TWI241728B - Semiconductor light-emitting device and production method thereof - Google Patents
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Description
1241728 五、發明說明（1) 【發明所屬之技術領域】 本發明係有關於一種半導體發光元件，特別有關於一 種具有螢光材料結構之半導體發光元件。 【先前技術】 半導體發光元件，諸如··發光二極體（L i gh t
Emitting Diode)、有機發光二極體（〇rganic Light Emitting Diode)以及雷射二極體（Laser Diode)等， 具有體積小、發光效率佳、壽命長、反應速度快、可靠性 高及單色性佳等優點，已廣泛應用於各類電子裝置、汽車 工業、廣告看板及交通顯示號誌上，其中，發光二極體 (LED; Light Emitting Di〇de)更由於近年來全彩技術 的突破，而有逐漸取代傳統照明光源的趨勢。 傳統上’為了形成白光多使用藍光發光二極體晶粒及 螢光材料（如：螢光粉體等）之組合，藉由藍光激發螢光 材料以產生黃光或綠光及紅光，再由藍光、黃光或綠光及 紅光混合以形成白光。現今之白光發光二極體一般使用藍
寶石（sapphire，AlgO 0 、si C或其他透明基板作為基 板，由於光線會從透明基板向外射出，為了使所有光&線 可以經由螢光材料（如螢光粉體）之轉換而形成所需要之 色彩.，榮光材料必須在發光二極體晶圓（Waf er)切割 (Dlcing)為晶粒（Chip)後，再於封裝（Package)製
1241728 五、發明說明（2) 程時覆蓋於整個發光二極體晶粒上，以 轉換之光線經由透明基板射出而影變整 出光線之色彩。 此外§基板為透明時，螢光材料 基板或發光二極體晶粒的上方外尚需要 發光二極體晶粒的四肖，然而要使得螢 於透月基板或發光二極體晶粒的四周並 透明基板或發光二極體晶粒上方及四周 分布不肖，當發光二極體所產生之光線 光材料％，厚度較厚處會吸收較多的光 會吸收較少的光線，且經由不同厚度之 光線色彩亦將不同，因此造成發光二極 不同方向上有不同的色彩。如美國專利 者為一種具有螢光材料結構之覆晶 ”體發光元件’為使得螢光材料可以 體發光元件之上方及四肖，而使用複雜 =冰法、（electrophoresis)等，然而辜 二往1^成製造成本的增加以'及良率下 簡皁地解決螢光材料厚度不均的問題。 及其之？題點，本發明提出-^ L, ^ '，可以於晶粒封裝前即可, 料产苔θ ，且可以避免光線自透明基板J 科覆盍不均所造成的色彩差異。 避免未經螢光材料 體發光二極體所發 除需要覆蓋於透明 覆蓋於透明基板或 光材料均勻地覆蓋 不容易，往往造成 之螢光材料的厚度 通過厚度不均的螢 線，厚度較薄處則 螢光材料所轉換之 體所產生之光線於 第6, 642, 652號所 式（FI ip-Chip ) 均勻地覆蓋於半導 之製造方法，如： I由複雜的製造方 降，並不能有效且 幢半導體發光元件 «於晶圓上形成螢 hf出以及因螢光材 1241728
