TWI225184B - Chemical amplification type resist composition - Google Patents

Chemical amplification type resist composition Download PDF

Info

Publication number
TWI225184B
TWI225184B TW090100956A TW90100956A TWI225184B TW I225184 B TWI225184 B TW I225184B TW 090100956 A TW090100956 A TW 090100956A TW 90100956 A TW90100956 A TW 90100956A TW I225184 B TWI225184 B TW I225184B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
group
polymer
bis
molecular weight
acid
Prior art date
Application number
TW090100956A
Other languages
English (en)
Inventor
Takanobu Takeda
Osamu Watanabe
Jun Watanabe
Jun Hatakeyama
Tsunehiro Nishi
Original Assignee
Shinetsu Chemical Co
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Shinetsu Chemical Co filed Critical Shinetsu Chemical Co
Application granted granted Critical
Publication of TWI225184B publication Critical patent/TWI225184B/zh

Links

Classifications

    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/0045Photosensitive materials with organic non-macromolecular light-sensitive compounds not otherwise provided for, e.g. dissolution inhibitors
    • GPHYSICS
    • G03PHOTOGRAPHY; CINEMATOGRAPHY; ANALOGOUS TECHNIQUES USING WAVES OTHER THAN OPTICAL WAVES; ELECTROGRAPHY; HOLOGRAPHY
    • G03FPHOTOMECHANICAL PRODUCTION OF TEXTURED OR PATTERNED SURFACES, e.g. FOR PRINTING, FOR PROCESSING OF SEMICONDUCTOR DEVICES; MATERIALS THEREFOR; ORIGINALS THEREFOR; APPARATUS SPECIALLY ADAPTED THEREFOR
    • G03F7/00Photomechanical, e.g. photolithographic, production of textured or patterned surfaces, e.g. printing surfaces; Materials therefor, e.g. comprising photoresists; Apparatus specially adapted therefor
    • G03F7/004Photosensitive materials
    • G03F7/039Macromolecular compounds which are photodegradable, e.g. positive electron resists
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/106Binder containing
    • YGENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10STECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10S430/00Radiation imagery chemistry: process, composition, or product thereof
    • Y10S430/1053Imaging affecting physical property or radiation sensitive material, or producing nonplanar or printing surface - process, composition, or product: radiation sensitive composition or product or process of making binder containing
    • Y10S430/1055Radiation sensitive composition or product or process of making
    • Y10S430/106Binder containing
    • Y10S430/11Vinyl alcohol polymer or derivative

Landscapes

  • Physics & Mathematics (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Spectroscopy & Molecular Physics (AREA)
  • Materials For Photolithography (AREA)

