CN1449000A - 半导体热处理用反射板和该半导体热处理用反射板的制造方法 - Google Patents
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Abstract
提供一种半导体热处理用反射板，通过抑制异物的附着、反应气体的产生来防止破裂、变形。在圆板状或环状的透光材料构成的板状体(3)内，在密闭配置了无机材料构成的板状体(2)的半导体热处理用反射板(1)中，与所述透光材料构成的板状体连接的无机材料构成的板状体的至少一表面(2a)的表面粗糙度Ra为0.1～10.0μm，并且在该表面上形成沟(2c)。
Description
技术领域
本发明涉及半导体热处理用反射板，特别涉及用于半导体热处理的加热器反射板、或用于半导体热处理炉的反射板、或晶片台载置的虚拟(dummy)晶片等的半导体热处理用反射板。
背景技术
在半导体制造领域，使用各种形状、尺寸的反射板，以便反射来自发热体的辐射热。如果具体地例示，则可列举出用于半导体热处理的加热器反射板、用于半导体热处理炉的反射板、载置于台上的虚拟晶片等。
因为这些反射板用于半导体晶片的热处理，所以必须不成为尘埃或微粒等粒子发生的原因，而且因为气氛气体是具有强腐蚀性的气体的情况居多，所以必须具有充分的抗腐蚀性。
为了满足这些要求，本申请人提出用于半导体热处理的加热器反射板((日本)特开2000-21890号公报)。下面根据图8、图9来说明该反射板。
该反射板20具有将至少单面为镜面的碳制反射板22封入在板状的石英玻璃支撑体21中的结构。
而且，该反射板20按图9所示的配置来组装石英玻璃上板21a、单面为镜面的碳制反射板22、带有反射板设定座(凹部)21c的石英玻璃下板21b，通过实施所述熔接处理，使石英玻璃支撑体21(21a、21b)一体化。
作为该反射板20，因为用石英玻璃体覆盖碳制反射板22，所以可抑制尘埃和微粒等粒子发生，而且具有充分的抗腐蚀性。
但是，半导体热处理用反射板是在200～1200℃的炉内环境下使用。
因此，存在以下技术问题：所述碳制反射板与所述反射板设定座(凹部)形成的内部空间的气氛气体或石英玻璃进行反应，并在石英玻璃体的内部附着反应带来的异物。
此外，因碳制反射板和石英玻璃体的反应气体，使碳制反射板和与碳制反射板连接的石英玻璃体之间局部气压上升，存在石英玻璃体破裂或变形的技术课题。
此外，所述反射板在有反射板设定座(凹部)的石英玻璃下板上容纳碳制反射板，为了覆盖所述反射板设定座(凹部)，在1200℃以上的高温区域施加载荷，对石英玻璃上板进行熔接处理。
此时，因碳制反射板上吸附的吸附水分、残留气体、或反射板设定座(凹部)形成的空间的气体膨胀，存在形成所述密闭空间的石英玻璃体膨胀变形或破损的危险。
发明内容
本发明用于解决上述技术课题，目的在于提供一种半导体热处理用反射板，通过抑制异物的附着、反应气体的产生来防止破裂、变形。
此外，本发明的目的在于提供一种半导体热处理用反射板的制造方法，在制造时，不受反射板吸附的吸附水分、残留气体、或容纳空间的气氛影响，可以获得高精度尺寸的半导体热处理用反射板。
用于解决上述技术课题的本发明的半导体热处理用反射板，在圆板状或环状的透光材料构成的板状体内，密闭配置无机材料构成的板状体，其特征在于：与所述透光材料构成的板状体连接的无机材料构成的板状体的至少一表面的表面粗糙度Ra为0.1～10.0μm，并且在该表面上形成沟。
这样，与所述透光材料构成的板状体连接的无机材料构成的板状体的至少一表面的表面粗糙度Ra为0.1～10.0μm，所以可以抑制两板状体的接触产生的反应，而不降低反射率。其结果，可以抑制对透光材料的内表面异物的附着、反应气体的产生。