五、發明說明（3) 【發明内容】 人本發明之半導體發光元件包含有一不透光基板，；一 結合結構；至少一個半導體發光疊層，係藉由結合結構而 與不透光基板結合，並可以發出一原始光線，且半導 光疊層係分離自-原始成長基板；及一螢光材料結構二 設置於半導體發光疊層上方並大體上符合半導體發光最展 之形狀，且螢光材料結構係包含一螢光材料，螢光材^ 以吸收原始光線並產生一轉換後光線。 本發明之半導體發光元件中之結合結構構包含有一 ? Ϊ Ϊ層：一黏結層及/或第二中介層，利用上述結構可 以提南半導體發光疊層與不透光基板間之結合力， 半導體發光疊層與不透光基板間形成電性連接。一 本發明之螢光材料結構中包含有螢光材料，此 料可以直接形成於半導體發光疊層上， 狀人tl材 形成於半導體發光疊層1，並且此螢光而 導體發光疊層所產生之原始光線f蔣 科了以吸收由半 線。 Μ之原始先線並將其轉換為轉換後光 本發明之半導體發光元件之製造 導體發光疊層自一原始成長基板；处入本=二有分離一半 声上方。 或帛先材枓結構於半導體發光叠 【實施方式】 第9頁 1241728 五、發明說明（4) 為使貝審查委員更了解本發明的特點，以下列舉數 個較佳實施例，配合圖式，詳述如下： 1二實施例 一第1 a〜lc圖係顯示本發明一較佳實施例中半導體發光 =件之結構示意圖。本發明所揭示之半導體發光元件丨0包 含有：不透光基板11、結合結構12、半導體發光疊層13以 及螢光材料結構14。其中半導體發光疊層13可以產生原始 光線，且因為原始光線不會穿透不透光基板丨丨而使得半導 體發光元件10之出光區大都集中於不透光基板n之相反 側，亦即半導體發光元件1 0形成有螢光材料結構1 4之側。 當原始光線射入螢光材料結構14時，螢光材料結構14中之 螢光材料1401將吸收原始光線並產生轉換後光線，較佳 地’原始光線與轉換後光線混合後可以產生白光。此外， 本發明之半導體發光疊層丨3可以為垂直結構（電性接點位 於相異側）亦可以為水平結構（電性接點位於同一側）。 不透光基板1 1之材料可以為半導體基板、金屬基板、 上述材料之組合或其他不透光材料，較佳地，不透光美 11之材料可以為Si、GaN/Si、GaAs*其組合，此外，二 Π)圖所不，不透光基板n可以為一晶圓以以打），而曰曰 ，Η上了以形成溝槽1302以分隔出二個以上之半導體 疊層13，較佳地，半導體發光疊層13可以於螢光材料^構 1241728 五、發明說明（5) 1 4形成後再進行晶粒切割（c h i p d i c i n g)的步驟。 如第1 c圖所示，不透光基板1 1亦可以為包含有透明基 板1 1 0 1及反射層1 6。利用反射層1 6反射射向透明基板1 1 〇 1 之光線使得原始光線或/及轉換後光線皆能朝向螢光材料 1 4的方向前進，並且避免原始光線或/及轉換後光線由透 明基板1 1 0 1處射出。其中，透明基板1 1 0 1之材料可以為 GaP、SiC、ZnO、GaAsP、AlGaAs、Al2〇3、玻璃、上述材料 之組合或其他可替代材料。
結合結構1 2係用以結合不透明基板1 1與半導體發光疊 層1 3。結合結構1 2可以為金屬’使金屬於^適當溫度下盘 不透光基板1 1與半導體發光疊層1 3產生鍵結，且可以利用 金屬之物理性質形成一鏡面以反射射向不透光基板之光 線’或於不透光基板1 1與半導體發光疊層丨3間形成一歐姆 接觸層而使得不透光基板11與半導體發光疊層1 3間電性連 接。 此外’結合結構1 2亦可以由不透光基板1 1與半導體發 光疊層1 3直接鍵結而形成，利用一較高溫度，如1 〇 〇〇。〇並 施加適當之壓力使不透光基板11及半導體發光疊層13之 接觸面產生鍵結而結合。
較佳地’結合結構1 2係以膠合方式結合不透明基板1 1 及半導體發光璺層1 3，此方法可以於較低溫度下進行而降 低了半導體發光豐層1 3於咼溫下受損的機率，並可以達到 適當的黏結效果。結合結構1 2之材料可以為聚醯亞胺 (PI)、苯并環丁稀（BCB)、過氟環丁烯（ppcB)或其
