JPH10241579A - プラズマディスプレイ用背面基板及びその製造方法 - Google Patents
プラズマディスプレイ用背面基板及びその製造方法Info
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- JPH10241579A JPH10241579A JP9043750A JP4375097A JPH10241579A JP H10241579 A JPH10241579 A JP H10241579A JP 9043750 A JP9043750 A JP 9043750A JP 4375097 A JP4375097 A JP 4375097A JP H10241579 A JPH10241579 A JP H10241579A
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- Japan
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- rib
- paste
- rib forming
- ceramic
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Abstract
(57)【要約】
【課題】耐熱性に優れるとともにサンドブラスト法にお
いても環境に与える影響が問題とならないプラズマディ
スプレイ用背面基板及びその製造方法を提供すること 【解決手段】基材上に電極、誘電体、リブ等を形成して
なるＰＤＰ用背面基板において、前記基材及びリブ形成
材料がセラミックからなること、またそのセラミックか
らなるリブ形成材料が鉛を含まないことを特徴とする。
いても環境に与える影響が問題とならないプラズマディ
スプレイ用背面基板及びその製造方法を提供すること 【解決手段】基材上に電極、誘電体、リブ等を形成して
なるＰＤＰ用背面基板において、前記基材及びリブ形成
材料がセラミックからなること、またそのセラミックか
らなるリブ形成材料が鉛を含まないことを特徴とする。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、プラズマディスプ
レイ（以下、ＰＤＰと略記する）用背面基板及びその製
造方法に関し、特にサンドブラスト法によりリブを形成
してなるＰＤＰ用背面基板及びその製造方法に関する。
レイ（以下、ＰＤＰと略記する）用背面基板及びその製
造方法に関し、特にサンドブラスト法によりリブを形成
してなるＰＤＰ用背面基板及びその製造方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】ＰＤＰは、前面基板および背面基板と称
される２枚の基板を貼り合わせて構成されるディスプレ
イデバイスであり、前記背面基板は、基材上にリブ、電
極、誘電体等が形成されている。この設けられたリブで
仕切られた空間での放電による発光を利用して表示を行
うものである。これらリブ、電極、誘電体等はスクリー
ン印刷等の厚膜パターン形成技術により基材上に形成さ
れている。
される２枚の基板を貼り合わせて構成されるディスプレ
イデバイスであり、前記背面基板は、基材上にリブ、電
極、誘電体等が形成されている。この設けられたリブで
仕切られた空間での放電による発光を利用して表示を行
うものである。これらリブ、電極、誘電体等はスクリー
ン印刷等の厚膜パターン形成技術により基材上に形成さ
れている。
【０００３】その基材としてはソーダライムガラスが主
に使用されている。またこのリブ材料としてはホウケイ
酸鉛ガラスなどが主に使用され、これにその他の適当な
樹脂および溶剤と練り合わせた厚膜ペーストを前記厚膜
パターン形成技術により基材上に形成し、焼成すること
により求めるパターンを得るものであり、セラミック多
層配線基板等で広く用いられている技術である。
に使用されている。またこのリブ材料としてはホウケイ
酸鉛ガラスなどが主に使用され、これにその他の適当な
樹脂および溶剤と練り合わせた厚膜ペーストを前記厚膜
パターン形成技術により基材上に形成し、焼成すること
により求めるパターンを得るものであり、セラミック多
層配線基板等で広く用いられている技術である。
【０００４】しかし、これらの厚膜ペーストは良好な特
性を得るために必要な焼成温度が基板とするソーダライ
ムガラスの歪点より高い。( 仙田、中山「ＰＤＰ用ペー
ストの低温化」第４回プラズマディスプレイ技術討論会
予稿集）このため、ＰＤＰ製造プロセスにおける基板の
熱収縮による変形が問題となっている( 島田「ＰＤＰガ
ラス基板の焼成プロセスと変形」、中原「ＡＣ型ＰＤＰ
プロセスにおけるガラス基板の熱収縮」いずれも第４回
プラズマディスプレイ技術討論会予稿集）
性を得るために必要な焼成温度が基板とするソーダライ
ムガラスの歪点より高い。( 仙田、中山「ＰＤＰ用ペー
ストの低温化」第４回プラズマディスプレイ技術討論会
予稿集）このため、ＰＤＰ製造プロセスにおける基板の
