KR100620486B1 - 레지스트 재료 및 패턴 형성 방법 - Google Patents
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Abstract
Description
조성 | 실시예 1 | 실시예 2 | 실시예 3 | 실시예 4 |
Poly-A Poly-B Poly-C Poly-D | 80 - - - | - 80 - - | - - 80 - | - - - 80 |
PAG1 PAG2 | 2 1 | 2 1 | 2 1 | 2 1 |
용해저지제A 염기성화합물A | - 0.2 | - 0.2 | - 0.2 | - 0.2 |
계면활성제A 계면활성제B | 0.07 0.07 | 0.07 0.07 | 0.07 0.07 | 0.07 0.07 |
용제A 용제B | 300 130 | 300 130 | 300 130 | 300 130 |
조성 | 실시예 5 | 실시예 6 | 비교예 1 | 비교예 2 |
Poly-E Poly-F Poly-G Poly-H | 80 - - - | - 80 - - | - - 80 - | - - - 80 |
PAG1 PAG2 | 2 1 | 2 1 | 2 1 | 1 1 |
용해저지제A 염기성화합물A | - 0.2 | - 0.2 | - 0.2 | - 0.2 |
계면활성제A 계면활성제B | 0.07 0.07 | 0.07 0.07 | 0.07 0.07 | 0.07 0.07 |
용제A 용제B | 300 130 | 300 130 | 300 130 | 300 130 |
감도 (mJ/cm2) | 해상도 (㎛) | 프로파일 형상 | 24시간 후 PDE의 치수 안정성 (nm) | 레지스트 보존 안정성 (20℃, 30 일간) | |
실시예 1 | 28 | 0.12 | 직사각형 | -6 | 양호 |
실시예 2 | 25 | 0.12 | 둥근 헤드 | -9 | 가 |
실시예 3 | 27 | 0.12 | 직사각형 | -5 | 양호 |
실시예 4 | 25 | 0.11 | 둥근 헤드 | -8 | 양호 |
실시예 5 | 29 | 0.11 | 직사각형 | -5 | 양호 |
실시예 6 | 30 | 0.12 | 직사각형 | -4 | 양호 |
비교예 1 | 29 | 0.12 | 둥근 헤드 | -20 | 불가 |
비교예 2 | 30 | 0.13 | 둥근 헤드 | -24 | 불가 |
Claims (8)
- 하기 화학식 2로 표시되는 반복 단위를 포함하는 중량 평균 분자량이 1,000 내지 500,000인 고분자 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 재료.<화학식 2>식 중, R2는 수소 원자, 히드록시기, 직쇄상 또는 분지상의 알킬기, 할로겐 원자, 또는 트리플루오로메틸기를 나타낸다.
- 하기 화학식 1a 및 하기 화학식 3으로 표시되는 반복 단위의 모두를 갖는 중량 평균 분자량이 1,000 내지 500,000인 고분자 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 재료.<화학식 1a>식 중, R1 및 R2는 각각 수소 원자, 히드록시기, 직쇄상 또는 분지상의 알킬기, 할로겐 원자, 또는 트리플루오로메틸기를 나타내고, R3은 메틸기, 또는 에틸기를 나타내고, 또한 R4, R5는 각각 탄소수 1 내지 7의 알킬기를 나타내고, R4, R5가 결합하여 환 구조가 될 수 있고, t는 양수이다.<화학식 3>식 중, R6, R7, R9, R10, R11은 각각 수소 원자, 히드록시기, 직쇄상 또는 분지상의 알킬기, 할로겐 원자, 또는 트리플루오로메틸기를 나타내고, R8은 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 나타내고, R12는 탄소수 4 내지 30의 알킬기, 또는 규소치환 알킬기를 나타내고, 또한, q, r, s는 O 또는 양수이고, p는 양수이다.
- 하기 화학식 2a 및 하기 화학식 3으로 표시되는 반복 단위의 모두를 갖는 중량 평균 분자량이 1,000 내지 500,000인 고분자 화합물을 포함하는 것을 특징으로 하는 레지스트 재료.<화학식 2a>식 중, R2는 수소 원자, 히드록시기, 직쇄상 또는 분지상의 알킬기, 할로겐 원자, 또는 트리플루오로메틸기를 나타내고, t는 양수이다.<화학식 3>식 중, R6, R7, R9, R10, R11은 각각 수소 원자, 히드록시기, 직쇄상 또는 분지상의 알킬기, 할로겐 원자, 또는 트리플루오로메틸기를 나타내고, R8은 탄소수 1 내지 10의 알킬기를 나타내고, R12는 탄소수 4 내지 30의 알킬기, 또는 규소치환 알킬기를 나타내고, 또한 q, r, s는 0 또는 양수이고, p는 양수이다.
- (A) 유기 용제,(B) 기재 수지로서 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 고분자 화합물,(C) 산발생제를 함유하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료.
- (A) 유기 용제,(B) 기재 수지로서 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 고분자 화합물,(C) 산발생제,(D) 용해 저지제를 함유하여 이루어지는 것을 특징으로 하는 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료.
- 제5항에 있어서, 또한, (E) 첨가제로서 염기성 화합물을 배합한 것을 특징으로 하는 화학 증폭 포지티브형 레지스트 재료.
- 제1항 내지 제4항 중 어느 한 항에 기재된 레지스트 재료를 기판 상에 도포하는 공정과, 가열 처리 후, 포토마스크를 통해 고에너지선 또는 전자선으로 노광하는 공정과, 필요에 따라서 가열 처리한 후, 현상액을 이용하여 현상하는 공정을 포함하는 것을 특징으로 하는 패턴 형성 방법.
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