TWI251278B - Reflection plate for semiconductor heat treatment and manufacturing method thereof - Google Patents

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TWI251278B
TWI251278B TW092106916A TW92106916A TWI251278B TW I251278 B TWI251278 B TW I251278B TW 092106916 A TW092106916 A TW 092106916A TW 92106916 A TW92106916 A TW 92106916A TW I251278 B TWI251278 B TW I251278B
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Kazuhiko Shimanuki
Hiroyuki Honma
Norihiko Saito
Hideyuki Yokoyama
Takanori Saitom
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Toshiba Ceramics Co
Tokyo Electron Ltd
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Description

1251278 玖、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於半導體熱處理用反射板，更爲詳細而言， 是關於半導體熱處理用之加熱器的反射板、半導體熱處理 爐用之反射板、或是由晶圓板載置的虛設晶圓等的半導體 熱處理用反射板。 【先前技術】 在半導體之製造領域，爲了反射來自發熱體的輻射熱而 使用各種形狀、尺寸的反射板。若具體予以例示，可舉出 半導體熱處理用之加熱器的反射板、半導體熱處理爐用之 反射板、載置於板上之虛設晶圓等的半導體熱處理用反射 板等。 此等反射板因用於半導體晶圓的熱處理，因此，必須不 會成爲灰塵及微顆粒等的粉粒產生的原因，此外，因環境 氣體具有強腐蝕性的氣體的情況很多，而必須爲具有足夠 的遞、i餓性者。 爲了滿足此等要求，本案申請人提出了一種半導體熱處 理用之加熱器的反射板（日本專利特開2000-2 1 890號公報） 的發明。以下，參照圖8、9說明該反射板。 該反射板20具備將至少其單面爲鏡面的碳製反射板22 密封入板狀的石英玻璃支持體2 1的構成。 而且，該反射板2 0係以圖9所示配置，將石英玻璃上 板2 1 a、單面爲鏡面的碳製反射板22、及具有反射板用設 定埋頭座（凹部）21c的石英玻璃下板21b進行組裝，藉由施 6 326\專利說明書(補件)\92-06\92106916 1251278 以上述熔接處理，以使石英玻璃支持體21(21 a、21b)—體 化者。 該反射板20，因爲由石英玻璃體覆被著碳製反射板22， 而可抑制灰塵及微顆粒等的粉粒產生，此外還具有足夠的 耐腐蝕性。 然而，半導體熱處理用反射板係在200〜1 200 °C的爐內 環境下使用。 爲此，上述碳製反射板與藉由上述反射板用設定埋頭座 (凹部）形成的內部空間的環境氣體、或石英玻璃進行反 應，而有在石英玻璃體的內部因反應而黏附異物的技術課
