JPH09139368A - 化学的機械研磨方法 - Google Patents

化学的機械研磨方法

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JPH09139368A
JPH09139368A JP32100595A JP32100595A JPH09139368A JP H09139368 A JPH09139368 A JP H09139368A JP 32100595 A JP32100595 A JP 32100595A JP 32100595 A JP32100595 A JP 32100595A JP H09139368 A JPH09139368 A JP H09139368A
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chemical mechanical
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淳一 佐藤
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    • C09K3/14—Anti-slip materials; Abrasives
    • C09K3/1454—Abrasive powders, suspensions and pastes for polishing
    • C09K3/1463—Aqueous liquid suspensions

Abstract

(57)【要約】 【課題】 加工表面の平坦性や不純物金属レベルが悪い
等の問題を発生させずに研磨速度を向上させる。 【解決手段】 基板１０１上に形成された少なくとも１
層以上の薄膜１０４を平坦化する為の化学的機械研磨方
法に於て、サイアロンを主成分とする研磨粒子を使用す
る。或いはベーマイトを主成分とする研磨粒子を使用す
る。

Description

【発明の詳細な説明】
【０００１】
【発明の属する技術分野】本発明は化学的機械研磨方法
に関し、詳しくは基板（ウェハー）上に形成された少な
くとも１層以上の薄膜を平坦化する為の化学的機械研磨
方法に関する。本発明は、特に半導体装置の製造過程に
おける多層配線の形成に好適で、とりわけ、高い信頼性
が要求される層間絶縁膜の平坦化やメタルプラグの形
成、例えば、高度に微細化・高集積化されたメモリー素
子や論理演算素子等の多層配線の形成に好適である。
【０００２】
【従来の技術】デバイスの高密度化に伴って、配線技術
は益々微細化、多層化の方向に進んでいる。半導体集積
回路の製造プロセスにおける多層配線技術の占める比重
はますます大きくなりつつある。しかし、一方でこの多
層化は、新たな問題を惹き起こしている。即ち、配線の
微細化と多層化の進展によって層間絶縁膜の段差は大き
く且つ急峻となって来ており、そのことが、その上に形
成される配線の加工精度、信頼性を低下させる原因にな
っている。
【０００３】Ａl （アルミニウム）配線の段差被覆性の
大幅な改善は現在のところ難しい。このため上記配線の
加工精度、信頼性を担保しておく為には、層間絶縁膜の
平坦性を向上させる必要がある。また、層間絶縁膜の平
坦性の向上は、リソグラフィーの短波長化に伴う焦点深
度の低下を補う点からも重要になりつつある。これが向
上できれば、限界まで来ていると言われる解像度を保持
することも可能になる。
【０００４】これまでに、各種の絶縁膜の形成技術及び
平坦化技術が開発されてきた。しかし微細化、多層化し
た配線層にこれらを適用した場合、配線間隔が広い場合
の平坦化が不足したり、配線間隔に於ける層間膜での
“す”の発生による配線間における接続不良等が発生
し、これも重要な問題になっている。そこで、この問題
を改善する手段として最近、化学的機械研磨法（以下
「ＣＭＰ」とも言う。）を応用して、層間絶縁膜をグロ
ーバル平坦化する技術が実行、または検討されている。
この方法は、従来シリコン基板のミラーポリッシュに用
いられて来たものである。
【０００５】この方法は確実に層間絶縁膜を完全平坦化
できる方法として有望視されている。この方法では、研
磨プレート上に研磨布を載置し、その上にスラリーを供
給しながら研磨プレートを回転させ、キャリアにセット
した基板を、これ自身も回転させながら研磨布に押圧
し、基板表面の絶縁膜を研磨する。このとき、絶縁膜を
エッチングする意味でＫＯＨなどを添加し、塩基性雰囲
気でこの処理を行なう。実際にはこの化学的機械研磨の
あと洗浄が行なわれ、スラリー等が十分除去されて平坦
化が完成する。
【０００６】
【発明が解決しようとする課題】しかし、この方法にも
また解決すべき問題点がある。それは加工速度、言い替
えれば、研磨速度が依然として低いことであり、せいぜ
い100nm/min 位の研磨速度しか得られないことである。
