JPS58171815A - 溝付ヒ−タプレ−ト - Google Patents

溝付ヒ−タプレ−ト

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Publication number
JPS58171815A
JPS58171815A JP5448682A JP5448682A JPS58171815A JP S58171815 A JPS58171815 A JP S58171815A JP 5448682 A JP5448682 A JP 5448682A JP 5448682 A JP5448682 A JP 5448682A JP S58171815 A JPS58171815 A JP S58171815A
Authority
JP
Japan
Prior art keywords
wafer
plate
heater
proper
groove
Prior art date
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Pending
Application number
JP5448682A
Other languages
English (en)
Inventor
Tatsuhiko Nishimura
辰彦 西村
Current Assignee (The listed assignees may be inaccurate. Google has not performed a legal analysis and makes no representation or warranty as to the accuracy of the list.)
Toshiba Corp
Original Assignee
Toshiba Corp
Tokyo Shibaura Electric Co Ltd
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Filing date
Publication date
Application filed by Toshiba Corp, Tokyo Shibaura Electric Co Ltd filed Critical Toshiba Corp
Priority to JP5448682A priority Critical patent/JPS58171815A/ja
Publication of JPS58171815A publication Critical patent/JPS58171815A/ja
Pending legal-status Critical Current

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Classifications

    • C—CHEMISTRY; METALLURGY
    • C23—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; CHEMICAL SURFACE TREATMENT; DIFFUSION TREATMENT OF METALLIC MATERIAL; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL; INHIBITING CORROSION OF METALLIC MATERIAL OR INCRUSTATION IN GENERAL
    • C23C—COATING METALLIC MATERIAL; COATING MATERIAL WITH METALLIC MATERIAL; SURFACE TREATMENT OF METALLIC MATERIAL BY DIFFUSION INTO THE SURFACE, BY CHEMICAL CONVERSION OR SUBSTITUTION; COATING BY VACUUM EVAPORATION, BY SPUTTERING, BY ION IMPLANTATION OR BY CHEMICAL VAPOUR DEPOSITION, IN GENERAL
    • C23C16/00—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes
    • C23C16/44—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating
    • C23C16/46—Chemical coating by decomposition of gaseous compounds, without leaving reaction products of surface material in the coating, i.e. chemical vapour deposition [CVD] processes characterised by the method of coating characterised by the method used for heating the substrate
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02518—Deposited layers
    • H01L21/02521—Materials
    • H01L21/02524—Group 14 semiconducting materials
    • H01L21/02532—Silicon, silicon germanium, germanium
    • H—ELECTRICITY
    • H01—ELECTRIC ELEMENTS
    • H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
    • H01L21/00—Processes or apparatus adapted for the manufacture or treatment of semiconductor or solid state devices or of parts thereof
    • H01L21/02—Manufacture or treatment of semiconductor devices or of parts thereof
    • H01L21/02104—Forming layers
    • H01L21/02365—Forming inorganic semiconducting materials on a substrate
    • H01L21/02612—Formation types
    • H01L21/02617—Deposition types
    • H01L21/0262—Reduction or decomposition of gaseous compounds, e.g. CVD