第11頁 1241728 五、發明說明（6) 他之有機黏結材料。此外，結合結構12之材料可以為透 U上所ΐ之苯并環丁烯（⑽）即為-例，當結合結 構12為透日月#’可以與下述之反射層相配合將多 導體 發光元件ίο之出射光皆導引至相同的方向。 當不透光基板11與半導體發光疊 結時，、半導體發光疊層13便可以於垂直方向形成== ::成為：垂直結構型式之半導體發光元件】0，此時，半 U光7C件1G之-個f性接點13G1 τ以設置於垂直方向 透弁其ri光基板11本身亦成為另一個電性接點’或於不 透先基板1 1上另形成一個電性接點。 〗4Π”吉構14中可以包含有一種或多種螢光材料 產生之原料“Μ可以吸收來自半導體發光疊層13所 不同於ΐΐί 產生轉換後光線，此轉換後光線係泛指 = 線者，而非僅指定一種光線，亦可以配合二 於本發明ΐ ί材料1401而產生多種之轉換後光線，並且， 並大;h二Ϊ光材料結構14係形成於半導體發光元件10上 半導體發光疊層13之形狀，因此，可以簡化 ΐ程。其中’螢光材料1401可以利用膠合劑 膠人判可、’,t顯不）而固定於半導體發光疊層1 3之上，此 ϋ ; 1 3 I :螢光材料1 4〇 1，先混合後再形成於♦導體發 13^i，i ，或可以將膠合劑先形成於半導體發光疊層 光聶屛13之？用此膠合劑將螢光材料1401固定於半導體發 其結構'^再者亦可以於半導體發光疊層13上先形成 (未顯不）用以承載、充填或固定螢光材料 第12頁 1241728 五、發明說明（7) 140卜 此外，較佳地，螢光材料結構14可以 14〇1，或為一種非膠結榮光材料結構（n〇n_gH或先材料 fluorescent material structure )， 料結構係指非經由膠合劑或其他環丄』一螢光材 功能的材質而聚合成塊狀的勞光= 可以直接聚合成⑨而覆蓋於半導體 ^材科14〇1 材料_直接聚合的方法可以使上。將勞光 JSedlmentau〇n)、或其他之薄膜沉積法 程序（如：加壓、加熱等）加強榮光材料二適間 的聚合力，使螢光材料14〇1緊 :i4Ui間 體發光疊層13上。由於蒂#^ =合成塊而覆蓋於半導 1仙直接地聚合成塊，、因此材：=1 免= ” t :膠合材料不當地吸光而提供更佳的光轉:二率::= 層13:上： = ; = 形成於半導體發光疊 亦可以於半導體發光 2導，光疊層13直接接觸， 光學層等）後再 ^ : 形成其他結構（如保護層、 “(π可以為4:二螢光：：結構14。此外，螢光材料 獲得較佳的朵地可以為一種硫化物粉體，為 1〇〇 率此㈣之直徑可以介於約〇.卜 第一貫施你丨 1241728 五、發明說明（8) 第2 a〜2 b圖係顯示本發明另一較佳實施例中半導體發 光裝置之結構示意圖，與第一實施例相同之元件將使用相 同之標號且不再贅述，合先陳明。 如上例所述結合結構1 2係用以結合不透明基板1 1與半 導體發光疊層1 3，本實施例中結合結構丨2更可以包含有： 第一中介層120卜黏結層120 2及第二中介層ι2〇3。第一中 介層1201及第一中介層12〇 3可以分別形成於不透光基板η 及半導體發光疊層13之上，再於第一中介層12〇1及第二中 介層1 2 0 3間形成黏結層丨2 〇 2以黏結第一中介層丨2 〇丨及第二 中介層1203’利用第一中介層12〇1及第二中介層12〇 3可以 增加黏結層1 2 0 2與不透光基板1 1及半導體發光疊層1 3間的 結合力。 結合結構1 2中之黏結層1 2 〇 2之材料可以為聚醯亞胺 (ΡΙ)、苯并環丁烯（BCB)、過氟環丁烯（PFCB)或其 他之有機黏結材料。第一中介層丨2 〇 1與第二中介層1 2 0 3之 材料可以為S i N x、T i、Cr或其他可以增加黏結層1 2 0 2與不 透光基板1 1及/或半導體發光疊層丨3間之結合力之材料。 仍參照第2 a及2 b圖所示，本發明之半導體發光元件1 0 更可以具有保護結構1 5，其係設置於螢光材料結構丨4之 ^ ’可以用來保護螢光材料結構1 4或其下之其他結構。保 f結構15之材料可以為Su8、苯并環丁烯（BCB)、環氧樹 2 ( Epoxy)、丙烯酸樹脂（Acrylic Resin)、環烯烴聚 合物（coc)、聚甲基丙烯酸甲酯（PMMA)、聚對苯二曱
