JP5353639B2 - 化学増幅ポジ型レジスト材料、これを用いたレジストパターン形成方法及びメッキパターン形成方法 - Google Patents
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請求項1:
(A)下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が1,000〜500,000である高分子化合物、
(式中、R1、R3は水素原子、ヒドロキシル基、炭素数1〜3の直鎖状又は分岐状のアルキル基、ハロゲン原子、又はトリフルオロメチル基を表し、R2は水素原子、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、又はトリフルオロメチル基を表し、R4は水素原子、炭素数1〜4の置換可アルキル基、炭素数1〜4の置換可アルコキシ基、又は−ORを表し、Rはヘテロ原子を含んでもよい直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アルコキシアルキル基、アルコキシカルボニル基、又はトリアルキルシリル基を表す。R5は水素原子又はメチル基を表し、R6は水素原子、メチル基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、ハロゲン原子、又はトリフルオロメチル基を表し、R7は炭素数4〜30のアルキル基を表す。また、nは0又は1〜4の正の整数であり、mは0又は1〜5の正の整数である。また、p、r、sは0又は正数であり、qは正数である。p+q+r+s=1である。)
(B)光酸発生剤、
(C)塩基性化合物、
(D)カルボン酸、
(E)溶剤
を含有する化学増幅ポジ型レジスト材料であって、カルボン酸の酸解離定数(pKa)が2以下であり、且つ、カルボン酸の含有量が塩基性化合物の含有量を超えないことを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。
請求項2:
(D)カルボン酸の添加量が、(C)塩基性化合物の添加量に対して、20〜90質量%であることを特徴とする請求項1記載の化学増幅ポジ型レジスト材料。
請求項3:
式(1)において、0≦p/(p+q+r+s)≦0.8、0<q/(p+q+r+s)≦0.5、0≦r/(p+q+r+s)≦0.35、0≦s/(p+q+r+s)≦0.35であることを特徴とする請求項1又は2記載の化学増幅ポジ型レジスト材料。
請求項4:
(i)請求項1乃至3のいずれか1項記載の化学増幅ポジ型レジスト材料を基板に塗布する工程、
(ii)加熱処理した後、フォトマスクを介して放射線もしくは電子線で露光する工程、
(iii)加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程
を含むレジストパターン形成方法。
請求項5:
基板の少なくとも表面が金属で形成され、該金属表面上に請求項4記載のレジストパターン形成方法によりレジストパターンを形成した後、レジストパターンが形成されていない金属表面上にメッキを施すことを特徴とするメッキパターン形成方法。
<高分子化合物(ベース樹脂)>
上記化学増幅ポジ型レジスト材料における高分子化合物は、下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が1,000〜500,000という高分子化合物である。
上記R1、R2、R3、R6としては、これらがハロゲン原子を示す場合、フッ素原子、塩素原子、臭素原子が挙げられる。
式中、R14は、メチル基、エチル基、イソプロピル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、ビニル基、アセチル基、フェニル基、ベンジル基、又はシアノ基であり、bは0〜3の整数である。
式中、R15は、メチル基、エチル基、イソプロピル基、シクロヘキシル基、シクロペンチル基、ビニル基、フェニル基、ベンジル基、又はシアノ基である。
また、下記式(6−1)〜(6−4)で示される3級エステルとなるアルキル基もR7として好ましい。
(上記式において、鎖線は結合手を示す。)
本発明で用いられる化学増幅ポジ型レジスト材料における光酸発生剤としては、高エネルギー線照射により酸を発生する化合物であればいずれでも構わない。好適な光酸発生剤としてはスルホニウム塩、ヨードニウム塩、スルホニルジアゾメタン、N−スルホニルオキシイミド型光酸発生剤等がある。以下に詳述するが、これらは単独で又は2種以上混合して用いることができる。
