JPS58171815A - 溝付ヒ−タプレ−ト - Google Patents

溝付ヒ−タプレ−ト

Info

Publication number
JPS58171815A
JPS58171815A JP5448682A JP5448682A JPS58171815A JP S58171815 A JPS58171815 A JP S58171815A JP 5448682 A JP5448682 A JP 5448682A JP 5448682 A JP5448682 A JP 5448682A JP S58171815 A JPS58171815 A JP S58171815A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
plate
heater
proper
groove
Prior art date
Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
Pending
Application number
JP5448682A
Other languages
English (en)
Inventor
Tatsuhiko Nishimura
辰彦 西村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP5448682A priority Critical patent/JPS58171815A/ja
Publication of JPS58171815A publication Critical patent/JPS58171815A/ja
Pending legal-status Critical Current

Links

Classifications

    • CCHEMISTRY; METALLURGY
    • C23COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23CCOATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518Deposited layers
    • H01L21/02521Materials
    • H01L21/02524Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532Silicon, silicon germanium, germanium
    • HELECTRICITY
    • H01ELECTRIC ELEMENTS
    • H01LSEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104Forming layers
    • H01L21/02365Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612Formation types
    • H01L21/02617Deposition types
    • H01L21/0262Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD

Landscapes

  • Engineering & Computer Science (AREA)
  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Microelectronics & Electronic Packaging (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Manufacturing & Machinery (AREA)
  • Computer Hardware Design (AREA)
  • Physics & Mathematics (AREA)
  • Power Engineering (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Chemical Kinetics & Catalysis (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Mechanical Engineering (AREA)
  • Metallurgy (AREA)
  • Organic Chemistry (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、溝付ヒータグレートに関する。
〔発明の技術的背景〕
半導体装置の製造工程では、気相成長装置(通常C,V
、D、装置と称せられる。)内にウェー・を設けて、ウ
ェハの表面に810□膜岬の薄@C)形成が行われてい
る。この薄膜の形成処理は、ウェハを所定温度に設定さ
れ九ヒータグレート上に載置し、とのヒータグレートを
所定の反応ガスがノズルから層流状態で供給されている
炉内を、一定速度で通過させることによシ行われている
〔背景技術の問題点〕
前述のヒータグレート上にウェハを載置する際、或は、
ウェハが載置されたヒータグレートを移動する際に、ウ
ェハとヒータグレートのつ押し上げて外部に逃げるが、
その際にウェハの位置がずれる。その結果、薄膜の形成
処m後には、ウェハの位置ずれのためにウェハの取上げ
操作を速やかKできない欠点があった。
〔発明の目的〕
本発明は、薄膜形成処理後のウェー・のヒータグレート
からの除去操作を容易にした溝付ヒータグレートを提供
することをその目的とする奄のである。
〔発明の概要〕
本発明は、ヒータグレートにガス逃げ穴を穿設して、薄
膜形成処理後のつ翼ハのヒータグレートからの除去操作
を容易にした溝付ヒータグレートである。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の実施例について図面を参照してiI2明
する。
菖1図は、本発明の一爽施偽の平面図、嬉2図は、#I
1図に示す実施例01−1m1K沿う噺面図である0図
中1がヒータグレートでTo夛・ヒータグレート本体1
のウェハ載置面2には、fxi14げ壽3が十文字形に
穿設されている。このガス逃げ溝IFi、ヒータグレー
ト本体1上に載置されるクエ−4とヒータグレート本体
1との間に侵入した空気を外部に逃す九めのものである
。従りて、ウェハ4の裏面の全域に対してガス逃げ溝3
が均等に!!触するように十文字形等に形成するのが望
ましい、また、ガス逃げ溝1の断面形状は、その加工が
容易でしかも保守が容易であるように、告えば長方形の
断面に形成するOが望ましい。ガス逃は溝Sの溝巾及び
壽深さは、ウェハ4の大きさ、及びヒータグレート本体
1が挿入される炉内の温度等に応じて適宜設定するのが
望ましい、を九、ヒータグレート本体1のウェハ載置面
2/fi、ウェハ4との密着度を高めるために1研磨処
理されていることが望ましい。
而して、このような構成された溝付ヒータグレー)IO
によれば、ウェー載置面2にウェハ4を載置し、これを
気相成長装置等の炉内に挿入すると、ウェハ4の載置の
際戚は、ヒータプレート本体1の移動の際に、ウェハ4
とと一タ!レート本体l関に空気等のガスが侵入し、炉
内温度によってこれが膨張して賜、膨張し九ガスを速や
かにガス逃ぜ溝3からヒータグレート本体IO外部に逃
がすことができる。
その結果、ウェハ4の載置位置を、気相成長装置等での
処理の前後で所定位置に保つことができる。このため、
薄膜の形成等の処理の施されたウェハ4を、ヒータグレ
ート本体Iから速やかに且つ容易に採取することができ
、作業性を向上させることができる。
〔発明の効果〕
以上説明した如く、本発viK係る溝付と一タ!レート
によれば、薄膜形成部Il後のウェハのヒータグレート
上からの除去操作を容易にすることができるものである
【図面の簡単な説明】
第1図は、本発明の一実施例の平面図、第2図は、同実
m告のll−111に沿う断面図である・1・・・ヒー
タグレート本体、!−・・ウエノ・載置面、S・・・ガ
ス逃げ溝、4・・・ウェ^、LL・・・溝付ヒータグレ
ート。 出厭人代理人 弁理土鈴江武 彦 第1図 現 第2図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ウェハが載置されるヒータグレート本体のウェー・載置
    面にガス逃げ溝を穿設してなる溝付ヒータグレート。
JP5448682A 1982-04-01 1982-04-01 溝付ヒ−タプレ−ト Pending JPS58171815A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5448682A JPS58171815A (ja) 1982-04-01 1982-04-01 溝付ヒ−タプレ−ト

