TWI240772B - Apparatus of crystallization - Google Patents

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1240772 五、發明說明（1 ) 技·農颜域 本發明係關h 析裝置和晶析方法，尤指可縮短晶 體生成之誘導時間，且可得粒大而分佈集中的晶體之 #置’及獲得此種晶體之方法。另外，本發明亦關係 到多種晶形之控制方法。 童術 晶析方法已知將溶劑蒸發，以提高所要晶析的物質 濃度’使晶析之方法。此方法由於要晶析的物質溶濃 度提高時，溶劑的蒸發速度會降低，只能緩緩晶析， 所得晶體粒徑分佈廣延，爲其缺點，而且因必須長期 間蒸發溶劑，成本也有問題。 另方面，有將要晶析的物質經濃縮後，加以冷卻晶 析之方法，但除晶析費時外，分離也會發生問題，在 粒度調節困難之外，又有冷卻增加成本的問題。 此外，即使同樣物質也會得各種晶形，例如α -晶 體、卢·晶體、r -晶體等晶形，物質之溶解性因晶形 而異。尤其是在藥品領域內，使藥劑呈特定晶形，可 得均勻的溶解性，故使晶形整齊乃成爲重點。可是， 欲得特定晶形（控制多種晶形）相當困難，從各種晶形 混在一起當中，難以分離出特定晶形的晶體。 因此，極需一種方法，可以迅速、簡便、且晶形均 勻（即可以控制多種晶形）方式，獲得粒徑分佈集中而 粒徑大的晶體。 發明槪述 1240772 五、發明說明（2) 本發明係關於一種晶析裝置，包括攪拌槽，使液體 或漿液沿該攪拌槽的槽壁循環之液體循環機構，以及 設在該攪拌槽，在該攪拌槽的槽壁產生溫差之一或二 以上之溫差產生機構。 又，本發明係關於一種晶析裝置，包括攪拌槽，配 置有噴液裝置，由轉動軸和安裝在該轉動軸的一或二 以上送液機構所構成；和可在該攪拌槽之槽壁產生溫 差的一或二以上之溫差產生機構。 在較佳具體例中，該溫差產生機構爲一或二以上之 加熱或冷卻機構。 在較佳具體例中，該溫差產生機構爲加熱機構，設 在利用前述噴液裝置轉動噴出的液體，或漿液可接觸 到該攪拌槽的槽壁之區域或其下方區域，使該噴出的 液體或漿液之溫度比周圍的液體或漿液之溫度爲高。 在另一較佳具體例中，該溫差產生機構爲冷卻機 構，設在利用前述噴液裝置轉動噴出的液體或漿液可 接觸到該攪拌槽的槽壁之區域或其下方區域，使該噴 出的液體或漿液之溫度比周圍的液體或漿液之溫度爲 低。 較佳具體例中’該溫差產生機構爲二冷卻機構和一 加熱機構，該加熱機構係在該二冷卻機構下方，利用 轉動該噴液裝置’將液體或漿液噴出到該二冷卻機構 的中間區域或下方冷卻機構之區域。 又在較佳具體例中，該送液機構有水閘體、管體、 1240772 五、發明說明（3) 板狀體、圓錐台狀的無底中空筒體。 較佳具體例中，前述晶析裝置爲冷卻晶析裝置。 在另一較佳具體例中’前述晶析裝置爲濃縮晶析裝 置° 本發明又關於多種晶形之控制方法，其特徵爲將要 生成晶體之液體沿具有溫差之槽壁循環，並濃縮。 、本發明又關於多種晶形之控制方法，包括步驟爲： 從具有轉動軸和安裝於該轉動軸的一或二以上送液機 構之噴液裝置，噴出液體或漿液，令該噴出的液體或 漿液和溫度與該液體或漿液溫度不同的槽壁接觸而循 環。 噴高 述爲 前度 ，溫 中液 例漿 體或 具體 佳液 較該 在較 度 出 的 溫 和 是 液 漿 或 體 液*

