TWI249905B - Electronic device - Google Patents

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TWI249905B
TWI249905B TW094117864A TW94117864A TWI249905B TW I249905 B TWI249905 B TW I249905B TW 094117864 A TW094117864 A TW 094117864A TW 94117864 A TW94117864 A TW 94117864A TW I249905 B TWI249905 B TW I249905B
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capacitors
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Munehiro Azami
Mitsuaki Osame
Shou Nagao
Yutaka Shionoiri
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Semiconductor Energy Lab
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Description

1249905 (1) 九、發明說明 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於D / A轉換器(數位/類比轉換器)電 路.(D A C ),特別地,關於用於主動矩陣型半導體裝置 之驅動電路的D A C。此外,發明係關於使用D A C之主 動矩陣型半導體顯示裝置。
【先前技術】 近來,已快速發展生產具有形成於不貴的玻璃基底上 的半導體薄膜之諸如薄膜電晶體(T F T )等半導體裝置 的技術。 主動矩陣型液晶顯示裝置係像素T F T以陣列設置於 像素區上,像素區包含有像矩陣般配置的數以千計至數佰 萬像素,且藉由像素TF T的切換特徵,控制電荷被汲入 及取出連接至個別像素T F T的像素電極。 此外,能夠具有高速驅動之數位驅動系統的主動矩陣 φ 型液晶顯示裝置於顯示裝置的高精細度及高影像準確度方 面已被認可。 數位類比轉換器電路(DA C )會將自週邊裝置輸入 之數位視頻資料轉換成類比訊號(灰度電壓),其爲數位 驅動系統之主動矩陣型液晶顯示裝置所需。有不同型式的 數位類比轉換器電路。但是,於此說明用於主動矩陣列液 晶顯示裝置之D A C實施例。 現在,參考圖2 5 ,圖式係顯示習知的DAC之實施 -5- 1249905
例。圖2 5中所示的習知DAC具有η個切換開關( S W ◦至S W n - i ),它們係由η位元數位資料的個別位 元(D 〇至D η - i )、連接至個別切換開關(S W。至 SWn-i)之電容(C,2C,2n — iC)、及重設開關 (R e s )所控制。而且,電源V η及電源V L會連接至 習知的D A C。此外,電容C L係連接至輸出V。u t之訊 號線的負載電容。此外,接地電源係以V。標示。但是, V。可爲何選加的固定電源。 當對應於輸入的數位資料(D 〇至D η - i )之位元爲 0 ( L 〇 )時,位元切換開關(S W 〇至s W n —:)係分 別連接至電源V L,當對應的位元爲1 ( η i )時,分別 連接至電源V Η。 將依序說明習知的D A C。將習知D A C的作動分列 成重設週期(T R )及資料輸入週期(丁 B )以便說明。 首先,在重設週期T R中,重設開關R e s會關閉, 數位資料的所有位元(Do至Dn — 1)爲〇 (L〇),且 所有的開關(S W。至S W η - 1 )會連接至電源v L。圖 2 6 ( A )係顯示此狀態下的習知D A c之等效電路。在 重設週期T R終止之後,由於數位資料的所有位元(D。 至Dn-ι)爲0 (L。)。累積於圖26 (A)中所示之 負載電容Cl中的電荷之初始値(內定)Qt變成如下式 (19)所示。
Ql〇==cl.(Vl-Vg) ...(19) 在重設週期T R終止之後,資料寫入週期T E開始,
-6 - (3) 1249905 且具有 選加的 位元資訊之數位資料( D Q 至 D η - 1 )會 控 制開關 (s w 〇至S W Π - 1 )。而且 ,電荷會依據個別 的 位元資 訊充電: 及放電, 因此,之後會達到穩定狀態。圖 2 6 ( B )係 顯示此時 E的等效電路。 累積於組合電容c 0 、C 1 、及C L j中的電; 筒 Q 〇、Q 1、 及Q L會變成如下 式 (20 a )至 (20c )所示。 Q〇 — c〇-(Vl - V〇ut) ...(2 0a) Qi = ci.(Vh - V〇ut) …(20b) Ql = C L · ( V 0 u t -Vg) ... (20c) 此處,由於建立下述表示式(2 1 a )及(2 1 b ) ¢:0 = 0:.(10 + 2^^ + 4^^2+-+22-1^^).........(2 1a) c 1 = c-(D〇 + 2D 1+4D24· ···+2° 1〇η-ι).........(21b) Φ 藉由V〇UT時的電荷守恒定律’可建立下述表示式( 2 3)。
Ql° = Ql-Q〇-Qi (23) 輸出VqUT變成如下式(24)所示。 c , ^*(vh-V L ) V。u t = V L + —.........(24) (4) 1249905 但是,α (在本說明書中,稱爲「電壓壓縮比」)十系 輸出V。U τ的最大電壓振幅對電壓振幅(V Η - V 〇 $ 比例,其中α表示如下: a = -—.......... (25) 1+—i— 2 n — 1 c
如圖26 (C)所示,輸出Vqut與位址(〇至 2 n — 1 )係成線性關係。但是,由於根據式(2 4 ),輸 出V Q υ τ會視v η與V L之間的差以及相對於數位資料的 ί止與作爲參考電位之v t之間線性形式的改變而定,所 無法獨立地控制輸出V Q U T之電壓振幅及參考電位。 接著,圖2 7顯示習知DAC的另一實施例。圖2 7 中所示的習知D A C具有“ η,,個開關(S W 〇至S W n — 1
)’它們係由” η,,位元數位資料(D 〇至D n -:)的個別 ^元、連接至個別開關(S W。至S W η - i )之電容(C
、2C、· · .2m lC、C、2C、· · . 2 n ~ ~ 1 C
) '二重設開關(Re si及Res 2)、以及耦合電容 戶斤控制。而且,電源V η及電源V L會連接至習知D A C
而且,圖2 8顯示習知的DA C之又另一實施例。圖 2 8中所示的習知DAC具有η開關(SW〇至SWn-i )’它們係由” η,,位元數位資料(D 〇至D n - i )的個別 元、連接至個別開關(S W 〇至S W η - i )之電容(C -8- (5)1249905
2 C
• · · 2 111 — 1 C、C、2 C、· · · 2 …m 1 C ,圖 DA 連接 合電 DA 的數 源V 源V (2 及二重設開關(R e s 1及R e s 2 )所控制。而且 2 8中所示之習知DAC與圖2 7中所示之習知 c不同之處在於電容C會連接至較低位元側電路,且 對應於較低位元之電路至對應於較高位元的電路之耦 容不同於圖2 7中所示之耦合電容。 在圖2 7中所示的習知DAC或圖2 8中所示的習知 C中,開關(S W 〇至S W n - !)分別設計成當輸入 位資料(Dq至Dn_i)爲〇 (l〇)時,連接至電 t’而當輸入的數位資料爲1(Hi)時,連接至電 變成如下示 圖2 7中所示的習知DAC的輸出V 6 )所示; = .........(26) 此外’圖2 8中所示的習知D A C的輸出V ◦ υ τ變成 如下示(2 7 )所示; v〇ut = vL+ aB^VH-VL)- (27) 此處,Cl與上述表示式(21b)中之Cl相同, 及建立下述表示式,其中及αΒ係電壓壓縮比。 (6)1249905
......(28a) (28b)
而且,在這些習知的DAC中,可瞭解到輸出Vqut 與圖17 (C)中所示的習知DAC—般會數位資料的位 址(0至2 n — 1 )成線性關係。但是,由於根據上述表示 式(26)及(27),輸出Vqut會視Vh與之間 的差以及相對於作爲參考電壓之V l之數位資料的位址之 線形形式的改變而定,所以,不能獨立地控制輸出V。U T 的電壓振幅及參考電位。 【發明內容】 因此,在慮及上述問題及缺點下,硏發本發明。所以 ’發明的目的係提供D A C,其能夠獨立地控制輸出 V ◦ U τ的電壓振幅及參考電位。將於下說明根據發明之 D A C。 本發明係關於數位類比轉換器電路,其能將n位元數 位資料轉換成類比訊號(其中n係自然數),其中^位元 數位資料的個別位元會控制開關及控制連接至開關之電容 中的電荷充電及放電,且數位類比轉換器電路會輸出具有 偏移電壓之類比訊號,偏移電壓係作爲參考電壓。 發明係關於數位類比轉換器電路,其能將η位元數位 -10· (7) (7)1249905 資料轉換成類比訊號(其中η係自然數),其中數位類比 轉換器電路具有η個開關及η個對應於η位元數位資料的 個別位元之η電容,對應於η位元之η個開關會控制連接 至η個開關中的每一開關之電容中的電荷之充電及放電, 且數位類比轉換器電路會輸出具有偏移電壓之類比訊號, 偏移電壓係作爲參考電壓。 根據發明之數位類比轉換器電路,數位類比轉換器電 路會將η位元數位資料轉換成類比訊號,包括由η位元數 φ 位資料之較低m位元的個別位元(其中η及m係自然數, m < η )所控制之開關、以及由η位元數位資料之較高( η - m )位元的個別位元所控制之開關;連接至較低m位 元的個別位元所控制之每一開關之電容,其中每一電容係 2 m — 1乘上單位電容;連接至較高η - m位元的個別位元 所控制之每一開關之電容,其中每一電容係2 n — m — 1乘 上單位電容;耦合電容;及二重設開關;其中二電源及偏 移電源會連接至數位類比轉換器電路;開關會選取二電源 φ 中的任一電源,二重設開關會控制電容之電荷充電;及數 位類比轉換器會從η位元數位視頻資料的較高(n - m ) 位元電容的共同連接端輸出具有偏壓電源的電位之類比訊 號,偏壓電源的電位係作爲參考電位。 根據發明之數位類比轉換器電路包括:由資料的較低 m位元(其中η及m係自然數,m < η )所控制的較低位 元電路部份,其中較低位元部份係由個別位元所控制的開 關及連接至開關之電容所組成,其具有之電容係比單位電 -11 - (8) (8)
1249905 容大2 m — 1倍;由η位元數位資料的較高(η - m )位元 所控制的較高位元電路部份,其中較高位元電路部份係由 個別位元所控制之開關及連接至開關之電容所組成,其具 有之電容比單元電容大2 η - π—1倍;耦合電容,由上述 單位電容組成,用以連接較低位元電路部份至較高位元電 路;及二重設開關;其中,二電源及偏壓電源會輸入其中 ;二重設開關會控制較低位元電路部份以及較高位元電路 的個別電容之電荷充電;偏壓電源會輸入至較高位元電路 部份之個別電容的共同連接端;較低電路部份的個別開關 會從個別位元的資訊選取二電源中的任一電源,及控制連 接至個別切換開關之電容的電荷充電及放電;較高位元電 路部份的個別開關會從個別位元的資訊選取二電源中的任 一電源,及控制連接至個別開關的電容之電荷充電及放電 ;及使用偏壓電源的電位作爲參考電位之類比訊號會從較 高位元電路部份的共同連接端輸出。 在根據發明之DA C中,輸出Vqut可藉由VH與 V t之間的差以決定其振幅,及使用V t作爲參考電位下 決定相對於數位資料的位址之線性形式的改變。亦即,能 夠獨立地控制輸出V ◦ U τ之電壓振幅及參考電位。因此, 假使V Η與V L之間的差固定,則即使V Η與V L二者均小 ,仍能取得相同的輸出V Q U Τ。因此,能夠將電源電壓抑 制至較低値,因此,α可以爲小,亦即,電容可以小,且 可減少電容部份的佈局區。
-12- 1249905
【實施方式】 將於下述中說明根據發明之D A C的較佳實施例。此 外’根據發明之D A C不侷限於下述實施例。 圖1係顯示根據發明之DA C的電路圖。圖1中所示 之發明的D A C能夠處理η位元的數位資料(d 〇至 D η - i )。此外,D 〇可視爲L S B,而d n — !可視爲 MS B。而且,假設n位元數位資料分成較位元( D〇至Dm-l)及較高的n— m位元(Dm至Dn-l)。 如圖1所示,根據發明之DAC具有由n位元數位資 料(D 〇至D η - !)之個別位元所控制的η個開關( SW。至SWn-i)、連接至個別開關(SW。至SWn-i )之電容(C、2C、· · .2m— 1C,C、2C、· · • 2n — m_1C)、及二重設開關(Re s 1 及 Re s 2 )。這些電容係製成單位電容C的整數倍。根據發明之 D A C具有電容以連接對應於較低m位元的電路部份至對 應於較高η - m位元之電路部份。如圖1所示,對應於較 低m位元的電路部份之個別電容的一端係製成共同連接端 。而且,對應於較高η - m位元的電路部份之個別電容的 一端也製成共同連接端。此外,電容C e係連接至輸出 V ◦ υ τ之訊號線的負載電容。接地電壓係設定爲V。。但 是,V。可爲任何選加的固定電源。 電源V Η、V L、偏壓電源V B及電源V A會連接至根 據發明之D A C。此外,在V Η > V L及V Η < V L的情形 中,相位反轉的類比訊號會經由輸出V ◦ υ τ輸出。而且,
-13- (10) 1249905 於此,當V Η > V L·時’將輸出假設爲正常相位’當V H < V 時,將輸出假設爲反轉相位。 當輸入的數位資料(Dd至Dm— 〇爲0 (L 0 )時 ’開關(SWo至SWn-Ι)會分別連接至電源Vl ’且 當輸入的數位資料爲1 ( H i )時’開關(s W ◦至 SWn-ι)會分S!J連接至電源Vh。重設開關R e s 1會 控制電荷從V η充電至對應於較高的η _ m位元之電容(
C、2 C、· · · 2 n — m 一 1 C ),重設開關 R e s 2 會 _ 控制電荷從V a充電至對應於較低的m位元之電容(C、 2 C、· · · 2 m - 1 C )。 此外,藉由連接重設開關R e s 2的一端至電源V l ,則不會有電壓從電源V a供應。 接著,將依序說明根據發明之D A C的作動。將以分 成重設週期T R及資料輸入週期τ B之作動,說明發明的 D A C之作動。 首先,重設開關Re s 1及Re s 2會於重設週期 TR中關閉,其中數位資料的所有的位元(D〇至Dn-i )會變成0 (Lo),而所有的開關(sw。至SWn — i )會連接至電源V l。在此狀態中,圖1中所示之根據發 明的DAC之等效電路係顯示於圖2 (A)中。 在重設週期T R終止之後,累積於圖2 ( a )中所示 之個別的合成電容中的電荷之內定値(初始値)q Q 〇、 Q1。、Q2。、Q3。、、及會變成如下式(1 a )至(1 f )示。 -14 - (11)1249905 Q〇° = =(2m -1) · c · ( VL- Va ) (la) Qi° = =0 (lb) Q20 : =(2n-m -1) . c . ( VL- VB ) (1c) Qb〇 : 二 0 (Id) Q° = c · ( Va - VB) (le) Ql° = =cL . ( VB - VG ) (If)
在重設週期終止之後,資料寫入週期T E開始,其中 具有選加的位元資訊之數位資料(D。至D η - i )會控制 開關(S W。至S W η - i ),電荷會依據個別的位元資訊 充電及放電。之後,穩定狀態會上升。而且,累積於合成
電容C 〇 、C 1 、C 2 ' C 3 N C及Cl中的電荷Qq、Qi 、Q 2、 Q 3、 Q、 及Qi^會變成如下式(2 a )至(2 f )所示。 Qo = c〇 . (VL -vm) (2a) Qi = :Cl . (VH -vm) (2b) Q2 = :C2 · (vL -vout) (2c) Q3 = :C3 · (VH -vout) (2d) Q = c . (Vm -vout) (2e) Ql = =CL . (V〇, ,t - VG) (2f)
其中 c〇 = c*( D 〇 + 2 D 1+4 D 2-1 — +2m_1D m-1) ......... (3 a) ci = c.(D〇 + 2Di+4D2 +…+ 2m-1Dm_i) .........(3b) c2 = c.( D m + 2 D m+i+4 D m + 2 +…+211-111-1 D n-i)-..(3c) -15- (12) 1249905 03 = (:.(0^2 0^+40^^..+2^-1-1) .........(3d) 此處,在圖2 (B)中的點V〇ut&Vm,藉由電荷 守恒定律,建立下述式子(4a)及(4b)。 -Qo - Qi + Q = -Q〇° -Qi° + Q° (4a) -Q2 - Q3 - Q + Ql = -Q20 - Q30 - Q0 + Ql0 (4b)
此處,(la)至(If)及(2a)至(2f)代 入(4a)及(4b),並解出V〇ut,因此導出下式(
(5) V〇u 其中,由於建立下式(6a)及(6b),
c 〇 + c 1 = c · (l+2 + 4+."+2m 1 ) = (2m - 1). c c2 + c3 = c · ( 1+2 + 4+…+2n-m_1) =(2n_m-l) · c (6a) (6b)
所以,可取得下式 c〇 + Cl + 2m(c2+c3) = (2n - 1) · c (7) 因此,將(6a) 、(6b)及(7)代入式(5) ,可得下式, -16- (13)1249905 v0Ut = vB + {cx (2Λ—-1> 厂 • (8) 其中,α變成如下式(9)所示 且α係電壓壓縮比
V 一1 CL …(9)
因此,藉由表示式(8),可瞭解到v〇ut&未取決 於V a。根據式(8 ) ’圖2 ( C )係顯示v 〇 ^ t爲縱
軸,而位址爲橫軸。如圖2 ( C )所示,可發現輸出 V。u T係相對於數位資料的位址(〇至2 n - 1 )之線性形 式。此外’輸出V QUT可以藉由V Η與Vl之間的差而決 定其振幅’以及決定偏壓電源V B作爲參考電位時相對於 數位資料的位址之線性形式的變化。亦即,能夠獨立地控 制輸出V ◦ U T的電壓振幅及參考電位。以其爲基礎,假使 V Η與V L之間的差異爲固定時,則即使V Η與V L均爲小 時,仍可取得相同的輸出,因此,能夠將電源電壓抑制於 低位準。因此,可以使α爲小,亦即,電容C可以小。因 此,可以減少電容部份的佈局區。 此外,在用於本發明的結構之電容中,幾乎符合上述 線性關係之誤差是可以允許的。 將於下說明根據發明的D A C之較佳實施例。根據發 明之D A C的詳細構造不限於下述實施例。 -17- (14) 1249905 實施例1 圖3係顯示實施例的8位元D A C之電路圖。 圖3中所示之實施例的D a c會管理八位元(D 〇 ( LSB)至D7 (MSB))所組成的數位資料。而且, 八位元數位資料會分成較低四位元(Do至D3)及較高 四位元(D 4至D 7 )。
如圖3所示,實施例的d A C具有八個由八位元數位 資料(D ◦至D 7 )之個別位元所控制的開關(S W ◦至 SW7)、連接至個別開關(SW〇至SW7)之電容(C 、2<:、4(:、8(:、(:、2(:、4(:、及8(:)、及二 重設開關(R e s 1及r e s 2 )。而且,實施例的 D A C具有電容以連接對應於較低四位元的電路部份至對 應於較高四位元的電路部份。