Description

1225184 A7 -____ B7 _ 五、發明説明(1 ) 【發明之技術領域】 本發明係有關增強化學性型光阻材料之發明。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 【先前技術】 近年來’隨著LSI之高集積化及高速度化,在尋求圖型 線路微細化之中,微細加工技術之鈾刻印刷術爲目前之主 要技術。其中遠紫外線、EB、X線蝕刻印刷等皆可進行_ 〇 · 2 // m以下之加工。 近年來’經開發之酸作爲觸媒使用之增強化學性正型 光阻材料(特公平2-27660號,特開昭63-27829號公報等內 容)’利用遠紫外線光源之高亮度KrF等灕子雷射,因具 有高度之感度、解像性、乾蝕刻耐性等,故極期待其成爲 具有優良特徵之遠紫外線蝕刻之光阻材料。例如,已有羥 基苯乙烯、甲基丙烯酸酯共聚物(特公平6-266 1 1 2號,特 開平8- 1 0 1 509號公報)公開。又,更期待一種可利用高亮 度ArF等離子雷射之材料的出現。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 但,此些光阻材料在要求更細微之加工時,會產生不 能達到所需細線之圖型,或未能達到所需之充分感度與解 像度之圖型等問題,故目前仍有許多要求再予改善之需求 【發明之目的】 本發明係鑑於上述情事,即以提出較以往光阻材料具 有更局感度及解像度、曝光寬限度、製程適應性、重現性 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X297公釐) -4 - 1225184 A7 __B7 五、發明説明(2 ) 等,且具有優良等離子耐鈾刻性,此外,亦使光阻圖型具 有優良耐熱性之增強化學性光阻材料爲本發明之目的。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 【發明之內容與發明之實施形態】 本發明人爲達上述之目的經過深入檢討結果,得知依 後述方法所得之,使用具有狹分散度之基礎樹脂所得之增 強化學性光阻材料,具有高解像度、曝光寬限度、製程適 應性、實用性等,而有利於精密之細微加工,而極適合作 爲超LSI使用之光阻材料。 . 即,上記已開發之光阻用基礎聚合物的分散度,因非 活性的聚合方法(特別是自由基聚合)故其較爲寬廣,且 含有低分子量成份。本發明者們,即以高分子化合物之分 散度開始,以添加狹分散化之高分子化合物,特別是將經 區隔化去除低分子量成份之高分子化合物作爲基礎樹脂所 得之光阻材料時,可大幅提昇曝光前後之鹼溶解速度的反 差,使其具有高感度與高解像性,特別是可製得適合超LSI 製造用之作爲細微圖型材料的增強化學性光阻材料。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 即,本發明提供一種下記增強化學性光阻材料。 申請項1 : 一種增強化學性型光阻材料,其係含有由 下記式(1 )所示重複單位與下記式(2 )所示重複單位所 得之高分子化合物、下記式(2 )所示重複單位所得之高 分子化合物、下記式(2 )所示重複單位與下記式(4 )所 示重複單位所得之高分子化合物、下記式(3 )所示重複 單位所得之高分子化合物、與下記式(4 )所示重複單位 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X297公楚) -5- 1225184 A7 B7 五、發明説明(3 ) 所得之高分子化合物所選出,且分子量分布爲1.0至丨·5之 高分子化合物者;
⑴ (式中,R1爲烷基、烷氧烷基、乙醯基或羰烷氧基,各胃 位可各自由1種所構成,或由2種以上所構成皆可;p爲1ε 數,q爲0或正數,且爲滿足0<p/(p+q). 之數) R2 (2) (請先閱讀背面之注意事項存填寫本買) -装· 訂 R3 式中,R2爲氫原子或甲基、R3爲碳數4至30之3級烴® 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
(3) (式中,R4爲碳數4至30之3級烴基;R5至R8爲各自獨立 之氫原子、酯基、烷氧羰烷基、內酯基、羧基或環狀酸酐 基,或R5至R8中任2種可鍵結形成環狀之內酯基或酸酐基 ;i-爲正數,s爲0或正數,且爲滿足0 < r/ ( r + s ) S 1 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21 OX297公釐) -6 1225184 Α7 Β7 五、發明説明(4 ) 之數)
〇 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) (式中,R9爲碳數4至30之3級烴基,η爲0.或1 )。 申請項2 :如申請專’利範圍第1項之光阻材料,其係含 有分子量分布爲丨.〇至1.4者。 申請項3 :如申請專利範圍第1或2項之光阻材料,其 係含有,將高分子化合物溶解於高分子化合物之良溶媒中 ,再將其投入高分子化合物之貧溶媒中,並分別去除高分 子化合物中之低分子量成份後所區隔之分子量分布爲1.0至 1.5的高分子化合物。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 申請項4 :如申請專利範圍第3項之光阻材料,其中貧 溶媒與良溶媒係由,水、丙酮、乙酸乙酯、乙酸甲酯、二 乙醚、四氫呋喃、環己酮、二乙二醇二甲醚、1-乙氧基-2-丙醇、丙二醇一甲醚乙酸酯、乳酸乙酯、甲醇、乙醇、異 丙醇、戊醇、.己醇、甲苯、苯、二甲苯群中所選出,且配 合區隔之高分子化合物所選出者。 將上記高分子化合物作爲基礎樹脂添加於光阻材料時 ,可因聚合物之狹分散效果而使其性能較以往之廣分散度 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) 1225184 A7 B7 五、發明説明(5 ) 基礎樹脂更佳。例如,羥基苯乙烯、甲基丙烯酸酯共聚物 等’與一般使用自由基聚合所得之基礎樹脂比較時,分散 度狹窄至1.4左右之基礎樹脂,其具有更佳之解像性。又, 去除聚合物中之低分子量部分,可使光阻圖型之形狀更佳 ,且可提升光阻之安定性。 以下’將對本發明作更詳細之說明。 本發明之增強化學性型光阻材料,係含有由下記式(1 )所示重複單位與下記式(2 )所示重複單位所得之高分 子化合物、下記式(2 )所示重複單位所得之.高分子化合 物、下記式(2 )所示重售單位與下記式(4 )所示重複單 位所得之高分子化合物、下記式(3 )所示重複單位所得 之高分子化合物、與下記式(4 )所示重複單位所得之高 分子化合物者;
⑴ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) (式中,R1爲烷基、烷氧烷基'乙醯基或羰烷氧基,各單 位可各自由1種所構成,或由2種以上所構成皆可;p爲正 數,q爲0或正數,且爲滿足〇<p/(p+q) S1之數) R2 (2) 本紙張尺度適用中國國家榡準(CNS ) A4規格(21 OX 297公* ) •8、 1225184 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明(6 ) (式中,R2爲氫原子或甲基、R3爲碳數4至30之3級烴基
(3) (式中.,R4爲碳數4至30之3級烴基;R5至R8爲各自獨立 之氫原子、酯基、烷氧羰烷基、內酯基、羧基或環狀酸酐 基,或R5至R8中任2種可鍵結形成環狀之內酯基或酸酐基 ;r爲正數,s爲0或正數,且爲滿足0 < i7 ( r + s ) S 1 之數)
(4) (式中,R9爲碳數4至30之3級烴基,η爲0或1 )。 其中,R1之烷基例如碳數1至20、特別是碳數1至10 之直鏈狀、支鏈狀或環狀之烷基爲佳,例如甲基、乙基、 丙基.、異丙基、η-丁基、sec-丁基、tert-丁基、tert-戊基 、η-戊基、η-己基、環戊基、環己基、環戊甲基、環戊乙 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -9- 1225184 A7 ____ B7 五、發明説明P ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 基、環己甲基、環己乙基等;R1之烷氧烷基例如碳數2至 2〇、特別是碳數2至10之直鏈狀、支鏈狀或環狀者爲佳, 例如1-甲氧乙基、卜乙氧乙基、1-n-丙氧乙基、卜異丙氧 乙基、1-n-丁氧乙基、1-異丁氧乙基、Ι-sec-丁氧乙基、1-丁氧乙基、i-tert-戊氧乙基、1-乙氧基-η-丙基、1-環 己氧乙基、甲氧丙基、乙氧丙基、丨_甲氧基-1-甲基-乙基、 卜乙氧基-卜甲基-乙基等直鏈狀或支鏈狀縮醛基、四氫呋喃 基、四氫吡喃基等環狀縮醛基等,較佳爲乙氧乙基、丁氧 乙基、乙氧丙基等。 R1之羰烷氧基例如碳數2至20、特別是碳數2至10者 爲佳,具體例如tert-丁氧羰甲基等。 R3、R4、R9之3級烴基,例如碳數4至30、較佳爲4 至20之3級烷基、環烷基之1位氫原子被烷基、乙烯基等 烯基、苯基等芳基、氰基、乙醯基等醯基所取代之1-取代 環烷基爲佳。具體而言,例如tert-丁基、1-甲基環戊基、 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 卜乙基環戊基、1-乙醯基環戊基、1-苯基環戊基、1-氰基 環戊基、1-甲基環己基、1-乙基環己基、1-異丙基環己基 、1 -乙烯基環己基、1 -乙醯基環己基、1苯基環己基、1 _ 氰基環己基等。 又,R5至R8之酯基例如甲酯、乙酯等。烷氧羰烷基之 碳數3至10,特別是3至6者,例如甲氧基羰甲基、t_丁氧 羰甲基等。內酯基例如5員環內酯、6員環內酯、7員環內 酯等。環狀酸酐基例如琥珀酸酐基等。 又,P爲正數,q爲0或正數,且p/( p + q)係爲〇 本紙張尺度適用中周國家標準(CNS ) A4規格(210X297公嫠) -- -10- 1225184 A7 B7 五、發明説明(8 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 〈p/(p+q) $1,較佳爲 0.1Sp/(p+q) $0.95, 更佳爲0.6Sp/(p+d) $〇·8; r爲正數,s爲〇或正數 ’且 r/( r + s)爲 0< r/( r + s) S 1,較佳爲 0.1S r/ (r + s) S 0·9,更佳爲 0.4S r/( r + s) ‘ 〇·6。 本發明所使用之高分子化合物,其重量平均分子量爲 500 至 10,000,000,又以 5,000 至 20,000 爲佳。 本發明中,上記高分子化合物,其分子量分布(