此外，藉由碳製反射板與石英玻璃的反應氣體，碳製反 射板及與碳製反射板相接的石英玻璃體之間局部的氣壓上 升，而有石英玻璃體之破裂及變形的技術課題。 此外，上述反射板在具有反射板用設定埋頭座（凹部）的 石英玻璃下板收納著碳製反射板，以覆蓋上述反射板用設 定埋頭座（凹部）的方式，在1 2 0 0 °C以上的高溫域施加載 重，熔接處理石英玻璃上板。 此時，吸附於碳製反射板的吸附水分、殘留氣體、還有 藉由反射板用設定埋頭座（凹部）形成的空間的氣體進行膨 脹’而有形成上述密封空間的石英玻璃體膨脹變形或是破 損之虞。 【發明內容】 本發明係爲了解決上述技術課題而提出的發明，其目的 7 326\專利說明書(補件)\92-06\92106916 1251278 在於，提供藉由抑制異物的黏附、反應氣體的產生’以防 止破裂、變形的半導體熱處理用反射板。 此外，其目的在於，提供於製造時不受吸附於反射板的 吸附水分、殘留氣體、以及收容空間的環境氣體的影響’ 可獲得高精度尺寸的半導體熱處理用反射板的半導體熱處 理用反射板的製造方法。 用以解決上述技術課題而完成的本發明之半導體熱處 理用反射板，係在圓板狀或是環狀的光透過性材料組成的 板狀體內，密封配置著無機材料組成的板狀體者’其特徵 爲：與上述光透過性材料組成的板狀體租.接的無.擻.淋-料-組 成的板狀體的至少一面的表面粗糙度爲RaO.l〜10.0 // m， … ..〜:— , 且於該面形成溝。 如此，因爲與上述光透過性材料組成的板狀體相接的無 機材料組成的板狀體的至少一面的表面粗糙度爲RaO. 1〜 1 0.0 // m，因此，可降低反射率，可抑制兩板狀體的因接 觸引起的反應。其結果，可抑制對於光透過性材料的內表 面的異物的黏附，可抑制反應氣體的產生。 此外，因爲於無機材料組成的板狀體的一面形成溝，因 而可抑制無機材料組成的板狀體與上述光透過性材料組成 的板狀體之間的伴隨著上述反應氣體的局部的氣壓上升， 而可抑制光透過性材料組成的板狀體的破裂、變形。 在此，上述光透過性材料組成的板狀體及上述無機材料 組成的板狀體均爲環狀，而形成於無機材料組成的板狀體 的溝，最好爲直線狀且爲從內周端連續於外周端的溝。 8 326\專利說明書(補件)\92-06\92106916 1251278 如此，因爲於無機材料組成的板狀體設置直線狀，且從 內周端連續於外周端的溝，因此，抑制伴隨著上述反應氣 體的局部的氣壓上升，而可抑制光透過性材料組成的板狀 體的破裂、變形。 尤其是，由於爲從內周端連續於外周端的溝，藉由使反 應氣體向著內外周端方向逃逸，可確實抑制局部的氣壓上 升，而可抑制光透過性材料組成的板狀體的破裂、變形。 此外，上述光透過性材料組成的板狀體及上述無機材料 組成的板狀體均爲圓板狀，而形成於無機材料組成的板狀 體的溝，最好爲直線狀且爲從一外周端連續於與該外周端 對向的另一外周端的溝。 如此，上述光透過性材料組成的板狀體及上述無機材料 組成的板狀體也可爲圓板狀，與無機材料組成的板狀體爲 環狀的情況相同，可抑制伴隨著上述反應氣體的局部的氣 壓上升，而可抑制光透過性材料組成的板狀體的破裂、變 形。 該情況，形成於上述無機材料組成的板狀體的溝，最好 爲通過該板狀體的中心的溝，藉此，尤其是可抑制產生於 中心部的局部的氣壓上升，而可抑制光透過性材料組成的 板狀體的破裂、變形。 此外，形成於上述無機材料組成的板狀體的溝，最好爲 有一至多個形成爲該板狀體的同心圓狀。 如此，因爲以該板狀體的同心圓狀而於無機材料組成的 板狀體形成一至多個溝，因此藉由使反應氣體向周方向逃 9 326\專利說明書(補件)\92-06\92106916 1251278 逸，即可確實抑制局部的氣壓上升，而可抑制光透過性材 料組成的板狀體的破裂、變形。 最好藉由形成於上述無機材料組成的板狀體的溝，將該 板狀體的表面區劃爲大致相等。 如此，藉由溝將該板狀體的表面區劃爲大致相等，因 此，在板狀體的全域，可確實抑制局部的氣壓上升，而可 抑制光透過性材料組成的板狀體的破裂、變形。 此外，密封配置著上述無機材料組成的板狀體的上述光 透過性材料組成的板狀體的內部，最好減壓爲200t〇rr以 下。 如此，因爲光透過性材料組成的板狀體的內部被減壓爲 2 OOtorr以下，因此可抑制無機材料組成的板狀體與光透過 性材料組成的板狀體的內部空間的光透過性材料與無機材 料的高溫反應。 