熱収縮による変形が問題となっている( 島田「ＰＤＰガ
ラス基板の焼成プロセスと変形」、中原「ＡＣ型ＰＤＰ
プロセスにおけるガラス基板の熱収縮」いずれも第４回
プラズマディスプレイ技術討論会予稿集）
【０００５】また、リブの形成方法として特開平４−５
８４３８号公報等に記載のサンドブラスト法がある。ま
た、これによると印刷法等では加工できない微細パター
ンが形成できることから近年注目されている。
８４３８号公報等に記載のサンドブラスト法がある。ま
た、これによると印刷法等では加工できない微細パター
ンが形成できることから近年注目されている。
【０００６】一般的なサンドブラスト法は、シリカ等の
無機酸化物、いわゆるサンドを吹き付け（ブラスト）る
ことにより被加工物を切削あるいは研磨する方法であ
り、塗装の剥離等に用いられている。これをリブの作製
に適用する場合、所定の基材上にリブペーストを塗布し
たのち、その上に耐サンドブラスト層を所定の形状にパ
ターニングして、その上からサンドブラストを行い、耐
サンドブラスト層の形成されていない部分を切削するこ
とによりリブを作製する。
無機酸化物、いわゆるサンドを吹き付け（ブラスト）る
ことにより被加工物を切削あるいは研磨する方法であ
り、塗装の剥離等に用いられている。これをリブの作製
に適用する場合、所定の基材上にリブペーストを塗布し
たのち、その上に耐サンドブラスト層を所定の形状にパ
ターニングして、その上からサンドブラストを行い、耐
サンドブラスト層の形成されていない部分を切削するこ
とによりリブを作製する。
【０００７】したがって多くの場合、リブとして残す部
分より、切削され除去される部分が多く、前述のように
リブを構成する主成分はホウケイ酸鉛ガラスであるが、
鉛を含み、鉛を含む廃棄物が多量に発生することから、
環境に与える影響が問題となってきている。
分より、切削され除去される部分が多く、前述のように
リブを構成する主成分はホウケイ酸鉛ガラスであるが、
鉛を含み、鉛を含む廃棄物が多量に発生することから、
環境に与える影響が問題となってきている。
【０００８】
【発明が解決しようとする課題】本発明はこのような問
題点を解決するためになされたものであり、その課題と
するところは、耐熱性に優れるとともにサンドブラスト
法においても環境に与える影響が問題とならないプラズ
マディスプレイ用背面基板及びその製造方法を提供する
ことにある。
題点を解決するためになされたものであり、その課題と
するところは、耐熱性に優れるとともにサンドブラスト
法においても環境に与える影響が問題とならないプラズ
マディスプレイ用背面基板及びその製造方法を提供する
ことにある。
【０００９】
【課題を解決するための手段】本発明はこの課題を解決
するため、基材上に電極、誘電体、リブ等を形成してな
るＰＤＰ用背面基板において、前記基材及びリブ形成材
料がセラミックからなること、またそのセラミックから
なるリブ形成材料が鉛を含まないことを特徴とするＰＤ
Ｐ用背面基板を提供する。またその製造方法として、セ
ラミックからなる基材上に鉛を含まないセラミックから
なるリブ形成材料を塗布し、サンドブラスト法によりリ
ブを形成後、焼成してなることを特徴とするＰＤＰ用背
面基板の製造方法を提供する。
するため、基材上に電極、誘電体、リブ等を形成してな
るＰＤＰ用背面基板において、前記基材及びリブ形成材
料がセラミックからなること、またそのセラミックから
なるリブ形成材料が鉛を含まないことを特徴とするＰＤ
Ｐ用背面基板を提供する。またその製造方法として、セ
ラミックからなる基材上に鉛を含まないセラミックから
なるリブ形成材料を塗布し、サンドブラスト法によりリ
ブを形成後、焼成してなることを特徴とするＰＤＰ用背
面基板の製造方法を提供する。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態を詳細
に説明する。本発明における基材及びリブ形成材料とし
ては、いわゆるセラミック基板で用いられているセラミ
ック、すなわちアルミナ、（Ａｌ2 Ｏ3 ）、窒化アルミ
ニウム（ＡｌＮ）、窒化ホウ素（ＢＮ）等、およびこれ
らに酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ケイ素（Ｓｉ
Ｏ2 ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化ホウ素（Ｂ
2Ｏ3 ）等を添加したものを用いることができる。
に説明する。本発明における基材及びリブ形成材料とし
ては、いわゆるセラミック基板で用いられているセラミ
ック、すなわちアルミナ、（Ａｌ2 Ｏ3 ）、窒化アルミ
ニウム（ＡｌＮ）、窒化ホウ素（ＢＮ）等、およびこれ
らに酸化カルシウム（ＣａＯ）、酸化ケイ素（Ｓｉ
Ｏ2 ）、酸化マグネシウム（ＭｇＯ）、酸化ホウ素（Ｂ
2Ｏ3 ）等を添加したものを用いることができる。
【００１１】基材は、前記セラミックに適当な樹脂及び
溶剤を添加して練り合わせて調製したペーストをドクタ
