TWI240840B - A glass product for use in ultra-thin glass display applications - Google Patents
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1240840 九、發明說明: 【發明所屬之技術領域】 本發明係關於玻璃1叔,以及特別是關於玻璃基板產 物以使用於AMLCD顯示器製造處理過程。 【先前技彳标】 液晶顯示器(LCD)為非放射性顯示器,其使用外部光源 ° LCD為一種裝置,其能夠組構成調變由外部光源發出之入 射偏極光束。在LCD内之液晶材料藉由光學地旋轉入射偏 極光線而調變光線。旋轉角度相對應於液晶材料内各別液 晶分子力場指向。該現象藉由考慮一般扭轉向列(TN)液晶 顯示格而了解。 一般扭轉向列液晶顯示格包含兩個基板以及一層液晶 材料位於其中間。彼此指向為90度之偏極薄膜放置於基板 表面上。當入射偏極光線通過薄膜時,其在第一方向(例如 為水平或垂直)變為線性偏極。並未施力σ電場時,液晶分子 形成90度螺旋。當入射線性偏極光線通過液晶格時,其被 ,晶材料旋轉90度以及偏極為第二方向。因為光線偏極性 =到螺旋而旋轉以與第二薄膜偏極相匹配,第二偏極薄膜 能夠使光線通過。當施加電場於液晶層兩侧時,液晶分子 $列被擾動以及入射偏極光線不被旋轉。因而,光線受到 ^二偏極薄膜阻隔。上述所說明液晶格功能為光線閥。閥 藉^施加電場加以控制。熟知此技術者亦了解決定於施加 電场之特性,液晶格亦能夠操作為可變之光線衰減器。 主動陣列液晶顯示器(AMLCD)通常包含數百萬j固先前 :提及,陣列之液晶格。參考AMLCD構造,一個基板包含色 =濾波器板以及已知為主動基板之相對基板。主動^板包 :主動細半導體(TFT),其使絲控f悔-液晶格或次圖 素電場之施加。薄膜半導體使用一般半導體方式處理過程 如為喷塗,CVD,光石版印刷,以及飯刻加以製造。色彩減 1240840 波器包含一系列紅色,藍色,以及綠色有機染料精確地放置 於相對應於對面主動基板之次圖素電極區域。因而,在色 彩基板上之每一次圖素對準於主動基板上受控制電極之半 導體,因為每一次圖素必需各別地可控制的。一項定址以 及控制每一次圖素之方式為放置薄膜半導體於每1次圖 處。 /、 · 先前所提及玻璃基板之特性為非常地重要。使用於製 造AMLCD裝置之玻璃基板實際尺寸必需嚴格地加以控制。 說明於Dockerty之美國第3338696及3682609號專利之融合 處理過程為少數處理過程能夠傳送基板玻璃而不需要昂貴口 基板形成後之最終修飾操作,例如疊接,研磨,以及抛光。' 更進一步,由於主動^板使用先前所提及半導體方式處理 過程製造出,基板必需為對熱以及化學為穩定的。熱穩定 性亦已知為熱密實或收縮決定於特定玻璃組成份(以^變 點表示)以及玻璃片熱處理歷程,其為製造處理過程之^數 。化學耐久性表示使用於TFT製造處理過程所使用各種敍 刻溶液之抵抗性。 目前存在越來越大尺寸顯示器之需求。該需求以及由 大規模經濟生產之優點促使AMLCD製造商處理較大尺寸之 ^板。不過,此將產生數個問題。第一,較大顯示器增加重 量將產生問題。然而顧客喜歡較大顯示器,同時亦存在較 輕及較薄顯示器之需求。非常不幸地,假如玻璃厚度增加 玻璃基板彈性下垂將變為一項問題。當基板尺寸提高^製 造較大顯示器時,該下垂更進一步變為嚴重。目前,TFT製 造技術由於玻璃下垂而難以配合融合比〇· 5醜薄之破璃。 越薄越大基板對裝載,擷取,以及放置玻璃於匣子中以運送 玻璃於各處理工作台間之機械化處理能力產生負面影響。、
