TWI242040B - Chemical-mechanical planarization using ozone - Google Patents
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Description
1242040 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明(1 ) 技術範圍 本發明係關於在積體電路製造中使表面化學機械式平 坦化之組成物及方法,更特定言之,係關於在化學機械式 平坦化中使用臭氧做爲氧化試劑。 相關技藝之說明 化學機械式平坦化(CMP )係一在積體電路製造期 間用來除去晶片上各種物質的方法,藉此可產生一相當平 坦表面,進而促進正確的圖案結構及隨後的塗層沉積。典 型之C Μ P方法係使用一旋轉之磨光墊與欲平坦之晶片接 觸,並在晶片和磨光墊之間導入合適之C Μ Ρ試劑以促成 物質之除去及平坦化。C Μ Ρ試劑典型地包括一含有磨料 粒子及各種氧化劑之磨料淤漿。用於C Μ Ρ之磨料粒子包 括氧化銘、二氧化砂、尖晶石、二氧化二鈽,及氧化锆。 c Μ Ρ方法的應用領域已延伸至各種物質,包括金屬 類。此一應用面的擴伸已激勵了對新穎氧化劑持續不斷的 硏究,期使金屬之C Μ Ρ方法更有效益。氧化劑如過氧化 氫、氰鐵酸鉀、高碘酸、烴胺及其鹽、及其他氧化劑都是 從迫些持續的硏究中產生,目前也普遍用於金屬的CMP 方法中。然而,這些氧化劑都有些缺點,尤其特別地是廢 股流如離子性廢股流的產生,其必須被處理並從c Μ Ρ方 法之區域中除去。再者,這些廢股流也許含有來自晶片表 面本身的金屬氧化物。此種廢股流相當複雜,且很難處理 並有效地棄置。基於前述之原因,格外需要一使金屬之 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) I------------------IT------β— (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -4- 1242040 Α7 Β7 五、發明説明(3 ) 介電塗層的形成。 然而,和先前技藝大不相同地,本發明係使用臭氧做 爲實施C Μ P的試劑。臭氧是以氣體形態使用而直接傳送 到欲平坦之表面上,及/或以含臭氧之水溶液形式使用, 視需要地可與磨料粒子、其他C Μ Ρ試劑組合使用,或者 以本文所述及/或熟諳此藝者所顯見之其他具體實施例來 使用。 發明摘述 本發明係關於使用臭氧(◦ 3 )做爲化學機械式平坦 化之試劑。臭氧可以數種形式傳送到欲平坦化之表面,包 括水溶液或氣態。含臭氧之水溶液可視需要包含磨料粒子 及/或與臭氧共溶解之額外的CMP試劑。可用於CMP 協助臭氧之輔試劑包括碳酸鹽及碳酸氫鹽陰離子,以及有 機酸如甲酸、草酸、醋酸及乙二醇酸。臭氧也可以氣體形 態直接傳送到欲平坦之表面上。在本發明範圍內,前述之 白臭氧ί g式劑的組合物可用於CMP中’並視需要可配合不 含臭氧之C Μ Ρ試劑。 臭氧(〇3)典型地係於臭氧發生器中形成,其是藉 由將氧1熱通過一*能量場(典型地電獎或離子場)就地生成 臭氧。在本發明之某些具體實施例中,較便利的是在緊臨 將消耗含臭氧試劑之C Μ Ρ設備處,就地產生所需之臭氧 及/或含臭氧試劑。本發明之某些具體實施例中係利用臭 氧溶解於水(較佳地是去離子水)中以形成水溶液。典型 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -- . ....... : —- - ......- »· I - - -II - -- I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 - 6 - 1242040 A7 _ B7 五、發明説明(4 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 地,臭氧在去離子水中的濃度係約1百萬分之一(、、 Ppm )至局至逾和’可通超過2〇ppm。此類水溶 液可直接用於C Μ P,並可將溶液分散在晶片表面與使該 表面平坦化之磨光墊之間。 本發明之其他具體實施例係使用臭氧溶解於水並連同 額外之磨料及/或反應性化學品一起。可加入之磨料包括 氧化銘、二氧化砂、尖晶石、三氧化二鈽及氧化鍩。可加 入之其他試劑包括碳酸鹽及碳酸氫鹽陰離子、草酸、甲酸 '醋酸及乙二醇酸。 根據本發明之其他具體實施例,臭氧氣體也可直接撞 撃欲平坦化之表面。 本發明之組成物可用在鉑及其他難以慣用之氧化劑平 坦化之物質的C Μ Ρ上。