ーブレード等でシート状に成形して、しかるのち焼成す
ることにより作製することができる。
溶剤を添加して練り合わせて調製したペーストをドクタ
ーブレード等でシート状に成形して、しかるのち焼成す
ることにより作製することができる。
【００１２】また、リブ形成材料は通常、基材と同一の
材料を用いれば良い。また、基材上には電極が形成され
る他、誘電体層が形成されることが多い。そして、電極
はスクリーン印刷法やフォトリソグラフィー法で、誘電
体層はスクリーン印刷法等でパターン形成あるいは塗布
し、しかるのちこれを焼成することにより形成すること
が可能である。
材料を用いれば良い。また、基材上には電極が形成され
る他、誘電体層が形成されることが多い。そして、電極
はスクリーン印刷法やフォトリソグラフィー法で、誘電
体層はスクリーン印刷法等でパターン形成あるいは塗布
し、しかるのちこれを焼成することにより形成すること
が可能である。
【００１３】リブ形成をサンドブラスト法を用いて行う
場合は、前記セラミックに適当な樹脂及び溶剤を添加し
て練り合わせて調製したペーストをあらかじめ電極及び
誘電体層が形成された基材上に塗布して乾燥させ、その
上にサンドブラスト用レジストにより所定の部分にサン
ドブラスト用マスクを形成して、しかるのちサンドブラ
ストによりサンドブラスト用マスクの形成されていない
部分を削り取り、しかるのち焼成することによりリブを
形成してＰＤＰ用背面基板とする。
場合は、前記セラミックに適当な樹脂及び溶剤を添加し
て練り合わせて調製したペーストをあらかじめ電極及び
誘電体層が形成された基材上に塗布して乾燥させ、その
上にサンドブラスト用レジストにより所定の部分にサン
ドブラスト用マスクを形成して、しかるのちサンドブラ
ストによりサンドブラスト用マスクの形成されていない
部分を削り取り、しかるのち焼成することによりリブを
形成してＰＤＰ用背面基板とする。
【００１４】本発明によれば、基材及びリブがセラミッ
クからなることにより、通常１０００℃以上の高温で焼
成して作製されても、その後の工程における熱変化が発
生しない。また、リブも基材同様セラミックからなり、
鉛を含まないことで廃棄物の管理が容易になる。
クからなることにより、通常１０００℃以上の高温で焼
成して作製されても、その後の工程における熱変化が発
生しない。また、リブも基材同様セラミックからなり、
鉛を含まないことで廃棄物の管理が容易になる。
【００１５】
【実施例】以下、実施例を図面に基づき説明する。 ＜実施例１＞基材材料としてアルミナを用いた。アルミ
ナ１００重量部にバインダとしてポリビニルブチラール
８重量部、可塑剤としてフタル酸エステル４重量部、溶
剤としてブチルアルコール４０重量部及びメチルエチル
ケトン２０重量部を添加して混合することによりセラミ
ックペーストを調製した。
ナ１００重量部にバインダとしてポリビニルブチラール
８重量部、可塑剤としてフタル酸エステル４重量部、溶
剤としてブチルアルコール４０重量部及びメチルエチル
ケトン２０重量部を添加して混合することによりセラミ
ックペーストを調製した。
【００１６】調製したセラミックペーストをドクターブ
レード装置を用い厚さ３ｍｍのシートに成形した。これ
を電気炉で１６００℃で焼成して基材（１）を作製し
た。スクリーン印刷法により基材上に電極ペーストを所
定の形状に印刷して６００℃で焼成して電極（２）を形
成した。その後、結晶化ガラスを主成分とする誘電体ペ
ーストを電極と同様スクリーン印刷により塗布して、５
８０℃で焼成して誘電体（３）を形成した。その後電極
及び誘電体が形成された基材に再び前記セラミックペー
スト（４）をドクターブレード装置を用い２００μｍの
厚さに塗布した。乾燥後、この上にサンドブラスト用ド
ライフィルムレジストをラミネートし、パターン露光及
び現像を行うことにより、サンドブラスト用マスク
（５）をセラミックペースト上に形成した。その後サン
ドブラスト装置を用い、サンド（６）を吹き付けること
により、サンドブラスト用マスクで覆われていない部分
のセラミックペーストを除去した。
レード装置を用い厚さ３ｍｍのシートに成形した。これ
を電気炉で１６００℃で焼成して基材（１）を作製し
た。スクリーン印刷法により基材上に電極ペーストを所
定の形状に印刷して６００℃で焼成して電極（２）を形
成した。その後、結晶化ガラスを主成分とする誘電体ペ
ーストを電極と同様スクリーン印刷により塗布して、５
８０℃で焼成して誘電体（３）を形成した。その後電極
及び誘電体が形成された基材に再び前記セラミックペー
スト（４）をドクターブレード装置を用い２００μｍの
厚さに塗布した。乾燥後、この上にサンドブラスト用ド
ライフィルムレジストをラミネートし、パターン露光及
び現像を行うことにより、サンドブラスト用マスク
（５）をセラミックペースト上に形成した。その後サン
ドブラスト装置を用い、サンド（６）を吹き付けること
により、サンドブラスト用マスクで覆われていない部分
のセラミックペーストを除去した。