Mw/Mn.二重量平均分子量/數平均分子量)爲1.0至1.5,較 佳爲1.0至1.4,更佳爲1.0至1.35。 欲製得具有上記分子·量分布之高分子化合物,可使用 分子量分布超過1.5之高分子化合物,以此高分子化合物對 良溶媒與貧溶媒之分子量的溶解性,去除低分子量成份以 進行區隔之方法。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此時,去除低分子量成份所使用之良溶媒與貧溶媒, 例如可由水、丙酮、乙酸乙酯、乙酸甲酯、二乙醚、四氫 呋喃、環己酮、二乙二醇二甲醚、1-乙氧基-2-丙醇、丙二 醇一甲醚乙酸酯、乳酸乙酯、甲醇、乙醇、異丙醇、戊醇 、己醇、甲苯、苯、二甲苯群中所選出,且配合區隔之高 分子化合物所選出者。 具體而言,例如使用低分子量成份含量較多,分子量 分布超過1.5之高分子化合物的良溶媒,並將高分子化合物 投入該良溶媒中,使上記高分子化合物溶解於良溶媒中, 隨後再將上記良溶媒溶液投入此高分子化合物之貧溶媒中 。經由此方式,可使上記高分子化合物中之低分子量成份 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公嫠) " -11 - 1225184 A7 B7 五、發明説明θ ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 於上貧溶媒中溶解並分離爲2層,而與高分子量成份區隔 。隨後’再將溶有此高分子量成份之層再度投入貧溶媒中 ,經過晶析過濾、或濃縮後再晶析過濾之方式,製得將上 記低分子量成份區隔、去除後之分子量分布爲1 . Q至1 . 5, 特別是1 · 0至1 · 4之高分子化合物。於本發明中,以使用經 上述區隔方法所製得之分子量分布較爲狹窄之高分子化合 物爲佳。 本發明之增強化學性光阻材料,特別是以使用正型者 爲佳,除使用上記高分子化合物作爲基礎聚合物使用以外 ,尙可添加有機溶劑、光'酸產生劑、溶解阻礙劑、鹼性化 合物等常用成份。 其中,有機溶劑例如乙酸丁酯、乙酸戊酯、乙酸環己 酯、乙酸3 -甲氧基丁酯、甲基乙酮、甲基戊酮、環己酮、 經濟,部智慧財產局員工消費合作社印製 環庚酮、3 -乙氧基乙基丙酸酯、3 -乙氧甲基丙酸酯、3 -甲 氧甲基丙酸酯、乙醯乙酸甲酯、乙醯乙酸乙酯、二丙酮醇 、丙酮酸甲酯、丙酮酸乙酯、丙二醇一甲醚、丙二醇一乙 醚、丙二醇一甲醚丙酸酯、丙二醇一乙醚丙酸酯、乙二醇 一甲醚、乙二醇一乙醚、二乙二醇一甲醚、二乙二醇一乙 醚、3-甲基-3-甲氧基丁醇、N-甲基吡略烷酮、二甲基磺氧 化物、r -丁內酯、丙二醇甲基醚乙酸酯、丙二醇乙基醚乙 酸酯、丙二醇丙基醚乙酸酯、乳酸甲酯、乳酸乙酯、四甲 基碩等,但並不僅限定於此。其中最佳爲丙二醇垸基醚乙 酸酯.、乳酸烷基酯等。 又,上記丙二醇烷基醚乙酸酯之烷基可爲碳數1至4者 本紙張尺度適用中.國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -12- 1225184 A7 ______B7 _ 五、發明説明(10 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ’例如甲基、乙基、丙基等,其中又以甲基、乙基爲佳。 又’此丙二醇烷基醚乙酸酯具有1,2取代物與1,3取代物, 取代位置經組合後可產生3種異構物,其具有單獨或混合 之情形。又,上記乳酸烷基酯之烷基爲碳數1至4者,例如 甲基、乙基、丙基等,其中又以甲基、乙基爲佳。此些溶 劑可單獨或將2種以上混合皆可。較佳之混合溶劑例如丙 二醇烷基醚乙酸酯與乳酸烷基酯。混合比可爲任意之比例 ,一般.以丙二醇烷基醚乙酸酯55至99重量份對乳酸烷基酯 1至50重量份之比例混合爲佳。又以丙二醇烷基醚乙酸酯 60至95重量%對乳酸烷基酯5至40重量%之比例混合爲更 佳。丙二醇烷基醚乙酸酯過少時,會有塗佈性劣化等問題 產生,過多時因溶解不充分故會有小顆粒、異物等產生。 乳酸烷基酯過少時,會有小顆粒、異物等產生,過多時, 會因黏度增加時使塗佈性惡化,而有保存安定性劣化等問 題產生。有機溶劑之使用量,以對基礎聚合物1 〇〇重量份 一般爲300至2,000重量份,特別是以400至1,000重量份爲 較佳。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 以下,可以高能量線照射產生酸之光酸產生劑,例如 下列物質,但並不僅限定於此。其可單獨或將2種以上混 合使用。 锍鹽爲锍陽離子與磺酸酯之鹽’锍陽離子例如三苯基 疏、(4-tert -丁氧苯基)一*苯基硫、雙(4-tert -丁氧本基) 苯基鍊、三(4-tert-丁氧苯基)苯基蔬、(3,tert-丁氧苯基 )二苯基銃、雙(3-tert-丁氧苯基)苯基硫、三(3-tert-丁 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇 X297公釐) -13- 1225184 Α7 Β7 五、發明説明(11 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 氧苯基)苯基毓、(3,4-二tert-丁氧苯基)二苯基銃、雙 (3,4 -二tert·丁氧苯基)苯基銃、二(3,4 -二tert -丁氧苯基 )苯基疏、一苯基(4 -硫苯氧苯基)硫、(4-tert -丁氧鑛 甲氧基苯基)一苯基銃、二(4-tert-丁氧锻甲氧基苯基) 銃、(丁氧苯基)雙(4-二甲基胺苯基)銃、三( 4-二甲基胺苯基)銃、2-萘基二苯基銃、二甲基2-萘基銃 、4-經基苯碁—^甲基硫、4 -甲氧苯基二甲基硫、三甲基鍊 '二苯.基甲基銃、甲基-2-氧代丙基苯基銃、2-氧代環己基 运己基甲基硫、二蔡基硫、二卡基疏等,礦酸醋例如三氟 甲烷磺酸酯、九氟丁烷磺‘酸酯、十七氟辛烷磺酸酯、2,2,2_ 三氟乙烷磺酸酯、五氟苯磺酸酯、4-三氟甲基苯磺酸酯、 4 -氟苯磺酸酯、甲苯磺酸酯、苯磺酸酯、萘磺酸酯、茨院 磺酸酯、辛烷磺酸酯、十二烷基苯磺酸酯、丁烷磺酸酯、 甲烷磺酸酯等,與其組合之锍鹽。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 碘鏺鹽係由姚鑰陽離子與磺酸酯所得之鹽,例如由二 苯基碘鏺、雙(4-tert-丁苯基)碘鑰、4-tert-丁氧苯基苯基 碘鑰、4-甲氧苯基苯基碘鏺等芳基碘鏺陽離子與磺酸酯之 三氟甲烷磺酸酯、九氟丁烷磺酸酯、十七氟辛院磺酸酯、 2,2,2 -三氟乙院磺酸酯、五氟苯磺酸酯、4 -三氟甲基苯磺酸 酉曰、4-氣苯磺酸酯、甲本搞酸醋、苯磺酸酯、萘磺酸酯、 谈ίτπ細酸醋、.半丨兀酸酯、十一院基苯擴酸酯、丁院磺酸 酯、甲烷磺酸酯等,與其組合之碘鏺鹽。 磺醯二偶氮甲烷例如,雙(乙基磺醯基).二偶氮甲烷 、雙(1-甲基丙基磺醯基)二偶氮甲烷、雙(2_甲基丙基 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(21〇Χ297公羡] -—---- -14 - 1225184 A7 五、發明説明(12 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 擴醯基)二偶氮甲烷、雙(丨,二甲基乙基磺醯基)二偶 氮甲烷、雙(環己基磺醯基)二偶氮甲烷、雙(全氟異丙 基磺@1基)二偶氮甲烷、雙(苯基磺醯基)二偶氮甲烷、 雙(4-甲基苯基磺醯基)二偶氮甲烷、雙(2,4-二甲基苯 基磺醯基)二偶氮甲烷、雙(2_萘基磺醯基)二偶氮甲烷 、4_甲基苯基磺醯基苯偶因二偶氮甲烷、ten_ 丁基羰基_4_ 甲基苯基磺醯基二偶氮甲烷、2-萘基磺醯基苯偶因二偶氮 甲院、.4 -甲基苯基磺醯基-2-萘基二偶氮甲烷、甲基磺醯基 苯偶因二偶氮甲烷、tert_丁氧羰基_4_甲基苯基磺醯基二偶 氮甲烷等雙磺醯基二偶氮·甲烷與磺醯基-羰基二偶氮甲烷等 經濟/部智慧財產局員工消費合作社印製 N -磺醯氧基醯亞胺型光酸產生劑,例如琥珀酸醯亞胺 、萘二羧酸醯亞胺、苯甲酸醯亞胺、環己基二羧酸醯亞胺 、5-降冰片烷-2,3-二羧酸醯亞胺、7-氮雜二環[2·2·1]-5-庚 烯-2,3-二羧酸醯亞胺等醯亞胺骨架與,三氟甲烷磺酸酯、 九氟丁烷磺酸酯、十七氟辛烷磺酸酯、2,2,2 ·三氟乙烷磺酸 酯、五氟苯磺酸酯、4 -三氟甲基苯磺酸酯、4 -氟苯磺酸酯 、甲苯磺酸酯、苯磺酸酯、萘磺酸酯、莰烷磺酸酯、辛烷 磺酸酯、十二烷基苯磺酸酯、丁烷磺酸酯、甲烷磺酸酯等 組合所得之化合物等。 苯偶因磺酸酯型光酸產生劑例如苯偶因甲基磺酸酯、 苯偶因甲磺酸酯、苯偶因丁烷磺酸酯等。 焦掊酚三磺酸酯型光酸產生劑,例如焦掊酣、甘胺酸 、苯酚、間苯二酚、對苯二酚等之羥基全部受三氟甲烷磺 本紙張尺度適用中.國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -15- 1225184 Α7 Β7 五、發明説明(13 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 酸酯、九氟丁烷磺酸酯、十七氟辛烷磺酸酯、2,2,2 —三氟乙 烷磺酸酯、五氟苯磺酸酯、心三氟甲基苯磺酸酯、心氟苯 磺酸酯、甲苯磺酸酯、苯磺酸酯、萘磺酸酯、莰烷磺酸酯 、辛烷磺酸酯、十二烷基苯磺酸酯、丁烷磺酸酯、甲烷磺 酸酯等取代所得之化合物等。 硝苄基磺酸酯光酸產生劑,2,4-二硝基苄基磺酸酯、 2-硝基苄基磺酸酯、2,6-二硝基苄基磺酸酯等,磺酸酯之具 體例如.三氟甲烷磺酸酯、九氟丁烷磺酸酯、十七氟辛烷擴 酸酯、2.,2,2-三氟乙院磺酸酯、五氟苯磺酸酯.、4-三氟甲基 苯磺酸酯、4-氟苯磺酸酯·、甲苯磺酸酯、苯磺酸酯、萘磺 酸酯、莰烷磺酸酯、辛烷磺酸酯、十二烷基苯磺酸酯、丁 烷磺酸酯、甲烷磺酸酯等。又,苄基側之硝基受三氟甲基 所取代之化合物等。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 磺酸型光酸產生劑之例示如,雙(苯基磺醯基)甲烷 、雙(4-甲基苯磺醯基)甲烷、雙(2-萘基磺醯基)甲烷 、2,2-雙(苯基磺醯基)丙烷、2,2-雙(4-甲基苯磺醯基) 丙烷、2,2-雙(萘基磺醯基)丙烷、2-甲基-2- ( p-甲苯基 磺醯基)丙烷、2,4-二甲基-2- ( p-甲苯基磺醯基)戊烷- 3-酮等。 乙二肟衍生物型光酸產生劑之例,如雙-〇 - ( P -甲苯磺 醯基)-α -二甲基乙二肟、雙-0 - ( P-甲苯磺醯基)-α -二 苯基乙二肟、雙-〇 - ( Ρ-甲苯磺醯基)-α -二環己基乙二肟 、雙ο - ( ρ-甲苯磺醯基)-2,3-戊二醇乙二肟、雙-〇 -( Ρ-甲苯磺醯基)-2-甲基-3,4-戊二酮乙二肟、雙-ο - ( η-丁 本紙張尺度適用中.國國家標準(CNS ) Α4規格(210X297公釐) " -16- 1225184 Α7 Β7 五、發明説明(14 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 烷磺醯基)-α -二甲基乙二肟、雙—〇 — ( n_丁烷磺醯基)-二乙基乙二肟、雙-〇_( n_ 丁烷磺醯基)二環己基 乙二肟、雙-〇 - ( η-丁烷磺醯基)-2,3-戊二醇乙二肟、雙-〇 - ( η-丁烷磺醯基)-2 -甲基-3,4-戊二醇乙二肟、雙· 〇 -( 甲ί元石貝醯基)-α-一甲基乙一 0亏、雙_〇-(三氟甲院磺醯基 )-α-一甲基乙一脂、雙_〇_( 1,丨,1_三戴乙院磺醯基) -二甲基乙二肟、雙-〇 - ( tert-丁烷磺醯基)_ α _二甲基乙 一 Η、.雙-〇-(全氣半院擴釀基)-α·二甲基乙二膀、雙·( -(環己烷磺醯基)-α -二甲基乙二肟、雙-0 -(苯磺醯基 )-α-一甲基乙一膀、雙-〇_( ρ_氟基苯磺醯基)-a.二甲 基乙一肟、雙-〇 - ( p_tert-丁基苯磺醯)-α —二甲基乙二月弓 、雙- 〇- (二甲苯磺醯基二甲基乙二肟、雙-ο —(莰 烷磺醯基)-α -二甲基乙二肟等乙二肟衍生物等。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中較適合使用之光酸產生劑,例如銃鹽、雙磺醯基 二偶氮甲烷、Ν-磺醯氧基醯亞胺等。用於聚合物之酸不穩 定基’因切斷之容易性等情形造成最適合產生酸之陰離子 有所不同,一般則以不具揮發性者,且不具極端擴散性之 陰離子爲佳。因此,較適合之陰離子例如苯磺酸陰離子、 甲苯磺酸陰離子、五氟苯磺酸陰離子、2,2,2·三氟乙烷磺酸 陰離子、九氟丁院磺酸陰離子、十七氟辛院磺酸陰離子、 莰烷磺酸陰離子等。 上記光酸產生劑之添加量,以對光阻材料中基礎聚合 物1 0 0重量份爲0 · 5〜2 0重量份,較佳爲1〜1 0重量份。 上記光酸產生劑可單獨或將2種以上混合使用。若再添加 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210 X297公釐) -17- 1225184 A7 B7 五、發明説明(15 ) 曝光波長中透過率較低之光酸產生劑時,其添加量可控制 光阻膜中之透過率。 又,本發明之光阻材料,可再添加可受酸分解產生酸 之化合物(酸增殖化合物)。此些化合物例如J. Photopolym. Sci. and Tech., 8. 43-44, 45-46 ( 1 995 ) , J. Photopolym. Sci. and Tech·,9. 29-30,( 1996 )所記載者。 酸增値化合物例如tert-丁基2-甲基2-甲苯磺醯氧甲基 乙酸酯、2-苯基2- ( 2-甲苯磺醯氧乙基)1,3-二氧雜茂烷 等,但不僅限定於此些化合物。公知之光酸產.生劑中,許 多安定性,特別是熱安定_性不佳之化合物皆顯示出酸增殖 性化合物之性質。 本發明之光阻材料中酸增殖化合物之添加量,以對光 阻材料中基礎聚合物1 〇〇重量份爲2重量份以下,較佳爲1 重量份以下。添加量過多時,因不易控制擴散性故極易引 起解像性劣化,圖型形狀劣化等問題。 溶解阻止劑,可添加因酸作用使對鹼顯像液之溶解性 產生變化的酚子量3,000以下之化合物,特別是2,500以下 之低分子量的苯酚或羧酸衍生物之一部份或全部受酸不穩 定基所取代之化合物。 分子量2,500以下之苯酚或羧酸衍生物,例如雙酚A、 雙酚Η、雙酚S、4,4-雙(4、羥苯基)戊酸、三(4’-羥苯 基)甲烷、三(4’-羥苯基)乙烷、1,1,2- ( 4’-羥苯 基)乙烷、苯酚酞、百里香酚酞等’對酸不穩定之取代基 例如上記聚合物之酸不穩定基等。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -----:---*—裝-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、11 LW. 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -18- 切184
