TWI244872B - Controlling the thickness of an organic layer in an organic light-emitting device - Google Patents

Description

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五、發明説明（1 ) 機發光元 本發明大體上係關於以物理氣相沉積法製造有 件時有機層形成之監控。 有機發光元件亦稱為有機電發光元件，可介由在第一及 第二電極間插入兩層或更多的有機層來構成。 於傳統被動基材有機發光元件構造中，是利用多個如鋼 錫氧化物（1丁0)陽極以橫向隔開的導光陽極，形成於諸如 玻璃基板的導光基材上當作第_電極。然後在典型保持在 >1於1 0 #6 0¾降壓A巾’使來自於於個別源的個別有機材 料，利用氣相沉積連續形成二層或更多的有機層。於最上 層的有機層上沉積多個橫向隔開陰極當作第二電極。陰極 是以某一角度的方位下相對於陽極，典型是以直角。 此等傳統被動基材有機發光元件，其操作是在個別的列 (陰極）< 間及後續在每一行（陽極）施加一個電位（亦被稱 為驅動電壓）。當陰極相對於陽極經負偏壓時，光可由陰 極及陽極重®區域所所包圍相素發射，而發射光通過該陽 極及基板達於觀察者。 於王動基材有機發光元件中，是由相連在個別導光部分 的薄膜電晶體（TFTs)處提供一排的陽極當作第一電極。 後續以大致上相當於構成前述被動基材裝置所採方式之氣 相沉積法形成二層或更多的有機層。於最上層有機層上沉 積一共同陰極以作為第二電極。主動基材有機發光元件之 建構及功能係描述在美國專利案US-A-5,550,066號中，該 揭示以引用方式併入於本文中。 建構有機發光元件時可用的有機材料、氣相沉積有機層 -4- :297公釐） 1244872 A7 ---- - B7 五、發明説明（2 ) 厚度、及層組態’描述於例如美國專利案U^A — 4,356 429 ’ US-A-4,539,507 ; US-A-4,720,432 及 US-A-4,769,292 號中 ，孩等揭示以引用方式併入於本文中。 為能提供實質上無缺陷的有機發光元件，也就是沒有無 法發光的暗缺陷或者是會發射強光的亮缺陷，裝置有機層 的形成必須監控。此藉取自一個源的有機材料昇華或蒸發 以控制有機層之氣相沉積，典型是經由使監視裝置設置於 相同的氣相沉積區域内來完成，其中於該區域内將有機層 塗佈在基板或結構上。此監視裝置能依序提供回應當有機 層形成在監視裝置上時所採用某一速率下的電訊號，因此 其與使有機層形成在基板或結構上時所採用的速率有關， 而該基板或結構將能提供有機發光元件。此監視裝置之電 訊號會被處理及/或放大並用以控制氣相沉積速率，而形 成在裝置基板或結構上的有機層厚度乃藉由調整如源加熱 器之蒸氣源溫度控制元件來控制。 已為吾人所熟知之監視裝置即所謂的晶體質量感測器裝 置，其中監視器為具有兩個相對電極的石英晶體。此晶體 為提供於沉積速率監視器内振盪器電路的一部分。在可接 受的範圍内，該振盪器電路之振盪頻率，約與晶體表面上 以一層或多層材料沉積在此晶體上時所引起的質量負載成 反比。當超過晶體所容許之質量負載範圍時，例如堆積過 多數目的沉積層，振盪器電路不再能可靠地運作，而這使 得以新式的晶體質量感測器取代過載晶體成為是必要的。 這種取代依序需間斷的氣相沉積過程。 -5- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)

1244872 A7 B7 五、發明説明（3 ) 此外，當使特定有機層沉積至晶體質量感測器元件時， 於塗覆厚度堆疊約500-2,000毫微米（nm)後，此等層有自 質量感測器表面開始龜裂及剝落的傾向。當厚度遠低於前 述質量負載極限時，這會造成晶體質量感測器的塗覆速率 測量能力不精確。 經致力研發後，因為沉積層過大的質量負載或龜裂及剝 落而晶體質量感測器必須被取代之前，典型能製備數種有 機發光元件。在這樣的努力下並未使問題解決，因為若以 其它考量時則必須打開沉積室以手動方式更換基板或結 構、重新補充相當少量蒸氣源之有機材料和類似情形，且 氣相沉積常須中斷。 然而，於製造環境中用以重覆製造相當大量有機發光元 件之設計、取代過載晶體質量感測器或具有龜裂或剝落之 有機層之晶體質量感測器，這將造成嚴格的限制，因為， 製造系統是以各方面組合而成’以供應能於大量的裝置結 構上製作所有有機層的容量，而的確其能製造經完全密封 的有機發光元件。 因此，本發明之一目的在於使經蒸發或昇華之有機層能 有效地沉積至一個結構上，該結構形成有機發光元件的一 部分。 此目的係藉能使經蒸發或昇華之有機層沉積至一個結構的 裝置達成，該結構將提供有機發光元件的一部分：其包括·· a ) —個包圍一室的外殼，及一個連於該室以降低其中 之壓力的幫浦； -6 - 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 1244872 五、發明説明（4 Μ 一個源，用以接受欲蒸發或昇華之有機材料，及連 於此源的構件（meanS)，用於調整其溫度以㈣，有機材 料蒸發或昇華之速率； C) 一個用以配置結構之構件，以使該結構在沉積區中 能與該源隔開設置； d) -個移動組件(member)，#沿一移動路徑远過多個 位置； 〇於第-位置中之該移動組件，其有—部分是位在沉 積區中，以能在有機材料係沉積至結構上之同時受 有機材料； f) 一個於第二位置中之第一感光構件，其相對於移動 組件係配置於沉積區外，以感測沉積在移動組件部分上有 機材料之厚度； I β I$ ,g )㈣連於第—感光構件之電構件，其回應由第一感 光構件所感測之有機材料厚度； /)、-個用以調整溫控構件之構件，以控制沉積速率及 开> 成於結構上之有機層厚度；及 :1 : -個配置於沿組件移動路徑越過第一感光構件之第 T位置中（清潔構件，以移去全部或部分沉積在組件部分 的有機材料’以使此部分可再利用於沉積區中。 圖1為具有元件(e丨ement)部分被剝離之被動基材有機發 "元件（OLED )透视示意圖以顯示出不同的層； 個^於製造相當大量有機發光幻* (〇LED)及具有多 個自軸心沿伸之機臺之製造系統透視示意圖； 本紙張尺度適财國g *標準(CNS) Μ規格(㈣㈣7公爱） 1244872 A7 --- - B7 五、發明説明（5 ) 圖3為含相當大量基板或結構之載體剖面示意圖，並置 於圖2系統之負載機臺中，如圖2中線段3 _ 3所指； 圖4為用於圖2系統中之結構上形成氣相沉積有機發光 層（LEL )之氣相>;L積機臺剖面示意圖，如圖2中線段心4所 指，及於沉積區中包括先前技藝之晶體質量感測器； 圖5大意不出圖4之感測器，其在以數目N層形式之有機 發光材料的一個表面上形成相當高的質量負載，其中，此 先則技藝感測器之質量負載將會造成經合併後之沉積速率 監視器在讀取沉積速率時不考靠或無法運作； 圖6大意不出根據本發明其中一個具體實施例配置於圖 2 L E L沉積機台内之轉盤組合物，其中圓盤有一部分係 接受沉積區中的有機發光材料，然後於沉積區外依序旋轉 圓盤，以使此部分返入沉積區前能移入一個或更多的光學 感測位置内及清潔位置内； 圖6Α及6Β大忍示出圖$外殼部分之剖面圖，其示出轉 盤及光纖管之明顯特徵，根據本發明之特點，其中·· 圖6Α示出一不透光圓盤，其包括一反射前表面、及光 纖管（用來決定形成在前表面一部分上有機發光材料之發 光效能）；及 圖6Β示出一透光圓盤，其以光透過轉盤而容許形成於 轉盤部分上之有機材料厚度之光學偵測； 圖7A-7D為圖6轉盤之示意平面圖，其中沉積區、感 光、及清潔位置沿該轉盤移動旋轉路徑指出，其中： 圖7Ατπ出經由一擋閘（shutter)中口徑於沉積區中有機發 1244872

