KR101068649B1 - 반도체 발광 소자 및 그 형성 방법 - Google Patents
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- 239000004065 semiconductor Substances 0.000 title claims abstract description 134
- 238000000034 method Methods 0.000 title claims abstract description 26
- 239000000463 material Substances 0.000 claims abstract description 101
- 239000000758 substrate Substances 0.000 claims abstract description 64
- 239000010410 layer Substances 0.000 claims description 66
- 239000012790 adhesive layer Substances 0.000 claims description 16
- 230000001681 protective effect Effects 0.000 claims description 12
- 239000011230 binding agent Substances 0.000 claims description 11
- 239000004593 Epoxy Substances 0.000 claims description 10
- XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N Zinc monoxide Chemical compound [Zn]=O XLOMVQKBTHCTTD-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 10
- 229910052751 metal Inorganic materials 0.000 claims description 10
- 239000002184 metal Substances 0.000 claims description 10
- 230000003287 optical effect Effects 0.000 claims description 10
- 239000000843 powder Substances 0.000 claims description 7
- 239000000853 adhesive Substances 0.000 claims description 6
- 230000001070 adhesive effect Effects 0.000 claims description 5
- 239000011787 zinc oxide Substances 0.000 claims description 5
- 239000011521 glass Substances 0.000 claims description 4
- KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N oxotin;zinc Chemical compound [Zn].[Sn]=O KYKLWYKWCAYAJY-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 4
- 229910052719 titanium Inorganic materials 0.000 claims description 4
- 229910018072 Al 2 O 3 Inorganic materials 0.000 claims description 3
- 229910052804 chromium Inorganic materials 0.000 claims description 3
- SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N stibanylidynetin;hydrate Chemical compound O.[Sn].[Sb] SKRWFPLZQAAQSU-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 3
- 239000004925 Acrylic resin Substances 0.000 claims description 2
- 229920000178 Acrylic resin Polymers 0.000 claims description 2
- 229910000980 Aluminium gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 229920000089 Cyclic olefin copolymer Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004713 Cyclic olefin copolymer Substances 0.000 claims description 2
- 229910001218 Gallium arsenide Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000004697 Polyetherimide Substances 0.000 claims description 2
- BEQNOZDXPONEMR-UHFFFAOYSA-N cadmium;oxotin Chemical compound [Cd].[Sn]=O BEQNOZDXPONEMR-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229920002313 fluoropolymer Polymers 0.000 claims description 2
- AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N indium;oxotin Chemical group [In].[Sn]=O AMGQUBHHOARCQH-UHFFFAOYSA-N 0.000 claims description 2
- 229910052759 nickel Inorganic materials 0.000 claims description 2
- 239000012994 photoredox catalyst Substances 0.000 claims description 2
- 229920003229 poly(methyl methacrylate) Polymers 0.000 claims description 2
- 239000004417 polycarbonate Substances 0.000 claims description 2
- 229920001601 polyetherimide Polymers 0.000 claims description 2
- 229920000139 polyethylene terephthalate Polymers 0.000 claims description 2
- 239000005020 polyethylene terephthalate Substances 0.000 claims description 2
- 239000004926 polymethyl methacrylate Substances 0.000 claims description 2
- 229920001296 polysiloxane Polymers 0.000 claims description 2
- 239000011241 protective layer Substances 0.000 claims description 2
- 229910000679 solder Inorganic materials 0.000 claims 1
- 238000006243 chemical reaction Methods 0.000 description 3
- 229910052782 aluminium Inorganic materials 0.000 description 2
- 229910052737 gold Inorganic materials 0.000 description 2
- 238000010438 heat treatment Methods 0.000 description 2
- 229910052738 indium Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000031700 light absorption Effects 0.000 description 2
- 238000004519 manufacturing process Methods 0.000 description 2
- 238000012986 modification Methods 0.000 description 2
- 230000004048 modification Effects 0.000 description 2
- 229910052709 silver Inorganic materials 0.000 description 2