此外，在无机材料构成的板状体的一表面上形成沟，所以可抑制无机材料构成的板状体和所述透光材料构成的板状体之间的随着所述反应气体的产生造成局部的气压上升，抑制透光材料构成的板状体的破裂、变形。
这里，最好是所述透光材料构成的板状体和所述无机材料构成的板状体都为环状，无机材料构成的板状体中形成的沟为直线状，是从内周端连接到外周端的沟。
这样，在无机材料构成的板状体中，因为设置直线状从内周端连续到外周端的沟，所以可抑制随着所述反应气体的产生造成的局部气压的上升，抑制透光材料构成的板状体的破裂、变形。
特别是因为有从内周端连续到外周端的沟，所以，通过在内外周端方向上排出反应气体，能够可靠地抑制局部的气压上升，抑制透光材料构成的板状体的破裂、变形。
此外，最好是所述透光材料构成的板状体和所述无机材料构成的板状体都为圆板状，无机材料构成的板状体中形成的沟为直线状，是从一外周端连接到与该外周端相对的另一外周端的沟。
这样，所述透光材料构成的板状体和所述无机材料构成的板状体也可以为圆板状，与无机材料构成的板状体为环状的情况相同，可抑制随着所述反应气体的产生造成的局部气压的上升，可抑制透光材料构成的板状体的破裂、变形。
这种情况下，所述无机材料构成的板状体中形成的沟最好是连通该板状体中心的沟，由此，可有效抑制产生在中心部的局部气压的上升，可抑制透光材料构成的板状体的破裂、变形。
此外，所述无机材料构成的板状体中形成的沟最好是以该板状体的同心圆状形成一个或多个。
这样，因为在无机材料构成的板状体中按与该板状体的同心圆状形成一个或多个沟，所以，通过在圆周方向上排出反应气体，能够可靠地抑制局部的气压上升，抑制透光材料构成的板状体的破裂、变形。
最好通过所述无机材料构成的板状体上形成的沟，该板状体的表面被大致相等地划分。
这样，因为通过沟将该板状体的表面大致均等地划分，所以，在板状体的整个区域中，能够可靠地抑制局部的气压上升，抑制透光材料构成的板状体的破裂、变形。
此外，最好将密闭配置了所述无机材料构成的板状体的所述透光材料构成的板状体的内部减压到20torr以下。
这样，因为所述透光材料构成的板状体的内部被减压到200torr以下，所以可以抑制无机材料构成的板状体和透光材料构成的板状体的内部空间内的透光材料和无机材料的高温反应。
此外，因为板状体的内部被减压，所以即使产生反应气体，密闭配置了无机材料构成的板状体的所述透光材料构成的板状体也不会膨胀变形或破损。
而且，在制造过程中进行减压时，通过无机材料构成的板状体中形成的所述沟，可以高效率地排出无机材料构成的板状体的吸附水分、残留气体、内部空间的气氛气体。
此外，最好在所述无机材料构成的板状体中形成的沟进行交叉的位置上，形成在所述板状体的厚度方向上贯通的孔。
因为在沟进行交叉的位置，形成厚度方向上贯通的孔，所以，在制造时，可以高效率地排出无机材料构成的板状体的吸附水分、残留气体、内部空间的气氛气体。
此外，最好将所述孔设置在所述无机材料构成的板状体的中心部。
在对透光材料构成的板状体的内部空间的气氛气体进行排气时，板状体的中心部的上表面和下表面之间最容易产生压力差。
如上所述，在无机材料构成的板状体的中心部设置孔的情况下，在使用时，可以减小制造时的该压力差，可以防止透光材料构成的板状体的变形。
在所述无机材料构成的板状体的沟长度总和低于板状体外周长度的1倍时，因局部的压力上升而产生变形、破裂，如果超过10倍，则导致强度不足、反射率下降，所以沟的长度总和最好是该板状体外周长度的1至10倍。
