JP3241518B2 - シリコン単結晶の製造装置 - Google Patents

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【産業上の利用分野】本発明は、チョクラルスキー法で
シリコン単結晶棒を得ることのできる新規な製造装置に
関する。

【０００２】

【従来の技術】単結晶の製造方法として、坩堝内の融液
から結晶を成長させつつ引上げるチョクラルスキー法
（ＣＺ法）が広く行なわれている。

【０００３】このＣＺ法によりシリコン単結晶を得よう
とする場合、例えば図３に模式的に示すような構成の単
結晶製造装置が用いられている。

【０００４】当該単結晶製造装置３１は、図３に示すよ
うに加熱チャンバ部２ａと引上げチャンバ部２ｂとから
なるチャンバ２を有している。加熱チャンバ部２ａ内に
は、チャンバ２の外部に位置する駆動装置（図示せず）
よりチャンバ底部を貫通して延長される回転軸３に支持
された石英製坩堝４が配置されており、またこの坩堝４
を所定の間隔を有して囲繞する筒状の加熱ヒータ５が備
えられており、さらにこのヒータ５の外方には断熱材６
が配されている。なお、この例においては石英製坩堝４
の外周は黒鉛製坩堝７により保護されており、さらにこ
の黒鉛製坩堝７は黒鉛製受皿８を介して回転軸４へ支持
されている。

【０００５】一方、引上げチャンバ部２ｂは、前記石英
製坩堝４内に形成されるシリコン融液９から引上げ軸に
沿って前記加熱チャンバ部２ａよりも上方へ延長され
た、前記加熱チャンバ部２ａよりも内径の小さな部位で
ある。

【０００６】またチャンバ２内にはチャンバ上部壁面を
挿通して上方より垂下された先端部に種結晶１２を保持
するためのチャック１３を有する引上げワイヤ１４が配
してあり、この引上げワイヤ１４は、前記引上げチャン
バ部２ｂの上部に設けられたワイヤ引上げ装置１１によ
って、回転しながら昇降することを可能とされている。

【０００７】このような構成を有する単結晶製造装置３
１において、単結晶の育成を行なうにはまず、石英製坩
堝４内に多結晶シリコンおよび必要に応じて添加される
ドーパントなどの原料を所定量装填し、加熱ヒータ５に
よって加熱して原料を溶融して融液９を形成する。そし
て、該融液９に引上げワイヤ１４先端に取付けられた種
結晶１２を浸漬し、石英製坩堝４および種結晶１２を回
転させながら引上げ、種結晶１２の下端に単結晶インゴ
ット１０を成長させるものである。

【０００８】しかしながら、このような単結晶引上げ装
置においては、石英坩堝４の溶解によって酸素などの多
量の不純物が融液９中に混入し、育成したシリコン単結
晶１０にはこの不純物が取込まれて点欠陥を生じること
が知られており、点欠陥はその後の熱履歴により核化析
出し、酸素誘起積層欠陥（ＯＳＦ）などの製品品質に重
大な影響を及ぼす欠陥を形成することが問題となってい
る。

【０００９】上記問題点を解決するための手段として、
引上げ中の単結晶の冷却速度を向上させ、単結晶の熱履
歴を制御することで、単結晶中の点欠陥の核化析出を抑
制し、併せて生産効率の向上を図るために、チャンバ２
内に引上げ中の単結晶インゴット１０に一定間隔をおい
て囲繞する円筒状の熱遮蔽体を配することが提唱されて
いる。

【００１０】例えば、特公平３−３５２７９号公報、特
開平２−１５７１８０号公報には、上述したような単結
晶製造装置３１において、引き上げられるシリコン単結
晶棒を同軸に囲む円筒を用いた引上げ装置が開示されて
いる。これらは、円筒２１が引上げ室天井２ｃに固定さ
れているか、または移動式の場合には単純に引上げ室天
井２ｃに置くだけの構造となっている。

【００１１】上記単結晶引上げ装置によれば、円筒２１
は、引上げ時はその先端を融液に接近させる。一方、多
結晶積付け時には溶融後に比べシリコン原料の上端が高
くなるので円筒２１を上方に退避させる必要がある。よ
って、従来技術として上記に開示されているように、円
筒２１を引上げ室天井２ｃに固定することは問題があ
る。

