JP3107009B2 - 金属膜の研磨方法及び研磨装置 - Google Patents
金属膜の研磨方法及び研磨装置Info
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Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は、半導体装置の製造
方法及び製造装置に関し、特に化学的機械的研磨（Ｃｈ
ｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉ
ｎｇ：ＣＭＰ）法を用いた金属膜の研磨方法及びその研
磨装置に関するものである。
方法及び製造装置に関し、特に化学的機械的研磨（Ｃｈ
ｅｍｉｃａｌ Ｍｅｃｈａｎｉｃａｌ Ｐｏｌｉｓｈｉ
ｎｇ：ＣＭＰ）法を用いた金属膜の研磨方法及びその研
磨装置に関するものである。
【０００２】
【従来の技術】図９（ａ）に示すように、従来の半導体
装置の製造方法では、Ｓｉ基板３８の配線下絶縁膜（Ｂ
ＰＳＧ膜）２２中のコンタクトホール４１を１０００ｎ
ｍのブランケットＷ膜４０で埋設した半導体基板（以
下、ウェハーという）を製作し、次に、このウェハーを
Ｗ膜４０に関して選択的に作用する化学的・機械的ポリ
ッシング（ＣＭＰ）法で処理していた。
装置の製造方法では、Ｓｉ基板３８の配線下絶縁膜（Ｂ
ＰＳＧ膜）２２中のコンタクトホール４１を１０００ｎ
ｍのブランケットＷ膜４０で埋設した半導体基板（以
下、ウェハーという）を製作し、次に、このウェハーを
Ｗ膜４０に関して選択的に作用する化学的・機械的ポリ
ッシング（ＣＭＰ）法で処理していた。
【０００３】このＣＭＰは、回転プラテン上に載せたポ
リッシングパッド上で行い、Ａｌ2Ｏ3等の研磨性粒子、
及びＦｅ（ＮＯ3）3、Ｈ2Ｏ2、ＫＯＨまたはＮＨ4ＯＨ
等の酸、塩基を含有するスラリーを用いていた。このＣ
ＭＰ法は、ＵＳＰ４，９９２，１３５号の明細書に開示
されている。この方法により、図９（ｂ）に示すように
ＢＰＳＧ膜３９中のコンタクトホール４１に埋設された
Ｗ膜４０は表面が凹状となり、Ｗ膜凹状プラグ４２を形
成していた。
リッシングパッド上で行い、Ａｌ2Ｏ3等の研磨性粒子、
及びＦｅ（ＮＯ3）3、Ｈ2Ｏ2、ＫＯＨまたはＮＨ4ＯＨ
等の酸、塩基を含有するスラリーを用いていた。このＣ
ＭＰ法は、ＵＳＰ４，９９２，１３５号の明細書に開示
されている。この方法により、図９（ｂ）に示すように
ＢＰＳＧ膜３９中のコンタクトホール４１に埋設された
Ｗ膜４０は表面が凹状となり、Ｗ膜凹状プラグ４２を形
成していた。
【０００４】ここで、周囲のＢＰＳＧ膜３９に対して窪
んでいるＷ膜凹状プラグ４２を改善する方法として、Ｂ
ＰＳＧ膜３９に対して選択的に作用するＣＭＰを行って
いた。このＣＭＰで用いるスラリーはコロイド性シリカ
スラリーを使用し、ＢＰＳＧ膜３９に対して選択的に作
用するＨ2Ｏ2及びＫＯＨ等を含んでいる。このＣＭＰは
図９（ｃ）に見られるように、Ｗ膜凸状プラグ４３が得
られるまで継続して行われていた。
んでいるＷ膜凹状プラグ４２を改善する方法として、Ｂ
ＰＳＧ膜３９に対して選択的に作用するＣＭＰを行って
いた。このＣＭＰで用いるスラリーはコロイド性シリカ
スラリーを使用し、ＢＰＳＧ膜３９に対して選択的に作
用するＨ2Ｏ2及びＫＯＨ等を含んでいる。このＣＭＰは
図９（ｃ）に見られるように、Ｗ膜凸状プラグ４３が得
られるまで継続して行われていた。
【０００５】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら、図９に
示す従来例では、金属汚染の可能性が大きいという問題
があった。
示す従来例では、金属汚染の可能性が大きいという問題
があった。
【０００６】その理由は、Ｆｅ（ＮＯ3）3、ＫＯＨ等の
酸化剤を含有するスラリーを用いて第１ステップのＷ−
ＣＭＰを行っているためである。ここで、Ｆｅ（Ｎ
Ｏ3）3等の酸化剤を用いているのは、Ｗ膜を強力に酸化
させ、容易に研磨粒子によって除去できるようにするた
めである。すなわち、研磨速度を大きくし、研磨工程に
かかるスループットを向上させるためである。
酸化剤を含有するスラリーを用いて第１ステップのＷ−
ＣＭＰを行っているためである。ここで、Ｆｅ（Ｎ
Ｏ3）3等の酸化剤を用いているのは、Ｗ膜を強力に酸化
させ、容易に研磨粒子によって除去できるようにするた
めである。すなわち、研磨速度を大きくし、研磨工程に
かかるスループットを向上させるためである。
【０００７】さらに、従来例では、第２ステップとして
酸化膜スラリーによるＣＭＰ工程を追加しなければなら
ないという問題があった。
酸化膜スラリーによるＣＭＰ工程を追加しなければなら
ないという問題があった。
【０００８】その理由は、第１ステップのＷ−ＣＭＰに
よるプラグ表面の凹状を解消し、かつ酸化膜表面のキズ
を解消するためである。さらに、第２ステップ酸化膜Ｃ
ＭＰを施すことで第１ステップの際にウェハー表面に付
着した金属汚染物をあるレベルまで除去するためでもあ
る。
よるプラグ表面の凹状を解消し、かつ酸化膜表面のキズ
を解消するためである。さらに、第２ステップ酸化膜Ｃ
ＭＰを施すことで第１ステップの際にウェハー表面に付
着した金属汚染物をあるレベルまで除去するためでもあ
る。
【０００９】本発明の目的は、金属汚染を低下させる金
属膜の研磨方法及び研磨装置を提供することにある。
属膜の研磨方法及び研磨装置を提供することにある。
【００１０】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するた
め、本発明に係る金属膜の研磨方法は、金属膜が形成さ
れたウェハーを研磨する金属膜の研磨方法において、研
磨中に金属イオンを含有しない酸化剤を用いて金属を酸
化しながら、酸化された金属膜を研磨粒子を含有する研
磨剤を用いて除去するものである。