此外，因爲板狀體的內部被減壓，即使產生反應氣體， 密封配置著無機材料組成的板狀體的上述光透過性材料組 成的板狀體，仍無膨脹變形或破損。 更且，在製造過程進行減壓時，藉由形成於無機材料組 成的板狀體的上述溝，可有效排放無機材料組成的板狀體 吸附的吸附水分、殘留氣體、內部空間的環境氣體。 此外，最好在形成於上述無機材料組成的板狀體的溝的 交叉位置，形成貫穿於上述板狀體的板厚方向的孔。 因爲於溝的交叉位置形成貫穿於板厚方向的孔，因此， 於製造時可有效排放無機材料組成的板狀體吸附的吸附水 10 326\專利說明書(補件)\92-06\92106916 1251278 分、殘留氣體、或光透過性材料組成的板狀體的內部空間 的環境氣體。 此外，上述孔最好設於無機材料組成的板狀體的中心 部。 在排放光透過性材料組成的板狀體的內部空間的環境 氣體時，板狀體的中心部的上面與下面最易產生壓力差。 在如上述，於無機材料組成的板狀體的中心部設置孔的 情況，可減少使用時、製造時之該壓力差，可防止光透過 性材料組成的板狀體的變形。 上述無機材料組成的板狀體形成的溝的長度總和，在未 滿板狀體的外周長的一倍時，藉由局部的壓力上升，產生 變形、破裂，當超過1 〇倍時會招致強度的不足、反射率的 降低，因此，溝的長度總和最好爲該板狀體的外周長的1 〜1 0倍。 此外，用以解決上述技術課題而完成的半導體熱處理用 反射板之製造方法，其特徵爲：在光透過性材料組成的第 1板狀體，形成收容著一面形成溝的無機材料組成的板狀 體的凹部，同時形成貫穿於其底面的抽氣孔；以形成上述 溝的面與上述凹部底面相接的方式，於凹部內收容著無機 材料組成的板狀體，由光透過性材料組成的第2板狀體覆 被該凹部；以1 2 0 0 °C以上的高溫域，邊透過通氣孔排放上 述凹部內部的環境氣體，邊熔接處理第1板狀體及第2板 狀體；及熔接處理後封閉上述抽氣孔。 根據如此的製造方法，於製造時，可有效排放無機材料 11 326\專利說明書(補件)\92-06\92106916 1251278 組成的板狀體吸附的吸附水分、殘留氣體、上述光透過性 材料組成的板狀體內部空間的環境氣體’可獲得高精度尺 寸的半導體熱處理用反射板。 此外，用以解決上述技術課題而完成的本發明的半導體 熱處理用反射板，係在圓板狀或是環狀的光透過性材料組 成的板狀體內，密封配置著無機材料組成的板狀體者，其 特徵爲：與上述光透過性材料組成的板狀體相接的無機材 料組成的板狀體的至少一面的表面粗糙度爲RaO.l〜10.0 // m，且於與上述無機材料組成的板狀體相接的上述光透 過性材料組成的板狀體的至少一面形成溝。 如此，因爲於與上述無機材料組成的板狀體相接的上述 光透過性材料組成的板狀體的至少一面形成溝，與上述半 導體熱處理用反射板相同，可抑制兩板狀體的接觸引起的 反應。其結果，可抑制對於光透過性材料的內表面的異物 的黏附，可抑制反應氣體的產生。 此外，因爲於上述光透過性材料組成的板狀體的至少一 面形成溝，因此，可抑制無機材料組成的板狀體與上述光 透過性材料組成的板狀體之間的伴隨著上述反應氣體的產 生的局部的氣壓上升，可抑制光透過性材料的破裂、變形。 在此，上述光透過性材料組成的板狀體及上述無機材料 組成的板狀體均爲環狀，而於光透過性材料組成的板狀體 的內周端及外周端存在著熔接面，且形成於該板狀體的 溝，最好爲直線狀且爲從內周端的熔接面連續於外周端的 熔接面的溝。 12 326\專利說明書(補件)\92-06\92106916 1251278 此外，上述光透過性材料組成的板狀體及上述無機材料 組成的板狀體均爲圓板狀；於光透過性材料組成的板狀體 的外周端存在著熔接面，且形成於該板狀體的溝，最好爲 直線狀且爲從一外周端的熔接面連續於與該外周端對向的 另一外周端的的熔接面的溝。 如此，因爲於光透過性材料組成的板狀體，形成直線狀 且爲從內周端的熔接面連續於外周端的熔接面的溝，或 是，形成直線狀且爲從一外周端的熔接面連續於與該外周 端對向的另一外周端的熔接面的溝，因此，可抑制伴隨著 上述反應氣體的產生的局部的氣壓上升，而可抑制光透過 性材料組成的板狀體的破裂、變形。 