五、發明説明(16 ) 較適合使用之溶解阻止劑例如,雙(4- ( 2’四氫吡喃 氧基)苯基)甲烷、雙(4- ( 2,四氫呋喃氧基)苯基)甲 院、雙(4-tert-丁氧苯基)甲烷、雙(4-tert-丁氧羰氧基苯 ® )甲烷、雙(4- ( 1’-乙氧乙氧基)苯基)甲烷、雙(4-(乙氧丙氧基)苯基)甲烷、2,2·雙(4’- ( 2’’四氫吡喃 氧基))丙烷、2,2-雙(4,- ( 2"四氫呋喃氧基)苯基)丙 院、2,2-雙(4’-tert-丁氧苯基)丙烷、2,2-雙(4’-tert-丁 氧羰氧.苯基)丙烷、2,2-雙(4-tert-丁氧羰甲氧基苯基)丙 院、2,2-雙(4,- ( 1,,-乙氧乙氧基)苯基)丙烷、2,2-雙( 4’_( 1"·乙氧丙氧基)苯塞)丙烷、2,2-雙(4’-( 2’’-四氫 吡喃氧基)苯基)戊酸tert 丁酯、4,4-雙(4’-tert-丁苯基 )戊酸tert 丁酯、4,4-雙(4’-tert-丁氧羰氧基苯基)戊酸 tert 丁酯、4,4-雙(4’-tert-丁氧羰甲氧苯基)戊酸tert 丁酯 、4,4-雙(4’- ( 1"-乙氧乙氧基)苯基)戊酸tert 丁酯、 4,4-雙(4’-( 1"-乙氧丙氧基)苯基)戊酸tei*t 丁酯、三( 4- ( 2’-四氫吡喃氧基)苯基)甲烷、三(4- ( 2’-四氫呋喃 氧基)苯基)甲烷、三(4-tei*t-丁氧苯基)甲烷、三(4-tert-丁氧羰氧苯基)苯基)甲烷、三(4-tert-丁氧羰氧甲基 苯基)甲烷、三(4- ( 1’-乙氧乙氧基)苯基)甲烷、 1,1,2-三(4’- ( 2’’-四氫口比喃氧基)苯基)乙烷、1,1,2-三 (4’-( 2’’-四氣咲喃氧基)本基)乙院、1,1,2-二(4-tert-丁氧苯基)乙院、1,1,2 -三(4’- tert-丁氧幾氧苯基)乙院、 1,1,2-三(4,七11-丁氧羰甲氧基苯基)乙烷、1,1,2-三(4’-(1’-乙氧乙氧基)苯基)乙烷、1,1,2-三(4’·( 1’-乙氧丙 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ' -19- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 I# 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1225184 A7 -- B7 __ 五、發明説明(17 ) 氧基)苯基)乙烷等。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明之光阻材料中溶解阻止劑之添加量,以對光阻 材料中基礎聚合物100重量份爲20重量份以下,較佳爲15 重量份以下。超過20重量份時,因單體成份增加故光阻材 料之耐熱性將會降低。 鹼性化合物以可抑制因酸產生劑產生之酸在光阻膜內 之擴散速度之化合物爲佳。添加鹼性化合物可抑制光阻膜 中酸之.擴散速度而使解像度提高,進而抑制曝光後之感度 變化,降低基板或環境之依存性,而提昇曝光.寬容度或圖 型之外形等。 · 此鹼性化合物例如可爲第一級、第二級、第三級脂肪 族胺類、混合胺類、芳香族胺類、雜環胺類,具有羧基之 含氮化合物、具有磺醯基之含氮化合物、具有羥基之含氮 化合物、具有羥苯基之含氮化合物、醇性含氮化合物、醯 胺衍生物、醯亞胺衍生物等。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 具體而言,第一級脂肪胺例如尿素、甲基胺、乙基胺 、η-丙基胺、異丙基胺、η-丁基胺、異丁基胺、sec-丁基 胺、tert-丁基胺、戊基胺、tert-戊基胺、環戊基胺、己基 胺、環己基胺、庚基胺、辛基胺、壬基胺、癸基胺、月桂 基胺、十六烷基胺、亞甲基二胺、亞乙基二胺、四乙烯基 戊胺等;第二級脂肪胺族類例如,二甲基胺、二乙基胺、 二-η-丙基胺、二異丙基胺、二-η-丁基胺、二異丁基胺、二 -sec-丁基胺、二戊基胺、二環戊基胺、二己基胺、二環己 基胺、二庚基胺、二辛基胺、二壬基胺、二癸基胺、二月 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210 X297公釐) " -20- 1225184 A7 _____ B7 _ 五、發明説明(18 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 桂基胺、二鯨蠟基胺、N,N-二甲基亞甲基二胺、Ν,Ν-二甲 基亞甲基二胺、Ν,Ν-二甲基四亞乙基戊胺等;第三級脂肪 族胺類例如,三甲基胺、三乙基胺、三-η-丙基胺、三異丙 基胺、三-η-丁基胺、三異丁基胺、二-sec-丁基胺、三戊基 胺、三環戊基胺、三己基胺、三環己基胺、三庚基胺、三 辛基胺、三壬基胺、三癸基胺、三月桂基胺、三鯨蠟基胺 、N,N,N’,N’-四甲基亞甲基二胺、N,N,N’,N’-四甲基亞甲基 二胺、Ν,Ν,Ν’,Ν’-四甲基四亞乙基戊胺等。 又,混合胺類例如,二甲基乙基胺、甲基乙基丙基胺 、戊基胺、苯乙基胺、笮基二甲基胺等。芳香族胺類及雜 環胺類之具體例如,苯胺衍生物(例如苯胺、N-甲基苯胺 、N-乙基苯胺、N·丙基苯胺、N,N-二甲基苯胺、2-甲基 苯胺、3-甲基苯胺、4-甲基苯胺、乙基苯胺、丙基苯胺、 三甲基苯胺、二硝基苯胺、3-硝基苯胺、4-硝基苯胺、 經濟,部智慧財產局員工消費合作社印製 2,4-二硝基苯胺、2,6-二硝基苯胺、3,5-二硝基苯胺、Ν ,Ν -二甲基苯胺等)、二苯基(ρ-甲苯基)胺、甲基二苯基胺 、三苯基胺、亞苯基二胺、萘基胺、二氨基萘、吡咯衍生 物(例如吡咯、2 Η -吼咯、1-甲基吡咯、2,4-二甲基吡咯 、2,5-二甲基吡咯、Ν -甲基吡咯等)、噁唑衍生物(例如 噁唑、異噁唑等)、噻唑衍生物(例如噻唑、異噻唑等) 、咪唑衍生物(例如咪唑、4-甲基咪唑、4-甲基-2-苯基咪 唑等)、吡唑衍生物、呋喃衍生物、吡咯啉衍生物、(例 如吡略啉、Ν -甲基吡咯啉、吡咯烷酮、Ν -甲基吡咯烷酮等 )、咪唑啉衍生物、咪唑並吡啶衍生物、吡啶衍生物(例 本纸張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210 X297公釐) " ' -21 - 1225184 A7 B7 五、發明説明(19 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 如吡啶、甲基吡啶、乙基吡啶、丙基吡啶、丁基吡啶、4-(1 -丁基吡啶)吡啶、二甲基吡啶、三甲基吡啶、三乙基 吡啶、苯基吡啶、3-甲基-2-苯基吡啶、4-t-丁基吡啶、二 苯基吡B定、戊基吡0定、甲氧基吡D定、丁氧基D[t Π定、二甲氧 基吡啶、1-甲基-2-吡咯酮、4-吡咯烷吡咯、1-甲基-4-苯基 吡啶、2- ( 1-乙基丙基)吡咯、氨基吡咯、二甲基氨基吡 啶等)、噠嗪衍生物、嘧啶衍生物、吡嗪衍生物、吡唑啉 衍生物.、吡唑烷衍生物、哌啶衍生物、_嗪衍生物、嗎啉 衍生物、吲哚衍生物、異吲哚衍生物、1 Η -吲唑衍生物、 吲哚啉衍生物、喹啉衍生'物(例如喹啉、3-喹啉羧腈等) 、異喹啉衍生物、噌啉衍生物、喹唑啉衍生物、_喔啉衍 生物、酞嗪衍生物、嘌呤衍生物、喋啶衍生物、咔唑衍生 物、菲繞啉衍生物、吖啶衍生物、吩嗪衍生物、1,1 〇-菲繞 啉衍生物、腺嘌呤衍生物、腺苷衍生物、鳥嘌呤衍生物、 鳥苷衍生物、尿嘧啶衍生物、尿嗪衍生物等等。 經濟,部智慧財產局員工消费合作社印製 又,具有羧基之含氨化合物,例如氨基苯甲酸、吲哚 羧酸、氨基酸衍生物(例如尼古丁酸、丙氨酸、精氨酸、 天冬氨酸、枸椽酸、甘氨酸、組氨酸、異賴氨酸、甘氨醯 白氨酸、白氨酸、蛋氨酸、苯基丙氨酸、蘇氨酸、賴氨酸 、3-氨基吡啶-2-羧酸、甲氧基丙氨基)等例;具有磺酸基 之含氮化合物例如3-吡啶磺酸、ρ-甲苯磺酸批D定鐘等;具 有羥基之含氮化合物,具有羥苯基之含氮化合物、醇性含 氮化合物等例如,2-羥基吡啶、氨基甲酚、2.,4-D奎啉二醇 、3-吲哚甲醇氫化物、單乙醇胺、二乙醇胺、三乙醇胺、 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS〉A4規格(210X297公釐) -22- 1225184 A7 一 _ ·Β7__^. 五、發明説明鉍) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} Ν-乙基二乙醇胺、Ν,Ν·二乙基乙醇胺、三丙醇胺、2,2、 亞氨基二乙醇、2 -氨基乙醇、3 -氨基-卜丙醇、4 -氨基-1-丁 醇、4- (2-羥乙基)嗎啉、2- ( 2-羥乙基)吼卩定、1-(2-羥乙基)哌嗪、1-〔 2- ( 2-羥乙氧基)乙基〕哌嗪、哌嗪 乙醇、1- ( 2-羥乙基)吡咯烷、卜(2-羥乙基)-2-吡咯烷 酮、3-吡咯烷酮基-1,2-丙二醇、3-吡咯烷酮基-1,2-丙二醇 、8-羥久洛尼啶、3-喂啶醇、3-托品醇、1-甲基-2-¾啶乙 醇、1-氮雜環丙烷乙醇、N - ( 2-羥乙基)肽醯亞胺、N -( 2·羥乙基)異尼古丁醯胺等等。醯胺衍生物例如’甲醯胺 、N -甲基醯胺、N,N -二甲基醯胺、乙醯胺、N -甲基乙醯 胺、N,N -二甲基乙醯胺、丙醯胺、戊醯胺等。醯亞胺衍生 物則例如酞醯亞胺、琥珀醯酵醯亞胺、馬來醯亞胺等。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 又,具有此羥基之含氮化合物中羥基之一部份或全部 受甲基、乙基、甲氧甲基、甲氧乙氧基甲基、乙醯基、乙 氧乙基等所取代之化合物,較佳以使用乙醇胺、二乙醇胺 、三乙醇胺之甲基取代物、乙醯基取代物、甲氧甲基取代 物、甲氧乙氧甲基取代物等。具體而言例如,三(2 -甲氧 乙基)胺、三(2-乙氧乙基)胺、三(2_乙醯氧乙基)胺 、三[2- ( 2-甲氧甲氧基基)乙基]胺、三[2-(甲氧乙氧基 )乙基]胺、三{2-[( 2-甲氧乙基)甲氧基]乙基}胺、三[2-(2_甲氧乙氧基)乙基]胺 '三[2- ( 1-甲氧乙氧基)乙基] 胺、三[2- ( 1-乙氧乙氧基)乙基]胺、三[2- ( 1-乙氧丙氧 基)乙基]胺、三丨2_[ ( 2-羥基乙氧基)乙氧基]乙基}胺等 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210x297公釐) -23- 1225184 A7 B7 五、發明説明幻) 又,鹼性化合物可單獨使用1種或將2種以上組合使用 皆可。