,玻璃在特定條件更容易受到損壞,導致在處理過程Y 南破損0 1240840 …t項已考慮之方式中,在TFT處理過程中使用厚的顯 „基板。杜_放置於玻璃基板後,玻璃紐之 :面藉由研磨及/或抛光加以變薄。額外步驟之費用十分 昂責。 、 …因而,、向度需要提供超薄融合玻璃基板,其能夠直接形 成薄膜半導體而不需要將齡H施作額外拋歧/或研 磨^驟。目前玻璃基缺度約為〇. 6—〇· 7刪。藉由減少基 板厚度至α 3腿,將達成重量減少50%。不過,超薄玻璃將產 生無法接受之高度下触及容纽生破裂。所需要為超薄 玻璃基板產物,其使用於業界TFT製造處理過程而不會產生 先前之問題。 【發明内容】 本發明解絲騎綱n本發供超薄融合 玻璃基板,其能夠使用於傳統TFT製造處理過程中。本發明 玻璃基板產物具有絲度能夠直接形成薄膜半導體而不x需 要進行拋光或研磨步驟。本發明提供超薄玻璃基板,其厚 度在0· 4腿及0.1腿之間。本發明一項為基板產物以使用於 製造主動陣列液晶顯示器板。產物包含玻璃基板適合使用 為顯示板。顯示基板厚度小於或等於〇. 4腿,組成份實質上 不含鹼金屬,以及表面平滑度能夠直接製造薄膜半導體在 其上面而不需要拋光及/或研磨處理步驟。產品亦包含至 少一個支撐基板,其可移除地連接至顯示基板。 本發明另外一項,本發明包含製造基板產物之方法以 使用於製造主動陣列液晶顯示器板中。該方法包含形成顯 示基板適合使用作為顯示板。顯示板厚度為小於或等於 〇· 4mm,組成份實質上不含驗金屬,以及表面光滑度能夠直 接形成薄膜半導體在其上面而不需要預先拋光及/或研磨 處理步驟。至少一個支撐基板連接至顯示器基板。 本發明另外一項包含製造主動陣列液晶顯示板方法。 1240840 該方法包含形成-組多個顯示器基板以使用作躺示板。 顯不板厚度小於或等於0· 4刪,組成份實質上不含驗金屬 以及表面光滑度能夠直接形膜半導體在其上面而不需 要,先拋光及/鱗磨處理步驟。至少—個支撐紐連接 至每了顯示器基板。主動陣列液晶顯示板使用第一顯示器 基板以及第一顯示器基板製造出。隨後連接至每一顯示器 基板之支撐基板加以移除。 #在另外二項中,本發明包含主動陣列液晶顯示板,其包 含第-顯7FH施。第—顯示II基祕度小於或等於0.4 匪,組成份實質上不含鹼金屬,以及表面光滑度能夠直接形 成薄辭導體在其上_不需魏先拋光及/或研磨處理 步驟。顯示板亦包含第二顯示H紐。第二顯示器絲厚 度小於或等於〇· 4腿,組成份實質上不含鹼金屬,以及表面 光滑度能夠直接形成薄膜半導體在其上面而不需要預先拋 光及/或研磨__。液晶材料放置於第一顯示器級 及第二顯示器基板之間。 #本發明先前一般說明及下列詳細說明只作為本發明之 範例,以及在於提供一個概要或架構以了解本發明之原理 及特性。其他特性及優點將詳細揭示於下列說明中,其部 份能夠被熟知此技術者由說明立即地了解或藉由實施詳細 說明及申請專利範圍及附圖所揭示之本發明而明瞭。 人們了解先前一般說明及下列詳細說明只是本發明範 例,以及在於提供概要或架構以了解申請專利範圍之特性 及原理。附圖顯示出本發明各種實施例,以及隨同說明以 解釋本發明之原理及操作。 【實施方式】 —現在參考本發明範例實施例詳細加以說明,該範例顯 不於附圖中。儘可能地,整個附圖參考數字表示相同或類 似之元件。本發明基板產品之範例性實施例顯示於圖1中, 1240840 其以參考數字ίο表示。 土^度為小於或等於〇· 4職,組成份實質上不含鹼金屬, 面絲舰夠雜戰_轉體在敲面 先拋光及/或研磨處理步驟。該產品亦包含至少 支撐級,其可移除地連接至顯示器基板。因而,本發明提 ,超薄融合玻璃基板,其能夠使用於業界TFT製造處理過程 中。