TWI258518B - Thermal shield device in apparatus for pulling silicon monocrystal - Google Patents

Description

1258518 玖、發明說明： 【發明所屬之技術領域】 ，本發明係有關—㈣單結晶拉晶裝置之熱遮蔽組件， 裝没於拉晶石夕單結晶棒生長之裝置。 【先前技術】 以往’此等石夕單結晶棒拉晶裝置，曾有將儲存石夕融液 之石英掛堝收容於容器内，切單結晶棒外周面與石英掛 禍内周面之間’以包圍石夕單結晶棒之狀插入熱遮蔽組件之 拉晶裝置，見於日本專利（參照專利公们）。該裝置之孰 遮蔽組件係具筒部，包圍拉晶之石夕單結晶棒外周面，且; 2位於下端自石夕融液表面留有間隔之上方之加熱器之輕 …、而此熱遮蔽組件係構成為，可順利引導流下矽單结 晶棒外周面與筒部内周面之間之不活性氣體。於此拉晶裝 置’由熱遮蔽組件遮住自露出之石英掛堝内部壁之輕射孰 防止輻射熱達梦單結晶棒之外周面，加速拉晶中之 夕早…晶棒凝固，快速冷卻矽單結晶棒。 >、w麻# ..... w僻取丹蜀同部在輻射熱 域具耐熱性之黑料母材，與覆蓋此母材之石夕單結 ::邊之面，且以輕射率較母材為小之石英等覆蓋材之多 層構造者（例如專利資料^彳 如此構叙熱遮蔽組件， ::二輪射率較大之：材，以熱輻射率較該母材為小之覆 蔽心盍JL 強矽早結晶棒對掛堝及加熱器之輻射熱遮 ^ f _：其、^果，可加速石夕單結晶棒之冷卻而拉晶速度加 决’提鬲矽單結晶棒之生產性。 1258518 另外，在製造半導體集體電路工序，降低良品率之原 因有如下各項：成為氧化感應疊層瑕疵（Oxidation induced Stacking Fault以下稱〇SF)之核之氧化分離物微小瑕疵， 或起因於結晶之微粒（Crystal 0riginated Particle以下 稱 COP) ’ 或侵入型位錯（Inter stitial type Large Dislocation以下稱l/D)。OSF係在結晶成長時引入成為 核之微小瑕疵，在製造半導體元件時因熱氧化工序等而顯 現化’構成所製元件增加泄漏電流之不良原因。C〇p係晶圓 在經鏡面磨光後，以氨與過氧化氫混合液洗滌時出現於晶 圓表面之結晶引起之凹痕（pi t)。將該晶圓以顆粒計數器測 量時’此凹痕與原來之顆粒均檢測為光散射瑕疯。 該COP構成劣化電氣的特性之原因，例如氧化膜之經 時絶緣破壞特性（Time Dependent dielectric Breakdown， TDDB)、氧化膜耐壓特性（Time Zero Dielectric Breakdown，TZDB)等。又，COP留存於晶圓表面時，在元件 佈線工序產生段差，構成斷線之原因。又在元件分離部分 構成泄漏等原因，降低製品良品率。再者，L/ D亦稱為位 錯凝塊（dislocation cluster)，或將有此瑕疵之矽晶圓 浸潰於氟為主成分之選擇蝕刻液即產生凹痕，故亦稱位錯 凹痕。此L/D亦構成使電氣特性，例如泄漏特性，隔離特 性等劣化之原因。此結果，為製造半導體集體電路所用矽 晶圓有需要減少OSF、COP及L/D。 為切割無〇SF、COP及L/ D之無瑕疵矽晶圓，有根據 Voronkov理論之矽單結晶拉晶棒製造方法（參照例如專利 1258518 公報3及4)。