By 觸 接 壁 之槽 溫 和 是 液 漿 或mm SMn 液 之 出 噴 述 前度 ，溫 中液 例漿 體或 具體 佳液 較該 在較 度 觸 接 壁 槽 的 低 爲 大 徑 晶 均 平 方 I 長的 成軸 之動 體轉 晶該 的於 裝 安 和 軸 ΊΕ-· 33 轉 於有 i具 係從 明爲 發驟 本步 ，括 外包 另， 法 令同 ，不 液度 漿溫 或液 體漿 液或 出體 噴液 ，該 置與 裝度 液溫 噴和 之液。 構漿環 機或循 液體而 送液觸 上的接 以出壁 二噴槽 或該的 例 ί 之 置 裝 析 晶 明 發 說爲 單圖 簡 1 式 圖 例 置 裝； 液圖 噴例 之體 構具 機 一 液另 送置 爲裝 體析 閘晶 水明 有發 具本 爲爲 圖圖 12 3 第第第 1240772 五、發明說明（4) 第4圖爲本發明晶析裝置和習知裝置所用L -天冬醯 胺酸之晶析速度圖； 第5圖爲本發明晶析裝置和習知裝置所用l -天冬醯 胺酸晶體粒度分佈圖； 第6圖爲晶析過程中顯示晶形存在狀態之照片； 第7圖爲晶形隨時間變化圖； 第8圖爲L -麩醯胺酸之濃度變化圖； 第9圖爲L -麩醯胺酸晶體之平均晶體粒徑隨時間變 化圖； 第1 0圖爲在各濃縮時間的L -麩醯胺酸晶體之平均 晶體粒徑分佈圖； 第11圖爲顯示對苯二甲酸晶體之照片，第11A圖爲 使用本發明裝置所得之晶體，第1 1 B圖爲使用習知裝 置所得之晶體。第11A圖和第11B圖的倍數都是100 倍。 發明昜佳實施具體例 定義:在本說明書中，「液體」指不會晶體之、液 體，「漿液」指含有晶體之液體。又，液體循環機構 或噴液裝置，指液體或漿液之循環機構或噴出裝® ° 太發明晶析裝置 本發明晶析裝置包括攪拌槽，使液體或漿液沿該胃 拌槽的槽壁循環之液體循環機構，以及設在該攪矛半 槽，在該攪拌槽的槽壁產生溫差之一或二以上之溫差 產生機構。 1240772 五、發明說明（5) 此種晶析裝置之最佳裝置，包括攪拌槽，配置有噴 液裝置，由轉動軸和安裝在該轉動軸的一或二以上送 液機構所構成；以及可在該攪拌槽之槽壁產生溫差的 一或二以上之溫差產生機構。 本發明晶析裝置之特徵在於：噴液裝置具有代表性 液體循環機構，以及令液體或漿液在不同溫度（即較高 溫度或較低溫度）接觸。因此，本發明晶析裝置具有循 環液量、高溫、低溫、共三個變化的變數。使用具有 此特徵之本發明晶析裝置，不但可控制多種晶形，且 粒度分佈集中，平均晶體直徑大的晶體，可迅速簡便 成長（製粒）。 本發明所用液體循環機構，以液體或漿液可沿攪拌 槽的槽型循環之機構爲佳，例如使用循環泵把液體或 漿液提到攪拌槽上部，從上部沿槽壁流下之機構，從 攪拌器上部藉噴嘴等將液體或漿液沿槽壁流下之機 構，以及將液體或漿液朝槽壁噴出之機構。其中以利 用柏努依原理和/或離心力等，將液體或漿液吸上去， 朝槽壁噴出的噴液裝置爲佳。 茲使用噴液裝置說明本發明晶析裝置，惟本發明不 限於使用噴液裝置之例。 第1圖表示本發明晶析裝置。在攪拌槽T設置有安 裝轉動軸3的馬達Μ。噴液裝置4係由中空管體的送 液機構1和固定具2所構成，裝設在轉動軸3。Η和J 爲溫差產生機構。