- 230000008646 thermal stress Effects 0.000 description 2
- OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N Phosphorus Chemical group [P] OAICVXFJPJFONN-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910004205 SiNX Inorganic materials 0.000 description 1
- 229910004298 SiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L Sodium Carbonate Chemical compound [Na+].[Na+].[O-]C([O-])=O CDBYLPFSWZWCQE-UHFFFAOYSA-L 0.000 description 1
- UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N Sulphide Chemical compound [S-2] UCKMPCXJQFINFW-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 229910010413 TiO 2 Inorganic materials 0.000 description 1
- 238000004026 adhesive bonding Methods 0.000 description 1
- 230000015572 biosynthetic process Effects 0.000 description 1
- 239000003086 colorant Substances 0.000 description 1
- 238000005336 cracking Methods 0.000 description 1
- 238000002425 crystallisation Methods 0.000 description 1
- 230000008025 crystallization Effects 0.000 description 1
- 230000000694 effects Effects 0.000 description 1
- 238000001962 electrophoresis Methods 0.000 description 1
- 229910052745 lead Inorganic materials 0.000 description 1
- CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N magnesium oxide Inorganic materials [Mg]=O CPLXHLVBOLITMK-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N oxo(oxoalumanyloxy)alumane Chemical compound O=[Al]O[Al]=O TWNQGVIAIRXVLR-UHFFFAOYSA-N 0.000 description 1
- 238000005289 physical deposition Methods 0.000 description 1
- 229910052697 platinum Inorganic materials 0.000 description 1
- 230000003252 repetitive effect Effects 0.000 description 1
- 238000004062 sedimentation Methods 0.000 description 1
- 230000011218 segmentation Effects 0.000 description 1
- 230000035939 shock Effects 0.000 description 1
- 238000003892 spreading Methods 0.000 description 1
- 239000000126 substance Substances 0.000 description 1
- 229910052718 tin Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000012780 transparent material Substances 0.000 description 1
- 229910052725 zinc Inorganic materials 0.000 description 1
- 239000011701 zinc Substances 0.000 description 1
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- H—ELECTRICITY
- H01—ELECTRIC ELEMENTS
- H01L—SEMICONDUCTOR DEVICES NOT COVERED BY CLASS H10
- H01L33/00—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof
- H01L33/48—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the semiconductor body packages
- H01L33/50—Wavelength conversion elements
- H01L33/508—Wavelength conversion elements having a non-uniform spatial arrangement or non-uniform concentration, e.g. patterned wavelength conversion layer, wavelength conversion layer with a concentration gradient of the wavelength conversion material
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- H01L33/44—Semiconductor devices having potential barriers specially adapted for light emission; Processes or apparatus specially adapted for the manufacture or treatment thereof or of parts thereof; Details thereof characterised by the coatings, e.g. passivation layer or anti-reflective coating
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Abstract
반도체 발광 소자는 불투광 기판, 접합 구조, 반도체 발광 스택, 및 반도체 발광 스택 위의 형광 물질 구조를 포함한다. 반도체 발광 스택은 성장 기판으로부터 분리되고, 접합 구조를 통해서 불투광 기판에 접합된다. 반도체 발광 소자의 형성 방법은, 성장 기판으로부터 반도체 발광 스택을 분리하는 단계, 반도체 발광 스택을 불투광 기판에 접합하는 단계, 및 반도체 발광 스택 위에 형광 물질 구조를 형성하는 단계를 포함한다.
Description
도 1 내지 도 3은 본 발명에 따른 반도체 발광 소자의 일 실시예를 보여주는 정면도들이다.
도 4 및 도 5는 본 발명에 따른 반도체 발광 소자의 다른 실시예를 보여주는 정면도들이다.
(발명의 분야)
본 발명은 반도체 발광(light-emitting) 소자, 특히 형광(fluorescent) 물질 구조를 갖는 반도체 발광 소자에 관한 것이다.
(종래 기술의 설명)
반도체 발광 소자들, 예컨대 발광 다이오드(LED)들 및 레이저 다이오드(LD)들은 작은 크기, 우수한 방출 효율, 긴 수명, 높은 반응 속도, 우수한 신뢰성, 및 뛰어난 단색성(monochromaticity) 특징을 갖고, 전자 소자, 자동차, 신호계, 및 교통 신호에 널리 사용되고 있다. 완전 컬러 LED의 달성과 더불어, LED들은 전통적인 조명 소자들, 예컨대 형광 램프 및 백열 전구를 점차 대체하고 있다.
과거에, 백색 광은 발광 소자 칩 및 형광(fluorescent) 물질, 예컨대 형광 분말의 구조를 이용하여 일반적으로 얻어졌다. 형광 물질은 청색 광에 의해 여기되고, 그 다음 황색 또는 녹색 그리고 적색 광을 발산한다. 청색 및 황색 광의 조합; 또는 청색, 녹색, 및 적색 광의 조합은 백색 광을 생성할 수 있다. 요즘, 백색 발광 다이오드의 기판은 일반적으로 사파이어(Al2O3), SiC, 또는 다른 투명한 기판으로 만들어진다. 발광 다이오드에 의해 발산된 빛이 형광 물질(형광 분말)을 통과하고 요구되는 컬러 내로 혼합되는 것을 보장하기 위해, 형광 물질은 발광 다이오드에 의해 발산된 모든 가능한 빛을 전부 커버해야 한다.