光村科第一次的沉積，其在第一次時隔打開； 圖7 β示出沉積區外的第一次沉積旋轉入一位置以光學 決定第一次沉積之厚度，其擋閘乃繪於封閉位置内； 么圖7C示出旋轉入用以光學決定發光材料冷光或螢光效 把之某個位置的第一次沉積，隨著藉由擋閘口徑於有機發 材料第_次沉積提供至沉積區，該擋閘口徑係於第二次 時隔時打開；及 圖7D示出用以移去有機材料及旋轉入清潔位置的第一 人况積’於該位置的第二次沉積乃用於光學厚度的決定； 圖8為圖6外殼之部分剖面圖，其中該圓盤組合物是以 根據本發明第二具體實施例之帶狀組合物取代，其中藉由 V狀物以移去有機材料係由加熱滾輪提供，而此帶前進進 入 >儿積區内以前即被急冷滾輪冷卻； 圖9為圖6外殼之部分剖面圖，其中根據本發明實施於 轉盤表面上之轉盤具有照射吸收層，其藉由照射閃光強化 有機材料的移除； 圖1〇為圖6外殼之部分剖面圖，其中自帶使有機材料的 移除係由根據本發明之加熱燈所提供； 圖1 1為圖6外殼之部分剖面圖，根據本發明之一方面， 其中轉盤組合物包括-個連續轉盤而清潔照射係通過外殼 中的一個視窗並經由一個鏡面指向該轉盤； 圖12A-12C為圖Η轉盤之平面示意圖，其於沉積區中之 孔徑上連續轉動並通過光學感測位置及清潔位置，其中； 圖12Απτ出在孔徑上作一次旋轉的期間沉積於轉盤上之

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有機發光材科環形帶，且在清潔位置並未啟動清潔；及 • 二出'儿積在轉盤上接著在孔徑上作第二次旋轉之 有機發光材料環形帶，且在清潔位置並未啟動清潔；及 圖1 2 C不出沉積在轉盤上接著在孔徑上作第η次旋轉之 、機發光材料、形帶，其相當於完成後的有機發光層厚 度，而有機材料自轉盤的移去此時則於清潔位置中啟動， 此時； 曰圖13為圖6外殼之部分剖面圖，其中圖11之轉盤組合物 疋以直角觀視，以示出沿轉盤轉動方向使光纖管（與光層 厚度偵’則器結合）接近遮蔽孔徑配置的一個範例； 圖1 4為圖夏i外殼之部分剖面圖，根據本發明之一方 面，其中在遮蔽水平部分中的多孔徑提供多個形成於連續 轉盤上的環形帶有機發光沉積物，用於測量厚度而與各環 形帶結合之光纖管，係提供氣相沉積速率至修改後之光層 厚度偵測器； 胃 圖15為圖14轉盤之平面示意圖，其示出水平遮蔽部分 中之多孔佐、結合光纖管、勞光測量位置及清潔位置； 圖1 6大意示出通過孔徑同時氣相沉積至不同厚度的三 個有機發光材料環形帶；及 圖1 7示出圖2 LEL沉積機之剖面示意圖，根據本發明之 一方面，其中經攙雜之有機發光層係由一可控制的主材料 源及一可控制的攙雜物材料源，藉氣相共沉積形成在一個 結構及一個轉盤上，而其中的螢光發射偵測器是被用來測 量及控制有機發光層中攙雜物的濃度。 丨 -10- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐)

1244872 A7 B7 五、發明説明（8 ) 因OLED層厚度尺寸通常是在次微米範圍内，這些圖式 必然只是示意性的，而代表側面裝置尺寸之特徵尺寸可在 50-500毫米的範圍内。因此，此等圖式比例僅為能易於觀 視而非為了尺寸的精確性。 ’’基板”一詞意指具有多個橫向隔開的第一電極（陽極）完 成於其上之透光支架，此基板為被動基材〇LED的前驅體 (precursor )。”結構” 一詞係用於描述一但接收一部分氣相 沉積有機層的基板，並意指主動基材陣列以和被動基材前 驅體加以區分。 看到圖1，其示出具有元件（element)部分被剥落之被動 基材有機發光元件（0LED) 10之透視示意圖，以顯示出不 同的層。 在透光基板11上形成多個橫向隔開的第一電極12(亦稱 為陽極）。藉由物理氣相沉積法依序形成有機電洞傳遞層 (HTL) 13、有機發光層（LEL) 14、及有機電子傳遞層（ETL) 15’將於本文後中對其詳加說明。在有機電子傳遞層I; 上形成多個橫向隔開之第二電極i 6 (亦稱為陰極），而其 方向實質上垂直第一電極丨2。封裝或外覆丨8封住此結構 對環境敏感的部分，因此可提供完整的〇LED丨〇。 看到圖2，其示出製造系統1 〇 〇之透視示意圖，其適於 由暫存中樞（buffer hub) 102及輸送中樞（transferhub) 1〇4 延伸而出的多個機臺，利用自動化或機械手臂裝置（未示 出）傳遞或輸送基板或結構，以製造相對大量的有機發光 兀件。於中樞1〇2、1〇4内並在由此等中樞延伸出之各機臺 -11 - 本紙張尺度適用巾a g家標準(CNS) A4規格(⑽χ撕公爱) 1244872

發明説明

内’經由抽氣阜107真空幫浦1〇6係能提供減壓。壓力計 1 0 8於系統！ 〇 〇内指示減壓。壓力可於約自i d至1 〇 6托 的範圍内。 機至包括用於提供基板或結構裝載之裝載機丨1〇、用於 形成有機電洞傳遞層（HTL)之氣相沉積機丨3〇、用於形成 有機發光層（LEL )之氣相沉積機14〇、用於形成有機電子

傳遞層（ETL)之氣相沉積機〗5 〇、用於形成多個第二電極 (陰極）之氣相沉積機丨6 〇、用於使結構自暫存中樞丨〇 2輸 迗至輸送中樞1 〇 4之卸載機丨〇 3 ,其依序提供儲存機i 7 〇 及、，二由連接器阜丨05連接至中樞1〇4之封裝機18〇。這些 裝 機臺各具有分別延伸入中樞102及1〇4的一個開阜，並^ 各機臺具有真空封裝的存取阜（未示出），提供機臺接近以 進仃清潔、再補充材料、及更換或修理零件。各機臺包括 圍住室的一個外殼。 訂