溫差產生機構Η和；[設定成產生溫 1240772 五、發明說明（6) 差。即，設置在攪拌槽T上方的溫差 度，可以比設置在攪拌槽T下方的溫 溫度爲高或爲低。 送液機構1以一定的斜度安裝於® 開口部1 1在液面L以下，而上方開 面。噴液裝置4隨轉動軸3的轉動而 構1的下方開口部1 1取液體或漿液 1，即從上方開口部1 2噴出液體或漿 在攪拌槽T上方的溫差產生機構Η接每 噴出之液體或漿液，利用溫差產生 度較周圍爲高或低。 溫差產生機構Η爲加熱機構時，漿 之際，微晶體會溶解，由於透過內壁 故下方的傳熱面積通常全部用到，ΐ 度，縮短晶體生成之誘導期間，分佈 粒晶體。此種晶析裝置爲冷卻晶析裝價 另方面，溫差產生機構Η爲冷卻機 冷卻區域之際，促進漿液中的晶析， 可提筒晶析速度，縮短晶體生成的誘 中，成長爲大粒晶體。此種晶析裝置 之例。 第2圖之晶析裝置係與第1圖同樣 晶析裝置的噴液裝置4，係具有水閘| 安裝在轉動軸3的水閘體5在前，平: 產生機構Η之溫 差產生機構]之 定具2，使下方 口部12露出液 轉動，從送液機 ，移動送液機構 液，使噴液與設 機構Η，可使溫 液通過加熱區域 回流到冷卻槽， Ϊ以提高冷卻速 集中，成長爲大 【之例。 構時，漿液通過 透過內壁回流， 導期間，分佈集 爲濃縮晶析裝胃 的晶析裝置。& 鏖5之例。由於 板部5 3在後（按 1240772 五、發明說明（7) 圖上箭頭方向）轉動’液體或獎液即從水閘體5的下方 開口部51上升，從上方開口部噴出’與藉溫差產 生機構Η加熱或冷卻之區域接觸。 第3圖之晶析裝置’係噴液裝置4固定於轉動軸3 上方，而下方具有攪拌翼6之例。此裝置可將液體或 漿液濃縮到某種程度時’即不噴出液體，然後，利用 擾泮進行晶析。 因此，本發明裝置可用於冷卻晶析或濃縮晶析。本 發明裝置因具有大蒸發面積和傳熱面積，可縮短晶體 生成之誘導期間，得分佈集中之大粒晶體。另外，可 僅取得特定晶形，亦即可控制多種晶形。 茲說明本發明晶析裝置各要件如下。 A .噴液裝置 說明第1圖裝置例。噴液裝置4係由中空管體的送 液機構1和固定具2所構成，安裝於轉動軸3。送液 機構1以一定斜度安裝於固定具2，下方開口部1 1在 液面L下方，上方開口部1 2露出液面l。噴液裝置4 隨轉動軸3的轉動而轉動，從送液機構1 (例如管體） 的下方開口部1 1取液體或漿液，移動送液機構1，從 上方開□部1 2噴出液體或漿液，使噴液與攪拌槽τ之 槽壁接觸。 利用改變噴液裝置4的送液機構1固定角度，或改 變_ 8力Μ ¥方法’即可改變噴出液碰到攪拌槽槽壁的 位置° S此’爲顧及後述溫差產生機構的位置，可以 1240772 五、發明說明（8) 改變噴液裝置4的送液機構1固定角度，或改變轉動 數。 桌1圖所不噴液裝置4單純舉例而已。本發明晶析 裝置所用噴液裝置4，可用例如特開平6_ 3 3 5 6 2 7號公 報所載裝置。 固定在噴液裝置的送液機構1，只要利用轉動軸3 的轉動，可因柏努里原理和/或離心力移動液體或漿 液，不拘形狀。第2圖所示管體之外，其他有例如水 閘體，板狀體，圓錐台狀之無底中空筒體等。 B .溫差產生機構 本發明裝置所用溫差產生機構，設定成產生溫差。 