此Voronkov理論係以快速拉晶矽單結晶棒 時，在矽單結晶棒内部有空洞型點狀瑕疵之凝聚體形成為 主導存在領域〔V〕，以慢速拉晶矽單結晶棒時，在矽單結 晶棒内部有格子間矽點狀瑕疵之擬聚體形成為主導存在領 或〔I〕因此，於上述製造方法，以最適當之拉晶速度拉 上石夕單結晶棒時，可使碎單結晶棒軸方向之溫度坡度之徑 方向分布大致均勻，而可製造出不存在上述瑕疵之擬聚體 之，以完整領域〔P〕所成之矽單結晶棒。 【發明内容】 %将開平8— 325090號公報所示單結晶拉晶裝 置=熱遮蔽組件’目自％融液拉晶㊉單結晶棒之外周面放 熱里多’較之於碎單結晶棒中央之軸方向之溫度坡度，於 2結晶棒外”之财向之溫度坡錢高，而無法使石夕 Γ，、°晶棒之於軸方向之溫度坡度之徑方向分布為均勻之問 ^尤其是單結晶棒之Απ徑化之狀形下，上述石夕單 =晶棒之中心部與外周部之轴方向溫度坡度差必將更大。 =瑕Γ結晶棒中將發生因上述熱差之張力，而難於獲 侍無瑕疵之矽單結晶棒之慮。 sihi <日的，係提供—種⑨單結日日日拉晶裝置之埶 …融液拉晶時之”結晶棒下部外周 低’得以縮切單結晶棒中心部與外周部 二之/皿度坡度差，而獲得無瑕疵之矽單結晶棒者。 ::專利範圍第Μ之發明，係如第2圖所示，經 、遮蔽組件，係由具備：筒部37,裝設於由包圍石. 1258518 坩堝13外周面之加熱器18加熱，自儲存於石 :夕二液12將料結晶棒25之拉晶裝置，其下端“夕融； U表面留下間隔位於上方且包时單結晶棒冗之^ 以遮蔽加熱器18之輻射熱；膨出部4卜裝設於筒部 部向湾内方向膨出；圓圈狀蓄熱組件47，裝設於 内部而包圍矽單結晶棒25下部外周面。 47之之構成’係如第1圖所示形成為，蓄熱組件 …、傳導率為5W/ (m· °C )以下，蓄熱組件47之内周 面與石夕單結晶棒25之軸（線成平行，或以_3()度以上帽 以下之角度傾斜，設石夕單結晶棒25之直徑“時，以⑽龍 以上’抑畜熱組件47之内周面高度丨為1〇mm以上d/2以下， 與石夕單結晶棒25外周關之最小間隔^為1()mm以上 以下。 · 於申請專利範圍第1項之石夕單結晶拉晶裝置之熱遮蔽 組件’其中自膨出部41下方之石夕融液附近之石夕單結晶棒^ 周圍，係受高溫加熱器18與矽融液12之積極加熱。另外 設於膨出冑41内部之蓄熱組#47亦受高溫加熱$ 18與矽 融液12積極加熱，而與膨出部41面對之石夕單結晶棒25周 圍由被加熱之蓄熱組件47加熱，由此，得以阻止石夕單結 曰曰棒2 5下σ卩外周部之急速溫度降低，於此部分之梦單結晶 棒25之軸方向之溫度坡度之徑方向分布大致成均勻，依 Voronkov之V/G模式，可製造無瑕疵之矽單結晶棒“。 另外膨出4 41上方之筒部37内邊，因設於膨出部 41内部之蓄熱組件47遮住高溫矽融液12之輻射熱，筒部 10 1258518 3 7亦可遮住加熱器1 8之輕射熱。因此，位於膨出部41上 方之矽單結晶棒25之放熱，較上述矽單結晶棒25下部更 加速。 在此，蓄熱組件47之熱傳導率超過5W/ ( m · t )，或 於蓄熱組件47内周面咼度Hi未满1 〇min，或石夕單結晶棒25 外周面與蓄熱組件47内周面間之最小間隔超過〇2d，則無 法充分隔絶矽融液12之輻射熱。該蓄熱組件47之理想熱 傳導率為1W/ (m ·。。）