め、本発明に係る金属膜の研磨方法は、金属膜が形成さ
れたウェハーを研磨する金属膜の研磨方法において、研
磨中に金属イオンを含有しない酸化剤を用いて金属を酸
化しながら、酸化された金属膜を研磨粒子を含有する研
磨剤を用いて除去するものである。
【００１１】また前記金属膜を酸化する工程で用いられ
る酸化剤は、気体である。
る酸化剤は、気体である。
【００１２】また前記気体は、オゾンである。
【００１３】また本発明に係る研磨装置は、金属膜が形
成されたウェハーを研磨する研磨装置において、金属イ
オンを含有しない酸化剤を用いて金属を酸化する手段
と、研磨粒子を含有する研磨剤を用いて酸化された金属
膜を除去する手段とを有するものである。
成されたウェハーを研磨する研磨装置において、金属イ
オンを含有しない酸化剤を用いて金属を酸化する手段
と、研磨粒子を含有する研磨剤を用いて酸化された金属
膜を除去する手段とを有するものである。
【００１４】また前記金属膜を酸化する酸化剤として気
体を用いたものである。
体を用いたものである。
【００１５】また前記気体としてオゾンを用いたもので
ある。
ある。
【００１６】また前記オゾンを半導体基板の表面に供給
する際に、研磨装置に付属するオゾン発生器から研磨装
置の定盤上の研磨パッド開口部まで供給するラインの途
中にオゾン供給速度を増加させる圧力調整器を有するも
のである。
する際に、研磨装置に付属するオゾン発生器から研磨装
置の定盤上の研磨パッド開口部まで供給するラインの途
中にオゾン供給速度を増加させる圧力調整器を有するも
のである。
【００１７】また前記オゾンを半導体基板の表面に供給
する際に、排気口を備えたユニット内で研磨粒子溶液供
給管とは別にオゾン発生器からのオゾンを研磨パッド表
面に供給するものである。
する際に、排気口を備えたユニット内で研磨粒子溶液供
給管とは別にオゾン発生器からのオゾンを研磨パッド表
面に供給するものである。
【００１８】また前記オゾンを半導体基板の表面に供給
する際に、研磨粒子溶液供給管の途中でオゾン発生器か
らオゾンを供給し、研磨粒子溶液と混合して研磨装置の
定盤上の研磨パッドまで供給するものである。
する際に、研磨粒子溶液供給管の途中でオゾン発生器か
らオゾンを供給し、研磨粒子溶液と混合して研磨装置の
定盤上の研磨パッドまで供給するものである。
【００１９】本発明では、金属膜を研磨する工程におい
て、酸化剤に気体であるオゾンを用いている。この方法
によれば、金属不純物を混入させることなく、研磨速度
を大きくすることができる。またオゾンは金属を含有し
ていないため、従来第２ステップで行っていた金属不純
物の除去の必要性がない。さらに、Ｈ2Ｏ2の酸化剤を用
いた研磨で発生するＷプラグの中央部に発生しやすいシ
ーム（ボイド）もない。その結果、第１ステップのみの
ＣＭＰで効率よくＷプラグを形成することができ、半導
体装置の歩留まり向上につながった。
て、酸化剤に気体であるオゾンを用いている。この方法
によれば、金属不純物を混入させることなく、研磨速度
を大きくすることができる。またオゾンは金属を含有し
ていないため、従来第２ステップで行っていた金属不純
物の除去の必要性がない。さらに、Ｈ2Ｏ2の酸化剤を用
いた研磨で発生するＷプラグの中央部に発生しやすいシ
ーム（ボイド）もない。その結果、第１ステップのみの
ＣＭＰで効率よくＷプラグを形成することができ、半導
体装置の歩留まり向上につながった。
【００２０】
【発明の実施の形態】次に、本発明の実施形態について
図面を参照して詳細に説明する。
図面を参照して詳細に説明する。
【００２１】（実施形態１）図１は、本発明の実施形態
１を示す構成図である。
１を示す構成図である。
【００２２】図１に示す本発明の実施形態１に係る研磨
装置は、半導体基板（以下、ウェハーという）１を下方
に向けて保持するウェハーキャリア２と、研磨パッド５
上に研磨粒子溶液を供給する研磨粒子溶液供給管３と、
オゾン発生器９から発生するオゾンを圧力調整器８を介
して研磨パッド５上に供給するオゾン供給管７と、オゾ
ン供給管７からのオゾンを開口部から上方に供給する研
磨パッド５とを有している。
装置は、半導体基板（以下、ウェハーという）１を下方
に向けて保持するウェハーキャリア２と、研磨パッド５
上に研磨粒子溶液を供給する研磨粒子溶液供給管３と、
オゾン発生器９から発生するオゾンを圧力調整器８を介
して研磨パッド５上に供給するオゾン供給管７と、オゾ
ン供給管７からのオゾンを開口部から上方に供給する研
磨パッド５とを有している。
【００２３】図２は、定盤６と研磨パッド５の拡大図、
図３は、研磨パッドの表面を示している。ここで、用い
られる研磨粒子は、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）粒子又はシリ
カ（ＳｉＯ2）粒子が望ましい。また、研磨パッド５
は、独立発泡体の硬質ポリウレタン、連続発泡体の不織
布、またそれらの積層構造の研磨パッドが望ましい。
図３は、研磨パッドの表面を示している。ここで、用い
られる研磨粒子は、アルミナ（Ａｌ2Ｏ3）粒子又はシリ
カ（ＳｉＯ2）粒子が望ましい。また、研磨パッド５
は、独立発泡体の硬質ポリウレタン、連続発泡体の不織
布、またそれらの積層構造の研磨パッドが望ましい。
【００２４】次に、本発明の実施形態１の動作につい
て、図１の研磨装置を参照して説明する。図５（ａ）に
示すように、ウェハー１は、例えばＳｉ基板１２上にＢ
ＰＳＧ膜１３、ＰＥ−ＴＥＯＳ膜１４、Ｔｉ膜１５、Ｔ
ｉＮ膜１６、ＡｌＣｕ膜１７、ブランケットＷ膜１８が
順次積層して形成されている。図５（ａ）に示すように
表面に金属膜（ブランケットＷ膜１８）を形成している
ウェハー１をウェハーキャリア２に保持し、ウェハー１
の下面を定盤６の研磨パッド５に接触させ、研磨粒子溶
液供給管３から供給された研磨粒子溶液とオゾン発生器