【００１７】その後１６００℃で焼成することによりリ
ブ（７）を形成してＰＤＰ用背面基板を得た。なお、サ
ンドブラスト用マスク（５）は焼成の過程で燃焼除去さ
れた。
ブ（７）を形成してＰＤＰ用背面基板を得た。なお、サ
ンドブラスト用マスク（５）は焼成の過程で燃焼除去さ
れた。
【００１８】＜実施例２＞基材材料としてアルミナ、酸
化ケイ素及び酸化ホウ素の混合物を用いた。アルミナ１
００重量部、酸化ケイ素８０重量部及び酸化ホウ素２０
重量部の混合物にバインダとしてポリビニルブチラール
８重量部、可塑剤としてフタル酸エステル４重量部、溶
剤としてブチルアルコール４０重量部及びメチルエチル
ケトン２０重量部を添加して混合することによりセラミ
ックペーストを調製した。
化ケイ素及び酸化ホウ素の混合物を用いた。アルミナ１
００重量部、酸化ケイ素８０重量部及び酸化ホウ素２０
重量部の混合物にバインダとしてポリビニルブチラール
８重量部、可塑剤としてフタル酸エステル４重量部、溶
剤としてブチルアルコール４０重量部及びメチルエチル
ケトン２０重量部を添加して混合することによりセラミ
ックペーストを調製した。
【００１９】調製したセラミックペーストをドクターブ
レード装置を用い厚さ３ｍｍのシートに成形した。これ
を電気炉で９００℃で焼成して基材を作製した。この上
にスクリーン印刷法により電極ペーストを所定の形状に
印刷して６００℃で焼成して電極を形成した。その後結
晶化ガラスを主成分とする誘電体ペーストを電極と同様
スクリーン印刷により塗布して、５８０℃で焼成して誘
電体を形成した。この電極及び誘電体が形成された基材
上に前記セラミックペーストを２００μｍの厚さに塗布
した。乾燥後、サンドブラスト用ドライフィルムレジス
トをラミネートしてパターン露光および現像を行いサン
ドブラスト用マスクをセラミック上に形成した。サンド
ブラスト装置を用い、サンドをセラミックペーストに吹
き付けることにより、サンドブラスト用マスクでおおわ
れていない部分のセラミックペーストを除去した。
レード装置を用い厚さ３ｍｍのシートに成形した。これ
を電気炉で９００℃で焼成して基材を作製した。この上
にスクリーン印刷法により電極ペーストを所定の形状に
印刷して６００℃で焼成して電極を形成した。その後結
晶化ガラスを主成分とする誘電体ペーストを電極と同様
スクリーン印刷により塗布して、５８０℃で焼成して誘
電体を形成した。この電極及び誘電体が形成された基材
上に前記セラミックペーストを２００μｍの厚さに塗布
した。乾燥後、サンドブラスト用ドライフィルムレジス
トをラミネートしてパターン露光および現像を行いサン
ドブラスト用マスクをセラミック上に形成した。サンド
ブラスト装置を用い、サンドをセラミックペーストに吹
き付けることにより、サンドブラスト用マスクでおおわ
れていない部分のセラミックペーストを除去した。
【００２０】その後９００℃で焼成することによりリブ
を形成してＰＤＰ用背面基板を得た。なお、サンドブラ
スト用マスクは焼成の過程で燃焼除去された。
を形成してＰＤＰ用背面基板を得た。なお、サンドブラ
スト用マスクは焼成の過程で燃焼除去された。
【００２１】
【発明の効果】以上のように、本発明では基板を構成す
る基材及びリブ材料としてセラミックを用い、かつ耐熱
性に優れるとともに、リブに鉛化合物を含まないＰＤＰ
用背面基板を提供することができた。
る基材及びリブ材料としてセラミックを用い、かつ耐熱
性に優れるとともに、リブに鉛化合物を含まないＰＤＰ
用背面基板を提供することができた。
【図１】本発明のＰＤＰ用背面基板の製造工程の一実施
例の断面の構造を示す説明図である。
例の断面の構造を示す説明図である。
【図２】本発明のＰＤＰ用背面基板の一実施例の断面の
構造を示す説明図である。
構造を示す説明図である。
１…基材 ２…電極 ３…誘電体 ４…セラミックペースト（リブ形成材料） ５…サンドブラスト用マスク ６…サンド ７…リブ
Claims (3)
- 【請求項１】基材上に電極、誘電体、リブ等を形成して
なるプラズマディスプレイ用背面基板において、前記基
材及びリブ形成材料がセラミックからなることを特徴と
するプラズマディスプレイ用背面基板。 - 【請求項２】前記セラミックからなるリブ形成材料が鉛
を含まないことを特徴とする請求項１記載のプラズマデ
ィスプレイ用背面基板 - 【請求項３】セラミックからなる基材上に電極、誘電体
を設け、鉛を含まないセラミックからなるリブ形成材料
を塗布し、サンドブラスト法によりリブを形成し、その
後、焼成してなることを特徴とするプラズマディスプレ
イ用背面基板の製造方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9043750A JPH10241579A (ja) | 1997-02-27 | 1997-02-27 | プラズマディスプレイ用背面基板及びその製造方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP9043750A JPH10241579A (ja) | 1997-02-27 | 1997-02-27 | プラズマディスプレイ用背面基板及びその製造方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10241579A true JPH10241579A (ja) | 1998-09-11 |
