JPH10189728A - 層間配線の形成方法 - Google Patents
層間配線の形成方法Info
- Publication number
- JPH10189728A JPH10189728A JP35055796A JP35055796A JPH10189728A JP H10189728 A JPH10189728 A JP H10189728A JP 35055796 A JP35055796 A JP 35055796A JP 35055796 A JP35055796 A JP 35055796A JP H10189728 A JPH10189728 A JP H10189728A
- Authority
- JP
- Japan
- Prior art keywords
- polishing
- mechanical polishing
- chemical mechanical
- insulating layer
- interlayer insulating
- Prior art date
- Legal status (The legal status is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the status listed.)
- Pending
Links
Landscapes
- Electrodes Of Semiconductors (AREA)
- Internal Circuitry In Semiconductor Integrated Circuit Devices (AREA)
- Mechanical Treatment Of Semiconductor (AREA)
Abstract
(57)【要約】
【課題】 良好な層間配線を得ることを目的とする。
【解決手段】 層間絶縁層に接続孔を穿設した後、この
層間絶縁層上より接続金属膜を堆積し、その後この接続
金属膜を研磨する第１の化学的機械研磨を行い、次にこ
の層間絶縁層を研磨する第２の化学的機械研磨を行うよ
うにしたものである。
層間絶縁層上より接続金属膜を堆積し、その後この接続
金属膜を研磨する第１の化学的機械研磨を行い、次にこ
の層間絶縁層を研磨する第２の化学的機械研磨を行うよ
うにしたものである。
Description
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は例えば半導体装置の
多層配線の層間配線を行うのに適用して好適な層間配線
の形成方法に関する。
多層配線の層間配線を行うのに適用して好適な層間配線
の形成方法に関する。
【０００２】
【従来の技術】近年、半導体装置においては大容量化を
図るため多層配線技術が用いられている。従来、この半
導体装置の多層配線の層間配線を行うのに、ＳｉＯ2 等
の層間絶縁層に接続孔を穿設し、この層間絶縁層上の全
面及び接続孔内に下地金属層をスパッタ法又はＣＶＤ法
により被着する。
図るため多層配線技術が用いられている。従来、この半
導体装置の多層配線の層間配線を行うのに、ＳｉＯ2 等
の層間絶縁層に接続孔を穿設し、この層間絶縁層上の全
面及び接続孔内に下地金属層をスパッタ法又はＣＶＤ法
により被着する。
【０００３】次にこの下地金属層上にチタン、窒化チタ
ン、タングステン等の金属例えばタングステンをスパッ
タ法又はＣＶＤ法により堆積してタングステン膜（接続
金属膜）を形成し、その後ドライエッチングである反応
性イオンエッチング（ＲＩＥ）によるエッチバックをこ
の層間絶縁層まで行い、このときこの層間絶縁層の接続
孔内に残ったタングステン膜（接続金属膜（金属プラ
グ））により層間の接続を行う如くしていた。
ン、タングステン等の金属例えばタングステンをスパッ
タ法又はＣＶＤ法により堆積してタングステン膜（接続
金属膜）を形成し、その後ドライエッチングである反応
性イオンエッチング（ＲＩＥ）によるエッチバックをこ
の層間絶縁層まで行い、このときこの層間絶縁層の接続
孔内に残ったタングステン膜（接続金属膜（金属プラ
グ））により層間の接続を行う如くしていた。
【０００４】
【発明が解決しようとする課題】しかし、従来のエッチ
バックプロセスでは、この接続金属膜例えばタングステ
ン膜と下地金属層との界面付近にて、タングステン膜に
対する反応種がタングステン膜の減少に伴いプラズマ中