９から供給されたオゾンによって研磨する。すなわち、
本発明の実施形態１によれば、金属イオンを含有しない
酸化剤を用いて金属を酸化し、研磨粒子を含有する研磨
剤を用いて酸化された金属膜を除去することとなる。こ
の研磨によって図５（ｂ）に示すようにスルーホールを
有するウェハー１の全面に埋設されたＷ膜１８を除去す
ることができ、Ｗプラグ２０が形成される。このとき、
図１のオゾン供給口４から供給されるオゾンの流量圧
を、研磨粒子溶液供給管３から供給される研磨粒子溶液
がオゾン供給口４に流入しない圧力に調整する必要があ
る。
て、図１の研磨装置を参照して説明する。図５（ａ）に
示すように、ウェハー１は、例えばＳｉ基板１２上にＢ
ＰＳＧ膜１３、ＰＥ−ＴＥＯＳ膜１４、Ｔｉ膜１５、Ｔ
ｉＮ膜１６、ＡｌＣｕ膜１７、ブランケットＷ膜１８が
順次積層して形成されている。図５（ａ）に示すように
表面に金属膜（ブランケットＷ膜１８）を形成している
ウェハー１をウェハーキャリア２に保持し、ウェハー１
の下面を定盤６の研磨パッド５に接触させ、研磨粒子溶
液供給管３から供給された研磨粒子溶液とオゾン発生器
９から供給されたオゾンによって研磨する。すなわち、
本発明の実施形態１によれば、金属イオンを含有しない
酸化剤を用いて金属を酸化し、研磨粒子を含有する研磨
剤を用いて酸化された金属膜を除去することとなる。こ
の研磨によって図５（ｂ）に示すようにスルーホールを
有するウェハー１の全面に埋設されたＷ膜１８を除去す
ることができ、Ｗプラグ２０が形成される。このとき、
図１のオゾン供給口４から供給されるオゾンの流量圧
を、研磨粒子溶液供給管３から供給される研磨粒子溶液
がオゾン供給口４に流入しない圧力に調整する必要があ
る。
【００２５】（実施形態２）図６は、本発明の実施形態
２を示す構成図である。図６に示す本発明の実施形態２
に係る研磨装置は、ウェハーキャリア２６に保持された
ウェハー２５上に研磨粒子溶液を供給する研磨粒子溶液
供給管２２と、オゾン発生器から発生するオゾンをウェ
ハー２５上に供給するオゾン供給管２１と、研磨パッド
保持キャリア２３に保持された小型の研磨用研磨パッド
２４と、オゾンを有効に使用するための研磨部を密閉す
る研磨ユニット２８と、研磨ユニット２８の下部に飽和
したオゾンを一定量で排気する排気口２７とを有してい
る。ここで、ウェハー２５は、研磨される表面が上向き
であることを特徴としている。
２を示す構成図である。図６に示す本発明の実施形態２
に係る研磨装置は、ウェハーキャリア２６に保持された
ウェハー２５上に研磨粒子溶液を供給する研磨粒子溶液
供給管２２と、オゾン発生器から発生するオゾンをウェ
ハー２５上に供給するオゾン供給管２１と、研磨パッド
保持キャリア２３に保持された小型の研磨用研磨パッド
２４と、オゾンを有効に使用するための研磨部を密閉す
る研磨ユニット２８と、研磨ユニット２８の下部に飽和
したオゾンを一定量で排気する排気口２７とを有してい
る。ここで、ウェハー２５は、研磨される表面が上向き
であることを特徴としている。
【００２６】次に、本発明の実施形態２の動作につい
て、図６を参照して説明する。表面に金属膜を形成して
いるウェハー２５（図５参照）を研磨される表面を上向
きにしてウェハーキャリア２６に設置し、研磨粒子溶液
供給管２２から供給された研磨粒子溶液とオゾン供給管
２１から供給されたオゾンによって研磨する。すなわ
ち、本発明の実施形態２によれば、金属イオンを含有し
ない酸化剤を用いて金属を酸化し、研磨粒子を含有する
研磨剤を用いて酸化された金属膜を除去することとな
る。この研磨によって図５（ｂ）に示すようなＷプラグ
２０が形成される。このとき、供給したオゾンが飽和状
態になったときに研磨ユニット２８の排気口２７からオ
ゾンを排気する必要がある。
て、図６を参照して説明する。表面に金属膜を形成して
いるウェハー２５（図５参照）を研磨される表面を上向
きにしてウェハーキャリア２６に設置し、研磨粒子溶液
供給管２２から供給された研磨粒子溶液とオゾン供給管
２１から供給されたオゾンによって研磨する。すなわ
ち、本発明の実施形態２によれば、金属イオンを含有し
ない酸化剤を用いて金属を酸化し、研磨粒子を含有する
研磨剤を用いて酸化された金属膜を除去することとな
る。この研磨によって図５（ｂ）に示すようなＷプラグ
２０が形成される。このとき、供給したオゾンが飽和状
態になったときに研磨ユニット２８の排気口２７からオ
ゾンを排気する必要がある。
【００２７】（実施形態３）図７は、本発明の実施形態
３を示す構成図である。
３を示す構成図である。
【００２８】図７に示す本発明の実施形態３に係る研磨
装置は、ウェハーキャリア３０に保持されたウェハー２
９と、研磨パッド３１上に研磨粒子溶液を供給する研磨
粒子溶液供給管３６と、研磨粒子溶液供給管３６の途中
にオゾンを供給するオゾン発生器３３と、混合されたオ
ゾンと研磨粒子溶液とを研磨パッド３１に供給するため
のオゾン研磨粒子混合溶液供給管３７と、オゾン研磨粒
子混合溶液を効率よく研磨パッド３１上に供給するため
のロータリーポンプ３４とを有している。
装置は、ウェハーキャリア３０に保持されたウェハー２
９と、研磨パッド３１上に研磨粒子溶液を供給する研磨
粒子溶液供給管３６と、研磨粒子溶液供給管３６の途中
にオゾンを供給するオゾン発生器３３と、混合されたオ
ゾンと研磨粒子溶液とを研磨パッド３１に供給するため
のオゾン研磨粒子混合溶液供給管３７と、オゾン研磨粒
子混合溶液を効率よく研磨パッド３１上に供給するため
のロータリーポンプ３４とを有している。
【００２９】次に、本発明の実施形態３の動作につい
て、図７を参照して説明する。ウェハーキャリア３０に
表面に金属膜が形成されたウェハー２９を保持し、研磨
粒子溶液供給管３６から供給された研磨粒子溶液とオゾ
ン発生器３３から供給されたオゾンとを混合する。この