【實施方式】 以下，參照圖1至圖4，說明本發明之半導體熱處理用 反射板及其半導體熱處理用反射板之製造方法的實施形 態。 如圖1所示，半導體熱處理用反射板1，係爲將至少單 面爲由5 00〜20 OOnm波長光的反射率形成爲30%的光澤面 或是8 0 %以上的鏡面的無機材料組成的板狀體2，密封入 上述光透過性材料組成的板狀體3 (3 a、3 b)內而成的構成。 該無機材料組成的板狀體2，可採用碳、SiC、TiN等的 陶瓷材料或是Au、Pt等的金屬材料，而從耐熱性、純度、 成本的觀點出發最好爲碳、尤其是熱膨脹黑鉛薄片。 此外，與上述板狀體3接觸的無機材料組成的板狀體2 的面2a的表面粗糙度形成爲Rao」〜1〇.〇 # m。 13 326\專利說明書(補件)\92-06\92106916 1251278 如此，因爲於板狀體2的面2 a的表面粗糙度形成爲RaO . 1 〜10.0//m，因此，板狀體2的面2a的全面與上述光透過 性材料組成的板狀體3完全相接觸。 因此，即使在200〜1 200 °C的半導體熱處理爐內使用半 導體熱處理用反射板1，仍可抑制上述板狀體3及板狀體2 之間的反應，可抑制異物的產生、反應氣體的產生。 尤其是，在Ra未滿0.1//m時藉由全面接觸易引起反 應，而並不理想，當Ra超過10.0 // m時，則易產生在凹 凸面的凸部的反應，而並不理想。 又，該表面粗糙度Ra係爲JIS B060 1 - 1 994所定義的算 術平均粗糙度，這是在Ο切斷値、㊁區間數=5(測 定長=4mm)的設定條件，使用一般的表面粗糙度測定機（例 如三豐（Mitutoyo)製SURFTEST SUOl)所測定者。 此外，該無機材料組成的板狀體2及上述光透過性材料 組成的板狀體3，形成爲環狀。 而上述板狀體2的面2 a上，以指定的間隔形成多個爲直 線狀且從內周端連續於外周端的溝2c。圖3中，顯示以45 度的間隔形成8條溝2c的情況。 此外，上述板狀體2的面2 a上，形成同心圓狀的3個溝 2d，在上述溝2d的一個溝及上述溝2c的一個溝的交叉位 置，形成貫穿板厚方向的孔2 e。 此外，板狀體2的另一面2b形成爲鏡面。如此，藉由 將另一面2b設爲鏡面，可將面2a、2b的任一面作爲良好 的反射面。 14 326\專利說明書(補件)\92_〇6\921 〇6916 1251278 再者，說明光透過性材料組成的板狀體3。 該光透過性材料組成的板狀體3，如圖4所示，係爲由 環狀的石英玻璃上板3 a、及形成收容著上述無機材料組成 的板狀體2的凹部3c的環狀的石英玻璃下板3b所構成， 且、將上述石英玻璃上板3 a及石英玻璃下板3 b熔接處理 而予以一體化者。 此外，於上述石英玻璃下板3b形成通氣孔3 d，於石英 玻璃下板3b的外側面形成與該通氣孔3 d連通的石英玻璃 製的排氣管3 e。 該排氣管3 e，係爲用以排放無機材料組成的板狀體2吸 附的吸附水分、殘留氣體、或凹部3 c內（內部空間）的環境 氣體，而形成減壓狀態（2 00torr以下）者，在排放後被封閉。 雖說明了由石英玻璃作爲構成該光透過性材料組成的 板狀體3的構材的情況，但是也可使用透光性鋁等。但是， 從純度、耐熱性、加工性的觀點出發最好爲石英玻璃。 如上所述，半導體熱處理用反射板1，係爲以與上述石 英玻璃下板3b的凹部3c的底面相接的方式收容著無機材 料組成的板狀體2的面2 a，並將石英玻璃上板3 a與石英 玻璃下板3b熔接，而形成一體化者。又，收容著上述板狀 體2的凹部3c內形成爲減壓狀態（200torr以下）。 據此，即使在200〜1 200 °C的爐內環境下使用，板狀體 2的面2a的表面粗糙度仍形成爲RaO.l〜10.0/zm，因此， 可抑制上述板狀體3及板狀體2間的反應，可抑制異物的 產生、反應氣體的產生。 