即配置在攪拌槽上方的溫差產生機構之溫度，可比配 置在攪拌槽下方的溫差產生機構之溫度爲高或低。何 者溫度爲高，可視目的之晶形（例如α晶體、/3晶體） 而定。攪拌槽上下設定溫差，可控制多種晶形。 溫度產生機構設在噴液裝置之噴出液與攪拌槽的槽 壁接觸之區域，或在其以下區域。此溫差產生機構有 電熱器、電磁感應加熱、加熱盤簧、加熱板、或可谷 許加熱氣體、蒸汽、熱媒、溫水、冷水、鹽水等循環 之夾套等。此等溫度產生機構，可設在攪拌槽外側’ 設在內側亦可。另外，溫萆產生機構可以移動。因 此，加熱盤管、加熱板、冷卻板等，設在攪拌槽的槽 壁內側，噴液裝置的噴出液可以碰到此加熱盤簧、加 熱板、冷卻板。 -10- 1240772 五、發明說明（9) 噴液裝置的轉數以周期性或隨機變化，可以改變噴 出 '液碰到槽壁的位置，溫差產生機構以移動性爲佳。 再者’加熱裝置雖然固定，亦可利用電腦控制等僅對 所需區域加熱。 設有二溫差產生機構時，若減少噴液裝置之轉數。 即不噴出液體或漿液，但下方溫度低時，該部份有冷 凝器作用，容易控制多種晶形。 另外’亦可設有三個以上溫差產生機構。例如設有 三個溫度產生機構，將上方和中間二個冷卻，將下方 加熱’則以後述濃縮晶析裝置爲宜。噴液裝置之噴出 液雖然不與最上方的冷卻部接觸，但若接觸到中間冷 卻部’在此中間部可產生晶體。可是由於上方有冷凝 器的作用，液體會冷凝，可提高以稀液體洗淨此中間 冷卻部之可能性。由於噴液裝置的轉數減少時，不會 噴出液體或漿液，則上方冷卻部凝結的液體，可做爲 中間冷卻部所產生晶體之洗液流。因此，溫差產生機 構以三個或以上爲佳。 C .晶析方法 C - 1冷卻晶析裝置和晶析方法 根據第1圖說明冷卻晶析裝置。冷卻晶析裝置在第 1圖裝置中，係溫差產生機構Η(槽壁上方）比溫差產生 機構；Τ (槽壁下方）高溫之裝置。因此，以溫差產生機 構Η爲加熱機構（例如加熱器、加熱盤管），溫差產生 機構；I (槽壁下方）爲冷卻機構（例如冷卻夾套）爲佳。 -11- !24〇772 五、發明說明（1〇) 籍噴液裝置 4轉動，因冷卻產生含有微晶體的漿 '液’噴出於攪拌槽T上方，此漿液在通過利用溫差產 生機構Η (加熱機構）加熱區域之際，漿液中的微晶體 '溶解，同時透過內壁回流到冷卻槽，下方的傳熱面積 通常可全部使用，故可提高冷卻速度，縮短晶體生成 之誘導期間，產生分佈集中，成長爲大粒晶體之效 果。 由於本發明晶析裝置亦可用做濃縮裝置’在移到冷 卻晶析之前，液體必須濃縮時’利用溫差產生機構 J (槽壁下方）爲加熱機構，加大蒸發面積和傳熱面積， 快速進行濃縮’亦可大爲縮短全體晶析所需時間。亦 即，可降低溫差產生機構Η (槽壁上方）的溫度，提高 溫差產生機構〗（槽壁下方）的溫度’進行某種程度的 濃縮，接著提高溫差產生機構Η (槽壁上方），降低溫 差產生機構J (槽壁下方）’以進行冷卻晶析。 r - 9釋縮晶fc裝置一和-晶-析方法 根據第1圖說明濃縮晶析裝置，濃縮晶析裝置在第 1圖裝置中，係溫差產生機構H(槽壁上方）較溫差產生 機構J (槽壁下方）低溫之裝置。因此，以溫差產生機 構Η爲冷卻機構（例如冷卻夾套），溫差產生機構J (槽壁下方）爲加熱機構（例如加熱器、加熱盤管）爲 佳。 