그러나, 투명 기판 또는 발광 다이오드 칩 주변의 형광 물질을 균일하게 덮는 것은 어렵다. 발광 다이오드에 의해 생성된 빛이 불균일한 형광 물질을 관통할 때, 형광 물질의 보다 두꺼운 부분은 얇은 부분보다 많은 빛을 흡수한다. 따라서, 발광 다이오드는 형광 물질의 다른 두께들에 대응하여 다른 방향에서 다른 컬러들을 나타낼 것이다. 참조에 의해 여기에 첨부된 미국특허 US 6,642,652호는 형광 물질을 갖는 플립-칩 발광 소자를 개시하고 있다. 이 특허는 형광 물질을 갖는 발광소자를 균일하게 커버하기 위한 복잡한 방법들, 예컨대 전기이동법 (electrophoresis)에 대해 교시한다. 그러나, 개시된 방법들은 비용을 증가시키고 발광 소자의 수율을 감소시킨다. 게다가, 그 특허는 LED 칩 상의 형광 물질의 불균일한 두께의 문제에 대한 단순한 해결책을 달성할 수 없다.
전술한 문제들을 피하기 위해, 본 발명은 반도체 발광 소자 및 그 제조 방법을 제공한다. 칩 패키지 전에, 칩 상의 형광 물질의 불균일한 두께에 의해 초래된 컬러 변화를 회피하기 위해, 형광 물질 구조는 웨이퍼 또는 칩 위에 형성된다.
따라서, 본 발명의 목적은 전술한 문제들을 피하기 위한 반도체 발광 소다 및 그에 관련된 방법을 제공하는 것이다.
청구된 발명의 반도체 발광 소자는 불투광(light-impervious) 기판, 접합(bonding) 구조, 반도체 발광 스택, 및 상기 반도체 발광 스택과 실질적으로 윤곽이 일치하고 상기 반도체 발광 스택 위에 있는 형광 물질 구조를 포함한다. 상기 반도체 발광 스택은 성장 기판으로부터 분리되고, 상기 접합 구조를 통해서 상기 불투광 기판에 접합된다. 상기 형광 물질 구조는 상기 반도체 발광 스택으로부터 발산된 원광을 흡수하여 변환된 광을 생성하는 형광 물질을 포함한다.
본 발명의 상기 접합 구조는 제 1 중간층, 접착층, 및/또는 제 2 중간층을 더 포함한다. 상기 접합 구조는 접합 강도를 증가시키거나 또는 상기 반도체 발광 스택 및 상기 불투광 기판을 전기적으로 연결할 수 있다.
본 발명의 상기 형광 물질 구조는 형광 물질을 포함한다. 상기 형광 물질은 상기 반도체 발광 스택 바로 위에 형성되거나, 또는 바인더(binder)와 혼합되고 이어서 상기 반도체 발광 스택 위에 형성된다.
반도체 발광 소자의 형성 방법은 성장 기판으로부터 반도체 발광 스택을 분 리하는 단계, 상기 반도체 발광 스택을 상기 불투광 기판에 접합하는 단계, 및 상기 반도체 발광 스택 위에 형광 물질 구조를 형성하는 단계를 포함한다.
본 발명의 이러한 그리고 다른 목적들은 다양한 그림 및 도면에 도시된 바람직한 실시예의 이어지는 상세한 설명을 읽고 난 후 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 의심의 여지없이 자명하게 될 것이다.
실시예 1
도 1 내지 도 3을 참조하면, 반도체 발광 소자(10)는 불투광(light-impervious) 기판(11), 접합 구조(12), 반도체 발광 스택(13), 및 형광 불질 구조(14)를 포함한다. 반도체 발광 스택(13)은 원광(original light), 예컨대 GaN계 발광 다이오드용 청색 광을 방출하기 위해 바이어스 전류를 받을 수 있다. 빛은 불투광 기판(11)을 통과할 수 없기 때문에, 빛은 불투광 기판(11)의 반대편 방향, 즉 형광 물질 구조(14) 편으로 향할 것이다. 원광이 형광 물질 구조(14) 내로 들어올 때, 형광 물질 구조(14) 내의 형광 물질(1401)은 원광을 흡수하고 원광의 파장과 다른 파장을 갖는 변환된 광을 생성하기 위해 여기된다. 원광 및 변환된 광은 바람직하게는 백색 광으로 혼합될 것이다. 본 발명의 반도체 발광 스택(13)은 수직 구조(반대편에 전기적인 연결들을 갖고) 또는 수평 구조(같은 편에 전기적인 연결들을 갖고)일 수 있다.
본 발명의 불투광 기판(11)은 반도체 기판, 금속 기판, 전술한 물질의 조합 또는 다른 불투광 물질이다. 바람직하게는, 불투광 기판(11)은 Si, GaN/Si, GaAs, 및 그것들의 여하의 조합으로 구성된 군에서 선택된 하나의 물질을 포함한다. 아니면, 도 2에 도시된 바와 같이, 불투광 기판(11)은 둘 이상의 반도체 발광 스택들(13)을 분할하기 위한 트렌치(1302)를 갖는 웨이퍼이다. 적당한 방법은 형광물질 구조(14)가 형성된 후 반도체 발광 스택(13)을 잘라내는 것이다.