線 圖3為裝載機i丨〇之剖面示意圖，其沿圖2線段3 3截 2。此裝載機no具有一個外殼110H，其包圍室n〇c。此 =配置有—載體111 ’其設計承載多個具有已完成第一 212(見圖υ的多個基板n。可提供替代載體⑴以支 牙個王動基材結構。亦可於卸載機丨03及儲存機丨7〇中 提供載體1 1 1。 看到圖4，其示出LEL氣相沉積機14〇沿圖2線段4-4所 剖面示意圖。外殼麵包圍室14叱。結構n被固 U:L41中，胃支架可構成罩幕框。此罩幕框相對於 。#徵尺寸能以-個方向關係、支標圖樣罩幕，因此 -12-

1244872 ::成有機發光層圖樣，而這可能是在多色有機發光層元 件中須要的。此處所繪出之結構包括基板"、第一電極 12、^圖1裝置之有機電洞傳遞層。，層13是提供在圖2 足機堂130中。源144置於熱絕緣支架142上，源被 填无有機發光材料14a以補充至水平Mb。源Μ#以加熱 兀件145加熱，該加熱元件經由導線245及η?連接至相 當於電源240之輸出接點244及246。 當使源溫度提昇至夠高時，有機發光材料丨43將會获發 或昇華，因此能提供有機發光材料的氣相沉積區Mv，'其 以虛線及箭號大意指出。 結構1 1及傳統晶體質量感測器2 〇 〇係置於沉積區内，而 此％兀件各具有形成於其上的有機發光層，其如示於虛線 輪廓之命名1 4f所指示。 如同此項技藝中已為吾人所熟知者，晶體質量感測器 2 0 0疋經由導線2 1 〇連接至沉積速率監視器2 2 〇的輸出接 點216。感測器2 00是提供在監視器22〇中陣盪電路的_ 部分，而該電路在約與晶體質量負載成反比的頻率下振 盈，諸如1 4 f層形成時所提供之質量負載。監視器2 2 〇包 括差動電路（differentiating circuit )，其產生與質量負載 之速率成正比的訊號，也就是與丨4 f層的沉積速率成正 比。此訊號由沉積速率監視器22〇指示，並提供在其輸出 接點2 2 2處。導線2 2 4使此訊號連至控制器或放大器2 3 〇 的輸入接點2 2 6，該控制器或放大器2 3 〇在輸出接點2 3 2 處提供一輸出訊號。後者的輸出訊號經由導線234及輸入 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 1244872 五、發明説明（ 11 ) A7 B7

接點236成為輸入至主電源240的輸入訊號。 因此，若氣相沉積區1 4 v内的蒸氣流是暫穩的，則工竹 層的質量堆積或成長將在一定的速率下進行。速率監視器 22 0將在輸出接點222處提供固定訊號，而主電源24〇二 由導線24 5及24 7將能提供固定電流至源極144之加熱元 件1 4 5，因此沉積區内之蒸氣流可維持暫穩。在穩定的氣 相沉積條件下，也就是在固定沉積速率的條件下，所需有 機發光層14(見圖1)最終厚度於固定的沉積期間内完成於 結構及晶體質量感測器2 〇 〇上，在該時間氣相沉積是藉源 極1 44加熱的停止或藉在源極上配置一個檔板（未示出來 終止。 雖圖4所示相當簡要之源極丨4 4是為了圖解的目的，吾 人應了解尚有許多其它源極組態能被有效地使用在沉積區 内，以提供經蒸發或昇華的有機材料蒸氣。 圖5大意示出圖4之晶體質量感測器2〇〇，目前具有以數 目N層形式之有機發光材料1 4相當高的質量負載。在此相 當高的質量負載（因為依序累積沉積層而成的N層基板或 結構接收有機發光層14)下，沉積速率監視器22〇可能會 成為無效或在讀取沉積速率時不可靠。因為在低於相當於 N層連續層厚度的厚度下，沉積於感測器上的部分有機材 料會龜裂、剥落或剥落，監視器220亦有可能成為不可靠。 看到圖6，圖2之氣相沉積機1 4 0是以剖面圖表示，其包 括外殼140H，該外殼包圍室140C。源極144、有機發光材 料灸氣之氣相沉積區14v、固定於支架或圖框罩幕中 -14-

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之結構1 1 ’相當於圖4機臺1 4 0之相似零件。 可移動轉盤組合物400包括轉盤420、連於該轉盤且經 由封口 427可旋轉被配置於外殼14〇η中的承軸421、及 連至承軸421用於使轉盤420旋轉通過數個旋轉各個位置 的迴轉器425。此處所繪迴轉器42 5是以手動迴轉器方式 表示，僅為f圖解說明的目地。應可理解迴轉器425可為 例如指示步進馬達（indexed stepper motor)。 圓盤42 0延伸入有機發光材料蒸器的沉積區14v中。遮 蔽42 9係遮蔽圓盤其它部分及感光和光學清除構件，其自 沉積區1 4 v沿著此等其它部分配置。隨著】4f層形成在結 構11上的同時，也就是先前已在圖2機臺13〇 (htL)中 經氣相沉積在基板1 1及第一電極！ 2 (見圖丨）上之有機電洞 傳遞層1 3上，繪於打開位置的擔閘4 2 2，容許！ 4 f層形成 於鄰近配置在打開擋閘4 2 2之轉盤4 2 0的一部分上。本文 及圖7A-7B、8、9、及1〇中所示擋閘422是以具有兩個元 件（為使這些圖式能清楚並未個別證明）的方式顯示。應能 理解可設計各式其它擋閘與本發明裝置結合以做有效的運用。 圓盤4 2 0是以熱及結構為穩定的材料構成。較佳材料包 括玻璃、石英、陶瓷、碎、及金屬。 感光元件及用以自圓盤42〇移去全部或部分有機材料之 光學清潔構件，現將以有關圓盤42〇表面之功能的方式來 敘述，該轉盤420接受有機層，例如形成於其上的有機發 光層1 4 f。這些沿著圓盤4 2 〇移動路徑之感測元件及清潔 構件位置；^思tf於圖7A-7D虛線輪廓中之圓盤4 2 〇平面圖 -15-

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五、發明説明（13 A7 B7 ---— 中’而14f層同時形成。圖7A-7D省略遮蔽42 9。虛線輪 廊係經過選定以能更清楚地顯示1 4 f層環形區域的移動。