このことは、今後のＣＭＰを使うプロセスに於て、生産
性が上がらず、ひいてはコストアップをもたらすという
問題を含んでいる。その為、最近セリウムベース、具体
的には酸化セリウムをスラリーとして用いることが提案
されている。この方法は確かに従来のシリカスラリーに
比べ３〜４倍の研磨速度が得られると期待されている。
しかし、その一方で加工表面の平坦性や不純物金属レベ
ルが悪いという問題があり、期待どおりの結果は得られ
ていない。
【０００７】本発明はこのような課題を解決すべく為さ
れたものであり、とりわけ、従来のスラリーのように、
加工表面の平坦性や不純物金属レベルが悪い等の問題を
発生させずに研磨速度を向上させることが可能な化学的
機械研磨方法を提供せんとするものである。
【０００８】
【課題を解決するための手段】この目的達成のため本発
明では、基板上に形成された少なくとも１層以上の薄膜
を平坦化する為の化学的機械研磨方法に於て、サイアロ
ンを主成分とする研磨粒子を使用する。また同じく基板
上に形成された少なくとも１層以上の薄膜を平坦化する
為の化学的機械研磨方法に於て、ベーマイトを主成分と
する研磨粒子を使用する。
【０００９】従来の研磨粒子はシリカベースを用いてい
る。基板上に形成される薄膜は通常Ｓi Ｏ2 である。こ
れをシリカベースのスラリーで研磨するということは、
ＳiＯ2 をＳi Ｏ2 で研磨する、即ち被研磨物を同じ物
質で研磨していることに他ならない。これでは物理的作
用でこれ以上の研磨速度を得ることが難しい。本発明で
はサイアロン或いはベーマイトを研磨粒子の主成分とす
る。これを含んだスラリーで化学的機械研磨を行なう。
サイアロン或いはベーマイトはＳi Ｏ2 より硬度が高
い。このような物質を主成分としてスラリーを構成して
おけば、化学的機械研磨の際、化学的作用に加えて、研
磨粒子自身に依る物理的作用でも研磨が進む。これによ
り従来の化学的機械研磨方法より研磨速度が大きくな
る。恰も、反応性イオンエッチングに於て、ラジカルの
化学的作用に加え、イオンの衝撃作用がエッチング速度
を大きくしているが如きにである。
【００１０】
【発明の実施の形態】以下に本発明の詳細を説明する。
図３に本発明を実施する為の研磨装置の一例を概略で示
す。プラテンと呼ばれる研磨プレート３は、シャフト４
を軸として回転する。研磨プレート３上には、パッドと
呼ばれる研磨布９が載置されており、その上にスラリー
供給系１０が配置されていて、ここにスラリー２が貯蔵
されている。このスラリー２がスラリー供給口１から研
磨布９上に供給される。
【００１１】キャリア６には基板５が取着されている。
キャリア６もシャフト７を軸にして回転し、これに取着
された基板５は、回転しながら研磨プレート３に押圧さ
れる。研磨プレート３やキャリア６の回転数、研磨圧力
調整器８の圧力やスラリー２の供給量などが調整され研
磨が行なわれる。なおこれらはあくまでも一例で、基板
載置の方法、プラテン、キャリアの数や構成およびパッ
ドの構造など、この例示によって本発明が限定されると
いうものではない。以下に具体的実施例を挙げる。
【００１２】
【実施例１】本実施例は、Ａl 配線層間を例に採り、絶
縁膜を平坦化した場合である。図１（Ａ）に示したよう
に、シリコン等からなる半導体基板１０１上に酸化シリ
コン等からなる第一の層間絶縁膜１０２及びＡl 配線層
１０３を形成し、更に第二の層間膜１０４が形成された
基板を用意した。これらは全て通常の方法で行った。
【００１３】次に図３に示す研磨装置を用いて以下の条
件で第二の層間膜１０４の化学的機械研磨を行なった。 研磨プレート回転数 ： 50 rpm キャリア回転数 ： 17 rpm 研磨圧力 ： 8 psi 研磨パッド温度 ： 30〜40℃ スラリー流量 ： 225ml/min この研磨条件は、絶縁膜の研磨条件として一般的なもの
である。ここでは塩基性の雰囲気で研磨を行なうため、
サイアロンで形成したスラリーをＫＯＨ／水／アルコー
ルに懸濁させたものを用いた。なお、サイアロンの研磨
粒子はＳi Ｈ4、Ｎ2 、Ｏ2 、Ａl(ＣＨ3)3 のガス系か
らプラズマＣＶＤで均一気相核成長が起り、微粒子が形
成出来るという条件で作製した。
【００１４】その結果、図１（Ｂ）に示したように平坦
化加工ができた。次に、基板表面の残留スラリーと汚染
をスピン洗浄器により除去した。用いた薬液はＳＣ-1と
希フッ酸をこの順で用い、最後に純水でリンスした。こ
のようにすれば、スラリーも汚染も問題のないレベルで
除去出来た。とりわけ、サイアロンの成分であるアルミ
ニウムの汚染が懸念されるところであったが、この洗浄
に依って、充分除去出来ていることがわかった。この実
施例では、従来のシリカベースのスラリーを用いた場合
に比較して、化学的機械研磨速度を２倍にすることが出
来た。平坦化形状も良好なものであった。
【００１５】
【実施例２】本実施例は、Ａl 配線層間を例に採り、金