オゾン研磨粒子混合溶液供給管３７から供給される混合
溶液を研磨パッド３１に滴下することで研磨する。すな
わち、本発明の実施形態３によれば、金属イオンを含有
しない酸化剤を用いて金属を酸化し、研磨粒子を含有す
る研磨剤を用いて酸化された金属膜を除去することとな
る。この研磨によって図５（ｂ）に示すようなＷプラグ
２０が形成される。このとき、気体であるオゾンと液体
である研磨粒子溶液３５とが混合された後に効率良く研
磨パッド３１上に供給することが可能なロータリーポン
プ３４を作動する必要がある。
て、図７を参照して説明する。ウェハーキャリア３０に
表面に金属膜が形成されたウェハー２９を保持し、研磨
粒子溶液供給管３６から供給された研磨粒子溶液とオゾ
ン発生器３３から供給されたオゾンとを混合する。この
オゾン研磨粒子混合溶液供給管３７から供給される混合
溶液を研磨パッド３１に滴下することで研磨する。すな
わち、本発明の実施形態３によれば、金属イオンを含有
しない酸化剤を用いて金属を酸化し、研磨粒子を含有す
る研磨剤を用いて酸化された金属膜を除去することとな
る。この研磨によって図５（ｂ）に示すようなＷプラグ
２０が形成される。このとき、気体であるオゾンと液体
である研磨粒子溶液３５とが混合された後に効率良く研
磨パッド３１上に供給することが可能なロータリーポン
プ３４を作動する必要がある。
【００３０】（実施例１）次に本発明の実施形態を具体
例を用いて説明する。
例を用いて説明する。
【００３１】図５（ａ）に示すようなブランケットＷ膜
１８が形成された半導体装置を有するウェハー１を図１
に示す研磨装置のウェハーキャリア２に取り付け、研磨
粒子溶液供給管３から供給される研磨粒子溶液にてＷ膜
１８を研磨する。
１８が形成された半導体装置を有するウェハー１を図１
に示す研磨装置のウェハーキャリア２に取り付け、研磨
粒子溶液供給管３から供給される研磨粒子溶液にてＷ膜
１８を研磨する。
【００３２】その際に、研磨パッド５には図２に示すよ
うなオゾン供給口４が開口されており、オゾンは図１に
示すオゾン発生器９からオゾン供給管７を介して研磨パ
ッド５に供給されている。このオゾンは従来、溶液とし
て研磨パッド上に供給されていた酸化剤に代わるもので
あり、研磨粒子溶液がオゾン供給口４に進入しないよう
に圧力調整器８で流量圧を調整している。
うなオゾン供給口４が開口されており、オゾンは図１に
示すオゾン発生器９からオゾン供給管７を介して研磨パ
ッド５に供給されている。このオゾンは従来、溶液とし
て研磨パッド上に供給されていた酸化剤に代わるもので
あり、研磨粒子溶液がオゾン供給口４に進入しないよう
に圧力調整器８で流量圧を調整している。
【００３３】また、図３は、研磨パッド５の表面を示し
ており、ウェハー１が研磨の際に研磨パッド１１（５）
に接触する研磨領域１０にオゾン供給口４が設けられて
いる。オゾン供給口４は直径が５ｍｍであり、対角線上
に並んでいる。
ており、ウェハー１が研磨の際に研磨パッド１１（５）
に接触する研磨領域１０にオゾン供給口４が設けられて
いる。オゾン供給口４は直径が５ｍｍであり、対角線上
に並んでいる。
【００３４】次に、本発明の実施例１の動作について図
面を参照して詳細に説明する。
面を参照して詳細に説明する。
【００３５】図５は、本発明に係る研磨方法による研磨
工程を示している。図５（ａ）には研磨前のウェハー１
の断面構造を示しており、Ｓｉ基板１２上にＢＰＳＧ膜
１３を常圧ＣＶＤ装置を用いて０．５μｍの厚さに堆積
した後、７００℃の窒素ガス雰囲気中で３０秒間のラン
プによる熱処理を行い、配線下絶縁膜を形成する。次
に、ＢＰＳＧ膜１３の上にスパッタリング法によりチタ
ン（Ｔｉ）膜１５、窒化チタン（ＴｉＮ）膜１６、銅を
含有するアルミニウム膜１７、窒化チタン（ＴｉＮ）膜
１６をそれぞれ堆積して厚さを１μｍとし、パターニン
グして配線を形成する。
工程を示している。図５（ａ）には研磨前のウェハー１
の断面構造を示しており、Ｓｉ基板１２上にＢＰＳＧ膜
１３を常圧ＣＶＤ装置を用いて０．５μｍの厚さに堆積
した後、７００℃の窒素ガス雰囲気中で３０秒間のラン
プによる熱処理を行い、配線下絶縁膜を形成する。次
に、ＢＰＳＧ膜１３の上にスパッタリング法によりチタ
ン（Ｔｉ）膜１５、窒化チタン（ＴｉＮ）膜１６、銅を
含有するアルミニウム膜１７、窒化チタン（ＴｉＮ）膜
１６をそれぞれ堆積して厚さを１μｍとし、パターニン
グして配線を形成する。
【００３６】次に、プラズマ化学気相成長法（以下、Ｃ
ＶＤ法という）を用いてテトラエトキシオルソシリケー
ト（ＴＥＯＳ）を原料とするプラズマＴＥＯＳ酸化膜１
４（以下、ＰＥ−ＴＥＯＳという）を２μｍ形成する。
次に、酸化膜ＣＭＰ法によりこのＰＥ−ＴＥＯＳ膜１４
を平坦化する（図示せず）。
ＶＤ法という）を用いてテトラエトキシオルソシリケー
ト（ＴＥＯＳ）を原料とするプラズマＴＥＯＳ酸化膜１
４（以下、ＰＥ−ＴＥＯＳという）を２μｍ形成する。
次に、酸化膜ＣＭＰ法によりこのＰＥ−ＴＥＯＳ膜１４
を平坦化する（図示せず）。
【００３７】さらに、反応性イオンエッチング法により
配線上にスルーホールを開口し、窒化チタン（ＴｉＮ）
膜１６をスパッタリング法により０．１μｍ堆積した
後、ＣＶＤ法でブランケットＷ膜１８を形成する。図５
（ａ）に示すウェハー１を図１に示す研磨装置を用いて
研磨する。研磨時の研磨粒子はｐＨ４．０、粒子径５０
ｎｍのアルミナ粒子溶液、酸化剤は気体であるオゾンを
用いる。アルミナ粒子は研磨粒子溶液供給管９から直接
に研磨パッド５上へ滴下する。オゾンはオゾン発生器９
で作られ、圧力調整器８を介して定盤６中のオゾン供給
管７へ送られる。そして、荷重をかけて回転しているウ
ェハー１と研磨粒子溶液が滴下されて回転している研磨
パッド５の表面とに送られる。このときの研磨条件は、
定盤６の回転数５ｒｐｍ、ウェハー１を保持しているウ