に過剰に存在するようになる。
バックプロセスでは、この接続金属膜例えばタングステ
ン膜と下地金属層との界面付近にて、タングステン膜に
対する反応種がタングステン膜の減少に伴いプラズマ中
に過剰に存在するようになる。
【０００５】この反応種が接続孔内のタングステン膜
（接続金属膜）をエッチングし、このタングステン膜の
フラグロス及び下地金属層のトレンチングが発生する。
このプラグロス及びトレンチングの発生した接続孔に上
層配線を形成すると、このタングステン膜より成るタン
グステンプラグ上の上層配線部であるアルミ膜に凹みが
発生する。
（接続金属膜）をエッチングし、このタングステン膜の
フラグロス及び下地金属層のトレンチングが発生する。
このプラグロス及びトレンチングの発生した接続孔に上
層配線を形成すると、このタングステン膜より成るタン
グステンプラグ上の上層配線部であるアルミ膜に凹みが
発生する。
【０００６】この接続孔の開口径の微細化が進むに連れ
開口径にこのプラグロスの量の比（アスペクト比）は増
大し、この配線を構成するアルミ膜の凹みが進行し、こ
の上層配線の更に上層を構成する層間絶縁膜の平坦性に
支障をきたすことになり、従来のエッチバック技術では
信頼性が取れなくなる問題が生じている。
開口径にこのプラグロスの量の比（アスペクト比）は増
大し、この配線を構成するアルミ膜の凹みが進行し、こ
の上層配線の更に上層を構成する層間絶縁膜の平坦性に
支障をきたすことになり、従来のエッチバック技術では
信頼性が取れなくなる問題が生じている。
【０００７】最近、上述問題を解決する手段としてこの
接続金属膜の化学的機械研磨（Chemical Mechanical Po
lishing(ＣＭＰ））技術が注目されている。従来のこの
金属膜のＣＭＰ法は１つの研磨板（プラテン）で研磨粉
（スラリー）を用いて研磨した後に洗浄する方法である
が、このＣＭＰ法を使用したときは以下のような問題が
発生する。
接続金属膜の化学的機械研磨（Chemical Mechanical Po
lishing(ＣＭＰ））技術が注目されている。従来のこの
金属膜のＣＭＰ法は１つの研磨板（プラテン）で研磨粉
（スラリー）を用いて研磨した後に洗浄する方法である
が、このＣＭＰ法を使用したときは以下のような問題が
発生する。
【０００８】この問題点の１つ目は、半導体ウェーハの
全面にスラリーが起因とみられる多量のダストが発生す
ること及びこの半導体ウェーハ上の傷（スクラッチ）が
発生することである。
全面にスラリーが起因とみられる多量のダストが発生す
ること及びこの半導体ウェーハ上の傷（スクラッチ）が
発生することである。
【０００９】この問題点の２つ目は、アライメントマー
ク等の大面積の部分にスラリーの残留物が堆積されてい
たり、大面積部分の周辺部において、この金属膜が過剰
に研磨されて（ディッシング）、段差がなくなってしま
い、これにより上層配線のパターン形成においての合わ
せが困難となる。
ク等の大面積の部分にスラリーの残留物が堆積されてい
たり、大面積部分の周辺部において、この金属膜が過剰
に研磨されて（ディッシング）、段差がなくなってしま
い、これにより上層配線のパターン形成においての合わ
せが困難となる。
【００１０】更にスラリーが起因とみられる重金属汚染
が懸念される。
が懸念される。
【００１１】本発明は斯る点に鑑み良好な層間配線を得
ることを目的とする。
ることを目的とする。
【００１２】
【課題を解決するための手段】本発明層間配線の形成方
法は層間絶縁層に接続孔を穿設した後、この層間絶縁層
上より接続金属膜を堆積し、その後この接続金属膜を研
磨する第１の化学的機械研磨を行い、次にこの層間絶縁
層を研磨する第２の化学的機械研磨を行うようにしたも
のである。
法は層間絶縁層に接続孔を穿設した後、この層間絶縁層
上より接続金属膜を堆積し、その後この接続金属膜を研
磨する第１の化学的機械研磨を行い、次にこの層間絶縁
層を研磨する第２の化学的機械研磨を行うようにしたも
のである。
【００１３】本発明によれば接続金属膜を研磨する第１
の化学的機械研磨を行い、次にこの層間絶縁層を研磨す
る第２の化学的機械研磨を行うようにしているので、半
導体ウェーハ表面にみられる多量のダスト及びスクラッ
チの発生を抑制でき良好な層間配線を得ることができ
る。
の化学的機械研磨を行い、次にこの層間絶縁層を研磨す