도 3에 도시된 바와 같이, 불투광 기판(11)은 투명 기판(1101) 및 반사층(16)을 더 포함한다. 반사층(16)은 투명 기판(1101) 방향으로 이동하는 빛을 반사시키기 위해 사용된다. 그 결과, 원광 및/또는 변환된 광은 투명 기판(1101)을 통과하는 대신 형광 물질 구조(14)로 인도될 것이다. 투명 기판(1101)은 GaP, SiC, ZnO, GaAsP, AlGaAs, Al2O3, 유리 및 그 여하의 조합으로 구성된 군으로부터 선택된 하나의 물질을 포함한다.
접합 구조(12)는 발광 기판(11) 및 반도체 발광 스택(13)을 접합하기 위해 이용된다. 접합 구조(12)는 금속, 예컨대 In, Au, Al 및 Ag 등일 수 있다. 금속은 불투광 기판(11) 및 반도체 발광 스택(13) 사이에 소정의 온도, 예컨대 200 ℃ ~ 600 ℃에서 형성되고, 발광 기판(11)을 향해 움직이는 빛을 반사하기 위한 거울로서 제공된다. 접합 구조(12)는 발광 기판(11) 및 반도체 발광 스택(13) 사이에 오믹 콘택을 또한 형성하고, 그 결과 발광 기판(11)은 반도체 발광 스택(13)에 전기적으로 연결된다.
다른 방식으로, 접합 구조(12)는 불투광 기판(11)이 반도체 발광 스택(13)을 직접 접하는 계면에 인접한 영역일 수 있다. 발광 기판(11) 및 반도체 발광 스택 (13)은 적당한 압력, 예컨대 200 g/cm2 ~ 400 g/Cm2 하에서 그리고 보다 높은 온도, 예컨대 500 ℃ ~ 1000 ℃, 바람직하게는 550 ℃ ~ 650 ℃에서 서로 접합된다.
발광 기판(11) 및 반도체 발광 스택(13)은 바람직하게는 접합 구조(12)에 의해 서로 접착되어 있다. 접착(gluing) 프로세스는 저온, 예컨대 150 ℃ ~ 600 ℃, 바람직하게는 200 ℃ ~ 300 ℃에서 그리고 소정의 압력, 예컨대 328 g/cm2 ~ 658 g/cm2, 바람직하게는 약 505 g/cm2에서 수행되고, 그에 따라 반도체 발광 스택(13)으로의 고온 손상을 줄이고 적당한 접합 효과를 달성한다. 접합 구조(12)는 금속, 에폭시, PI, BCB 및 PFCB 또는 다른 대체물을 포함한다. 더욱이, 접합 구조(12)는 투명 물질, 예컨대 BCB이다.
불투광 기판(11)이 반도체 발광 스택(13)에 전기적으로 연결될 때, 전기적인 채널이 수직으로 형성된다. 반도체 발광 소자(10)의 전기적인 연결(1301)은 반도체 발광 스택(13) 위에 배치될 수 있고 불투광 기판(11)은 다른 전기적인 연결로서 기능할 수 있다. 선택적으로, 다른 전기적인 연결이 불투광 기판(11) 상에 형성될 수 있다.
형광 물질 구조(14)는 원광의 파장과는 다른 파장을 갖고 변환된 광을 생성하기 위해 반도체 발광 스택(13)에 의해 생성된 원광을 흡수할 수 있는 하나 또는 그 이상의 형광 물질들(1401)로 구성될 수 있다. 변환된 광은 복수의 형광 물질들(1401)을 이용하여 복수의 색조(hue)들을 가질 수 있다. 게다가, 형광 물질 구조(14)는 반도체 발광 소자(10) 위에 형성되고 반도체 발광 스택(13)과 실질적으로 윤곽이 일치하고, 그에 의해 칩 패키지 과정을 단순화한다. 형광 물질(1401)은 바인더(미도시)를 통해서 반도체 발광 스택(13) 위에 형성될 수 있다. 바인더 및 형광 물질(1401)은 혼합되고 이어서 반도체 발광 스택(13) 상에 놓인다. 다른 방식으로, 바인더는 반도체 발광 스택(13)에 적용되고, 그 다음 형광 물질(1401)이 바인더 상에 증착된다. 게다가, 반도체 발광 스택(13) 위의 다른 구조들(미도시), 예컨대 컵 또는 컨테이너가 형광 물질(1401)을 운반하고, 채우고, 패키지 하기 위해 형성될 수 있다.