属膜を平坦化した場合である。図２（Ａ）に示したよう
に、シリコン等からなる半導体基板２０１上に酸化シリ
コン等からなる第一の層間絶縁膜２０２及びＡl 配線層
２０３を形成し、更に第二の層間膜２０４を形成し、開
口部２０５を穿った後、ブランケットタングステン２０
６を前記開口部２０５に埋め込んだ基板を用意した。こ
れらは全て通常の方法で行った。
【００１６】次に図３に示す研磨装置を用いて以下の条
件で化学的機械研磨を行なった。 研磨プレート回転数 ： 50 rpm キャリア回転数 ： 17 rpm 研磨圧力 ： 10 psi 研磨パッド温度 ： 30〜40℃ スラリー流量 ： 225ml/min この研磨条件は膜の研磨条件としては一般的なものであ
る。ここでは酸性の雰囲気で研磨を行なうためサイアロ
ンで構成したスラリーを、希フッ酸／水／アルコールに
懸濁させたものを用いた。サイアロンの研磨粒子は実施
例１と同様に形成した。
【００１７】その結果、図２（Ｂ）に示したように平坦
化加工ができた。次に、基板表面の残留スラリーと汚染
をスピン洗浄器により除去した。用いた薬液はＳＣ-1と
希フッ酸をこの順で用い、最後に純水でリンスした。こ
のようにすれば、スラリーも汚染も問題のないレベルで
除去出来た。この実施例では、従来のシリカベースのス
ラリーを用いた場合に比較して、化学的機械研磨速度を
２．５倍にすることが出来た。プラグ２０７自身の平坦
化形状も良好なものであった。
【００１８】
【実施例３】本実施例も、Ａl 配線層間を例に採り、絶
縁膜を平坦化した場合である。ここではベーマイト（Ａ
l ＯＯＨ）を用いた。基板の形状は実施例１（図１）と
同様である。即ち図１（Ａ）に示すように、シリコン等
からなる半導体基板１０１上に酸化シリコン等からなる
第一の層間絶縁膜１０２及びＡl 配線層１０３を形成
し、更に第二の層間膜１０４が形成された基板を用意し
た。これらは全て通常の方法で行った。
【００１９】次に図３に示す研磨装置を用いて以下の条
件で第二の層間膜１０４の化学的機械研磨を行なった。 研磨プレート回転数 ： 50 rpm キャリア回転数 ： 17 rpm 研磨圧力 ： 8 psi 研磨パッド温度 ： 30〜40℃ スラリー流量 ： 225ml/min この研磨条件は絶縁膜の研磨条件としては一般的なもの
である。ここでは塩基性の雰囲気で研磨を行なうためベ
ーマイトで形成したスラリーを、ＫＯＨ／水／アルコー
ルに懸濁させたものを用いた。なお、ベーマイトの研磨
粒子はＡl の粒子を80℃の温水に浸漬させて作製した。
なお、必要に応じて、アルミン酸ナトリウムを温水に加
えるのも効果的である。
【００２０】その結果、図１（Ｂ）に示したように平坦
化加工ができた。次に、基板表面の残留スラリーと汚染
をスピン洗浄器により除去した。用いた薬液はＳＣ-1と
希フッ酸をこの順で用い、最後に純水でリンスした。こ
のようにすれば、スラリーも汚染も問題のないレベルで
除去出来た。とりわけ、ベーマイトの成分であるアルミ
ニウムの汚染が懸念されるところであったが、この洗浄
に依って、充分除去出来ていることがわかった。この実
施例では、従来のシリカベースのスラリーを用いた場合
に比較して、化学的機械研磨速度を１．５倍にすること
が出来た。平坦化形状も良好であった。
【００２１】尚、本発明は以上説明した３つの実施例に
限定されるものではなく本発明の主旨を逸脱しない範囲
内で構造、条件等を適宜変更して良い。勿論、ベーマイ
トベースのスラリーを用いて、タングステンプラグの平
坦化を図ることも可能である。
【００２２】
【発明の効果】以上説明したように本発明では、基板上
に形成された少なくとも１層以上の薄膜を化学的機械研
磨方法で平坦化するにあたり、サイアロンまたはベーマ
イトを主成分とする研磨粒子を使用することとした。こ
れにより、シリカをベースとする従来の方法に比し遥か
に早い研磨速度を実現することが出来、例えば超ＬＳＩ
等を信頼性の良いプロセスで生産性良く製造することが
できる。また層間絶縁膜の平坦性の向上にも寄与するの
で、リソグラフィーの短波長化に伴う焦点深度の低下を
十分補うことが出来、限界まで来ていると言われる解像
度を保持することも可能になる。
【図面の簡単な説明】
【図１】本発明の実施の形態の一例を示す断面図。
【図２】本発明の実施の形態の他の例を示す概略図。
【図３】本発明の実施の為に使用する化学的機械研磨装
置の一例を概略で示す正面図。
【符号の説明】
１ スラリー供給口 ２ スラリー ３ 研磨プレート ４ 研磨シャフト ５ 基板 ６ キャリア ７ キャリア回転軸 ８ 研磨圧力調整器 ９ 研磨布 １０ スラリー供給系 １０１，２０１ 半導体基板 １０２，２０２ 第一の層間絶縁膜（Ｓi Ｏ2 ） １０３，２０３ Ａl 配線層 １０４，２０４ 第二の層間絶縁膜（Ｓi Ｏ2 ） ２０５ 開口部 ２０６ ブランケットタングステン（Ｗ） ２０７ メタルプラグ