顯不器基板之光滑度能夠直接形成薄膜半導體在豆上 面而不需要預先拋光及/或研絲理麵。產品亦包含至 少-個支撐基板,其可移除地連接至顯示她。因而,本發 明提供超薄融合玻璃基板,其能夠使用於業界TFT製造處^理 過程中。顯示器紐之光滑度能夠直接形滅薄膜半^體在 其上面而不需要預先撤光及/或研磨處理步驟。 如在此列舉及描緣於圖1中,其揭示出本發明第一實施 例之^板產品10。基板產品10為玻璃在玻璃上之疊層,其 總厚度在0· 6-0· 7mm範圍内。熟知此技術者了解該‘ 傳統TFT處理過程相匹配。產品1〇包含顯示器基板2〇及支 撐基板30。顯示器基板20厚度在〇· 1咖及〇· 4麵範圍内。顯 示器基板30厚度決定於顯示器基板之厚度以及產品1〇之整 個厚度。 顯示器基板20能夠為任何基板形式適合使用於液晶顯 示板,以及顯示器基板厚度小於或等於〇· 4麵,組成份實質 上不含驗金屬,以及表面光滑度能夠直接形成薄膜半導體 在其上面而不需要預先彳勉光及/或研磨處理步驟。參考美 國第5374595及6060168號專利,這些專利在此力X;入作為參 考之用,其說明構成顯示器基板20之玻璃組成份。 热知此技術者能夠對本發明支撐基板30作變化及改變 ,其決定於在TFT處理過程完成後使用來由顯示器基板2〇分 第9 頁 Ϊ240840 離支撐層30之構件。例如,支撐基板3〇可由犧牲性非顯示 坡璃組成份(無影響性玻璃)所構成,其適合於化學溶解而” 不會對顯示器基板產生後續損壞。在另外一個實施例中 支撐構件30能夠由相當柔軟非顯示性玻璃組成份所構成, 其可藉由研磨/拋光去除而不會對顯示器基板產生後續之 損壞。熟知此技術者了解許多種相當便宜玻璃能夠使用來 製造支撐層30。 具有不含缺陷以及光滑度相當於抛光表面之表面的疊 層基板產品1〇能夠依據下列步驟製造出。第一,兩種不;^ 驗金屬不同的組成份之原料加以熔融。顯示器玻璃原料應 變點必需呈現出高於600°C,以及相當不溶解於酸性溶液中 。支撐玻璃基板之原料以氧化物陽離子百分比為基準包含 27-47% Si〇2,(MO% B2〇3,15-43% Al2〇3,〇-4% %〇, 5-25%CaO,(H〇%Sr0 及/或%〇, 0—7%Zn〇, 〇—MMg〇+ SrO+BaO+ZnO 〇 目前一項支撐玻璃基板之材料以以氧化物陽離子百分 比為基準包含 4i%si〇2,18%Al2〇3,32%B2〇3,9.0%
CaO ° 參考美國第4102664及5342426號專利,這些專利在此 加入作為參考之用,其更詳細說明製造疊層物體之方法。 支撐破璃至少1000倍更加溶解於相同的酸性溶液中以 及固點至室溫之線性熱膨脹係數在顯示器玻璃基板之5χ 10 範圍内。支撐玻璃應變點亦呈現出高於600°C以及 ,當接近於顯示器顯示器基板之應變點。支撐玻璃主要特 彳It在於在〇—3〇〇°c溫度範圍内之線性熱膨脹係數在2〇—6〇x ίο—7/Χ 之間。 炫融原料瞬間地混合在一起,同時在液體狀態形成疊 層片狀物,其中顯示器玻璃完全包圍於支撐玻璃内。多層 在炫融物為液體形式下融合在一起以提供無缺陷之界面。 第10 頁 1240840 ®層片狀物冷卻使每一為流體形式之玻璃周化。 如上述所說明,在TFT處理過程完成後使用酸性溶液以 溶解支撐玻璃。在支撐玻璃移除後顯示器玻璃所產生之表 面實質上為無缺陷的以及相當於拋光玻璃表面之光滑度。 在$層片狀物到達其目的地後在酸性溶域中溶解性玻璃進 行溶解。因而,由疊層切割下之片狀物能夠立即地加以堆 疊以及運送至液晶顯示器裝置製造廠。 兩種玻璃之液相線溫度優先地低於進行疊層處理之溫 度以防止在選擇形成處理過程中發生析晶現象。 