15 326\專利說明書(補件)\92-06\92106916 1251278 此外，於無機材料組成的板狀體2，設置直線狀且從內 周端連續於外周端的溝2c及於板狀體的同心圓狀的多個 溝2d’可使反應氣體向著徑方向（內外周端方向）及周方向 逃逸，可確實抑制伴隨著上述反應氣體的局部的氣壓上 升。其結果可抑制光透過性材料組成的板狀體的破裂、變 形。 此外，上述光透過性材料組成的板狀體3的內部空間被 減壓爲200torr以下，因而，可抑制無機材料組成的板狀 體2與光透過性材料組成的板狀體3的高溫反應。此外， 即使產生反應氣體，因爲處於減壓狀態，光透過性材料組 成的板狀體3，仍無膨脹變形或破損。 更且，在無機材料組成的板狀體2，形成貫穿於板厚方 向的孔2 e，因此，可抑制無機材料組成的板狀體2的上下 空間的壓力差造成的光透過性材料組成的板狀體3的變 形。尤其是，因爲於溝2c、2d的交叉位置設置上述孔2e， 因此，可抑制使用、製造時之無機材料組成的板狀體2的 上下空間的壓力差造成的光透過性材料組成的板狀體3的 變形。 再者，參照圖4說明半導體熱處理用反射板之製造方法。 首先，於上述光透過性材料組成的石英玻璃下板3b，藉 由搪孔加工形成收容著無機材料組成的板狀體2的凹部 3 c，同時，形成貫穿其底面的的通氣孔3 d。此外，於石英 玻璃下板3 b的外側面形成連通該通氣孔3 d的石英玻璃製 的排氣管3 e。 16 326\專利說明書(補件)\92-06\92106916 1251278 此外，將無機材料組成的板狀體2的面2 a形成爲指定的 表面粗糙度，同時，形成溝2 c及2 d。 而且，以無機材料組成的板狀體2的面2 a與凹部底面相 接的方式，於凹部3 c收容著板狀體2。此後，由石英玻璃 上板3 a覆被該凹部3 c，邊藉由模具4施加載重於石英玻 璃上板3a及石英玻璃下板3b，邊以1 200 °C以上的高溫域 予以熔接。 此時，透過通氣孔3 d最終將上述凹部3 c內部的環境氣 體、板狀體2的吸附水分、殘留氣體等排放而減壓爲 200torr 以下 〇 此後封閉上述通氣孔3 d，將板狀體2密封配置於板狀體 3內。又，圖4中，元件符號5爲基台，元件符號6爲止 動部，係用以限制模具4的下方移動者。 因爲藉由如此之製造方法，於製造時，可有效排放無機 材料組成的板狀體2的吸附水分、殘留氣體、上述板狀體 3內部空間的環境氣體，可獲得高精度尺寸的半導體熱處 理用反射板。 尤其是，因爲形成溝2c、2d、孔2e，因此即使於製造時， 仍可抑制無機材料組成的板狀體2的上下空間的壓力差造 成的光透過性材料組成的板狀體3的變形。此外，可抑制 伴隨著上述反應氣體的局部的氣壓上升，可抑制光透過性 材料組成的板狀體3的破裂、變形。 上述實施形態中，雖顯示在無機材料組成的板狀體2設 置直線狀，且爲從內周端連續於外周端的溝2c及同心圓狀 17 3 26\專利說明書(補件)\92-06\92106916 1251278 的溝2d的情況，但是並不限於此，如圖5所示，也可僅設 置同心圓狀的溝2 d (圖5 A )，或是，僅設置直線狀且爲從內 周端連續於外周端的溝2c(圖5 B)。 此外，上述實施形態中’雖顯示在無機材料組成的板狀 體2形成1個貫穿板厚方向的孔2 e的情況，但是並不限於 此，如圖6所示，也可形成多個孔2 e。 更且，上述實施形態中，雖說明了於環狀的光透過性材 料組成的板狀體內密封配置環狀的無機材料組成的板狀體 的情況，尤其是，並不限於環狀，如圖7所示，也可於圓 板狀的光透過性材料組成的板狀體內密封配置圓板狀的無 機材料組成的板狀體1 〇。 此外，在無機材料組成的板狀體1 0爲圓板狀的情況， 如圖7所示，形成於板狀體10的溝10a也可形成爲直線 狀，且從一外周端連續於與該外周端對向的另一外周端的 多個溝1 0 a。 上述溝1 〇a係爲通過該板狀體1 0的中心的溝，此外，貫 穿於板狀體1 〇的孔1 〇b，係設於板狀體1 0的中心部。 