JPH044737U - - Google Patents
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- JPH044737U JPH044737U JP4489490U JP4489490U JPH044737U JP H044737 U JPH044737 U JP H044737U JP 4489490 U JP4489490 U JP 4489490U JP 4489490 U JP4489490 U JP 4489490U JP H044737 U JPH044737 U JP H044737U
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- JP
- Japan
- Prior art keywords
- epitaxial layer
- impurity concentration
- impurity
- semiconductor substrate
- amount
- Prior art date
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- Pending
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- 239000012535 impurity Substances 0.000 claims description 7
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- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 claims description 3
- 238000000034 method Methods 0.000 claims 1
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- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 1
Description
第1図はこの考案の半導体製造装置(エピタキ
シヤル成長装置)の一実施例を示す断面図、第2
図は第1図に示す装置でエピタキシヤル層を形成
する場合の半導体サブストレートの加熱温度の変
化を示す図、第3図はエピタキシヤル層を形成し
た半導体サブストレートを示す断面図、第4図は
不純物の高濃度埋込み拡散領域を持つ半導体サブ
ストレートの断面図、第5図はエピタキシヤル層
を形成した半導体サブストレートを示す第3図の
A−A線に沿つて厚さ方向に切断した場合の不純
物濃度の変化を示す図である。 1……半導体サブストレート、2……エピタキ
シヤル層、3……埋込み拡散領域、5……半導体
製造装置、13……ドーピングガスの流量制御手
段、14……排気路、16……不純物センサ、1
7……演算制御部。
シヤル成長装置)の一実施例を示す断面図、第2
図は第1図に示す装置でエピタキシヤル層を形成
する場合の半導体サブストレートの加熱温度の変
化を示す図、第3図はエピタキシヤル層を形成し
た半導体サブストレートを示す断面図、第4図は
不純物の高濃度埋込み拡散領域を持つ半導体サブ
ストレートの断面図、第5図はエピタキシヤル層
を形成した半導体サブストレートを示す第3図の
A−A線に沿つて厚さ方向に切断した場合の不純
物濃度の変化を示す図である。 1……半導体サブストレート、2……エピタキ
シヤル層、3……埋込み拡散領域、5……半導体
製造装置、13……ドーピングガスの流量制御手
段、14……排気路、16……不純物センサ、1
7……演算制御部。
Claims (1)
- 【実用新案登録請求の範囲】 半導体サブストレート上に、エピタキシヤル層
を成長させる装置において、 エピタキシヤル層の成長工程の装置内雰囲気の
不純物濃度を検出する不純物センサと、 検出された不純物濃度から、エピタキシヤル層
の不純物濃度を所期のものにするために必要な装
置内への不純物の供給量を算出する演算制御部と
、 算出された不純物の供給量にしたがつて装置内
への不純物の供給量を制御する流量制御手段とを
具備したことを特徴とする半導体製造装置。
Priority Applications (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4489490U JPH044737U (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 |
Applications Claiming Priority (1)
Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
---|---|---|---|
JP4489490U JPH044737U (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 |
Publications (1)
Publication Number | Publication Date |
---|---|
JPH044737U true JPH044737U (ja) | 1992-01-16 |
Family
ID=31558599
Family Applications (1)
Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
---|---|---|---|
JP4489490U Pending JPH044737U (ja) | 1990-04-25 | 1990-04-25 |
Country Status (1)
Country | Link |
---|---|
JP (1) | JPH044737U (ja) |
Cited By (1)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5617795A (en) * | 1979-06-06 | 1981-02-19 | Newnham John Harold | Rotary vane material |
-
1990
- 1990-04-25 JP JP4489490U patent/JPH044737U/ja active Pending
Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
JPS5617795A (en) * | 1979-06-06 | 1981-02-19 | Newnham John Harold | Rotary vane material |
JPS6346706B2 (ja) * | 1979-06-06 | 1988-09-16 |
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