1241728__ 五、發明說明（9) 酸二乙醋（P E T )、聚碳酸酯（P C )、聚謎醯亞胺 (Polyetherimide)、氟碳聚合物（Fluorocarbon
Polymer)、石夕膠（Silicone)、玻璃、上述材料之組合 及其他可以透光之材料。 保護結構15内更可以包含有複數之光學層1501、 1502，此複數之光學層1501、1502更具有不等之厚度，較 佳地，複數之光學層1 5 0 1、1 5 0 2之厚度係分別隨遠離半導 體發光疊層1 3之距離而增加，亦即外層厚度大於内層厚 度，即光學層1502之厚度大於光學層1501，藉由此漸增之 厚度分布而使得因半導體發光元件1 2動作時產生之高溫於 保護結構15上所引起之熱應力（Thermal Stress)可以獲 得纾解，而避免保護結構1 5因熱應力產生龜裂。此外，此 複數之光學層1501、1 502中可以為散光層（diffuser)、 聚光層或其他可以調整半導體發光元件1 0出光性質的結 構。 此外，半導體發光元件1 0更可以設置反射層1 6以反射 射向不透光基板11之光線，使得多數光線均朝向瑩光材料 結構1 4之方向前進。反射層1 6可以設置於結合結構1 2及不 透光基板11之間，此時結合結構1 2係為透明，如第2 a圖所 示。或者反射層1 6可以設置於結合結構1 2及半導體發光疊 層13之間，如第2b圖所示。亦或者反射層16可以設置於半 導體發光豐層13中（未顯示）’如布拉格反射層（Bj^gg Ref 1 ector )等。 其中，反射層1 6之材料可以為金屬、氧化物、其組合
第15頁 1241728
或其他可以反射光線之材料。較佳地，反射層丨6之材料可 以為 In、 Sn、 Al、 Au、 Pt、 Zn、 Ag、 Ti、 Pb、 Ge、 Cu、 H、AuBe、AuGe、AuZn、PbSn、SiNx、Si〇2、Al2〇3、Un〇、
MgO或上述材料之組合。 2 本發明中之半導體發光疊層13中更可以包含有一透明 導電層（未顯示）以提咼電流分散的效果，或與其他疊声 形成較佳之歐姆接觸。此透明導電層之材料可=為氧=^ 錫（ΙΤ0)、氧化鎘錫（CT0)、氧化銻錫、氧化鋅、氧化 鋅錫、Ni/Au、NiO/Au、TiWN、透光金屬層、上述材料之 組合或其他可代替材料。 第三實施Μ 參照第1 a〜1 c及2 a〜2 b圖， 之製造方法可以包含有：分離 成長基板（未顯示）；結合半 板11上；及形成螢光材料結構 方。其中結合步驟係可以將半 板11於一適當溫度及壓力下直 發光璺層1 3及不透光基板1 i間 1 2可以為一黏結層（未顯示） 不透光基板1 1 ;或者結合結構 於一適當溫度及壓力下使此金 透光基板1 1產生鍵結，並且亦 本發明之半導體發光元件i 0 半導體發光疊層1 3自一原始 導體發光疊層13至不透光基 1 4於半導體發光疊層1 3上 導體發光疊層13與不透光基 接結合；或者可以於半導體 形成結合結構1 2，結合結構 以膠合半導體發光疊層1 3及 1 2可以為金屬（未顯示）， 屬與半導體發光疊層13及不 可以於金屬上形成一鏡面