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5448682A JPS58171815A (ja) 1982-04-01 1982-04-01 溝付ヒ−タプレ−ト

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS58171815A true JPS58171815A (ja) 1983-10-08

Family

ID=12971969

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5448682A Pending JPS58171815A (ja) 1982-04-01 1982-04-01 溝付ヒ−タプレ−ト

Country Status (1)

Country Link
JP (1) JPS58171815A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07169824A (ja) * 1993-12-13 1995-07-04 Anelva Corp 基板加熱・冷却機構
SG99975A1 (en) * 2002-03-29 2003-11-27 Tokyo Electron Ltd Reflection plate for semiconductor heat treatment and manufacturing method thereof
WO2021179672A1 (zh) * 2020-03-13 2021-09-16 长鑫存储技术有限公司 封装结构及其形成方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07169824A (ja) * 1993-12-13 1995-07-04 Anelva Corp 基板加熱・冷却機構
SG99975A1 (en) * 2002-03-29 2003-11-27 Tokyo Electron Ltd Reflection plate for semiconductor heat treatment and manufacturing method thereof
US7336892B2 (en) 2002-03-29 2008-02-26 Covalent Materials Corporation Reflection plate for semiconductor heat treatment and manufacturing method thereof
WO2021179672A1 (zh) * 2020-03-13 2021-09-16 长鑫存储技术有限公司 封装结构及其形成方法

Similar Documents

Publication Publication Date Title
JPS58171815A (ja) 溝付ヒ−タプレ−ト
DE3371140D1 (en) Fabricating a semiconductor device by means of molecular beam epitaxy
JPS5680141A (en) Manufacture device of semiconductor
JPS6422051A (en) Manufacture of semiconductor device
JP2576257B2 (ja) 半導体圧力センサの製造方法
JPS53135571A (en) Vapor phase growth method for semiconductor
JPS53108389A (en) Manufacture for semiconductor device
JPH02153525A (ja) 半導体装置の製造方法
JPS53104162A (en) Forming method for epitaxial layer on semiconductor wafer
JPS52124884A (en) Production of semiconductor device
GB1208576A (en) Methods of manufacturing semiconductor devices
JPH01211919A (ja) 回転塗布装置
JPS51113461A (en) A method for manufacturing semiconductor devices
JPS5515214A (en) Manufacturing method of semiconductor intergrated circuit
JPS57133649A (en) Manufacture of semiconductor device
JPS6394627A (ja) 半導体の製造装置
JPS5299065A (en) Production of semiconductor device
JPS62219517A (ja) アルミニウム膜の製造方法
JPS51117871A (en) Semiconductor substrate processing method
JPS6477144A (en) Growth method of metallic film for semiconductor device
JPS6130235U (ja) プラズマエツチング装置
JPS5232679A (en) Semiconductor device and its manufacturing process
JPS57184217A (en) Manufacture of semiconductor device
JPS53112673A (en) Mask alignment method in semiconductor device manufacturing process and photo mask used for its execution
JPS6220347A (ja) 処理装置