corning Incorporated Glasses for display panels
JPH11297195A (ja) 1998-04-14 1999-10-29 Hitachi Ltd ガス放電型平面表示装置及びその製造方法
JPH11329227A (ja) 1998-05-15 1999-11-30 Dainippon Printing Co Ltd 隔壁用型部材および隔壁製造方法
JP3866413B2 (ja) 1998-05-18 2007-01-10 スリーエム カンパニー 感光性成形材料及びそれを使用したｐｄｐ用基板の製造方法
JP2000021303A (ja) 1998-07-06 2000-01-21 Hitachi Ltd ガス放電型平面表示装置及びその製造方法
US6140759A (en) * 1998-07-17 2000-10-31 Sarnoff Corporation Embossed plasma display back panel
US6087195A (en) * 1998-10-15 2000-07-11 Handy & Harman Method and system for manufacturing lamp tiles
US6247986B1 (en) * 1998-12-23 2001-06-19 3M Innovative Properties Company Method for precise molding and alignment of structures on a substrate using a stretchable mold
US6352763B1 (en) * 1998-12-23 2002-03-05 3M Innovative Properties Company Curable slurry for forming ceramic microstructures on a substrate using a mold
JP3204319B2 (ja) 1999-01-22 2001-09-04 日本電気株式会社 ディスプレイパネルの製造方法
US6482062B1 (en) 1999-02-18 2002-11-19 Fuji Photo Film Co., Ltd. Method of forming barrier rib and discharge cell for plasma display panel
AU2997700A (en) 1999-03-25 2000-10-16 Minnesota Mining And Manufacturing Company Method of producing substrate for plasma display panel and mold used in the method
FR2792454B1 (fr) * 1999-04-15 2001-05-25 Thomson Plasma Procede de fabrication d'un panneau a plasma
EP1216482B1 (en) 1999-09-13 2007-06-06 3M Innovative Properties Company Barrier rib formation on substrate for plasma display panels
US6306948B1 (en) * 1999-10-26 2001-10-23 3M Innovative Properties Company Molding composition containing a debinding catalyst for making ceramic microstructures
JP4082545B2 (ja) 2000-01-11 2008-04-30 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー プラズマディスプレイパネル用基板を製造するための装置、成形型及び方法
JP3699336B2 (ja) 2000-06-08 2005-09-28 スリーエム イノベイティブ プロパティズ カンパニー プラズマディスプレイパネル基板用リブの製造方法
JP2003040106A (ja) 2001-07-27 2003-02-13 Nishimatsu Constr Co Ltd コンクリート運搬台車
US7176492B2 (en) * 2001-10-09 2007-02-13 3M Innovative Properties Company Method for forming ceramic microstructures on a substrate using a mold and articles formed by the method
US7033534B2 (en) * 2001-10-09 2006-04-25 3M Innovative Properties Company Method for forming microstructures on a substrate using a mold

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