本発明で用いられる化学増幅ポジ型レジスト材料における塩基性化合物は、光酸発生剤より発生する酸がレジスト膜中に拡散する際の拡散速度を抑制することができる化合物が適する。そして、上記塩基性化合物の添加により、レジスト層中での酸の拡散速度が抑制されて解像度が向上し、露光後の感度変化を抑制し、基板や環境依存性を少なくし、露光条件の余裕度やレジストパターン形状等を向上することができる。
N(X)n(Y)3-n (7)
式(7)中、n=1、2又は3である。側鎖Xは同一でも異なっていてもよく、下記一般式(8)〜(10)で表すことができる。側鎖Yは同一又は異種の、水素原子もしくは直鎖状、分岐状又は環状の炭素数1〜20のアルキル基を示し、エーテル基(−O−)もしくはヒドロキシル基を含んでもよい。また、X同士が結合して環を形成してもよい。ここでR300、R302、R305は炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、R301、R304は水素原子、又は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、ヒドロキシル基、エーテル基、エステル基、ラクトン環を1あるいは複数含んでいてもよい。R303は単結合、又は炭素数1〜4の直鎖状又は分岐状のアルキレン基であり、R306は炭素数1〜20の直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基であり、ヒドロキシル基、エーテル基、エステル基、ラクトン環を1あるいは複数含んでいてもよい。
本発明で用いられる化学増幅ポジ型レジスト材料におけるカルボン酸は、高解像度の観点からpKaが2以下、好ましくは1.5以下を示すものである。上記カルボン酸は特に限定されないが、好ましくはジカルボン酸であり、例えば、シュウ酸及びマレイン酸等を挙げることができる。それ以外にも飽和又は不飽和脂肪族カルボン酸、脂環式カルボン酸、オキシカルボン酸、アルコキシカルボン酸、ケトカルボン酸、芳香族カルボン酸等の分子中の一部もしくは全ての水素原子を電子吸引性置換基に置換することにより得られるpKaが2以下のカルボン酸を用いることができる。具体例として、酢酸のニトロ置換物であるニトロ酢酸(pKa=1.7)を挙げることができる。なお、上記カルボン酸は、1種を単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
本発明で用いられる化学増幅ポジ型レジスト材料における溶剤として、例えば酢酸ブチル、酢酸アミル、酢酸シクロヘキシル、酢酸3−メトキシブチル、メチルエチルケトン、メチルアミルケトン、シクロヘキサノン、シクロペンタノン、3−エトキシエチルプロピオネート、3−エトキシメチルプロピオネート、3−メトキシメチルプロピオネート、アセト酢酸メチル、アセト酢酸エチル、ジアセトンアルコール、ピルビン酸メチル、ピルビン酸エチル、プロピレングリコールモノメチルエーテル、プロピレングリコールモノエチルエーテル、プロピレングリコールモノメチルエーテルプロピオネート、プロピレングリコールモノエチルエーテルプロピオネート、エチレングリコールモノメチルエーテル、エチレングリコールモノエチルエーテル、ジエチレングリコールモノメチルエーテル、ジエチレングリコールモノエチルエーテル、3−メチル−3−メトキシブタノール、N−メチルピロリドン、ジメチルスルホキシド、γ−ブチロラクトン、プロピレングリコールメチルエーテルアセテート、プロピレングリコールエチルエーテルアセテート、プロピレングリコールプロピルエーテルアセテート、乳酸メチル、乳酸エチル、乳酸プロピル、テトラメチレンスルホン等が挙げられるが、これらに限定されるものではない。特に好ましいものは、プロピレングリコールアルキルエーテルアセテート、乳酸アルキルエステルである。これらの溶剤は単独でも2種以上混合してもよい。好ましい混合溶剤の例はプロピレングリコールアルキルエーテルアセテートと乳酸アルキルエステルの組み合わせである。なお、本発明におけるプロピレングリコールアルキルエーテルアセテートのアルキル基は炭素数1〜4のもの、例えばメチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられるが、特にメチル基、エチル基が好適である。また、プロピレングリコールアルキルエーテルアセテートには1,2置換体と1,3置換体があり、且つ、置換位置の組み合わせによる3種の異性体があるが、単独あるいは混合物のいずれの場合でもよい。また、乳酸アルキルエステルのアルキル基は炭素数1〜4のもの、例えばメチル基、エチル基、プロピル基等が挙げられるが、特にメチル基、エチル基が好適である。
更に、本発明の化学増幅ポジ型レジスト材料には、塗布性を向上させるための界面活性剤を加えることができる。