바람직하게는, 형광 물질 구조(14)는 단지 형광 물질(1401)을 포함하고, 또는 비-접착 형광 물질 구조이다. 비-접착 형광 물질 구조(14)는 여기에서 바인더, 에폭시, 또는 다른 바인딩 물질을 포함하지 않는 덩어리(lumped) 형광 물질로서 정의된다. 형광 물질(1401)을 덩어리로 만드는 방법은 예컨대, 세디멘테이션(sedimentation) 또는 다른 물리적 증착 프로세스가 사용될 수 있다. 반도체 발광 스택(13)과 형광 물질 구조(14)의 접합 강도는 형광 물질(1401)을 가열하고 그리고/또는 압축함으로써 더 증가될 수 있다. 비-접착 형광 물질 구조(14)의 사용은 바인더 또는 에폭시에 의한 광-흡수를 피하게 하고 보다 나은 광 변환 및 컬러 성능을 제공한다.
전술한 실시예의 형광 물질 구조(14)는 반도체 발광 스택(13) 상에 형성됨에도 불구하고, 형광 물질 구조(14)가 반도체 발광 스택(13)과 직접 접촉할 필요는 없다. 대신에, 다른 구조, 예컨대 보호층 또는 광학층이 반도체 발광 스택(13) 및 발광 물질(14) 사이에 형성될 수 있다. 부가하여, 발광 물질 구조(14)는 황화물 (sulfide) 분말과 같이 분말 형태이다. 바람직하게는, 분말의 평균 직경은 0.1 ~ 100 마이크로미터 사이이다.
실시예2
도 4 및 도 5는 본 발명의 제 2 실시예의 정면도들이다. 제 2 실시예에서 구성 요소들은 제 1 실시예에서 동일한 부호를 갖는 그것들과 동일하고, 그 요소들에 대한 반복적인 설명은 여기에서 생략된다.
제 1 실시예에서 설명된 바와 같이, 접합 구조(12)는 불투광 기판(11) 및 반도체 발광 스택(13)을 접합하기 위해 이용된다. 이 실시예에서, 접합 구조(12)는 제 1 중간층(1201), 접착층(1202) 및 제 2 중간층(1203)을 더 포함한다. 제 1 중간층(1201) 및 제 2 중간층(1203)은 불투광 기판(11) 및 반도체 발광 스택(13) 상에 각각 형성된다. 접착층(1202)은 제 1 및 제 2 중간층들(1201, 1203)을 접합하기 위해 이용된다. 두 중간층들(1201, 1203)은 접착층(1202)과 불투광 기판(11) 사이 및 접착층(1202)과 반도체 발광 스택(13) 사이의 접합 강도를 높이기 위해 이용된다.
접합 구조(12)의 접착층(1202)은 예컨대 에폭시, PI, BCB, PFCB, 또는 다른 유기 접착 물질이다. 제 1 및 제 2 중간층들(1201, 1203)은 SiNx, Ti, Cr, 또는 접착층(1202)과 불투광 기판(11) 사이 및/또는 접착층(1202)과 반도체 발광 스택(13) 사이의 접합 강도를 높이기 위한 다른 물질들이다.
도 4 및 도 5에 도시된 바와 같이, 반도체 발광 소자(10)는 형광 물질 구조 (14) 및 형광 물질 구조(14) 아래의 다른 구조들을 습기, 충격 등으로부터 보호하기 위해 형광 물질 구조(14) 위에 형성된 보호층(15)을 구비한다. 보호 구조(15)는 Su8, BCB, PFCB, 에폭시, 아크릴 수지, COC, PMMA, PET, PC, 폴리에테리미드(polyetherimide), 플루오로카본(fluorocarbon) 폴리머, 실리콘, 유리, 전술한 물질들의 조합, 또는 빛 투광성 다른 물질과 같은 물질을 포함한다.
보호 구조(15)는 복수의 광학층들(1501, 1502)을 포함하고, 각 광학층은 다른 두께를 갖는다. 광학층들(1501, 1502)의 각 두께는 바람직하게는 반도체 발광 스택(13)으로부터 거리에 따라 증가한다. 즉, 외층의 두께가 내층의 두께보다 두껍다. 이 실시예에서, 광학층(1502)의 두께는 광학층(1501)의 두께보다 두껍다. 광학층들(1501, 1502)의 두께 변화는, 보호 구조(15)의 깨짐을 방지하기 위해, 반도체 발광 소자(10)에 의해 보호 구조(15) 상에 초래된 열 스트레스를 감소시킬 수 있다. 복수의 광학층들(1501, 1502)은 확산기, 수광층, 즉 렌즈, 또는 반도체 발광 소자(10)의 발광 특징을 조절할 수 있는 다른 구조일 수 있다.
반도체 발광 소자(10)는 불투광층(11)으로 향해 움직이는 빛을 반사시키고 빛을 형광 물질 구조(14)로 인도하기 위한 반사층(16)을 더 구비한다. 반사층(16)은 접합 구조(12) 및 불투광층(11) 사이에 배치될 수 있고, 따라서 접합 구조(12)는 도 4에 도시된 바와 같이 투명하다. 반면, 반사층(16)은 도 5에 도시된 바와 같이 접합 구조(12) 및 반도체 발광 스택(13) 사이에 배치될 수 있다. 게다가, 반사층(16), 예컨대 브래그 반사체(Bragg reflector)가 반도체 발광 스택(13) 내에 형성될 수 있다(미도시).
