JP2006128368A - 基板処理装置、および基板回転装置 - Google Patents
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Abstract
【解決手段】基板処理装置は、被処理基板Wを処理するための処理空間を区画する処理容器1と、処理容器内において被処理基板Wを支持する基板支持体12と、基板支持体12に直接もしくは間接的に連結された可動部材11と、可動部材11に当接しつつ回転することにより、該可動部材11を介して基板支持体12を回転させる回転体10と、を備えており、可動部材11と回転体10は、JIS R1607に規定する破壊靱性の値および/またはJIS R1601に規定する3点曲げ強度の値が異なるセラミックス材料により構成される。
【選択図】図1
Description
しかし、上記の回転機構を備えた熱処理装置では、定期的なチャンバー内クリーニングなどのパーティクル対策を実施しても、なお多くのパーティクルが発生するという課題があった。
従って、本発明の目的は、回転機構を備えた基板処理装置において、パーティクルの低減を図ることである。
被処理基板を処理するための処理空間を区画する処理容器と、
前記処理容器内において前記被処理基板を支持する基板支持体と、
前記基板支持体に直接もしくは間接的に連結された可動部材と、
前記可動部材に当接しつつ回転することにより、該可動部材を介して前記基板支持体を回転させる回転体と、
を備えており、
前記可動部材と前記回転体は、JIS R1607に規定する破壊靱性の値および/またはJIS R1601に規定する3点曲げ強度の値が異なるセラミックス材料により構成されていることを特徴とする、基板処理装置が提供される。
被処理基板を処理するための処理空間を区画する処理容器と、
前記処理容器内において前記被処理基板を支持する基板支持体と、
前記基板支持体に直接もしくは間接的に連結された可動部材と、
前記可動部材に当接しつつ回転することにより、該可動部材を介して前記基板支持体を回転させる回転体と、
を備えており、
前記可動部材および回転体は、ともにセラミックス材料により構成されているとともに、前記回転体を構成するセラミックス材料は、前記可動部材を構成するセラミックス材料に比べ、JIS R1607に規定する破壊靱性の値が高い材料であることを特徴とする、基板処理装置が提供される。
前記処理容器内において前記被処理基板を支持する基板支持体と、
前記基板支持体に直接もしくは間接的に連結された可動部材と、
前記可動部材に当接しつつ回転することにより、該可動部材を介して前記基板支持体を回転させる回転体と、
を備えており、
前記可動部材および回転体は、ともにセラミックス材料により構成されているとともに、前記回転体を構成するセラミックス材料は、前記可動部材を構成するセラミックス材料に比べ、JIS R1601に規定する3点曲げ強度の値が高い材料であることを特徴とする、基板処理装置が提供される。
前記処理容器内において前記被処理基板を支持する基板支持体と、
前記基板支持体に直接もしくは間接的に連結された可動部材と、
前記可動部材に当接しつつ回転することにより、該可動部材を介して前記基板支持体を回転させる回転体と、
を備えており、
前記可動部材および回転体は、ともにセラミックス材料により構成されているとともに、前記回転体を構成するセラミックス材料は、前記可動部材を構成するセラミックス材料に比べ、JIS R1607に規定する破壊靱性の値およびJIS R1601に規定する3点曲げ強度の値が高い材料であることを特徴とする、基板処理装置が提供される。
また、上記第1、第3または第4の観点において、前記回転体を構成するセラミックス材料の3点曲げ強度は、510〜570[MPa]であり、前記可動部材を構成するセラミックス材料の3点曲げ強度は、420〜480[MPa]であることが好ましい。
前記処理容器内において前記被処理基板を支持する基板支持体と、
前記基板支持体に直接もしくは間接的に連結された可動部材と、
自転することにより、前記可動部材を介して前記基板支持体を回転させる回転体と、
を備えた基板処理装置において、
セラミックス材料により構成された前記可動部材および前記回転体の間に緩衝部材を介在させたことを特徴とする、基板処理装置が提供される。
また、前記緩衝部材として、前記回転体の周部にOリングを配備することができる。
また、前記緩衝部材として、前記回転体の少なくとも周部に被覆層を設けることができる。
前記処理容器内において前記被処理基板を支持する基板支持体と、