電源V η及V L、以及偏壓電源V B會連接至根據實施 例之D A C。 當輸入的數位資料(D Q至D 7 )的個別位元爲〇 ( L 〇 )時,開關(SW。至SW7)會連接至電源,當 輸入的數位資料的個別位元爲1 ( H i )時,開關( SW〇至SW7)會連接至電源Vh。這與上述是相同的。 重設開關R e s 1會控制電荷從v b充電至對應於較高四 位元之電容(C、2C、4C、&8C)。而且,對應於 聿父低四位兀之電谷(C、2 C、4 C及8 C)的一^端會連 接至重設開關R e s 2。 -18- (15)1249905 根據實施例之八位元D A C與上述圖1中所示之 D A C 於 結 構 上不同。實施例 的D A C與 圖1中所示的 D A C 之 不 同 點在於重設開關 Re s 2的 一端連接至電 源 V L . 且\ te ‘ 電. 壓 從電源V A供應 。但 是,如 上所述,輸出 電 壓 V 0 1 J T 不 會 視V A而定,因 此, 實施例 的D A C會如 上 述 圖 1 中 所 示 的D A C —般地 操作 〇 接 著 將 依序說明根據實 施例 PDA C的作動。將 以 分 成 重 設 週 期 T R及資料輸入 週期 j T E之 作動,說明根 據 實 施 例 的 D A C之作動。 首 先 1 重 設開關R e s 1 與R e s 2 會於重設週期 T R 中 關 閉 y 數位視頻資料的所有位元 (D 〇 至 D 7 ) 會 變 成 0 ( L 0 ),且所有的開關 (S W c ,至S W 7 )會 連 接 至 電 源 V L 。在此狀態中, 根據 實施例 之D A C的等 效 電 路 與 圖 4 ( A )中所示相同 〇 在 重 設 週 期T R終止之後 ,圖 4 ( A )中所示之累 積 於 合 成 電 容 C 0、Cl、C2、 C 3 、C及 C l中的電荷Q 0 > Q 1 Q : Q 3、Q、及 Q L內 定値( 初始値)最後 會 變 成 如 下 式 ( 1 0 a )至(1 Of )所示 f Q 〇 0 一 =0 (10a) Qi 0: =0 (l〇b) q2 0 一 =1 5 · c . ( VL - VB ) (10c) Qa 0, =0 (lOd) Q° = c . (Vl - Vb) (lOe) Ql° : =C L · (VB - VG ) (lOf) (16)1249905 其中,可滿足下列表示式: Q〇 =C 〇 · (VL - vm) (11a) Qi =Ci . (Vh - Vm ) (lib) Q2 =C2 · (vL - Vout) (He) Qs =C3 · (VH - Vout) (Hd) Q =c . (Vm - Vout) (He) Ql =CL . (vout -VG) (Hf)
在重設週期終止之後,具有選加的位元資訊之數位資 料(D。至D 7 )會提供給開關(S W。至S W 7 ),其中 電荷會依據個別的位元資訊充電及放電。最後,累積於合 成電容C〇、Ci、C2、Cs、C及Cl中的電荷Q〇、
Qi、Q2、Q3、Q、及Ql會變成如上式(1 1 a)至 (11f)所示。 # 而且,建立下述表示式; φ c 〇 = c. ( D 〇 + 2 D 1 + 4 D 2 + 8 D 3).........(12a) c 1 = c . ( D 〇 + 2 D 1 + 4 D 2 + 8 D 3) ......... (12b) c 2= c. ( D 4 + 2 D 5 + 4 D 6 + 8 D 7)......... (12c) C3 = c.(D + 2D5 + 4D6 + 8D7) ......... (1 2d) 此處,在圖4中的點V ◦ u τ及V m,藉由電荷守恒定 律,建立下述式子(13a)及(13b)。 -Q〇 - Qi + Q = -Q〇° -Qi0 + Q° (13a) -Q2 - Q3 - Q + Ql = -Q20 Q30 - Q0 + Ql0 (13b) -20- (17) 1249905 此處,(10a)至(l〇f)及(12a)至( 1 2 f )代入(1 3 a )及(1 3 b ),則輸出V。u t如 下式(1 4 )所示。 V〇
U
{c〇 + 16 · c2 255' c\VL + (^! Jr\6'Ci})VH 255. c +16.cL …(14)
亦即,由於建立下式(15a)及(15b); (15a) (15b) c〇 -I- c 1 = c . ( 1+2 + 4 + 8) = 1 5 . c c 2 + c 3 = c . ( 1+2 + 4 + 8) = 1 5 . c 所以,可取得下式
c〇 + ci + 16(C2+C3) = 255 · c (16)
而且,將(15a) 、(15b)及(16)代入式 (14),可建立下式(17); (c} +) V〇ut = VB+^r^~~3--a-(VH-VL)......... (17) ZJ j · c 其中,α如下所示; -21 - (18) (18)1249905
1 + 16 cf 255 因此,由表示式(1 7 )可以瞭解到輸出V Q u τ與數 位資料的位址(〇至2 s - 1 )成線性形式。在本實施例 中’由於八位元數位資料會被管理,所以,可取得2 5 6 型式的輸出V〇UT。此處,當改變表示式(1 7)中的個 別參數時,顯示輸出V ◦ U T與數位資料的位址之轉變的圖 形係顯示於圖2 9中。 輸出V〇UT可以藉由VH與VL·之間的差而決定其振 幅,以及決定相對於數位資料的位址隨著作爲參考電位的 V B之變化。亦即,能夠獨立地控制輸出V Q U T的電壓振 幅及參考電位。以其爲基礎,假使VH與VL·之間的差異 爲固定時,則即使V Η與V t均爲小時,仍可取得相同的 輸出,因此,能夠將電源電壓抑制於低位準。因此,可以 使α爲小,亦即,電容C可以小。因此,可以減少電容部 份的佈局區。
(實施例2 ) 在實施例中,將說明根據上述實施例1之D A C用於 主動矩陣列液晶顯示裝置之驅動電路的情形。 圖5係根據實施例之主動矩陣型液晶顯示裝置的一般 方塊圖,其中源極訊號線驅動電路A以5 0 1標示,源極 訊號線驅動電路B以5 0 2標示,閘極訊號線驅動電路以 5 0 3標示,主動矩陣電路以5 0 4標示,數位視頻資料 -22- (19) 1249905 驅動電路(s P C :串列對並列轉換電路)係以5 0 5標 示。 源極訊號線驅動電路A 5 0 1具有移位電阻電路( 2 4 0級X 2移位暫存器電路)5 0 1 - 1、佇鎖電路1 (9 6 0 X 8數位佇鎖電路)5 0 1 — 2、佇鎖電路2 ( 9 6 0 X 8數位佇鎖電路)5 0 1 — 3、選取器電路1 (
240選取器電路)501 — 4、D/A轉換器電路( 240DAC) 501 — 5、及選取器電路2 (240選 取器電路)501-6。此外,其尙具有緩衝器電路及位 準偏移電路(均未顯示)。再者,爲了便於說明, D A C 5 0 1 — 5包含位準偏移電路。 源極訊號線驅動電路B 5 0 2具有同於源極訊號線驅 動電路A 5 0 1之構造。此外,源極訊線驅動電路 A 5 0 1會提供視頻訊號(階度電壓訊號)給奇數號源極 訊號線,而源極訊號線驅動電路B 5 0 2會提供視頻訊號
給偶數號源極訊號線。 此外,在根據發明之主動矩陣型液晶顯示裝置中,爲 了便於說明,僅設有二源極訊號線驅動電路A 5 0 1及 B 5 0 2,以致於這些驅動電路可以在它們之間保持主動 矩陣電路的上側及下側。但是,假使電路配置佈局允許時 ,可僅設有一源極訊號線驅動電路。 而且,閘極訊號線驅動電路會以5 0 3標示’其具有 移位暫存器電路、緩衝器電路、位準移位電路、等等(未 顯示於圖式中)。 -23- (20) 1249905
主動矩陣電路504具有1 9 20 (橫向)χ 1 0 8 0 (縱向)像素。像素T F T會配置於個別像素中 ,其中源極訊號線會電連接至個別的像素T F T之源極區 ,鬧極訊號線會電連接至閘電極。而且,像素電極會電連 接至個別像素T F T的汲極區。個別像素τ F 丁會控制視 頻訊號(階度電壓)對電連接至個別像素T F T之像素電 極的供應。其中視頻訊號(階度電壓)會提供給個別的像 素電極,而電壓會供應給置於個別像素電極與相面對的電 極之間的液晶,因而驅動液晶。 此處’將說明根據發明之主動矩陣型液晶顯示裝置的 訊號作動及流動。 首先,將說明源極訊號線驅動電路A 5 0 1的作動。 時計訊號(CK)及啓動脈沖(S P )會輸入至移位暫存 器電路501 — 1。移位暫存器電路501 — 1會根據時 計訊號(CK)及啓動脈沖(S P )產生依序之時序訊號 ,接著將時序訊號經由緩衝電路(未顯示)等等提供給後 續的電路。 來自移位暫存器電路5 0 1 - 1之時序訊號會由緩衝 器電路等等緩衝。由於一些電路及元件會連接至有時序訊 號供應之源極訊號線,所以,負載電容(寄生電容)大。 爲了防止時序訊號的上升及下降不會因負載電容大而遲滯 ,設置此緩衝電路。 由緩衝器電路緩衝之時序訊號會提供給佇鎖電路1 ( 501 — 2)。佇鎖電路1 (501 - 2)具有處理8位 -24- (21) 1249905 元數位視頻資料之9 6 0級佇鎖電路。當上述時序訊號輸 入時’佇鎖電路1 ( 5 0 1 - 2 )順序地拾取及固持數位 視頻資料分割電路所提供之8位元數位視頻資料。 直到數位視頻資料完全地寫入於佇鎖電路1 ( 5 0 1
一 2 )的所有級之時間係稱爲「線週期」。亦即,從數位 視頻資料開始寫入於佇鎖電路1 ( 5 0 1 - 2 )中的最左 側級的時間至數位視頻資料之寫入結束於佇鎖電路的所極 右側級之時間間隔係爲線週期。事實上,水平回歸週期會 加至上述線週期之時間週期可稱爲「線週期」。 在一線週期終止之後,佇鎖訊號會依據移位暫存器電 路5 0 1 — 1的作動時序而提供給佇鎖電路2 ( 5 0 1 _ 3)。此時,寫入及固持於佇鎖電路1 (501 — 2)中 的數位視頻資料會一次送出至佇鎖電路2 ( 5 0 1 — 3 ) ,並被寫入及固持於佇鎖電路2 ( 5 0 1 - 3 )的所有級 中〇
根據來自移位暫存器電路5 0 1 — 1之時序訊號,由 視頻資料分割電路提供的數位視頻資料會再度順序地寫入 完成送出數位視頻資料給佇鎖電路2 ( 5 0 2 - 3 )之佇 鎖電路1 (501 — 2)中。 在第二線週期中,寫入及固持於仔鎖電路2 ( 5 0 1 一 3 )中的數位視頻資料會由選取器電路1 ( 5 0 1 - 4 )依序選取並提供給D/A轉換器電路(DAC) 5 0 1 一 5。此外,在實施例中’在選取器電路1 ( 5 0 1 — 4 )中,一選取器電路對應於四源極訊號線。 -25- (22) 1249905 此處,爲了說明本實施例中所使用的選取器電路1 ( 5 0 1 - 4 ),將參考管理2位元數位視頻資料之選取器 電路(圖6及圖7 )。如同實施例中般,管理8位元數位 資料的選取器電路的觀念配置同於管理2位元數位視頻資 料之選取器電路的觀念配置。而且,可使用本申請人申請 之曰本專利申請號9 一 2 8 6 0 9 8中所述之選取器電路 〇 • 圖6係顯示一選取器電路的電路圖。在圖6中,代號 φ A、B、C及D係顯示源極訊號線,而附加至代號A、B 、C及D之尾數〇或1係顯示輸入至源極訊號線的2位元 數位視頻資料的位元。對應於源極訊號線A、B、C或D 的數位視頻資料係在一線掃瞄週期(水平掃瞄週期)中由 選取訊號S S 1及S S 2以四分之一接四分之一的方式選 取並從〇u t — 〇及〇u t — 1輸出。圖7係顯示選取電 路的時序圖,其中L及S係佇鎖訊號。 ® 在實施例的選取器電路501 — 4中,一選取器電路 Φ 提供給每四個源極訊號線。而且,從佇鎖電路1 ( 5 0 1 - 2 )提供給對應的源極訊號線之8位元數位視頻資料會 於一週期中被四分之一接四分之一地選取。 由選取器電路5 0 1 - 4所選取的8位元數位視頻資 料會提供給DAC50 1 — 5。此處,將參考圖8及圖9 ,說明用於本實施例中的D A C。 圖8係顯示用於本實施例中的D A C之電路圖。此外 ,雖然實施例的D A C具有位準偏移電路(L · S ·), -26- (23) 1249905 但是,仍能設計不具1位準偏移電路之D A C。此外,圖 9 ( A )係顯示位準偏移電路(L · S ·)的電路配置。
在位準偏移電路中,當訊號L 〇輸入至輸入I N及訊號 H i輸入至輸入I Nb時,高電壓源V d dH I會從輸出 OUT輸出且低電壓源VS s會從輸出OUTb輸出。而 且,當訊號H i輸入至輸入I N且訊號L 〇輸入至輸入 I Nb時,低電壓源V s s會從輸出OUT輸出且高電壓 源V d dH I會從輸出OUTb輸出。
在實施例的D A C中,數位視頻資料(D 〇至D 7 ) 的反轉資料(此處,反轉的D Q至D 7 )會設計成輸入至 反或(NOR)電路(50 1 — 5 — 1)的一輸入。重設 脈沖A (Re sA)會輸入至反或電路(50 1 - 5 — 1 )的其它輸入。重設脈沖A會輸入至D A C的重設週期 T R。在實施例的情形中,數位視頻資料(反轉的d。至 D7)會於重設週期TR中輸入至反或電路(5 0 1 - 5 一 1)。但是,當重設脈沖A (Re sA)正輸入至反或 電路時,不會有數位視頻資料從反或電路輸出。 此外,可省略反或電路,且在重設週期T R終止之後 會輸入數位視頻資料(反轉的D。至D 7 )。 在重設週T R完成之後,資料寫入週期τ E開始,8 位元數位視頻資料的電壓位準會由位準移位電路升高,且 資料會輸入至切換電路(SWQ至SW7)。 切換電路(S W 〇至S W 7 )分別由二類比切換開關 A S W 1及A S W 2所構成。個別的切換開關a S W 1及 -27- (24) 1249905 ASW2的電路配置係顯示於圖9 (B)中。ASW1的
一端會連接至DC_V I DE〇_L,而另一端會連接至 A S W 2的一端及電容。而且,個別的A S W 2的一端係 DC — V I DEO — H_,而另一端係連接至ASW2的 一端及電容(lpF、2pF、4pF、8pF、lpF 、2pF、4pF、8pF)。個別電容之一會連接至二 類比開關,而其另一端會連接至重設開關2 ( R e s 2 ) 。而且,重設開關1的一端會連接至D C — V I DE〇_ Μ,而另一端會連接至對應於較高位元的電容之一端。重 設脈沖(R e s Β )及反轉脈沖(反轉的R e s Β )會輸 入至重設開關R e s 1及R e s 2。 而且,電容(1 pF)會設於對應於較高位元的電路 與對應於較低位元的電路之間的連接點處。此外,實施例 中所有上述的電容不侷限於此處所述的値。
D A C 5 0 1 - 5會將8位元數位視頻資料轉換成 類比視頻資料(階度電壓)並順序地提供給選取器電路2 (5 0 1 - 6 )所選取的源極訊號線。實施例中的D A C 之作動符合上述實施例1的作動,且輸出V。U T係以上述 表示式(17)表示。 提供給源極訊號線的類比訊號又會提供給連接至源極 訊號線之主動矩陣電路的像素T F T之源極區。 源極訊號線驅動電路B係以5 0 2標示,且其配置同 於源極訊號線驅動電路A 5 0 1的配置。源極訊號線驅 動電路B 5 0 2提供類比視頻資料給偶數號的源極訊號 -28- (25) 1249905 線。 來自移位暫器(未顯示)的時序訊號會提供給閘極訊 號線驅動電路5 0 3中的緩衝器電路(未顯示),並提供 給對應的閘極訊號線(掃瞄線)。由於等於一線之像素 T F T的閘電極會連接至閘極訊號線且等於一完整線之所 有像素T F T必須開啓,所以在緩衝器電路中使用具有較 大電流容量的閘電極。
因此,藉由來自閘極訊號驅動電路之掃瞄訊號,以執 行對應的像素T F T之切換,其中來自源極訊號線驅動電 路的類比訊號會提供給像素T F T以驅動液晶粒子。
數位視頻資料分割電路(S P C :串列對並列轉換電 路)係以5 0 5標示。數位視頻資料分割電路5 0 5係用 以將週邊輸入的數位視頻資料之頻率降至1 / m之電路。 藉由分割週邊輸入的數位視頻資料,驅動電路的作動所需 之訊號頻率會下降至Ι/m。此處,將參考圖1〇 (A) 及1 0 ( B ),簡述實施例中所使用的數位視頻資料分割 電路5 0 5。 如圖1 0 ( A )所示,實施例中的數位視頻資料分割 電路具有時計產生器及眾多S P C基本單元。S P C基本 單元的配置顯示於圖1 0 (B)中。在圖式中,H — DL 及L 一 D L係稱爲D佇鎖之佇鎖電路。Η - D L係D佇鎖 電路,當輸入至D佇鎖中的佇鎖訊號爲H i時,其會佇鎖 輸入訊號,L 一 D L亦爲D佇鎖電路,當輸入至D佇鎖中 的佇鎖訊號爲L 〇時,其會佇鎖輸入訊號。 -29- (26) 1249905 在實施例中’ 8 〇 Μ Η z的8位元數位視頻資料會輸 入至數k視頻資料分割電路5 〇 5。數位視頻資料分割電 路5 0 5會將以串列對並列形式自週邊輸入的8 〇 Μ η z 的8位兀數位視頻資料轉換並供應1 〇 μ η z的數位視頻 資料給源極訊號線驅動電路。
此外,除了 8 Ο Μ Η z的數位視頻資料之外,尙有 4 〇ΜΗ ζ的時計(CK)及重設脈沖自週邊輸入至實施 例的數位視頻資料分割電路5 0 5。實施例的數位視頻資 φ 料分割電路5 0 5僅需頻率爲輸入的數位視頻資料的頻率 的一半之時計,因此,相較於習知實施例,根據實施例之 數位視頻資料於穩定性及可靠度上是優良的。 將於此參考圖1 1,其係顯示構成數位視頻資料分割 電路之S P C基本單元的時序圖。 圖1 1中所示的時序圖係顯示輸入的串列數位資料( D— l、D — 2、· · .D— 10、· · ·)被轉換成二 並列數位資料(P 1及P 2 ) 。 φ 於此,說明實施例中所述的主動矩陣型液晶顯示裝置 之生產方法的實施例。在本實施例中,此範例係顯示於圖 9至圖1 2中,其中眾多TFT形成於具有絕緣表面的基 底之上,主動矩陣電路、源極訊號線驅動電路、閘極訊號 線驅動電路、數位資料分割電路、及其它週邊電路等等係 形成於相同基底上。將於下說明的實施例係顯示一狀態, 於其中,主動矩陣電路1的一像素TFT及其它電路(源 極訊號線驅動電路、閘極訊號線驅動電路、數位資料分割 -30- (27) (27)1249905 電路及其它週邊電路)的基本電路之CMO電路同時形成 。而且’在下述範例中,將說明主動矩陣列液晶顯示裝置 之生產製程,於其中,在CMOS電路中,p通道TFT 及N通道τ f τ分別設有一閘電極。但是,也可能生產 C Μ〇S電路,其係由設有諸如雙閘或三閘等多個閘電極 的T F Τ所構成。而且,在下述實施例中,雖然τ f Τ係 雙鬧Ν通道τ F Τ,但是,像素T F Τ可以由具有單閘、 三閘、等等之T F Τ所構成。 將參考圖12 (Α)。首先,製備石英基底4〇〇1 作爲具有絕緣表面之基底。可以使用有熱氧化層形成於上 的矽基底以取代石英基底。可採用如此之方法,其中非晶 砂層形成於石英基底上且將其完全熱氧化以取得絕緣膜。 而且’可使用有氮化矽層形成於上以作爲絕緣膜之石英基 底、陶瓷基底或矽基底。接著,形成基層。在本 貫施例中’使用氧化矽(S i〇2 )作爲基層4 〇 〇 2。 接者’形成非晶矽層400 3。調整非晶矽層400 3 , 以致於最後的層厚度(在熱氧化之後考慮層縮減之後取得 的層厚度)變成10至75nm(較佳地,15至45 此外’當形成非晶矽層4 0 〇 3時,徹底地執行層中 的雜質管理’是重要的。在本實施例的情形中,其會受控 制’以致於阻礙非晶矽層4 0 〇 3中後續晶化之雜質c ( 碳)及N (氮)的濃度爲5 X 1 〇 1 8原子/ ^ m 3或更少 (以5 X 1 0 原子/ c m 3或更少爲代表,較佳地,2 -31 - (28) 1249905 xl 017原子/cm 3或更少),〇(氧)的濃度爲 1 · 5.xl019原子/ cm3或更少(以lxlO18原 子/ cm 3或更少爲代表,較佳地,5 X 1 017原子/ c m 3或更少)。因爲假使雜質以高於上述的比例存在時 ,它們可能不利於後續的晶化,並在晶化完成之後造成層 的品質降低。在說明書中,層中之雜質元素濃度會定義爲 最小値以符合S I M S (二次離子質量分析)量測結果。