其添加量,以對光阻材料中基礎聚合物1〇〇重量份 爲〇至2重量份,較佳爲以〇.〇1至1重量份混合所得者爲佳 °添加量超過2重量份時,因有感度過度降低之情形產生 〇 又,本發明之光阻材料中,爲增加塗佈性可添加界面 €性劑,爲防止基板產生亂反射可添加吸光性材料等添加 劑。 界面活性劑之例,並未有特別之限定,例.如可爲聚氧 乙烯月桂基醚、聚氧乙烯·硬脂基醚、聚氧乙烯鯨鱲基醚、 聚氧油酸基醚等聚氧乙烯烷基醚類;聚氧乙烯辛基苯酚醚 、聚氧乙烯壬苯酚醚等聚氧乙烯烷基烯丙基醚等;聚氧乙 烯聚氧丙烯嵌段共聚物類;山梨糖醇酐單月桂酸酯、山梨 糖醇酐單棕櫚酸酯、山梨糖醇酐單硬脂酸酯等山梨糖醇酐 脂肪酸酯類;聚氧乙烯山梨糖醇單月桂酸酯、聚氧乙烯山 梨糖醇單棕櫚酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇單硬脂酸酯、聚氧 乙烯山梨糖醇三油酸酯、聚氧乙烯山梨糖醇三硬脂酸酯等 聚氧乙烯山梨糖醇脂肪酸酯之非離子性界面活性劑。愛福 脫 EF301、EF30 3、EF3 52 (湯姆克)、美克發 F171、 F172、F173 (大日本油墨化學公司)、福樂多FC430、 FC4 3 1 (住友3M公司)、朝日AG710、沙氟隆S-381、S-3 82、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106 、沙菲隆 E 1 004、KH-10、KH-20、KH-30、KH-40 (旭硝 子)等氟系界面活性劑,有機聚系氧烷聚合物KP341、X- 本紙張尺度適用中.國國家標準(CNS ) A4規格(210 X 297公釐) m· ^ϋ_ι ·1-ϋ m 卜·· - ml iLr 1_1 I (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 如 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -24 - 1225184 A7 B7 五、發明説明0 ) {請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} 7 0-092、X-70-093 (信越化學)、丙烯酸系或甲基丙烯酸 系聚氟No· 75、No. 95 (共榮油脂化學工業)等,其中又以 FC430、沙氟隆S-381、沙菲隆E1004等爲佳。其可單獨使 用或將2種以上組合使用。 本發明之光阻材料中的界面活性劑的添加量,以對光 阻材料中基礎聚合物1 0Ό重量份爲2重量份以下,較佳爲1 重量份以下。 此外,本發明之光阻材料可再添加紫外線吸收劑。 具體而言,例如戊搭烯、茚、萘、葜、庚搭烯、聯苯 撐、苯駢二茚、芴、菲、·蒽、熒蒽、醋菲烯、醋蒽烯、三 苯鄰亞苯、芘、茗、七曜烯、茜、菲、二苯駢菲、駢五苯 、苯駢菲、蒽醌、蒽酮、苯駢蒽酮、2,7_二甲氧基萘、2-乙基-9,10-二甲氧基蒽醌、9,10-二甲基蒽醌、9-乙氧基蒽 醌、1,2-萘醌、9-芴,·下記式(Dl ) 、( D2 )等縮合多環 經濟·部智慧財產局員工消費合作社印製 烴衍生物,噻噸-9-醇、噻蒽、二苯駢塞吩等縮合雜環衍生 物,2,3,4-三羥基二苯甲酮、2,3,4,4,·四羥基苯酚、2,4-二 羥基苯酚、3,5-二羥基苯酚、4,4、二羥基苯酚、4,4,-雙( 二甲基胺基)苯酚等苯酚衍生物,四方酸、二甲基四方酸 等四方酸衍生物,雙(4-羥苯基)亞硕、雙(4-tert-丁氧 苯基)亞硕、雙(4-tert-丁氧鑛苯基)亞硕、雙[4- (1-乙 氧乙氧基)苯基]亞砸等二芳基亞砸衍生物,雙(4-羥苯基 )砸、雙(4-tert-丁氧苯基)硕、雙(4-tert-丁氧羰苯基) 硕、雙[4- ( 1-乙氧乙氧基)苯基]硕、雙[4- (1-乙氧丙氧 基)苯基]砸等二芳基硕衍生物,對苯醌二醯胺、萘醌二醯 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -25- 1225184 A7 B7 -»"-^----------- _ 1 _---------- 1 .—~ 五、發明説明鈐) 胺、二偶氮芴、二偶氮萘滿、二偶氮菲酮等二偶氮化合物 ,萘醌-1,2-二醯胺-5-磺酸氯化物與2,3,4-三羥基苯酚完全 或部分酯化合物,萘醌-1,2-二醯胺-4-磺酸氯化物與2,4,4、 三羥基苯酚完全或部分酯化合物等含苯酮二醯胺基化合物 等,9-蒽醌羧酸tert-丁酯、9-蒽醌羧酸ten·胺、9-蒽醌羧 酸tert-甲氧甲酯、9-蒽醌羧酸ten-乙氧乙酯、9-蒽醌羧酸 2-tert-四氫吡喃、9-蒽醌羧酸2-terN四氫呋喃等。
(R63)g [(R64)jCOOR65]h (D1)
[(R64)jCOOR65]h (D2) (式中,R61至R63各自爲氫原子、直鏈狀或支鏈狀烷基、 經濟部智慧財產局員工消资合作社印製 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁} [皇鏈狀或支鏈狀烷基、直鏈狀或支鏈狀院氧基、直鏈狀或 支鏈狀院氧烷基、直鏈狀或支鏈狀烯基或芳基。RM爲可含 有氧原子之可取代或未取代之2價脂肪族烴基、可含有氧 原子之可取代或未取代之2價脂環式烴基、可含有氧原子 之可取代或未取代之2價芳香族烴基或氧原子,]爲與上 記相同之酸不穩定基,j爲〇或1,E、F、G各自爲0或· 1 至9之整數’ η爲1至1〇之整數,且滿足E + F + G + H $ 1〇 ) 本紙張尺度刺巾® ϋ家標準(CNS ) Α4規格(21GX297公着) -26 1225184 A7 B7 五、發明説明料) ~~~ — 上述紫外線吸收劑之添加量,以對基礎聚合物1 Q 〇份 爲0至10重量份,較佳爲0.5至10重量份,更佳爲1至5重 量份。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明之增強化學性光組材料用於製造各種集積迴路 時,並未有別之限定,一般可使用公知之鈾刻印刷法。 般於製造集積迴路用基板(Si、Si〇2、SiN、Si〇N 、TiN、WSi、BPSG、S〇G、有機反射防止膜等)上以旋 轉塗佈.、滾筒塗佈、簾式塗佈、浸漬塗佈、噴霧塗佈、刮 刀塗佈等方式塗佈厚度〇. 1至2 · 0 // m之膜,將其於熱壓板 上以60至150 °C、1至l(j分鐘、較佳爲80至120。(:、1至 5分鐘之預熱。其次在上記光阻膜上覆蓋欲形成目的圖型之 光罩後,以遠紫外線、遠紫外線、電子線、X射線、等離 子雷射線、Τ線、同步加速線等以300nm以下之曝光波長 進行曝光。一般以曝光量爲1至200m】/ cm2左右,較佳 爲10至100mJ / cm 2下進行照射爲佳,在熱壓板上以60至 150 °C、1至5分鐘、較佳爲80至120 °C、 1至3分鐘之後 照射烘烤(PEB )。 經濟,部智慧財產局員工消費合作社印製 其後使用0.1至5 % ,較佳爲2至3 %四甲基銨氫氧化 物(ΤΗ AM )等鹼性水溶液之顯影液,以〇. 1至3分鐘、較 佳爲0.5至2分鐘間,以浸漬(dlp )法,微粒(puddle ) 法’噴撒法(spray)法等常用顯影方法於基板上形成目的之 圖型。本發明之材料,最適合用於使用高能量線中254至 1 93nm之遠紫外線、電子線、X線、等離子射線、τ線、同 步加速射線以進行之微細圖型描繪。又,超出上記範圍之 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公慶) -27- 1225184 A7 B7 五、發明説明(25 ) 上限或下限以外時,可能會有無法得到目的圖案之情形產 生。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 【發明之效果】 本發明之增強化學性型光阻材料,因具有聚合物之狹 分散性效果,故較以往廣分散度之基礎樹脂具有更高之解 像性。又,因去除聚合物之低分子量部,故光阻圖型之形 狀亦極爲優良,此外,亦可使光阻之保存安定性提升,因 此,與以往之光阻材料比較時,可得到更佳之解像性、良 好的圖型形狀與保存之安定性。 【實施例】 以下將以合成例及實施例、比較例對本發明作更具體 之說明,但本發明並不受下記實施例所限制。 [合成例1 ] 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 將乙醯氧基苯乙烯113.4g、甲基丙烯酸1-乙基環戊酯 54.7g、與作爲溶媒之甲苯1.5L添加入2L燒瓶中,將此反 應容器於氮氣環境下,冷卻至-70 °C,並以減壓脫氣,以氮 氣流重複3次。升溫至室溫後,加入1 3.1 g聚合起始劑之 AIBN,升溫至60 °C,使其反應15小時。將此反應液濃縮 至1/2,使其沉澱於1 0L甲醇中,將所得白色固體過濾後, 於60 .°C下減壓乾燥,得132g白色聚合物。將此聚合物再度 溶解於0.5L甲醇、1.0L四氫呋喃中,加入140g三乙胺、 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X29*7公釐) -28- 1225184 A7 _ B7 五、發明説明fc6 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 3Og水後,進行去保護反應,並使用醋酸中和。將反應液濃 縮後,溶解於0.5 L丙酮中,再進行與上記相同內容之沉澱 、過濾、乾燥等步驟,而得白色聚合物109g。 所得聚合物經13C,j-NMR,及GPC測定結果’得以 下分析結果。 成比 經基苯乙烯:甲基丙烯酸1-乙基環戊酯=72 : 28 重量平均分子量(Mw )二1 1,000 分子量分布(Mw/Mn ) = 1.65 此爲(Poly-1 )。 將5Og之(Poly-Ι )溶解於200ml丙酮(良溶媒)中, 並於1 0L之二乙醚(貧溶媒)中晶析,靜置1小時後使其分 離爲2層。將下層(聚合物層)分離,使其沉澱於10L之己 烷溶媒中,並經過濾、乾燥,得42g白色聚合物。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 重量平均分子量(Mw) = 12,800 分子量分布(Mw/Mn ) = 1.31 此爲(Poly-B 1 )。 [合成例2] 將乙醯氧基苯乙烯113.4g、甲基丙烯酸1-乙基環己酯 56.8g、與作爲溶媒之甲苯1.5L添加入2L燒瓶中,將此反 應容器於氮氣環境下,冷卻至-70 °C,並以減壓脫氣,以氮 氣流重複3次。升溫至室溫後,加入12.9g聚合起始劑之 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -29- 1225184 A7 ___ B7 _ 五、發明説明(27 ) .AIBN,升溫至60°C,使其反應15小時。將此反應液濃縮 至1/2,使其沉澱於10L甲醇中,將所得白色固體過濾後, 於60 t下減壓乾燥,得135g白色聚合物。將此聚合物再度 溶解於0.5L甲醇、1.0L四氫呋喃中,加入140g三乙胺、 3〇g水後,進行去保護反應,並使用醋酸中和。將反應液濃 縮後,溶解於0.5L丙酮中,再進行與上記相同內容之沉澱 、過濾、乾燥等步驟,而得白色聚合物ll〇g。 所得聚合物經l3C,^-NMR,及GPC測定結果,得以 下分析結果。 . 共聚組成比 羥基苯乙烯:甲基丙烯酸1-乙基環己酯=73 : 27 重量平均分子量(Mw) = 10,900 分子量分布(Mw/Mn)=1.62 此爲(P〇ly-2 )。 將50g之(Poly-2 )溶解於200ml丙酮(良溶媒)中, 並於10L己烷/0.5L乙酸乙酯(貧溶媒)中晶析,靜置1小 時後使其分離爲2層。將下層(聚合物層)分離,使其沉 澱於1 0L之己烷溶媒中,並經過濾、乾燥,得40g白色聚合 物。 重量平均分子量(Mw )二13,000 分子量分布(Mw/Mn) = 1.32 此爲(Poly-B2 )。