其他金屬包括釕、銥、金及鋁。 本發明之組成物也可用來與矽共同作用,如此便可讓表面 磨光得更好。根據本發明可經由銨鹽之介入,包括氯化銨 、硝酸銨及特別是碳酸銨,而更促進物質之去除。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 根據本發明之臭氧組成物可破壞典型之有機聚合物、 橡膠或其他低k値物質,藉此直接磨光有機低k値介電薄 膜。 本發明之組成物也可用來磨光硬碟及微電機械構造( MEMS),包括含 NiP、Cr 、A1 、Si〇2、 S i 、或A 1金屬。 圖之簡略說明 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 1242040 A7 _____B7___ _ 五、發明説明(5 ) 圖1 ··根據本發明之某些具體實施例,臭氧產生及流 動之方塊圖。 圖2 ··典型之化學機械式平坦化的示意性橫切面描述 〇 圖3 ··在化學機械式平坦化時通過壓板之試劑遞送的 示意性橫切面描述。 圖4 :根據本發明之某些具體實施例,通過壓板之試 劑遞送的程序流程圖。 主要元件對照表 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 2 0 臭 氧 發 生 器 2 2 氧 來 源 2 4 流 動 控 制 器 2 6 水 溶 液 2 8 閥 工 具 3 0 C Μ Ρ 裝 置 3 2 冷 凍 器 工 具 3 4 磨 料 3 6 微 處 理 器 控制器 3 7 分 散 器 3 8 磨 光 墊 4 0 壓 板 4 2 晶 片 拖 架 4 4 晶 片 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公釐) -8- 1242040 A7 B7 五、發明説明(6 ) ^ 6 晶片表面 4 8 已分散之組成物 5 〇 晶片拖架 5 2 晶片 ^ 4 表面 6 〇 壓板 6 2 歧管 6 4 開口 6 6 磨光墊 6 8 已分散之組成物 詳細說明 本發明係關於使用臭氧(0 3 )做爲如製造積體電路 時所執行之化學機械式平坦化(、、C Μ P 〃 )的試劑。根 據本發明,用於CMP之臭氧可以數種形式來使用。臭氧 可溶解於水(較佳地是去離子—-D I 〃 — 一水)中以 形成水溶液。含有臭氧之水溶液可視需要含有與臭氧共溶 解之磨料及/或額外之C Μ Ρ試劑。可用於c μ ρ協助臭 興之輔s式劑包括碳酸鹽及fc酸氮鹽陰離子,及有機酸如甲 酸、草酸、醋酸及乙二醇酸。臭氧也可以氣體形式直接遞 送到欲平坦之表面上。在本發明之範圍內,前述之含臭氧 試劑的組合物也可使用在C Μ P上,並視需要與其他不含 臭氧之C Μ Ρ試劑一起。 臭氧(〇3)可以數種方式形成或產生,包括藉助於 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) ~ -9 - ------------- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1242040 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A 7 _____ B7 五、發明説明(7 ) 臭氧發生器,其是將氧氣通過一能量場,典型地爲電漿或 離子場,而從三個氧原子之組合中就地形臭氧。舉例之, 臭氧可藉在含氧之氣體中經由無聲放電而產生。和火花放 電比較時,無聲放電係一種穩定的電漿放電或電暈放電。 部份接受放電的分子氧會解離成原子氧。隨後,這些反應 性氧會以放熱反應彼此接觸而形成分子氧及三原子氧,即 臭氧。臭氧產量是視電場強度及操作溫度以及其他因素而 定。產量對操作溫度的依屬性係與如下之因素相關,即較 高溫度會使等式1的平衡移離臭氧這邊,進而減低產量。 0 2 + 0 ^--> 0 3 等式 1 臭氧產生器在此藝中已眾所週知,且已商品化。因此 ,在本發明之某些具體實施例中,較便利的是,在緊臨將 消耗含臭氧試劑之C Μ P設備處就地產生所需臭氧及/或 含臭氧試劑,這些具體實施例克服了臭氧是相當具反應性 且相對於分子氧,〇2,在熱力學上屬不穩定等事實上的 困難,並達成讓臭氧保留一相當期間的挑戰。雖然,臭氧 分解速率及/或反應可變慢,卻難以(但並非不可行)儲 存臭氧及含臭氧試劑以待稍後使用。爲了使本發明說明更 具體,本發明將以詳細具體實施例描述臭氧之就地產生, 藉以明暸這些使用先前產生之含臭氧試劑的具體實施例係 也涵蓋於本發明範圍內。 