爲了取得上述構造,較佳的是,本實施例中所使用的 低壓熱C V D爐會週期地接受乾淸潔,及嘗試淨化層形成 室。100至300sccm的C1F3(氟化氯)氣體 會於加熱至2 0 0至4 0 0°C之爐中流通,且熱分解所產 生的氟化物會用於層形成室的乾淸潔。 根據申請人所知,爐中溫度爲3 0 0 °C及C 1 F 3氣 體的流量爲3 0 0 s c c m之情形中,能夠在四小時內完 全地消除約2 // m厚的雜質(主成份爲矽所構成)。 此外,非晶矽層4 0 0 3中的氫濃度係顯著的參數之 φ 一。假使氫濃度被抑制於較低程度,則於取得良好晶化層 時可取得較佳結果。因此,較佳的是,使用低壓C V D方 法以形成非晶矽層4 0 0 3。而且,藉由最佳化層形成條 件,也可採用電漿C V D方法。 接著,對非晶矽層4 0 0 3執行晶化處理。使用 1 9 9 5年之日本公開專利公告號1 3 0 6 5 2作爲晶化 手段。可使用相同文獻中的實施例1或2中的任一實施例 。在本實施例中,較佳的是,使用相同專利公告中的實施 -32- (29) 1249905 例2所揭示之技術(細節請參見1 9 9 6年的日本公開專 利公告號7 8 3 2 9 ) ° 1 9 9 6年的日本公開專利公告號7 8 3 2 9係形成 1 5 0 n m的掩罩絕緣膜4 0 0 4,其會選取摻雜觸媒元 素之區域。掩罩絕緣膜4 0 0 4具有眾多開口埠以摻雜觸 媒元素。藉由開口埠的位置,能夠決定晶化區域的位置( 圖 1 2 ( B ))。
以旋轉塗敷法塗著溶液4 0 0 5 (醋酸鎳乙醇溶液) ,溶液4 0 0 5含有鎳(N i )作爲促進非晶矽層 4 0 0 3晶化之觸媒元素。除了鎳(N i )之外,也可使 用鈷(Co)、鐵(Fe)、鈀(Pd)、鍺(Ge)、
鉑(Pt)、銅(Cu)、金(Au)、等等作爲觸媒元 素。使用光阻掩罩之離子佈植法、或電漿摻雜法可用於上 述觸媒元素的摻雜製程。在此情形中,由於變得較容易減 少摻雜區的佔據區及控制後述的水平生長區中的生長距離 ’所以,當構成微電路時,摻雜製程將爲有效的技術。 在完成觸媒元素的摻雜製程之後,在氫於4 5 0°C下 發射一小時之後的不活化氛圍、氫氛圍或氧氛圍下,於 500至960 °C (以550至650 °C代表)下,熱處 理4至2 4小時。之後,晶化非晶矽層4 0 0 3。在本實 施例中,於5 7 0 °C下,氫氛圍中執行加熱處理。 此時,非晶矽層的晶化會優先從有鎳摻雜之區 4 0 〇 6中產生的核(原子核)開始,因此,形成晶化區 4007,其以幾乎平行於基底4001的基底表面之方 -33- (30) 1249905 式生長並由多晶矽層構成。晶化區4 0 0 7稱爲「水平生 長區」。水平生長區係在比較匹配的狀態下,其中個別晶 體會聚集。因此,其具有總體晶化優良之優點。 此外,在未使用掩罩絕緣膜4 0 0 4下,醋酸溶液會 塗著於非晶矽層的整個表面上以用於晶化。
參考圖(1 2D)。接著,執行觸媒元素的吸氣處理 。首先,選擇性地執行磷離子的摻雜。以形成的掩罩絕緣 膜4 0 0 4,執行磷摻雜。假使此點發生時,磷僅摻雜於 未由掩罩絕緣膜4 0 0 4遮蔽之多晶矽層的區域4 0 0 8 上(此區稱爲磷摻雜區4008)。此時,摻雜的加速電 壓及氧化層構成的掩罩厚度最佳化,以致於磷不會穿透掩 罩絕緣膜4 0 0 4。由於氧化層假使直接接觸主動層時不 會成爲污染的原因,所以,掩罩絕緣膜4 0 0 4雖然不須 爲氧化層,但爲氧化層時是有利的。
磷的劑量從1 X 1 014至1 X 1 015離子/cm2 爲適當的。在本實施例中,使用離子摻雜裝置,摻雜5 X 1014離子/ cm2的磷。 此外,離子摻雜時的加速電壓定爲1 0 k e V。假使 採用1 0 k e V的加速電壓時,磷幾乎不會通過1 5 0 n m厚的掩罩絕緣膜。 參考圖12 (E)。接著,在600 °C的氮氛圍下以 熱處理執行鎳元素吸收1至1 2小時(在實施例中爲1 2 小時)。因此,如圖1 2 ( E )所示,鎳會被吸入及拉至 接近磷。在6 0 0 t的溫度下,磷原子幾乎不會在層中移 -34- (31) 1249905 動。但是,鎳原子可以移動數佰微米或更多。根據此點, 可瞭解到磷係最適宜吸收鎳的元素之一。 接著,參考圖1 3 ( A ),說明多晶矽層的圖型化處 理。此時,磷摻雜區4 0 0 8,亦即吸入鎳的區域,不會 保留。因此,可取得幾乎未含鎳元素之多晶矽層的主動層 4 0 0 9至4 0 1 1。所取得的多晶矽層之主動層 4009至4011稍後變成TFT的主動層。
參考圖(13B)。在形成主動層4009至 4 0 1 1之後,由含有矽的絕緣膜構成之閘絕緣層 4 0 1 2會形成於其上至變成7 0 n m厚。在氧化氛圍中 ’於 800 至 1100 °C (較佳地,950 至 1050 °C )的溫度下,執行熱處理,藉以在主動層4 0 0 9至 4 0 1 1與閘絕緣層4 0 1 2之間的邊界,形成熱氧化層 (未顯示)。
此外,在此階段執行熱處理以吸收觸媒元素(觸媒元 素的吸收處理)。在此情形中,熱處理係在含有鹵素的處 理氛圍中利用鹵素造成的觸媒元素吸收效果。而且,爲了 以鹵素充份取得吸收效果,較佳的是,在7 0 0 °C或更高 的溫度下執行熱處理。假使溫度低於7 0 0 °C,則將難以 分觸處理氛圍中的鹵素化合物,因此,恐怕無法取得吸收 效果。此外,在本情形中,關於含有鹵素的氣體,可使用 選自諸如 HC1 、HF、NF3、HBr、C12、 C 1 F3、BC I2、F e、Β Γ2、等等包含鹵素之化合 物中之一或多種氣體。在此處理中,舉例而言,假使使用 -35- (32) 1249905 H C 1 ,則主動層中的鎳會由氯的作用所吸收,並被移入 氛圍中成爲揮發的氯化鎳。此外,在執行使用鹵素的觸媒 元素之吸收處理之情形中,可以在掩罩絕緣膜4 0 0 4被 移除之後圖型化主動層之前,執行觸媒元素的吸收處理。 也可在圖型化主動層之後,執行觸媒元素吸收處理。再者 ,此二種處理可合倂。 接著,形成鋁構成的金屬層(未顯示)以形成圖型化 造成的閘電極原型。在本實施例中,鋁層可使用含有 φ 2 w t %的銃。此外,閘電極可由摻雜有雜質之多晶矽層 所形成,以便提供導電性。或者,可使用諸如Μ 〇或W或 此金屬的金屬矽化物等耐熱金屬。 接著,藉由1 9 9 5年的日本公開專利公告號 1 3 5 3 1 8所揭示的技術,形成多孔陽極氧化層 40 1 3至4020、非多孔陽極氧化層402 1至 4024、及閘電極4025至4028 (圖13 (Β)
因此,取得如圖1 3 ( Β )中所示的狀態,接著,使 用閘電極4 0 2 5至4 0 2 8以及多孔陽極氧化層 4 0 1 3至4 0 2 0作爲掩罩,蝕刻閘絕緣層4 0 1 2 ° 而且,多孔陽極氧化層40 1 3至40 2 0會被移除以取 得圖1 3 ( C )中所示的狀態。在本實施例中’ 4 0 2 9 至4 0 3 1標示處理過的閘絕緣層。 參考圖1 4 ( A )。接著,執行摻雜製程’於其中’ 摻雜雜質元素以提供導電率。關於雜質元素’ p (磷)或 -36- (33) 1249905
As (砷)可用於N通道型’而B (硼)或〇3 (鎵)可 用於P通道型。 在本實施例中,在二製程中執行雜質摻雜,以形成N 通道型TFT及P通道型TFT。
首先,摻雜雜質以形成N通道型TF T。在 8 0 k e V的高加速電壓下’執行第一雜質摻雜(在本實 施例中使用磷)。調整η 區,以致於Ρ離子濃度變成1 xlO18 原子/cm3 至 lxlO19 原子/cm3。 · 在1 0 k e V的低加速電壓下,執行第二雜質摻雜以 形成η +區。此時,由於加速電壓低,所以,閘絕緣層會 作爲掩罩。而且,η+區會被調整,以致於片電阻會變成 小於500Ω/平方(較佳地,300Ω/平方)。 經由上述處理,形成構成CMO S電路之Ν通道型 TFT源極區4 0 3 2及汲極區4 0 3 3、低濃度雜質區 4036、及通道形成區4039。此外,決定構成像素 TFT之N通道型TFT源極區4034和汲極區 φ 403 5、低濃度雜質區4037、及通道形成區 4040 及 4041。(參見圖 14 (Α))
此外,在圖1 4 ( C )所示的狀態中,構成C Μ〇S 電路之Ρ通道型T F Τ的主動層具有同於Ν通道型T F Τ 的主動層之結構。 接著,如圖14 (Β)所示,設置光阻掩罩4042 以遮蓋Ν通道型T F Τ ’且摻雜雜質離子(在本實施例中 ,使用硼)以提供Ρ型導電率。 -37- (34) 1249905 如同上述雜質摻雜處理一般,此處理會執行二次。由 於需要使N型導電率反轉成P型導電率,所以,摻雜濃度 比P離子摻雜濃度大數倍之B (硼)離子。 因此,形成構成CMOS電路之P通道型TFT源極 區4034及汲極區4044、低濃度雜質區4045及 通道形成區4046。(參見圖14 (B))。
此外,在閘電極由摻雜有雜質以提供導電率之多晶矽 層所形成的情形中,可使用習知的側壁結構以形成低濃度 雜質。 接著,藉由爐退火、雷射退火或燈退火或它們之組合 ,活化雜質離子。同時,修復摻雜製程中可能遭受到的主 動層損傷。 參考圖14(C)。接著,形成氧化矽層及氮化矽層 構成的疊層以作爲第一中間層絕緣膜4 0 4 7,及形成接 點孔。之後,形成源極電極及汲極電極4 0 4 8至 4 0 5 2。此外,使用有機樹脂層作爲第一中間層絕緣膜 φ 參考圖1 5A。接著,第二中間層絕緣膜4 0 5 3會 由氮化矽層所形成。接著,形成0·5至3#m厚之有機 樹脂層構成的第三中間層絕緣膜4 0 5 4。可使用聚醯亞 胺、丙烯酯、聚亞胺醯胺等作爲有機樹脂層。有機樹脂層 的優點係容易形成膜、層容易厚化、因相對介電常數低所 以可降低寄生電容、且平坦度優良、等等。也可使用上述 物質之外的其它有機樹脂層。 -38- (35) (35)1249905 接著,蝕刻第三中間層絕緣膜4 0 5 4的部份,及在 像素TFT汲極電極4052上形成黑矩陣4054,以 第二中間層絕緣膜夾於它們之間。在本實施例中,T i ( 鈦)用於黑矩陣4 0 5 4。而且,在本實施例中,在像素 T F T與黑矩陣之間形成固持電容(也稱爲儲存電容)。 此外,在驅動電路部份中,使用黑矩陣4 0 5 4作爲第三 接線。而且,實施例的D / A轉換器電路之電容會由形成 源極電極與汲極電極時所產生的電極與黑矩陣所形成。接 φ 著,形成諸如丙烯酯樹脂等有機樹脂所製成的第四中間層 絕緣膜4 0 5 6。 接著,形成通過第二、第三、及第四中間層絕緣膜 4053、4054及4056之接點孔,並形成120 n m厚的像素電極4 0 5 7。此外,由於實施例係透射型 主動矩陣液晶顯示裝置的實施例,所以,使用諸如I T〇 或I η Ζ η〇等透明導電層以作爲構成像素電極4 0 5 7 之導電層。 φ 接著,在氫氛圍中,於3 5 0 °C下將整個基底加熱一 至二小時,因此,可藉由氫化所有元素而補償層中的懸浮 鍵(特別是在主動層中)。經由上述處理,在相同基底上 ,完成具有CMO S電路及像素矩陣電路之主動矩陣基底 接著,以上述處理所產生的主動矩陣基底爲基礎,說 明生產主動矩陣型液晶顯示裝置之製程。 在處於圖1 5 ( B )所示的狀態中之主動矩陣基底上 -39- (36) 1249905 ,形成對齊層4 0 5 8。在本實施例中,將聚醯亞胺用於 對齊層。接著,製備相對基底。相對基底係由玻璃基底 4059、透明導電層構成的相對電極4060、及對齊 層4 0 6 1所構成的。 此外,在本實施例中,使用聚醯亞胺層作爲對齊層。 而且,在形成對齊層之後,執行摩擦處理。在本實施例中 ,使用具有比較大的預傾斜角之聚醯亞胺作爲對齊層。
接著,以習知的細胞組裝製程,將經過上述處理之主 動矩陣基底及相對基底經由密封材料、間隔器(均未顯示 ),彼此黏合。之後,將液晶4 0 6 2供應於二基底之間 ,並以密封劑(未顯示)完全地密封。在本實施例中,使 用向列型液晶作爲液晶4 0 6 2。 因此,完成如圖15 (C)所示之透射式主動矩陣型 液晶顯示裝置。 也可使用雷射光(以準分子雷射或Y A G雷射爲代表 )以晶化非晶矽層,而取代上述實施例中所述的晶化非晶 φ 矽層之方法。 (實施例3 ) 在實施例3中,將說明生產具有根據發明之D A C之 主動矩陣型液晶顯示裝置之另一方法,其不同於上述實施 例2中所述之生產方法。而且,根據本實施例之主動矩陣 型液晶顯示裝置可作爲實施例2的主動矩陣型液晶顯示裝 置。 -40- (37) 1249905 參考圖16 (A)。首先,200nm厚的氧化矽層 5 0 0 2所構成之基層會形成於玻璃基底5 0 〇 1上。基 層可藉由疊加氮化矽層而取得,或者僅由氮化砂層構成。 接著,使用電漿CVD法,在氧化矽層5 〇 〇 2上, 形成3 0 n m厚的非晶矽層,並將其脫氫。之後,藉由準 分子雷射退火,以形成多晶矽層(結晶矽層或多晶矽層)
以習知之雷射晶化技術或熱晶化技術,執行晶化製程 。在本實施例中,藉由以線性形式處理脈沖振盪型K r F 準分子雷射,以將非晶矽層晶化。
此外,在本實施例中,採用非晶矽層作爲初始層,及 將其雷射退火,經由晶化而取得多晶矽層。但是,可使用 微晶矽層作爲初始層,或是直接形成多晶矽層。當然,可 以對所形成的多晶砂層執行雷射退火。此外,可執行爐退 火以取代雷射退火。而且,藉由如實施例1所示的方法, 執行非矽層的晶化。 將如此形成的結晶矽層圖型化,因而形成島狀矽層構 成的主動層5003及5004。 接著,形成氧化矽層構成的閘絕緣層5 0 0 5以遮蓋 主動層5003及5004,其中,於其上形成鉅及氮化 鉅的疊層結構所構成之閘接線(包含閘電極)。(參見圖 16(A))。 閘絕緣層5 0 0 5係製成1 0 0 n m厚。當然,氧化 矽層除外,可以使用氧化矽層或氮化矽層、及氮氧化矽層 -41 - (38) 1249905 的疊層結構。此外,雖然其它金屬可用於閘接線5 0 〇 6 及5 0 〇 7,但是,相對於矽具有高蝕刻選擇比例之材料 ’在後續處理中會是較佳的。 在如此取得圖1 6 ( A )中所示的狀態之後,執行第 一磷摻雜處理(磷添加處理)。此處,由於經由閘絕緣層 5 0 0 5執行摻雜,所以,加速電壓會建立至稍微高位準 之8 0 k e V。摻雜量也會被調整,以致於如此形成之第
一雜質區5 0 0 8及5 0 0 9的長度(寬度)會變成 0 · 5//m,而且,磷濃度會變成lxlO17原子/ c m 3。此時,以(η —)表示磷濃度。可以使用砷取代 磷。 此外,使用閘接線5 0 0 6及5 0 0 7作爲掩罩,以 自我對齊的狀態形成第一雜質區5008及5009。此 時,本質結晶矽維持於閘接線5 0 0 6及5 0 0 7的正下 方,並形成通道形成區5010及5011。但是,事實 上由於第一雜質區會稍微摻雜於閘接線內,所以取得之結 __ 構係閘接線5 0 0 6及5 0 0 7與第一雜質區5 0 0 8和 5009會彼此重疊。(請參見圖16 (Β))。 接著,形成0 · 1至l//m厚(以0 · 2至0 · 3 // m爲代表)的非晶矽層,以遮蓋閘接線5 0 0 6及 5 0 0 7,並執行各向異性蝕刻以形成側壁5 0 1 2及 5013。側壁5012及5013會製成〇 · 2//m寬 (當從閘接線的側壁觀察時)。(請參見圖1 6 ( C )) -42- (39) 1249905 此外,由於在本實施例中使用無雜質摻雜的層作爲非 晶矽層,所以,形成本質矽層構成的側壁。 在取得圖1 6 ( C )中所示的狀態之後,執行第二磷 摻雜處理。在本情形中,加速電壓亦與第一次中一般設定 爲8 0 k e V。而且,調整摻雜量,以致於此次所形成的 第二雜質區5 0 1 4與5 0 1 5中含有的磷濃度爲1 X 1 018原子/cm3。此時,磷的濃度以(η)表示。
此外,在圖1 6 ( D )中所示的磷摻雜處理中,第一 雜質區5008及5009保持在側壁5012與 5013的正下方。這些第一雜質區5008及5009 將作爲第一 L D D。
此外,在圖1 6 ( D )的處理中,磷會摻雜於側壁 50 1 2與5 0 1 3中。事實上,由於加速電壓高,所以 磷係以磷濃度曲線的尾部(裙緣)在壁內佔優勢之狀態分 佈。雖然側壁的電阻成份可以由此磷所調整,但是假使磷 的濃度分佈相當不均勻,則其將變成施加至第二雜質區 5 0 1 4上的閘電壓於每一元素中變動的因素。因此,當 摻雜時,需要執行準確的控制。 接著,形成光阻掩罩5 0 1 6以遮蓋NTFT的一部 份以及形成光阻掩罩5 0 1 7以遮蓋整個P TFT。而且 ,在此狀態中,形成由閘絕緣層5 0 0 5的乾.蝕刻所處理 之閘絕緣層5 0 1 8。(參見圖1 6 ( E )) 此時,閘絕緣層5 0 1 8從側壁5 0 1 2凸出至其外 部之部份的長度(亦即,閘絕緣層5 0 1 8與第二雜質區 -43- (40) 1249905 5 0 1 4接觸之長度)會決定第二雜質區5 0 1 4的長度 1 6 (寬度)。因此,需要以高準確度執行光阻掩罩5〇丄 的光罩對齊。 〆一*鱗 在取得圖1 6 ( E )中所示的狀態之後,執行第二 •ΉγΙ 摻雜處理。由於磷將被摻雜於曝露的主動層上,所以’
速電壓會設定於1 〇 k e V的低位準。此外,調整掺雜孤 ,以致於如此取得的第三雜質區5 0 1 9中所含的磷丨農$ 爲5x 1 02Q原子/cm3。此時,磷濃度以(n + )表 示。(請參見圖17 (A)) 在本處理中,由於沒有磷被摻雜於光阻掩罩5 〇 1 6 與5 0 1 7所遮蔽的部份上,所以,第二雜質區5 〇 1 4 及5 0 1 5會原狀地保持於此部份中。因此,第二雜質 5 0 1 4會因而被分區。同時,第三雜質區5 0 1 9也會 被分區。
第二雜質區5 0 1 4會作爲第二LDD,而第三雜質 區5 0 1 9會作爲源極區或汲極區。 接著,移除光阻掩罩50 1 6及5 0 1 7,及新近形 成光阻掩罩5021 ,其能遮蓋整個NTFT。而且’移 除P T F T的側壁5 0 1 3,此外,藉由閘絕緣層 5 0 0 5的乾蝕刻,形成形狀同於閘接線5 0 0 7之閘絕 緣層5022。(請參見圖17(B))。 在取得圖1 7 ( B )中所示的狀態之後,執行硼摻雜 處理(硼添加處理)。此處,加速電壓設定爲1 0 k e V ,其中摻雜量會被調整,以致於第四雜質區中所包含的硼 -44- (41) 1249905 濃度爲3 x 1 0 2 ◦原子/ c m 3。此時,硼濃度以( P+ + )表示。(請參見圖17 (c))。 此外,由於硼也會被摻雜成在閘接線5 0 0 7內佔優 勢,所以,會在閘接線5 0 0 7內形成通道形成區 5 0 1 1 。而且,在本處理中,形成於P T F T側之第一
雜質區5 0 0 9及第二雜質區5 0 1 5會被反轉成P型。 因此,事實上,雖然電阻値會於原先爲第一雜質區的部份 以及原先爲第二雜質區的部份處變動,但是,由於以足夠 高的濃度摻雜硼,所以這不會造成問題。 因此,第四雜質區5 0 2 3會被分區。使用閘接線 5 0 0 7作爲掩罩,以完全自我對齊的狀態,形成第四雜 質區5 0 2 3,且第四雜質區會作爲源極區或汲極區。在 本實施例中,雖然未對P 丁 F T形成L D D區,亦未形成
偏移區,但是,由於PTFT本質上具有高可靠度,所以 不會有問題。因此,由於Ο N電流會增加,所以無L D D 區形成的情形具有更多優點。 因此,如同最後顯示於圖17 (C)中般,通道形成 區、第一雜質區、第二雜質區及第三雜質區會形成於 N 丁 F T的主動層上,並僅有通道形成區與第四雜質區形 成於PTFT的主動層上。 因此’在取得圖1 7 ( C )中所示的狀態之後,形成 1 // m厚的第一中間層絕緣膜5 〇 2 4。必須使用氧化矽 層、氮化砂層、氮氧化矽層、有機樹脂層或它們的疊層, 作爲第一中間層絕緣膜5 〇 2 4。關於有機樹脂層,可使 -45- (42) 1249905 用丙烯酸樹脂層。 在形成第一中間層絕緣膜5 0 2 4之後,形成由金屬 材料製成的源極接線5 0 2 5和5 0 2 6、以及汲極接線 5 0 2 7。在本實施例中,採用三中間層接線,其中含有 鈦的鋁層由鈦夾於中間。