此外，用于解决上述技术课题的半导体热处理用反射板的制造方法的特征在于：在所述透光材料构成的第一板状体中，形成容纳在一表面形成了沟的无机材料构成的板状体的凹部，同时在其底面上形成贯通的抽气孔，将无机材料构成的板状体容纳在凹部内，使得形成了所述沟的面与所述凹部底面连接，并且用透光材料构成的第二板状体来覆盖该凹部，在1200℃以上的高温区域中，一边通过抽气孔对所述凹部内部的气氛进行排气，一边对第一板状体和第二板状体进行熔接处理，熔接处理后，堵塞所述抽气孔。
根据这样的制造方法，在制造时，可以高效率地排出无机材料构成的板状体的吸附水分、残留气体、所述透光材料构成的板状体内部空间的气氛气体，可以获得高精度尺寸的半导体热处理用反射板。
此外，用于解决上述技术课题的本发明的半导体热处理用反射板，在圆板状或环状的透光材料构成的板状体内，密闭配置无机材料构成的板状体，其特征在于：与所述透光材料构成的板状体连接的无机材料构成的板状体的至少一表面的表面粗糙度Ra为0.1～10.0μm，并且在与所述无机材料构成的板状体连接的所述透光材料构成的板状体的至少一表面上形成沟。
这样，在与无机材料构成的板状体连接的所述透光材料构成的板状体的至少一表面上形成沟，与所述半导体热处理用反射板同样，可以抑制两板状体接触造成的反应。其结果，可以抑制对透光材料的内表面异物的附着、反应气体的产生。
此外，因为在所述透光材料构成的板状体的一表面上形成沟，所以可抑制无机材料构成的板状体和所述透光材料构成的板状体之间的随着反应气体的产生造成的局部气压的上升，可抑制透光材料构成的板状体的破裂、变形。
这里，最好是所述透光材料构成的板状体和所述无机材料构成的板状体都为环状，在透光材料构成的板状体的内周端及外周端上存在熔接面，并且该板状体上形成的沟为直线状，是从内周端的熔接面连续到外周端的熔接面的沟。
此外，最好是所述透光材料构成的板状体和所述无机材料构成的板状体都为圆板状，在透光材料构成的板状体的外周端上存在熔接面，并且该板状体上形成的沟为直线状，是从一外周端的熔接面连续到与该外周端相对的另一外周端的熔接面的沟。
这样，因为在透光材料构成的板状体中，形成直线状从内周端的熔接面连续到外周端的熔接面的沟，或直线状从一个外周端的熔接面连续到与该外周端相对的另一外周端的熔接面，所以可抑制随着反应气体的产生造成的局部气压的上升，可抑制透光材料构成的板状体的破裂、变形。
附图说明
图1是表示半导体热处理用反射板的实施方式的平面图。
图2是图1的I-I剖面图。
图3是表示图1所示的无机材料构成的板状体的沟形成面的平面图。
图4是说明半导体热处理用反射板的制造方法的剖面图。
图5A、图5B是表示无机材料构成的板状体中形成的沟的变形例的平面图，图5A是表示仅设置同心圆状的沟的情况，图5B表示仅设置直线状从内周端连续到外周端的沟2c时的平面图。
图6是表示无机材料构成的板状体中形成的贯通孔的变形例的平面图。
图7是表示无机材料构成的板状体的变形例的平面图。
图8是表示现有的半导体热处理用反射板的剖面图。
图9是说明现有的半导体热处理用反射板的制造方法的剖面图。
具体实施方式
以下，根据图1至图4来说明本发明的半导体热处理用反射板和该半导体热处理用反射板的制造方法的实施方式。
如图1所示，半导体热处理用反射板1具有将至少单面在500～2000nm波长光中的反射率为30％的光泽面或80％以上的镜面的无机材料构成的板状体2封入在所述透光材料构成的板状体3(3a、3b)中的结构。
作为该无机材料构成的板状体2，可以使用碳、SiC、TiN等陶瓷材料或Au、Pt等金属材料，从耐热性、纯度、成本的观点来看，最好是碳，特别是热膨胀石墨薄片。
此外，与所述板状体3接触的无机材料构成的板状体2的表面2a的表面粗糙度Ra形成为0.1～10.0μm。