ェハーキャリア２の回転数３５ｒｐｍ、ウェハー１に加
えられる荷重は５．０ｐｓｉ、研磨粒子溶液供給流量は
１００ｃｃ／ｍｉｎ、オゾン供給濃度は１２０ｇ／
ｍ3、オゾン供給圧は１．５気圧である。この気圧にす
ることにより、研磨パッド５の表面に同時に供給されて
いる研磨粒子溶液がオゾン供給口４に流れ込むことを防
止している。
配線上にスルーホールを開口し、窒化チタン（ＴｉＮ）
膜１６をスパッタリング法により０．１μｍ堆積した
後、ＣＶＤ法でブランケットＷ膜１８を形成する。図５
（ａ）に示すウェハー１を図１に示す研磨装置を用いて
研磨する。研磨時の研磨粒子はｐＨ４．０、粒子径５０
ｎｍのアルミナ粒子溶液、酸化剤は気体であるオゾンを
用いる。アルミナ粒子は研磨粒子溶液供給管９から直接
に研磨パッド５上へ滴下する。オゾンはオゾン発生器９
で作られ、圧力調整器８を介して定盤６中のオゾン供給
管７へ送られる。そして、荷重をかけて回転しているウ
ェハー１と研磨粒子溶液が滴下されて回転している研磨
パッド５の表面とに送られる。このときの研磨条件は、
定盤６の回転数５ｒｐｍ、ウェハー１を保持しているウ
ェハーキャリア２の回転数３５ｒｐｍ、ウェハー１に加
えられる荷重は５．０ｐｓｉ、研磨粒子溶液供給流量は
１００ｃｃ／ｍｉｎ、オゾン供給濃度は１２０ｇ／
ｍ3、オゾン供給圧は１．５気圧である。この気圧にす
ることにより、研磨パッド５の表面に同時に供給されて
いる研磨粒子溶液がオゾン供給口４に流れ込むことを防
止している。
【００３８】以上の研磨条件を用いてウェハー１表面の
Ｗ膜１８を完全に除去すると、図５（ｂ）に示すような
Ｗプラグ２０が得られる。このときの研磨速度は図８に
示すように、金属を含有しない酸化剤としてＨ2Ｏ2を用
いた場合の約１．９倍に増加している。このようにし
て、研磨速度を増加させ金属不純物を含有しないＣＭＰ
工程が確立する。また、従来の第２ステップで解消して
いた酸化膜表面のキズは、オゾンを酸化剤として用いた
場合は、酸化膜の表面にはキズの発生がなく、スムーズ
な表面が得られ、従来の第２ステップは行う必要はな
い。さらに、高研磨速度のためウェハー１枚当たりにか
かる処理時間の短縮が可能であるため、半導体製造にお
けるスループットを向上させることができる。
Ｗ膜１８を完全に除去すると、図５（ｂ）に示すような
Ｗプラグ２０が得られる。このときの研磨速度は図８に
示すように、金属を含有しない酸化剤としてＨ2Ｏ2を用
いた場合の約１．９倍に増加している。このようにし
て、研磨速度を増加させ金属不純物を含有しないＣＭＰ
工程が確立する。また、従来の第２ステップで解消して
いた酸化膜表面のキズは、オゾンを酸化剤として用いた
場合は、酸化膜の表面にはキズの発生がなく、スムーズ
な表面が得られ、従来の第２ステップは行う必要はな
い。さらに、高研磨速度のためウェハー１枚当たりにか
かる処理時間の短縮が可能であるため、半導体製造にお
けるスループットを向上させることができる。
【００３９】尚、ここでは、粒子径５０ｎｍのアルミナ
粒子を用いたが、他の粒子径、他の粒子種でも、同様の
効果が得られることは言うまでもない。
粒子を用いたが、他の粒子径、他の粒子種でも、同様の
効果が得られることは言うまでもない。
【００４０】（実施例２）次に、本発明の実施例２の構
成について図面を参照して詳細に説明する。
成について図面を参照して詳細に説明する。
【００４１】図５（ａ）に示すようなブランケットＷ膜
１８が形成されたウェハー２５を図６に示す研磨装置の
ウェハーキャリア２５に研磨される表面が上向きになる
ように取り付け、研磨粒子溶液供給管２２から供給され
る研磨粒子溶液とオゾン供給管２１から供給されるオゾ
ンとを用いてＷ膜１８を研磨する。その際に用いられる
図６の研磨装置には、オゾンを有効に使用するための研
磨部を密閉するの研磨ユニット２８、その研磨ユニット
２８の下部に飽和したオゾンを一定量で排気する排気口
２７が開口されている。
１８が形成されたウェハー２５を図６に示す研磨装置の
ウェハーキャリア２５に研磨される表面が上向きになる
ように取り付け、研磨粒子溶液供給管２２から供給され
る研磨粒子溶液とオゾン供給管２１から供給されるオゾ
ンとを用いてＷ膜１８を研磨する。その際に用いられる
図６の研磨装置には、オゾンを有効に使用するための研
磨部を密閉するの研磨ユニット２８、その研磨ユニット
２８の下部に飽和したオゾンを一定量で排気する排気口
２７が開口されている。
【００４２】次に、本発明の実施例２の動作について図
面を参照して詳細に説明する。
面を参照して詳細に説明する。
【００４３】図５は、本発明に係る研磨方法による研磨
工程を示しており、実施例１と同様に図５（ａ）の構造
を持つウェハーを作製する。この図５（ａ）の構造を有
するウェハーを図６に示す研磨装置を用いて研磨する。
研磨時の研磨粒子はｐＨ４．０、粒子径５０ｎｍのアル
ミナ粒子溶液、酸化剤は気体であるオゾンを用いる。ア
ルミナ粒子は研磨粒子溶液供給管２２から直接にウェハ
ー２５へ滴下する。このウェハー２５は、研磨される表
面が上向きになるようにウェハーキャリア２６に設置さ
れている。さらに、オゾン発生器で作られたオゾンをオ
ゾン供給管２１を介してウェハー２５へ送られる。そし
て、この時の研磨条件は、研磨パッド２４が保持されて
いる研磨パッド保持キャリア２３の回転数は５０ｒｐ
ｍ、ウェハー２５を保持しているウェハーキャリア２６
の回転数は３５ｒｐｍ、研磨パット２４に加えられてい
る荷重は５．０ｐｓｉ、研磨粒子溶液供給流量は１００
ｃｃ／ｍｉｎ、オゾン供給濃度は１２０ｇ／ｍ3、オゾ
ン供給圧は１．０気圧である。この方法では、常にオゾ
ンが研磨部へ供給されるため、飽和した研磨ユニット２
８内のオゾンを排気口２７を介して排気しなければなら
ない。この時の排気圧は、２０〜５０ｍｍＨ2Ｏが望ま
しい。以上の研磨条件を用いてウェハー２５表面のＷ膜