る第２の化学的機械研磨を行うようにしているので、半
導体ウェーハ表面にみられる多量のダスト及びスクラッ
チの発生を抑制でき良好な層間配線を得ることができ
る。
【００１４】本発明によれば、層間絶縁層を研磨する第
２の化学的機械研磨を行っているので、これによりアラ
イメントマーク等の大面積部分に堆積されるスラリーの
残留物が除去され、更にこの層間絶縁層が研磨されるこ
とにより、接続孔内の接続金属膜（金属プラグ）が凸状
段差となって残り、上層配線パターン形成時の合わせが
容易に行うことができる。
２の化学的機械研磨を行っているので、これによりアラ
イメントマーク等の大面積部分に堆積されるスラリーの
残留物が除去され、更にこの層間絶縁層が研磨されるこ
とにより、接続孔内の接続金属膜（金属プラグ）が凸状
段差となって残り、上層配線パターン形成時の合わせが
容易に行うことができる。
【００１５】また本発明によれば、層間絶縁層を研磨す
る第２の化学的機械研磨を行っているので、この層間絶
縁層上のスラリーの付着及び重金属汚染されている最表
面が研磨され、この研磨後に汚染除去のために行う洗浄
を容易にする。
る第２の化学的機械研磨を行っているので、この層間絶
縁層上のスラリーの付着及び重金属汚染されている最表
面が研磨され、この研磨後に汚染除去のために行う洗浄
を容易にする。
【００１６】
【発明の実施の形態】以下図面を参照して本発明層間配
線の形成方法の一実施例につき説明しよう。
線の形成方法の一実施例につき説明しよう。
【００１７】本例においては、図１に示す如く、例えば
トランジスタ等が集積形成されたシリコン基板１上に所
定厚の例えばＳｉＯ2 等より成る層間絶縁層２を形成す
る。この層間絶縁層２の所定位置にこの上層の配線と下
層の配線とを接続するための接続孔３を穿設する。
トランジスタ等が集積形成されたシリコン基板１上に所
定厚の例えばＳｉＯ2 等より成る層間絶縁層２を形成す
る。この層間絶縁層２の所定位置にこの上層の配線と下
層の配線とを接続するための接続孔３を穿設する。
【００１８】その後、この層間絶縁層２上の全面及び接
続孔３内に下地金属層４をスパッタ法又はＣＶＤ法によ
り被着する。次にこの下地金属層４上及び接続孔３内に
接続金属例えばタングステンをスパッタ法又はＣＶＤ法
により堆積してタングステン膜（接続金属膜）を形成す
る。
続孔３内に下地金属層４をスパッタ法又はＣＶＤ法によ
り被着する。次にこの下地金属層４上及び接続孔３内に
接続金属例えばタングステンをスパッタ法又はＣＶＤ法
により堆積してタングステン膜（接続金属膜）を形成す
る。
【００１９】次に例えば図４に示す如き化学的機械研磨
装置を使用して、このタングステン膜５及び下地金属層
４を研磨する第１の化学的機械研磨を行う。
装置を使用して、このタングステン膜５及び下地金属層
４を研磨する第１の化学的機械研磨を行う。
【００２０】ここで、図４の化学的機械研磨装置につき
説明する。この化学的機械研磨装置は研磨布１１が張設
されたプラテン１２と、この研磨布１１上にスラリー
（研磨剤）１３を供給するスラリー供給手段１４と、半
導体ウェーハ１５を密着保持するキャリア１６とより構
成されるものである。
説明する。この化学的機械研磨装置は研磨布１１が張設
されたプラテン１２と、この研磨布１１上にスラリー
（研磨剤）１３を供給するスラリー供給手段１４と、半
導体ウェーハ１５を密着保持するキャリア１６とより構
成されるものである。
【００２１】このプラテン１２はその中心に設けられた
軸１２ｓを介して図示しないモータに接続され、矢印Ａ
方向に回転するようになされている。またキャリア１６
は、その中心に設けられた軸１６ｓを介して図示しない
駆動機構に接続され、矢印Ｂ方向に回転可能となされる
と共に、矢印Ｃ方向にも移動可能となされ、半導体ウェ
ーハ１５を研磨布１１に摺接、離間させることができる
ようになされている。
軸１２ｓを介して図示しないモータに接続され、矢印Ａ
方向に回転するようになされている。またキャリア１６
は、その中心に設けられた軸１６ｓを介して図示しない
駆動機構に接続され、矢印Ｂ方向に回転可能となされる
と共に、矢印Ｃ方向にも移動可能となされ、半導体ウェ
ーハ１５を研磨布１１に摺接、離間させることができる
ようになされている。
【００２２】この化学的機械研磨装置によって研磨を行
うときは、先ずキャリア１６に半導体ウェーハ１５を保