以下。又，蓄熱組件47之内周面 之高度超過d/2時，内藏該蓄熱組件47之膨出部41大 型化，難於加速位於較膨出部41上方之矽單結晶棒25之 散熱。又，矽單結晶棒25之外周面與蓄熱組件47之内周 面間之最小間隔Wi為未满1 〇mm時，拉晶中之石夕單結晶棒 25有慮碰到内藏此蓄熱組件47之膨出部41。 申請專利範圍第2項之發明為申請專利範圍第丨項之 發明’其中’蓄熱組件47具財單結晶棒25之軸心線成 平打’或具-30度以上+ 3G以下之角度傾斜之外周面，其 外周面上緣與蓄熱組件47之最下部間之垂直距㈣㈣丽 以下d以上，而與石英坩堝13内周面之最小間隔^為2〇咖 以上d/4以下之矽單結晶拉晶裝置之熱遮蔽組件。 *於此申請專利範圍第2項之石夕單結晶拉晶裝置之熱遮 蔽組件’將矽融液12或自石英坩堝13之散熱由蓄熱組件 Ο之下面及外周面接受，而f熱組件47本身之溫度上昇， 可阻切單結晶棒25之於固液界面附近之石夕單結晶棒Μ 外周部之急速溫度降低。在此，如蓄熱組件47之外周面高 11 1258518 度Η2為未满l 〇_時盔法右 * 充分隔開散熱，超過矽單結晶棒 工、内藏此蓄熱組件47之膨出部41會大型化。 又，與石英坩堝13内用而„ η 丨41曰穴生化。 該熱遮蔽組件36有慮 】石央掛㈣，超過 =’蓄熱組件47能對形成為水平之 以超過0度之80度以下之 直;ρ變大ϋ $ & 又 > 成為隨著向上方而 由於具有水平或傾斜之上面，流下 矽早、、、口日日棒25之外周面與筒部37之内 ，可順利弓丨導至㈣液12膨出部41之間。，1體 另外，蓄熱組件47底面，么# w # A a 低面為促進蓄熱組件47儲存來 二融二=射熱’如第1圖所示成為水平面，或如第 ^及//G圖所示’形成為對平面以超過〇度之80度以下 之角或Θ)隨著向下方或上方，直徑變小為佳。 申=範圍第6項之發明，為屬申請專利範圍第1 d曰:之發明，其中如第1圖所示，筒部37 輕早^拉晶裝置之熱遮蔽組件’係具備：内筒组件 外=件m;隔熱材37c’充填或介於内筒組件 外4組件37b之間。 ，、 於此申請專利範圍第6項之矽單处日如日 蔽組件，可有效遮蔽加熱器18及石早英 早、、、口曰日棒25之輻射熱，加速冷卻超越 之石夕單結晶# Μ。 ® I 而拉上 申請專利範圍第7項之發明，屬申請專利範圍第6項 12 1258518 ’其中，隔熱材 之厚度t為5mm 之lx明之矽單結晶拉晶裝置之熱遮蔽組件 料37c之内徑〇1為2d以上，隔熱材料37c 以上。 於如申請專利範圍第8項之發明，屬申請專利範圍第7 項之發明，設内筒組件37a之厚度為"夺，内筒組件⑽ :内徑D4(2d-2n)以上之石夕單結晶拉晶裝置之熱 件。 於此申請專利範圍第7項及第8項之石夕單結晶拉晶裝 置之熱遮蔽組件，係不僅可確實遮蔽加熱器18及石英掛塌 13内周壁向矽單結晶棒25之輻射熱，筒部37愈離遠結晶 25，愈可加速冷卻於膨出部41上方之結晶託。 【實施方式】 依據圖面說明本發明之第1實施方式。 如第2圖所示，矽單結晶拉晶裝置1〇之容器u，裝設 儲存矽融液12之石英坩堝13，此石英坩堝13外周面由黑 金口承受器14覆蓋。石英掛塌13下面經過上述黑錯承受器 14固定於支軸16上端，此支軸16下部連接於坩堝驅動裝 置17。