界面活性剤の例としては、特に限定されるものではないが、ポリオキシエチレンラウリルエーテル、ポリオキシエチレンステリアルエーテル、ポリオキシエチレンセチルエーテル、ポリオキシエチレンオレインエーテル等のポリオキシエチレンアルキルエーテル類、ポリオキシエチレンオクチルフェノールエーテル、ポリオキシエチレンノニルフェノールエーテル等のポリオキシエチレンアルキルアリールエーテル類、ポリオキシエチレンポリオキシプロピレンブロックコポリマー類、ソルビタンモノラウレート、ソルビタンモノパルミテート、ソルビタンモノステアレート等のソルビタン脂肪酸エステル類、ポリオキシエチレンソルビタンモノラウレート、ポリオキシエチレンソルビタンモノパルミテート、ポリオキシエチレンソルビタンモノステアレート、ポリオキシエチレンソルビタントリオレエート、ポリオキシエチレンソルビタントリステアレート等のポリオキシエチレンソルビタン脂肪酸エステルのノニオン系界面活性剤、エフトップEF301、EF303、EF352((株)トーケムプロダクツ製)、メガファックF171、F172、F173(大日本インキ化学工業(株)製)、フロラードFC430、FC431(住友スリーエム(株)製)、アサヒガードAG710、サーフロンS−381、S−382、SC101、SC102、SC103、SC104、SC105、SC106、KH−10、KH−20、KH−30、KH−40(旭硝子(株)製)、サーフィノールE1004(日信化学工業(株)製)等のフッ素系界面活性剤、オルガノシロキサンポリマーKP341、X−70−092、X−70−093(信越化学工業(株)製)、アクリル酸系又はメタクリル酸系ポリフローNo.75、No.95(共栄社油脂化学工業(株)製)が挙げられ、特にFC430、サーフロンS−381、サーフィノールE1004、KH−20、KH−30、X−70−093が好適である。これらは単独で又は2種以上を組み合わせて用いることができる。
本発明のレジストパターン形成方法について説明する。本発明の化学増幅ポジ型レジスト材料を種々の半導体製造に用いる場合には、特に限定されないが公知のリソグラフィー技術を用いることができる。具体的には、上記化学増幅ポジ型レジスト材料を基板に塗布し、加熱処理した後フォトマスクを介して放射線もしくは電子線で露光し、更に加熱処理した後現像液を用いて現像することにより、本発明のレジストパターンが形成される。
本発明のメッキパターン形成方法について説明する。具体的には、上記レジストパターン形成方法により形成されたレジストパターンをマスクとして、常法により電解メッキ法又は無電解メッキ法により導体パターンを被着形成し、その後、レジストパターンを除去するものである。この場合、基板としては、少なくとも表面が金属にて形成されているものを使用する。例えば、シリコン基板上にスパッタリング等の手段で銅等の皮膜を形成したものを使用することができる。なお、電解メッキ又は無電解メッキとしては、電解Cuメッキ、無電解Cuメッキ、電解Fe−Niメッキ、電解Auメッキ等が挙げられ、公知のメッキ浴、メッキ条件でメッキすることができる。なお、メッキ厚さはレジストパターン厚さの80〜100%にて形成されるのが一般的とされる。例えば、シード層が銅であり、その上に厚さ1μmのレジストパターンを形成した後、電解銅メッキにより厚さ0.8〜1μmの銅メッキパターンを形成する。ところで、半導体装置の製造の場合は、形成したレジストパターンをマスクとして、常法に従って半導体基材をエッチングした後、レジストパターンを除去するものである。
2Lのフラスコにp−アセトキシスチレン71.5g、p−アミロキシスチレン22.4g、メタクリル酸1−エチルシクロペンチルエステル8.1g、溶媒としてトルエンを200g添加した。この反応容器を窒素雰囲気下、−70℃まで冷却し、減圧脱気、窒素フローを3回繰り返した。そして、室温まで昇温後、重合開始剤としてアゾビスイソブチルニトリル(AIBN)を3.9g加え、60℃まで昇温後、その温度を保ちながら15時間反応させた。上記反応溶液を質量比において1/2まで濃縮し、メタノール4.5L、水0.5Lの混合溶液中に沈殿させ、得られた白色固体を濾過後、60℃で減圧乾燥し、白色重合体89gを得た。この高分子化合物をメタノール0.27L、テトラヒドロフラン0.27Lに再度溶解し、トリエチルアミン77g、水14gを加え、脱保護反応を行い、酢酸を用いて中和した。上記反応溶液を濃縮後、アセトン0.5Lに溶解し、上記と同様の沈殿、濾過、乾燥を行い、白色重合体55gを得た。
共重合組成比(モル比)
ヒドロキシスチレン:アミロキシスチレン:メタクリル酸1−エチルシクロペンチルエステル=70.9:21.9:7.2