这样，因为板状体2的表面2a的表面粗糙度Ra形成为0.1～10.0μm，所以板状体2的整个表面2a与所述透光材料构成的板状体3没有完全连接。
因此，半导体热处理用反射板1即使用于200～1200℃的半导体热处理炉，也可以抑制所述板状体3和板状体2之间的反应，可以抑制异物的发生、反应气体的产生。
特别是在Ra低于0.1μm时，因完全接触而容易引起反应，不佳，如果Ra超过10.0μm，则容易产生与凹凸面的凸部的反应，不佳。
再有，该表面粗糙度Ra是JIS B0601-1994中定义的算术平均粗糙度，该粗糙度是以①切断值＝0.8mm、②区间数＝5(测定长度＝4mm)的设定条件，使用普通的表面粗糙度测定机(例如Mitutoyo制SURFTEST SJ-201)来测定。
此外，该无机材料构成的板状体2和所述透光材料构成的板状体3形成为环状。
而且，在所述板状体2的表面2a中，根据规定的间隔形成多个直线状从内周端连续到外周端的沟2c。在图3中，表示按照45度的间隔形成了8个沟2c的情况。
此外，在所述板状体2的表面2a中，形成同心圆状的三个沟2d，在所述沟2d的一个沟和所述沟2c的一个沟交叉的位置上，形成厚度方向上贯通的孔2e。
此外，板状体2的另一表面2b为镜面。这样，通过使另一表面2b为镜面，可以将表面2a、2b的任何一个表面作为良好的反射面。
下面，说明透光材料构成的板状体3。
如图4所示，该透光材料构成的板状体3是由环状的石英玻璃上板3a、形成了容纳所述无机材料构成的板状体2的凹部3c的环状的石英玻璃下板3b构成，对所述石英玻璃上板3a、石英玻璃下板3b进行熔接处理，并进行一体化。
此外，在所述石英玻璃下板3b中形成抽气孔3d，将与该抽气孔3d连通的石英制的排气管3e形成在石英玻璃下板3b的外侧面上。
该排气管3e排出无机材料构成的板状体2吸附的吸附水分、残留气体、或凹部3c内(内部空间)的气氛气体，形成真空状态(200torr以下)，在排出后被堵塞。
尽管说明了构成该透光材料构成的板状体3的部件为上述石英玻璃的情况，但也可以使用透光性氧化铝。但是，从纯度、耐热性、加工性的观点来看，石英玻璃较好。
如上所述，半导体热处理用反射板1以与所述石英玻璃下板3b的凹部3c的底面连接来容纳无机材料构成的板状体2的表面2a，将石英玻璃上板3a和石英玻璃下板3b进行熔接、一体化。再有，使容纳了所述板状体2的凹部3c内为真空状态(200torr)。
因此，即使在200～1200℃的炉内环境下使用，因为板状体2的表面2a的表面粗糙度Ra形成为0.1～10.0μm，所以可抑制所述板状体3和板状体2之间的反应，可以抑制异物的产生、反应气体的产生。
此外，在无机材料构成的板状体2中，因为设置直线状从内周端连续到外周端的沟2c和板状体的同心圆状的多个沟2d，所以可以使反应气体在直径方向(内外周端方向)和圆周方向排出，能够可靠地抑制随着前述反应气体而造成的局部气压的上升。其结果，可抑制透光材料构成的板状体的破裂、变形。
此外，因为所述透光材料构成的板状体3的内部空间被减压到200torr以下，所以可以抑制无机材料构成的板状体2和透光材料构成的板状体3的高温反应。此外，即使产生反应气体，但由于处于真空状态，所以透光材料构成的板状体3不会膨胀变形或破损。
而且，因为在所述无机材料构成的板状体2中形成厚度方向上贯通的孔2e，所以可以抑制无机材料构成的板状体2的上下空间的压力差造成透光材料构成的板状体3的变形。特别是因为在沟2c、2d交叉的位置上设置所述孔2e，所以可以抑制使用时、制造时的无机材料构成的板状体2的上下空间的压力差造成透光材料构成的板状体3变形。
下面，根据图4来说明半导体热处理用反射板的制造方法。