裴 訂

光層厚度偵測器6 9 0包括擋閘模組（未示出），其具有連 於擋閘4 2 2用以選擇一個或數個時隔的電連接（未示出）， 於該時隔期間擋閘4 2 2由正常關閉位置被電啟動於打開位 置’並在結構11上形成14f層較佳的發光層14最終厚度 (見圖1)。若迴轉器42 5是指示馬達或步進馬達（未示 出）’則偵測器6 9 0亦能包括用於啟動圓盤4 2 〇旋轉的起 動電路（未示出）。圓盤旋轉開始後接著是前述的擋閘打開 時隔’並至一個位置其中光纖管6 92自感測器690使厚度 測量照射（由一部分的空心箭號指向圓盤4 2 0大意示出）導 至1 4 f層上’ 1 4 f層現在則是旋轉入沉積區1 4 v外的一個 位置。光層厚度偵測器690自14f層接受測量照射的反射 部分（由一部分的空心箭號指向偵測器6 9 0大意示出），可 將該照射調整至相當於丨4f層在擋閘打開時隔期間所完成 的厚度。例如，若擋閘42 2打開一段時隔Δίι，則14^層 沉積在轉盤420上（見圖7Α)。14f-l層之層厚決定位置是 以6 92命名標示於圖7B，其相當於圖6的光纖管6 92。 光層厚度偵測器6 90包括計算電路（未示出），其在擋閘 4 2 2打開條件的時隔△ t 1期間，由光學測得形成於轉盤 4 2 0上的有機發光材料丨層厚度計算其沉積速率。此 經計算後之沉積速率將訊號提供至偵測器6 9 〇的輸出接點 6 9 4處，並被提供至控制器或放大器6 3 0的輸入接點 6 2 6，以在其輸出接點6 3 2處提供控制訊號，該訊號經由 -16-

1244872 A7 B7 五、發明説明（14 ) 導線6 3 4施至主電源6 4 0的輸入接點6 3 6。此主電源辦由 輸出接點644及646及其個別導線645及647，依序提供 電流至源極1 4 4之加熱元件1 4 5，因此在虛線1 4 v界定之 沉積區中，相對光層厚度偵測器6 9 0所提供經計算之沉積 速率，蒸氣流束係能受到控制。 能使光層厚度偵測器6 9 0建造成干涉儀，其容許撰擇厚 度測量照射波長或光譜波長。另一選擇為可將光層厚度偵 測器6 9 0建造為分光光度儀，其可在反射比模式下操作。 隨後使園盤420旋轉入第三個位置，因此^厂丨層實質上 是被配置在一對光纖管5 9 2及5 9 6上。同時，可將^問 4 2 2再次啟動於打開位置一段時隔△“，如圖7C所示，以 在圓盤420不同部分上提供氣相沉積層14f_2，其中# 比Δί!短或長的選定間隔。 許多金屬螯合物類（諸如鋁螯合物材料）之有機發光材 料’能藉經適當選擇激發波長的激發而發出冷光或勞光以 製造有機發光元件，為熟習此技藝者所熟知。例如，若有 -部分形成的有機發光層丨4f-l(或购)是藉由近紫：線 或藍光的活化照射發光’則此層可於藍·綠光譜區發射出 勞光。若此層另含有分子散佈的有機攙雜物則能使發光 色凋或色彩偏移至較長的波長範圍，例如，在螢光的激笋 下會偏移至發射撥色光或紅色光。 ％ 王材料的攙雜物濃 或色彩並能提供色 典型上自0·2·2·0摩爾百分比有機發光 度範圍内時，不僅能有效偏移發光色調 調偏移後發光的最佳光度。 -17-

1244872 A7 __ _ _ B7 ____ 五、發明説明（15 ) 當利用單獨源使經攙雜的有機發光層氣相沉積至一個結 構時，例如圖6之單獨源1 4 4，則於此源中之有機發光材 料14a含預攙雜之有機發光材料會較佳。 以含發光有機主材料之控制源及另一個含有機攙雜物材 料之控制源，經攙雜之有機發光層共沉積至一個結構之氣 相沉積將參考圖1 7描述。 為提供部分形成之有機發光層（如14f-l及14f-2，或整體 而言形成之14f層）之冷光或螢光效能在測量時至少是定 性的，在圖7 C中所示轉盤4 2 0位置，螢光激發源5 9 0經由 光纖管5 9 2使螢光激發光導至有機發光層14f-1上。 第二光纖管5 96由14f-l層（或14f-2層）發出的光作為冷 光或螢光，並使此發光提供至螢光發射偵測器5 9 4，該偵 測器可含具有適當光纖之光電倍增管或半導體光偵測器、 配有適善光偵測器之掃描式分光儀、或具有線性或區域性 CCD或CMOS電子偵測器之光譜儀以分出發射光。另一替 代方案為可利用分叉光纖束使螢光激發光導至有機發光層 及螢光自該層發射。於圖6中所示範例，螢光發射於反射 比模式下被偵測到，也就是激發光路徑及發射光路徑的引 導是相反的。當圓盤4 2 0是以可被紫外線及可見光透過的 材料構成時，則可將第二光纖管置於圓盤與激發路徑的相 對側’而螢光發射偵測是在所謂的穿透模式下進行的。其 它激發及發射光路徑的幾合配置之可能性為熟習此項技藝 者所熟知，及在特定條件下能對其使用提供優點。 螢光或冷光訊號所能提供的不只是特殊薄膜發光效能的 18- 1244872 A7 B7 五、發明説明（16 定性測量。使用螢光發射訊號強度以容許測量各式薄膜層 厚度的方法係被揭示（見EP1036828 A1及含於該文之參考 文獻’或 De Freitas 及其他人，Proc. SPIE_Int Soc. Opt. Eng (2000)，4076, p.152-161)。 可將螢光激發源5 9 0及螢光發射偵測器5 9 4併入於一個 別儀器中’稱之為光譜榮光儀（Spectrofluorimeter )。 隨後使圓盤420旋轉入一個清潔位置，其中藉由使適當 強度的閃光照射經由光導4 9 2朝向來自於清潔閃光單元 4 9 0的層，使全部或部分的i4f-l (或14f-2)層自圓盤移 去，如圖7D中大略所示。此使有機材料自圓盤420的清 潔或移去，可藉實質方法相當於在氣相沉積區1 4 v中自源 144昇華或蒸發有機材料以形成有機蒸氣的昇華或蒸發以 達到效果。因此，使有機材料自圓盤移去可提供能再利用 的轉盤。 應能理解光導492是經由真空密封饋飼口（未示出）連結 通過外殼140H。類似地，所有電導線是經由對應的電饋 飼口通過外殼140H進入或退出140C室。該饋飼口元件係 熟知於真空系統科技之技藝中。 光導4 9 2可為光纖纜線，其以能使清潔閃光單元4 9 0提 供的光透過之材料構成。或者，光導492能以空心或管狀 透光元件構成。 有機發光材料氣相沉積之順序，諸如14-1及14-2部分層 及後續部分層、層厚測量及與主電源6 4 0相關之控制以計 算沉積速率、有機層螢光或冷光效能之決定、及使有機材 -19- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)