1241728 五、發明說明（11) (未顯示）以反射光線使其朝向螢光材料結構〗4之方向。 車父仏地’結合步驟包含有·形成第·一中介層1201於不 透光基板11上’·形成第二申介層1203於半導體疊層13上； 及藉由黏結層1202以膠合不透明載體11及半導體發光属声 13 ’並使黏結層1202位於第一中介層1201及第二中介層 1203之間’利用第一中介層1201及第二中介層1203可以加 強黏結層1 2 0 2與不透明載體1 1及半導體發光疊層丨3間之结 合力。 本發明方法中螢光材料結構1 4較佳地可以藉由直接沉 積（Sedimentation)螢光材料1401而形成於半導體發光 $層13上方’或者螢光材料結構Μ可以藉由將螢光材料 1401與一膠合劑（Binder ;未顯示）混合後再形成於半導 體發光疊層1 3上方。 ' 較佳地，本發明之方法更可以設置保護結構丨5於榮光 材料結構14上方，且保護結構15可以包含有複數層結構 1 5 0 1及1 5 0 2 ’藉由保護結構1 5可以保護其下之其他結構或 纾解高溫所造成之熱應力。 再者’亦可以形成反射層16於不透光基板丨丨及結合結 構12之間，或形成反射層16於結合結構12及半導體發光疊 層1 3之間，亦可以將反射層丨6，如：布拉格反射層等，直 接形成於半導體發光疊層12中以反射光線使其朝 料結構14之方向 ； 此外，本發明之方法可以於晶圓或晶粒上形成螢光材 料結構14 ’若螢光材料結構14是形成於晶圓上，可以於半 1241728 五、發明說明（12^ " __________ 導體發光疊層13上先形成溝槽13〇2，再於 ΐ螢光材料結構14，&外於螢光材：ί體光疊層 、、、口構凡成後進行晶圓切割以形成半導 j、〜構1 4或保護 粒。 題發光元件1 0之晶 雖然本創作 以限定本創作，修飾，皆不脫如 已 任 附 以具體之實施例說明如 何熟悉此技藝之人士 申請專利範圍所欲保護 上，然其並非用 施匠思而為諸般 者。
1241728 圖式簡單說明 【圖示簡單說明】 第1 a〜1 C圖係顯示一本發明較佳實施例之半導體發光 元件之結構不意圖；及 第2 a及2 b圖係顯示一本發明另一較佳實施例之半導體 發裝置之結構示意圖。 【主要元件符號說明】 1 0〜半導體發光元件；1 1〜不透光基板；1 2〜結合結 構；1 2 (H〜第一中介層；1 2 0 2〜黏結層；1 2 0 3〜第二中介 層；13〜半導體發光疊層；13(H〜電性接點；1 3 0 2〜溝槽； 1 4〜螢光材料結構；1 4 (H〜螢光材料；1 5〜保護結構；1 5 0 1〜 光學層；1 5 0 2〜光學層；及1 6〜反射層。
第19頁
Claims (1)
1241728
包含： 六、申凊專利範圍 1· 一種半導體發光元件 一不透光基板； 一結合結構； 光矣板社H係錯由該結合結構而與該不透 ^基板…合，並可以發出一原始光線’且該 層係分離自一原始成長基板；及 ν體么先豐 = ΐ構’係設置於該半導體發光疊層上方並大體 士二二導體發光疊層之形狀，且該螢光材料結構係包 3 一螢先材料，該螢光材料可以吸收該原始 轉換後光線。 Κ ϋ 2 ·如申請專利範圍第1項所述之半導體發光元件，其十該 不透光基板係擇自由半導體基板、金屬基板、上述材料"之 組合或其他不透光材料所構成之族群。 3·如申請專利範圍第1項所述之半導體發光元件，其中該 不透光基板係為一晶圓（Wafer)。
4·如申請專利範圍第1項所述之半導體發光元件，其申該 不透光基板係擇自由Si、GaN/Si、GaAs、上述材料之組合 或其他可替代材料所構成之族群。 5 ·如申請專利範圍第1項所述之半導體發光元件，其中該 不透光基板係可以反射光線。