首先，在所述透光材料构成的石英玻璃下板3b上，通过钻孔加工形成容纳无机材料构成的板状体2的凹部3c，而且形成贯通其底面的抽气孔3d。此外，在石英玻璃下板3b的外侧面上形成与该抽气孔3d连通的石英玻璃制的排气管3e。
此外，使无机材料构成的板状体2的表面2a达到规定的表面粗糙度，而且形成沟2c和沟2d。
而且，为了使无机材料构成的板状体2的表面2a与凹部底面连接，将板状体2容纳在凹部3c内。然后，用石英玻璃上板3a覆盖该凹部3c，通过铸模4对石英玻璃上板3a和石英玻璃下板3b施加载荷，同时在1200℃以上的高温区域中进行熔接。
此时，将所述凹部3c内部的气氛气体、板状体2的吸附水分、残留气体等通过抽气孔3d进行排气，最终减压到200torr以下。
然后，堵塞所述抽气孔3d，在板状体3内密闭配置板状体2。再有，图4中标号5是底座，而标号6是止动器，限制铸模4的下方移动。
根据这样的制造方法，在制造时，可以高效率地排出无机材料构成的板状体2的吸附水分、残留气体、所述板状体3内部空间的气氛气体，可以获得高精度尺寸的半导体热处理用反射板。
特别是因为形成了沟2c、2d、孔2e，所以在制造时，也可以抑制无机材料构成的板状体2的上下空间的压力差造成透光材料构成的板状体3的变形。此外，可以可靠地抑制随着反应气体的产生造成的局部气压的上升，抑制透光材料构成的板状体3的破裂、变形。
上述实施方式中，示出了在无机材料构成的板状体2中，设置直线状从内周端连续到外周端的沟2c和同心圆状的沟2d的情况，但并不限于此，如图5所示，也可以仅设置同心圆状的沟2d(图5A)，或仅设置直线状从内周端连续到外周端的沟2c(图5B)。
此外，在上述实施方式中，示出了在无机材料构成的板状体2上，形成厚度方向上贯通的一个孔2e的情况，但并不限于此，如图6所示，也可以形成多个孔2e。
而且，在上述实施方式中，说明了在环状的透光材料构成的板状体内，密闭配置环状的无机材料构成的板状体的情况，但并不特别限定于环形状，如图7所示，也可以将圆板状的无机材料构成的板状体10密闭配置在圆板状的透光材料构成的板状体内。
此外，在所述无机材料构成的板状体10为圆板状的情况下，如图7所示，板状体10上形成的沟10a为直线状，可以形成从一个外周端连续到与该外周端相对的另一外周端的多个沟10a。
所述沟10a是通过该板状体10的中心的沟，而贯通板状体10的孔10b被设置在板状体10的中心部。
在对透光材料构成的板状体的内部空间的气氛气体进行排气时，板状体10的中心部的上表面侧空间和下表面侧空间之间最容易产生压力差。
但是，在板状体10的中心部设置孔10b的情况下，可以减小该压力差，可以防止透光材料构成的板状体10的变形。
此外，由板状体10上形成的沟10a，将该板状体的表面大致均等地划分(具体是在圆周方向上)。这样，由于被大致均等地划分，所以在板状体的整个区域中，能够可靠地抑制局部的气压上升，可抑制透光材料构成的板状体的破裂、变形。
再有，在图7所示的实施方式中，在板状体10上也可以形成一个或多个同心圆状的沟。
此外，在上述实施方式中，说明了在无机材料构成的板状体上形成沟的情况，但相反也可以在透光材料构成的板状体上形成沟。
即，在圆板状或环状的透光材料构成的板状体内，密闭配置了无机材料构成的板状体的半导体热处理用反射板中，与所述透光材料构成的板状体连接的无机材料构成的板状体的至少一表面的表面粗糙度Ra为0.1～10.0μm，并且即使与所述无机材料构成的板状体连接的所述透光材料构成的板状体的至少一表面上形成沟，也可以获得与上述实施方式同样的效果。
此外，在透光材料构成的板状体上形成沟的情况下，最好是所述透光材料构成的板状体和所述无机材料构成的板状体都为环状，在透光材料构成的板状体的内周端和外周端上存在熔接面，并且该板状体上形成的沟是直线状，是从内周端的熔接面连续到外周端的熔接面的沟。