１８を完全に除去すると、図５（ｂ）に示すようなＷプ
ラグ２０が得られる。この時の研磨速度は実施例１と同
様に図８に示す研磨速度である。このようにして、研磨
速度を増加させ、金属不純物を含有しないＣＭＰ工程が
確立する。また、図６の研磨装置を用いても、従来の第
２ステップで解消していた酸化膜表面のキズは、オゾン
を酸化剤として用いた場合は、酸化膜表面にはキズの発
生がなく、スムーズな表面が得られ、従来の第２ステッ
プは行う必要はない。さらに、高研磨速度のため、ウェ
ハー１枚当たりにかかる処理時間の短縮が可能であるた
め、半導体製造におけるスループットを向上させること
ができる。
工程を示しており、実施例１と同様に図５（ａ）の構造
を持つウェハーを作製する。この図５（ａ）の構造を有
するウェハーを図６に示す研磨装置を用いて研磨する。
研磨時の研磨粒子はｐＨ４．０、粒子径５０ｎｍのアル
ミナ粒子溶液、酸化剤は気体であるオゾンを用いる。ア
ルミナ粒子は研磨粒子溶液供給管２２から直接にウェハ
ー２５へ滴下する。このウェハー２５は、研磨される表
面が上向きになるようにウェハーキャリア２６に設置さ
れている。さらに、オゾン発生器で作られたオゾンをオ
ゾン供給管２１を介してウェハー２５へ送られる。そし
て、この時の研磨条件は、研磨パッド２４が保持されて
いる研磨パッド保持キャリア２３の回転数は５０ｒｐ
ｍ、ウェハー２５を保持しているウェハーキャリア２６
の回転数は３５ｒｐｍ、研磨パット２４に加えられてい
る荷重は５．０ｐｓｉ、研磨粒子溶液供給流量は１００
ｃｃ／ｍｉｎ、オゾン供給濃度は１２０ｇ／ｍ3、オゾ
ン供給圧は１．０気圧である。この方法では、常にオゾ
ンが研磨部へ供給されるため、飽和した研磨ユニット２
８内のオゾンを排気口２７を介して排気しなければなら
ない。この時の排気圧は、２０〜５０ｍｍＨ2Ｏが望ま
しい。以上の研磨条件を用いてウェハー２５表面のＷ膜
１８を完全に除去すると、図５（ｂ）に示すようなＷプ
ラグ２０が得られる。この時の研磨速度は実施例１と同
様に図８に示す研磨速度である。このようにして、研磨
速度を増加させ、金属不純物を含有しないＣＭＰ工程が
確立する。また、図６の研磨装置を用いても、従来の第
２ステップで解消していた酸化膜表面のキズは、オゾン
を酸化剤として用いた場合は、酸化膜表面にはキズの発
生がなく、スムーズな表面が得られ、従来の第２ステッ
プは行う必要はない。さらに、高研磨速度のため、ウェ
ハー１枚当たりにかかる処理時間の短縮が可能であるた
め、半導体製造におけるスループットを向上させること
ができる。
【００４４】尚、実施例１と同様に、ここでは、粒子径
５０ｎｍのアルミナ粒子を用いたが、他の粒子径、他の
粒子種でも同様の効果が得られることは言うまでもな
い。
５０ｎｍのアルミナ粒子を用いたが、他の粒子径、他の
粒子種でも同様の効果が得られることは言うまでもな
い。
【００４５】（実施例３）次に、本発明の実施例３の構
成について図面を参照して詳細に説明する。
成について図面を参照して詳細に説明する。
【００４６】図５（ａ）に示すようなブランケットＷ膜
１８が形成されたウェハー２５を図７に示す研磨装置の
ウェハーキャリア３０に保持されたウェハー２９、研磨
パッド３１上に研磨粒子溶液供給管３６の途中にオゾン
を供給することができるオゾン発生器３３、さらに混合
されたオゾンと研磨粒子溶液を研磨パッド３１に供給す
るためのオゾン研磨粒子混合溶液供給管３７を用いてＷ
膜１８を研磨する。この時、ロータリーポンプ３４を用
いて気体であるオゾンと液体である研磨粒子溶液の混合
液を効率よく研磨パッド３１上に供給する必要がある。
１８が形成されたウェハー２５を図７に示す研磨装置の
ウェハーキャリア３０に保持されたウェハー２９、研磨
パッド３１上に研磨粒子溶液供給管３６の途中にオゾン
を供給することができるオゾン発生器３３、さらに混合
されたオゾンと研磨粒子溶液を研磨パッド３１に供給す
るためのオゾン研磨粒子混合溶液供給管３７を用いてＷ
膜１８を研磨する。この時、ロータリーポンプ３４を用
いて気体であるオゾンと液体である研磨粒子溶液の混合
液を効率よく研磨パッド３１上に供給する必要がある。
【００４７】次に、本発明の実施例３の動作について図
面を参照して詳細に説明する。
面を参照して詳細に説明する。
【００４８】図５は、本発明に係る研磨方法による研磨
工程を示しており、実施例１と同様に図５（ａ）の構造
を持つウェハーを作製する。この図５（ａ）の構造を有
するウェハーを図７に示す研磨装置を用いて研磨する。
研磨時の研磨粒子はｐＨ４．０、粒子径５０ｎｍのアル
ミナ粒子溶液、酸化剤は気体であるオゾンを用いる。ウ
ェハーキャリア３０に表面に金属膜を形成しているウェ
ハー２９を保持し、研磨粒子溶液供給管３６から供給さ
れた研磨粒子溶液とオゾン発生器３３から供給されたオ
ゾンとを混合する。オゾン研磨粒子混合溶液供給管３７
から供給される混合溶液を研磨パッド３１に滴下するこ
とにより研磨する。この時、気体であるオゾンと液体で
ある研磨粒子溶液３５とが混合後に効率良く研磨パッド
３１上に供給されるようにロータリーポンプ３４を作動
させる。そして、この時の研磨条件は、ウェハー２９が
保持されているウェハーキャリア３０の回転数は３５ｒ
ｐｍ、定盤３２の回転数は５０ｒｐｍ、ウェハー２９に
加えられている荷重は５．０ｐｓｉ、研磨粒子溶液供給
流量は１００ｃｃ／ｍｉｎ、オゾン供給濃度は１２０ｇ
／ｍ3、研磨粒子溶液へオゾンを供給する圧力は１．５
気圧である。この研磨によって図５（ｂ）に示すような
Ｗプラグ２０が形成される。
工程を示しており、実施例１と同様に図５（ａ）の構造
を持つウェハーを作製する。この図５（ａ）の構造を有
するウェハーを図７に示す研磨装置を用いて研磨する。
研磨時の研磨粒子はｐＨ４．０、粒子径５０ｎｍのアル
ミナ粒子溶液、酸化剤は気体であるオゾンを用いる。ウ