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料部分或完全自轉盤4 2 0移去，於有機發光層氣相沉積在 f構11上期間視需要可經常重覆，直到層14(見圖丨）達到 最^厚度為止。隨後藉著如關閉配置於源1 4 4上的擔閘使 氣相沉積持續，且一但在新的結構被置入於14〇c室中時 再繼續，接著移去完成後的結構。 有機層的最終厚度，例如有機發光層i 4 (見圖丨）具有自 2 0至200 nm較佳範圍内的層厚。為能藉由物理氣相沉積 以提供均勾的有機層（也就是沒有所謂的暗缺陷或亮缺陷 的層’该等缺陷於運作的裝置中隨時可見），每秒自1至^ 〇 nm之較佳範圍内為佳。因此，若有機發光層“的最終層 厚選足為100 nm，則該厚度可在控制2 5 nm/秒之等沉積 速率下藉蒸發或昇華於4 〇秒内完成。在此4 〇秒沉積時間 ’、月間圓盤4 2 0可能會接受數個有機沉積物並被旋轉通過 個別的光學感測位置及清潔位置數次，故在有機層於結構 上形成最終選擇厚度期間，可控制或調整數次來自於源 1 4 4的氣相沉積。 圖6A為圖6外殼14〇H之部分剖面圖。所示轉盤* 2〇是一 個不透光圓盤，例如陶瓷圓盤、金屬圓盤、或矽晶圓圓 盤。第一表面420-1 (前表面）是經磨光、可光學反射的表 面較佳’以&供开）成在此第一表面上之有機發光層可 靠的光層厚度偵測及可靠的螢光效能測量。 所示光纖管592A具有一個彎角上部，以在相對轉盤表面 420-1為斜角時使螢光激發光集中至14f層（當旋轉入螢光 測量邵分-見圖7 C )。類似地，所示光纖管596A具有一彎 •20-

1244872 A7 B7 五、發明説明（18 ) 角上部以接受發射自14f層的螢光。光纖管592八及596八 的彎角上部以直角形成較佳。 光導4 9 2、光纖管6 9 2、及擋閘4 2 2係參考圖6來說明。 圖6B為圖6外殼140H之部分剖面圖。此處所示圓盤4 2 〇 為透光圓盤，例如玻璃圓盤或石英圓盤。此圓盤的透光性 於穿透模式下容許光層厚度之偵測，藉來自光層厚度偵測 器6 9 0的厚度測量照射，經輸入光纖管692· 1導向第一轉 盤表面420-1。此和有機層14f吸收或散射有關的照射，一 部分穿透圓盤至第二圓盤表面42〇·2並連至輸出光纖管 692·2以傳遞至厚度偵測器690。 光層厚度偵測器經調整，以於形成在轉盤上（及在圖6之 結構1 1上）經選定的有機層厚度範圍内提供精確的厚度 值。此等凋整是用在指定用於測量有機沉積物在反射轉盤 上厚度的儀器，並用在指定用於測量有機沉積物在穿透轉 盤上厚度的儀器。此等儀器各能提供輸出訊號，其可被處 理成相當於轉盤4 2 0上經測量後的有機材料沉積速率，而 該沉積速率經控制器63 〇用於控制來自源丨44有機材料的 為發或昇華，該控制器控制主電源6 4 〇 (見圖6 )。 看到圖8 ’其不出圖6機臺Μ〇外殼14〇Η之部分剖面 圖，根據本發明，其中圓盤組合物4 〇 〇於可再利用組合物 之第二具體實施例中已被帶狀組合物7 〇 〇取代。 氣相沉積區1 4 V、光纖管6 9 2及相關之光層厚度偵測器 690及控制器630、及光纖管592及596，相當於圖6中之 類似構件並能提供前述功能。遮蔽7 2 9及擋閘7 2 2在目地 -21 - 本紙張尺度適用中國國家標準((：]^3) Α4規格(210X297公釐) 五、發明説明（19 ) 及功能相當於圖6的遮蔽4 2 QJm <蚁4 i 9及擋間4 2 2。因此，此箬斜 應構件或功能無須參考圖8詳加說明。 、 咿狀組合物7 0 0含有_個土卓錶鹊 1U運躓f 7 2 0，其較佳是以例 不銹鋼箔片金屬組成。罄7 9 η衫山土、 疋乂則如 2 0，.&由啟動連於帶狀驅動 794之馬達或步進馬達來 ㈣ 、 术移動此馬達或步進馬達辦由☆ 連接（未示出）至含於光層厚度偵'測器69〇内的啟ς電: (未示出）啟動，該光層厚度偵測器亦能具有擋閉定=模 組’、用於可選擇使擋問7㈣本文中所述其正常下在關閉 的位置啟動至打開位置，如之前參考圖6所述。 帶狀組合物700另含有一空迴滾輪796、具加熱器792 j加熱清潔滾輪7 9 0、及一冷卻滾輪7 9 8。該等加熱清潔 滾輪7 9 0及冷卻滾輪7 9 8與帶7 2 〇表面相接觸其和帶表 面相對，有機發光材料的部分層1 4 f於擋閘7 2 2定時擋閘 開啟時隔間形成在於帶表面上。 帶狀組合物700提供實質上相當於圖6圓盤組合物4〇〇 功此之功能。接著於擋閘7 2 2定時打開時隔間於帶7 2 〇上 的部刀有機發光層1 4 f氣相沉積，隨後相對光纖管6 9 2、 及5 9 6及5 9 2配置此沉積物，其分別用於層厚度的光學偵 測及決足螢光發射效能。這些後續的配置藉由經帶驅動滾 輪794傳送帶720而達成。隨後使帶上14f層前進通過加 熱清潔滾輪7 9 0，以藉來自於滾輪7 9 〇的熱引發的昇華或 蒸發’移去來自帶全部或部分的有機層1 4 f。使該帶經此 方式清潔的部分前進通過急冷滾輪7 9 8，在此帶部分前進 入沉積區以接收其它定時氣相沉積層1 4 f以前，急冷滾輪 -22- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐） 1244872 A7 B7

係有助於使先前加熱的部分冷卻至所需溫度。 看到圖9，其示出圖6之圓盤組合物，其中圓盤包括 完成後的照射吸收層4 9 1。照射吸收層4 9 1能县 、 曰 牝疋照射吸收 碳層或其它照射吸收材料，藉著於清潔位置内經由光導 4 9 2朝有機層閃光照射，使全部或部分的有機層，例如 14f層，由轉盤移去時能有所加強。 ° 看到圖1 0，圖8帶狀組合物7 〇 〇之加熱清潔滾輪7 9 〇是 以2迴滾輪7 9 7取代，而有機層係自帶7 2 〇被部分或全部 移去’諸如部分形成的有機發光層，乃藉加熱燈793 提供，此燈經由反射器79 5使熱照射導至該帶。加熱燈 7 9 3能為熟知之石英加熱燈，藉由使電源施於此燈以形成 燈電源（未示出）配置在機臺i 4 〇外殼140H外面以使該加熱 燈啟動。 看到圖1 1 ’其示出圖6機臺1 4 0外殼14 0 Η之部分剖面 圖’其中圖6之圓盤組合物400已被轉盤組合物400r取 代。轉盤組合物400r包括連續轉盤420r，其於馬達速度控 制器425SC的控制之下經由馬達驅動軸421M由馬達425Μ 驅動。可調整速度控制器425SC以提供轉盤420r有較佳的 轉速。例如，可調整速度控制器以提供圓盤每分鐘三轉（3 rpm)。

所示圓盤4201*為具有第一表面420-1的不透光圓盤，該 表面為經磨光、反射的表面較佳。應可理解此圓盤420r能 為可透光圓盤，能以如諸如圖6B圓盤420所述相關之玻 璃或石英製成。光纖管592A、596A、及692為參考圖6A -23- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐） 1244872 A7