此外，所述透光材料构成的板状体和所述无机材料构成的板状体最好都为圆板状，在透光材料构成的板状体的外周端上存在熔接面，并且该板状体上形成的沟是直线状，是从一个外周端的熔接面连续到与该外周端相对的另一外周端的熔接面的沟。
这样，在透光材料构成的板状体中，因为形成直线状从内周端的熔接面连续到外周端的熔接面的沟，或形成直线状从一个外周端的熔接面连续到与该外周端相对的另一外周端的熔接面的沟，所以可抑制随着所述反应气体的产生造成的局部气压的上升，可抑制透光材料构成的板状体的破裂、变形。
实例
(实施例1)
该无机材料构成的板状体2的材质为热膨胀石墨薄片，是外径φ为316mm、内径φ为103mm、厚度为550μm的薄片状的板状体，将其一表面(与透光材料构成的板状体连接的面)的表面粗糙度Ra形成为1.0μm。
此外，在其沟形成面中，形成图3所示的宽度和深度都为0.1mm的8个沟2c、以及宽度和深度都为0.1mm的三个沟2d。此外，在图3所示的位置上，形成贯通的直径为5mm的孔2e。
此外，作为所述透光材料构成的板状体3的形成材料，材质为石英玻璃，预备图4所示的外径φ为326mm、内径φ为93mm、凹部3c的深度为0.6mm的石英玻璃下板3b，以及外径φ为326mm、内径φ为93mm、厚度为2mm的石英玻璃上板3a。
再有，作为抽气孔3d，在石英玻璃下板3b的凹部3c的底面上形成了直径4mm的孔。此外，通过将排气管3e熔接在抽气孔3d上，从而连接到石英玻璃下板3b的外侧面上。
然后，将板状体2容纳在凹部3c内，以便板状体2的表面2a与凹部3c的底面连接。然后，用石英玻璃上板3a覆盖该凹部3c，将石英玻璃上板3a和石英玻璃下板3b通过图4所示的铸模4施加50kg的载荷，同时在1200℃以上的高温下进行排气，进行熔接处理。
然后，最终将所述凹部3c内部减压到200torr以下后，堵塞抽气孔3e，将板状体2密闭配置在板状体3内。
其结果，在所述透光材料构成的板状体3上不产生变形、破裂等，可以获得高精度尺寸的半导体热处理用反射板。
此外，在1200℃下连续300小时使用该半导体热处理用反射板，在所述透光材料构成的板状体3中没有产生变形、破裂，可以维持高精度尺寸的半导体热处理用反射板。
如以上说明，根据本发明的半导体热处理用反射板，可以抑制异物的附着、反应气体的产生，可以防止透光材料构成的板状体的破裂、变形。
此外，根据本发明的半导体热处理用反射板的制造方法，可以高效率地排出无机材料构成的板状体中吸附的吸附水分、残留气体、或所述透光材料构成的板状体内部空间的气氛气体，可以获得高精度尺寸的半导体热处理用反射板。
Claims (18)
1.一种半导体热处理用反射板，在圆板状或环状的透光材料构成的板状体内，密闭配置无机材料构成的板状体，其特征在于：
与所述透光材料构成的板状体相接的无机材料构成的板状体的至少一表面的表面粗糙度Ra为0.1～10.0μm，并且在该表面上形成沟。
2.如权利要求1所述的半导体热处理用反射板，其特征在于，所述透光材料构成的板状体和所述无机材料构成的板状体都为环状，
无机材料构成的板状体中形成的沟为直线状，是从内周端连续到外周端的沟。
3.如权利要求1所述的半导体热处理用反射板，其特征在于，所述透光材料构成的板状体和所述无机材料构成的板状体都为圆板状，
无机材料构成的板状体中形成的沟为直线状，是从一外周端连续到与该外周端相对的另一外周端的沟。
4.如权利要求3所述的半导体热处理用反射板，其特征在于，所述无机材料构成的板状体中形成的沟是连通该板状体中心的沟。