本發明之某些具體實施例是使用臭氧溶解在水中(較 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ 297公釐) -10- 1242040 Α7 Β7 五、發明説明(9 ) 濃度有一臨界上限,超過時在溶解之臭氧間會發生不想要 的反應及交互作用。此臨界濃度發生在約2 0 p pm。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 再者’很多C Μ P方法都有溫度依屬性。因此,藉由 控制C Μ Ρ試劑的溫度,便可使此平坦化方法達到較佳的 控制。 本發明之其他具體實施例係使用臭氧溶解於水中並連 同額外之磨料及/或反應性化合物一起。此亦可用圖1描 述。圖1所描述之具體實施例顯現了組成物Α可連結磨料 (或磨料淤漿或溶液)3 4並與之混合以形成如本發明之 另一族的C Μ P試劑。爲了敘述之便潔,乃將含有水性臭 氧(組成物A )加上其他添加劑(雖然其他試劑並未排除 ,但典型地是磨料)之試劑表示爲、、組成物B 〃 。可加到 組成物A之磨料3 4包括氧化鋁、二氧化矽、尖晶石、三 氧化二鈽、氧化鍩、或其他磨料。可加入之其他試劑包括 碳酸鹽及碳酸氫鹽陰離子、草酸、甲酸、醋酸及乙二醇酸 。一旦組成物B形成,將經由閥2 8導入C Μ P設備3 0 中,並在其內進行金屬之CMP方法。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 除此之外,在發生器2 0中產生之臭氧也可經由2 8 直接送入CMP設備3 0中,以進行金屬之CMP方法。 微處理器控制器3 6可經由臭氧發生器2 0、流動控制器 2 4、臭氧與水溶液2 6之混合、閥2 8、冷凍器3 2、 及臭氧與磨料3 4之混合而用來調節臭氧之產生。再者, 微處理器控制器3 6或一分開之微處理器也可用於CMP 設備3 0之控制上。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) -12- 1242040 A7 B7 五、發明説明(10) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) C Μ P設備3 0係使用已知之C Μ P傳送系統來傳送 組成物Α或組成物Β,使之在晶片表面與磨光墊之間進行 磨光,進而導致平坦化。氣態臭氧也可用於平坦化,但意 想得到,其比使用液態溶液之臭氧的程序較不有效率,而 且還需要非常靠近晶片表面。縱使是引用氣態臭氧,還是 需要磨光墊,同時也需導入水以幫忙除去蝕刻副產物。 然而,重要的是須注意到,臭氧,縱使是水溶液形式 ,當與金屬接觸時係具有高反應性及典型地相當短的生存 期。因此,如本發明之C Μ P組成物較佳地是散佈在非常 靠近欲磨光之晶片上,而不要散佈在更上游或下游,如典 型之某些已知的CMP設備般(典型地是在晶片拖架之前 的1至6英吋下游處)。舉例說明之,並參考圖2, 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 C Μ Ρ設備3 0可經由分散器3 7將組成物Α或組成物Β 分散在磨光墊3 8上最接近該承載著晶片4 4 (具有晶片 表面4 6 )之晶片拖架4 2位置處。磨光墊3 8係承載在 壓板4 0上,當壓板旋轉時,離心力便將已分散之組成物 4 8 (組成物A或組成物B )以向外放射狀向外分散,如 此組成物4 8便被遞送到表面4 6與磨光墊3 8之間。因 此已分散之組成物4 8及磨光墊3 8相對於晶片拖架4 2 之相對動作將可使晶片表面平坦化。 而且,如本發明之組成物及方法非常適合那些已普遍 化的直通壓板之形態的遞送系統,例如Speedfam I p E C 5 7 6、6 7 6及7 7 6型態之設備,其中組 成物係直通壓板而遞送到欲磨光之C Μ P晶片的實際面, 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) -13- 1242040 A7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