持させた状態にて回転させる。またプラテン１２を回転
させながらスラリー供給手段１４よりスラリー１３を研
磨布１１上に供給する。そして、このスラリー１３を介
して半導体ウェーハ１５の被研磨面と研磨布１１とを摺
動させることによって、この半導体ウェーハ１５を研磨
する。
うときは、先ずキャリア１６に半導体ウェーハ１５を保
持させた状態にて回転させる。またプラテン１２を回転
させながらスラリー供給手段１４よりスラリー１３を研
磨布１１上に供給する。そして、このスラリー１３を介
して半導体ウェーハ１５の被研磨面と研磨布１１とを摺
動させることによって、この半導体ウェーハ１５を研磨
する。
【００２３】このとき、半導体ウェーハ１５は、キャリ
ア１６の回転により自転しながら、プラテン１２の回転
により公転するため、この半導体ウェーハ１５の被研磨
面のある点が研磨布１１上に描く軌跡は自公転軌跡とな
り、高度に均一な研磨が可能である。
ア１６の回転により自転しながら、プラテン１２の回転
により公転するため、この半導体ウェーハ１５の被研磨
面のある点が研磨布１１上に描く軌跡は自公転軌跡とな
り、高度に均一な研磨が可能である。
【００２４】本例においては上述の如き化学的機械研磨
装置を使用して、半導体ウェーハ１５即ちシリコン基板
１上のタングステン膜５及び下地金属層４を研磨する第
１の化学的機械研磨を行う。このタングステン膜５及び
下地金属層４を研磨する第１の化学的機械研磨には主に
過水系又は硝酸鉄系のどちらかのスラリー１３を用い。
この各スラリーを用いたときの第１の化学的機械研磨の
条件例は以下の通りである。
装置を使用して、半導体ウェーハ１５即ちシリコン基板
１上のタングステン膜５及び下地金属層４を研磨する第
１の化学的機械研磨を行う。このタングステン膜５及び
下地金属層４を研磨する第１の化学的機械研磨には主に
過水系又は硝酸鉄系のどちらかのスラリー１３を用い。
この各スラリーを用いたときの第１の化学的機械研磨の
条件例は以下の通りである。
【００２５】スラリー１３として過水系を用いたときの
条件例は以下の通りである。 プラテン１２の回転速度 ５０ｒｐｍ／ｍｉｎ キャリア１６の回転速度 ４０ｒｐｍ／ｍｉｎ 下方圧力 ７．０ｐｓｉ バック圧力 １．０ｐｓｉ プラテン温度 約２５℃ 振動 １５０−１４０ｍｍ，２
ｍｍ／ｓｅｃ スラリー流レート ２００ｃｃ／ｍｉｎ
条件例は以下の通りである。 プラテン１２の回転速度 ５０ｒｐｍ／ｍｉｎ キャリア１６の回転速度 ４０ｒｐｍ／ｍｉｎ 下方圧力 ７．０ｐｓｉ バック圧力 １．０ｐｓｉ プラテン温度 約２５℃ 振動 １５０−１４０ｍｍ，２
ｍｍ／ｓｅｃ スラリー流レート ２００ｃｃ／ｍｉｎ
【００２６】スラリー１３として硝酸鉄系を用いたとき
の条件例は以下の通りである。 プラテン１２の回転速度 ５０ｒｐｍ／ｍｉｎ キャリア１６の回転速度 ４０ｒｐｍ／ｍｉｎ 下方圧力 ５．０ｐｓｉ バック圧力 ３．５ｐｓｉ プラテン温度 約２５℃ 振動 １５０−１４０ｍｍ，２
ｍｍ／ｓｅｃ スラリー流レート ２８０ｃｃ／ｍｉｎ
の条件例は以下の通りである。 プラテン１２の回転速度 ５０ｒｐｍ／ｍｉｎ キャリア１６の回転速度 ４０ｒｐｍ／ｍｉｎ 下方圧力 ５．０ｐｓｉ バック圧力 ３．５ｐｓｉ プラテン温度 約２５℃ 振動 １５０−１４０ｍｍ，２
ｍｍ／ｓｅｃ スラリー流レート ２８０ｃｃ／ｍｉｎ
【００２７】この第１の化学的機械研磨を図２に示す如
くタングステン膜５及び下地金属４が研磨され、この層
間絶縁層２が露呈するまで行う。
くタングステン膜５及び下地金属４が研磨され、この層
間絶縁層２が露呈するまで行う。
【００２８】この第１の化学的機械研磨の終了時は図２
に示す如く、その表面に多量のダスト７が発生すると共
にスクラッチが発生する。またこの表面にスラリー１３
が起因する重金属汚染が生じる。
に示す如く、その表面に多量のダスト７が発生すると共
にスクラッチが発生する。またこの表面にスラリー１３
が起因する重金属汚染が生じる。
【００２９】本例においては、次に連続して、例えばＳ
ｉＯ2 等より成る層間絶縁層２を研磨する第２の化学的
機械研磨を図４に示す如き、化学的機械研磨装置により
行う。この場合層間絶縁層２を約５０〜１００ｎｍ研磨
する如くする。
ｉＯ2 等より成る層間絶縁層２を研磨する第２の化学的
機械研磨を図４に示す如き、化学的機械研磨装置により