所述相同構件。 圖1 1組態之一明顯 啟動時能在圓盤42:=1為”清潔照射一 492L、外殼14〇H中之日^ '絮位置處經由一個透鏡或透鐘 潔照射(以虛線輪廊Π穿透出—、及鏡咖提供清 機以經由啟動電二大未略=。可調整清潔照射單元 〆硌（未不出）提供照射光束（例如，來自 田于源光束），岛達到所需有機發 動電路能被依序啟動w η θ Α ^ 圖6)的訊I 1來自光層厚度偵測器69〇(見 圖11組態另一明顯特徵為圓盤42〇r的連續轉動，會在 圓扭表面420·1 (見圖12Α·12(：)上形成有機發光材料的環形 帶uf⑴’其與參考_7A_7D所述定時擋閘打開時隔形成 ^分散沉積物成對比。此環形帶14f⑴的形成是藉由於遮 蔽429之水平延伸429h内提供孔徑429a，孔徑429a位於蒸 氣流1 4 V所包圍的沉積區中（見圖i 。 看到圖12A-12C，其示出轉盤42〇i•之平面圖。圓盤表面 420-1示出，並使用虛線輪廓指出遮蔽、孔徑、及感光位 置和清潔位置，以提供附圖清楚的視覺。 圖1 1構件於圖1 2 A中驗證，而其沿轉盤420γ轉動（以實 線箭號指示）之相對位置是以經沉積之有機發光材料環形 帶表示，以"1x14f(r)"來表示相當於先前的清潔轉盤通過 孔fe 429a —次，沉積物通過此孔徑形成於沉積區1 4 v中 (見圖1 1 )。 光纖管6 9 2沿轉盤420r之轉動方向被配置在與孔徑429a -24- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4规格(210 x 297公釐)

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線 1244872 A7 B7 五、發明説明（22 )

相鄰的位置，看到圖13時將詳述。光纖管692是被連至光 學厚度偵測器6 9 0 (見圖6 )，其提供沉積材料lxl4f(r)厚度 的監測。 光纖管592A及596A乃被用於決定沉積有機發光材料的 螢光效能，如先前參考圖6及6A所述。 清潔位置（經由來自圖1 1清潔照射單元49〇R之清潔照射） 是以鏡492M指示。然而，有機沉積物並未從圖1 2 A中之 圓盤420r被移去。 圖12B示出有機發光材料環形帶，其具有一較暗的陰 影’相當於圓盤·第一次通過孔徑429a上，因此能在圓般 42〇Γ上提供沉積物，在源丨44所提供的氣相沉積速率並未 改變下（見圖6 )，該轉盤具有圖1 2 A沉積物厚度兩倍的累 積厚度。因此，此形成於圖12B中之有機發光層係命名為 ，，2xl4f(r)，，。 若氣相沉積速率於圓盤420r連續旋轉時隔間大幅改變 (也就疋經由光纖管以光層厚度偵測器6 9 0測得），經測定 厚度的相應變化以適當控制的沉積速率其將可獲得補償， 藉由控制主電源6 4 0經控制器6 3 0回應此等測定厚度後的 變化，如參考圖6所述。若必要時，此等沉積速率控制能 相當迅速地發生，因厚度測量光纖管6 9 2是配置在孔徑 429a附近，而在偵測器6 9 0及控制器6 3 0中的訊號處理並 無暫時性的限制。回應於來自源1 4 4之改變蒸氣流之沉積 速率控制將視源設計的方面而定應可被理解，該源包括被 稱為”熱質量”的特徵。 -25- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐)

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線 1244872 A7 B7 五、發明説明（23 於圖1 2 C中，有機發光材料環形帶是以橫線條陰影表 不，相當於轉盤連續通過孔徑429a上n次，其中η於本文 圖12Α及12Β說明中為等於或大於3的一個數目。有機發 光層丨4被視作以所有層累積厚度形成，命名為 丨，nxl4f(r)’’。 經由光纖管692藉光層厚度偵測器69〇的測量，當達到 層1 4所須厚度時會發生數項事件·· (〇來自源144的氣相沉積會持續。藉關閉源上之擋閘 (圖中未示出）這有可能發生，或藉著使提供至源加熱元件 1 45 (見圖6 )的電源，降低至自源而來的有機發光材料 1 4 a蒸發或昇華無法再維持的水平； (H)圖6結構11是以機械手臂（圖中未示出）自機臺14〇 處移去並傳遞至另一機臺内，例如至圖2 〇led製造系統 之機臺1 5 0内； (in)有機發光材料層丨4環形帶之移去係經由啟動清潔 照射單元490R，以使清潔照射提供至鏡492M所指示之清 潔位置處的轉盤來進展；及 (iv)藉由上述的厚度監控，使新結構丨丨置於用以沉積 有機發光材料層14的機臺140内。 圖8之帶狀組合物7 0 0，而更特定者為圖1〇中所示組 態’能適於提供連續移動帶72 0，而擋閘72 2能以形成在 遮蔽7 2 9 —部分中的孔徑來代替，以提供性能實質上相當 於圖1 1轉盤組合物400r的配置。 看到圖13 ’為圖6外殼14〇H之部分剖面圖，包括圖u -26- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐) 1244872 A7 B7 五、發明説明（24 ) 之轉盤組合物420r，所呈現之遮蔽4 2 9為正視圖以指示相 ‘簡要的結構，其容許光纖管6 9 2尖端部分能被配置於鄰 近孔徑429a的位置上。光纖管692通過封口 692S (由遮蔽 遠側上的一個位置起，例如圖6、6 A、及1 1中所示）進入 遮蔽429。光纖管692於遮蔽429的水平延伸429h中通過 另一個封口 692S往上投射，因此管6 9 2的感應端部分是被 配置在蒸氣沉積區1 4 v之外及孔徑429a附近。因為光纖管 6 9 2具有一個保護外管，在沉積區中形成於管上的沉積物 1 4 f並不會影響形成在轉盤420r上的有機發光沉積物丨4f(r) 光學厚度監測效能。 圖14為圖11中所示外殼140H之部分剖面圖。類似數字 命名相當於類似部件或功能。例如，清潔照射單元4 9 〇 r、 轉盤組合物400r、及彎角光纖管592A及596A等於是參考 圖1 1所述的類似部件。因此，此處僅對與前述圖式相異 部件及其功能詳細說明。 遮蔽429水平部分429hm含有多個隔開的孔徑429al、 429a2、及429a4，有機發光材料蒸氣於蒸氣流丨4 v所包圍 的沉積區中通過這些孔徑。所示之三個孔徑僅為圖解說明 上的目地。本發明此方面於實施時須至少兩個隔開孔徑。 然而，亦能有利的使用多於三個隔開孔徑。 於遮蔽4 2 9水平部分429hm中提供多個孔徑的優點，可 藉看圖1 5及圖1 6及結合圖1 4而獲得較佳的理解。 圖15為第一圓盤表面420-1、及遮蔽429及其水平部分 429hm之平面示意圖，其中隔開孔徑429al、429a2、及 -27- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X297公釐)