B7五、發明説明(11) 藉此提供與c Μ P晶片本身之面有相當良好的直接接觸, 且只有些微組成物曝露到其他區域。舉例之,圖3係一軌 道式C Μ Ρ頭部的示意性描述,其中如本發明之化學組成 物(組成物A、組成物Β、或臭氧本身)可直接分散到晶 片表面上。此分法的分散用C Μ P試劑典型地將可增進該 所分散之組成物的分佈。 更特定言之,CMP設備3 0可包括一涵蓋晶片托架 5 0及壓板6 0之軌道式CM Ρ頭部。CMP設備可經由 安置在壓板6 0內之歧管6 2分散任一種化學組成物(組 成物A、組成物B、或臭氧本身),歧管6 2是敞開地依 次與磨光墊6 6中的開口 6 4相通,以便直接分散任一該 等化學組成物到晶片托架5 0所承載之晶片5 2的表面 5 4上。因此,已分散之組成物6 8 (組成物A、組成物 B、或臭氧本身)係直接遞送到晶片表面5 4與磨光墊 6 6之間,藉此已分散之組成物6 8及磨光墊6 6相對於 晶片拖架5 0之相對動作將可使晶片表面5 4平坦化。 圖4係進一步描述根據本發明之如本文所述的C Μ P 方法。特別地,關於圖1及圖4,是先提供氧氣來源,在 將之傳送到臭氧發生器以產生臭氧。一旦臭氧產生,即遞 送到正進行金屬之C Μ Ρ程序的C Μ Ρ裝置3 0。此外, 臭氧也可溶解在一冷卻之水溶液或未冷卻之水溶液中(視 需要可溫度控制),以形成組成物Α。接著,經冷卻之組 成物A或未冷卻之組成物A將被送到正進行金屬之C Μ P 程序的C Μ Ρ裝置3 0中。除此之外,經冷卻之組成物A (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -14- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1242040 A7 B7五、發明説明(12) 或未冷卻之組成物A也可儲存起來以待稍後使用或與磨料 混合。使經冷卻之組成物A或未冷卻之組成物A與磨料混 合可形成組成物B,然後其將傳送到正進行金屬之C Μ P 程序的CMP裝置3 0中。或者,組成物Β也可儲存起來 以待稍後使用。 如本發明之化學組成物典型地係用於單段磨光方法上 。然而,若在隨後加工處理步驟或最後淸潔過程使用另一 C Μ P組成物操作光學磨光,發覺更有利益時,則不排除 二(或多)段磨光系統。再者,應注意的是,臭氧本身在 高濃度時是有毒氣體,雖然危險程度多少可由如過氧化氫 或其他類似之有害組成物或淤漿的相同味道來判別,但如 本發明之方法也應使用具有密閉系統的磨光工具。通常, C Μ Ρ化學品應依正確的預防辦法處理,因爲彼等典型地 都易具有高氧化力。 本發明除了可改善或克服前述之已知先前技藝的一或 多個缺點外,進一步還包括一重要優勢。此一優勢係源自 如本發明之含臭氧的典型化學組成物,其ρ Η並非很極端 ,且典型地是在約2至約8範圍內。因此,如本發明之化 學組成物相較於此藝中已知之ρ Η範圍者(典型的在1 -2或9 - 1 1 ),其在氧化物去除上常可提供一較不具侵 略性的C Μ Ρ處理環境。由代表性之低ρ H C Μ Ρ溶液 所引起的過度侵略性去除金屬或氧化物,很容易因除去了 表面較低區域中所形成的氧化物鈍化層而阻礙平坦化。也 就是說,平坦化所達成之機制是和表面上之氧化物層(使 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) -15- 1242040 A7 B7 五、發明説明(13) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 表面鈍化免受化學物攻撃)的形成相關聯。磨光時,較高 之表面區域易與磨光墊接觸,因而這些較高區域比低下區 域(未與磨光墊接觸,且部份受到氧化物鈍化層保護而免 於除去化學物質)能更快速地除掉物質。臭氧會侵略性地 使金屬氧化,但在本文所用之典型2 - 8的p Η範圍下, 氧化物層並不容易溶解。所以,較不受侵略性攻擊的氧化 物層將易於保持住鈍化層,進而促進平坦化。典型地還要 進行最後之淸洗以完成C Μ Ρ方法。 本發明之組成物較有利的是用於鎢之去除,因爲鎢層 與本發明之含臭氧試劑接觸時,會在其上面形成一良好的 氧化物膜,進而提供有有效的低下區域之保護。較高區域 將與磨光墊接觸,或者與添加了磨料之磨光墊接觸而優先 磨光,進而平坦化。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明之組成物也可用於鉑之C Μ Ρ,而鉑對典型之 氧化劑通常呈現相當的鈍性。舉例說明之,在使用如硝酸 或硝酸/氫氯酸組合物之氧化溶液時,鉑並不會很快地平 坦化。然而,本發明之含臭氧化學物之組成物典型地將形 成氧化鉑膜,然後經由墊之磨光動作或墊與添加之磨料的 配合而選擇性除去較高區域之氧化鉑膜。爲了加速鉑的磨 光程序可重複進行此一方法。 同時,銥典型地常需要薄膜,如此需在CMP之前先 進行氧化過程,以便增加物質去除之效力。因此,可藉使 用如本發明之組成物以提供一強氧化介質,使該膜氧化成 氧化銥,然後將之磨掉,而使銥之方法較爲有利益。