最終依據傳統操作,疊層片狀物可加以退火以避免任 何有害之應變,優先地在冷卻步驟過程中,雖然冷卻疊層可 再加熱以及再加以退火。如上述所說明,本發明玻璃應變 點相當高,在形成a-Si裝置中並不需要進行退火。 如在此所列舉以及描緣於圖2中,其揭示出本發明基板 產品10另外一個實施例。同樣地,基板產品1〇整體厚度在 〇· 6-0· 7臟,其與目前TFT處理過程技術相匹配。顯示器基 板20厚度在〇· 1mm及〇· 4mm之間。顯示器基板3〇厚度決定於 顯示器基板之厚度以及產品10之整體厚度。在該實施例中 ,顯示器基板30使用黏接劑黏附於顯示器基板2〇上。黏接 劑40為高溫助熔劑,其配方能夠承受接近45〇°c高溫之聚石夕 處理過程。更進一步,支撐基板30以及黏接劑40為能夠承 受在TFT處理過程中所遭遇化學,機坑以及光學環境之應 力。參考美國第5281560號專利,該專利之說明在此加入作 為參考,其更詳細說明可能的黏接劑。 顯示器基板20以及支撐基板30之組成份揭示於上述第 一實施例說明中。顯示器基板20以及支撐基板30能夠使用 融合抽拉處理過程製造出。參考美國第5281560及3682609 號專利,這些專利之說明在此加八作為參考,其更詳細說明 使用融合抽拉技術製造玻璃基板之系統及方法。藉由使用 第11頁 1240840 =高:輪比裴置以及複合拉引滾軸,融合抽拉技術能夠製 造出厚度接近〇· 1刪之玻璃基板。使用融合玻璃作為支禮 基板之一項優點為極良好的平坦性。表面平坦性為重要的 ,、因為其將使在TFT處理過程中之光石版印刷步驟中聚售誤 差,為最低程度。更進一步,支撐基板3〇之線性熱膨脹係、 數能夠與顯示器玻璃之熱膨脹係數相匹配。假如基板具有 不相同的熱膨脹係數,產品會發生變形。使用融合抽拉處 理過程另外一個優點為能夠製造出具有較高彈性模數之支 撐基板。 ' 上述所說明第二實施例具有優點相同於第一實施例。 基板產品10整體厚度,重量,以及下垂特性與目前業界Τρτ 處理技術相匹配。使用犧牲層3〇能夠製造出較輕及較薄顯 不板。 參考圖3,其揭示出本發明另外一個實施例。在該實施 例中,支撐基板30為融合玻璃片,其具有洞孔鑽過垂直於基 板表面之玻璃。洞孔尺寸及數目決定於使用來分離產品1〇 離開處理工作台之釋除構件。在一項實施例中,釋除構件 採用由柔軟非磨損性材料例如鐵氟龍製造之舉起銷。在另 外一個實施例中,釋除構件施加氣體或液體以舉起基板。 支撐基板30之構造亦可包含皺紋或”蛋板箱”設計。支撐基 板30可由再生玻璃製造出。在處理後,基板3〇可研磨為$ 玻璃以及使用先前所說明之製造技術再成形。基板3〇亦可 再利用而不需要研磨為碎玻璃。 在另外一個實施例中,支撐基板30包含邊緣,其圍繞著 顯示器基板20。在該實施例中,真空源能夠經由洞孔32施 加於顯示器基板20以在處理過程中保持產品1〇在適當位置 。在該實施例中,並不需要黏接劑4〇。不過,假如並不塗覆 黏接劑,塗$鑽石狀塗膜(DLC)至支樓基板30之表面,顯示 器^板20靠在該表面上。鑽石狀塗膜有助於熱量分散,為 第12 頁 1240840 用:板二在f後恨容卿除。