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429a4形成，以使有機發光層14fi(r)、I4f2(r)、及I4f4⑴環 形帶與孔徑一致能同時分別形成在轉盤表面420r的圓盤表 面420-1上（見圖1 6 )。經由孔徑配置使有機發光層的環形 帶在圓盤4201*每次旋轉通過這些孔徑時，相對彼此具有故 定比例的厚度。例如，經由配置孔徑429a2，以提供具有 經孔徑429al形成之14fl(r)層厚度兩倍的有機發光層 14f2(r)。類似地，經由配置孔徑429a4，以提供具有經孔 仏429a2所形成-c 14f2(r)層厚度兩倍的有機發光層i4f4(r) 環形帶，或具有經孔徑429al所形成之丨4fl⑴層厚度的四 倍。此等厚度差相當於厚度比，圖16中以陰影程度不等 的環形帶14fl(r)、14f2(〇、14f4⑴概略指出。 遮蔽4 2 9水平部分429hm中之孔徑易於製造（例如以雷射 束加工），可提供0.2-0· 8毫米範圍内的寬度尺寸（在半徑方 向）及具有0.5-1.0毫米範圍内的間距應可被理解。 各個形成在圓盤表面420-1上之有機發光層環形帶是以 隔開關係配置，光纖管提供相當於各層厚度對光層厚度偵 測器690 m的光訊號。因此，光纖或光纖管692a 1可提供環 形帶層14fl(r)光學厚度之測量、光纖或光纖管692a2可提 供14f2⑴層光學厚度之測量、而光纖或光纖管692以可提 供環形帶層14f4(0光學厚度之測量。因為配置孔徑 429al、429a2、及429a4提供以環形帶形式形成之層的固定 厚度比，光層厚度偵測器内之比較器電路（未示出）係直接 由光學所測得的厚度計算氣相沉積速率。來自於偵測器 690 m之輸出訊號與經計算後之氣相沉積速率成正比，並 -28- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210 X 297公釐Γ — -------- 1244872 A7 —________ B7 五、發2〇 " - ~ 經控制器或放大器6 3 〇用於控制主電源6 4 〇 (見圖6 )。 圖1 4中所繪光纖管692al、692a2、及692a4是以三個單 獨管以達圖解說明之目地。應可理解可使許多光纖含於光 纖纜線中，使個別的光纖自光纖纜線分開並使相對於圓形 表面420-1上的環形帶適當地配置，並使相同的光纖於層 厚度偵測器690 m内分開。 圖17為圖2機臺140之剖面示意圖，其中來自控制主材 料源144h及來自控制攙雜物材料源所攙雜之有機發 光層又氣相共沉積，示於蒸氣流14hv(主蒸氣）及Mdv(攙 雜物蒸氣）所包圍的沉積區中。 圖1 7中具有相似數字命名之部件相當於參考圖6、6A、 及1 1所述相似邵件及其功能。例如，圖1 7之光層厚度偵 "、J器6 9 〇係參考圖6說明，而清潔照射單元49〇R係參考圖 1 1說明。因此，圖丨7之說明將著重在與本發明前述具體 實施例相異的特徵上。 使有機發光源材料14ha充滿於主要源i44h中，該有機發 光源材料藉主要源加熱元件145h加熱此源而由此源昇華或 激發’該加熱元件經由導線645h及647h依序接受來自主 電源640h的電力。主電源64〇h是以控制器或放大器630h 控制’以回應前述光層厚度偵測器而來的輸出訊號。 使有機攙雜物材料14da充滿於攙雜物源I44d中，該有機 後雜物材料藉攙雜物源加熱元件1 4 5 d加熱此源而由此源 昇華或蒸發，該加熱元件經由導線645d及647d依序接受 來自主電源640d的電力。主電源640d經由導線6 3 8以控制 -29 - 準(CNS) A4 規格(210 X 297公釐） 1244872 A7 B7 五、發明説明（27 ) 器或放大器630d控制，以回應來自螢光發射偵測器594dc 經由導線598所提供的輸出訊號。 圖17裝置之顯著特徵為： (i)螢光發射偵測器594dc經過調整，測量經遮蔽4 2 9 水平部分429h之孔徑429a而形成於轉盤42Or上經攙雜有機 發光沉積物層14f(r)内之攙雜物濃度。換句話說，螢光發 射偵測器594dc可分析（經由彎角光纖管596a)光譜區内之 螢光發射（由圓盤上之14f(r)層），可將其獨歸於攙雜物提 供的光色調或色彩。對應於發光層中之攙雜物濃度，可將 此攙雜物引發之螢光發射強度調整。 於有機主材料層之發光層中自〇 1-15摩爾百分比範圍内 之複雜物農度，能深刻地影響色調偏移及色調偏移螢光發 射之強度。因此，攙雜物濃度的光學偵測及控制為本發明 此具體實施例中的一個重要方面；及 (11)於上述攙雜物濃度範圍内時，攙雜物濃度對形成 在轉盤420r上經攙雜之有機層14f(r)(並以Mf層形成於結 構1 1上）厚度的影響相當地小。因此，光層厚度偵測器 6 9 0能測量形成於轉盤上的14f⑴層厚度及提供與厚度相 關的輸出訊號’以上述方法使用該輸出訊號以控制有機發 光王材料14ha由主要源〗44h昇華或蒸發。 來自於挽雜物的螢光發射一般將會顯現與主材料螢光不 同的時間比。除光譜差異之外，在時間區分技術的基礎上 利用v周節光源’這使得主及攙雜物之間的螢光能夠區分。 此等時間區分技術已為該等熟習此技藝者所熟知。

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裝 1244872 A7 B7 五、發明説明（29 ) 件被配置在沉積區外姑；ft $ ,, ^ ^ 卜越過罘—感光構件並在清潔構件箭 面，其中第二感光構件包括 傅件則 括的構件是用在使螢光激發照射 *中至八有沉積有機材料的部分上 ^ ^ , 材料接又螢光發射照射以決定此沉積右 機材料的螢光效能。 /、有 此t置其Α中清潔構件包括之構件係用在使清潔照射集中 至具有 >儿積有機材料的圓盤部分上。 此裝置其中清潔照射包括閃光照射。 此裝置另外包括完成在圓盤上的照射吸收層。 此裝置其中可移動組件包括一個移動帶，而當擔 ^可應用使此帶的-部分配置在棺閘中孔徑所包圍的沉& 此裝置其中移動帶係以金屬構成。 此裝置其中清潔構件包括與帶上表面相接觸之加 求輪，孩表面與具有接受有機材料的部分帶的表面相對 此裝置另外包括用於冷卻帶的構件，該帶所在 者移動路徑越過清潔構件位置並於沉積區中位置之前。& 此裝置其中用以冷卻之構件包括與帶在表面上相接觸之 急冷滾輪，該表面與加熱清潔滾輪接觸。 此，其中清潔構件包括一個加熱燈用以使熱照射集中 至 >儿積在帶上之有機材料部分上。 此裝置其中加熱燈包括—個反射器，此反射器被當作捕 集器使用’以搜集藉助清潔構件由帶部分移去的有機材料。 此裝置其中移動組件在位於沉積區中的部分自源接受有 32- 本紙張尺度適财S S家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公爱） 裝 訂 ---~__ 1244872

機材料’並以至少兩個隔開孔徑界定，該等孔徑沿移動構 件的移動路徑有不同的尺寸。 此裝置其中在第二位置中的第一感光構件，包括之感光 構件用於感測通過此等至少兩個之各隔開孔徑沉積於移動 構件部分上的有機材料厚度。 此裝置其中連至弟一感光構件之雷媒彳土 、 彳再1干又弘構件，係回應通過此 至少兩個之各孔徑沉積於移動構件上乏 W卞上又有機材料間的厚度 差，沿移動路徑該等孔徑係具有不同的尺寸。 此裝置其中螢光激發照射源係經過铜 W π 、調即，而用以接受螢 光發射照射之該構件包括用以區分時間的構件 -33- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規格(210 X 297公釐）