重量平均分子量(Mw)=17,000
分子量分布(Mw/Mn)=1.70
これを高分子化合物(Poly−A)とする。
上記高分子化合物(Poly−A)及び下記の各原料を用いて、表1,2に示す組成比の化学増幅ポジ型レジスト材料を調製した。
光酸発生剤A(PAG−A):10−カンファースルホン酸(4−ブトキシフェニル)ジ
フェニルスルホニウム
塩基性化合物A:トリス(2−メトキシエチル)アミン
塩基性化合物B:2−モルホリノエチルアセテート
カルボン酸A :2−ヒドロキシ安息香酸(pKa=3.0)
カルボン酸B :マレイン酸(pKa=1.9)
カルボン酸C :シュウ酸(pKa=1.2)
界面活性剤A :X−70−093
溶剤A :プロピレングリコールモノメチルエーテルアセテート
溶剤B :乳酸エチル
表3にその結果を示す。
Claims (5)
- (A)下記一般式(1)で示される繰り返し単位を有する重量平均分子量が1,000〜500,000である高分子化合物、
(式中、R1、R3は水素原子、ヒドロキシル基、炭素数1〜3の直鎖状又は分岐状のアルキル基、ハロゲン原子、又はトリフルオロメチル基を表し、R2は水素原子、ヒドロキシル基、ハロゲン原子、又はトリフルオロメチル基を表し、R4は水素原子、炭素数1〜4の置換可アルキル基、炭素数1〜4の置換可アルコキシ基、又は−ORを表し、Rはヘテロ原子を含んでもよい直鎖状、分岐状又は環状のアルキル基、アルコキシアルキル基、アルコキシカルボニル基、又はトリアルキルシリル基を表す。R5は水素原子又はメチル基を表し、R6は水素原子、メチル基、アルコキシカルボニル基、シアノ基、ハロゲン原子、又はトリフルオロメチル基を表し、R7は炭素数4〜30のアルキル基を表す。また、nは0又は1〜4の正の整数であり、mは0又は1〜5の正の整数である。また、p、r、sは0又は正数であり、qは正数である。p+q+r+s=1である。)
(B)光酸発生剤、
(C)塩基性化合物、
(D)カルボン酸、
(E)溶剤
を含有する化学増幅ポジ型レジスト材料であって、カルボン酸の酸解離定数(pKa)が2以下であり、且つ、カルボン酸の含有量が塩基性化合物の含有量を超えないことを特徴とする化学増幅ポジ型レジスト材料。 - (D)カルボン酸の添加量が、(C)塩基性化合物の添加量に対して、20〜90質量%であることを特徴とする請求項1記載の化学増幅ポジ型レジスト材料。
- 式(1)において、0≦p/(p+q+r+s)≦0.8、0<q/(p+q+r+s)≦0.5、0≦r/(p+q+r+s)≦0.35、0≦s/(p+q+r+s)≦0.35であることを特徴とする請求項1又は2記載の化学増幅ポジ型レジスト材料。
- (i)請求項1乃至3のいずれか1項記載の化学増幅ポジ型レジスト材料を基板に塗布する工程、
(ii)加熱処理した後、フォトマスクを介して放射線もしくは電子線で露光する工程、
(iii)加熱処理した後、現像液を用いて現像する工程
を含むレジストパターン形成方法。 - 基板の少なくとも表面が金属で形成され、該金属表面上に請求項4記載のレジストパターン形成方法によりレジストパターンを形成した後、レジストパターンが形成されていない金属表面上にメッキを施すことを特徴とするメッキパターン形成方法。
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Cited By (1)
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Families Citing this family (9)
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Cited By (2)
Publication number | Priority date | Publication date | Assignee | Title |
---|---|---|---|---|
US10815572B2 (en) * | 2015-08-04 | 2020-10-27 | Shin-Etsu Chemical Co., Ltd. | Chemically amplified positive resist composition and pattern forming process |
TWI741991B (zh) * | 2015-08-04 | 2021-10-11 | 日商信越化學工業股份有限公司 | 化學增幅正型阻劑組成物及圖型之形成方法 |
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