出本發明另外—個實施例。_1() 丨:ί 益失玻璃網00 M 為紐20提供額外的保護。在TFT處理以 及層支撐層。在TFT處理氣去除第二層以 及 亟溥膜塗覆於顯示器_2〇後側。如上述所說明 ’ 玻璃之特性必需與TFT處理過程條件相匹配。 參考圖5,其揭示出基板產品之另外 施例i似於圖1之實施例,其中級產品1“^其包1 顯不态基板20以及支撐基板30。不過產品 薇時預先處理層3驗其上面。預先處理層‘包上 層312位於顯示器基板2〇上。矽層314位於石夕石層3ι2上。 該兩層可使用化學汽相沉積法(CVD)形成。在下列說明後, 該實施例之優點將清楚地顯示出。 , 參考圖6,其顯示出在主動&反20上TFT之斷面圖。本 發明主動基板100包含顯示器基板2〇位於支撐基板3〇上。 在圖5中使用傳統的參考編號,絕緣球石312位於顯示器基 板20上。由半導體(si)薄膜形成之主動層314位於絕緣層 312上。閘絕緣層位於主動層314上。閘棚位於主動區域 中央之閘絕緣層320上。光源316及洩流極318形成於主動 區域中。在操作過程中,當電源施加於半導體上,電流由光 源流到洩流極318。圖素促動藉由耦合至洩流極318之線路 加以控制。顯示於圖6中TFT半導體1〇〇構造為列舉目的,以 及本發明並不受限於該形式之半導體。因而,圖6顯示出使 用犧牲性支樓層30以促使TFT形成於厚度在〇·;[醒-〇· 4π皿之 間較輕及較薄顯示器基板上。熟知此技術者了解基板產品 10之整體厚度,重量,以及下垂特性與傳統TFT處理過程相 匹配。因而,可採用本發明而不需要顯著地改變TFT製造過 第13 頁 1240840 裎。一旦完成TFT,可使用上述所說明技術去除犧牲層。 圖7A及7B詳細地顯示出本發明製造主動陣列液晶顯示 ^之方法。如® 7A所示,主動陣列液晶顯示板使用絲產 物10及12盤诰出.雨去佑媸士益脱以田杂丨m 製造主 伙沄。如圖Μ所不,主動陣列液晶顯示板使用連 乂勿10及12製造出,兩者依據本發明原理製造出。一 =半導體位於綠產品10之顯示器紐200上以製造主 色彩濾波器位於產品12之顯示器紐202上以製 k影色濾波益基板。隨後液晶材料50放置於主動基板2〇〇 =濾波器基板202之間,以及利用適當的材料密封。如圖7B 戶^不,去除黏附至每一顯示器級⑽〇, 2〇2)之支撐驗。 ,出本發明優點,假如顯示器基板2〇〇及顯示器2〇2 顯示板700將比傳統舰D板輕,因為 Ϊί 度約為〇. 6~〇· 7麵。假如顯示器铋200 ,所形細示請大約比 合脫作各種變化及改變而並不 ^^神及範圍。本發明各種變化及改變均含 孤於下列t μ翻細及其同等物範圍内。 【圖式簡單說明】 ΐ 一本發哪一實施例之鉍產品圖示。 本發明第二實施例之舰品圖示。 ί:=?ί本發明第三實施例之龜產品圖示。 ί 本翻細實補之紐產品圖示。
Si:於圖1中基板產品另一實施例之圖示。 上沉積‘ ί芯圖,其顯示出在描緣於圖1中顯示器級 _ίΐ=ί詳細圖,其顯示本發明tft處理過程。 2G;支撐紐3G;黏接劑 材枓50;主動基板1〇〇;主動基板2〇〇; 第Μ 頁 1240840 濾波器基板202;玻璃基板300, 302;預先處理層310;矽 石層312;石夕層314;光源316;汽流極318;閘400;顯示 板 700。 第15 頁
Claims (1)
- !24〇84〇十、申請專利範圍: 種使製造主轉顺晶辭板之絲產品,該產 口口包合· ^器絲適合使用作細示板,顯示器基缺度為小 ,或等於0· 4咖,其組成份不含驗金屬,以及其表面光滑度 二b夠直接製造細料齡其上面科需頻先抛光及/ 或研磨處理步驟;以及 至少一個支撐基板可移除地連接至顯示基板。 2&依據中請侧細第丨項之級^品其巾器細^ 度在〇· 1mm及0· 4刪之間。 3二依據申請專利範圍第i項之勤反產品,其中絲產品整體 厚度為小於或等於〇.7麵。 4·依據中請專利範圍第1項之絲產品,其中絲產品為玻 璃在玻璃上®層,至少-個 組成份所構成,其適合化學溶解而不會對顯示器基板產生 後續損害。 5·依據申請專利範圍第1項之絲產品,其中勤反產品為玻 璃在玻璃上疊層,至少一個支撐基板由相當柔軟非顯示玻 璃組成份所構成,其可藉由研磨/拋光加以去除而不會對顯 示器基板產生後續損害。 