藉噴液裝置4的轉動’將含微晶體的漿液噴向攪拌 槽Τ上方，此漿液在通過利用溫差產生機構Η (冷卻機 -12- 1240772 五、發明說明（11 ) 構）冷卻的區域之際，因促進漿液中的晶析，同時透過 內壁回流，可提高晶析速度，縮短晶體生成的誘導期 間，產生分佈集中，成長大粒晶體的效果。使用此裝 置進行例如麩醯胺酸晶析時，α晶體可選擇性成長。 另外，本發明濃縮晶析裝置是利用噴液裝置將加熱 液體噴到槽上方，可得很大的冷卻蒸發面積，有效進 行液體蒸發，可加大晶體。 再者，防止晶體附著在晶析裝置下方之方法，使用 在真空蒸發之溶劑時，有用溫度控制真空度，以蒸發 熱降低溫度等方法。又，利用冷卻的氣體循環，亦可 防止晶體附著在晶析裝置的下方。 按照上述，本發明晶析裝置因包括攪拌槽，具有使 液體或漿液沿攪拌槽的槽壁循環之液體循環機構，更 好是由轉動軸，和安裝於轉動軸之一或二以上的送液 機構所構成之噴液裝置，故利用轉動軸的轉動，液體 或漿液從下方開口部藉離心力等移動到送液機構內， 液體或漿液從上方開口部向槽上方噴出。 噴出之液體或漿液，與設在攪拌槽槽壁的溫差產生 機構接觸，噴出的液體或漿液溫度可比周圍液體或漿 液溫度高，或低。 使用本發明裝置進行冷卻晶析時，噴出的液體或漿 液溫度可藉加熱機構，而高於周圍。因此在冷卻過程 產生含微小晶體的液體或漿液一部份，透過槽壁回到 母液之際，受熱的微小晶體即告溶解，同時由於噴出 -13- 1240772 五、發明說明（12) 通常全部使用到下方的傳熱面積，可提高冷卻速度。 結果，可縮短晶體生成之誘導期間，分佈集中的大粒 晶體獲得成長。 另外，使用本發明裝置進行濃縮晶析時，噴出的液 體或漿液的溫度可藉冷卻機構低於周圍。因此，除了 加大濃縮過程產生的蒸發面積和傳熱面積外，含微小 晶體的液體或漿液一部份透過槽壁回到母液之際冷 卻，可提高溶液中晶體之晶析速度，縮短晶體生成之 誘導期間，發生分佈集中，成長爲大粒晶體之效果。 使用此裝置進行例如麩醯胺酸晶析時，大多爲α晶 體。 奮施例 茲以實施例說明本發明如下，惟本發明不限於此等 實施例。 奮施例1 :冷卻晶析 使用包括噴液裝置之晶析裝置，上方有加熱機構， 下方有冷卻機構，進行L -天門冬胺酸之冷卻晶析。如 第1圖所示，具有使用管體爲送液機構之噴液裝置， 於內徑1 39 . 8mm，容量3公升之晶析裝置，裝入0 . 53 重量％濃度的L-天門冬胺酸溶液1 . 5公升，以3 40 rpm 轉速開始冷卻。本體液溫控制在1 1 . 2 °C。本發明裝置 在噴出的液體或漿液碰到攪拌槽之部份，設有夾套， 以3 0 °C溫水循環。晶析裝置內的液體或漿液溫度維持 1 1 . 2 °C (即晶析溫度1 1 · 2 t )，冷卻夾套的溫度維持在 •14- 1240772 五、發明說明（13) 5〇C。 做爲比較例，採用之晶析裝置（以下稱習知裝置 A )，係同型攪拌槽，只有攪拌翼，噴液裝置無加熱機 構。習知裝置A內的液體或漿液溫度維持1 1 . 2 °C。 結果如第4圖所示。第4圖中分別以-·-表示使用 本發明晶析裝置濃縮時，-〇-表示使用習知裝置A濃 縮時，L -天門冬胺酸濃度之隨時間變化（晶析速度）。 由第 4圖可知，使用本發明晶析裝置，在冷卻開始 後6小時左右，開始晶析，急速進行晶析，L -天門冬 胺酸濃度到達約3mg/ml，僅需約17小時。