5.如权利要求1至4的任何一项所述的半导体热处理用反射板，其特征在于，所述无机材料构成的板状体中形成的沟是以该板状体的同心圆状形成一个或多个。
6.如权利要求5所述的半导体热处理用反射板，其特征在于，通过所述无机材料构成的板状体上形成的沟，该板状体的表面被大致相等地划分。
7.如权利要求6所述的半导体热处理用反射板，其特征在于，将密闭配置了所述无机材料构成的板状体的所述透光材料构成的板状体的内部减压到200torr以下。
8.如权利要求1至4的任何一项所述的半导体热处理用反射板，其特征在于，在所述无机材料构成的板状体中形成的沟交叉的位置上，设置在所述板状体的厚度方向上贯通的孔。
9.如权利要求6所述的半导体热处理用反射板，其特征在于，在所述无机材料构成的板状体中形成的沟所交叉的位置上，设置在所述板状体的厚度方向上贯通的孔。
10.如权利要求8所述的半导体热处理用反射板，其特征在于，将所述孔设置在所述无机材料构成的板状体的中心部。
11.如权利要求1所述的半导体热处理用反射板，其特征在于，所述无机材料构成的板状体上形成的沟的长度总和为该板状体外周长度的1至10倍。
12.如权利要求8所述的半导体热处理用反射板，其特征在于，所述无机材料构成的板状体上形成的沟的长度总和是该板状体外周长度的1至10倍。
13.如权利要求9所述的半导体热处理用反射板，其特征在于，所述无机材料构成的板状体上形成的沟的长度总和是该板状体外周长度的1至10倍。
14.一种半导体热处理用反射板的制造方法，用于制造所述权利要求1至4任何一项所述的半导体热处理用反射板，其特征在于：
在所述透光材料构成的第一板状体中，形成容纳在一表面形成了沟的无机材料构成的板状体的凹部，并且在其底面上形成贯通的抽气孔，
将无机材料构成的板状体容纳在凹部内，使得形成了所述沟的面与所述凹部底面相接，并且用透光材料构成的第二板状体来覆盖该凹部，
在1200℃以上的高温区域中，一边通过抽气孔对所述凹部内部的气氛进行排气，一边对第一板状体和第二板状体进行熔接处理，
熔接处理后，堵塞所述抽气孔。
15.一种半导体热处理用反射板的制造方法，其特征在于：
在透光材料构成的第一板状体中，形成容纳在一表面形成了沟的无机材料构成的板状体的凹部，并且在其底面上形成贯通的抽气孔，
将无机材料构成的板状体容纳在凹部内，使得形成了所述沟的面与所述凹部底面相接，并且用透光材料构成的第二板状体来覆盖该凹部，
在1200℃以上的高温区域中，一边通过抽气孔对所述凹部内部的气氛进行排气，一边对第一板状体和第二板状体进行熔接处理，
熔接处理后，堵塞所述抽气孔。
16.一种半导体热处理用反射板，在圆板状或环状的透光材料构成的板状体内，密闭配置无机材料构成的板状体，其特征在于：
与所述透光材料构成的板状体相接的无机材料构成的板状体的至少一表面的表面粗糙度Ra为0.1～10.0μm，并且在与所述无机材料构成的板状体相接的所述透光材料构成的板状体的至少一表面上形成沟。
17.如权利要求16所述的半导体热处理用反射板，其特征在于，所述透光材料构成的板状体和所述无机材料构成的板状体都为环状，
在透光材料构成的板状体的内周端及外周端上存在熔接面，并且该板状体上形成的沟为直线状，是从内周端的熔接面连续到外周端的熔接面的沟。
18.如权利要求16所述的半导体热处理用反射板，其特征在于，所述透光材料构成的板状体和所述无机材料构成的板状体都为圆板状，
在透光材料构成的板状体的外周端上存在熔接面，并且该板状体上形成的沟为直线状，是从一外周端的熔接面连续到与该外周端相对的另一外周端的熔接面的沟。
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