在排放光透過性材料組成的板狀體的內部空間的環境 氣體時，板狀體1 0的中心部的上面側空間與下面側空間之 間，最易產生壓力差。 但是，在將孔1 〇b設於板狀體1 0的中心部的情況，可 減小該壓力差，可防止光透過性材料組成的板狀體1 〇的變 形。 此外，藉由形成於板狀體1 0的溝1 0a，大致均等地區劃 18 326\專利說明書(補件)\92-06\92106916 1251278 (尤其是於圓周方向）該板狀體的表面。如此，因爲呈大致 均等地區劃，在板狀體的全域，可抑制局部的氣壓上升， 而可抑制光透過性材料組成的板狀體的破裂、變形。 又，於圖7所示實施形態中，也可於板狀體1 0形成多 個同心圓狀的溝。 此外，上述實施形態中，雖說明了於無機材料組成的板 狀體形成溝的情況，但相對於此也可於光透過性材料組成 的板狀體形成溝。 也就是說，於圓板狀或是環狀的光透過性材料組成的板 狀體內，密封配置著無機材料組成的板狀體的半導體熱處 理用反射板，與上述光透過性材料組成的板狀體相接的無 機材料組成的板狀體的至少一面的表面粗糙度爲RaO.l〜 1 0.0 // m，且於與上述無機材料組成的板狀體相接的上述 光透過性材料組成的板狀體的至少一面形成溝者，也可獲 得與上述實施形態相同的效果。 此外，在光透過性材料組成的板狀體形成溝的情況，上 述光透過性材料組成的板狀體及上述無機材料組成的板狀 體均爲環狀，而於光透過性材料組成的板狀體的內周端及 外周端存在著熔接面，且形成於該板狀體的溝，最好爲直 線狀，且爲從內周端的熔接面連續於外周端的熔接面的溝。 此外，上述光透過性材料組成的板狀體及上述無機材料 組成的板狀體均爲圓板狀，而於光透過性材料組成的板狀 體的外周端存在著熔接面，而形成於該板狀體的溝，最好 爲直線狀且爲從一外周端的熔接面連續於與該外周端對向 19 326\專利說明書(補件)\92-06\92106916 1251278 的另一外周端的的熔接面的溝。 如此’因爲於光透過性材料組成的板狀體，形成直線狀 且爲從內周端的熔接面連I買於外周端的熔接面的溝，或 是，形成直線狀且爲從一外周端的熔接面連續於與該外周 端對向的另一外周端的的熔接面的溝，因此，可抑制伴隨 著上述反應氣體的局部的氣壓上升，而可抑制光透過性材 料組成的板狀體的破裂、變形。 (實施例1) 該無機材料組成的板狀體2的材質爲熱膨脹黑鉛薄片， 外徑φ 3 16mm、內徑φ 103mm、厚度5 5 0 // m的薄片狀的板 狀體，其一面（與光透過性材料組成的板狀體相接的面）的 表面粗糙度Ra形成爲1.0/zm。 此外，於該溝形成面形成如圖3所示寬度及深度均爲 0.1mm的8條溝2c;以及寬度及深度均爲0.1mm的3個溝 2d。此外，於圖3所示位置形成貫穿之直徑爲5mm的孔 2 e 〇 此外，作爲上述光透過性材料組成的板狀體3的形成材 料，其材質爲石英玻璃，如圖4所示，準備外徑φ 3 2 6mm、 內徑Φ 93mm、凹部3c的深度0.6mm的石英玻璃下板3b ; 及外徑φ 326mm、內徑φ 93mm、厚度2mm的石英玻璃上 板3 a。 又，作爲通氣孔3d而於石英玻璃下板3b的凹部3c的底 面，形成直徑4mm的孔。此外，藉由將排氣管3 e熔接於 通氣孔3 d，而連接於石英玻璃下板3 b的外側面。 20 3 26\專利說明書(補件)\92-〇6\92106916 1251278 此外，以板狀體2的面2 a與凹部3 c的底面相接的方式， 於凹部3 c內收容著板狀體2。此後，由石英玻璃上板3 a 覆被該凹部3c，藉由圖4所示模具4邊施加50kg的載重， 邊以1 200 °C以上的高溫域進行排氣，對於石英玻璃上板3a 及石英玻璃下板3 b進行熔接處理。 而且，最終將上述凹部3 c內部減壓成爲2 0 0 t 〇 r r後，封 閉通氣孔3 d而將板狀體2密封配置於板狀體3內。 其結果，於上述光透過性材料組成的板狀體3不會產生 變形、破裂等，可獲得高精度尺寸的半導體熱處理用反射 板。 