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) -16- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1242040 A7 _ B7五、發明説明(14) 本發明之組成物也可用於含釕及//或氧化釕薄膜之平 坦化。 本發明之組成物也可用來與政共同作用,然後再磨光 以獲得更佳表面之薄膜。舉例之,臭氧可在晶片表面上快 速地形成二氧化矽(s i 0 2 ),然後再磨光除去1 一 5 nm極細粒子之二氧化砍。具有p h> 9之已知CMP典 型地是包含矽酸鹽物,〔S i 0 4〕~ 4的形成。以極細粒 子之形態除去物質將可產生較佳之表面修飾。 加之,臭氧具有強力之氧化特性,且易於與有機物質 如表面活性劑、淤漿安定劑、及螯合劑(若C Μ P溶液存 在著手此類添加劑時)劇烈反應,因此減低了有效臭氧濃 度。然而’雖然銨鹽,包括氯化銨、硝酸銨及特別是碳酸 銨’通常並不需要,或者只在某些情況配合某些金屬使用 ’但爲了促進物質之去除,彼等是可加入以幫助磨光速率 〇 再者,臭氧可用來打開一 C = C—或一 C = N -鍵, 藉此促進自由基鏈反應以分解典型的有機聚合物,例如, D ow公司製造之S I LK、Dow Corning公司製造之 B C B ’ s系列、橡膠或其他低k介電薄膜。因此,本發 明也可涵蓋將臭氧吹洗到既存之磨料中以進行低k之磨光 〇 而且,如本發明之組成物也可用來磨光硬碟及微電機 械結搆(Μ E M S )。供硬碟用之典型薄膜包括N i P、 Cr、A1 、及SiO^MEMS結構典型地有 I---> i----- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -17- 1242040 A7 B7 五、發明説明(15) 81〇2、31或厶1金屬。 總之,本發明係藉由提供含臭氧之化學組成物,或藉 由提供金屬及低k介電物質(有機或無機)與這些化學組 成物之C Μ P方法來改善或克服已知之先前技藝的一或多 個缺點,其基本上僅是將粒子形式之氧或金屬氧化物物質 留下來,藉此使金屬之CMP方法更有效率,同時減少時 下之具離子性及錯合性的廢物流、及其相關之處理以及對 環境之危害。更特定言之,銅之CMP係本發明有效力的 實際例之一,留下未蝕刻表面之低窪面積,而磨光頂層。 對本發明之含臭氧蝕刻劑組成物而言,銅的旋轉蝕刻法係 另一應用領域。 熟諳此藝者將明暸的是,只要不違背本文所述的本胃 明槪念之精神,對本揭示內容都可進行修正。所以,本發 明並不意圖受限於該經解說之特定且較佳的具體實施例。 --------1----衣-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210Χ297公釐) -18-
Claims (1)
- A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 1 附件2 A 第91102249號專利申請案 中文申請專利範圍替換本 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 民國94年5月23日修正 1 · 一種供用於化學機械式平坦化之組成物,其包含 一含有臭氧與磨料粒子之水溶液,其中臭氧濃度爲百萬分 之1份至百萬分之20份;及 至少一種選自下列的添加劑:碳酸鹽、碳酸氫鹽、草 酸、甲酸、醋酸、乙二醇酸及彼等之任何組合。 2 .如申請專利範圍第1項之組成物,其中該水溶液係 經冷卻。 3 . —種供用於化學機械式平坦化之組成物,其包含一 含有臭氧與磨料粒子之水溶液,其中該水溶液係經冷卻, 且其中臭氧濃度爲百萬分之1份至百萬分之20份。 4 .如申請專利範圍第3項之組成物,其進一步包含 至少一種選自下列之添加劑:碳酸鹽、碳酸氫鹽、草酸、 甲酸、醋酸、乙二醇酸及彼等之任何組合。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 5 .如申請專利範圍第1至4中任一項之組成物,其中 該水溶液係處於足以增加該水溶液中臭氧溶解度的溫度下 c 6 ·如申請專利範圍第1至4項中任一項之組成物, 其中臭氧濃度係低於經溶解之臭氧之間發生不良反應或交 互作用時的濃度。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 1242040 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 2 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) 7.