6·依據申請專利範圍第1項之基板產品,其中至少一個支撐 為可回收玻璃基板藉由黏接劑連接至顯示器基板。 牙 7·依據申請專利範圍第6項之基板產品,其中黏接劑及可回 收玻璃基板為能夠承受在TFT處理步驟過程中所遭遇熱化 學,機械,以及光學環境之應力。 ” 8·依據申請專利範圍第6項之基板產品,其中黏接劑及可回 收玻璃基板為融合玻璃基板。 9·依據申請專利範圍第8項之基板產品,其中至少一個支# 基板特徵為相對於顯示器基板為高彈性模數。 牙 1240840 10·依據申請專利範圍第8項之基板產品,其中可回收玻璃 基板包含鑽石狀塗膜,鑽石狀塗膜位於可回收玻璃基板與 顯示器基板之間。 11·依據申請專利範圍第1項之基板產品,其中至少一個支 撐基板特徵為相對於顯示器基板為低密度。 12.依據申請專利範圍第1項之基板產品,其中至少一個支 撐基板包含皺紋表面。 13·依據申凊專利範圍第1項之基板產品,其中至少一個支 撐基板包含具有蛋紙盒圖案放置於其上面。 14·依據申請專利範圍第i項之基板產品,其中至少一個支 撐基板包含一組多個洞孔。 B,依據申請專利範圍第j項之基板產品,其中至少一個支 撐^包含第一顯示器基板放置於顯示器基板第一側上以 及第二基板放置於顯示器基板第二侧上。 16·依^申請專利範圍第15項之勤反產品,其中第一支撐基 第二支撐絲由相當錄非顯示__份所構成 二/猎由研磨/拋光加以去除而*會_示器勤反產生後 績損害。 m申^1專利細第15項之編品,其中第一支撐基 ίί顯示玻璃組成份所構成,其可藉由研磨/拋 基板包含一層石夕。 不 n據^專利細第17項之基板產品,其中第二基板包 19 -種i 器紐及一層雜於-層上。 之方法使卿社_顺晶顯示板 滑度能夠直接製造薄膜半恤其上驗二== 第17頁 1240840 及/或研磨處理步驟;以及 連接至少一個支撐基板至顯示器基板。 20·依據申請專利範圍第19項之方法,其中形成步驟包含 熔融第一玻璃組成份以形成第一熔融玻璃材料。 21·依據申請專利範圍第20項之方法,其中連接步驟更造_ 步包含: 熔融至少一種第二玻璃組成份以形成至少一種第二 玻璃材料; 將第一熔融玻璃材料與至少一種第二溶融玻璃材料混人 同時第-熔融玻璃材料以及至少一種第二溶融玻璃材料^ 液體狀態因而產生顯示器基板層及至少一層支撐基板層· =合顯示器基板層以及至少一層支撐基板層於二溫^下 ,在该溫度下顯示器基板層以及至少一層支撑基板層六 體以提供無缺陷界面在其之間;以及 、 冷卻顯示器紐層以及至少一層支揮基_因而形成玻 璃在玻璃上疊層產品。 22·依據申請專利範圍第21項之方法,其中至少一芦 板層由犧牲性非顯示玻璃組成份所構成,其適合化 而不會對顯示器基板產生後續損害。 胛 23·依據申請專利細第21項之方法,其中至少一 Si軟非顯示玻璃組成份所構成,其可藉^研 抛絲以去除而不會對顯示器基妓生後續損宝。 申_!1專利範圍第19項之方法,其中至少1個支縣 置於顯示器_第一側上以及第 一基板放置於顯不器基板第二側上。 項之方法,其中第一顯示器紐 由研磨/拋絲絲_不會聰示旨魏產生後 頁 1240840 26·依據申請專利範圍第19項之方法,其中連接步驟更進一 步包含: 塗覆黏接劑至顯示器基板; 利用黏接劑連接至少一個支撐基板至顯示器基板,考占接 劑塗覆於兩者之間;以及 將黏接劑固化。 27·依據申請專利範圍第26項之方法,其中黏接劑及至少一 個支撐基板為能夠承受在TFT處理步驟過程中所遭遇熱化 學,機械,以及光學環境之應力。 