此外，雖以1 200 °C、300小時，使用著該導體熱處理用 反射板，但是，於上述光透過性材料組成的板狀體3不會 產生變形、破裂等，可獲得高精度尺寸的半導體熱處理用 反射板。 如上述之說明，根據本發明之半導體熱處理用反射板， 可抑制異物的黏附、反應氣體的產生，可防止光透過性材 料組成的板狀體的破裂、變形。 此外，根據本發明之半導體熱處理用反射板之製造方 法，可有效排放無機材料組成的板狀體吸附的吸附水分、 殘留氣體、上述光透過性材料組成的板狀體內部空間的環 境氣體，可獲得高精度尺寸的半導體熱處理用反射板。 【圖式簡單說明】 圖1爲顯示半導體熱處理用反射板之實施形態的俯視 圖。 21 326\專利說明書(補件)\92-06\92106916 1251278 圖2爲沿著圖1中之I - I線所作的圖。 圖3爲顯示圖1所示無機材料組成的板狀體的溝形成面 的俯視圖。 圖4爲說明半導體熱處理用反射板之製造方法用的剖面 圖。 圖5 A、圖5 B爲顯示無機材料組成的板狀體形成的溝的 變化例的俯視圖，圖5A爲顯示僅設置同心圓狀的溝的情 況，圖5 B爲顯示僅設置爲直線狀，且爲從內周端連續於 外周端的溝2c的情況的俯視圖。 圖 6 爲 顯 示 形 成 於 Μ j\\\ 機 材 料 組 成 的 板 狀 體 的 貫 穿 孔 的 變 化 例 的 俯 視 圖 〇 圖 7 爲 顯 示 Μ j\\\ 機 材 料 組 成 的 板 狀 體 的 變 化 例 的 俯 視 圖 〇 圖 8 爲 顯 示 習 知 半 導 體 熱 處 理 用 反 射 板 的 剖 面 圖 〇 圖 9 爲 說 明 習 知 半 導 體 熱 處 理 用 反 射 板 之 製 造 方 法 用 的 剖 面 圖 〇 (元件符號說明 Ra 表 面 粗 糙 度 1 半 導 體 熱 處 理 用 反 射 板 2 Μ j\\\ 機 材 料 組 成 的 板 狀 體 2 a Μ J\\\ 機 材 料 組 成 的 板 狀 體 的 面 2b 板 狀 體 的 另 一 面 2 c 溝 2d 同 心 圓 狀 的 溝 2e 孔 326\專利說明書(補件)\92-06\921 〇6916 22 1251278 3 光透過性材料組成的板狀體 3 a 石英玻璃上板 3b 石英玻璃下板 3c 凹部 3d 通氣孔 3 e 排氣管 4 模具 5 基台 6 止動部 10 無機材料組成的板狀體 l〇a無機材料組成的板狀體的溝 10b孔 20 反射板 2 1 石英玻璃支持體 2 1 a石英玻璃上板 2 1 b石英玻璃下板 2 lc反射板用設定埋頭座（凹部） 22 碳製反射板 326\專利說明書(補件)\92-06\92106916

Claims (1)

1251278 1. 一種半導體熱處理用反射板，係在圓板狀或是環狀的 光透過性材料組成的板狀體內，密封配置著無機材料組成 的板狀體者，其特徵爲： 、 與上述光透過性材料組成的板狀體相接的無機材料組 成的板狀體的至少一面的表面粗糙度爲RaO.l〜10.0 // m， 且於該面形成溝。 2. 如申請專利範圍第1項之半導體熱處理用反射板，其 中，上述光透過性材料組成的板狀體及上述無機材料組成 的板狀體均爲環狀； 而形成於無機材料組成的板狀體的溝，爲直線狀且爲從 內周端連續於外周端的溝。 3 ·如申請專利範圍第1項之半導體熱處理用反射板，其 中，上述光透過性材料組成的板狀體及上述無機材料組成 的板狀體均爲圓板狀； 而形成於無機材料組成的板狀體的溝，爲直線狀且爲從 一外周端連續於與該外周端對向的另一外周端的溝。 4·如申請專利範圍第3項之半導體熱處理用反射板，其 中，形成於上述無機材料組成的板狀體的溝，爲通過該板 狀體的中心的溝。 5 ·如申請專利範圍第1至4項中任一項之半導體熱處理 用反射板，其中，形成於上述無機材料組成的板狀體的溝， 有一至多個形成爲以該板狀體的同心圓狀。 