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) _裝· 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -30 - 1225184 A7 B7 _ 五、發明説明(28 ) [合成例3] (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 將二環[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸卜乙基環戊酯296.2g、馬 來酸酐118.0g、與作爲溶媒之二辛烷1〇〇2添加入1L燒瓶中 。將此反應容器於氮氣環境下,冷卻至-70 °C,並以減壓脫 氣,以氮氣流重複3次。升溫至室溫後’加入1 7.9 2聚合起 始劑之AIBN,升溫至60 °C,使其反應15小時。將此反應 液沉澱於1 0L異丙醇中,將所得白色固體過濾後,於60 °C 下減壓乾燥,得290g白色聚合物。 所得聚合物經13 C,1Η - N M R,及G P C測定結果,得以 下分析結果。 ^ 共聚組成比 二環[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸卜乙基環戊酯:馬來酸酐= 50 : 50 重量平均分子量(Mw ) = 8,700 分子量分布(Mw/Mn)二1.63 此爲(P〇ly-3)。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 將50g之(Poly-3 )溶解於200ml丙酮(良溶媒)中’ 並於二乙基醚1 0L (貧溶媒)中晶析,靜置1小時後使其分 離爲2層。將下層(聚合物層)分離,使其沉澱於1 〇L之己 烷溶媒中,並經過濾、乾燥,得39g白色聚合物。 重量平均分子量(Mw )二11,000 分子量分布(Mw/Mn ) = 1.35 此爲(Poly-B3 )。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -31- 1225184 A7 B7 五、發明説明(29 ) [合成例4] (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 將二環[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸1-乙基環己酯309.5g、馬 來酸酐1 lO.Og、與作爲溶媒之二辛烷l〇〇g添加入1L燒瓶中 。將此反應容器於氮氣環境下,冷卻至-70 °C,並以減壓脫 氣,以氮氣流重複3次。升溫至室溫後,加入1 7 · 1 g聚合起 始劑之AIBN,升溫至60 °C,使其反應15小時。將此反應 液沉澱於1 〇 L異丙醇中,將所得白色固體過濾後,於6 0 °C 下減壓乾燥,得299g白色聚合物。 _ 所得聚合物經13C,4-NMR,及GPC測定結果,得以 下分析結果。 共聚組成比 二環[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸1-乙基環己酯:馬來酸酐= 50 : 50 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 重量平均分子量(Mw ) = 9,000 分子量分布(Mw/Mn) = 1.71 此爲( P〇ly-4 )。 將5 0g之(Poly-4 )溶解於200ml丙酮(良溶媒)中, 並於10L己烷/1.0L乙酸乙酯(貧溶媒)中晶析,靜置1小 時後使其分離爲2層。將下層(聚合物層)分離,使其沉 澱於10L之己烷溶媒中,並經過濾、乾燥,得39g白色聚合 物。. 重量平均分子量(Mw)二11,700 本矣氏張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公董1 ' ' -32- 1225184 Α7 Β7 五、發明説明(30 ) 分子量分布(Mw/Mn) = 1.31 此爲(P〇ly_B4 )。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) [合成例5] 依上記相同方法製得下聚合物。 共聚組成比 二環[2 · 2 · 1 ]庚-5 ·儲-2 -殘酸1 -乙基環己酯:二環[2 · 2 _ 1 ] 庚-5-細-2-殘酸=80:20 重量平均分子量(Mw) = 13,000 分子量分布(Mw/Mn) = 1.82 此爲(Poly-5)。 將5Og之(Poly-5 )溶解於200ml丙酮(良溶媒)中, 並於10L己烷/1.0L乙酸乙酯(貧溶媒)中晶析,靜置丨小 時後使其分離爲2層。將下層(聚合物層)分離,使其沉 澱於1 0L之己烷溶媒中,並經過濾、乾燥,得27g白色聚合 物。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 重量平均分子量(Mw ) = 15,500 分子量分布(Mw/Mn) = 1.37 此爲(P〇ly-B5)。 [合成例ό] 依上記相同方法製得下聚合物。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) Α4規格(210 X 297公釐) -33 - Ϊ225184 A7 B7 __ 五、發明説明(31 ) 聚組成比 二環[2.2.1]庚-5-烯-2-羧酸卜乙基環己酯:5-甲氧羰基-5-甲氧羰甲基-二環[2.2.1]庚烯=60 : 40 重量平均分子量(Mw )二11,〇〇〇 分子量分布(Mw/Mn ) = 1.77 此爲(P〇ly-6 )。 將50g之(Poly-6 )溶解於200ml丙酮(良溶媒)中-, 並於10L己烷/1.0L乙酸乙酯.(貧溶媒)中晶析,靜置1小 時後使其分離爲2層。將下層(聚合物層)分離,使其沉澱於 1 〇丄之己烷溶媒中,並經過濾、乾燥,得3 1 g白色聚合物。 重量平均分子量(Mw )= 13,200 分子量分布(Mw/Mn) = 1.42 此爲(Poly-B6 )。 以下爲所合成高分子化合物之構造式。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
、^T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
poly-1
poly-2 本、,氏張尺度通用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X 297公羡) -34 1225184 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明?2 )
poly-5 poly-6 [實施例1、2,比較例1、2] 將上記所合成之(P〇iy-Bi ) 、( P〇iy_B2 )作爲基礎 樹脂(重量份=8 0 )使用’並將其與酸產生劑之P -甲苯磺 酸三苯基銃衍生物(重量份=3 )與,鹼性化合物之三乙 胺(重量份=0.1 )與,溶解阻止劑之2,2,雙(4-t-丁基羧 苯基)丙烷(重量份=0.2 )溶解於丙二醇一甲醚乙酸酯/ 乳酸乙酯(重量份=530,7/3 )中以製得光阻材料’隨後將 各組成物以0.2 // m之鐵氟龍製過濾器過濾’各自製得光阻 溶液。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) ------Γ--®裝----Ί.--訂 II------- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -35- 1225184 A7 B7 五、發明説明?3 ) 又,比較組將使用(Poly-1 )、( Poly-2 )作爲基礎 樹脂,並依上記方法製得相同之光阻液。 將所得光姐劑溶液以旋轉塗佈方式塗佈於砂晶圓上, 並使厚度爲0.8 // m。再將此砂晶圓使用熱壓板進行lOOt: 、120秒之烘烤。其後藉由KrF等離子雷射處理器(理光公 司,NSR-2005EX8A,ΝΑ = 0·5 )進行曝光,進行 90。(:、60 秒之烘烤(ΡΕΒ )後,於2.38 %之四甲基銨氫氧化物水溶 液中進行顯影後而製得正型圖型。對所得圖型進行下記評 估,其結果如表1所示。 評估方法: 首先,求得其感度(Eth )。以0.35 // m之空間線路 爲1 : 1解像度之曝光量爲最適當之曝光量(Εορ )並以其 爲感度(m〗/cm2)。隨後,使用此曝光量所分離之空間線 路之最小線幅(// m )作爲樣品光阻之解像度。 又,〇·20 // m之空間線路之凹凸(圖型形狀)係使用 掃描型電子顯微鏡觀察顯測定。 -------^--—f---Ί—-丨訂!----- -0, (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210'〆297公釐) -36- 1225184 A7 B7 五、發明説明?4 ) 表 1 光阻用聚合 物 感度 (mJ/cm2) 解像度 (β m ) 圖型形狀 實施例1 poly-B1 20 0.15 良好 實施例2 poly-B2 18 0.18 良好 比較例1 poly-1 20 0.2 有粗糙面 比較例2 poly-2 20 0.2 有粗糙面 [實施例3至6,比較例3至6] 將上記所合成之(Poly-B3)至(Poly-B6)作爲基礎 樹脂(重量份=80 )使用,並將其與酸產生劑之三氟甲烷 磺酸三苯基銃衍生物(重量份二3 )與,鹼性化合物之三 甲氧甲氧基乙胺(重量份=0.1 )與,溶解阻止劑之2,2-雙 (4-t -丁基竣苯基)丙院(重量份=0.2)溶解於丙二醇一* 甲醚乙酸酯/乳酸乙酯(重量份=530,7/3 )中以製得光阻材 料,隨後將各組成物以0.2 // m之鐵氟龍製過濾器過濾,各 自製得光阻溶液。 又,比較組將使用(Poly-3 )至(Poly-6 )作爲基礎 樹脂,並依上記方法製得相同之光阻液。 將所得光阻劑溶液以旋轉塗佈方式塗佈於矽晶圓上, 並使厚度爲0 · 8 /z m。再將此矽晶圓使用熱壓板進行1 〇〇 、120秒之烘烤。其後藉由ArF等離子雷射處理器(理光公 司,ΝΑ = 0·55 )進行曝光,進行1 10 °C、90秒之烘烤後, 於2.3 8 %之四甲基銨氫氧化物水溶液中進行顯影後而製得 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 罕 豕 T 用 反 %’ 釐 公 97 2 -37 - 1225184 A7 __________B7 五、發明説明?5 ) 正型圖型。對所得圖型進行下記評估,其結果如表2所示。 評估方法: (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 首先,求得其感度(Eth )。以0.25 // m之空間線路 爲1 : 1解像度之曝光量爲最適當之曝光量(Εορ )並以其 爲感度(mJ/cm2)。隨後,使用此曝光量所分離之空間線 路之最小線幅(// m )作爲樣品光阻之解像度。 又,0.20 // m之空間線路之凹凸(圖型形狀)係使用 掃描型電子顯微鏡觀察顯測定。 表 2 光阻用聚合 物 感度 (m J/cm2) 解像度 (# m ) 圖型形狀 實施例3 poly-B3 19 0.14 良好 實施例4 poly-B4 20 0.13 良好 實施例5 poly-B5 19 0.13 良好 實施例6 poly-B6 20 0.13 良好 比較例3 poly-3 21 0.15 有粗糖面 比較例4 poly-4 20 0.15 有粗糙面 比較例5 poly-5 22 0.16 有粗糙面 比較例6 poly-6 21 0.15 有粗糙面 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 由表1與表2之結果得知,本發明之增強化學性型光阻 材料具有高解像力,與可形成改善圖型形狀之圖型。 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) -38-