另方面， 使用習知裝置A時，經約20小時後，開始晶析，L -天 門冬胺酸濃度達約3mg/ml時，需約38小時。亦即可 知利用本發明裝置，晶體生成之誘導期間可大爲縮 短。 就所得晶體硏究結果，如表1和第5圖所示。第5 圖是使用本發明裝置和習知裝置，分別所得晶體之粒 度分析圖。陰影線表示本發明裝置，白棒表示習知裝 置A所得晶體。 -15- Ϊ240772 五、發明說明（14) 表1 粒徑分布 習知裝置 本發明裝置 βίϊ\ 晶體（g ) (%) 晶體（g ) (%) >710 0 0 0.02 \ J--- 0.6 — 500-710 0.02 0.6 0.05 1.5 420-500 0.09 2.7 0.12 3.6 297-420 0.94 28.5 1.31 40.3 212-297 1.09 33.9 1.32 40.6 160-212 0.43 13.5 0.27 8.3 _ 105-160 0.38 11.8 0.11 3.3 74-105 0.2 6.3 0.04 1.2 53-74 0.06 1.9 0.01 厂0.3 37-53 0.02 0.6 0 0 <37 0 0 0 0 _ 合計 3.23 99.8 3.25 99.Ί 此結果表示，和習知裝置所得晶體相較，本發明裝 置所得L -天門冬胺酸的晶體粒度大，且粒度分佈集 中。如此可視爲是在裝置上方設有加熱機構，溶液與 此加熱機構接觸時，一度生成的微小晶體會再溶解， 成長爲大粒晶體。即，使用本發明裝置時，溶液溫度 爲1 1 . 2 °C，但因液體加熱，在冷卻夾套有5 °C冷卻水 流動，冷卻槽壁面與溶液本體間發生急坡度境膜，在 急坡度境膜之飽和度於5 · 6 °C〜1 1 · 2 °C間變高，可促進 成核。 又，此實施例儘管不加種晶，但可迅速獲得大粒天 門冬胺酸晶體。加種晶時，預計可得粒度更大，更迅 速獲得天門冬胺酸晶體。 -16- 1240772 五、發明說明（15) 實施例2 :濃縮晶析 使用具有噴液裝置之晶析裝置，上方有冷卻 下方有加熱機構，進行L -麩醯胺酸之冷卻晶析 1圖所示，在具有使用管體爲送液機構的噴液 內徑139.8mm、容量3公升的晶析裝置，裝入 濃度的L-麩醯胺酸溶液2公升，以290 rpm轉 冷卻。控制晶析裝置內之液體或漿液溫度到29 晶析溫度2 9 . 8 °C )。本發明裝置在噴出的液體或 到攪拌槽之部位設有夾套，以1 6 °C冷卻水循環。 置內的液體或漿液溫度維持29.8 °C，加熱夾套 3 6 . 5 °C。 做爲比較例，使用同型容器，僅有攪拌翼， 液裝置和冷卻機構之裝置（習知裝置B)。液溫（ 度）維持2 9 · δ °C 〇 使用本發明晶析裝置時溶液中的晶形’與使 裝置B時溶液中的晶形比較，如第6圖所示。： 之（A)P.8h、 （C)P.12h、 （E)P.16h，分別表示使 裝置B在第8小時，第12小時，和第16小 形。第 6 圖之（B)P.W.W.8h 、 （D)P.W.W. (F)P.W.W.16h，分別表示使用本發明裝置在澤 時，第1 2小時，和第1 6小時之晶形。 由第6圖可知，使用習知裝置進行晶析時’ ^ 時（A )有大粒α晶體和小粒/9晶體混在一起’至1 時（Ε )幾乎都成爲万晶體。 