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Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】 〔発明の技術分野〕 本発明は、溝付ヒータグレートに関する。
〔発明の技術的背景〕
半導体装置の製造工程では、気相成長装置（通常Ｃ，Ｖ
、Ｄ、装置と称せられる。）内にウェー・を設けて、ウ
ェハの表面に８１０□膜岬の薄＠Ｃ）形成が行われてい
る。この薄膜の形成処理は、ウェハを所定温度に設定さ
れ九ヒータグレート上に載置し、とのヒータグレートを
所定の反応ガスがノズルから層流状態で供給されている
炉内を、一定速度で通過させることによシ行われている
。
〔背景技術の問題点〕
前述のヒータグレート上にウェハを載置する際、或は、
ウェハが載置されたヒータグレートを移動する際に、ウ
ェハとヒータグレートのつ押し上げて外部に逃げるが、
その際にウェハの位置がずれる。その結果、薄膜の形成
処ｍ後には、ウェハの位置ずれのためにウェハの取上げ
操作を速やかＫできない欠点があった。
〔発明の目的〕
本発明は、薄膜形成処理後のウェー・のヒータグレート
からの除去操作を容易にした溝付ヒータグレートを提供
することをその目的とする奄のである。
〔発明の概要〕
本発明は、ヒータグレートにガス逃げ穴を穿設して、薄
膜形成処理後のつ翼ハのヒータグレートからの除去操作
を容易にした溝付ヒータグレートである。
〔発明の実施例〕
以下、本発明の実施例について図面を参照してｉＩ２明
する。
菖１図は、本発明の一爽施偽の平面図、嬉２図は、＃Ｉ
１図に示す実施例０１−１ｍ１Ｋ沿う噺面図である０図
中１がヒータグレートでＴｏ夛・ヒータグレート本体１
のウェハ載置面２には、ｆｘｉ１４げ壽３が十文字形に
穿設されている。このガス逃げ溝ＩＦｉ、ヒータグレー
ト本体１上に載置されるクエ−４とヒータグレート本体
１との間に侵入した空気を外部に逃す九めのものである
。従りて、ウェハ４の裏面の全域に対してガス逃げ溝３
が均等に！！触するように十文字形等に形成するのが望
ましい、また、ガス逃げ溝１の断面形状は、その加工が
容易でしかも保守が容易であるように、告えば長方形の
断面に形成するＯが望ましい。ガス逃は溝Ｓの溝巾及び
壽深さは、ウェハ４の大きさ、及びヒータグレート本体
１が挿入される炉内の温度等に応じて適宜設定するのが
望ましい、を九、ヒータグレート本体１のウェハ載置面
２／ｆｉ、ウェハ４との密着度を高めるために１研磨処
理されていることが望ましい。
而して、このような構成された溝付ヒータグレー）ＩＯ
によれば、ウェー載置面２にウェハ４を載置し、これを
気相成長装置等の炉内に挿入すると、ウェハ４の載置の
際戚は、ヒータプレート本体１の移動の際に、ウェハ４
とと一タ！レート本体ｌ関に空気等のガスが侵入し、炉
内温度によってこれが膨張して賜、膨張し九ガスを速や
かにガス逃ぜ溝３からヒータグレート本体ＩＯ外部に逃
がすことができる。
その結果、ウェハ４の載置位置を、気相成長装置等での
処理の前後で所定位置に保つことができる。このため、
薄膜の形成等の処理の施されたウェハ４を、ヒータグレ
ート本体Ｉから速やかに且つ容易に採取することができ
、作業性を向上させることができる。
〔発明の効果〕
以上説明した如く、本発ｖｉＫ係る溝付と一タ！レート
によれば、薄膜形成部Ｉｌ後のウェハのヒータグレート
上からの除去操作を容易にすることができるものである
・
【図面の簡単な説明】
第１図は、本発明の一実施例の平面図、第２図は、同実
ｍ告のｌｌ−１１１に沿う断面図である・１・・・ヒー
タグレート本体、！−・・ウエノ・載置面、Ｓ・・・ガ
ス逃げ溝、４・・・ウェ＾、ＬＬ・・・溝付ヒータグレ
ート。 出厭人代理人　弁理土鈴江武　彦 第１図 現 第２図

Claims (1)

    【特許請求の範囲】
  1. ウェハが載置されるヒータグレート本体のウェー・載置
    面にガス逃げ溝を穿設してなる溝付ヒータグレート。
JP5448682A 1982-04-01 1982-04-01 溝付ヒ−タプレ−ト Pending JPS58171815A (ja)

Priority Applications (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5448682A JPS58171815A (ja) 1982-04-01 1982-04-01 溝付ヒ−タプレ−ト

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP5448682A JPS58171815A (ja) 1982-04-01 1982-04-01 溝付ヒ−タプレ−ト

Publications (1)

Publication Number Publication Date
JPS58171815A true JPS58171815A (ja) 1983-10-08

Family

ID=12971969

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
JP5448682A Pending JPS58171815A (ja) 1982-04-01 1982-04-01 溝付ヒ−タプレ−ト

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JP (1) JPS58171815A (ja)

Cited By (3)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07169824A (ja) * 1993-12-13 1995-07-04 Anelva Corp 基板加熱・冷却機構
SG99975A1 (en) * 2002-03-29 2003-11-27 Tokyo Electron Ltd Reflection plate for semiconductor heat treatment and manufacturing method thereof
WO2021179672A1 (zh) * 2020-03-13 2021-09-16 长鑫存储技术有限公司 封装结构及其形成方法

Cited By (4)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPH07169824A (ja) * 1993-12-13 1995-07-04 Anelva Corp 基板加熱・冷却機構
SG99975A1 (en) * 2002-03-29 2003-11-27 Tokyo Electron Ltd Reflection plate for semiconductor heat treatment and manufacturing method thereof
US7336892B2 (en) 2002-03-29 2008-02-26 Covalent Materials Corporation Reflection plate for semiconductor heat treatment and manufacturing method thereof
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