Claims (1)

1225184 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 第90 1 0095 6號專利申請案· 中文申請專利範圍修正本 民國92年11月14日修正 1、一種增強化學性型光阻材料,其係含有由下記式 (1)所示重複單位與下記式(2)所示重複單位所得之高 分子化合物、下記式(2 )所示重複單位所得之高分子化 合物、下Ifi式(2)所示重複單位與下記式(4)所示重複 單位所得之高分子化合物、下記式(3 )所示重複單位所 得之局分子化合物、與下記式(4 )所示重複單位所得之 局分子化合物所選出’且將高分子化合物溶解於高分子化 合物之良溶媒中’再將其投入局分子化合物之貧溶媒中, 並分別去除高分子化合物中之低分子量成份後區隔所得之 分子量分布爲1 · 0至1 · 5的高分子化合物; 又,貧溶媒與良溶媒係由,水、丙酮、乙酸乙酯、乙 酸甲酯、二乙醚、四氫呋喃、環己酮、二乙二醇二甲醚、 1-乙氧基·2-丙醇、丙二醇一甲醚乙酸酯、乳酸乙酯、甲 醇、乙醇、異丙醇、戊醇、己醇、甲苯、苯、二甲苯群中 所選出,且配合區隔之高分子化合物所選出者, (1) (式中’ 爲院基、院氧院基、乙釀基或擬丨兀氧基’各 本紙張尺度適用中國國家橾準(CNS ) Α4規格(210 X 297公釐) ----------裝------訂------^ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 1225184 A8 B8 C8 D8 '申請專利範圍 單位可各自由1種所構成,或由2種以上所構成皆可;P 爲正數,q爲〇或正數,且爲滿足0<p/(p+q) 之 數) R2 (2) 6^0 R3 (式中,R2爲氫原子或甲基 基) R3爲碳數4至30之3級® (請先閲讀背面之注意事項存填寫本萸) 裝·
R7 (3) 1T 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 (式中,R4爲碳數4至30之3級烴基;R5至R8爲各自 獨立之氫原子、醋基、院氧羰院基、.內酯基、竣基或環狀 酸酐基,或R5至R8中任2種可鍵結形成環狀之內酯基或 酸酐基;r爲正數,s爲0或正數,且爲滿足〇<r/(r+s )$ 1之數) 本紙張尺度適用中國國家標準(CNS ) A4規格(210X297公釐) 1225184 A8 B8 C8 D8
申請專利範圍 (4) (式中,R9爲碳數4至30之3級烴基,η爲0或1 )。 2、如申請專利範圍第1項之光阻材料,其係含有分 子量分布爲1.0至1.4之高分子化合物者。 (.請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺皮適用中國國家標準(CNS )八4規格(210X 297公釐)
TW090100956A 2000-01-17 2001-01-16 Chemical amplification type resist composition TWI225184B (en)