機構， 。如第 裝置， 50g/L 速開始 • 8 〇C (即 漿液碰 晶析裝 溫度爲 不設噴 晶析溫 用習知 第6圖 用習知 時之晶 1 2h 、 5 8小 襄8小 ίΙ 第 16 -17- 1240772 五、發明說明（1 6 ) 相對地，使用本發明裝置時，看第8小時（B)和第 1 2小時（D )，可見第8小時（B )只有α晶體，第1 2小時 觀察到稍有/3晶體。即使到第1 6小時，Θ晶體量變少 了。由此暗示，使用本發明晶析裝置時，可僅得α晶 體。 晶析的L -麩醯胺酸晶形之隨時間變化，可參見第7 圖。第7圖中分別以-籲-表示使用本發明晶析裝置濃 縮時的晶形變化，-〇-表示使用習知裝置濃縮時的晶 形變化。而α晶體的比例，係使用粉末X射線折射求 得之値。由第7圖可知使用本發明晶析裝置時，到1 〇 小時爲止，只有α晶體存在。 以上結果表示使用本發明晶析裝置，可得僅僅標的 晶形（L -麩醯胺酸時爲α -晶體）。 又，第8圖表示L -麩醯胺酸濃度之隨時間變化（晶 析速度）。分別以-·-表示使用本發明晶析裝置濃縮， 而-〇-表示使用習用裝置濃縮之情況。到達α晶體溶 解度（1 6mg / L )的時間，比本發明裝置稍快。亦即使用 本發明裝置時，因溶液濃度快速減少，可視爲是二次 成核受到抑制，只產生α晶體。再者，本發明裝置設 有冷卻機構，可將部份溶液冷卻。因此，提高飽和 度，促進此部份的α晶體成核，快速成長，都可視爲 快速晶析的原因。 第9圖表示L -麩醯胺酸晶體之平均晶體粒徑。分別 以-·-表示使用本發明晶析裝置，-〇-表示使用習知 -18- 1240772 五、發明說明（17) 裝置濃度的情況。使用本發明裝置時，顯示平均晶體 粒徑加大。 此外’第1 0圖表示在各時間的L -麩醯胺酸晶體的 平均晶體粒徑分佈。在各時間中顯示使用本發明裝置 時（圖之陰影部份），平均晶體粒徑較大。 上述結果表示利用在上方配置冷卻機構之濃縮晶 析，可促進α晶體成核，並抑制/3晶體成核，亦即可 控制多種晶形。而且使用本發明晶析裝置，顯示晶體 可迅速成長爲大尺寸。 又，由於此晶體尺寸大，晶體不易溶解，可抑制l -麩醯胺酸從α晶體轉移爲Θ晶體，可視爲能夠控制多 種晶形的原因之一*。 實施例3 使用第2圖之裝置進行對苯二甲酸的晶析。於容量 100公升，內徑400mm的攪拌槽，安裝第2圖所示噴 液裝置，投入16重量/容量％的乙二醇40公升。最初 (第0小時）上方的溫差產生機構Η(上方夾套）爲1〇〇 °C’下方溫差產生機構〗（下方夾套）爲74 °C。上方夾 套的溫度保持1 0 〇 °C到第4小時，下方夾套則徐徐降 溫。表2列出溫度條件。 -19- 1240772 五、發明說明（18) 表2 時間 (小時） 本體溫度 (°C ) 下方夾套 溫度（°C ) 上方夾套 溫度（°C ) 0 84.2 74.2 100 1 54.3 31.4 100 2 45.8 19.4 100 3 45.2 14.3 100 4 44.8 3.8 100 5 21.0 2.5 51.1 6 10.9 6.5 26.7 使用同樣裝置，具有攪拌翼，但不設噴液裝置和加 熱機構的裝置（習知裝置C)，做爲比較。