Claims (4)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項１】 基板上に形成された少なくとも１層以上
    の薄膜を平坦化する為の化学的機械研磨方法に於て、サ
    イアロンを主成分とする研磨粒子を使用することを特徴
    とする化学的機械研磨方法。
  2. 【請求項２】 基板上に形成された少なくとも１層以上
    の薄膜を平坦化する為の化学的機械研磨方法に於て、ベ
    ーマイトを主成分とする研磨粒子を使用することを特徴
    とする化学的機械研磨方法。
  3. 【請求項３】 前記ベーマイトがアルミニウム粒子を温
    水に浸積して形成されていることを特徴とする請求項３
    記載の化学的機械研磨方法。
  4. 【請求項４】 前記温水にアルミン酸ナトリウムが添加
    されていることを特徴とする請求項３記載の化学的機械
    研磨方法。
JP32100595A 1995-11-14 1995-11-14 化学的機械研磨方法 Pending JPH09139368A (ja)

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KR1019960053516A KR970030441A (ko) 1995-11-14 1996-11-12 화학적 기계연마방법
US09/161,520 US6972096B1 (en) 1995-11-14 1998-09-29 Chemical-mechanical polishing process

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Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011110656A (ja) * 2009-11-27 2011-06-09 Admatechs Co Ltd 研磨用組成物および研磨方法