【００１２】また、円筒２１は、単結晶棒を囲むこと
で、熱遮蔽を行い、単結晶の冷却を促進することで大き
な品質上の効果を生む。この目的のためには、円筒２１
の材質として熱伝導度の優れた黒鉛を用いることが好ま
しく、重量的にも人が簡単に抱えられる程度であり作業
性が良い。但し、熱遮蔽効果を十分に上げるためには、
周囲の熱源から吸収した熱を除去してやる必要がある。

【００１３】従来技術として上記に開示されているよう
に、引上げ室天井２ｃの上に単純に円筒２１の上端を引
掛けるように置くだけでは、接触は点接触となり、接触
部の熱抵抗が高く、熱伝導が極めて悪くなり、満足に熱
を逃がすことが困難である。

【００１４】

【発明が解決しようとする課題】したがって、本発明
は、引上げ単結晶棒を同軸に囲む円筒を引上げ室天井か
ら吊下げるチョクラルスキー法のシリコン単結晶の製造
装置において、引上げ室天井と円筒との接触部の熱伝導
性を向上させ、該円筒の熱遮蔽効果を向上させることの
できるシリコン単結晶の製造装置を提供することを目的
とするものである。

【００１５】

【課題を解決しようとするための手段】本発明者らは、
上記諸目的を達成するために、チャンバ内に設置された
坩堝中の融液からシリコン単結晶を引上げるシリコン単
結晶の製造装置において、引上げ室天井と円筒との接触
部の熱伝導性向上に関し鋭意検討した結果、該接触部に
熱伝導性に優れかつ軟らかい物質を採用し、接触部をミ
クロ的な面接触とし、また限られたスペース中での該接
触部の接触面積を増大させ、さらに該接触部に傾斜角度
をもたせ、接触部にかかる押しつけ力を増しミクロ的な
接触面積を増大させ、さらにこれら接触部の熱伝導性を
向上させる手段を組合わせることにより上記目的を達成
する上でより効果的であることを見出し、この知見に基
づき本発明を完成するに至ったものである。

【００１６】すなわち、本発明の目的は、（１）引上げ
単結晶棒を同軸に囲む円筒を引上げ室天井から吊下げる
チョクラルスキー法のシリコン単結晶の製造装置におい
て、水冷される引上げ室天井部と該円筒との接触部とし
て、 銅もしくは黒鉛から製造した円筒保持部材を設けた
ことを特徴とするシリコン単結晶の製造装置により達成
することができる。

【００１７】本発明の他の目的は、（２）前記円筒との
接触面積が２００１５ｍｍ ² 以上となる円筒保持部材を
設けたことを特徴とする上記（１）に記載のシリコン単
結晶の製造装置により達成することができる。

【００１８】また、本発明の他の目的は、（３）引上げ
単結晶棒を同軸に囲む円筒を引上げ室天井から吊下げる
チョクラルスキー法のシリコン単結晶の製造装置におい
て、水冷される引上げ室天井部と該円筒との接触部とし
て、 該円筒との接触面積が２８５６４ｍｍ ² 以上となる
円筒保持部材を設けたことを特徴とするシリコン単結晶
の製造装置により達成することができる。

【００１９】さらに、本発明の他の目的は、（４）引上
げ単結晶棒を同軸に囲む円筒を引上げ室天井から吊下げ
るチョクラルスキー法のシリコン単結晶の製造装置にお
いて、水冷される引上げ室天井部と該円筒との接触部に
円筒保持部材を設け、 前記円筒保持部材の前記円筒との
接触部の接触面に傾斜角を持たせたことを特徴とするシ
リコン単結晶の製造装置によっても達成することができ
る。

【００２０】

【作用】本発明においては、チャンバ内に設置された坩
堝中の融液からシリコン単結晶を引上げるシリコン単結
晶の製造装置において、引上げ室天井ないしその近傍に
設けられた円筒保持部材と円筒との接触部の熱伝導性を
向上するために（１）円筒保持部材側の接触部に、熱伝
導性に優れかつ軟らかい物質（好ましい例として、銅な
どがある）を採用することで、接触部がミクロ的に面接
触となり、熱抵抗を大幅に低減させることにより達成す
ることができ、（２）さらに該接触部の接触面積を増大
させ、熱抵抗を大幅に低減させることによっても達成す
ることができ、（３）さらにまた、該接触部に傾斜角度
をもたせることで、同一円筒重量のもとで、接触部にか
かる押しつけ力を増大させることにより達成することが
でき、これによりミクロ的な接触面積の増大が図れ、さ
らに該傾斜角度を持たせた結果、限られたスペースの中
で接触部の面積を増大させることも可能である。（４）
さらにこれら接触部熱抵抗低減手段を組合わせること
で、上記目的を達成する上でより効果的であり、（５）
特に該円筒として黒鉛あるいは銅などを用いることは、
極めて優れた熱伝導性を確保でき、これに上記接触部熱
抵抗低減手段を組合わせることでにより、円筒自身の温
度が画期的に低減でき、円筒に接近する単結晶棒の表面
温度が大幅に低減することによっても達成することがで
きるものである。