第20頁 1241728 六、申請專利範圍 6 .如申請專利範圍第1項所述之半導體發光元件5其中該 不透光基板包含： 一透明基板；及 一反射層。 7.如申請專利範圍第6項所述之半導體發光元件，其中該 透明基板係擇自由 GaP、SiC、ZnO、GaAsP、AlGaAs、 A 1 20 3、玻璃、上述材料之組合或其他可替代材料所構成之 族群。 8 .如申請專利範圍第1項所述之半導體發光元件，其中該 結合結構係為透明。 9 .如申請專利範圍第1項所述之半導體發光元件，其中該 結合結構係可以於該不透光基板及該半導體發光疊層間形 成電性連接。 1 0 .如申請專利範圍第1項所述之半導體發光元件，其中該 結合結構係可以反射光線。 1 1.如申請專利範圍第1項所述之半導體發光元件，其中該 結合結構係包含金屬。
第21頁 1241728 六、申請專利範圍 1 2 .如申請專利範圍第1項所述之半導體發光元件，其中該 結合結構之一材料係擇自由聚醯亞胺（P I )、苯并環丁烯 (BCB)、過氟環丁稀（PFCB)或其他之有機黏結材料所 構成之族群。 1 3 .如申請專利範圍第1項所述之半導體發光元件，其中該 結合結構係由該不透光基板及該半導體發光疊層於一既定 溫度及一既定壓力下直接鍵結而形成。 1 4 .如申請專利範圍第1項所述之半導體發光元件，其中該 結合結構包含： 一第一中介層； 一黏結層；及 一第二中介層。 1 5 .如申請專利範圍第1 4項所述之半導體發光元件，其中 該第一中介層係擇自由SiNx、Ti、Cr或其他可替代材料所 構成之族群。 1 6 .如申請專利範圍第1 4項所述之半導體發光元件，其中 該第二中介層係擇自由S i N x、T i、Cr或其他可替代材料所 構成之族群。 1 7.如申請專利範圍第1 4項所述之半導體發光元件，其中
第22頁 1241728 六、申請專利範圍 忒黏結層之一材料係擇自由聚醯亞胺（p I )、苯并環丁烯 (BCB )、過氟環丁烯（奸⑶）或其他之有機黏結材料所 構成之族群。 1 8 ·如申請專利範圍第1項戶斤述之半導體發光元件，其中該 螢光材料結構係更包含/膠合劑。 ·、如申請專利範圍第1項所述之半導體發光元件，其中該 邊光材料結構係為一非膠、结螢光材料結構。 3·、如申請專利範圍第1項所述之半導體發光元件，其中該 光材料結構大體上係僅包含該螢光材料。 21 粉體 •如申請專利範圍第1項所述之半導體發光元件，其中該 赏先材料係為一 22 ^ ^申清專利範圍第2 1項所述之半導體發光元件，其中 該粉體 之一直徑係大體上為〇 · 1〜;I 〇 〇 23 螢先松申%Γ >專利範圍第1項所述之半導體發光元件，其中 ’斗係為一硫化物粉體。 .如申請專利範圍第1項所述之半導 該 24 含 體發光元件，更包 第23頁 1241728 ------______ 六、申請專利範圍 一保護結構’係形成於該螢光材料結構上方。 25·如申晴專利範圍第24項所述之半導體發光元件，其中 該保護結構係為透明。 26·如申請專利範圍第24項所述之半導體發光元件，其中 該保護結構係包含複數之光學層。 2 7 ·如申睛專利範圍第2 4項所述之半導體發光元件，其中 該複數之光學層之厚度係分別隨遠離該半導體發光疊層之 一距離而增加。 2 8 ·如申請專利範圍第2 4項所述之半導體發光元件，其中 該保護結構之一材料係擇自由Su8、苯并環丁烯（BCB )、 過氟環丁烯（PFCB )、環氧樹脂（Epoxy )、丙烯酸樹脂 (Acrylic Resin)、環烯煙聚合物（C0C)、聚甲基丙烯 酸甲酯（PMMA )、聚對苯二甲酸二乙酯（PET )、聚碳酸 酯（PC)、聚醚醯亞胺（Polyetherimide)、氟碳聚合物 (Fluorocarbon Polymer)、石夕膠（Silicone)、玻璃、 上述材料之組合及其他可以透光之材料所構成之族群。 2 9 ·如申請專利範圍第1項所述之半導體發光元件，更包 含： 一反射層’係設置於該不透光基板及邊結合結構之間。
