KR100882408B1 - 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료 및 이를 이용한 패턴 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
Claims (8)
- 제1항에 있어서, 고에너지선이 전자선인 패턴 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 광산 발생제 (1) 이외의 광산 발생제를 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 상기 고분자 중합체로서,p-히드록시스티렌 및/또는 α-메틸-p-히드록시스티렌과, 페놀성 수산기의 수 소 원자의 일부가 1종 또는 2종 이상의 산 불안정기로 부분 치환된 p-히드록시스티렌 및/또는 α-메틸-p-히드록시스티렌과, 아크릴산에스테르 및/또는 메타크릴산에스테르를 포함하는 공중합체이며, 아크릴산에스테르 및/또는 메타크릴산에스테르가 산 불안정기로 보호된 에스테르이고, 고분자 화합물 중에서의 아크릴산에스테르 및 메타크릴산에스테르에 기초하는 단위가 평균 0 몰% 초과 50 몰% 이하인 비율로 함유되어 있고, 수지 전체에 대해 산 불안정기를 갖는 단위가 평균 0 몰% 초과 80 몰% 이하의 비율인 하기 화학식 (2)의 반복 단위를 갖는 중량 평균 분자량 3,000 내지 100,000의 고분자 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.식 중,R4는 수소 원자 또는 메틸기를 나타내고,R5는 탄소수 1 내지 8의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기를 나타내며,R6은 산 불안정기를 나타내고,R6a는 수소 원자 또는 산 불안정기이되, 적어도 일부가 산 불안정기이며,x는 0 또는 1이고, y는 1이고,M은 양의 정수이며, N 및 L은 0 또는 양의 정수이되, N 및 L은 동시에 0이 아니며, 0 < N/(M+N) ≤ 0.5 및 0 < (N+L)/(M+N+L) ≤ 0.8을 만족하는 수이다.
- 제4항에 있어서, 상기 화학식 (2)에 표시된 R6인 산 불안정기가 하기 화학식 (3) 내지 (6)으로 표시되는 기, 탄소수 4 내지 20의 3급 알킬기, 각 알킬기의 탄소수가 각각 1 내지 6인 트리알킬실릴기, 또는 탄소수 4 내지 20의 옥소알킬기이고, R6a인 산 불안정기가 탄소수 4 내지 20의 3급 알킬기, 탄소수 7 내지 20의 아릴기 치환 알킬기, 탄소수 4 내지 20의 옥소알킬기 또는 하기 화학식 (3)으로 표시되는 기인 패턴 형성 방법.식 중,R7 및 R8은 수소 원자 또는 탄소수 1 내지 18의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기를 나타내고,R9는 산소 원자 등의 헤테로원자를 가질 수 있는 탄소수 1 내지 18의 1가 탄화수소기를 나타내며,R7과 R8, R7과 R9, R8과 R9는 환을 형성할 수도 있으며, 환을 형성하는 경우에는 R7, R8 및 R9는 각각 탄소수 1 내지 18의 직쇄상 또는 분지상의 알킬렌기를 나타내고,R10은 탄소수 4 내지 20의 3급 알킬기, 각 알킬기의 탄소수가 각각 1 내지 6인 트리알킬실릴기, 탄소수 4 내지 20의 옥소알킬기 또는 상기 화학식 (3)으로 표시되는 기이며,z는 0 내지 6의 정수이고,R11은 탄소수 1 내지 8의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기 또는 치환될 수도 있는 탄소수 6 내지 20의 아릴기를 나타내며,h는 0 또는 1이고, i는 0, 1, 2, 3 중 어느 하나이되, 2h+i가 2 또는 3을 만족하는 수이고,R12는 탄소수 1 내지 8의 직쇄상, 분지상 또는 환상 알킬기 또는 치환될 수도 있는 탄소수 6 내지 20의 아릴기를 나타내며,R13 내지 R22는 각각 독립적으로 수소 원자, 또는 헤테로원자를 포함할 수 있 는 탄소수 1 내지 15의 1가 탄화수소기를 나타내고, R13 내지 R22는 서로 인접하는 2개가 결합하여 이들이 결합하는 탄소 원자와 함께 탄소수 4 내지 32의 환을 형성할 수도 있으며, 이 경우에는 헤테로원자를 포함할 수도 있는 탄소수 1 내지 15의 2가 탄화수소기를 나타내고, 또한 R13 내지 R22는 인접하는 탄소에 결합하는 것끼리 임의의 개재없이 결합하고, 이중 결합을 형성할 수도 있다.
- 제1항에 있어서, 상기 고분자 중합체로서, 복수종의 고분자 중합체를 동시에 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
- 제1항에 있어서, 프로필렌글리콜메틸에테르아세테이트 및/또는 락트산에틸을 용매로서 더 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
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