此外,在使用稱爲B C B (苯並環丁烯)的樹脂層作 爲第一中間層絕緣膜5 0 2 4之情形中,平坦度可增加, 同時,變成能夠使用銅作爲接線金屬。由於銅的接線電阻 低,所以,其可有效作爲接線材料。 在如此形成源極接線及汲極接線之後,形成5 0 n m 厚的氮化矽層5 0 2 8作爲被動層。此外,於其上形成第 二中間層絕緣膜5 0 2 9作爲保護膜。可使用同於上述第 一中間層絕緣膜5 0 2 4之材料作爲第二中間層絕緣膜 5 0 2 9。在本實施例中,採用之結構係疊加5 0 n m厚 的丙烯酸樹脂層疊於氧化矽層上。
在經由上述處理之後,完成具有如圖1 7 ( D )中所 示的結構之C Μ〇S電路。由於,在實施例所形成的 CM〇S電路中,NTFT具有優良的可靠度,所以,整 個電路的可靠度可觀地增加。而且,假使採用如本實施例 中所示的此結構時,N T F Τ與P T F Τ的特徵平衡(電 特徵平衡)變成優良的。 此外,像素TFT也可由NTFT構成。 在取得圖1 7 ( D )中所示的狀態之後,打開接點孔 ,因而形成連接至像素T F T的汲極電極之像素電極。而 -46- (43) 1249905 且,形成第三中間層絕緣層以形成對齊層。接著,形成黑 矩陣。 在驅動電路部份中,使用黑矩陣作爲第三接線。此外 ,以形成源極電極與汲極電極時產生的電極、及黑矩陣’ 形成根據發明的D/A轉換器電路之電容。 接著,製備相對基底。相對基底係由玻璃基底、透明 導電膜構成的相對電極、及對齊層所構成。
而且,在本實施例中,使用聚醯亞胺作爲對齊層。在 形成對齊層之後,執行摩擦處理。此外,在實施例中,使 用具有比較大的預傾角之聚醯亞胺作爲對齊層。 接著,以習知的細胞組合製程,將主動矩陣基底與相 對基底彼此黏合。之後,將液晶供應至二基底之間,藉由 密封劑,完全地密封液晶。在本實施例中,使用向列型液 晶作爲液晶。 因此,完成主動矩陣液晶顯示裝置。 (實施例4 ) 在實施例4中,將說明矽基底用於上述實施例2或3 中的情形。所有其它處理與實施例1或2中相符。 參考圖18 (A)及圖18 (B)。在矽基底 6 0 0 1上形成氧化矽層6 〇〇2。在氧化矽層6 0 0 2 上形成非晶矽層(非晶矽膜6 0 0 3 ),及在其整個表面 上形成含有鎳的層(含鎳層6 〇 〇 4 )。接著,將層加熱 以使非晶矽層多晶化以形成多晶矽膜6 0 0 5。後續處理 - 47- (44) 1249905 同於實施例2或5中所述。 (實施例5 ) 在實施例中,將說明生產主動矩陣型液晶顯示裝置的 另一方法,其不同於上述實施例2或3中所揭示之方法。
參考圖19 (A)—圖19 (E)及圖20 (A)— 20(B)。舉例而言,以Corning公司製造之 1 7 3 7玻璃基底爲代表之無鹼玻璃基底作爲基底 7001。在會有基底7001的TFT形成於上的表面 之上,形成200nm厚由氧化矽構成的基層7002。 基層7 0 0 2又可設有疊層的氮化矽層或僅設有氮化矽層 接著,使用電漿CVD法,在基層7 0 0 2上形成 5 0 n m厚的非晶矽層。雖然可視非晶矽層的氫含量而決 定加熱溫度,但是,較佳地係在4 0 0至5 0 0 °C下,加 熱非晶矽層,以執行脫氫,因此,氫含量會被抑制至小於 φ 5 a t m %,且藉由晶化處理而取得結晶矽層。 使用習知的雷射晶化技術或熱晶化技術作爲晶化處理 。在較佳實施例中,以線性形式聚集脈沖振盪型K r F準 分子雷射,並將其照射至非晶矽層以取得結晶矽層。此外 ,可使用上述實施例1或3中所述的方法作爲晶化處理。 而且,在本貪施例中’雖然使用非晶矽層作爲初始層 ,但是,也可使用微晶矽層作爲初始層,或直接形成結晶 石夕層。 •48- (45) 1249905 將如此形成的結晶矽層圖型化,因而形成島狀半導體 主動層 7003、7004、及 7005。
接著,形成主要由氧化矽或氮化矽構成之閘絕緣層 7006以遮蓋半導體主動層70〇3 、7004及 7005。此處,以電漿CVD法,形成l〇〇nm厚的 氮氧化矽層。雖然未於圖1 9中說明,但可使用濺射方法 ,形成10至200nm (舉例而言,50nm)厚的鉬 (T a ),作爲第一導電層,及形成100至1000 nm厚(舉例而言,200n m厚)的鋁(A1)作爲第 二導電層,因此,在閘絕緣層7 0 0 6的表面上構成第一 閘電極。而且,藉由習知的圖型化技術,形成導電層 7007、7008、7009、和 7010、以及第二 導電層 7012、7013、7014、及 7015,它 們係構成第一閘電極。 在使用鋁作爲構成第一閘電極的第二導電層之情形中 ,可使鋁純鋁、或是鋁合金,在鋁合金中,選自鈦、矽、 及銃中的任何元素會以0 · 1至5 a t m %的比例摻雜於 合金中。此外,在使用銅的情形中,雖然未顯不’但是’ 較佳的是,氮化矽設置於閘絕緣層7 0 〇 6的表面上。 此外,在圖1 9中,採用之結構係增加的電容部份設 置於構成像素矩陣電路之η通道型T F T的汲極側處。此 時,在增加的電容部份處的接線電極7 0 1 1及7 〇 1 6 係由同於第一閘電極的材料所形成。 當如此形成圖1 9 ( A )中所示的結構時’執行摻雜 -49- (46) 1249905
η型雜質的第一處理。磷(P)、砷(As)、銻(Sb )、等等係習知之提供相對於結晶半導體材料爲η型之雜 質元素。但是,於此使用磷,並使用磷化氫(Ρ Η 3 )之 離子摻雜。在此處理中,由於磷會經過閘絕緣層而摻雜至 閘絕緣層下方的半導體層中,所以加速電壓設定於 8 0 k e V之高位準。如此形成的雜質區也會形成稍後說 明之η通道型TFT的第一雜質區7034,7042以 及7046,並作爲LDD區。因此,較佳的是此區的磷 濃在1 xl 016至1 X 1 019原子/ cm3。此處,濃 度定爲1 X 1 〇18原子/cm3。 摻雜於半導體主動層中的上述雜質元素需要由雷射退 火法或熱處理法活化。可在形成源極及汲極區之摻雜雜質 的處理之後,執行此處理。但是,在此階段,以雷射退火 法活化雜質元素是有效的。
在本處理中,構成第一閘電極之第一導電層7 0 0 7 、7008、7009及7010以及第二導電層 7012、7013、7014及7015會作爲摻雜磷 的掩罩。結果,沒有或幾乎沒有磷會通過閘絕緣層而摻雜 於正位於半導體層的第一閘電極下方的區域上。如圖1 9 (B)所示,形成摻雜有磷之低濃度雜質區7〇17、 7018、7019、7020、7021、7022、 及 7 0 2 3 。 接著’僅對p通道型T F T的區域執行提供p型之雜 質摻雜處理,以致於形成η通道型T F T的區域會由具有 -50- (47) 1249905 作爲掩罩的光阻層之光阻掩罩7 0 2 4及7 0 2 5所遮蓋 。雖然(B )、鋁(A 1 )、鎵(G a )、等等係習知之 提供P型的雜質元素,但是,此處使用乙硼烷(B 2 Η 6 ),以離子摻雜法,使用硼作爲雜質元素。此處,加速電 壓爲8 Ok eV,且硼係以2x1 02Q原子/cm 3的濃 度摻雜。如圖19 (C)所示,形成摻雜有高濃度的硼之 區域7026以及7027。
在移除光阻掩罩7 0 2 4及7 0 2 5之後,執行形成 第二閘電極之處理。此處,使用鉅作第二閘電極的材料及 形成爲100至l〇〇〇nm厚,舉例而言,200nm 厚。也以習知的方法,執行圖型化,因而形成第二閘電極 7028、7029、7030、及 7031。此時,執 行圖型化,以致於第二閘電極的長度變成5 // m。結果, 形成第二閘電極,以致於在第一閘電極的二側形成與閘絕 緣層接觸5 /z m長的區域。
此外,雖然在構成像素矩陣電路之η通道型T F T的 汲極側設有固持電容部份,但是,當形成第二閘電極時, 會同時形成固持電容部份的電極7 0 3 2。 使用第二閘電極7028、7029、7030及 7 0 3 1作爲掩罩,執行摻雜雜質元素之處理以提供第二 η型。此處,如同上述,使用磷化氫(Ρ Η 3 )執行離子 摻雜法。在本處理中,加速電壓會設定於8 0 k e V的高 位準,以便將磷經由層7 0 0 6摻雜至閘絕緣層7 0 〇 6 正下方的半導體層。有磷摻雜於上的區域係η通道型 -51 - (48) (48)1249905 T F T,且較佳的是區域上的磷濃度設定爲1 χ 1 i 9 至1 x 1 〇2i原子/cm3,以使這些區域作爲源極區 7035、7043、及汲極區 7036、7044。此 處’濃度设疋爲1 X 1 Q2Q原子/cm3。 此外’雖然此處未顯示,但是,遮蓋源極區7 〇 3 5 、7 043及汲極區7036、7047之閘絕緣層會被 移除,這些區域的半導體層會曝露,並直接摻雜磷。假使 增加此處理’則在離子摻雜法中加速電壓可以降低至1 〇 φ k e V,並且能夠有效率地摻雜磷。 再者’雖然磷會以相同濃度摻雜於p通道型T F T源 極區7 0 3 9及汲極區7 0 4 0中,但是,由於硼會以先 前處理中的濃度之二倍摻雜,所以導電率不會被反轉,且 於P通道型T F T的操作中不會有問題。 由於以個別濃度摻雜之提供η型或p型的雜質元素會 如原狀般未被活化,且未有效地作用,所以,需要執行摻 雜處理。藉由使用電熱爐之熱退火法、使用上述準分子雷 φ 射之雷射退火法、或使用鹵素燈之快速熱退火法(R T A ),以執行此處理。 在熱退火法中,藉由氮氛圍中、5 Ot下二小時的加 熱處理,取得活化。在本實施例中,鋁會用於構成第一閘 電極之第二導電層。但是,由於會形成鉅製成的第一導電 層及第二閘電極以遮蓋鋁,鉅係作爲阻隔層,其中防止鋁 元素在其它區域上佔優勢。此外,在雷射退火法中,藉由 以線性形式聚集及照射脈沖振盪型K r F準分子雷射光。 -52- (49) (49)1249905 而且,假使在雷射退火法之後採用熱退火法’則可取得更 加的結果。此外,處理具有使晶性受離子摻雜損傷之區域 退火的效果,因此,可以改進這些區域的晶性。 經由上述處理,提供第一閘電極及遮蓋第一閘電極之 第二閘電極以作爲閘電極,而且,在η通道型TFT中, 在第二閘電極的二側處形成源極區及汲極區。此外,以自 我對齊的狀態,形成此結構’其中設置有經由閘絕緣層而 固定於半導體層上的第一雜質區以及第二閘電極與閘絕緣 φ 層接觸的區域,並使它們彼此重疊。另一方面’在P通道 型T F T中,雖然源極區與汲極區的部份係形成爲重疊於 第二閘電極上,但是,在真正的應用中,不會有問題。此 外,標號7033,7037以及7045表示通道形成 區,而標號7 0 4 8表示低濃度雜質區。 在取得圖1 9 ( D )中所示的狀態之後,形成 1 00 Onm厚的第一中間層絕緣膜7 0 4 9。可使用氧化矽 層、氮化矽層、氮氧化矽層、有機樹脂層、及它們的疊層 φ ,作爲第一中間層絕緣膜7 0 4 9。在本實施例中,雖然 未顯示,但是,採用雙重結構,其中,首先形成5 0 n m 厚的氮化砂層,接著,形成9 5 0 n m厚的氧化矽層。 之後,藉由對第一中間層絕緣膜7049之圖型化,而 在源極區及汲極區形成接點孔。而且,形成源極電極7 0 5 0 、70 52、705 3及汲極電極705 1和705 4。雖然未顯示,但 是在本實施例中,藉由圖型化三層結構以形成這些電極’ 在三層結構中,l〇〇nm厚的鈦層、3 0 0nm厚之含有鈦的鋁 -53- (50) (50)1249905 3 OOnm及150 nm厚的鈦層係藉由濺射法連續地形成。 因此,如圖19 (E)所示,在基底7001上形成 C Μ〇S電路及主動矩陣電路。此外,在主動矩陣電路的 η通道型T F Τ的汲極側同時形成固持電容部份。如上所 述,形成主動矩陣基底。 接著,使用圖2 0 ( A )及2 0 ( Β ),說明以 C Μ〇S電路及主動矩陣電路爲基礎之主動矩陣型液晶顯 示裝置的製造方法,CMO S電路及主動矩陣電路係藉由 φ 上述處理而產生於相同基底上。首先,在處於圖19 (Ε )所示的狀態中之基底上形成被動層7 0 5 5,以遮蓋源 極電極7050、7052、7053以及汲極電極 705 1和7054。被動層7055係由50nm厚的 的氮化矽層所形成,由有機樹脂構成的第二中間層絕緣膜 7 0 5 6會形成至約1 0 0 0 nm厚。可使用聚醯亞胺樹 脂、丙烯酸樹脂、聚亞胺醯胺樹脂、等等作爲有機樹脂。 使用有機樹脂層所產生的優點係容易形成、由於相對介電 φ 常數低而可減少寄生電容、以及平坦度優良。此處,在塗 著於基底上之後,使用可熱聚合型之聚醯亞胺,及在 3 0 0 °C將其燃燒以形成有機樹脂層。 接著,在第二中間層絕緣膜7 0 5 6的像素區之部份 上形成黑矩陣(光遮蔽層)7057。黑矩陣7057可 由有機樹脂層形成,有機樹脂層係有金屬層或染料注入。 此處,以濺射法形成鈦。 此外,在驅動電路部份中,使用黑矩陣作爲第三接線 -54- (51) 1249905 。而且’由產生源極電極及汲極電極時所產生的電極及黑 矩陣,形成根據發明之D / A轉換器電路的電容。
在形成黑矩陣7 0 5 7之後,形成第三中間層絕緣膜 7058。如同第二中間層絕緣膜7056般,使用有機 樹脂層以形成第三中間層絕緣膜7 0 5 8。在第二中間層 絕緣膜7 0 5 6與第三中間層絕緣膜7 0 5 8處,形成到 達汲極電極7 0 5 4之接點孔,因而形成像素電極 7 0 5 9。在需要反射型液晶顯示裝置的情形中,可使用 金屬層。此處,由於採用透射式液晶顯示裝置,所以,藉 由濺射法,形成1 0 0 n m厚的氧化銦錫(I τ〇)層, 因而形成像素電極7059。 在形成圖2 0 ( A )中所示的狀態之後,形成對齊層
7 0 6 0。聚醯亞胺樹脂大部份用於一般液晶顯示元素的 對齊層。在計相對基底7 0 7 1上形成相對電極7 0 7 2 及對齊層7 0 7 3。在形成對齊層之後,執行摩擦處理, 以致於液晶元素會以某預傾斜角度平行地對齊。 經由上述處理,以習知的細胞組裝製程,藉由密封材 料及間隔器(二者均未顯示),黏合主動矩陣電路、有 C Μ 0 S電路形成於上的基底、及相對基底。之後,液體 材料7 0 7 4會供應至基底之間並由密封劑(未顯示)完 全地密封。因此,如圖2 0 ( Ε )所示,完成主動矩陣型 液晶顯示裝置。 (實施例6 ) -55- (52) (52)1249905 實施例6係顯示反轉交錯型τ F T作爲具有根據發明 的D A C之主動矩陣型液晶顯示裝置的實施例。 梦考圖2 1。圖2 1係顯示反轉交錯型的n通道型 T K T之剖面視圖,其構成根據實施例之主動矩陣型液顯 不衣置。此外’雖然在圖2 1中僅顯示一 ^通道型T F T ’但是’無須多言,如實施例1中般,CM〇S電路可由 P通道型T F T及n通道型TFT構成。亦無須多言,像 素T F 丁可由相同結構構成。 φ 基底係由8 0 〇 1標示。可使用如實施例3中所示之 基底。氧化矽層係以8 0 0 2標示。閘電極係以8 0 0 3 標示。閘絕緣層係以8 0 0 4標示。多晶矽層構成的主動 層係以 8005、8006、8007 及 8008 標示。 當產生主動層時,使用實施例1中所述之同於晶化非晶矽 層之方法。也可使用雷射光晶化非晶矽層之方法(較佳地 ’線性雷射光、或表面雷射光)。此外,源極區係以 8005標示,汲極區係以8006標示,低濃度雜質區 φ (L D D區)係以8 0 0 7標示,而通道形成區係以 8 0 0 8標示。通道保護層以8 0 0 9標示,中間層絕緣 膜以8 0 1 〇標示。源極電極及汲極電極分別以8 0 1 1 及8 0 1 2標示。 (實施例7 ) 在實施例7中’說明主動矩陣型液晶顯示裝置由結構 不同於上述實施例之反轉交錯型T F T構成之實施例。 -56- (53) 1249905 參考圖2 2。圖2 2係顯示構成根據實施例之主動矩 陣型液晶顯示裝置之反轉交錯型η通道型T F T的剖面視 圖。此處,雖然僅顯示一 η通道型TF Τ,但是,無須多 言,如實施例1中般,CMOS電路可由ρ通道型TFT 及η通道型TFT構成。亦無須多言,像素TF T可由相 同結構構成。
基底係以9 0 0 1標不。可使用如實施例3中所示之 基底。氧化矽層係以9 0 0 2標示。閘電極係以9 0 0 3 標示。苯並環丁烯(BCB)層以9 0 04標示,其上表 面會平坦化。氮化矽層以9 0 0 5標示。B C B層及氮化 矽層構成閘絕緣層。多晶矽層構成的主動層係以9 0 0 6 、9007、9008、及9009標示。當產生這些主 動層時,使用同於實施例1中所述之晶化非晶矽層之方法 。也可使用雷射光晶化非晶矽層之方法(較佳地,線性雷 射光、或表面雷射光)。此外,源極區係以9006標示 ,汲極區係以9 0 0 7標示,低濃度雜質區(L D D區) 係以9 0 0 8標示,而通道形成區係以9 0 0 9標示。通 道保護層以9 0 1 0標示,中間層絕緣膜以9 0 1 1標示 。源極電極及汲極電極分別以9 0 1 2及9 0 1 3標示。 根據實施例,由於B C B層構成的及氮化矽層構成之 閘絕緣層會被平坦化,但是,產生於其上的非晶矽層會製 成平坦的。因此,當晶化非晶矽層時,能夠取得多晶矽層 ,其比習知的反轉交錯型T F T更均勻。 -57- (54) (54)1249905 (實施例8 ) 雖然,在根據上述實施例之主動矩陣型液晶顯示裝置 或被動矩陣型液晶顯示裝置中,使用向列型液晶的T N模 式作爲顯示模式,因此,可使用其它顯示模式。 此外,使用快速響應時間無臨限抗鐵電液晶或鐵電液 晶,以構成主動矩陣型液晶顯示裝置。 此外,在使用根據發明的D A C之主動矩陣型半導體 顯示裝置中,使用光學特性可以被調變以回應施加電壓之 φ 任何其它顯示介質。舉例而言,可使用電發光元件。 除了 T F T之外,可使用Μ I Μ元件作爲主動元件, 主動元件係用於主動矩陣型液晶顯示裝置之主動矩陣電路 中〇 如上所述,在使用根據發明的D A C之主動矩陣型液 晶顯示裝置中,除了 T N液晶之外,尙可使用不同型式的 液晶。舉例而言,可使用下述文獻揭示之液晶,H. Furue 等於 1998 年,SID 發表之”Characteristics and Driving Scheme of Polymer-Stabilized Monostable FLCD Exhibiting Fast Response Time and High Contrast Ratio with Gray-scale Capability ”,T. Yoshida 等於 1997 年於 SID DIGEST, 841 發表之”A Full-Color Thresholdless Anti-ferroelectric LCD Exhibiting Wide Viewing Angle with Fast Response Time”,S. Inui 等於 J. Mater, Che m. 6(4),671-673 發表之 “Thresholdless anti-ferroelectricity in liquid crystals and its application to displays’’,及美國 -58- (55) 1249905 專利公告號5 5 945 69。 在某溫度範圍下顯示抗鐵電相之液晶稱爲「抗鐵電液 晶」。在具有抗鐵電液晶的混合液晶中,有無臨限抗鐵電 混合液晶,其顯示電光回應特性,透射因數會相對於電場 連續地改變。在無臨限抗鐵電混合液晶中,可發現顯示V 形型式的電光響應特性者,以及驅動電壓約± 2 · 5 V者 (胞厚度:約lem至2//m)。