を備えた基板処理装置において前記被処理基板を回転させる基板回転装置であって、
前記基板支持体に直接もしくは間接的に連結された可動部材と、
前記可動部材に当接しつつ回転することにより、該可動部材を介して前記基板支持体を回転させる回転体と、
を備えており、
前記可動部材と前記回転体は、JIS R1607に規定する破壊靱性の値および/またはJIS R1601に規定する3点曲げ強度の値が異なるセラミックス材料により構成されていることを特徴とする、基板回転装置が提供される。
前記処理容器内において前記被処理基板を支持する基板支持体と、
を備えた基板処理装置において前記被処理基板を回転させる基板回転装置であって、
前記基板支持体に直接もしくは間接的に連結された可動部材と、
自転することにより、前記可動部材を介して前記基板支持体を回転させる回転体と、
を備えており、
セラミックス材料により構成された前記可動部材および前記回転体の間に緩衝部材を介在させたことを特徴とする、基板回転装置が提供される。
図1は、本発明の一実施形態に係る熱処理装置の概略構成図である。この熱処理装置100は、制御性がよい短時間アニール(RTA;Rapid Thermal Annealing)を行なうために好適なRTP(Rapid Thermal Processor)として構成されており、例えば半導体ウエハW(以下、単に「ウエハW」という)に形成した薄膜に不純物をドープした後の600〜1200℃程度の高温領域でのアニール処理などに用いることができる。
下部チャンバー1bの底部には、略120°間隔で均等配置となるように開口したローターホルダ7a,7b,7cが形成されている。各ローターホルダ7a,7b,7cには、セラミックス製のローター10a,10b,10cがその上部付近を露出させて配備されている。なお、各ローターホルダ7a,7b,7cは図示しないシール手段によりシールされており、プロセスチャンバー内の気密性が確保されている。
なお、ウエハWを昇降させる場合は、ここでは図示しないリフトピンを例えばボトムプレート6から突没可能に設けることによって行なうことができる。
材質A:
破壊靱性(JIS R1607)が2.5[MPa√m]で3点曲げ強度(JIS R1601)が450[MPa]のSiC(例えば、京セラ株式会社製、型番SC1000)
材質B:
破壊靱性(JIS R1607)が4.9[MPa√m]で3点曲げ強度(JIS R1601)が540[MPa]のSiC(例えば、京セラ株式会社製、型番SC−211)
図3は、熱処理装置におけるローター10付近の要部断面図である。図示以外の構成は図1と同様であるため記載を省略する。なお、説明の便宜上、ローター10は断面として図示していない。この実施形態では、ローター10の周囲(可動リング11との当接面)にOリング21を配備した。Oリング21を介在させることにより、ローター10と可動リング11との直接の接触が回避されるので、両部材が擦れ合うことによるパーティクルの発生を低減できる。
例えば、図1ではRTPの熱処理装置100を例に挙げて説明したが、本発明は、チャンバー内でウエハWなどの基板を回転させる回転機構を有する装置であれば特に制限なく適用でき、例えば熱CVD装置など他の基板処理装置への適用も可能である。
1a:上部チャンバー
1b:下部チャンバー
2:石英窓
3:発熱部
4:水冷ジャケット
5:タングステンランプ
6:ボトムプレート
7:ローターホルダ
10:ローター
11:可動リング
12:ウエハ支持板
13:支持アーム
14:ウエハ支持ピン
Claims (14)
- 被処理基板を処理するための処理空間を区画する処理容器と、
前記処理容器内において前記被処理基板を支持する基板支持体と、
前記基板支持体に直接もしくは間接的に連結された可動部材と、
前記可動部材に当接しつつ回転することにより、該可動部材を介して前記基板支持体を回転させる回転体と、
を備えており、
前記可動部材と前記回転体は、JIS R1607に規定する破壊靱性の値および/またはJIS R1601に規定する3点曲げ強度の値が異なるセラミックス材料により構成されていることを特徴とする、基板処理装置。 - 被処理基板を処理するための処理空間を区画する処理容器と、
前記処理容器内において前記被処理基板を支持する基板支持体と、
前記基板支持体に直接もしくは間接的に連結された可動部材と、
前記可動部材に当接しつつ回転することにより、該可動部材を介して前記基板支持体を回転させる回転体と、
を備えており、