Applications Claiming Priority (1)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000007888 2000-01-17

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TWI225184B true TWI225184B (en) 2004-12-11

Family

ID=18536246

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW090100956A TWI225184B (en) 2000-01-17 2001-01-16 Chemical amplification type resist composition

Country Status (4)

Country Link
US (1) US6653044B2 (zh)
EP (1) EP1117003B1 (zh)
KR (1) KR100576201B1 (zh)
TW (1) TWI225184B (zh)

Families Citing this family (20)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US6524765B1 (en) * 1999-11-15 2003-02-25 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymer, resist composition and patterning process
KR100576201B1 (ko) * 2000-01-17 2006-05-03 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 화학 증폭형 레지스트 재료
DE10058951A1 (de) * 2000-11-28 2002-06-20 Infineon Technologies Ag Verfahren zur Herstellung einer Lithographiemaske für eine integrierte Schaltung
JP3771815B2 (ja) * 2001-05-31 2006-04-26 東京応化工業株式会社 感光性積層体、それに用いるポジ型レジスト組成物及びそれらを用いるレジストパターン形成方法
JP4123920B2 (ja) * 2001-12-20 2008-07-23 Jsr株式会社 共重合体、重合体混合物および感放射線性樹脂組成物
DE10224217A1 (de) * 2002-05-31 2003-12-18 Infineon Technologies Ag Photosensitiver Lack zur Beschichtung auf einem Halbleitersubstrat oder einer Maske
DE602005007070D1 (de) * 2004-01-09 2008-07-10 Fujifilm Corp Blindplattenvorläufer für Flachdruck
KR101191687B1 (ko) * 2004-04-30 2012-10-16 마루젠 세끼유가가꾸 가부시키가이샤 반도체 리소그래피용 공중합체와 그 제조 방법, 및 조성물
JP2005344009A (ja) * 2004-06-03 2005-12-15 Shin Etsu Chem Co Ltd レジスト材料用高分子化合物及びその製造方法並びに化学増幅ポジ型レジスト材料
US8058498B2 (en) * 2004-10-29 2011-11-15 Sandra Jensen Device for removing oxygen-containing organic compounds from mixtures of various hydrocarbon compounds
US7927778B2 (en) 2004-12-29 2011-04-19 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Chemically amplified positive photoresist composition for thick film, thick-film photoresist laminated product, manufacturing method for thick-film resist pattern, and manufacturing method for connection terminal
US7951522B2 (en) 2004-12-29 2011-05-31 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Chemically amplified positive photoresist composition for thick film, thick-film photoresist laminated product, manufacturing method for thick-film resist pattern, and manufacturing method for connection terminal
JP2007246600A (ja) * 2006-03-14 2007-09-27 Shin Etsu Chem Co Ltd 自己組織化高分子膜材料、自己組織化パターン、及びパターン形成方法
US20090253081A1 (en) * 2008-04-02 2009-10-08 David Abdallah Process for Shrinking Dimensions Between Photoresist Pattern Comprising a Pattern Hardening Step
US20090253080A1 (en) * 2008-04-02 2009-10-08 Dammel Ralph R Photoresist Image-Forming Process Using Double Patterning
US20100040838A1 (en) * 2008-08-15 2010-02-18 Abdallah David J Hardmask Process for Forming a Reverse Tone Image
US20100183851A1 (en) * 2009-01-21 2010-07-22 Yi Cao Photoresist Image-forming Process Using Double Patterning
US8084186B2 (en) * 2009-02-10 2011-12-27 Az Electronic Materials Usa Corp. Hardmask process for forming a reverse tone image using polysilazane
JP5387181B2 (ja) * 2009-07-08 2014-01-15 信越化学工業株式会社 スルホニウム塩、レジスト材料及びパターン形成方法
JP7344108B2 (ja) * 2019-01-08 2023-09-13 信越化学工業株式会社 レジスト組成物、及びパターン形成方法

Family Cites Families (29)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
US4491628A (en) * 1982-08-23 1985-01-01 International Business Machines Corporation Positive- and negative-working resist compositions with acid generating photoinitiator and polymer with acid labile groups pendant from polymer backbone
DE3750275T3 (de) 1986-06-13 1998-10-01 Microsi Inc Lackzusammensetzung und -anwendung.
JP2578646B2 (ja) 1988-07-18 1997-02-05 三洋電機株式会社 非水系二次電池
JPH04359906A (ja) * 1991-06-07 1992-12-14 Shin Etsu Chem Co Ltd ポリ(パラ−t−ブトキシカルボニルオキシスチレン)及びその製造方法
US5492792A (en) 1992-05-12 1996-02-20 Canon Kabushiki Kaisha Optical recording medium using a polymethine dye
DE69322946T2 (de) 1992-11-03 1999-08-12 Ibm Photolackzusammensetzung
US6004720A (en) * 1993-12-28 1999-12-21 Fujitsu Limited Radiation sensitive material and method for forming pattern
EP1248150A3 (en) * 1993-12-28 2003-11-05 Fujitsu Limited Radiation sensitive material and method for forming pattern
JP3072316B2 (ja) 1994-09-30 2000-07-31 日本ゼオン株式会社 レジスト組成物
KR100293130B1 (ko) * 1995-04-12 2001-09-17 카나가와 치히로 고분자화합물및화학증폭포지티브형레지스트재료
TW460753B (en) * 1995-07-20 2001-10-21 Shinetsu Chemical Co Chemically amplified positive resist material
DE69612182T3 (de) * 1996-02-09 2005-08-04 Wako Pure Chemical Industries, Ltd. Polymer und Resistmaterial
JP3125678B2 (ja) * 1996-04-08 2001-01-22 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト材料
JP3206440B2 (ja) * 1996-06-28 2001-09-10 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト材料
US5929271A (en) * 1996-08-20 1999-07-27 Tokyo Ohka Kogyo Co., Ltd. Compounds for use in a positive-working resist composition
KR100265597B1 (ko) * 1996-12-30 2000-09-15 김영환 Arf 감광막 수지 및 그 제조방법
JP3570477B2 (ja) * 1997-01-24 2004-09-29 信越化学工業株式会社 高分子化合物及び化学増幅ポジ型レジスト材料
TW528932B (en) * 1997-01-24 2003-04-21 Shinetsu Chemical Co Polymers and chemically amplified positive resist compositions
TW457277B (en) * 1998-05-11 2001-10-01 Shinetsu Chemical Co Ester compounds, polymers, resist composition and patterning process
JP4131062B2 (ja) * 1998-09-25 2008-08-13 信越化学工業株式会社 新規なラクトン含有化合物、高分子化合物、レジスト材料及びパターン形成方法
US6156481A (en) * 1998-10-29 2000-12-05 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Positive resist composition
JP4410326B2 (ja) * 1998-10-29 2010-02-03 信越化学工業株式会社 化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
JP4307663B2 (ja) * 1998-12-16 2009-08-05 東京応化工業株式会社 ポジ型レジスト組成物およびそれに用いる重合体、並びにレジストパターン形成方法
US6362315B2 (en) * 1999-02-04 2002-03-26 The United States Of America As Represented By The Secretary Of The Army Process to control the molecular weight and polydispersity of substituted polyphenols and polyaromatic amines by enzymatic synthesis in organic solvents, microemulsions, and biphasic systems
KR100538501B1 (ko) * 1999-08-16 2005-12-23 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 신규한 오늄염, 레지스트 재료용 광산발생제, 레지스트재료 및 패턴 형성 방법
KR100576201B1 (ko) * 2000-01-17 2006-05-03 신에쓰 가가꾸 고교 가부시끼가이샤 화학 증폭형 레지스트 재료
EP1136885B1 (en) * 2000-03-22 2007-05-09 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Chemically amplified positive resist composition and patterning method
US6878501B2 (en) * 2000-04-27 2005-04-12 Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. Polymer, chemically amplified resist composition and patterning process
JP3712047B2 (ja) * 2000-08-14 2005-11-02 信越化学工業株式会社 レジスト材料及びパターン形成方法

Also Published As

Publication number Publication date
US6653044B2 (en) 2003-11-25
KR20010088319A (ko) 2001-09-26
EP1117003B1 (en) 2012-06-20
KR100576201B1 (ko) 2006-05-03
US20010036593A1 (en) 2001-11-01
EP1117003A1 (en) 2001-07-18

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI225184B (en) Chemical amplification type resist composition
TWI385183B (zh) 高分子化合物、光阻材料及使用其之圖型形成方法
KR100882408B1 (ko) 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료 및 이를 이용한 패턴 형성 방법
KR100555286B1 (ko) 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
KR100938529B1 (ko) 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
KR101029686B1 (ko) 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
JP2006225476A (ja) ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
TWI249649B (en) Resist composition and patterning process
TW546546B (en) Resist composition and patterning process
KR101296480B1 (ko) 네가티브형 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법
JP4420165B2 (ja) 化学増幅ポジ型レジスト材料
TW562998B (en) Production method for polymer compound and resist material prepared by using the polymer compound
KR100616399B1 (ko) 화학 증폭형 레지스트 재료
JP2001272785A (ja) 化学増幅型レジスト材料
TW538312B (en) Chemical amplification, positive resist compositions
JP4475372B2 (ja) 化学増幅ポジ型レジスト材料及びパターン形成方法
KR100674073B1 (ko) 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료
JP4557115B2 (ja) 化学増幅ポジ型レジスト材料
JP3821210B2 (ja) 化学増幅型レジスト材料
JP2001174984A (ja) レジスト材料及びパターン形成方法
JP2007025534A (ja) ポジ型ネガ型兼用ノボラック系化学増幅型レジスト組成物
JP4375569B2 (ja) 化学増幅型レジスト材料
JP4189618B2 (ja) レジスト材料及びパターン形成方法
JP2007052151A (ja) 電気泳動装置用化学増幅ポジ型レジスト組成物

Legal Events

Date Code Title Description
MK4A Expiration of patent term of an invention patent