6·如申請專利範圍第5項之半導體熱處理用反射板，其 24 326\專利說明書(補件)\92-06\92106916 1251278 中，藉由形成於上述無機材料組成的板狀體的溝，將該板 狀體的表面區劃爲大致相等。 7.如申請專利範圍第6項之半導體熱處理用反射板，其 中，密封配置著上述無機材料組成的板狀體的上述光透過 性材料組成的板狀體的內部，係減壓爲200t〇rr以下。 8 .如申請專利範圍第1至4項中任一項之半導體熱處理 用反射板，其中，在形成於上述無機材料組成的板狀體的 溝的交叉位置，設置貫穿於上述板狀體的板厚方向的孔。 9 .如申請專利範圍第6項之半導體熱處理用反射板，其 中，在形成於上述無機材料組成的板狀體的溝的交叉位 置，設置貫穿於上述板狀體的板厚方向的孔。 1 0 .如申請專利範圍第8項之半導體熱處理用反射板，其 中，上述孔係設於上述無機材料組成的板狀體的中心部。 1 1 .如申請專利範圍第1項之半導體熱處理用反射板，其 中，形成於上述無機材料組成的板狀體上的溝的長度總 和，爲該板狀體的外周長的1〜1 〇倍。 1 2 .如申請專利範圍第8項之半導體熱處理用反射板，其 中，形成於上述無機材料組成的板狀體上的溝的長度總 和，爲該板狀體的外周長的1〜1 〇倍。 1 3 ·如申請專利範圍第9項之半導體熱處理用反射板，其 中，形成於上述無機材料組成的板狀體上的溝的長度總 和，爲該板狀體的外周長的1〜1 〇倍。 14.一種半導體熱處理用反射板之製造方法，係在如申請 專利範圍第1至4項中任一項之半導體熱處理用反射板之 25 3；26\專利說明書(補件)\92-06\92106916 1251278 製造方法中，其特徵爲： 在光透過性材料組成的第1板狀體，形成收容著一面形 成溝的無機材料組成的板狀體的凹部，同時形成貫穿於其 底面的通氣孔； 以形成上述溝的面與上述凹部底面相接的方式，於凹部 內收容著無機材料組成的板狀體，由光透過性材料組成的 第2板狀體覆被該凹部； 以1 20 0 °C以上的高溫域，邊透過通氣孔排放上述凹部內 部的環境氣體，邊熔接處理第1板狀體及第2板狀體；及 熔接處理後封閉上述通氣孔。 15.—種半導體熱處理用反射板之製造方法，其特徵爲： 在光透過性材料組成的第1板狀體，形成收容著一面形 成溝的無機材料組成的板狀體的凹部，同時形成貫穿於其 底面形成的通氣孔； 以形成上述溝的面與上述凹部底面相接的方式，於凹部 內收容著無機材料組成的板狀體，由光透過性材料組成的 第2板狀體覆被該凹部； 以1 2 0 0 °C以上的高溫域，邊透過通氣孔排放上述凹部內 部的環境氣體，邊熔接處理第1板狀體及第2板狀體；及 熔接處理後封閉上述抽氣孔。 1 6 . —種半導體熱處理用反射板，係在圓板狀或是環狀的 光透過性材料組成的板狀體內，密封配置著無機材料組成 的板狀體者，其特徵爲： 與上述光透過性材料組成的板狀體相接的無機材料組 26 326\專利說明書(補件)\92-06\92106916 1251278 成的板狀體的至少一面的表面粗糙度爲RaO.l〜1〇·〇 # m ’ 且於與上述無機材料組成的板狀體相接的上述光透過性材 料組成的板狀體的至少一面形成溝。 1 7 ·如申請專利範圍第1 6項之半導體熱處理用反射板， 其中，上述光透過性材料組成的板狀體及上述無機材料組 成的板狀體均爲環狀； 而於光透過性材料組成的板狀體的內周端及外周端存 在著熔接面，且形成於該板狀體的溝，爲直線狀且爲從內 周端的熔接面連續於外周端的熔接面的溝。 18·如申請專利範圍第16項之半導體熱處理用反射板， 其中，上述光透過性材料組成的板狀體及上述無機材料組 成的板狀體均爲圓板狀； 於光透過性材料組成的板狀體的外周端存在著熔接 面，且形成於該板狀體的溝，爲直線狀且爲從一外周端的 熔接面連續於與該外周端對向的另一外周端的的熔接面的 溝。 27 326\專利說明書(補件)\92-〇6\92106916
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