行う。この場合層間絶縁層２を約５０〜１００ｎｍ研磨
する如くする。
【００３０】この第２の化学的機械研磨には主にシリカ
系のスラリー１３を用いる。この第２の化学的機械研磨
の層間絶縁層２を研磨する条件例は以下の通りである。
系のスラリー１３を用いる。この第２の化学的機械研磨
の層間絶縁層２を研磨する条件例は以下の通りである。
【００３１】 プラテン１２の回転速度 ２０ｒｐｍ／ｍｉｎ キャリア１６の回転速度 ２０ｒｐｍ／ｍｉｎ 下方圧力 ３．０ｐｓｉ バック圧力 ０ｐｓｉ プラテン温度 室温 振動 １４０−１４５ｍｍ，２
ｍｍ／ｓｅｃ スラリー流レート １５０ｃｃ／ｍｉｎ
ｍｍ／ｓｅｃ スラリー流レート １５０ｃｃ／ｍｉｎ
【００３２】この第２の化学的機械研磨は層間絶縁層２
は研磨されるが比較的固いタングステン膜５は研磨され
にくく、この研磨後は図３に示す如くであった。
は研磨されるが比較的固いタングステン膜５は研磨され
にくく、この研磨後は図３に示す如くであった。
【００３３】即ち本例によれば、タングステン膜５及び
下地金属層４を研磨する第１の化学的機械研磨を行った
後に連続して、層間絶縁層２を研磨する第２の化学的機
械研磨を行うようにしているので表面にみられる多量の
ダスト及びスクラッチの発生を抑制でき良好な層間配線
ができる利益がある。
下地金属層４を研磨する第１の化学的機械研磨を行った
後に連続して、層間絶縁層２を研磨する第２の化学的機
械研磨を行うようにしているので表面にみられる多量の
ダスト及びスクラッチの発生を抑制でき良好な層間配線
ができる利益がある。
【００３４】また本例によれば層間絶縁層２を研磨する
第２の化学的機械研磨を行っているので、これによりア
ライメントマーク等の大面積部分に堆積されるスラリー
１３の残留物が除去され、更にこの層間絶縁層２が研磨
されることにより接続孔３内のタングステン膜（タング
ステンプラグ）５が図３に示す如く凸状段差となって残
り、上層配線パターン形成時の合わせが容易に行うこと
ができる利益がある。
第２の化学的機械研磨を行っているので、これによりア
ライメントマーク等の大面積部分に堆積されるスラリー
１３の残留物が除去され、更にこの層間絶縁層２が研磨
されることにより接続孔３内のタングステン膜（タング
ステンプラグ）５が図３に示す如く凸状段差となって残
り、上層配線パターン形成時の合わせが容易に行うこと
ができる利益がある。
【００３５】また本例によれば、層間絶縁層２を研磨す
る第２の化学的機械研磨を行っているので、この層間絶
縁層２上のスラリーの付着及び重金属汚染されている最
表面が研磨され、この研磨後の汚染除去のために行う洗
浄を容易にできる利益がある。
る第２の化学的機械研磨を行っているので、この層間絶
縁層２上のスラリーの付着及び重金属汚染されている最
表面が研磨され、この研磨後の汚染除去のために行う洗
浄を容易にできる利益がある。
【００３６】尚、上述実施例においては、接続金属とし
てタングステンを使用した例につきのへたが、この代わ
りにチタン、窒化チタン等の金属が使用できることは勿
論である。
てタングステンを使用した例につきのへたが、この代わ
りにチタン、窒化チタン等の金属が使用できることは勿
論である。
【００３７】本発明は上述実施例に限ることなく本発明
の要旨を逸脱することなく、その他種々の構成が採り得
ることは勿論である。
の要旨を逸脱することなく、その他種々の構成が採り得
ることは勿論である。
【００３８】
【発明の効果】本発明によれば接続金属膜を研磨する第
１の化学的機械研磨を行い、次にこの層間絶縁層を研磨
する第２の化学的機械研磨を行うようにしているので半
導体ウェーハ表面にみられる多量のダスト及びスクラッ
チ発生を抑制でき良好な層間配線ができる利益がある。
１の化学的機械研磨を行い、次にこの層間絶縁層を研磨
する第２の化学的機械研磨を行うようにしているので半
導体ウェーハ表面にみられる多量のダスト及びスクラッ
チ発生を抑制でき良好な層間配線ができる利益がある。
【００３９】本発明によれば、層間絶縁層を研磨する第
２の化学的機械研磨を行っているので、これによりアラ
イメントマーク等の大面積部分に堆積されるスラリーの
残留物が除去され、更にこの層間絶縁層が研磨されるこ
とにより、接続孔内の接続金属膜（金属プラグ）が凸状
段差となって残り、上層配線パターン形成時の合わせが