圖3 3係實施例,顯示臨限抗鐵電混合液晶的光透射 因數的特徵、顯示相對於施加電壓之V形型式電光響應。 圖3 3中的縱軸標示透射因數(光學單位),而橫軸標示 施加電壓。此外,在液晶裝置的入射側偏轉板的透射軸會 建立成幾乎平行於無臨限抗鐵電混合液晶的碟狀結構相的 垂直方向,其幾乎與液晶裝置的摩擦方向一致。而且,外 離側的偏轉板之透射軸係建立成與入射側的偏轉板之透射 軸幾乎成直角(正交)。 如圖3 3所示,假使使用此臨界抗鐵電混合液晶,則 φ 發現低電壓驅動及階度顯示能致動。 即使在此低壓驅動無臨限抗鐵電混合液晶用於具有根 據發明的D A C之主動矩陣型液晶顯示裝置的情形中,也 能夠降低D A C的輸出電壓,因此,變成能夠降低D A C 的操作電源,及降低驅動器的操作電源電壓。因此,可在 主動矩陣型液晶顯示裝置中取得低耗電及高可靠度。 因此,在使用低電壓驅動無臨限抗鐵電混合液晶之情 形中,假使使用具有比較小寬度(低濃度雜質區)(舉例 -59- (56) (56)1249905 而言,0 n m至5 0 0 n m或0 n m至2 0 0 n m )的 L D D區之T F T時,則會有效的。 而且,一般而言,無臨限抗鐵電混合液晶具有大的自 然偏振,且液晶本身具有高介電常數。因此,在無臨限抗 鐵電混合液晶用於液晶顯示裝置的情形中,像素將需要具 有比較大的固持電容。因此,較佳的是,使用具有小的自 然偏振之無臨限抗鐵電混合液晶。 而且,由於藉由使用此臨界抗鐵電混合液晶,可取得 低壓驅動,所以可取得低耗電的主動矩陣型液晶顯示裝置 此外,圖3 9係顯示單穩態鐵電液晶(F L C )的電 光特性,於其中使用顯示各向等性膽固醇型相-對掌型層 列型相轉換系統之鐵電液晶(F L C ),並施加D C電壓 ,以執行膽固醇型相-對掌型層列型相轉換,且圓錐邊緣 製成幾乎與摩擦方向一致。如圖3 9所示之鐵電液晶的顯 示模式係稱爲「半V形切換模式」。圖3 9中所示的圖形 Φ 之縱軸係標示透射因數(光學單位),而橫軸係標示施加 電壓。「半V形切換模式」詳述於46th Applied Physics Related Allied Lecture Assembly,March,1 999,1316 頁之 r Half V-shaped switching mode FLCD」中,及 Yoshihara 等於 LIQUID CRYSTAL,3rd Volume,3rd Edition,190 頁之 「T i m e - S h a r i n g Full-Color LCD by Ferroelectric Liquid Crystal」中。 如圖3 9所示,假使使用此鐵電液晶,則可以瞭解低 -60- (57) (57)1249905 壓驅動及階度顯示是能夠致動的。顯示此電光特性的鐵電 液晶可用於根據發明之液晶顯示裝置中。 具有如圖3 3及3 9所示的此電光特性之每一液晶可 作爲根據發明的液晶顯示裝置之顯示介質。 (實施例9 ) 關於主動矩陣型半導體顯示裝置及被動矩陣型半導體 顯示裝置,其使用根據發明之DAC,有很多應用。在實 φ 施例中’說明半導體裝置,於其中倂有使用根據發明之 D A C的主動矩陣型半導體顯示裝置。 關於半導體裝置,有攝影機、靜態相機、投影機、頭 戴式顯示器、汽車巡航單元、個人電腦、及攜帶式資訊終 端(行動電腦、攜帶式電話、等等)。圖2 3及2 4係顯 示其一實施例。 圖2 3 (A)係顯示前投影式投影機,其由本體 10001、主動矩陣型半導體顯示裝置1〇〇〇2 (舉 φ 例而言,液晶顯示裝置)、光源1 〇 〇 〇 3、光學系統 1〇〇〇4、及螢幕1〇0〇5。此外,圖23 (a)顯 示具有一半導體顯示裝置之前投影式投影機。而且,藉由 倂入三半導體顯示裝置(每一者對應於R、G及b光), 可以取得較高解析度及較高厚度的前投影型投影機。 圖2 3 ( B )係顯示後投影式投影機,其中本體係以 1 0 0 0 6標示,主動矩陣型半導體顯示裝置係以 1 0 0 0 7標示,光源係以1 〇 〇 〇 8標示,反射器係以 -61 - (58) 1249905 10009標示,而螢 2 3 ( B )顯示後投影 型半導體顯示裝置(分 圖2 4 ( A )係顯 1 1 0 0 1、語音輸出 11003、主動矩陣 作開關1 1〇〇5、及 • 圖2 4 ( B )係顯 、主動矩陣型半導體顯 12003、操作開關 影像接收部份1 2 0 0 圖2 4 ( C )係顯 1 3 0 〇 1、相機部份 1 3 0 〇 3、操作開關 顯示裝置1 3005。 _ 圖2 4 ( D )係顯 示裝置),包括本體1 示裝置14002。 圖2 4 ( E )係顯 本體15〇〇1、主動 及1 5 〇 0 3、記憶介 1 5 0 〇 5、及天線1 除了上述電子裝置 用至不同型式的裝置, 係以1 0 0 1 〇標示。此外,圖 投影器,於其中具有三主動矩陣 對應於R、G及B光)。 攜帶式電話,其包括本體 份1 1 0 0 2、語音輸入部份 半導體顯示裝置1 1 〇 〇 4、操 線 1 1 0 0 6。 攝影機,其包括本體12〇〇 1 裝置1 2002、語音輸入部份 2004、電池12005、及 〇 行動電腦,其包括本體 3 0 0 2 '影像接收部份 3004、及主動矩陣型半導體 頭戴式顯示器(也稱爲護目鏡顯 00 1、及主動矩陣型半導體顯 攜帶式電子書(電子書),包括 陣型半導體顯示裝置i5002 1 5 0 0 4、操作開關 0 0 6 ° 外,根據本發明的顯示裝置可應 例而言,電視機、電子遊戲裝置 -62- (59) (59)1249905 、個人電腦、放影機等等。 (實施例1 0 ) 在實施例1 0中,將說明具有根據發明的D / A轉換 器電路之液晶顯示裝置的另一實施例。而且,在實施例中 ,類似於實施例2中的處理可應用至特別提到的部份。 在實施例10中,,藉由使用掩罩絕緣膜4004, 將醋酸鎳溶液塗著於非晶矽層的幾乎整個表面上,作爲如 φ 圖1 2 ( A )中所示的狀態之觸媒元素摻雜處理。
在完成觸媒元素摻雜處理之後,接著,在4 5 0°C下 執行脫氫約一小時。除了在不活化氛圍、氫氛圍、或氧氛 圍中,在500至900 °C (以550至650 °C爲代表 )加熱處理四至二十四小時之外,尙會將非晶矽層 4 0 0 3晶化。在本實施例中,在氮氛圍中,在5 9 0 °C 下執行加熱處理八小時。 之後’執行加熱處理(觸媒元素的吸收處理)以吸收 φ 觸媒元素。在實施例的情形中,藉由使鹵素含於處理氛圍 中’加熱處理會利用鹵素之觸媒元素的吸收效果。此外, 爲了充份地取得鹵素的吸收效果,較佳的是在高於 7 0 0 °C的溫度下,執行上述加熱處理。假使溫度小於此 溫度’則將難以分解鹵化物,且恐怕無法取得吸收效果。 此外,在此情形中,關於含有鹵素的氣體,可使用選自諸 如 HC1、HF、NFs、HBr、C12、C1F3、 B C 1 2、F 2、b r 2等之一種或多種化合物。在本實施 -63- (60) 1249905 例中,在〇2及H C 1氛圍中,在9 5 0 °C的溫度下,執 行加熱處理’以及執行吸收處理及同時形成熱氧化層。 在此之後’形成閘絕緣層。在本實施例中,關於閘絕 緣層的厚度,其最終厚度可形成至約5 0 n m厚。 所有其它處理可參考實施例2。 下述表1係顯示實施例1 0的製程所取得的T F T之 特徵。
表1 L/W = 6.8/7.6[ β m] Nch Pch Ion [ A] 227 91.5 Ioff[pA] 3.10 11.8 Ion/Ioff[dec .] 7.86 6.89 Vth[V] 0.44 -0.56 Svalue[V/dec.] 0.08 0.10 β FE (max) ( cm2/Vs) 3 14 13 1 * β FE(max) [cm2/Vs] 425 262 在表1中,L/W表示(通道長度/通道寬度), I ο η表示(開啓電流),I 〇 f f表示(關閉電流), I ο n / I 〇 f f表示(開啓電流與關閉電流的比例之共 同對數),V t h表示(臨限電壓)、Svalue表示(S値 ),//FE表示(場效移動度),其中//FE具有*表示 = 之 TFT 的 //FE。 此處,圖3 0係實施例1 〇的製程取得的T F T之特 -64- (61) 1249905 徵匯1 °在圖3 0中,v g係顯示閘電壓,I d係顯示汲極 電流,而V d係顯示汲極電壓。 (實施例1 1 ) 在實施例1 1中,將說明具有本申請人製造之根據發 明的D A C ( 8位元)之主動矩陣型液晶顯示裝置的實施 例。
T述表2係顯示有本申請人製造之根據發明的da C
之主動矩陣型液晶顯示裝置的規格。 _表2 顯示器對角線尺寸 2.6吋 像素數目 1920X1080 像素大小 30(H) X 30(V)[ // m] 孔徑比 4 6% 輸入資料 8位元 電源(邏輯) 5 V 輸入資料速率 80MHz 資料驅動器的頻率 1 0MHz 掃瞄驅動器的頻率 8.1ΚΗζ 定址模式 行反轉 對比 >100
此外,資料驅動器及掃瞄驅動器電路分別標示源極訊 號線驅動電路及閘極訊號線驅動電路。而且,執行源極訊 -65- (62) (62)1249905 線反轉顯示作爲定址模式。 圖3 1係顯示具有根據發明的d A C之主動矩陣型液 晶顯示裝置的顯示實施例,將於本實施例中詳述。 此外,圖3 2係顯示前投影型投影機的顯示實施例, 於其中使用均具有根據發明的D A C之三主動矩陣型液晶 顯示裝置,將於下說明之。而且,關於前投影型投影機, 可參考實施例9。 如圖31及圖32所示,在具有根據發明的DAC之 φ 主動矩陣型液晶顯示裝置中,可取得非常微小的階度顯示 (實施例1 2 ) 在實施例中,參考圖3 4至3 8,說明具有根據發明 的驅動電路之液晶顯示裝置的製造方法之實施例。在根據 發明的液晶顯示裝置中,像素部份、源極驅動器、閘極驅 動器、等等,係整體地形成於一基底上。此外,爲便於說 φ 明,構成像素T F T的一部份及根據發明的驅動電路之 Nc hTFT以及構成反相器電路之P c hTFT和 N c hTF T會形成於相同基底上。 在圖(3 4 )中,可使用低鹼玻璃基底及石英基底作 爲基底1 6 00 1。於本實施例中使用石英基底。爲了防 止雜質在基底1 6 0 0 1中佔優勢,形成諸如氧化矽層、 氮化矽層、氮氧化矽層等基層1 6 0 0 2。舉例而言,使 用電漿CVD法,疊層及形成100nm厚的S iH4、 -66- (63) (63)1249905 NH3、及N2〇製成之氮氧化矽層,也疊層及形成 2 0 0 nm厚的S i H4與N2〇製成之氮氧化矽層。 接著,使用諸如電漿C V D法、濺射法等習知方法, 形成2 0至1 5 0 n m (較佳地,3 0至8 0 n m )厚的 具有非晶砂結構之半導體1 6 〇 〇 3 a。在本實施例中, 以低壓熱C V D法,形成5 3 n m厚的非晶矽層。非晶矽 半導體層及微晶矽半導層可作爲具有非晶結構之半導體層 ,可應用諸如非晶矽鍺層等具有非晶結構的化合物半導體 φ 層。而且,由於能夠形成基層1 6 0 0 2及非晶矽層 1 6 0 0 3 a ’所以,可以連續地形成此二者。在本情形 中,由於在基層形成之後,它們不會曝露於大氣下,所以 ,可防止其表面受污染。也能夠減少要製造的T F T之不 均勻,及臨限電壓的波動。(參見圖34 (A))。 使用習知的結晶技術,從非晶矽層1 6 0 0 3 a形成 晶結矽層1 6 0 0 3 b。舉例而言,雖然可應用雷射晶化 方及熱晶化法(固相生長法),但是,於此使用符合 φ 1 9 9 5年曰本公開專利號1 3 0 6 5 2中揭示的技術之 使用觸媒元素的晶化法,形成結晶矽層1 6 0 0 3 b。雖 然熱處理會視非晶矽層的氫含量比例而定,但是,在晶化 製程之前、執行4 0 0至5 0 〇 t的熱處理約一小時。較 佳的是’在氫含量比例減少至5原子%或更少之後,開始 晶化。由於非晶化矽層會結晶且原子會重新對齊而變成很 微小’所以’所產生的晶化矽層之厚度會從非晶矽層的初 始厚度減少1至1 5 % (在本實施例中爲5 4 n m )。( •67- (64)1249905 請參見圖3 4 ( B ))。 藉由圖型化結晶砍層1 狀半導體層1 6004至1 C V D法或濺射法,由5 0 成掩罩層16008。(參 中,掩罩層16008的厚 接著,設置光阻掩罩1 TFT之島狀半導體層16 面上,摻雜lxlO18至 的硼(B )以作爲提供p型 目的係用以控制臨限電壓。 B ),或是形成非晶矽層時 求硼摻雜。(參見圖34 ( 爲了形成驅動器的驅動 LDD區,將產生n型之雜 導體層16010至160 掩罩16013至1601 ,可使用磷(Ρ )及砷(A (PH3)的離子摻雜法, 質元素區16017及16 xlO16 至 5xl〇19 原 書中,含於雜質區1601 雜質元素的濃度,於此以( 1 6 0 1 9係形成像素部份 〇〇3b如島般,可形成島 0 0 7。之後,以電漿 1 5 0 n m厚的氧化矽層形 圖3 4 ( D ))。在實施例 爲 1 9 9 n m 〇 009,及在形成η通道型 04至16007的整個表 φ X 1 017原子/ cm 3濃度 雜質元素。摻雜硼(B )的 以用離子摻雜法,摻雜硼( 同時摻雜硼。此處,並未要 ))〇 路等之η通道型TFT的 元素選擇性地摻雜於島狀半 2上。因此,事先形成光阻 φ 。關於提供η型的雜質元素 )。此處,採用使用磷化氫 摻雜磷(Ρ )。所形成的雜 18之磷(Ρ)濃度可在2 / c m 3的範圍。在本說明 至16019中提供η型之 —)表示。雜質區 固持電容之半導體層,及以 -68- (65) (65)1249905 相同濃度摻雜磷(P)。(參見圖35 ( A ))。之後, 移除光阻掩罩16013至16016。 接著,在以氟移除主層1 6 0 0 8之後,執行活化摻 雜於圖34 (D)及圖3 5 (A)中的雜質元素之處理。 以雷射活化法,藉由氮氛圍中,500至600 °C的熱處 理一至四小時,以執行活化。此外,可同時執行此二處理 。在本實施例中,採用雷射活化法。使用K r F準分子雷 射光(波長:248nm)作爲雷射光。在實施例中,雷 φ 射光會被處理成直線光,並以5至5 0 Η ζ的振盪頻率、 100至500Mj/cm2的能量密度、及80至98 %的直線光重疊比例,執行掃瞄,因此,以上述條件掃瞄 有島狀半導體層形成於上的整個表面。而且,雷射光的照 射條件未具有任何限制,且可適當地決定它們。 而且,藉由電漿CVD法或濺射法,由含有矽的絕緣 膜形成閘絕緣層1 6 0 2 0,以變成1 0至5 0 n m厚。 舉例而言,形成1 2 0 nm厚的氮化矽層。含有其它矽的 φ 絕緣膜可由單層或疊層結構所形成以作爲閘絕緣層。(參 見圖 3 5 ( Β ))。 接著,形成第一導電層,以形成閘電極。雖然第一導 電層可由單層形成,但是,需要時可採用二層或三層的疊 層結構。在實施例中,導電的金屬氮化物層製成之導電層 (Α) 1 6 0 2 1及金屬層製成的另一導電層(Β)會疊 層。導電層(Β) 16022可由選自钽(Ta)、鈦( T i )、鉬(Mo)、及鎢(W)之任一元素、或主要由 -69- (66) (66)1249905 上述兀素構成的合金(以Μ ο — W合金層或Μ〇 - T a合 金層爲代表)所形成,且導電層(A) 1 6 0 2 1可由氮 化鉅(T a N )、氮化鎢(W N )、氮化鈦(T i N )、 或氮化鉬(Μ ο N )所形成。此外,導電層(a )可使用 矽化鎢、矽化鈦、或矽化鉬作爲取代。關於導電層(B ) 1 6 0 2 2,在慮及減少電阻的情形下,減少包含於其中 的雜質濃度是較佳的。特別地,在氧濃度減少至3 0 p p m或更少的情形中,可取得較佳結果。舉例而言,假 φ 使鎢(W )的氧濃度減少至3 0 p p m或更少時,可取得 2 0 // Ω或更少的相對電阻。 導電層(A) 16021製成1〇至50nm厚(較 佳地,20至30nm厚),及導電層(B) 16022 製成200至400nm厚(較佳地,250至350 nm厚),是較佳的。在實施例中,50nm厚的氮化鉅 層用於導電層(B ) 1 6 0 2 2。或是以濺射法形成。在 以濺射法形成層時,假使適量的X e及K r塡加至A r氣 φ 以用於濺射時,則要產生的層之內部應力會減輕,因而防 止層剝落。而且,雖然未顯示,但是,假使形成矽層會是 有效的,在矽層上磷(Ρ )會摻雜至導電層(A ) 1 6 0 2 1下方2至20nm厚。因此’可以改進形成於 其上之導電層的黏著度,也可防止氧化。同時,導電層( A )及導電層(B )可以防止污染的少量鹼金屬在閘絕緣 層16020上佔優勢。(請參見圖35 (C))。 接著,形成光阻掩罩16023至16027,及藉 -70- (67) 1249905 由徹底地蝕刻導電層(A) 1 6 0 2 1及導電層(B) 16022 ,以形成閘電極16028至16 0 31以及 電容接線1 6 0 3 2。形成閘電極1 6 0 2 8至 1 6 0 3 1以及電容接線1 6 0 3 2 ,以致於整體地形成 導電層(A)構成的16028a至16032a以及導 電層(B)構成的16028b至16032b。此時,
形成稍後會構成驅動器的驅動器電路等之T F T的閘電極 16028至16030,以致於經過雜質區16017 與1 6 0 1 8的一部份及閘絕緣層1 6 0 2 0,而彼此重 疊。(請參見圖35(D))。
接著,爲了形成p通道型TF T的源極及汲極區,執 行提供P型的雜質元素摻雜處理。此處,藉由使用閘電極 1 6 0 2 8作爲掩罩,以自我對齊的狀態,形成雜質區。 此時,形成η通道型T F T的區域會由光阻掩罩 1 6 0 3 3預先遮蔽。而且,以使用乙硼烷(Β2Η6) 之離子摻雜法,形成雜質區。此區中的硼(Β )濃度設定 爲3 X 1 02Q至3 X 1 021原子/cm 3。在本說明書
中,包含於此處所形成的雜質區1 6 0 3 4中提供ρ型導 之雜質元素的濃度以(P++)表示(請參見圖36 ( A 接著,於η通道型T F T中形成作爲源極區及汲極區 之雜質區。形成光阻掩罩16035至16037,藉由 摻雜提供η型的雜質以形成雜質區1 6 〇 3 8至 1 6 0 4 2。藉由使用磷化氫(ρη3)之離子摻雜法, -71 - (68) (68)1249905 執行此處理,且磷濃度設爲l x 1 〇 2 ◦至1 x 1 〇21原 子/ c m 3。在本說明書中,包含於此處所形成的雜質區 1 6 3 0 8至1 6 0 4 2中之提供11型的雜質元素之濃度 以(n + )表示。(請參見圖36 (B))。 雖然雜質區1 6 0 3 8至1 6 04 2已含有先前處理 中摻雜的磷(P )或硼(B ),但是,會以比其高之足夠 高的濃度摻雜磷,故無須考慮導因於先前處理中摻雜之磷 (P)或硼(B)的影響。此外,摻雜於雜質區 φ 16038中的磷(P)濃度爲圖1〇 (A)中摻雜的硼 濃度之一半或二分之一*,可以確保P型導電率’且在 T F T特徵中不會產生不利影響。 而且,執行摻雜提供η型雜質的處理’以形成像素部 份的η通道型TF Τ之L DD區域。此處’藉由離子摻雜 法,以自我對齊狀態,並使用閘電極1 6 0 3 1作爲掩罩 ,以摻雜提供η型的雜質元素。要摻雜的磷(Ρ )濃度爲 lxl〇16至lxlO18原子/ cm3,其中以低於圖 · 35、圖36 (A)及圖36 (B)中摻雜的雜質元素濃 度,摻雜雜質,且事實上僅形成雜質區1 6 0 4 3及 1 6 0 44。在本說明書中,包含於雜質區1 6 0 4 3與 1 6 0 4 4中提供η型之雜質元素的濃度以(η—―)表 示。(請參見圖36 (C))。 此處,可形成2 0 0 nm厚的S i ON層等以作爲層 與層之間的膜’以防止閘電極的T a剝落。 之後,執行熱處理製程,其會活化以個別濃度摻雜之 -72- (69) 1249905 提供η或p型之雜質元素。以爐退 或快速熱退火法(R T A ),執行 火法執行活化處理。以1 p p m或 爲0 · 1 ppm或更低,在400 ’較佳地在5 0 0至6 0 0 °C,執 ’在5 0 0 °C執行熱處理一小時。 等具有熱電阻特性之基底用於基底 8 0 〇 °C下熱處理一小時可能已足 素及較佳地形成摻雜有對應的雜質 成區的接合。而且,在形成層與層 電極的T a剝落之情形中,會有無 在熱處理中,形成閘電極1 6 電容接線1 6 0 3 2之金屬層從表 ,而導電層(C) 16028c至 其表面上。舉例而言,在導電層( 16032b由鎢(W)製成的情 (W N ),在鉅(T a )的情形中 T a N )。此外,藉由在使用氮或 曝露閘電極16028至1603 16032,以可形成導電層(C 16032c。此外,在含有3至 ,於3 0 0至4 5 0 °C下執行熱處 行使島狀半導體層氫化之處理。此 終止半導體層的懸垂鍵。關於另一 火方法、雷射退火法、 此製程。此處,以爐退 更低之氧濃度,較佳地 至8 0 0°C之氮氛圍中 行熱處理。在實施例中 此外,在諸如石英基底 1 6 0 0 1的情形中, 夠,且能夠活化雜質元 元素之雜質區與通道形 之間的膜以防止上述閘 法取得此效果的情形。 028 和 16031 及 面算起爲5至8 0 nm 1 6 0 3 2 c係形成於 B) 16028b 至 形中,接著形成氮化鎢 ,可形成氮化鉬( 氨之含氮的電漿氛圍中 1及電容部份 )1 6 0 2 8 C 至 1 0 0%的氫之氛圍中 理一至十二小時,及執 處理係藉由熱激化氫以 氫化方法,可執行電漿 -73- (70) 1249905 氫化(使用電漿激發的氫)。