【００２１】以下、本発明を実施態様に基づき、より詳
細に説明する。

【００２２】図１は、引上げ単結晶棒を同軸に囲む円筒
を引上げ室天井から吊下げるチョクラルスキー法のシリ
コン単結晶の製造装置において、水冷される引上げ室天
井と該円筒との接触部の熱伝導性を向上させる処置を加
えた円筒保持部材を設けてなる本発明の単結晶製造装置
の一実施態様の構成を模式的に表わす使用状態図であ
る。

【００２３】図１に示すように本発明に係わるシリコン
単結晶製造装置１は、チャンバ２内の坩堝４の上方に引
上げ単結晶棒を同軸に囲む円筒２１が設けられ、該円筒
２１を引上げ室天井２ｃから吊下げるべく水冷される引
上げ室天井２ｃには円筒保持部材２２が設けられ、それ
以外の構成は、上述した図３に示す従来のシリコン単結
晶製造装置３１とほぼ同様の構成を有するものである。
なお、図１において、図３に示す装置における部材と同
一の部材には同一の符号を付してある。

【００２４】図２は、図１の引上げ室天井２ｃに設けら
れた円筒保持部材２２と円筒２１との接触部の各態様の
構成を模式的に表わす使用状態図である。

【００２５】図２（ａ）は、円筒保持部材２２に、熱伝
導性に優れかつ軟らかい物質として、銅を採用したもの
である。これにより従来のＳＵＳ材料に比して接触部が
ミクロ的に面接触となり、熱抵抗を低減させることがで
きるものである。

【００２６】図２（ｂ）は、円筒保持部材２２に、熱伝
導性に優れかつ軟らかい物質として、銅を採用し、さら
に該円筒保持部材２２と該円筒２１との接触部の接触面
積を増大させたものである。これにより熱抵抗をより大
幅に低減させることができるものである。

【００２７】図２（ｃ）は、円筒保持部材２２に、熱伝
導性に優れかつ軟らかい物質として、銅を採用し、さら
に該円筒保持部材２２と該円筒２１との接触部の接触面
に傾斜角度をもたせたものである。これにより同一円筒
２１の重量のもとで、接触部にかかる押しつけ力を増大
でき、ミクロ的な接触面積の増大が図れ、さらに該傾斜
角度を持たせた結果、限られたスペースの中で接触部の
面積も増大させることができるものである。ここで該傾
斜角度αとしては、特に限定されるものではないが、通
常３〜４０°の範囲である。

【００２８】図２（ｄ）は、円筒保持部材２２に、熱伝
導性に優れかつ軟らかい物質として、黒鉛を採用し、保
持部材２２と該円筒２１との接触部の接触面に傾斜角度
をもたせたものである。これにより同一円筒２１の重量
のもとで、接触部にかかる押しつけ力を増大でき、ミク
ロ的な接触面積の増大が図れ、さらに該傾斜角度を持た
せた結果、限られたスペースの中で接触部の面積も増大
させることができるものである。ここで該傾斜角度αと
しては、特に限定されるものではないが、通常３〜４０
°の範囲である。

【００２９】なお、上記図２（ａ）〜（ｄ）において
は、引上げ室天井２ｃと円筒保持部材２２との接合は、
従来技術において用いられていたと同様のネジ止めもし
くは溶接などにより行うことができる。

【００３０】さらに円筒保持部材２２と該円筒２１との
接触部の接合は、上記図２（ａ）〜（ｂ）においては、
円筒保持部材２２のフランジ２２ａに該円筒２１上端に
設けられたフランジ２１ａを係合させることで行え、ま
た上記図２（ｃ）〜（ｄ）においては、保持部材２２と
該円筒２１との接触部の接触面をネジ止めもしくは溶接
などにより行うことができる。