容易に行うことができる利益がある。
２の化学的機械研磨を行っているので、これによりアラ
イメントマーク等の大面積部分に堆積されるスラリーの
残留物が除去され、更にこの層間絶縁層が研磨されるこ
とにより、接続孔内の接続金属膜（金属プラグ）が凸状
段差となって残り、上層配線パターン形成時の合わせが
容易に行うことができる利益がある。
【００４０】また本発明によれば、層間絶縁層を研磨す
る第２の化学的機械研磨を行っているので、この層間絶
縁層上のスラリーの付着及び重金属汚染されている最表
面が研磨され、この研磨後に汚染除去のために行う洗浄
を容易にする。
る第２の化学的機械研磨を行っているので、この層間絶
縁層上のスラリーの付着及び重金属汚染されている最表
面が研磨され、この研磨後に汚染除去のために行う洗浄
を容易にする。
【図１】本発明層間配線の形成方法の一実施例の説明に
供する断面図である。
供する断面図である。
【図２】図１を第１の化学的機械研磨した状態を示す断
面図である。
面図である。
【図３】図２を第２の化学的機械研磨した状態を示す断
面図である。
面図である。
【図４】化学的機械研磨装置の例を示す側面図である。
１ シリコン基板、２ 層間絶縁層、３ 接続孔、４
下地金属層、５ タングステン膜、１１ 研磨布、１２
プラテン、１３ スラリー、１４ スラリー供給手
段、１５ 半導体ウェーハ、１６ キャリア
下地金属層、５ タングステン膜、１１ 研磨布、１２
プラテン、１３ スラリー、１４ スラリー供給手
段、１５ 半導体ウェーハ、１６ キャリア
Claims (2)
- 【請求項１】 層間絶縁層に接続孔を穿設した後、前記
層間絶縁層上より接続金属膜を堆積し、その後前記接続
金属膜を研磨する第１の化学的機械研磨を行い、次に前
記層間絶縁層を研磨する第２の化学的機械研磨を行うよ
うにしたことを特徴とする層間配線の形成方法。 - 【請求項２】 請求項１記載の層間配線の形成方法にお
いて、前記第２の化学的機械研磨により前記層間絶縁層
を研磨して前記接続金属膜が凸状となる段差をつけたこ
とを特徴とする層間配線の形成方法。
Priority Applications (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35055796A JPH10189728A (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | 層間配線の形成方法 |
Applications Claiming Priority (1)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| JP35055796A JPH10189728A (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | 層間配線の形成方法 |
Publications (1)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| JPH10189728A true JPH10189728A (ja) | 1998-07-21 |
Family
ID=18411307
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| JP35055796A Pending JPH10189728A (ja) | 1996-12-27 | 1996-12-27 | 層間配線の形成方法 |
Country Status (1)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JPH10189728A (ja) |
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100595141B1 (ko) | 2004-12-31 | 2006-06-30 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 화학적 기계적 연마 공정에서 유발된 표면 긁힘을제거하기 위한 반도체 소자의 제조 방법 |
-
1996
- 1996-12-27 JP JP35055796A patent/JPH10189728A/ja active Pending