ェハーキャリア３０に表面に金属膜を形成しているウェ
ハー２９を保持し、研磨粒子溶液供給管３６から供給さ
れた研磨粒子溶液とオゾン発生器３３から供給されたオ
ゾンとを混合する。オゾン研磨粒子混合溶液供給管３７
から供給される混合溶液を研磨パッド３１に滴下するこ
とにより研磨する。この時、気体であるオゾンと液体で
ある研磨粒子溶液３５とが混合後に効率良く研磨パッド
３１上に供給されるようにロータリーポンプ３４を作動
させる。そして、この時の研磨条件は、ウェハー２９が
保持されているウェハーキャリア３０の回転数は３５ｒ
ｐｍ、定盤３２の回転数は５０ｒｐｍ、ウェハー２９に
加えられている荷重は５．０ｐｓｉ、研磨粒子溶液供給
流量は１００ｃｃ／ｍｉｎ、オゾン供給濃度は１２０ｇ
／ｍ3、研磨粒子溶液へオゾンを供給する圧力は１．５
気圧である。この研磨によって図５（ｂ）に示すような
Ｗプラグ２０が形成される。
【００４９】以上の研磨条件を用いてウェハー２５表面
のＷ膜１８を完全に除去すると、図５（ｂ）に示すよう
なＷプラグ２０が得られる。この時の研磨速度は、実施
例１と同様に図８に示す研磨速度である。このようにし
て、研磨速度を増加させ、金属不純物を含有しないＣＭ
Ｐ工程が確立する。また、図７の研磨装置を用いても、
従来の第２ステップで解消していた酸化膜表面のキズ
は、オゾンを酸化剤として用いた場合は、酸化膜表面に
はキズの発生がなく、スムーズな表面が得られ、従来の
第２ステップは行う必要はない。さらに、高研磨速度の
ため、ウェハー１枚当たりにかかる処理時間の短縮が可
能であるため、半導体製造におけるスループットを向上
させることができる。
のＷ膜１８を完全に除去すると、図５（ｂ）に示すよう
なＷプラグ２０が得られる。この時の研磨速度は、実施
例１と同様に図８に示す研磨速度である。このようにし
て、研磨速度を増加させ、金属不純物を含有しないＣＭ
Ｐ工程が確立する。また、図７の研磨装置を用いても、
従来の第２ステップで解消していた酸化膜表面のキズ
は、オゾンを酸化剤として用いた場合は、酸化膜表面に
はキズの発生がなく、スムーズな表面が得られ、従来の
第２ステップは行う必要はない。さらに、高研磨速度の
ため、ウェハー１枚当たりにかかる処理時間の短縮が可
能であるため、半導体製造におけるスループットを向上
させることができる。
【００５０】尚、実施例１，２と同様に、ここでは、粒
子径５０ｎｍのアルミナ粒子を用いたが、他の粒子径、
他の粒子種でも、同様の効果が得られることは言うまで
もない。
子径５０ｎｍのアルミナ粒子を用いたが、他の粒子径、
他の粒子種でも、同様の効果が得られることは言うまで
もない。
【００５１】
【発明の効果】以上説明したように本発明によれば、Ｆ
ｅ（ＮＯ3）3、ＫＯＨ等の酸化剤を含有するスラリーを
用いずにＷ−ＣＭＰを行い、金属汚染を防止することが
でき、しかも、オゾンを用いることにより、従来Ｆｅ
（ＮＯ3）3等の酸化剤で達成できていた高研磨速度の維
持も可能である。
ｅ（ＮＯ3）3、ＫＯＨ等の酸化剤を含有するスラリーを
用いずにＷ−ＣＭＰを行い、金属汚染を防止することが
でき、しかも、オゾンを用いることにより、従来Ｆｅ
（ＮＯ3）3等の酸化剤で達成できていた高研磨速度の維
持も可能である。
【００５２】さらに、オゾンを用いているため、従来の
酸化剤のようにＷ膜の酸化剤による侵食が起きず、プラ
グ表面に凹状が発生せず、従来のように酸化膜スラリー
による第２ステップＣＭＰが不要となる。また、酸化剤
に金属を含有していないため、従来の第１ステップの際
にウェハー表面に付着していた金属汚染物を除去する必
要がなくなる。
酸化剤のようにＷ膜の酸化剤による侵食が起きず、プラ
グ表面に凹状が発生せず、従来のように酸化膜スラリー
による第２ステップＣＭＰが不要となる。また、酸化剤
に金属を含有していないため、従来の第１ステップの際
にウェハー表面に付着していた金属汚染物を除去する必
要がなくなる。
【図１】本発明の実施形態１に係る研磨装置を示す構成
図である。
図である。
【図２】本発明の実施形態１に係る研磨装置の定盤と研
磨パッドを拡大した詳細図である。
磨パッドを拡大した詳細図である。
【図３】本発明の実施形態１の研磨パッドを示す正面図
である。
である。
【図４】研磨パッドの表面での研磨領域を説明するため
の研磨パッドを示す正面図である。
の研磨パッドを示す正面図である。
【図５】本発明の実施形態に係る研磨方法を示す工程順
に示す断面図である。
に示す断面図である。
【図６】本発明の実施形態２に係る研磨装置を示す構成
図である。
図である。
【図７】本発明の実施形態３に係る研磨装置を示す構成
図である。
図である。
【図８】本発明の実施形態の効果を示す図である。
【図９】従来技術の研磨方法を示す図である。
１，２５，２９ ウェハー（半導体基板） ２，２６，３０ ウェハーキャリア ３，２２，３６ 研磨粒子溶液供給管 ４ オゾン供給口 ５，２４，３１ 研磨パッド ６，３２ 定盤 ７，２１ オゾン供給管 ８ 圧力調整器 ９，３３ オゾン発生器 １０ 研磨領域 １２，３８ Ｓｉ基板 １３ ＢＰＳＧ膜 １４ ＰＥ−ＴＥＯＳ膜 １５ Ｔｉ膜 １６ ＴｉＮ膜 １７ ＡｌＣｕ膜 １８，４０ ブランケットＷ膜 １９ スルーホール部 ２０ Ｗプラグ ２３ 研磨パッド保持キャリア ２７ 排気口 ２８ 研磨ユニット ３４ ロータリーポンプ ３５ 研磨粒子溶液 ３７ オゾン研磨粒子混合溶液供給管 ３９ 配線下絶縁膜 ４１ コンタクトホール ４２ Ｗ膜凹状プラグ ４３ Ｗ膜凸状プラグ
Claims (9)
- 【請求項１】 金属膜が形成されたウェハーを研磨する
金属膜の研磨方法において、研磨中に金属イオンを含有しない酸化剤を用いて金属を
酸化しながら、酸化された金属膜を研磨粒子を含有する
研磨剤を用いて除去する ことを特徴とする金属膜の研磨