前記可動部材および回転体は、ともにセラミックス材料により構成されているとともに、前記回転体を構成するセラミックス材料は、前記可動部材を構成するセラミックス材料に比べ、JIS R1607に規定する破壊靱性の値が高い材料であることを特徴とする、基板処理装置。 - 被処理基板を処理するための処理空間を区画する処理容器と、
前記処理容器内において前記被処理基板を支持する基板支持体と、
前記基板支持体に直接もしくは間接的に連結された可動部材と、
前記可動部材に当接しつつ回転することにより、該可動部材を介して前記基板支持体を回転させる回転体と、
を備えており、
前記可動部材および回転体は、ともにセラミックス材料により構成されているとともに、前記回転体を構成するセラミックス材料は、前記可動部材を構成するセラミックス材料に比べ、JIS R1601に規定する3点曲げ強度の値が高い材料であることを特徴とする、基板処理装置。 - 被処理基板を処理するための処理空間を区画する処理容器と、
前記処理容器内において前記被処理基板を支持する基板支持体と、
前記基板支持体に直接もしくは間接的に連結された可動部材と、
前記可動部材に当接しつつ回転することにより、該可動部材を介して前記基板支持体を回転させる回転体と、
を備えており、
前記可動部材および回転体は、ともにセラミックス材料により構成されているとともに、前記回転体を構成するセラミックス材料は、前記可動部材を構成するセラミックス材料に比べ、JIS R1607に規定する破壊靱性の値およびJIS R1601に規定する3点曲げ強度の値が高い材料であることを特徴とする、基板処理装置。 - 前記回転体を構成するセラミックス材料の破壊靱性は、4.5〜5.5[MPa√m]であり、前記可動部材を構成するセラミックス材料の破壊靱性は、2.0〜3.0[MPa√m]であることを特徴とする、請求項1、請求項2または請求項4に記載の基板処理装置。
- 前記回転体を構成するセラミックス材料の3点曲げ強度は、510〜570[MPa]であり、前記可動部材を構成するセラミックス材料の3点曲げ強度は、420〜480[MPa]であることを特徴とする、請求項1、請求項3または請求項4に記載の基板処理装置。
- 前記可動部材および前記回転体の周部は、ともにテーパー状に形成されて互いに当接する当接面を形成していることを特徴とする、請求項5または請求項6に記載の基板処理装置。
- 被処理基板を処理するための処理空間を区画する処理容器と、
前記処理容器内において前記被処理基板を支持する基板支持体と、
前記基板支持体に直接もしくは間接的に連結された可動部材と、
自転することにより、前記可動部材を介して前記基板支持体を回転させる回転体と、
を備えた基板処理装置において、
セラミックス材料により構成された前記可動部材および前記回転体の間に緩衝部材を介在させたことを特徴とする、基板処理装置。 - 前記緩衝部材は、エラストマーにより構成されていることを特徴とする、請求項8に記載の基板処理装置。
- 前記緩衝部材として、前記回転体の周部にOリングを配備したことを特徴とする、請求項9に記載の基板処理装置。
- 前記緩衝部材として、前記回転体の少なくとも周部に被覆層を設けたことを特徴とする、請求項9に記載の基板処理装置。
- 前記基板支持体に載置された被処理基板を加熱するための加熱手段をさらに備え、前記処理が熱処理であることを特徴とする、請求項1から請求項11のいずれか1項に記載の基板処理装置。
- 被処理基板を処理するための処理空間を区画する処理容器と、
前記処理容器内において前記被処理基板を支持する基板支持体と、
を備えた基板処理装置において前記被処理基板を回転させる基板回転装置であって、
前記基板支持体に直接もしくは間接的に連結された可動部材と、
前記可動部材に当接しつつ回転することにより、該可動部材を介して前記基板支持体を回転させる回転体と、
を備えており、
前記可動部材と前記回転体は、JIS R1607に規定する破壊靱性の値および/またはJIS R1601に規定する3点曲げ強度の値が異なるセラミックス材料により構成されていることを特徴とする、基板回転装置。 - 被処理基板を処理するための処理空間を区画する処理容器と、
前記処理容器内において前記被処理基板を支持する基板支持体と、
を備えた基板処理装置において前記被処理基板を回転させる基板回転装置であって、
前記基板支持体に直接もしくは間接的に連結された可動部材と、
自転することにより、前記可動部材を介して前記基板支持体を回転させる回転体と、
を備えており、
セラミックス材料により構成された前記可動部材および前記回転体の間に緩衝部材を介在させたことを特徴とする、基板回転装置。
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