Family
ID=12672451
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP9043750A Pending JPH10241579A (ja) | 1997-02-27 | 1997-02-27 | プラズマディスプレイ用背面基板及びその製造方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10241579A (ja) |
Cited By (3)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| WO2003098014A1 (fr) * | 2002-05-17 | 2003-11-27 | Furrex Co., Ltd. | Systeme de commande d'emission d'echappement de type a decharge |
| KR100504397B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2005-09-26 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| US7176492B2 (en) * | 2001-10-09 | 2007-02-13 | 3M Innovative Properties Company | Method for forming ceramic microstructures on a substrate using a mold and articles formed by the method |
-
1997
- 1997-02-27 JP JP9043750A patent/JPH10241579A/ja active Pending
Cited By (7)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100504397B1 (ko) * | 1997-12-30 | 2005-09-26 | 엘지전자 주식회사 | 플라즈마 디스플레이 패널 |
| US7176492B2 (en) * | 2001-10-09 | 2007-02-13 | 3M Innovative Properties Company | Method for forming ceramic microstructures on a substrate using a mold and articles formed by the method |
| EP1442468B1 (en) * | 2001-10-09 | 2007-07-18 | 3M Innovative Properties Company | Assembly of ceramic microstructures on a substrate |
| EP1818967A2 (en) * | 2001-10-09 | 2007-08-15 | 3M Innovative Properties Company | Method for forming ceramic microstructures on a substrate using a mold and articles formed by the method |
| EP1818967A3 (en) * | 2001-10-09 | 2008-05-07 | 3M Innovative Properties Company | Method for forming ceramic microstructures on a substrate using a mold and articles formed by the method |
| US7429345B2 (en) | 2001-10-09 | 2008-09-30 | 3M Innovative Properties Company | Method for forming ceramic microstructures on a substrate using a mold |
| WO2003098014A1 (fr) * | 2002-05-17 | 2003-11-27 | Furrex Co., Ltd. | Systeme de commande d'emission d'echappement de type a decharge |
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