Cited By (1)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| KR100595141B1 (ko) | 2004-12-31 | 2006-06-30 | 동부일렉트로닉스 주식회사 | 화학적 기계적 연마 공정에서 유발된 표면 긁힘을제거하기 위한 반도체 소자의 제조 방법 |
Similar Documents
| Publication | Publication Date | Title |
|---|---|---|
| US6423640B1 (en) | Headless CMP process for oxide planarization | |
| US5779521A (en) | Method and apparatus for chemical/mechanical polishing | |
| US5913712A (en) | Scratch reduction in semiconductor circuit fabrication using chemical-mechanical polishing | |
| JP2800802B2 (ja) | 半導体ウェハーのｃｍｐ装置 | |
| US6720265B2 (en) | Composition compatible with aluminum planarization and methods therefore | |
| JPH10286756A (ja) | 研磨パッドのドレッシング方法、ポリッシング装置及び半導体装置の製造方法 | |
| JP2000183004A (ja) | 半導体の化学機械研摩プロセス中の金属除去レ―トを増大させる方法及びｃｍｐ方法 | |
| US6468135B1 (en) | Method and apparatus for multiphase chemical mechanical polishing | |
| US7012025B2 (en) | Tantalum removal during chemical mechanical polishing | |
| JPH04352323A (ja) | メタルプラグ形成方法及び配線形成方法 | |
| JP2870537B1 (ja) | 研磨装置及び該装置を用いる半導体装置の製造方法 | |
| JPH09186116A (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 | |
| JP2001135605A (ja) | 半導体装置の製造方法 | |
| JPH11256141A (ja) | 研磨スラリーおよび研磨方法 | |
| TW200408504A (en) | Method for reducing delamination during chemical mechanical polishing | |
| JPH09139368A (ja) | 化学的機械研磨方法 | |
| US6517416B1 (en) | Chemical mechanical polisher including a pad conditioner and a method of manufacturing an integrated circuit using the chemical mechanical polisher | |
| US7125321B2 (en) | Multi-platen multi-slurry chemical mechanical polishing process | |
| JPH10189728A (ja) | 層間配線の形成方法 | |
| JP3107009B2 (ja) | 金属膜の研磨方法及び研磨装置 | |
| JP3255095B2 (ja) | 研磨液および研磨方法 | |
| JP3192346B2 (ja) | 半導体装置の製造方法及び半導体製造装置 | |
| JPH07221054A (ja) | 研磨方法 | |
| US20010002335A1 (en) | Chemical mechanical polishing methods using low ph slurrymixtures | |
| JPH05146969A (ja) | 半導体基板上に形成された誘電体層を研磨する装置 |