Families Citing this family (9)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6300246B1 (en) * 2000-11-21 2001-10-09 International Business Machines Corporation Method for chemical mechanical polishing of semiconductor wafer
US20040132308A1 (en) * 2001-10-24 2004-07-08 Psiloquest, Inc. Corrosion retarding polishing slurry for the chemical mechanical polishing of copper surfaces
KR100723788B1 (ko) * 2001-12-12 2007-05-30 매그나칩 반도체 유한회사 반도체 소자의 화학적 기계적 연마 방법
US20040216388A1 (en) * 2003-03-17 2004-11-04 Sharad Mathur Slurry compositions for use in a chemical-mechanical planarization process
US7141495B2 (en) * 2004-08-25 2006-11-28 Taiwan Semiconductor Manufacturing Co. Ltd. Methods and forming structures, structures and apparatuses for forming structures
US20060283093A1 (en) * 2005-06-15 2006-12-21 Ivan Petrovic Planarization composition
EP2092031A1 (en) * 2006-12-04 2009-08-26 Basf Se Planarization composition for metal surfaces comprising an alumina hydrate abrasive
TWI367524B (en) * 2007-08-01 2012-07-01 Univ Nat Taiwan Science Tech Chemical mechanical polishing apparatus and chemical mechanical polishing method thereof
WO2019045151A1 (ko) * 2017-08-31 2019-03-07 주식회사 나노신소재 표면처리된 산화 세륨 분말 및 연마 조성물

Family Cites Families (18)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4117105A (en) * 1977-03-21 1978-09-26 Pq Corporation Process for preparing dispersible boehmite alumina
US4179408A (en) * 1977-03-25 1979-12-18 W. R. Grace & Co. Process for preparing spheroidal alumina particles
FR2449650A1 (fr) * 1979-02-26 1980-09-19 Rhone Poulenc Ind Procede de preparation d'alumine au moins partiellement sous forme de boehmite ultra-fine
US5445807A (en) * 1983-09-22 1995-08-29 Aluminum Company Of America Production of aluminum compound
JPS60118615A (ja) * 1983-11-28 1985-06-26 Mitsui Toatsu Chem Inc 含炭素組成物の製造方法
US4956313A (en) * 1987-08-17 1990-09-11 International Business Machines Corporation Via-filling and planarization technique
EP0325232B1 (en) * 1988-01-19 1996-09-11 Fujimi Incorporated Polishing composition
US5370912A (en) * 1988-10-31 1994-12-06 Norton Company Diamond film deposition with a microwave plasma
JPH0781132B2 (ja) * 1990-08-29 1995-08-30 株式会社フジミインコーポレーテッド 研磨剤組成物
US5244534A (en) * 1992-01-24 1993-09-14 Micron Technology, Inc. Two-step chemical mechanical polishing process for producing flush and protruding tungsten plugs
EP0568476B1 (en) * 1992-04-30 1995-10-11 International Business Machines Corporation Silicon-containing positive resist and method of using the same in thin film packaging technology
JP3157636B2 (ja) * 1993-01-07 2001-04-16 アルプス電気株式会社 ウルツ鉱型構造を有する結晶質サイアロンおよびその合成方法
JP3326642B2 (ja) * 1993-11-09 2002-09-24 ソニー株式会社 基板の研磨後処理方法およびこれに用いる研磨装置
US5723019A (en) * 1994-07-15 1998-03-03 Ontrak Systems, Incorporated Drip chemical delivery method and apparatus
US5527423A (en) * 1994-10-06 1996-06-18 Cabot Corporation Chemical mechanical polishing slurry for metal layers
US5478436A (en) * 1994-12-27 1995-12-26 Motorola, Inc. Selective cleaning process for fabricating a semiconductor device
US5693239A (en) * 1995-10-10 1997-12-02 Rodel, Inc. Polishing slurries comprising two abrasive components and methods for their use
JP3507628B2 (ja) * 1996-08-06 2004-03-15 昭和電工株式会社 化学的機械研磨用研磨組成物

Cited By (1)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2011110656A (ja) * 2009-11-27 2011-06-09 Admatechs Co Ltd 研磨用組成物および研磨方法

Also Published As

Publication number Publication date
US5906949A (en) 1999-05-25
US6972096B1 (en) 2005-12-06
KR970030441A (ko) 1997-06-26

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