【００３１】なお、上記円筒保持部材２２と上記円筒２
１との接触部の態様は上記各態様に限定されるものでな
いことはいうまでもない。

【００３２】次に、図２（ａ）〜（ｄ）においては、本
発明に係わる円筒２１の最大外径（ｄ１）（フランジ２
１ａ部分を含む）は、いずれも引上げ機のゲート弁の開
口直径（ｄ２）よりも小さいものでなければならず、ま
た、円筒２１の開口部内径（ｄ３）は、インゴット引上
げ時に単結晶インゴット１０（直径ｄ４）が通過するに
十分な大きさがあれば良く、好ましくは、ｄ３＞ｄ４＋
２０ｍｍである。

【００３３】また本発明に係わる円筒２１の本体部肉厚
は、２〜２０ｍｍの範囲が好ましく、該円筒２１の材質
としては、黒鉛、銅、炭化ケイ素（ＳｉＣ）などが用い
らる。また、この円筒２１を上記したような金属により
構成する場合には、その表面の一部もしくは全部を炭化
ケイ素（ＳｉＣ）等によりコーティングしたものとする
ことがシリコン単結晶の金属汚染を防止する上から望ま
しい。

【００３４】さらに、単結晶インゴット１０として６イ
ンチインゴット（直径ｄ４）を引き上げる最も一般的な
シリコン単結晶の製造装置１の場合、該円筒２１の本体
部肉厚として２ｍｍを選択した場合、図２（ａ）におい
ては、接触部面積は、π／４×（ｄ１² −（ｄ３＋４）
² ）＝２０１７０ｍｍ² となる（なお上記ｄ１＝２４４
ｍｍ、ｄ３＝１８０ｍｍとして算出した）。また、図２
（ｂ）においては、接触部面積は、π／４×（ｄ１² −
（ｄ３＋４）² ）＝２８５６４ｍｍ² となる（なお上記
ｄ１＝２６５ｍｍ、ｄ３＝１８０ｍｍとして算出し
た）。さらに、図２（ｃ）〜（ｄ）においては、接触部
の長さ（ｈ）は、長ければ長いほど接触面積を増大させ
ることが可能である。但し、引上げ炉の寸法、特に引上
げ室天井２ｃ・ゲート弁部寸法により、自ずと可能な最
大長さは制約を受け、一該には規定できないが、ここで
は一般的な引上げ炉の寸法から、ｈ＝１００ｍｍの場
合、接触部面積は、π（Ｒ＋ｒ）｛（Ｒ−ｒ）² ＋
ｈ² ｝^1/2 ＝７０１９０ｍｍ² となる（なお上記Ｒ＝ｄ
１／２、ｒ＝（ｄ３＋４）／２、ｄ１＝２４４ｍｍ、ｄ
３＝１８０ｍｍとして算出した）。

【００３５】

【実施例】以下、本発明を実施例によりさらに具体的に
説明する。

【００３６】実施例１ 図１に示すような本発明の単結晶製造装置１を用いて、
６インチおよび８インチのシリコン単結晶インゴット１
０の引上げ操作を行なった。

【００３７】また、単結晶製造装置１において、引上げ
室天井２ｃに設けられた円筒保持部材２２と円筒２１と
の接触部の構造としては、図２（ａ）に示すものを用
い、６インチシリコン単結晶製造装置の場合、該円筒２
１の本体部肉厚は５ｍｍ、該円筒２１の最大外径（ｄ
１）（フランジ２１ａ部分を含む）は２４４ｍｍ、該円
筒２１の開口部内径（ｄ３）は１８０ｍｍとし、接触部
面積を２０１７０ｍｍ² とし、８インチシリコン単結晶
製造装置の場合、該円筒２１の本体部肉厚は５ｍｍ、該
円筒２１の最大外径（ｄ１）（フランジ２１ａ部分を含
む）は３００ｍｍ、該円筒２１の開口部内径（ｄ３）は
２５０ｍｍとし、接触部面積を２００１５ｍｍ² とした
ものを使用した。また円筒保持部材の材質には銅を用
い、円筒の材質には黒鉛を用いた。

【００３８】この引上げ操作におけて得られた６インチ
および８インチのシリコン単結晶のＯＳＦ密度を評価
し、得られた結果を表１に示す。なお、ＯＳＦ密度の評
価は、各単結晶インゴットより切出されたシリコンウェ
ハを、熱酸化後、エッチングを行ない、顕微鏡観察によ
り観察することで行なった。