반사층(16)의 물질은 예컨대 금속, 산화막, 전술한 물질의 조합, 또는 빛을 반사하기 위한 다른 물질들이다. 바람직하게는, 반사층(16)은 In, Sn, Al, Au, Pt, Zn, Ag, Ti, Pb, Ge, Cu, Ni, AuBe, AuGe, AuZn, PnSn, SiNx, SiO2, Al2O3, TiO2, 및 MgO로 구성되는 군으로부터 선택되는 하나의 물질이다.
본 발명의 반도체 발광 스택(13)은 전류 분산용 또는 다른 층들, 예컨대 p형 반도체 층 또는 n형 반도체 층과 오믹 콘택을 형성하기 위한 투명 도전층(미도시)을 더 포함한다. 투명 도전층의 물질은 인듐 주석 산화막(ITO), 카드뮴 주석 산화막(CTO), 안티몬 주석 산화막(antimony tin oxide), 아연 산화막(zinc oxide), 아연 주석 산화막(zinc tin oxide), Ni/Au, NiO/Au, TiWN, 또는 투명 금속층이다.
실시예 3
도 1 내지 도 5를 다시 참조한다. 본 발명의 반도체 발광 소자(10)의 제조 방법은 성장 기판(미도시)으로부터 반도체 발광 스택(13)을 분리하는 단계, 반도체 발광 스택(13)을 불투광 기판(11)에 접합하는 단계, 및 반도체 발광 스택(13) 상에 형광 물질 구조(14)를 형성하는 단계를 포함한다. 접합 단계는 반도체 발광 스택(13) 및 불투광 기판(11) 사이에 접합 구조를 형성하는 것이다. 선택적으로, 접합 구조는 반도체 발광 스택(13)을 불투광층(11)에 수정의 온도 및 압력, 예컨대 500 ℃ ~ 1000 ℃, 바람직하게는 550 ℃ ~ 650 ℃ 및 200 g/cm2 ~ 400 g/cm2에서 직접 접합하는 것이다. 접합 구조(12)는 반도체 발광 스택(13) 및 불투광층(11)을 소정 의 온도, 예컨대 150 ℃ ~ 600 ℃, 바람직하게는 200 ℃ ~ 300 ℃ 및 소정의 압력, 예컨대 328 g/cm2 ~ 658 g/cm2, 바람직하게는 약 505 g/cm2에서 접착하기 위한 접착층(미도시)일 수 있다. 접합 구조(12)는 또한 반도체 발광 스택(13) 및 불투광층(11)과 적절한 온도, 예컨대 200 ℃ ~ 600 ℃에서 접합된 금속층(미도시)일 수 있다. 금속층은 또한 빛을 반사시키기 위한 거울로서 도움이 된다.
바람직하게는, 접합 단계는 불투광층(11) 위에 제 1 중간층(1201)을 형성하는 단계, 반도체 발광 스택(13) 위에 제 2 중간층(1203)을 형성하는 단계, 및 반도체 발광 스택(13)과 불투광층(11)을 접착층(1202)을 통해서 접합하는 단계를 포함한다. 접착층(1202)은 제 1 및 제 2 중간층들(1201, 1203) 사이에 형성된다. 제 1 및 제 2 중간층들(1201, 1203)은 접착층(1202)과 반도체 발광 스택(13) 사이 및 접착층(1202)과 불투광층(11) 사이의 접합 강도를 증가시킬 수 있다.
형광 물질 구조(14)는 바람직하게는 형광 물질(1401)의 세디멘테이션에 의해 또는 형광 물질(1401) 및 바인더, 예컨대 에폭시의 혼합에 의해 반도체 발광 스택(13) 위에 형성된다.
보호 구조(15)는 또한 형광 물질 구조(14) 위에 형성될 수 있다. 보호 구조(15)는, 보호 구조(15) 아래의 다른 구조들을 습기 및 충격으로부터 보호하고 고온에서 발생한 열 스트레스를 이완시키기 위해, 복수의 층들(1501, 1502)을 포함할 수 있다.
더욱이, 본 발명은 불투광 기판(11)과 접합 구조(12) 사이 또는 접합 구조 (12)와 반도체 발광 스택(13) 사이에 에 반사층(16)을 형성한다. 선택적으로, 반사층(16), 예컨대 브래그 반사층이 빛을 반사시키기 위해 반도체 발광 스택(13) 내에 형성된다.
선택적으로, 형광 물질 구조(14)는 웨이퍼 또는 칩 상에 형성될 수 있다. 만일 형광 물질 구조(14)가 웨이퍼 상에 형성된다면, 트렌치(1302)는 반도체 발광 스택(13) 상에 설계되고, 그리고 이어서 형광 물질 구조(14)는 반도체 발광 스택(13) 위에 형성된다. 이어서, 형광 물질 구조(14) 또는 보호 구조(15)의 형성 후, 웨이퍼는 트렌치(1302)에 의해 잘려지고, 그 결과 반도체 발광 소자(10)의 칩들이 만들어진다.