方法。 - 【請求項２】 前記金属膜を酸化する工程で用いられる
酸化剤は、気体であることを特徴とする請求項１に記載
の金属膜の研磨方法。 - 【請求項３】 前記気体は、オゾンであることを特徴と
する請求項２に記載の金属膜の研磨方法。 - 【請求項４】 金属膜が形成されたウェハーを研磨する
研磨装置において、 金属イオンを含有しない酸化剤を用いて金属を酸化する
手段と、 研磨粒子を含有する研磨剤を用いて酸化された金属膜を
除去する手段とを有するものであることを特徴とする研
磨装置。 - 【請求項５】 前記金属膜を酸化する酸化剤として気体
を用いたものであることを特徴とする請求項４に記載の
研磨装置。 - 【請求項６】 前記気体としてオゾンを用いたものであ
ることを特徴とする請求項４に記載の研磨装置。 - 【請求項７】 前記オゾンを半導体基板の表面に供給す
る際に、研磨装置に付属するオゾン発生器から研磨装置
の定盤上の研磨パッド開口部まで供給するラインの途中
にオゾン供給速度を増加させる圧力調整器を有すること
を特徴とする請求項４に記載の研磨装置。 - 【請求項８】 前記オゾンを半導体基板の表面に供給す
る際に、排気口を備えたユニット内で研磨粒子溶液供給
管とは別にオゾン発生器からのオゾンを研磨パッド表面
に供給するものであることを特徴とする請求項４に記載
の研磨装置。 - 【請求項９】 前記オゾンを半導体基板の表面に供給す
る際に、研磨粒子溶液供給管の途中でオゾン発生器から
オゾンを供給し、研磨粒子溶液と混合して研磨装置の定
盤上の研磨パッドまで供給するものであることを特徴と
する請求項４に記載の研磨装置。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09236034A JP3107009B2 (ja) | 1997-09-01 | 1997-09-01 | 金属膜の研磨方法及び研磨装置 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP09236034A JP3107009B2 (ja) | 1997-09-01 | 1997-09-01 | 金属膜の研磨方法及び研磨装置 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH1187285A JPH1187285A (ja) | 1999-03-30 |
| JP3107009B2 true JP3107009B2 (ja) | 2000-11-06 |
Family
ID=16994788
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP09236034A Expired - Fee Related JP3107009B2 (ja) | 1997-09-01 | 1997-09-01 | 金属膜の研磨方法及び研磨装置 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP3107009B2 (ja) |
Families Citing this family (6)
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|---|---|---|---|---|
| DE19842709A1 (de) * | 1998-09-17 | 2000-03-30 | Siemens Ag | Polierflüssigkeit zum Polieren von Bauelementen, vorzugsweise Wafern, insbesondere zum Chemisch-Mechanischen Polieren derartiger Bauelemente |
| US6267142B1 (en) * | 1999-06-25 | 2001-07-31 | Lam Research Corporation | Fluid delivery stablization for wafer preparation systems |
| US6756308B2 (en) | 2001-02-13 | 2004-06-29 | Ekc Technology, Inc. | Chemical-mechanical planarization using ozone |
| KR20030010069A (ko) * | 2001-07-25 | 2003-02-05 | 최성필 | 오존수를 갖는 슬러리가 공급되는 연마장치 |
| JP4510362B2 (ja) * | 2001-11-30 | 2010-07-21 | 俊郎 土肥 | Ｃｍｐ装置およびｃｍｐ方法 |
| CN102694119B (zh) * | 2011-03-22 | 2014-07-23 | 中芯国际集成电路制造(上海)有限公司 | 用于制造相变随机存储器的方法 |
-
1997
- 1997-09-01 JP JP09236034A patent/JP3107009B2/ja not_active Expired - Fee Related
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| Publication number | Publication date |
|---|---|
| JPH1187285A (ja) | 1999-03-30 |
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Legal Events
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|---|---|---|---|
| LAPS | Cancellation because of no payment of annual fees |