【００３９】実施例２ 実施例１と同様に本発明の単結晶製造装置１を用いて、
６インチおよび８インチのシリコン単結晶インゴット１
０の引上げ操作を行なった。

【００４０】また、単結晶製造装置１において、引上げ
室天井２ｃに設けられた円筒保持部材２２と円筒２１と
の接触部の構造としては、図２（ｂ）に示すものを用
い、６インチシリコン単結晶製造装置の場合、該円筒２
１の本体部肉厚は５ｍｍ、該円筒２１の最大外径（ｄ
１）（フランジ２１ａ部分を含む）は２６５ｍｍ、該円
筒２１の開口部内径（ｄ３）は１８０ｍｍとし、接触部
面積を２８５６４ｍｍ² とし、８インチシリコン単結晶
製造装置の場合、該円筒２１の本体部肉厚は５ｍｍ、該
円筒２１の最大外径（ｄ１）（フランジ２１ａ部分を含
む）は３３０ｍｍ、該円筒２１の開口部内径（ｄ３）は
２５０ｍｍとし、接触部面積を３４８５９ｍｍ² とした
ものを使用した。また円筒保持部材の材質には銅を用
い、円筒の材質には黒鉛を用いた。

【００４１】次に、実施例１と同様の操作および手順に
したがって、得られたシリコン単結晶のＯＳＦ密度を評
価し、得られた結果を表１に示す。

【００４２】実施例３ 実施例１と同様に本発明の単結晶製造装置１を用いて、
６インチおよび８インチのシリコン単結晶インゴット１
０の引上げ操作を行なった。

【００４３】また、単結晶製造装置１において、引上げ
室天井２ｃに設けられた円筒保持部材２２と円筒２１と
の接触部の構造としては、図２（ｃ）に示すものを用
い、６インチシリコン単結晶製造装置の場合、該円筒２
１の本体部肉厚は５ｍｍ、該円筒２１の最大外径（ｄ
１）は２４４ｍｍ、該円筒２１の開口部内径（ｄ３）は
１８０ｍｍ、接触部の長さ（ｈ）＝１００ｍｍとし、接
触部面積を７０１９０ｍｍ² とし、８インチシリコン単
結晶製造装置の場合、該円筒２１の本体部肉厚は５ｍ
ｍ、該円筒２１の最大外径（ｄ１）（フランジ２１ａ部
分を含む）は３００ｍｍ、該円筒２１の開口部内径（ｄ
３）は２５０ｍｍ、接触部の長さ（ｈ）＝１５０ｍｍと
し、接触部面積を１３２０５９ｍｍ² としたものを使用
した。また円筒保持部材の材質には銅を用い、円筒の材
質には黒鉛を用いた。

【００４４】次に、実施例１と同様の操作および手順に
したがって、得られたシリコン単結晶のＯＳＦ密度を評
価し、得られた結果を表１に示す。

【００４５】実施例４ 実施例１と同様に本発明の単結晶製造装置１を用いて、
６インチおよび８インチのシリコン単結晶インゴット１
０の引上げ操作を行なった。

【００４６】また、単結晶製造装置１において、引上げ
室天井２ｃに設けられた円筒保持部材２２と円筒２１と
の接触部の構造としては、図２（ｄ）に示すものを用
い、６インチシリコン単結晶製造装置の場合、該円筒２
１の本体部肉厚は５ｍｍ、該円筒２１の最大外径（ｄ
１）は２４４ｍｍ、該円筒２１の開口部内径（ｄ３）は
１８０ｍｍ、接触部の長さ（ｈ）＝１００ｍｍとし、接
触部面積を７０１９０ｍｍ² とし、８インチシリコン単
結晶製造装置の場合、該円筒２１の本体部肉厚は５ｍ
ｍ、該円筒２１の最大外径（ｄ１）（フランジ２１ａ部
分を含む）は３００ｍｍ、該円筒２１の開口部内径（ｄ
３）は２５０ｍｍ、接触部の長さ（ｈ）＝１５０ｍｍと
し、接触部面積を１３２０５９ｍｍ² としたものを使用
した。また円筒保持部材の材質および円筒の材質には黒
鉛を用いた。