第24頁 1241728 六、申請專利範圍 3 0 .如申請專利範圍第1項所述之半導體發光元件，更包 含： 一反射層，係設置於該結合結構及該半導體發光疊層之 間。 3 1.如申請專利範圍第2 9或第3 0項所述之半導體發光元 件，其中該反射層之一材料係擇自由金屬、氧化物、其組 合或可以反射光線材料所構成之族群。 3 2 .如申請專利範圍第2 9或第3 0項所述之半導體發光元 件，其中該反射層之一材料係擇自由I η、S η、A 1、A u、 Pt、Zn、Ag' Ti、Pb、Ge、Cu、Ni、AuBe、AuGe、AuZn、 PbSn、SiNx、Si02、A 1 20 3、Ti02、MgO、上述材料之組合或 其他可以反射光線材料所構成之族群。 3 3 .如申請專利範圍第1項所述之半導體發光元件，其中該 半導體發光疊層係包含一反射層。 3 4 .如申請專利範圍第1項所述之半導體發光元件，其中該 半導體發光疊層係包含一布拉格反射層（Bragg Reflector) ° 3 5 .如申請專利範圍第1項所述之半導體發光元件，其中該
第25頁 1241728 六、申請專利範圍 半導體發光疊層係包含一透明導電層。 3/·如申請專利範圍第29項所述之半導體發光元件，其中 違透明導電層之一材料係擇自由氧化銦錫（I TO )、氧化 錦錫（CT0 )、氧化銻錫、氧化鋅、氧化鋅錫、Ni/Au、 N1Q/Au、TiwN、透光金屬層、上述材料之組合或其他可代 替材料所構成之族群。 O ry •如申請專利範圍第丨項所述之半導體發光元件，其中該 原始光線及該轉換後光線係混合以產生白光。 3 〇 _ 乂 ·一種半導體發光元件之製造方法，包含： ^離一半導體發光疊層自一原始成長基板； 、二合該半導體發光疊層至一不透光基板上；及 形成一螢光材料結構於該半導體發光疊層上方。 〇 Q •如申請專利範圍第38項所述之製造方法，其中該結合 步驟包含： 藉由一黏結層以膠合該半導體發光疊層及該不透光基板。 4 〇 ·如申請專利範圍第3 8項所述之製造方法，其中該結合 步驟包含： 藉由一金屬以結合該半導體發光疊層及該不透光基板。
1241728 六、申請專利範圍 4 1 ·如申請專利範圍第3 8項所述之製造方法，其中該結合 步驟包含： 藉由一金屬以結合該半導體發光疊層及該不透光基板，並 使5亥金屬形成' —鏡面。 4 2 ·如申請專利範圍第3 8項所述之製造方法，其中該結合 步驟包含： 使該不透光基板及該半導體發光疊層於一既定溫度及一既 定壓力下直接鍵結。 4 3 ·如申請專利範圍第3 8項所述之製造方法，其中該結合 步驟包含： 形成一第一中介層於該不透光基板上； 形成一第二中介層於該半導體疊層上；及 藉由一黏結層以膠合該不透明載體及該半導體發光疊層， 並使該黏結層位於該第一中介層及該第二中介層之間。 44·如申請專利範圍第38項所述之製造方法，其中該勞光 材料結構係藉由直接沉積一螢光材料而形成於該半導體發 光豐層上方。 45.如申請專利範圍第38項所述之製造方法，其中該營光 材料結構係藉由將一螢光材料與一膠合劑混合後再形成於 該半導體發光疊層上方。 1241728 六、申請專利範圍 46.如申請專利範圍第38項所述之製造方法，更包含 形成一溝槽於該半導體發光疊層上。 4 7.如申請專利範圍第38項所述之製造方法，更包含 分割該半導體發光疊層以形成該半導體發光元件。 4 8.如申請專利範圍第38項所述之製造方法，更包含 設置一保護結構於該螢光材料結構上方。 4 9.如申請專利範圍第3 9項所述之製造方法，更包含 形成一反射層於該不透光基板及該黏結層之間。 5 0 .如申請專利範圍第3 9項所述之製造方法，更包含 形成一反射層於該黏結層及該半導體發光疊層之間。
第28頁
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