於坩堝驅動裝置17具備無圖示之旋轉石英坩堝13 用苐1旋轉用馬達，及昇降石英掛竭13用昇降馬達，由此 等馬達，石英坩堝13可按規定方向旋轉，及上下方向移動。 石英掛堝13外周面留規定間隔被加熱器18所包圍，而該 加熱器18又被保溫筒19所包圍。加熱器18係將投入石英 掛竭13之咼純度石夕多結晶體加熱並融解成石夕融液12。 容器11上端連接圓筒狀蓋體21。此蓋體21裝設拉晶 13 1258518 袁置22。拉晶裝置22具備··拉昇頭（無圖示），裝設於蓋 體21上端部成可水平狀態旋轉；第2旋轉馬達（無圖示） 旋轉上，第2旋轉馬達用；索纜23,從拉昇頭向石英坩堝 之方疋轉中心垂下，及拉升用馬達，將裝設於上述拉昇頭 内之索纜23捲取或捲開。在索纜23下端裝有種子結晶2扣 為拉晶浸潰於矽融液12之矽單結晶棒。 再者，容器11連接氣體送排裝置28，對容器u之矽 單結晶棒邊送人不活性氣體，並將上述不活性氣體自容器 11之坩堝内周面邊排出。氣體送排裝置28具備··供氣管 29 ’、蠕連接於蓋體21周壁，另一端連接於儲存上述不 活性氣體之儲存槽（無圖示）；與排氣管3〇,其一端連接於 容器11下壁，另一端連接於真空泵（無圖示）。於供氣管 29與排氣管30各設有第丨及第2流量調整閥31、犯，可 調整流於管29、30之不活性氣體流量。 另外，拉晶用馬達之輸出袖（無圖示）裝設編碼器 (encoder)(無圖示），坩堝驅動裝置17裝設編碼器（無 圖示），為檢測支轴16之昇降位1。2部編碼器之各檢測輸 出連接於控制輸入之控制器（無圖示），控制輸出之控制器 为別連接於拉晶裝置22之拉升馬達，及坩堝驅動裝置17 之昇降用馬達。又，控制器設存儲部（無圖示），存 器所檢測輸出之索缓23捲取長度，即，石夕單結晶棒託之 拉晶長度存儲為第1映像（map )。又，存儲部存儲矽單結 晶棒25拉晶長度對石英坩堝13内矽融液12之液面水平為 第2映像。控制器依據拉晶馬達之編碼器檢測輸出，控制 14 1258518 坩堝驅動裝置17之昇降用 融液12之液面經常保持一 馬達，構成使石英坩堝13内矽 定水平。 隹矽單結晶棒 裝設熱遮蔽組件36，包圍：：石曰英：堝13内周面之間 遮蔽組件36係具備：筒部3 25之外周面。此熱 …射熱;及凸緣部 平方向凸出。將上述凸緣部 上緣向略水 緣4 38裝載於保溫筒1 熱遮蔽組件36固定於容器11内，成為筒邱q7 使 液12表面位於規定距離之上方。如第；圖下緣自:夕融 係具備：内筒組件37a、外筒組件m、及隔：材/ 3: 填或介於⑽組件3 7 a與外筒組件3 7之間。於此實施C方式 之=37為同一直徑之筒狀體，隔熱體 製 =材所成:於是，單結晶棒25之 ^1〇〇随以上時’此隔熱材祝之内㈣4 2d以上，而在 夕Μ組件m不接觸石英賴13内面之範圍内決定其外徑 之材广之厚度t形成為5職以上，内筒組件仏 時，内筒組件37a之内㈣形成為(2d—2n)以 上。=疋此筒部37下部裝設膨出部41向筒内方向膨出。 路出4 41係具備：圏狀底壁42，連接於筒部π下緣 而水平延伸達梦單結晶棒25外周面附近·豎壁W連接於 底壁=2之内緣，及上壁46連接於該豎壁〇之上緣所構成。 於此實施方式’筒部37之外筒組件37b與底壁42為一體 ^勢者’而筒部37之内筒組件37a與上壁42與豎壁46亦 -體形成者。