【００４７】次に、実施例１と同様の操作および手順に
したがって、得られたシリコン単結晶のＯＳＦ密度を評
価し、得られた結果を表１に示す。

【００４８】比較例１ 実施例１と同様に本発明の単結晶製造装置１を用いて、
６インチおよび８インチのシリコン単結晶インゴット１
０の引上げ操作を行なった。

【００４９】また、単結晶製造装置１において、引上げ
室天井２ｃに設けられた円筒保持部材２２と円筒２１と
の接触部の構造としては、図２（ａ）に示すものを用
い、６インチシリコン単結晶製造装置の場合、該円筒２
１の本体部肉厚は５ｍｍ、該円筒２１の最大外径（ｄ
１）（フランジ２１ａ部分を含む）は２４４ｍｍ、該円
筒２１の開口部内径（ｄ３）は１８０ｍｍとし、接触部
面積を２０１７０ｍｍ² とし、８インチシリコン単結晶
製造装置の場合、該円筒２１の本体部肉厚は５ｍｍ、該
円筒２１の最大外径（ｄ１）（フランジ２１ａ部分を含
む）は３００ｍｍ、該円筒２１の開口部内径（ｄ３）は
２５０ｍｍとし、接触部面積を２００１５ｍｍ² とした
ものを使用した。また円筒保持部材の材質にはＳＵＳを
用い、円筒の材質には黒鉛を用いた。

【００５０】次に、実施例１と同様の操作および手順に
したがって、得られたシリコン単結晶のＯＳＦ密度を評
価し、得られた結果を表１に示す。

【００５１】

【表１】

【００５２】

【発明の効果】以上述べたように本発明によれば、単結
晶インゴットのＯＳＦ密度（特に８インチ結晶におい
て）の低減を実現することができる。

【図面の簡単な説明】

【図１】 引上げ単結晶棒を同軸に囲む円筒を引上げ室
天井から吊下げるチョクラルスキー法のシリコン単結晶
の製造装置において、水冷される引上げ室天井と該円筒
との接触部の熱伝導性を向上させる処置を加えた円筒保
持部材を設けてなる本発明の単結晶製造装置の一実施態
様の構成を模式的に表わす使用状態図である。

【図２】 図１の引上げ室天井に設けられた円筒保持部
材と円筒との接触部の各態様の構成を模式的に表わす使
用状態図である。

【図３】 従来のシリコン単結晶製造装置の構成を模式
的に表わす使用状態図である。

【符号の説明】

１…シリコン単結晶製造装置、 ２…チャンバ、２
ａ…加熱チャンバ部、 ２ｂ…引上げチャン
バ部、２ｃ…引上げ室天井、 ３…回転
軸、４…石英製坩堝、 ５…加熱ヒー
タ、６…断熱材、 ７…黒鉛製坩
堝、８…黒鉛製受皿、 ９…シリコン
融液、１０…単結晶インゴット、 １１…ワイ
ヤ引上げ装置、１２…種結晶、 １
３…チャック、１４…引上げワイヤ、 １
５…不活性ガス導入口、１６…ガス排気口、
２１…円筒、２１ａ…円筒のフランジ、
２２…円筒保持部材、２２ａ…円筒保持部材のフラン
ジ。

───────────────────────────────────────────────────── フロントページの続き (56)参考文献 特開 平２−97481（ＪＰ，Ａ) 特開 平２−157180（ＪＰ，Ａ) 特開 平５−238874（ＪＰ，Ａ) 特公 平３−35279（ＪＰ，Ｂ２) 実公 平５−23579（ＪＰ，Ｙ２) (58)調査した分野(Int.Cl.⁷，ＤＢ名) C30B 1/00 - 35/00

Claims (4)

(57)【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 引上げ単結晶棒を同軸に囲む円筒を引上
   げ室天井から吊下げるチョクラルスキー法のシリコン単
   結晶の製造装置において、水冷される引上げ室天井部と
   該円筒との接触部として、 銅もしくは黒鉛から製造した 円筒保持部材を設けたこと
   を特徴とするシリコン単結晶の製造装置。
2. 【請求項２】 前記円筒との接触面積が２００１５ｍｍ
   ² 以上となる円筒保持部材を設けたことを特徴とする請
   求項１に記載のシリコン単結晶の製造装置。
3. 【請求項３】 引上げ単結晶棒を同軸に囲む円筒を引上
   げ室天井から吊下げるチョクラルスキー法のシリコン単
   結晶の製造装置において、水冷される引上げ室天井部と
   該円筒との接触部として、 該円筒との接触面積が２８５６４ｍｍ ² 以上となる円筒
   保持部材を設けたことを特徴とする シリコン単結晶の製
   造装置。
4. 【請求項４】 引上げ単結晶棒を同軸に囲む円筒を引上
   げ室天井から吊下げるチョクラルスキー法のシリコン単
   結晶の製造装置において、水冷される引上げ室天井部と
   該円筒との接触部に円筒保持部材を設け、 前記 円筒保持部材の前記円筒との接触部の接触面に傾斜
   角を持たせたことを特徴とするシリコン単結晶の製造装
   置。