在此情況 下，乙二醇溫度（本體溫度）冷卻到和表2相同。 使用本發明晶析裝置時，第3小時開始有晶體析 出，6小時後，由本發明晶析裝置和習知裝置C分別 取樣1公升，放置2小時沉澱，發現使用本發明裝置 時，體積密度40%(固體部份佔下方40%)。而使用習知 裝置C時，體積密度80 % (固體部份佔下方80%)。表示 使用習知裝置C所得晶體小。用顯微鏡觀察時，本發 明裝置所得對苯二甲酸的晶體，比習知裝置C所得對 苯二甲酸晶體大，與上述結果相符（參見第11圖）。 產業上利用價値 本發明晶析裝置因具有噴液裝置和溫差產生機構， 藉管理溫差產生機構之溫度，即可得高度晶析速度。 因此，可迅速成長大晶體。另外，可控制多種晶形， -20- 1240772 五、發明說明（19) 即從各種晶體構造中，可得所需構造之晶體。而且， 本發明裝置可以用做冷卻晶析裝置和濃縮晶析裝置兩 方面之裝置，可控制晶形，並成長大晶體。 參考符號說明 1 .....送液機構 2 .....固定具 3 .....轉動軸 4 .....噴液裝置 5 .....水閘體 6 .....攪拌翼 11 .....下方開口部 12 .....上方開口部 51 · · · · ·下方開口部 5 2.....上方開口部 53.....平板部 Η.....溫差產生機構 J.....溫差產生機構 Μ.....馬達 Τ · · · ••攪拌槽 L.....液面 -21

Claims (1)

1. ,1240772 α I

   六、申請專利範圍 第9 0 1 〇 3 5 6 4「晶析裝置」專利案 (2005年7月4日修正） 六申請專利範圍： 1 · 一種晶析裝置，其係具備攪伴槽（τ )、液體的加熱機 構（Η)/冷卻機構（J)之晶析裝置，其特徵係包括在比 該攪拌槽（Τ)壁的液面要高的位置供給槽內的液體或 漿液’使該液體或漿液沿著該攪拌槽（Τ)的槽壁循環 的液體循環機構，及具備在供給該液體或漿液的部位 或該部位與液面之間的槽壁上，加熱•冷卻該供給之 液體或漿液，可在槽內的液體之間產生溫差的一或二 以上的溫差產生機構，其中該液體循環機構係由迴轉 軸（3)與在該迴轉軸（3)上裝置之一或二以上的送液機 構（1 )所構成的噴液裝置（4 )，且該溫差產生機構具有 加熱機構（Η)或冷卻機構U )，該加熱機構（Η )或冷卻| 機構U )係設在因該噴液裝置（4)轉動而噴出的液體$ 漿液與該攪拌槽（Τ)的槽壁接觸之區域、或其下方區 域，使該噴出的液體或漿液溫度比周圍液體或漿液溫 度高之加熱機構（Η)或冷卻機構（J )。 2 ·如申請專利範圍第1項之晶析裝置，其中該溫差產生 機構爲二冷卻機構（])和一加熱機構（Η)，該加熱機構 (Η )在二冷卻機構U )下方，藉轉動該噴液裝置（4 )將 液體或漿液噴出到二冷卻機構（〗）中間部，或下方冷 卻機構U )之部份。 一卜 •1240772 六、申請專利範圍 3 .如申請專利範圍第1項之晶析裝置，其中該送液機構 (1 )係水閘體、管體、板狀體、或圓錐台狀之無底中 空筒體。 4 .如申請專利範圍第1項之晶析裝置，其中該晶析裝置 爲冷卻晶析裝置。 5 .如申請專利範圍第1項之晶析裝置，其中該晶析裝置 爲濃縮晶析裝置。 -2-