内筒組件37a、外筒組件奶、底壁^、豐壁 15 1258518 44及上壁46，以對熱穩定之高純度黑鉛或表面塗覆sic之 黑錯者為佳，但是，亦可使用對熱穩定之錮（M。）或鶴（W)等 材料。 上壁46形成為水平，或隨著向上方直徑愈大，構成上 緣連續於筒部37之内筒組件37a。χ，受筒部37之下部之 外筒組件37b之下部與底壁42與豎壁44與上壁料所圍住 之膨出部41内部裝設圈狀蓄熱組件47。於此實施方式之蓄 熱組件47,在膨出部41内部充填碳纖維製〇 〇5〜〇 5〇g/ 之毛毯材所形成，使用此碳纖維為蓄熱組件4 7，其蓄 熱組件47之熱傳導率可限制於5W/ (m ·艺）。但是，蓄熱 組件。47不限於碳纖維製之毛毯，只要其熱傳導率在5w;、 (m· C)以下，則氧化鋁粉等隔熱材料亦可使用。 膨出部41内部所設之蓄熱組件47，由形成膨出部41 之豎壁44、對矽單結晶棒25之軸心線，形成平行或〜3〇 度以上+ 30度以下之角度傾斜之内周面，如矽單結晶棒25 之直徑為d，其蓄熱組件47之内周面高度丨為1〇mm以上廿 /2以下，而形成為與矽單結晶棒25外周面間之最小間隔 W/為1〇mm以上〇·2(1以下。在此，一3〇度係指形成為對矽 單結晶棒25之軸心線以30度之角度隨著向上直徑愈小， + 30度係指形成為對矽單結晶棒25之轴心線以3〇度之角 度隨著向上直徑愈大，但是。理想為對矽單結晶棒25之軸 心線成平行，即，蓄熱組件47之内周面形成為鉛直為佳。 另外，構成膨出部41之上壁46形成為水平，或隨著 向上直徑愈大’因此蓄熱組件47在形成為水平之上面，或 16 1258518 對水平面超過〇度之80度以 上直徑兪大之上面，蓄Α角度ά，具形成為隨著向 且仏忍八您上面，畜熱組件〇形 石夕單結晶棒25之軸心線平衡，或以—3〇 S 之下部對 下之角度傾斜之外周面。於是，底 又以上+ 30度以 蓄埶组件47且m ^工、底壁42形勢為水平延伸而 …、、仵47具形成為水平之底面，蓄敎細杜^ 及外周面各別之下緣在同一鉛直位置，’、、形 ？周面 緣與蓄熱組件47之最下部管之垂直距離;2為二=上 而與石英掛塌13内周面間之最小間隔20随以上d/4: 下。又’為拉晶直徑d為2GGnm之秒結晶棒25時間隔 之理想値為15〜35醜’間隔W2之理想値為2〇〜4〇職。1 以下說明如此構成之矽單結晶拉晶裝置之動作。 以往，石夕單結晶拉晶裝置之熱遮蔽組件，將石夕單社曰 自料液12以規定速絲㈣，料結晶棒25 = 融液12附近之由外周面之放敎吾客 ^ 多’因此’ ♦單結晶棒中

央軸方向之溫度坡度，較梦單結晶棒外周部自轴方向之溫 度坡度為高。 /jnL 但是，於本實施方式之碎單結晶拉晶裝置之熱遮蔽組 件36’在比膨出部41下方之石夕融液附近之石夕單結晶棒巧 周圍，由高溫之加熱器18及矽融液12而積極加熱。另一 方，設於膨出部41 β部之蓄熱組件47，亦被高溫加熱器 18及矽融液12積極加熱，面對此膨出部41之矽單結晶棒 25周圍則由被加熱之蓄熱組件47加熱。由此，矽單棒 25下部外周部之急速溫度降低受阻止，在此部分之矽=結 晶棒25轴方向之溫度坡度之徑方向分布成大致均勻由 17 1258518