본 발명의 범위로부터 벗어나지 않고 보다 넓은 범위의 관점에서 본 발명의 실시예들에 수정이 가해질 수 있음은 해당 기술분야에서 통상의 지식을 가진 자에게 자명하다. 따라서, 첨부된 청구항들은 그 범위 내에 본 발명의 정신 및 범위 내에 드는 모든 변경 및 수정을 포함한다.
본 발명에 따른 형광 물질 구조는 반도체 발광 소자 위에 형성되고 반도체 발광 스택과 실질적으로 윤곽이 일치하고, 그에 의해 칩 패키지 과정을 단순화할 수 있다.
본 발명에 따른 반도체 발광 스택과 형광 물질 구조의 접합 강도는 형광 물질을 가열하고 그리고/또는 압축함으로써 더 증가될 수 있다. 비-접착 형광 물질 구조의 사용은 바인더 또는 에폭시에 의한 광-흡수를 피하게 하고 보다 나은 광 변 환 및 컬러 성능을 제공한다.
Claims (35)
- 불투광(light-impervious) 기판;접합 구조;성장 기판으로부터 분리되고, 상기 접합 구조를 통해서 상기 불투광 기판에 접합된, 원광(original light)을 방출하기 위한 반도체 발광(light-emitting) 스택; 및상기 원광을 흡수하고 변경된 광을 생성하기 위한 형광 물질을 포함하고, 상기 반도체 발광 스택과 실질적으로 윤곽이 일치하고, 상기 반도체 발광 스택 위에 있는 형광 물질 구조를 포함하는 반도체 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 불투광 기판은 반도체, 금속, Si, GaN/Si, 및 GaAs로 구성된 군으로부터 선택되는 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 불투광 기판은 빛을 반사하는(reflective) 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 불투광 기판은투명 기판; 및반사층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
- 제 4 항에 있어서, 상기 투명 기판은 GaP, SiC, ZnO, GaAsP, AlGaAs, Al2O3, 및 유리로 구성된 군으로부터 선택된 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 접합 구조는 투명한 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 불투광 기판은 상기 반도체 발광 스택에 전기적으로 연결된 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 접합 구조는 빛을 반사하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 접합 구조는 금속, 에폭시, PI, BCB, 및 PFCB로 구성된 군으로부터 선택된 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 접합 구조는, 상기 불투광 기판이 상기 반도체 발광 스택에 직접 접하는 계면에 인접한 영역인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 접합 구조는,제 1 중간층;접착층; 및제 2 중간층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
- 제 11 항에 있어서, 상기 제 1 및 제 2 중간층들의 각각은 SiNx, Ti, 및 Cr으로 구성된 군에서 선택된 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
- 제 11 항에 있어서, 상기 접착층은 에폭시, PI, BCB, 및 PFCB로 구성된 군으로부터 선택되는 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 형광 물질 구조는 바인더를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 형광 물질 구조는 비-접착(non-glued) 형광 물질 구 조인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 형광 물질은 분말의 형태인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
- 제 16 항에 있어서, 상기 분말의 평균 직경은 0.1 ~ 100 마이크로미터의 범위에 있는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 형광 물질 구조 위에 형성된 보호 구조를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
- 제 18 항에 있어서, 상기 보호 구조는 복수의 광학층(optical layer)들을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
- 제 19 항에 있어서, 상기 복수의 광학층들의 두께는 상기 반도체 발광 스택으로부터의 그 각각의 거리에 따라 증가하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
- 제 18 항에 있어서, 상기 보호 구조는 Su8, BCB, PFCB, 에폭시, 아크릴 수지, COC, PMMA, PET, PC, 폴리에테리미드(polyetherimide), 플루오로카본 폴리머 (fluorocarbon polymer), 실리콘 및 유리로 구성된 군으로부터 선택된 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 불투광 기판 및 상기 반도체 발광 스택 사이의 반사층을 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
- 제 1 항에 있어서, 상기 반도체 발광 스택은 투명 도전층을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
- 제 23 항에 있어서, 상기 투명 도전층은 인듐 주석 산화막(ITO), 카드뮴 주석 산화막(CTO), 안티몬 주석 산화막(antimony tin oxide), 아연 산화막(zinc oxide), 아연 주석 산화막(zinc tin oxide), Ni/Au, NiO/Au 및 TiWN으로 구성된 군에서 선택된 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자.
- 성장 기판으로부터 반도체 발광 스택을 분리하는 단계;상기 반도체 발광 스택을 불투광 기판으로 접합하는 단계;상기 반도체 발광 스택 위에 형광 물질 구조를 형성하는 단계를 포함하는 반도체 발광 소자의 제조 방법.