28·依據申請專利範圍第26項之方法,其中更進一步包含塗 覆鑽石狀塗膜於至少一個支撐基板之步驟於塗覆黏接 驟之前。 29· -種製造主動陣列液晶顯示板之方法,該方法包含: ^成適合使用作為顯示板之_組多個顯示器勒反,每一 顯示器基祕度為小於或等於〇· 4腿,其組成份不含驗金屬 ,以及其表©光滑度能夠直魏造薄辭導體在其上面而 不需要預先拋光及/或研磨處理步驟;以及 至每一顯示器基板; 一 Ϊ造^車列液晶顯示板具有一组多個顯示器絲之第 -顯不③紐以及-組多個顯示器紐之第 器絲 ;以及 去除連接至第-顯示器顧以及第二顯示器絲之支樓 動反0 申請專利範圍第29項之方法,其中製造步驟更進一 導體於第一顯示器耻 其Γ弟二顯示器翁上,位於第一顯示器 色次圖素,以及藍色次圖素; ^、、工色-人圖素,名 第19 頁 1240840 放置液晶材料於第一顯示器基板及第二顯示器基板之間 ;以及 曰 密封第一顯示器基板以及第二顯示器基板。 31·依據申請專利範圍第29項之方法,其中更進—步包含塗 覆偏極遽波器至主動陣列液晶顯示板。 少匕3 ” 32·依據申請專利範圍第29項之方法,其中連接步驟争、隹— 步包含: '一 熔融第一玻璃組成份以形成第一熔融玻璃材料; 熔融第二玻璃組成份以形成第二熔融玻填材料; 將第一熔融玻璃材料與至少一種第二炼融玻填材料混合 ,同時第一熔融玻璃材料及至少一種第二溶融玻璃材料為 液體狀態因而產生顯示器基板層以及支擇基板層; " 融合顯示器基板層以及支撐基板層於一溫度下,在該溫 度下顯示裔基板層以及支撐基板層兩者為流體以提供無缺 陷界面於其之間;以及 冷卻顯示器基板層以及支撐基板層因而形成玻璃在玻璃 上之疊層產品。 33·依據申請專利範圍第32項之方法,其中去除支撲基板步 驟包含化學性地溶解支撐基板而不會對玻璃顯示基板產生 後續之損壞。 34.依據申請專利範圍第32項之方法,其中去除支撐基板步 驟包含研磨及/或拋光支撐基板而不會對玻璃顯示基板產 生後續之損壞。 35·依據申請專利範圍第29項之方法,其中連接步驟更進一 步包含: 塗覆黏接劑至顯示器基板; 利用黏接劑連接至少一個支撐基板至顯示器基板,黏接 劑塗覆於兩者之間;以及 將黏接劑固化。 第20 頁 1240840 36·依據申请專利範圍第35項之方法,其中去除支撐基板步 驟包含化學性地溶解支撐基板而不會對玻璃顯示基板產生 後績之損壞。 37·依據申請專利範圍第35項之方法,其中去除支撐基板步 驟包含施加機械力量以破壞顯示器基板與支撐基板間之黏 接劑黏附。 38· —種主動陣列液晶顯示板,其包含: 第一顯示器基板,第一顯示器基板厚度為小於或等於〇 4 臟,其組成份不含驗金屬,以及其表面光滑度能夠直接製造 薄膜半導體在其上面而不需要預先拋光及/或研磨處理牛° 驟; 第二顯示器基板,第二顯示器基板厚度為小於或等於〇 4 臟,其組成份不含驗金屬,以及其表面光滑度能夠直接製造 薄膜半導體在其上面而不需要預先拋光及/或研磨處理^ 驟;以及 液晶材料放置於第一顯示器基板以及第二顯示器基板之 間。 39·依據申請專利範圍第38項之顯示板,其中第一顯示器基 板包含薄膜半導體位於其上面,以及第二顯示器基板包 彩色濾波器位於其上面,位於第一顯示器基板上每一薄臈 半導體之彩色濾波器包含紅色次圖素,綠色次圖素,以及藍 色次圖素。 - 40·依據申請專利範圍第38項之顯示板,其中第一顯示器基 板厚度在0· 4mm及0· 1mm之間。 41·依據申請專利範圍第38項之顯示板,其中第二顯示器基 板厚度在0· 4刪及0· lmm之間。 第21頁
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