Voronkov 之 V/g 模式，π 由， 另-方，比膨出部41上方造無瑕疵之矽單結晶棒25。 加埶18之之筒部37内邊，由筒部37遮蔽 力=8之“射熱’由設於膨出部4 亦遮蔽咼溫矽融液12 畜…、、、且件47 上方之欲里处日技〇 #田射熱。因此，位於比膨出部41 力= 曰棒25之放熱比較上述梦單結晶棒25下部 實轭方式，熱遮蔽組件之筒部37形成

筒狀，但，亦可如第3m张-咏 ❿风马W 弟3圖所不，筒部37隨著 愈小之中空圓錐台狀。使筒邱， 乃风1位 便疴邛37形成為隨著向下方成直徑 愈二、，可將流下筒部37與矽單結晶棒25外周面間之不活 性氣體順暢引導至矽融液12與膨出部41之間。 又，於上述實施方式，例示在内筒組件37a與外筒組 件37b間充填隔熱材料37c之筒部37,只要是蓄熱組件心 内周面高度札為l〇mm以上d/2以下，與矽單結晶棒25外 周面間之最小間隔^為l〇mm以上〇.2d以下時，如第4圖 所示，無充填隔熱材之筒部37亦可。 又’於上述實施方式，由豎壁44、底壁42、及上壁46 所成之膨出部41，例示剖面四方形之蓄熱組件47，但如第 5圖所示，蓄熱組件47剖面為六角形，或如第6圖〜第8 圖所示之剖面為五角形亦可。此等五角形或六角形，只要 蓄熱組件47内周面高度H!為10mm以上d/2以下，與石夕單 結晶棒25之外周面之最小間隔1為10mm以上〇· 2d以下 時，比膨出部41下方之矽融液附近之矽單結晶棒25周圍， 被高溫加熱器18及石夕融液12積極加熱，可阻止石夕單結晶 18 1258518 棒25在固液界面附近之矽單結晶棒25外周部之 降低。 再者，於上述實施方式，蓄 少力乂厄甶马水平7 要蓄熱組件47内周面高度Hi為1 〇mm以上d/ 2以下，與 矽單結晶棒25之外周面間之最小間隔^為1〇mm以上〇.2d 以下時，如第9圖及第1 〇圖所示，亦可使蓄熱組件47對 平面以超過0度之80度以下之角度（6^或0)，隨著向下 :或上方形成直徑愈小之底面亦可。如此熱遮蔽組件，亦 能使比膨出部41下方之石夕融液附近之石夕單結晶棒託周 圍’被高溫加熱器18及㈣液12積極加熱，而阻止石夕單 結晶棒25外周部之急速溫度降低。 。如上所述，依本發明，蓄熱組件之熱傳導率為5w/(m· °C)以下’設料結晶棒之直徑為㈣，形成為蓄熱組件 之内周面高度為l〇mm以上d//2以下，而與矽單紝曰 外周面間之最小間隔為U)随以上G.2d以下時，自:出部 下方之㈣液付近之妙單結晶棒周圍受高溫加熱器及石夕融 液積極加熱。X，面對膨出部之石夕單結晶棒周圍則由被加 熱之畜熱組件加熱。由此可阻止石夕單結晶棒下部外周部之 急速溫度降低，在此部分之石夕單結晶棒之轴方向之溫度坡 度之控方向分布成大致均句，由VQrQnkQV2 v八模=， 可製造無瑕疵之矽單結晶棒25。 、工 又，蓄熱組件之外周面之上緣與蓄熱組件最下部之垂 直距離為1〇丽以上d以下，與石英掛禍内周面間之最小間 隔W42〇mm以上d/4以下時’受_融液或石英掛堝之 19 1258518 放熱，可有效阻止矽單結晶棒在固液界面附近之矽單結晶 棒下部外周部之急速溫度降低。 之内周壁向 再者，筒部在内筒組件與外筒組件之間充填隔熱材 :斗’可有效遮蔽自石英坩堝之内周壁至矽單結晶棒之輻射 ::而加速超過膨出部拉升石夕單結晶棒時之放熱，其隔埶 呌如為規定形狀，則可確實遮蔽自石英坩堝 …、 石夕單結晶棒之輻射熱。 