在以使用觸媒元素之晶化法,從非晶矽層產生島狀半 導體層之情形中,會有少量的觸媒元素餘留在島狀半導體 層中。當然,雖然可在此條件下完成TF T,但是,更佳 的是,至少從通道形成區移除餘留的觸媒元素。關於移除 此觸媒元素的方法之一,有用利磷(P )的吸收作用之方 法。用於吸收所需的磷濃度等於圖3 6 ( B )中形成的雜 質區(η + )中的濃度,並能藉由此處所執行的活化處理 之熱處理,從η通道TFT與ρ通道TFT的通道形成區 吸收觸媒元素。(請參見圖3 6 ( D ))。
第一中間層絕緣膜1 6 045係由5 00至1 5 00 n m之氧化矽層或氮氧化矽層所形成。之後,形成接點孔 ,其會到達個別島狀半導體層上所形成的源極區或汲極區 ,因此,形成源極接線1 6 0 4 6至1 6 0 4 9以及汲極 接線 16050 至 16053。(請參見 37(A))。 雖然未顯示,但是,在本實施例中,電極係由三疊層所形 成,其中,以濺射法連續地形成2 0 0 n m厚的T i層、 5 0 0 nm厚含有矽之鋁層、及1 〇 〇 nm厚之τ i層。 接著,形成50至500nm (以1〇〇至300 n m爲代表)厚的氮化矽層、氧化矽層或氮氧化矽層作爲 被動層1 6 0 5 4。在本實施例中,被動層1 6 0 54係 製成5 0 nm厚的氮化矽層與2 4 · 5 nm厚的氧化矽層 所構成的疊層。在本情形中,假使執行氫化處理,則在改 進T F T特徵方面,可以取得滿意的結果。舉例而言,在 -74- (71) 1249905 含有3至1 00%的氫之氛圍中,於300至3450°C 下,執行熱處理一至十二小時,是較佳的,或者,採用電 漿氫化處理,可以取得相同效果。此外,此處較佳的是在 形成接點孔以稍後連接像素電極與汲極電極之位置處,在 被動層16 054形成開口埠。(請參見圖37 (A)) 〇 之後,形成1 · 0至1 · 5#m厚之有機樹脂構成的 | 第二中間層絕緣膜1 6 0 5 5。可使用聚醯亞胺樹脂、丙 φ 烯樹脂、聚醯胺樹脂、聚亞胺醯胺樹脂、BCB (苯並環 丁烯)等作爲有機樹脂。此處,使用塗著於基底上之後會 被熱聚合之丙烯樹脂,且其會在2 5 0 °C下燃燒以便形成 。(請參見圖37 (B))。 在實施例中,形成1 · 〇至1 · 5 μ m之有機樹脂構 成的第三中間層絕緣膜1 6 0 5 9。關於有機樹脂,可使 用同於第二中間層絕緣膜所用之樹脂。此處,使用塗著於 i 基底上之後被熱聚合之聚醯亞胺,且其會於3〇〇t下被 φ 燃燒以便形成。 而且’在第二中間層絕緣膜1 6 〇 5 5與第三中間層 絕緣膜1 6 0 5 9處形成到達汲極接線1 6 0 5 3之接點 孔’藉以形成像素電極1 6 0 6 0。在根據發明之透射型 液晶顯示裝置中,使用諸如I Τ〇等透明導電層作爲像素 電極。(請參見圖37 (Β))。 因此’可在相同基底上完成具有驅動電路T f Τ及像 素部份的像素T F Τ之基底。在驅動電路中形成ρ通道型 -75- (72) 1249905 TFT 16101、第一n通道型TFT 16102 、及第二n通道型TFT16103 ,及在像素部份中形 成像素TFT16104及固持電容16105。(請參 見圖38)。在本說明書中,爲便於說明,此基底稱爲「 主動矩陣基底」。 接著,將上述製程產生的主動矩陣基底爲基礎,說明 產生透射型液晶顯示裝置之製程。
對齊層1 6 0 6 5會形成處於圖3 8中所示的狀態之 φ 主動矩陣基底上。在實施例中,對齊層1 6 0 6 5係由聚 醯亞胺樹脂製成。接著,製備相對基底。相對基底係由玻 璃基底1 6 0 6 2、透明導電層構成的相對電極 16063、及對齊層16065所構成。
而且,在實施例中,關於對齊層,使用聚醯亞胺樹脂 層,其中液晶粒子會對齊成與基底平行。此外,在形成對 齊層之後,藉由執行摩擦處理,液晶粒子會以固定預傾斜 角度而彼此平行對齊。 接著,經由上述製程完成的主動矩陣基底及相對基底 ,會藉由習知的細胞組製製成,經由密封材料及間隔器( 均未顯示)而彼此黏著。之後,液晶1 6 0 6 4會供應於 二基底之間且由密封劑(未顯示)完全地密封。因此,完 成如圖3 8所示之透射型液晶顯示裝置。 而且,在本實施例中,透射型液晶顯示裝置會設計成 以Τ Ν (扭絞)模式顯示。因此,偏轉板(未顯示)會配 置於透射型液晶顯示裝置之上。 -76- (73) 1249905 驅動電路的P通道型TFT 16101在島狀半導 體層16004中具有通道形成區806'源極區 807a 及 807b、汲極區 808a 及 808b。第一 η通道型TFT 16102在島狀層16005中具有 通道形成層809、與閘電極16071重疊的LCD區 810 (此後,此LDD區稱爲Lov)、源極區811 、及汲極區8 1 2。在其通道長度方向上的L 〇 v區的長
度會定爲0 · 5至3 · 0//m,較佳地,爲1 · 〇至 1·5#m。第二η通道型TFT16013在島狀半導 體層1 6 0 0 6中具有通道形成區8 1 3、L DD區 8 14及8 1 5、源極區8 16、及汲極區8 1 7。在這 些LDD區中,形成未與閘電極1 6 0 7 2重疊之L ο ν 區與LDD區(此後,此LDD區稱爲Loff),其中 通道長度方向上Lo f f區的長度爲〇 . 3至2 . 0"m
,較佳地爲0 · 5至1 · 5/zm。像素TFT 1 6 1 0 4在島狀半導體層1 6 0 0 7中具有通道形成區 818及819、Loi f區820至823、及源極區 或汲極區8 2 4。通道長度方向上的L 〇 f f區之長度爲 0 · 5 至 3 · 0#m,較佳地,1 · 5 至 2 · 5//m。此 外,在像素TFT 16014的通道形成區818和 819與像素TFT的Loff區802至823(爲 LDD區)之間,形成偏移區(未顯示)。再者,固持電 容8 0 5係由電容接線1 6 0 7 4、閘絕緣層1 6 0 2 0 構成的絕緣層、連接至像素T F T 1 6 0 7 3的汲極區 -77- (74) 1249905 8 2 6及摻雜有提供η型的雜質元素之半導體層所構成。 在圖3 8中,雖然像素T F Τ係由雙閘極結構所構成’但 是,單閘極結構是可接受的’設有多個閘電極之多閘極結 構也是可接受的。 如上所述,在實施例中’構成個別電路之T F Τ的結 構可以依據像素T F Τ及驅動器要求的規格而最佳化’其 中,能夠改進液晶顯示裝置的操作性能及可靠度。 # 在實施例中,將說明透射型液晶顯示裝置。但是,應 φ 用根據發明的驅動電路之液晶顯示裝置不限於上述液晶顯 示裝置,也可應用至反射型液晶顯示裝置。 雖然配合液晶顯示裝置以說明前述之較佳實施例,但 是,本發明的驅動電路可應用至驅動E L (電發光顯示裝 置)。而且,前述實施例中所述的製造方法可應用至諸如 E L顯示裝置等薄膜電晶體的製造。將於下述實施例1 3 至17中說明EL顯示裝置的實施例。 • · 〔實施例1 3〕 圖4 0 Α係上視圖’顯不E L顯不裝置,其係根據本 申請案之發明製成的。在圖4 0A中,顯示有基底 14010、像素部份14011、來自源極14012 之驅動電路、及來自閘極1 4 0 1 3之驅動電路,每一驅 動電路均連接至接線1 4 0 1 4 - 1 4 0 1 6,接線 1 4 0 1 4 — 1 4 0 1 6會到達引至外部設備之 FPC14017。 -78- (75) (75)1249905 像素部份(較佳地與驅動電路一起)由遮蓋材料 1 6 0 〇〇、密封材料(或殼材料)1 7 〇 〇 〇、及端密 封材料(或第二密封材料)1 7 〇 〇 1所包封。 圖4 0 B係剖面視圖,顯示本實施例中的E l顯示裝 置之結構。顯示有基底14〇1〇、了塗層i4〇21、 用於驅動電路之TFT 14022、及用於像素單元之 TFT 14023。(所示之 TFT 14022 係 η 通道型TFT與ρ通道型TFT構成的CMOS電路。所 φ 示之T F Τ 1 4 0 2 3係控制E L元件的電流之 CMOS電路。)這些TFT 1 4023可爲任何習知 的構造(上閘極結構或底閘極結構)且先前的實施例中所 述之方法可用於製造這些T F 丁。 在完成TFT 14022 (用於驅動電路)及 TFT 1 40 2 3 (用於像素單元)時,像素電極 1 4 0 2 7會形成於樹脂製成的中間層絕緣膜(平面化膜 )之上。像素電極係透明導電膜,其會電連接至用於像素 φ 單元之TFT 1 402 3的汲極。透明導電膜可由氧化 銦及氧化錫的化合物(稱爲I T〇)或氧化銦與氧化鋅的 化合物所形成。在像素電極1 4 0 2 7上,形成有絕緣膜 14028 ’其中在像素電極14027上形成有開口。 接著’形成EL層14029。其可爲藉由自由結合 諸如注入層、電洞傳輸層、發光層、電子傳輸層、及電子 注入層等習知的E L材料而形成的單層結構或多層結構。 任何習知的技術可用於此結構。E L材料可爲低分子材料 -79- (76) 1249905 或高分子材料(聚合物)。藉由汽相沈積以塗敷前者,及 藉由諸如旋轉塗著、印刷、或噴墨法等簡單方法以塗敷後 者。
在本實施例中,以經由掩罩之汽相沈積,形成E L層 。所造成的E L層會允許每一像素發射波長不同的光(紅 、綠、及藍)。這將實施例彩色顯示。.其它可取得的系統 包含彩色轉換層(C C Μ )及濾色器的結合與白光發射層 與濾色器的結合。無須多言,E L顯示裝置可爲單色的。
在EL層上形成有陰極14030。在此步驟之前, 需要儘可能地從EL層1 4 0 2 9與陰極1 4 0 3 0之間 的介面淸除濕氣及氧氣。藉由在真空中連續地形成E L層 14029與陰極14030,或是藉由在惰性氣體氛圍 中形成E L層1 4 0 2 9及接著在相同氣氛中形成陰極 1 4 0 3 0而不允許空氣進入,可以達成此目的。在本實 施例中,藉由使用具有多室系統(群組工具系統)之成膜 設備,形成所需的膜。 由氟化鋰膜及鋁膜所構成的多層結構會於本實施例中 作爲陰極1 4 0 3 0。具體而言,以汽相沈積依序將氟化 鋰膜(1 nm厚)及鋁膜(300nm厚)塗著EL層 14029。無須多言,陰極14030可由習知的陰極 材料MgAg電極形成。接著,陰極1 4 0 3 0會連接至 1 40 3 1標示的區域中之接線1 40 1 6。供應指定電 壓給陰極1 4 0 3 0之接線1 4 0 1 6會經由導電膠材料 14032連接至FPC 14017。 -80- (77) 1249905 區14031中的陰極1403 之間的電連接於中間層絕緣膜1 4 0 1 4 0 2 8中需要接點孔。當中間層 行蝕刻以形成用於像素電極的接點孔 1 4 0 2 8進行蝕刻以在形成E L層 形成接點孔。當絕緣膜1 4 0 2 8進 刻中間層絕緣膜1 4 0 2 6。假使中 14026與絕緣膜14028由相 成具有良好形狀的接點孔。 然後’形成被動膜1 6003、 及遮蓋材料16000,以致於這些 此外,在遮蓋材料1 6 〇 〇 〇與 部形成密封材料1 7 0 〇 〇以圍繞e 料1 7 0 0 0的外部形成端密封材料 形成塡充材料1 6 〇 〇 4以遮蓋 1 6 0 0 4會作爲黏著物以黏著至遮 關於塡充材料1 6 0 〇 4,可以使用 、環氧樹脂、矽樹脂、PVB (聚丁 EVA (乙基乙烯基醋酸酯)。由於 所以,較佳的是在塡充材料1 6 〇 〇 而且,可在塡充材料16〇〇4 的是使用包括氧化鋇之球形間隔器, 氣吸收。 在間隔器包含於塡充材料的情形 〇與接線1 4 〇 1 6 2 6與絕緣膜 絕緣膜1 4 0 2 6進 時’或當絕緣膜 之前形成開口時,可 行蝕刻時,可同時蝕 間層絕緣膜 同材料製成時,可形 0 塡充材料1 6004 層遮蓋E L元件。 基底14010的內 L元件,及在密封材 1 7 0 0 1。 E L元件且塡充材料 蓋材料16000。 · p v C (聚氯乙烯) 嫌醇縮丁醛)、或 可以維持濕氣吸收, 4中形成乾燥劑。 中含有間隔器。較較 以維持間隔器中的濕 中’被動膜 -81 - (78) (78)1249905 1 6 0 0 3可以釋放間隔器的壓力。當然,諸如有機樹脂 等不同於被動膜之其它膜可以用於釋放間隔器的壓力。 關於遮蓋材料1 6 0 0 0,可以使用玻璃板、鋁板、 不銹鋼板、F R P (強化玻璃纖維塑膠)板、P V F (聚 氟乙烯)膜、美拉(Mylar)膜、聚酯膜或丙烯膜。在使 用PVB或EVA作爲塡充材料1 6 0 0 4的情形中,較 佳的是使用夾於P V F膜或美拉膜之間數十# m厚的鋁箔
根據來自EL元件的光發射方向(光輻射方向),遮 蓋材料1 6 0 0 0應具有高透明度。 接線1 4 0 1 6會經由密封材料1 7 0 0 0和端密封 材料1 7 0 0 1與基底1 4 0 1 0之間的間隙,電連接至 FPC 14017。在關於上述的接線14016中, 其它接線1 4 0 1 4與1 4 0 1 5也會電連接至密封材料 14018之下的FPC 14017。
〔實施例1 4〕 在本實施例中,如圖4 1 A及4 1 B中所示,將解釋 結構不同於實施例1 3之另一 E L顯示裝置。圖4 1 A和 4 1 B中與圖4 0A和4 0 B中相同的代號係標示相同的 構件,所以省略其說明。 圖4 1 A係顯示本實施例中的E L模組之上視圖,而 圖4 1 B係顯示圖4 1 A的A — A ’剖面視圖。
根據實施例1 3 ,形成被動膜1 6 0 0 3以遮蓋E L -82- (79) 1249905 元件的表面。 形成塡充材料1 6 〇 〇 4以遮蓋E L元件且塡充材料 工6 〇 〇 4也會作爲黏著物以黏著至遮蓋材料1 6 〇 〇 〇 。關於塡充材料1 6 004,可以使用PVC (聚氯乙烯 )、環氧樹脂、矽樹脂、PVB(聚丁烯醇縮丁醛)、或 E V A (乙基乙烯基醋酸酯)。由於可以維持濕氣吸收, 所以,較佳的是在塡充材料1 6 〇 〇 4中形成乾燥劑。 • 而且’可在塡充材料16004中含有間隔器。較較 φ 的是使用包括氧化鋇之球形間隔器,以維持間隔器中的濕 氣吸收。 在間隔器包含於塡充材料的情形中,被動膜 1 6 0 0 3可以釋放間隔器的壓力。當然,諸如有機樹脂 等不同於被動膜之其它膜可以用於釋放間隔器的壓力。 關於遮蓋材料1 6 0 0 0,可以使用玻璃板、鋁板、 不銹鋼板、F R P (強化玻璃纖維塑膠)板、p v f (聚 • 氟乙烯)膜、美拉(Mylar)膜、聚酯膜或丙烯膜。 φ 在使用PVB或EVA作爲塡充材料1 6 0 0 4的情形中 ’較佳的是使用夾於PVF膜或美拉膜之間數十厚的 鋁箔。 根據來自E L元件的光發射方向(光輻射方向),遮 蓋材料1 6 0 0 0應具有高透明度。 接著,使用塡充材料3 4 0 4以黏著遮蓋材料 1 6 0 〇 〇。然後,附著焰材料1 6 0 0 1以遮蓋塡充材 料1 6 0 0 4的側部份(曝露面)。焰材料1 6 〇 〇 1會 -83- (80) 1249905 &密' #材料(作爲黏著物)1 6 0 0 2黏著。關於密封材 料16〇〇2,光可固化樹脂是較佳的。而且,假使EL 層@抗熱性許可的話,也可使用可熱固化樹脂。密封材料 1 6 〇 〇 2較佳的是不通過濕氣及氧氣。此外,能夠在密 封材料1 6 0 0 2內添加乾燥劑。 接線1 4 0 1 6會經由密封材料1 6 0 0 2與基底
1 4 0 1 〇之間的間隙,電連接至f P C 14017。 關於上述的接線1 4 0 1 6,其它接線1 4 0 1 4與 1 4 0 1 5也會電連接至密封材料1 6 0 0 2之下的 FPC 14017。 〔實施例1 6〕 在具有根據實施例1 3或1 4之結構的E L顯示裝置 中,可使用本發明。在本實施例中,詳細說明面板中的像
素區之結構。圖4 2係顯示像素區的剖面;圖4 3 A係顯 示其上視圖;而圖4 3 B係顯示像素區的電路圖型。在圖 42、圖43A及圖43B中,相同的代號係表示相同的 構件,對它們而言爲共同的。 在圖4 2中,形成於基底3 5 0 1上的切換 TF T 3 5 0 2係具有雙重閘結構之NTF T。切換 丁 F T 3 5 0 2的雙重閘結構實際上具有二串聯的T F T ,因此具有減少通過它們的關閉電流之優點。在本實施例 中,切換T F T具有此雙重閘結構,但並未侷限於此。其 可具有單閘結構或三閘結構’或者其它具有多於三閘之多 _ 84 - (81) 1249905 重閘結構。切換T F T 3 5 0 2可爲發明的ρ τ F T。 電流控制T F Τ 3 5 0 3係發明的ν 丁 F Τ。另一 種可能係TFT 3503可爲PTFT。切換 TFT 3 5 0 2中的汲極接線3 5會與電流控制τ f T 中的閘電極3 7經由它們之間的接線3 6而電連接。以 3 8標示的接線係用於電連接切換T F T 3 5 0 2中的 閘電極3 9 a及3 9 b之閘接線。 ® 在本實施例中,電流控制T F T 3 5 0 3係顯示成 φ 具有單閘結構,但是,其可以具有多個T F T串聯之多重 閘結構。此外,多個T F T可以並聯,以致於通道形成區 實際上會分割成多個區。在該型的結構中,可以有效率地 實現熱輻射。結構係有利於保護裝置免於熱劣化。爲了避 免TFT 3 5 0 3中的熱載子問題,較佳的是提供至少 與閘電極部份地重疊之L D D區。 如圖4 3 A所示’要連接電流控制τ F T 3 5 0 3 ® 中的閘電極37之接線會與3504標示的區域中之汲極 φ 接線4 0經過它們之間的絕緣膜而相重疊。在此狀態中, 以3 5 0 4標示的區域會形成電容。電容3 5 0 4會用以 固持施加至電流控制T F T 3 5 0 3中的閘極之電壓。 汲極接線4 0會與電流供應線(電源線)3 5 0 6相連, 從電流供應線3 5 0 6會一直有固定電壓施加至汲極接線 4 0° 在切換T FT 3 5 0 2與電流控制TF T 3 5 0 3上形成有弟一被動0吴4 1。在膜4 1上,形成有 -85- (82) (82)1249905 絕緣樹脂製成的平面化膜4 2。相當重要的是,經由平面 膜4 2的平面化,可移除T F T中層部份高低的不同。這 是因爲要於稍後的步驟中形成於先前形成的層之上的E L 層係相當地薄,且假使在先前形成的層之間存在有不同高 度,則E L裝置通常會有發光故障之問題。因此,在先前 形成的層上形成像素電極之前,需要儘可能地將其平面化 ,以致於E L層可形成於平坦化表面上。 代號4 3係標示具有高反射率的的導電膜之像素電極 φ (在EL裝置中爲陰極)。像素電極43會與電流控制 TFT 3 50 3中的汲極電連接。較佳的是,像素電極 4 3係鋁合金、銅合金或銀合金的低電阻導電膜、或是這 些膜的疊層。無須多百,像素電極4 3可爲任何其它導電 膜的疊層結構。 在形成於絕緣膜(較佳地爲樹脂製成)場4 4 a與 4 4 b之間的凹壁(此對應於像素)中,形成發光層4 5 。雖然在顯示的結構中,僅顯示一像素,但是,多個發光 層可分別地形成於對應r (紅)、G (綠)及B (藍)不 同顏色之不同像素中。用於發光層之有機E L材料可爲任 何7Γ -共軛聚合物材料。此處可用之典型的聚合物材料包 含聚對二乙烯苯(PVV)、聚乙烯咔唑(ρνκ)、聚 芴材料、等等。 不同型的PVV型有機E L材料是習知的,如同〔H.