- 제 25 항에 있어서, 상기 접합 단계는 상기 반도체 발광 스택 및 상기 불투 광 기판 사이에 접합 구조를 형성하는 것을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법.
- 제 26 항에 있어서, 상기 접합 구조는 접착제, 솔더, 반도체, 반사층, SiNx, Ti 및 Cr으로 구성된 군에서 선택된 하나의 물질을 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법.
- 제 26 항에 있어서, 상기 접합 구조는 상기 불투광 기판이 상기 반도체 발광 스택에 직접 접하는 계면에 실질적으로 근접한 영역인 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법.
- 제 25 항에 있어서, 상기 접합 단계는,상기 불투광 기판 위에 제 1 중간층을 형성하는 단계;상기 반도체 발광 스택 위에 제 2 중간층을 형성하는 단계; 및상기 불투광 기판을 상기 제 1 및 제 2 중간층들 사이의 접착층을 통하여 상기 반도체 발광 스택에 접합하는 단계를 포함하는 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법.
- 제 25 항에 있어서, 상기 형성 단계는 형광 물질을 상기 반도체 발광 스택 위에 배치하여 상기 형광 물질 구조를 형성하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법.
- 제 26 항에 있어서, 상기 형광 물질 구조는 형광 물질 및 바인더를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법.
- 제 25 항에 있어서, 상기 반도체 발광 스택 상에 트렌치를 형성하는 단계를 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법.
- 제 25 항에 있어서, 상기 반도체 발광 스택을 자르는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법.
- 제 25 항에 있어서, 상기 형광 물질 구조 위에 보호층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법.
- 제 26 항에 있어서, 상기 불투광 기판 및 상기 반도체 발광 스택 사이에 반사층을 형성하는 단계를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 반도체 발광 소자의 제조 방법.
Applications Claiming Priority (2)
| Application Number | Priority Date | Filing Date | Title |
|---|---|---|---|
| TW093126439A TWI241728B (en) | 2004-09-01 | 2004-09-01 | Semiconductor light-emitting device and production method thereof |
| TW093126439 | 2004-09-01 |
Publications (2)
| Publication Number | Publication Date |
|---|---|
| KR20060048984A KR20060048984A (ko) | 2006-05-18 |
| KR101068649B1 true KR101068649B1 (ko) | 2011-09-28 |
Family
ID=35745894
Family Applications (1)
| Application Number | Title | Priority Date | Filing Date |
|---|---|---|---|
| KR1020050069967A KR101068649B1 (ko) | 2004-09-01 | 2005-07-30 | 반도체 발광 소자 및 그 형성 방법 |
Country Status (4)
| Country | Link |
|---|---|
| JP (1) | JP2006074036A (ko) |
| KR (1) | KR101068649B1 (ko) |
| DE (1) | DE102005040522B4 (ko) |
| TW (1) | TWI241728B (ko) |
Families Citing this family (11)
| Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
|---|---|---|---|---|
| DE102006026481A1 (de) | 2006-06-07 | 2007-12-13 | Siemens Ag | Verfahren zum Anordnen einer Pulverschicht auf einem Substrat sowie Schichtaufbau mit mindestens einer Pulverschicht auf einem Substrat |
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| DE102006061175A1 (de) * | 2006-12-22 | 2008-06-26 | Osram Opto Semiconductors Gmbh | Strahlungsemittierendes Halbleiterbauelement und Verfahren |
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- 2004-09-01 TW TW093126439A patent/TWI241728B/zh active
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2005
- 2005-07-30 KR KR1020050069967A patent/KR101068649B1/ko active IP Right Grant
- 2005-08-23 JP JP2005241441A patent/JP2006074036A/ja active Pending
- 2005-08-26 DE DE102005040522.3A patent/DE102005040522B4/de active Active
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| JP2002203989A (ja) | 2000-12-21 | 2002-07-19 | Lumileds Lighting Us Llc | 発光装置及びその製造方法 |
Also Published As
| Publication number | Publication date |
|---|---|
| DE102005040522B4 (de) | 2022-03-03 |
| TW200610174A (en) | 2006-03-16 |
| DE102005040522A1 (de) | 2006-03-02 |
| JP2006074036A (ja) | 2006-03-16 |
| KR20060048984A (ko) | 2006-05-18 |
| TWI241728B (en) | 2005-10-11 |
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| Date | Code | Title | Description |
|---|---|---|---|
| A201 | Request for examination | ||
| E902 | Notification of reason for refusal | ||
| E701 | Decision to grant or registration of patent right | ||
| GRNT | Written decision to grant | ||
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20140905 Year of fee payment: 4 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20150908 Year of fee payment: 5 |
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| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20160818 Year of fee payment: 6 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20170818 Year of fee payment: 7 |
|
| FPAY | Annual fee payment |
Payment date: 20180903 Year of fee payment: 8 |
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| FPAY | Annual fee payment |
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