如申請專利範圍第1至4中任一項之組成物,其中 該磨料粒子係選自氧化鋁、二氧化矽、三氧化二姉、尖晶 石、氧化鍩及彼等之任何組合。 8 .如申請專利範圍第1至4項中任一項之組成物, 其進一步包括至少一種銨鹽。 9 .如申請專利範圍第8項之組成物,其中該至少一 種銨鹽係碳酸銨。 1 0 · —種使表面平坦化之方法,其包含:提供一含有 臭氧及至少一種選自下列之添加劑的水溶液:碳酸鹽、碳 酸氫鹽、草酸、甲酸、醋酸、乙二醇酸及彼等之任何組合 ,其中該水溶液中的臭氧濃度爲百萬分之1份至百萬分之 20份; 將該水溶液導入該表面上;及引起該表面及與其接觸 之磨光墊的相對動作。 1 1.如申請專利範圍第1 〇項之方法,其中該水溶液的 提供包括將其冷卻。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1 2 · —種使表面平坦化之方法,其包含:提供一含有 臭氧的水溶液,其中該水溶液係經冷卻且其中該水溶液中 的臭氧濃度爲百萬分之1份至百萬分之20份; 將該水溶液導入該表面上;及引起該表面及與其接觸 之磨光墊的相對動作。 1 3 .如申請專利範圍第1 2項之方法,其中該水溶液進 一步包含至少一種選自下列的添加劑:碳酸鹽陰離子、碳 酸氫鹽陰離子、草酸、甲酸、醋酸、乙二醇酸及彼等之任 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS )八4規格(210 X 297公釐) 〇 1242040 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 3 何組合。 1 4 .如申g靑專利範圍第1 〇至1 3項中任一·項之方法, 其中該水溶液的提供包括控制該水溶液的溫度。 1 5 .如申請專利範圍第1 〇至1 3項中任一項之方法, 其中該水溶液的提供包括降低該水溶液的溫度。 1 6 .如申請專利範圍第1 0至1 3項中任一項之方法, 其中該水溶液的提供包括使該水溶液處於足以增加該水溶 液中臭氧溶解度的溫度下。 1 7 .如申|靑專利範圍第1 〇至1 3項中任一^項之方法, 其進一步包括控制該水溶液中的臭氧濃度。 1 8 .如申請專利範圍第1 〇至1 3項中任一項之方法, 其中臭氧濃度係低於經溶解之臭氧之間發生不良反應或交 互作用時之濃度。 1 9 ·如申g靑專利範圍第1 〇至1 3項中任一 I旨之方法, 其中該水溶液進一步包含磨料粒子。 20 ·如申請專利範圍第1 9項之方法,其中該磨料粒 子係選自氧化鋁、二氧化矽、三氧化二鈽、尖晶石、氧化 銷及彼等之任何組合。 2 1 .如申g靑專利軺圍第1 〇至1 3項中任~丨旨之方法 其中該水溶液進一步包含至少一種銨鹽。 22 .如申請專利範圍第2 1項之方法,其中該至少〜 種銨鹽係碳酸銨。 23 ·如申請專利範圍第10至13項中件〜TS七+ 〜項之方法, 其中該表面包含一種選自銥、氧化銥及鉑的材料。 ^紙張尺度適用中國國家標準(€奶)八4規格(210父297公釐) ~ ---___ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 、π 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 ABICD 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1242040 六、申請專利範圍 4 24 ·如申請專利範圍第1 〇至1 3項中任一項之方法, 其中該表面包含一種低k値材料。 2 5 ·如申請專利範圍第丨〇至丨3項中任一項之方法, 其中該表面係包括一種選自下列之結構物者:硬碟及微電 子機械結構物。 2 6 .如申請專利範圍第1 〇至1 3項中任一項之方法, 其中該導入係包含在接近該表面之載體的位置上導入該水 溶液。 27 ·如申請專利範圍第26項之方法,其中該位置係 在該表面不到一英吋的下游處。 2 8 ·如申請專利範圍第1 〇至1 3項中任一項之方法, 其中該水溶液之p Η値爲2至8。 29 ·如申請專利範圍第1 〇至1 3項中任一項之方法, 其包括旋轉蝕刻該表面。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本I)本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210 X 297公釐) -4-
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