Shenk, H. Becker,〇· Gelsen,E· Klunge,W· Kreuder,及 H. Spreitzer 等所著之 “p〇lymer f〇r Light Emitting Diodes, -86- (83) 1249905
Euro Display Proceedings, 1 999,p p. 33-公開號9 2 5 7 6 / 1 9 9 8所揭示者。 此類習知材料。 具體而言,氰基聚伸苯基伸乙烯基化 光層;聚二乙烯苯可用於綠發光層;聚二 苯撐可用於藍發光層。用於發光層的膜之 與1 5 0 n m之間(較佳地在4 0與1 0 上述這些化合物僅作爲可用於此之有 施例且完全不具限制性。發光層可以與電 注入層以任何所需方式結合,以形成所要 用於發光及用於發光的載子轉換)。 特別地,本實施例係顯示使用聚合物 層之實施例,但是其不具限制性。除此之 E L材料也可用於發光層。對於電荷輸送 而言,可使用諸如碳化矽等無機材料。用 有機E L材料及無機材料係習知的,任何 此處。 在本實施例中,在發光層4 5上形成 噻吩)或P a n i (聚苯胺)電洞注入層 於E L層之疊層結構。在注入層4 6上, 的陽極4 7。在本實施例中,由發光層4 此朝著上表面之方向照射(亦即,在T F )。因此,在本實施例中,陽極必須傳送 極之透明導電膜,可使用氧化銦與氧化錫 3 7中及日本專利 此處可使用任何 合物可用於紅發 乙烯苯或聚烷基 厚度會落在3 0 0 n m之間)。 機E L材料的實 φ 荷輸送層或電荷 的E L層(這是 材料以形成發光 外,低分子有機 層及電荷注入層 於這些層的不同 這種材料可用於 H P E D〇T (聚 4 6 ,以產生用 形成透明導電膜 5發射之光會自 T的向上方向上 光。關於用於陽 的化合物、及氧 -87- (84) (84)1249905 化銦與氧化鋅的化合物。但是,由於在發光層與具有抗熱 性不佳的電洞注入層形成之後,會形成陽極,所以,較佳 的是,用於陽極的透明導電膜由能夠在儘可能低的溫度下 形成膜的材料所製成。 當形成陽極47時,完成EL裝置3 5 0 5。此處如 此製成的E L裝置3 5 0 5標示包括像素電極(陰極) 43之電容、發光層45、電洞注入層4及陽極47。如 圖4 3A所示,像素電極4 3的區域幾乎與像素的區域相 φ 同。因此,在本實施例中,整個像素作爲E L裝置。因此 ,此處所製造的E L裝置之光利用效率爲高,且裝置能顯 示明亮的影像。 在本實施例中,第二被動膜4 8會形成於陽極4 7上 。關於第二被動膜4 8,較佳地使用氮化矽膜或氮氧化矽 膜。膜4 8的目的係使E L裝置與外在環境絕緣。膜4 8 具有防止有機E L材料免於因氧化而劣化並具有使其免於 排氣之功能。根據該型的第二被動膜48,EL顯示裝置 φ 的可靠度會改進。 如上所述,本實施例中所製造的發明之E L顯示板具 有用於構造如圖4 2之像素的像素區及具有切換T F T以 及抗熱載子注入的電流控制T F T,通過切換T F T的關 閉電流非常小至令人滿意。因此,此處所製造的E L顯示 面板具有高可靠度及能顯示良好影像。 將本實施例的E L顯示板倂入圖2 4 ( A )至2 4 ( E )中所示的電子用品作爲其顯示部份,是爲有利的。 -88- (85) 1249905 〔實施例1 6〕
本實施例係顯示實施例1 5的E L顯示板的修改,其 中像素區中的E L裝置3 5 0 5具有相反結構。關於本實 施例,請參考圖4 4。本實施例之E L顯示板的構造與圖 4 3 A中所示者不同之處僅在於e L裝置部份與電流控制 T F T部份。因此,除了不同的部份之外,於此省略其它 部份之說明。 在圖44中,電流控制TFT 3 7 0 1可爲發明的 PTFT。TFT可以由先前實施例的任何方法製造。 在本實施例中,像素電極(陽極)5 0係透明的導電 膜。具體而言,使用氧化銦與氧化鋅的化合物製成之導電 膜。無庸置疑,也可使用氧化銦與氧化錫之化合物的導電 膜。 在形成絕緣膜的堤5 1 a與5 1 b之後,在溶液塗著 法中,於它們之間形成聚乙烯咔唑製成的發光層5 2。在 0 發光層5 2上,形成乙醯丙酮鉀(此後稱爲acacK)製成 電子注入層5 3,及鋁合金製成的陰極5 4。在此情形中 ,陰極5 4也作爲被動膜。如此製成E L裝置3 7 0 1。 在本實施例中,由發光層發射的光發會於朝向有 丁 F T形成於其上的基底之方向上發射,如箭頭所示之方 向。 將本實施例的E L顯示板倂入圖2 4 ( A )至2 4 ( E )的電子用品中作爲其顯示部份,是爲有利的。顯示器 -89- (86) 1249905 的整個結構與圖33 (A)及(B)或圖34 (A)及( B )中所示的相同。因此,省略相同的說明。 〔實施例1 7〕
本實施例係顯示具有圖4 3 B的電路圖型之像素的修 改。修改係如圖4 5 A至4 5 C中所示。在圖4 5 A至 4 5 C中所示的本實施例中,3 8 0 1係標示用於切換 TFT 3802的源極線;3803係標示用於切換 TFT 3 8 0 2的閘接線;3 8 0 4係標示電流控制 TFT; 3805係標示電容;3806及3808係標 示電流供應線;而3 8 0 7係標示E L裝置。
在圖4 5 A的實施例中,電流供應線3 8 0 6由二像 素共用。特別地,本實施例特徵在於二像素以電流供應線 3 8 0 6在它們的中間而線性對稱地形成。由於可以減少 其中的電流供應線數目,所以,本實施例有利於使像素圖 型更加精細及薄。 在圖4 5 B的實施例中,電流供應線3 8 0 8係平行 於閘接線3 8 0 3形成。特別地,在本實施例中,電流供 應線3 8 0 8係構造成其不會與閘接線3 8 0 3重疊,但 並未侷限於此。不同於所述的情形,電流供應線與閘接線 只要它們具有不同的層,即可以經過它們之間的絕緣膜而 彼此重疊。由於電流供應線3 8 0 8與閘接線3 8 0 3可 享有其中共同的獨佔區,所以,本實施例有利於像素更加 精細化及薄化。 -90- (87) 1249905 圖4 5 C的實施例結構特徵在於如圖4 5 B所示電流 供應線3 8 0 8係形成爲平行於閘接線3 8 0 8 ’且二像 素係以電流供應線3 8 0 8位於它們之間的中間’而線性 對稱地形成。在本實施例中’以電流供應線3 8 0 8與任 一閘接線3 8 0 3重疊之方式’設置電流供應線3 8 0 8 ,亦爲有效的。由於可以減少其中的電流供應線的數目’ 所以,本實施例有利於像素圖型更加精細化及薄化。 • · 〔實施例1 8〕 圖4 3 A及4 3 B中所示的實施例1 5係設有電容 3 5 0 4,電容3 5 0 4作用以固持施加至電流控制 TFT 3 503中的閘極之電壓。但是,在實施例中可 以省略電容3504。 在實施例1 5中,電流控制T F T 3 5 0 3係具有 LDD區之NTFT,LDD區會與閘電極經過它們之間 • 的閘絕緣膜而相重疊。在重疊區中’形成有通常稱爲閘電 Φ 容之寄生電容。本實施例特徵在於確定地利用寄生電容以 取代電容3 5 0 4。 寄生電容會隨著閘電極與L D D區重疊的面積而變, 因此會依據重疊區中的L D D區之長度而決定。 如同圖45A、圖45B及45C中所示的實施例 17般,可省略電容3805。 將具有本實施例的像素結構之E L顯示板倂入於圖 2 4 ( A )至2 4 ( E )中所示的實施例之電子用品中作 -91 - (88) (88)1249905 爲其顯示部份,是有利的。顯示器的整體結構可以與圖 33 (A)及(b)或圖34 (A)與(B)中所示的相 同。因此,省略相同說明。 【圖式簡單說明】 圖1係顯示根據發明之D A C (數位類比轉換電路) 圖2 ( A ) - 2 ( C )係顯示等效電路以說明根據發 φ 明之DA C的作動,及顯示根據發明之DA C的輸出之圖 形, 圖3係顯示根據發明之U A C的實施例, 圖4 ( A ) — 4 ( C )係顯示等效電路以說明根據發 明之DAC,及顯示根據發明之DAC的輸出, 圖5係顯示使用根據發明的D A C之主動矩陣型液晶 顯示裝置的實施例, 圖6係顯示選取電路之實施例, φ 圖7係選取電路之時序圖, 圖8係顯示根據發明之D A C的另一實施例, 圖9 (A)及9 (B)係顯示位準偏移電路及類比切 換電路, 圖1 0 ( A )及(B )係顯示數位視頻資料分割電路 圖1 1係數位視頻資料分割電路之時序圖, 圖1 2 ( A ) — 1 2 ( E )係顯示用以生產使用根據 -92- (89) 1249905 發明之D A C的主動矩陣型液晶顯示裝置之方法的實施例 圖13 (A)—13 (C)係顯示用以生產使用根據 發明之D A C的主動矩陣型液晶顯示裝置之方法的實施例 圖14 (A)—14 (C)係顯示用以生產使用根據 發明之D A C的主動矩陣型液晶顯示裝置之方法的實施例
圖1 5 ( A ) — 1 5 ( C )係顯示用以生產使用根據 發明之D A C的主動矩陣型液晶顯示裝置之方法的實施例 圖1 6 ( A ) - 1 6 ( E )係顯示用以生產使用根據 發明之D A C的主動矩陣型液晶顯示裝置之方法的實施例 , 圖1 7 ( A ) — 1 7 ( D )係顯示用以生產使用根據 發明之D A C的主動矩陣型液晶顯示裝置之方法的實施例 · 圖1 8 ( A )及1 8 ( B )係顯示用以生產使用根據 發明之D A C的主動矩陣型液晶顯示裝置之方法的實施例 圖1 9 ( A ) — 1 9 ( E )係顯示用以生產使用根據 發明之D A C的主動矩陣型液晶顯示裝置之方法的實施例 圖2 0 ( A )及2 0 ( B )係顯示用以生產使用根據 -93- (90) (90)1249905 發明之D A C的主動矩陣型液晶顯示裝置之方法的實施例 圖2 1係顯示T F T的實施例,其係構成使用根據發 明之D A C的動矩陣型液晶顯示裝置, 圖2 2係顯示TFT的實施例,其係構成使用根據發 明之D A C的動矩陣型液晶顯示裝置, 圖2 3 ( A )及2 3 ( B )係顯示投影機,其具有使 用根據發明之DAC的主動矩陣型液晶顯示裝置, φ 圖24 (A)至24 (E)係顯示電子裝置的實施例 ’其具有使用根據發明之D A C的主動矩陣型液晶顯示裝 置, 圖2 5係顯示習知的DAC, 圖26 (A) — 26 (C)係顯示習知的DAC, 圖2 7係顯示習知的0六(:, 圖2 8係顯示習知的DAC, 圖2 9係顯示根據發明的D A C之較佳實施例之相對 φ 於數位視頻資料之輸出電壓, 圖30係顯示TFT特徵圖, 圖3 1係具有根據發明的D A C之主動矩陣型液晶顯 示裝置之顯示實施例, 圖3 2係具有根據發明的D A C之主動矩陣型液晶顯 示裝置之顯示實施例, 圖3 3係顯示無臨限抗鐵電混合液晶之施加電壓-滲 透比的特徵圖, -94- (91) 1249905 圖34 (A)至34 (D)係顯不根據本發明之較佳 實施例的製程, 圖35 (A)至35 (D)係顯不根據本發明之較佳 實施例的製程, 圖3 6 (A)至3 6 (D)係顯示根據本發明之較佳 實施例的製程,
圖37 (A)及37 (B)係顯示根據本發明之較佳 實施例的製程, 圖3 8係顯示根據本發明之液晶顯示裝置之剖面, 圖3 9係顯示液晶材料的光學特徵, 圖4 0 A係上視圖,顯示主動矩陣E L顯示裝置的結 構,圖4 0 B係其剖面視圖; 圖4 1 A係上視圖,顯示主動矩陣£: L顯示裝置的結 構,圖4 1 B係其剖面視圖; 圖4 2係視圖’顯示主動矩陣e l顯示裝置中的像素 部份之結構; 圖43A係上視圖,顯示主動矩陣以顯示裝置中的 像素部份之結構,圖4 3 B係其電路g ·, 圖4 4係視圖,顯示主動矩陣e L顧千壯苗+的& h賴不裝置中的像素 部份之結構;及 圖4 5 A至4 5 C係主動矩陣E L顯示裝置中的像素 部份之電路圖。 【主要元件符號說明】 -95- (92)1249905
5 0 1 源 極 訊 號 線 驅 動 電 路 A 5 0 2 源 極 訊 號 線 驅 動 電 路 B 5 0 3 閘 訊 號 線 驅 動 電 路 5 0 4 主 動 矩 陣 電 路 5 〇 5 數 位 視 頻 資 料 分 割 電 路 5 0 1 — 1 移 位 電 阻 器 電 路 5 0 1 — 2 佇 鎖 電 路 1 5 0 1 — 3 佇 鎖 電 路 2 5 0 1 — 4 選 取 器 電 路 1 5 0 1 — 5 D / A 轉 換 器 電 路 5 0 1 — 6 選 取 器 電 路 2 4 〇 0 1 石 英 基 底 4 0 0 2 基 層 4 0 0 3 非 晶 矽 層 4 0 0 4 掩 罩 絕 緣 膜 4 0 0 7 晶 化 4 0 0 8 磷 摻 雜 區 4 0 0 9 主 動 層 4 0 1 0 主 動 層 4 〇 1 1 主 動 層 4 0 1 2 閘 絕 緣 層 4 0 1 3 多 孔 陽 極 氧 化 層 4 〇 1 4 多 孔 陽 極 氧 化 層 4 0 1 5 多 孔 陽 極 氧 化 層
-96- 1249905
(93) 4 0 1 6 多 孔 陽 極 氧 化 層 4 〇 1 7 多 孔 陽 極 氧 化 層 4 〇 1 8 多 孔 陽 極 氧 化 層 4 0 1 9 多 孔 陽 極 氧 化 層 4 0 2 0 多 孔 陽 極 氧 化 層 4 0 2 1 非 多 孔 陽 極 氧 化 層 4 0 2 2 非 多 孔 陽 極 氧 化 層 4 0 2 3 非 多 孔 陽 極 氧 化 層 4 0 2 4 非 多 孔 陽 極 氧 化 層 4 0 2 5 閘 電 極 4 0 2 6 閘 電 極 4 0 2 7 閘 電 極 4 0 2 8 閘 電 極 4 0 2 9 閘 絕 緣 層 4 0 3 0 閘 絕 緣 層 4 0 3 1 閘 絕 緣 層 4 0 3 2 源 極 區 4 0 3 3 汲 極 區 4 0 3 4 源 極 區 4 0 3 5 汲 極 T& 4 0 3 6 低 濃 度 雜 質 is 4 0 3 7 低 濃 度 雜 質 4 0 3 8 低 濃 度 雜 質 區 4 0 3 9 通 道 形 成 區
-97- (94)1249905
4 〇 4 0 通 道 形 成 區 4 0 4 2 光 阻 掩 罩 4 0 4 3 源 極 4 0 4 4 汲 極 區 4 0 4 5 低 濃 度 雜 質 4 0 4 6 通 道 形 成 4 0 4 7 第 一 中 間 層 絕 緣 膜 4 0 4 8 源 極 電 極 4 0 4 9 源 極 電 極 4 0 5 0 源 極 電 極 4 0 5 1 汲 極 電 極 4 0 5 2 汲 極 電 極 4 0 5 3 第 二 中 間 層 絕 緣 膜 4 0 5 4 第 二 中 間 層 絕 緣 膜 4 0 5 6 第 四 中 間 層 絕 緣 膜 4 0 5 7 像 素 電 極 4 0 5 9 玻 璃 基 底 4 0 6 0 相 對 電 極 4 0 6 1 對 齊 層 4 0 6 2 液 晶 5 0 0 1 玻 璃 基 底 5 0 0 2 氧 化 矽 層 5 0 0 3 主 動 層 5 0 0 4 主 動 層
-98- 1249905
(95) 5 0 0 5 閘 絕緣 層 5 0 0 6 閘 接線 5 0 0 7 閘 接線 5 0 0 8 第 一雜 質 1S 5 0 0 9 第 一雜 質 區 5 0 1 0 通 道形 成 區 5 0 1 1 通 道形 成 區 5 0 1 2 側 壁 5 0 1 3 側 壁 5 0 1 4 第 二雜 質 區 5 0 1 5 第 二雜 質 區 5 0 1 6 光 阻掩 罩 5 0 1 7 光 阻掩 罩 5 0 1 8 閘 絕緣 層 5 0 1 9 第 三雜 質 5 0 2 0 第 三雜 質 5 0 2 1 光 阻掩 罩 5 0 2 2 閘 絕緣 層 5 0 2 3 第 四雜 質 1^ 5 0 2 4 第 一中 間 層絕緣膜 5 0 2 5 源 極接 線 5 0 2 6 源 極接 線 5 0 2 7 汲 極接 線 5 0 2 8 氮 化矽 層
-99- (96)1249905 5 0 2 9 第二中間層絕緣膜
6 0 0 1 矽 基 底 6 0 0 2 氧 化 矽 層 7 〇 0 1 基 底 7 〇 0 2 基 層 7 0 〇 3 半 導 體 主 動 層 7 0 0 4 半 導 體 主 動 層 7 0 0 5 半 導 體 主 動 層 7 〇 0 6 閘 絕 緣 層 7 0 0 7 導 電 層 7 〇 0 8 導 電 層 7 〇 0 9 導 電 層 7 0 1 0 導 電 層 7 〇 1 1 接 線 電 極 7 〇 1 2 第 二 導 電 層 7 〇 1 3 第 二 導 電 層 7 〇 1 4 第 二 導 電 層 7 0 1 5 第 二 導 電 層 7 〇 1 6 接 線 電 極 7 〇 1 7 低 濃 度 雜 質 區 7 〇 1 8 低 濃 度 雜 質 7 〇 1 9 低 濃 度 雜 質 區 7 〇 2 0 低 濃 度 雜 質 區 7 〇 2 1 低 濃 度 雜 質 -100- 1249905
(97) 7 0 2 2 低 濃 度 雜 質 區 7 0 2 3 低 濃 度 雜 質 區 7 0 2 4 光 阻 掩 罩 7 〇 2 5 光 阻 掩 罩 7 〇 2 6 摻 雜 硼 的 區 域 7 0 2 7 摻 雜 硼 的 is 域 7 0 2 8 第 二 閘 電 極 7 0 2 9 第 二 閘 電 極 7 0 3 0 第 二 閘 電 極 7 0 3 1 第 二 閘 電 極 7 0 3 2 固 持 電 容 的 電 極 7 0 3 4 第 一 雜 質 7 0 3 5 源 極 區 7 0 3 6 汲 極 區 7 0 3 9 源 極 區 7 0 4 0 汲 極 7 0 4 3 源 極 7 0 4 4 汲 極 區 7 0 4 7 汲 極 7 0 4 9 第 一 中 間 層 絕 緣膜 7 0 5 0 源 極 電 極 7 〇 5 1 汲 極 電 極 7 〇 5 2 源 極 電 極 7 〇 5 3 源 極 電 極 -101 - (98)1249905
7 〇 5 4 汲 極 電 極 7 〇 5 5 被 動 層 7 0 5 6 第 二 中 間 層 絕緣膜 7 0 5 7 里 矩 陣 7 0 5 8 第 二 絕 緣 膜 7 0 5 9 像 素 電 極 7 0 6 0 對 齊 層 7 0 7 1 相 對 基 底 7 0 7 2 相 對 電 極 7 0 7 3 對 齊 層 7 0 7 4 液 晶 材 料 8 0 0 1 基 底 8 0 0 2 氧 化 矽 層 8 0 0 3 閘 電 極 8 0 0 4 閘 絕 緣 層 8 0 0 5 源 極 區 8 0 0 6 汲 極 is 8 0 0 7 低 濃 度 雜 質 is 8 0 0 8 通 道 形 成 8 0 0 9 通 道 保 護 層 8 0 1 0 中 間 層 絕 緣 膜 8 0 1 1 源 極 電 極 8 0 1 2 汲 極 電 極 9 0 0 1 基 底
-102- (99)1249905
9 〇 0 2 氧 化 矽 層 9 0 0 3 閘 電 極 9 0 0 4 苯 並 環 丁 烯 9 0 0 5 氮 化 矽 9 0 0 6 源 極 區 9 0 0 7 汲 極 區 9 〇 0 8 低 濃 度 雜 質 區 9 0 0 9 通 道 保 護 層 9 0 1 0 通 道 保 護 層 9 0 1 1 中 間 層 絕 緣 膜 9 0 1 2 源 極 電 極 9 0 1 3 汲 極 電 極 1 0 0 0 1 本 體 1 0 0 0 2 主 動 矩 陣 型 半 導 體 顯 示裝 置 1 0 0 0 3 光 源 1 0 0 0 4 光 學 系 統 1 0 0 0 5 螢 幕 1 0 0 0 6 本 jam 體 1 0 0 0 7 主 動 矩 陣 型 半 導 體 顯 示裝 置 1 0 0 0 8 光 源 1 〇 0 0 9 反 射 器 1 0 0 1 0 螢 幕 1 1 0 0 1 本 體 1 1 〇 0 2 語 1& 輸 出 部 份
-103- (100)1249905 1 1 〇 〇 3 語音輸入部份 1 1 0 0 4 主動矩陣型半導體顯示裝置 1 1 0 0 5 操作開關 1 1 0 0 6 天線 1 2 0 0 1 本體 1 2 0 0 2 主動矩陣型半導體顯示裝置 1 2 0 0 3 語音輸入裝置 • 1 2 0 0 4 操作開關 1 2 0 0 5 電池 1 2 0 0 6 影像接收部份 1 3 0 0 1 本體 1 3 0 0 2 相機部份 1 3 0 0 3 影像接收部份 1 3 0 0 4 操作開關 1 3 0 0 5 主動矩陣型半導體顯示裝置 • 1 4 0 0 1 本體 1 4 0 0 2 主動矩陣型半導體顯示裝置 1 5 0 0 1 本體 1 5 0 0 2 主動矩陣型半導體顯示裝置 1 5 0 0 3 主動矩陣型半導體顯示裝置 1 5 0 0 4 記憶介質 1 5 0 0 5 操作開關 1 5 0 0 6 天線 1 6 〇 0 1 基底
-104- 1249905
(101) 1 6 0 0 2 基 層 1 6 0 〇 3 a 半 導 體 1 6 0 0 3 b 結 晶 矽 層 1 6 0 0 4 島 狀 半 導 體 層 1 6 0 0 5 島 狀 半 導 體 層 1 6 0 0 6 島 狀 半 導 體 層 1 6 0 0 7 島 狀 半 導 體 層 1 6 0 0 8 掩 罩 層 1 6 0 0 9 光 阻 掩 罩 1 6 0 1 0 島 狀 半 導 體 層 1 6 0 1 1 島 狀 半 導 體 層 1 6 0 1 2 島 狀 半 導 體 層 1 6 0 1 3 光 阻 掩 罩 1 6 0 1 4 光 阻 掩 罩 1 6 0 1 5 光 阻 掩 罩 1 6 0 1 6 光 阻 掩 罩 1 6 0 1 7 雜 質 區 1 6 0 1 8 雜 質 is 1 6 0 1 9 雜 質 區 1 6 0 2 0 閘 絕 緣 層 1 6 0 2 1 導 電 層 ( A ) 1 6 0 2 2 導 電 層 ( B ) 1 6 0 2 3 光 阻 掩 罩 1 6 0 2 4 光 阻 掩 罩