20 1258518 【圖式簡單說明】 第1圖為本發明矽單結晶拉晶裝置之熱遮蔽組件，在 第2圖A部分放大剖面圖。 第2圖為其矽單結晶拉晶裝置之剖面構成圖。 第3圖為筒部形成愈向下方直徑愈小之熱遮蔽組件之 剖面圖。 第4圖為筒部無充填隔熱材料之熱遮蔽組件之剖面圖。 第5圖為蓄熱組件之剖面為六角形狀之熱遮蔽組件剖 面圖。 第6圖為蓄熱組件之剖面為五角形狀之熱遮蔽組件剖 面圖。 第7圖為蓄熱組件之剖面為五角形狀之另一熱遮蔽組 件剖面圖。 第8圖為蓄熱組件之剖面為五角形狀之再一熱遮蔽組 件剖面圖。 第9圖為蓄熱組件之底面形成為愈向下方其直徑愈小 之熱遮蔽組件剖面圖。 第10圖為蓄熱組件之底面形成為愈向上方其直徑愈小 之熱遮蔽組件剖面圖。 【符號之說明】 10 矽單結晶拉晶裝置 12 矽融液 13 石英坩堝 18 加熱器 21

Claims (1)

1. ：I258518

   拾、申請專利範圍： 1·一種矽單結晶拉晶裝置之熱遮蔽組件，其中，熱遮蔽 組件36，係設於由包圍石英坩堝13外周面之加熱器18所 加熱’而儲存於上述石英掛禍13之石夕融液12中之石夕單結 ，棒25之拉晶裝置22，且具備：筒部”，其下端位於上 $矽融液u表面留間隔之上方，而包圍上述矽單結晶棒25 外周面以遮蔽上述加熱器18之輻射熱；膨出部41，設於上 J筒部37下部向筒内方向膨出；及圈狀蓄熱組件47,包圍 没於上述膨出部41内部之上㈣單結晶棒2 面，其特徵包括： 上述蓄熱組件47之熱傳導率為5W/(m ·它）以下； 、一上述蓄熱組件47具有對上述矽單結晶棒25之軸心線 平行或-3G度以上+ 3〇度以下之角度傾斜之内周面； 上述石夕單結晶棒25之直徑W時，以1〇〇職以上， 而上逑蓄熱組件47之内周面高度印為1〇mm以上Μ以 與上述碎單結晶棒25之外周面間之最小間隔 l〇mm以上〇·2(1以下； 上述蓄熱組件47具有對上述矽單社曰接 平杆七心 $ 丁工您’早、，曰曰棒25之軸心線 千仃或-30度以上+ 3〇度以下角度傾斜之外周面；及 上述二卜周面之上緣與蓄熱組件47之最下部間之垂直距 離仏為1Gmm以上d以下，與上述石英㈣ 小間隔I為20mm以上d/4以下。 円周面之敢 蔽組2件如申其請中專利範圍第1項增結晶拉晶裝置之熱遮 23 1258518 N -f I 該蓄熱組件47具有，對 以超過〇度之80度以下之备二-水平之上面或水平面， 徑增大之上面。 之角度…’向上方逐漸形成直 3 ·如申請專利範圍第 之熱遮蔽組件，其tlM、/ 2項之⑨單結晶拉晶裝置 亥畜熱組件47具有水平之底面。 4 ·如申凊專利範圍第1 口口 ^ 、成第2項之矽早結晶拉晶裝置 :=下之Λ蓄熱組件4 7具有:對平面以。度以 減小之又底^ 或㈠逐漸向下方或上方形成直徑 /由如申請專利範圍第1項或第2項之梦單結晶拉晶裝置 之熱遮蔽組件’其中該筒部37具有：内筒組件37a、外筒 組件3几、及隔熱材料37c，該隔熱材37c係充填或配置在 上述内筒組件37a與外筒組件37b之間。 + 6·如申請專利範圍帛5帛之石夕單結晶拉晶裝置之熱遮 蔽組件，其中該隔熱材料37c之内徑D,為2d以上，厚度t 為5mm以上。 7·如申請專利範圍第6項之矽單結晶拉晶裝置之熱遮 蔽組件’其中該内筒組件37a之厚度為η時，内筒組件37a 之内徑D2為（2d~ 2n)以上。 24