Claims (1)

1. A、申請專利範圍 ^448113 一種用以使經蒸發或昇華之有機層沉積至一結構之裝置 (apparatus)，該結構將作為有機發光元件（device)之部 分，包括： ) 個包圍一立的外设，及一個連於該室以降低其 中之壓力的幫浦； 、b ) —個源，用以接受欲蒸發或昇華之有機材料，及 連於此源的構件（means)，用於調整其溫度 材料蒸發或昇華之速率； ’機 -個用以配置結構之構件，以使該結構在沉積區 中把與孩源隔開設置； 裝 d) 一個移動組件(member)，並、、儿欲氣枚〆-艺 個位置； ；具/口一移動路徑通過多 二第—位置中之該移動組件，其有一部分是位在 受有機材料； 槓至，-構上《同時自源接 〇 一個於第二位置中之第一咸 動相杜技尤 感先構件，其相對於移 動、，且件係配置於沉積區外，以咸 上有機材料之厚度； 在移動組件部分 g) 個連於第一感光構件之雷; 感光構件所感測之有機材料厚度4件’其回應由第一 h) —個用以調整溫控構件 及形成於結構上之有機層厚度:件，以控制沉積速率 0 一個配置於沿組件移動路徑越μ g 區外第三位置中之清潔構件，以感光構件之沉積 王部或邵分沉積在組件 -34 本纸張尺度適财@ 準(CNS) Μ規格(2iq χ 2^^ κ、申請專利範圍 邵分上的有機材料，以使此部分可 2·如申請專利範圍第i項之 ，U儿知區中。 轉盤而位於沉積區中 ’、"力組件包含-信 .,^ γ的邵分是以一個孔徑界定。 丄如申請專利範圍第2項之裝 甘士 璃、石英、陶資、石夕、^ s、八中这轉盤以包括破 4 4 ^ ^ 或金屬之圓盤材質構成。 4·如申請專利範圍第2項之 # 至少一個、裝置，其中弟一感光構件包含 /個先纖管，以使照明集 之部分及自該有機材料接受此照明的=料 件中計算沉積區中經沉積之有機材料的厚度。⑫構 5·:申請專利範圍第丨項之裝置， 光構件，相對於移動纽杜斯$ + 。弟—及罘二感 清，様伴… 件配置在越過第-感光構件並在 區外，其中第二感光構件包含使螢 件’以三感光構件包含自有機材料接受螢光發射2 以决疋此經沉積有機材料之螢光效率之構件。Α ’田’ 請專利範圍第2項之裝置，其中清潔構件包含使清 ::新集中至具有經沉積有機材料之圓盤部分之構件。 之輕射吸收層。、…，其另包含完成於圓盤上 8·如申請專利範圍第！項之裝置’其中移動組件包各一個 =帶並適於使此帶一部分置於由一個孔徑界定之沉積 t …，卞〜，尸4啊J 其將作為有機發光元件之部分，包括·· 種用以沉積笋蒸發或昇華之有機層至一結構之裝置， 將作為右撼恭止一从上“. 9. 1244872

   a)—個包圍一室之外私 中之壓力的幫浦； 叹及一個連於該室以降低其 一個源，用以接受 連至該源調整其溫度以：：或昇華之有機材料，及 之構件； 二制有機材料蒸發或昇華之速率 c )—個用以配置結構、 中能與源隔開設置；。又、、且件，以使此結構在沉積 d) 一個可移動組件，仿皮、一 置内； 序沿著移動路徑移入多個 e ) 於第一'位置中夕令 在沉積F φ 〜可移動組件，其有一部分是 在/儿積ε巾，以於該有機材料^ 刀疋 邵分時間内接受來自於 -構上《至少- 、/原的有機材料； 0 一個第一感光構件，其舶斟从了々 沉積區外之第二位置中於可移動組件配置在 分上之有機材料厚度；〜測沉積在此可移動組件部 g ) 一個電構件，其係速$l仏 一感光構件所感測之有機材料厚度； 〜、由 =)-個調整溫控構件之構件，以控制沉積速率及 成於結構上之有機層厚度；及υ -個於第三位置之清潔構件，係沿此組件之移動 路控越過第一感光構件而配置於沉積區外，以移去全部 或邵分沉積在此組件部分上之有機材料，因此該部分可 在沉積區中再利用。 10.-種肢使㈣有機主材料之經蒸發或㈣層沉積至一 區 位 位 第 形 -36 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS) Α4規;^〇Χ297公爱） 1244872 A8 B8 C8 D8 、申請專利範圍 結構上《裝置’其將作為有機發光元件之-部分，#括. 二)-個包圍—室之外殼，及一個以降低其中之-壓力 的幫者， 個王要源’用以接受欲蒸發或昇華之有機主材 b) 料，及連至該主要源用：：：：：：…之有機主材 發或昇華之速率之構件；正、、以控制此主材料蒸 飞：個攙雜物源，當有機主材料蒸發或昇華的同時 物源之-個構件，用'料’及連至此攙雜 蒸發或昇華之速率；H皿度以控制有機攙雜材料 裝 d);個：置結構之構件，以使該結構在沉積 與主要源及攙雜物源隔開設置丨 、 b e ) 一個移動組件，、、儿我如朴" 訂 fβ移動路徑移動通過多個位置· f)於弟一位置中之該移動組件其有 置丄 沉積區中’以於該等有機主材料及有機攙雜材料;= # 心先構件，相對於移動組件係配冒/ >、 :區外之第二位置中，以感測沉積在 攙雜有機主材料厚度； n仟口Ρ刀上< h) 個連至第一感光構件之電摄杜甘 感光構件所感測之攙雜有機主材科厚度應由第一 1) 一個連於主要源用以調整π批二从、 制沉積速率及形成於紝構上 贼<構件，以控 从於μ構上<攙雜有 j)相對於移動構件被配置在、w ，㈢厚度， 在^%區外之第三位置之

   Ϊ244872 A8 B8 —C8 ^ -—___ D8 K、申請— ----一 :^及第二感光構件，其中第二感光構件包含使螢光激 Λ輻射集中至具有經沉積攙雜有機主材料之部分上之構 及第二感光構件包含自經攙雜有機主材料接受螢光 、射輻射之構件，該等螢光發射輻射係對應於含於有機 王材料中之有機攙雜材料濃度； k) 一個連至第三感光構件之電構件，其回應由第三感 光構件所感測之含於有機主材料中之有機攙雜材料濃度； 0 一個連於攙雜物源用以調整溫控構件之構件，以 ，控制攙雜材料之沉積速率及形成在結構上之攙雜有機主 材料層中之攙雜材料濃度；及 πι) —個於第四位置中之清潔構件，係沿該組件之移 動路徑配置於沉積區外，以移去全部或部分沉積在移動 組件部分上之有機材料，因此該部分可在沉積區中被再 利用。 -38- 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS) A4規格(210X 297公釐)