-105- (102)1249905 16 0 16 0 16 0 16 0 16 0 16 0 16 0 16 0 16 0 16 0 16 0 16 0 16 0 16 0 16 0 16 0 16 0 16 0 16 0 16 0 16 0 16 0 16 0 16 0 5 光阻掩罩 6 光阻掩罩 7 光阻掩罩 8 閘電極 8 a 導電層(A ) 8 b 導電層(B ) 8 c 導電層(C ) 9 鬧電極 9 a 導電層(A ) 9b 導電層(B) 9 c 導電層(C ) 0 閘電極 0 a 導電層(A )
Ob 導電層(B ) 0 c 導電層(C ) 1 閘電極 la 導電層(A ) lb 導電層(B ) 1 c 導電層(C ) 2 電容接線 2 a 導電層(A ) 2 b 導電層(B ) 2 c 導電層(C ) 3 光阻掩罩 -106- 1249905
(103) 1 6 0 3 4 雜 質 1 6 0 3 5 光 阻 掩 罩 1 6 0 3 6 光 阻 掩 罩 1 6 0 3 7 光 阻 掩 罩 1 6 0 3 8 雜 質 區 1 6 0 3 9 雜 質 區 1 6 0 4 0 雜 質 區 1 6 0 4 1 雜 質 區 1 6 0 4 2 雜 質 區 1 6 0 4 3 雜 質 區 1 6 0 4 4 雜 質 區 1 6 0 4 5 第 一 中 間 層 絕 緣 膜 1 6 0 4 6 源 極 接 線 1 6 0 4 7 源 極 接 線 1 6 0 4 8 源 極 接 線 1 6 0 4 9 源 極 接 線 1 6 0 5 0 汲 極 接 線 1 6 0 5 1 汲 極 接 線 1 6 0 5 2 汲 極 接 線 1 6 0 5 3 汲 極 接 線 1 6 0 5 4 被 動 層 1 6 0 5 5 第 二 中 間 層 絕 緣 膜 1 6 0 5 9 第 二 中 間 層 絕 緣 膜 1 6 〇 6 〇 像 素 電 極
-107- (104)1249905
1 6 0 6 5 對 齊 層 1 6 0 6 2 玻 璃 基 底 1 6 0 6 3 相 對 電 極 1 6 0 6 4 液 晶 1 6 0 7 1 閘 電 極 1 6 0 7 2 鬧 電 極 1 6 0 7 3 像 素 T F T 1 6 0 7 4 電 容 接 線 1 6 1 0 1 P 通 道 型 T F Τ 1 6 1 0 2 第 一 η 通 道 型 TFT 1 6 1 0 3 第 二 η 通 道 型 TFT 1 6 1 0 4 像 素 Τ F T 1 6 1 0 5 儲 存 電 容 8 0 6 通 道 形 成 8 0 7 a 源 極 8 0 7 b 源 極 1¾ 8 0 8 a 汲 極 8 0 8 b 汲 極 8 0 9 通 道 形 成 層 8 1 0 L D D 區 8 1 1 源 極 8 1 2 汲 極 區 8 1 3 通 道 形 成 區 8 1 4 L D D 區
-108- (105)1249905
8 15 8 16 8 17 8 18 8 19 8 2 0 8 2 1 8 2 2 8 2 3 8 2 4 8 2 5 8 2 6 8 2 7 14 0 10 14 0 11 14 0 12 14 0 13 14 0 14 14 0 15 14 0 16 1 4 0 2 1 1 4 0 2 2 1 4 0 2 3 1 4 0 2 6 L D D區 源極區 汲極區
源極區或汲極區 源極區或汲極區 汲極區 半導體層 基底 像素部份 源極 閘極 接線 接線 接線 下塗層 薄膜電晶體 薄膜電晶體 中間層絕緣膜 通道形成區 通道形成區 L 〇 : f f區 L 〇 : fa L 〇 : f f區 L 〇 : f f區 -109- (106)1249905
1 4 0 2 7 像 素 電 極 1 4 0 2 8 絕 緣 膜 1 4 〇 2 9 電 發 光 層 1 4 0 3 0 陰 極 1 4 0 3 2 導 電 膠 材 料 1 7 0 0 0 密 封 材料 3 5 0 1 基 底 3 5 0 2 切 換 T F T 3 5 0 3 電 流 控 制 TFT 3 5 0 4 電 容 3 5 0 6 電 流 供 應 線 3 7 0 1 電 發 光 元 件 3 5 汲 極 接 線 3 6 接 線 3 7 閘 電 極 3 8 鬧 接 線 3 9 a 閘 電 極 3 9 b 閘 電 極 4 0 汲 極 接 線 4 1 第 — 被 動 膜 4 2 平 面 化 膜 4 3 像 素 電 極 4 4 a 絕 緣 膜 的 堤 4 4 b 絕 緣 膜 的 堤
-110- 1249905
(107) 4 5 發 光 層 4 6 電 洞 注 入 層 4 7 陽 極 4 8 第 二 被 動 膜 5 0 像 素 電 極 5 1 a 絕 緣 膜 的 堤 5 1 b 絕 緣 膜 的 堤 5 2 發 光 層 5 3 電 子 注 入 層 5 4 陰 極 3 8 0 1 源 極 接 線 3 8 0 2 切 換 T F T 3 8 0 3 閘 接 線 3 8 0 4 電 流 控 制 TFT 3 8 0 5 電 容 3 8 0 6 電 流 供 應 線 3 8 0 7 電 發 光 裝 置 3 8 0 8 電流供應線
-111 -

Claims (1)

  1. (1) 1249905 十、申請專利範圍 1· 一種數位/類比轉換器電路,包含: 多數個電容器; 連接至該多數個電容器之輸出端; 一偏移電源,經過一重設開關而連接至該輸出端; 一第一電壓源以及一第二電壓源;
    個別連接至該多數個電容器的多數個開關,以選擇性 將該第一與第二電壓源中的一個連接至對應之電容器。 2· —種顯示裝置,包含一數位/類比轉換器電路,該 數位/類比轉換器電路包含: 多數個電容器; 一輸出端,連接至該多數個電容器; 一偏移電源,經過一重設開關而連接至該輸出端; 一第一電壓源以及一第二電壓源; 個別連接至該多數個電容器的多數個開關,以選擇性 將該第一與第二電壓源中的一個連接至對應之電容器。 3 ·如申請專利範圍第2項之顯示裝置,其中該顯示 裝置係可選自以數位相機、靜態相機、投影機、頭戴式顯 示器、汽車導航單元、個人電腦、可攜式資訊終端機、前 照式投影機、後照式投影機所構成之群組。 4.如申請專利範圍第2項之顯示裝置,其中該顯示 係爲EL顯示裝置。 5 · —種電子裝置,包含一數位/類比轉換器電路,包 含: -112- (2) 1249905 多數個電容器; 一輸出端,連接至該多數個電容器; 一偏移電源’經過一重設開關而連接至該輸出端; 一第一電壓源以及一第二電壓源; 個別連接至該多數個電容器的多數個開關,以選擇性 將該第一與第二電壓源中的一個連接至對應之電容器。
    6 ·如申請專利範圍第5項之電子裝置,其中該顯示 裝置係可選自以數位相機、靜態相機、投影機、頭戴式顯 示器、汽車導航單元、個人電腦、可攜式資訊終端機、前 照式投影機、後照式投影機所構成之群組。 7.如申請專利範圍第5項之電子裝置,其中該電子 裝置係爲EL顯示裝置。 8· —種數位/類比轉換器電路,包含: η個電容器,其中該第i個電容器具有2Ν1(:之電容 量,其中i係爲自然數而C係爲固定數; 一輸出端,連接至該η個電容器; 一偏移電源,經過一重設開關而連接至該輸出端; 一第一電壓源以及一第二電壓源; 個別連接至η個電容器的η個開關,以選擇性將該第 一與第二電壓源中的一個連接至對應之η個電容器。 9 .如申請專利範圍第8項之數位/類比轉換器電路, 其中一顯示裝置包含該數位/類比轉換器電路,且該顯示 裝置係選自以數位相機、靜態相機、投影機、頭戴式顯示 器、汽車導航單元、個人電腦、可攜式資訊終端機、前照 -113- (3) 1249905 式投影機、後照式投影機所構成之群組。 10·如申請專利範圍第9項之數位/類比轉換器電 路,其中該顯示裝置係爲EL顯示裝置。 11· 一種主動矩陣式液晶顯示裝置,包含一數位/類 比轉換器電路包含: 多數個電容器; 連接至該多數個電容器之輸出端; # 一偏移電源,經過一重設開關而連接至該輸出端; 一第一電壓源以及一第二電壓源; 個別連接至該多數個電容器的多數個開關,以選擇性 將該第一與第二電壓源中的一個連接至對應之電容器。 1 2 ·如申請專利範圍第1 i項之主動矩陣式液晶顯示 裝置’其中該液晶顯示裝置包含一無起始反鐵電體混合液 晶。 1 3 ·如申請專利範圍第1 1項之主動矩陣式液晶顯示 ® 裝置’其中該液晶顯示裝置係選自以數位相機、靜態相 機、投影機、頭戴式顯示器、汽車導航單元、個人電腦、 可攜式資訊終端機、前照式投影機、後照式投影機所構成 之群組。 14· 一種主動矩陣式el顯示裝置,包含一數位/類比 轉換器電路,包含: 多數個電容器; 連接至該多數個電容器之輸出端; 一偏移電源’經過一重設開關而連接至該輸出端; -114- (4) 1249905 一第一電壓源以及一第二電壓源; 個別連接至該多數個電容器的多數個開關,以選擇性 將該第一與第二電壓源中的一個連接至對應之電容器。 1 5 .如申請專利範圍第丨4項之主動矩陣式EL顯示裝 置,其中該EL顯示裝置係選自以數位相機、靜態相機、 投影機、頭戴式顯示器、汽車導航單元、個人電腦、可攜 式資訊終端機、前照式投影機、後照式投影機所構成之群 • 組。 16· —種數位/類比轉換器電路,用以轉換” η”個位 元數位資料至類比信號,包含: ” m ”個開關,其由該” η ”個位元數位資料之較低 位” m ”個之個別位元所控制(” m ”以及” η ”爲自然 數,且m<n );以及 ” n-m ”個開關,其係由” η ”個位元數位資料之較 高” n-m”個之個別位元所控制; • ” m ”個電容器,連接至每個該” m ”個開關,其中 被連接至該m個開關之第k個開關之” m”個電容器中的 一個的電容量係爲21^1^其中C爲單位電容·, ” n-m”個電容器被連接至每個該” n-m”個開關,其 中連接至” n-m”個開關的第i個開關的” n-m”的一個的 電容量係爲2^(3 ; ; 以 器·’源 容關電 電開個 合設兩 §1 重中 一 二其 比 類 // 位 數 該 至 接 連 係 源 電 移 偏 -115- (5) (5)1249905 轉換器電路; 每個該” m”開關以及” n-m”開關係選擇兩個電源中 之其中一個; 該二重設開關控制電荷之充電至該” m ”個電容器以 及” n-m”之電容器中;以及 類比信號被輸出自通常連接至該” n-m”電容器之端 部,而具有將該偏移電源之電位用爲參考電位。 17. —種數位/類比轉換器電路,包含: 一較低位元電路部分,由” η ”位元數位資料之較 低” m”位元所控制,其中η與m係爲自然數且η大於 m,該較低位元電路部分包括由個別較低位元所控制的m 個開關以及連接至該m個開關的” m”個電容器,其中連 接至該m個開關第k個開關之” m”個電容器中之一個的 電容量係爲2^0,而C係爲單位電容量; 一較高位元電路部分,由” η ”位元數位資料之較 高” n-m ”位元所控制,該較高位元電路部分包括由個 別” n-m”個位元所控制的” n-m”個開關以及連接至該” n-m”個開關之” n-m”個電容器,其中連接至” n_m”個 開關之第i個開關之” n-m”個開關的一個之電容量係爲 2i'1C; 一耦合電容器,係連接於較低位元電路部分以及較高 位元電路部分之間;以及 二重設開關; 其中二電源以及一偏移電源係連接至該數位/類比轉 -116- (6) (6)1249905 換器電路, 該二重設開關係控制電荷之充電至該較低位元電路之 個別電容器以及該較高位元電路部分之個別電容器中; 該偏移電源係連接至該較高位元電路部分之個別電容 器之共同連接端; 較低位元電路部分之” m ”個開關的每一個係根據位 元資訊而選擇該二電源中的一個,並對於該” m”個電容 器的一個而控制電荷之充電; 該較高位元電路部分之” n-m ”個開關的每一個係根 據位元資訊而選擇該二電源中的一個,並對應於” n-m” 個電容器之一個而控制電荷之充電以及放電;以及 類比信號被輸出自通常連接至該” n-m”電容器之端 部,而具有將該偏移電源之電位用爲參考電位。 1 8 . —種數位/類比轉換器電路,包含: 一較低位元電路部分,由” η ”位元數位資料之較 低” m”位元所控制,其中η與m係爲自然數且η大於 m,該較低位元電路部分包括由個別較低位元所控制的m 個開關以及連接至該m個開關的” m”個電容器,其中連 接至該m個開關第k個開關之” m”個電容器中之一個的 電容量係爲2k“C,而C係爲單位電容量; 一較高位元電路部分,由” η ”位元數位資料之較 高” η - m ”位元所控制,該較高位元電路部分包括由個 別” η - m ”個位元所控制的” η - m ”個開關以及連接至該’ n-m”個開關之” n-m”個電容器,其中連接至” n-m”個 -117- (7) 1249905 開關之第i個開關之” n-m ”個開關的一個之電容量係爲 2i-ic; 一耦合電容器,係連接於較低位元電路部分以及較高 位元電路部分之間,其中該耦合電容器之電容量係等於該 單位電容量;以及 二重設開關;
    其中二電源VH以及VL以及一偏移電源VB係連接 至該數位/類比轉換器電路, 該偏移電源V B係連接至該較高位元電路部分之個別 電容器之共同連接端;以及 自該共同連接端而輸出之輸出電壓V0UT係爲
    1 + 2m cL T -1 Τ Vout-VB^ 其中α = \vH-vL) 且
    其中c3, 爲合成電容値。 19. 一種具有主動矩陣式顯示裝置之電子裝置’該顯 示裝置具有數位/類比轉換電路,用以將” η”個位元數位 資料轉換爲類比信號; 其中該” η”個位元數位資料之個別位元係控制” η” 個開關並個別控制在連接至該,,η”個開關之” η”個電容 器中之電荷之充電以及放電;且 類比信號被輸出,而具有一偏移電壓而作爲參考電 位。 -118- (8) 1249905 20. —種具有主動式矩陣顯示裝置之電子裝置,該顯 示裝置具有數位/類比轉換器電路以將” n,,位元之數位資 料轉換爲類比信號,包含: ” m ”個開關,其由該” η ”個位元數位資料之較低 位” m ”個之個別位元所控制(” m ”以及” η,,爲自然 數,且m<n);以及 ” η - m ”個開關,其係由” η ”個位元數位資料之較 ® 高” n-m”個之個別位元所控制; ” m ”個電容器,連接至每個該” m ”個開關,其中 被連接至該m個開關之第k個開關之” m”個電容器中的 一個的電容量係爲21^ iC,其中C爲單位電容; ” n-m”個電容器被連接至每個該” n-m”個開關,其 中連接至” n-m”個開關的第i個開關的” n-m”的一個的 電容量係爲; 一耦合電容器;以及 Φ 二重設開關; 其中兩個電源以及一偏移電源係連接至該數位/類比 轉換器電路; 每個該” m”開關以及” n-m”開關係選擇兩個電源中 之其中一個; 該二重設開關控制電荷之充電至該” m ”個電容器以 及” n-m”之電容器中;以及 類比信號被輸出自通常連接至該” n-m”電容器之端 部,而具有將該偏移電源之電位用爲參考電位。 -119- (9) (9)1249905 21· —種具有主動式矩陣顯示裝置之電子裝置,該顯 示裝置具有數位/類比轉換器,包含: 一較低位元電路部分,由” η ”位元數位資料之較 低” m”位元所控制’其中η與m係爲自然數且^大於 m,該較低位元電路部分包括由個別較低位元所控制的m 個開關以及連接至該m個開關的” m ”個電容器,其中連 接至該m個開關第k個開關之” m”個電容器中之一個的 電容量係爲而C係爲單位電容量; φ 一較高位元電路部分,由” η ”位元數位資料之較 高” n-m ”位元所控制,該較高位元電路部分包括由個 別” η - m ”個位元所控制的” η - m ”個開關以及連接至該” n-m”個開關之” n-m”個電容器,其中連接至” n-m”個 開關之第i個開關之” n-m”個開關的一個之電容量係爲 一耦合電容器,係連接於較低位元電路部分以及較高 位元電路部分之間;以及 φ 二重設開關; 其中二電源以及一偏移電源係連接至該數位/類比轉 換器電路, 該二重設開關係控制電荷之充電至該較低位元電路之 個別電容器以及該較高位元電路部分之個別電容器中; 該偏移電源係連接至該較高位元電路部分之個別電容 器之共同連接端; 較低位元電路部分之” rn ”個開關的每一個係根據位 -120- (10) (10)1249905 元資訊而選擇該二電源中的一個,並對於該” m ”個電容 器的一個而控制電荷之充電; 該較高位元電路部分之” n-m ”個開關的每一個係根 據位元資訊而選擇該二電源中的一個,並對應於” n-m ” 個電容器之一個而控制電荷之充電以及放電;以及 類比信號被輸出自通常連接至該” n-m”電容器之端 部,而具有將該偏移電源之電位用爲參考電位。 22. —種具有主動式矩陣顯示裝置之電子裝置,該顯 φ 示裝置具有數位/類比轉換器,包含: 一較低位元電路部分,由” η ”位元數位資料之較 低” m”位元所控制,其中η與m係爲自然數且η大於 m,該較低位元電路部分包括由個別較低位元所控制的m 個開關以及連接至該m個開關的” m”個電容器,其中連 接至該m個開關第k個開關之” m”個電容器中之一個的 電容量係爲2^(3,而C係爲單位電容量; 一較高位元電路部分,由” η ”位元數位資料之較 φ 高” n-m ”位元所控制,該較高位元電路部分包括由個 別” n-m”個位元所控制的” n-m”個開關以及連接至該” n-m”個開關之” n-m”個電容器,其中連接至” n-m”個 開關之第i個開關之” n-m”個開關的一個之電容量係爲 2 卜1C; 一耦合電容器,係連接於較低位元電路部分以及較高 位元電路部分之間,其中該耦合電容器之電容量係等於該 單位電容量;以及 -121 - (11) 1249905 其中二電源VH以及VL以及一偏移電源VB係連接 至該數位/類比轉換器電路, 該偏移電源VB係連接至該較高位元電路部分之個別 電容器之共同連接端;以及 自該共同連接端而輸出之輸出電壓V OUT係爲
    其中且 2Λ -1 c 其中c1f c3, 爲合成電容値。 23. 如申請專利範圍第1 9項之電子裝置,其中該顯 示裝置係爲電激發光顯示裝置。
    24. 如申請專利範圍第19項之電子裝置,其中該電 子裝置係爲投影機。 25. 如申請專利範圍第19項之電子裝置,其中該電 子裝置係爲蜂巢式電話。 26. 如申請專利範圔第19項之電子裝置,其中該電 子裝置係爲視頻照相機。 2 7·如申請專利範圍第1 9項之電子裝置,其中該電 子裝置係爲行動電腦。 2 8.如申請專利範圍第1 9項之電子裝置,其中該電 子裝置係爲頭戴式顯示器。 -122- (12) (12)1249905 29.如申請專利範圍第19項之電子裝置,其中該電 子裝置係爲電子書。 3 0 .如申請專利範圍第2 0項之電子裝置,其中該顯 示裝置係爲電激發光顯示裝置。 3 1 .如申請專利範圍第2 0項之電子裝置,其中該電 子裝置係爲投影機。 3 2.如申請專利範圍第20項之電子裝置,其中該電 子裝置係爲蜂巢式電話。 φ 3 3 .如申請專利範圍第2 0項之電子裝置,其中該電 子裝置係爲視頻照相機。 34. 如申請專利範圍第20項之電子裝置,其中該電 子裝置係爲行動電腦。 35. 如申請專利範圍第20項之電子裝置,其中該電 子裝置係爲頭戴式顯示器。 36. 如申請專利範圍第20項之電子裝置,其中該電 子裝置係爲電子書。 Φ 3 7 .如申請專利範圍第2 1項之電子裝置,其中該顯 示裝置係爲電激發光顯示裝置。 3 8 .如申請專利範圍第2 1項之電子裝置,其中該電 子裝置係爲投影機。 3 9 .如申請專利範圍第2 1項之電子裝置,其中該電 子裝置係爲蜂巢式電話。 4 0.如申請專利範圍第21項之電子裝置,其中該電 子裝置係爲視頻照相機。 -123- (13) (13) 21項之電子裝置,其中該電 21項之電子裝置,其中該電 21項之電子裝置,其中該電 22項之電子裝置,其中該顯
    22項之電子裝置,其中該電 22項之電子裝置,其中該電 22項之電子裝置,其中該電 22項之電子裝置,其中該電 22項之電子裝置,其中該電 22項之電子裝置,其中該電 1249905 4 1 .如申請專利範圍第 子裝置係爲行動電腦。 42. 如申請專利範圍第 子裝置係爲頭戴式顯不器。 43. 如申請專利範圍第 子裝置係爲電子書。 44. 如申請專利範圍第 示裝置係爲電激發光顯示裝置。 45·如申請專利範圍第 子裝置係爲投影機。 46·如申請專利範圍第 子裝置係爲蜂巢式電話。 47·如申請專利範圍第 子裝置係爲視頻照相機。 4 8 .如申請專利範圍第 子裝置係爲行動電腦。 49.如申請專利範圍第 子裝置係爲頭戴式顯示器。 5 0·如申請專利範圍第 子裝置係爲電子書。 5 1. —種數位/類比轉換器電路,包含: 多數個電容器; 連接至該多數個電容器之輸出端; 連接至該輸出端之負載電容器; -124- (14) 1249905 經過一重設開關而連接至該輸出端的一偏移電源; 一第一電壓源以及一第二電壓源; 個別連接至該多數個電容器之多數個開關’以將第一 與第二電壓源中之一個選擇性連接至對應電容器。 52. 一種包含數位/類比轉換電路之顯示裝置’該數 位/類比轉換器電路,包含: 多數個電容器; • 連接至該多數個電容器之輸出端; φ 連接至該輸出端之負載電容器; 經過一重設開關而連接至該輸出端的一偏移電源; 一第一電壓源以及一第二電壓源; 個別連接至該多數個電容器之多數個開關’以將第一 與第二電壓源中之一個選擇性連接至對應電容器。 53. —種包含數位/類比轉換器電路之電子裝置’包 含: _ 多數個電容器; _ 連接至該多數個電容器之輸出端; 連接至該輸出端之負載電容器; 經過一重設開關而連接至該輸出端的一偏移電源; 一第一電壓源以及一第二電壓源; 個別連接至該多數個電容器之多數個開關’以將第一 與第二電壓源中之一個選擇性連接至對應電容器。 5 4. —種數位/類比轉換器電路,包含: η個電容器,其中第i個電容器具有2〃 之電容量’ -125- (15) 1249905 其中i係爲自然數而C係爲固定數; 連接至該η個電容器之輸出端; 連接至該輸出端之負載電容器; 經過一重設開關而連接至該輸出端的一偏移電源; 一第一電壓源以及一第二電壓源; 個別連接至該η個電容器之η個開關,以將第一與第 二電壓源中之一個選擇性連接至對應之η個電容器。 «
    -126-
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