TWI223862B - Procedure for the fixation of chip carriers - Google Patents

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TWI223862B
TWI223862B TW091134483A TW91134483A TWI223862B TW I223862 B TWI223862 B TW I223862B TW 091134483 A TW091134483 A TW 091134483A TW 91134483 A TW91134483 A TW 91134483A TW I223862 B TWI223862 B TW I223862B
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wafer carrier
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Alfred Bauer
Horst Hartmann
Gunter Kolodzei
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Heraeus Gmbh W C
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    • H01L23/498Leads, i.e. metallisations or lead-frames on insulating substrates, e.g. chip carriers
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Description

^862 ⑴ ,、發明說明 (發明說明應敘明:發明所屬之技術領域 本發明係關於金屬羯上的曰前技術、内容、實施方式及圖式簡單,: ,其中從一金屬fl將軌跡衝斷二載體之非接觸固定裎序 夕缸 衡崎,接著將該晶片應用於所俨 軌跡系統’並將晶片焊接於烊線且進行密封。 于 在非接觸晶片卡的製造中,總是從一金細斷軌跡 。所用之金屬箱係-拉長的落條,其上有相同的軌跡圖案 重複排列,可使用積體電路並藉由一機器對其進行焊接。
一般情況下,在用一密封劑塗佈該晶片前,通過使用焊線 來形成接觸。隨後,從一金屬箔條將積體電路及其周圍的 軌跡圖案(晶片載體)衝壓成一片,並插入相應的晶片卡的 部分(比較 D E 1 9 8 1 6 0 6 6)。 試該 由於處理技術的原因,當晶片還在該金屬箔上時需測 該晶片的電氣性能。藉由金屬箔形成的兩橋接(接地橋)
,可用固定於適當位置的晶片成功地執行一些測試。雖然 對於某些測試而言,切斷所有與該金屬箔的導電連結係絕 對必要的。然而,一旦切斷包含兩橋接的所有連結時,該 晶片即不再固定於適當的位置。 因此,本發明的目的係提供晶片載體的某種支撐方法 ,以用於切斷所有導電連結時電氣系統測試的輸送。 該項工作係藉由申請專利範圍第1項之特徵予以解決 。在衝斷步驟後,為了將該晶片載體固定於適當位置’本 發明擬在該晶片上使用一絕緣支撐層,該支撐層延伸超出 該晶片之外,並連接至周圍的箔條。為此*好使用上述之 密封劑,且為液體劑,特別係以黏性可固化材料的形式。 -6 - 1223862 (2) 發明說明續頁 此外,最好在該晶片載體鄰近的金屬箔邊緣配置錨定孔或 凹穴,使該材料可注入上述錨定孔及凹穴以增強穩定性' 或者,該絕緣層的黏著作用可作為唯一的固定方式。 隨後,最好係藉由衝斷(完全衝斷、衝離)將包含接地橋 的導電連結切斷,而晶片載體則可藉由其與該絕緣層的連 結固定於適當位置。這些步驟完成後,可執行所需的電氣 系統測試。 因此,本發明係關於晶片載體的固定程序,其中從一 金屬箔衝斷執跡,接著將該晶片應用於所得之執跡系統, 並將晶片焊接於焊線且進行密封,其中承載晶片的該晶片 載體塗佈有一電氣絕緣層,該絕緣層最好為密封劑,使切 斷金屬箔與晶片載體之間的所有金屬接觸時,延伸出晶片 載體的該絕緣層仍能使該晶片載體透過該絕緣層固定於 金屬箔的適當位置。 該絕緣層最好係一液體可固化材料,其係藉由壓鑄及 固化形成。在金屬箔中可配置錨定孔以利液體材料的穿 透。 熟悉技術人士應知道適合的金屬箔及密封劑。 圖1說明具有衝斷前執跡(1)的一金屬箔,在斜線所示的 位置處將其衝斷。虛線(2)顯示所用的絕緣層之輪廓。晶 片的輪廓係藉由方形(4)顯示。圖中未顯示焊線。虛線(3) 指示凹六的位置(若有的話)。下側邊緣的方形代表金屬箔 條的輸送孔。 圖2說明沿線A-A的一截面,顯示晶片(4)(其用黑色標注 1223862
發_說明續I :圖中未顯示焊線)及密封劑塗層(交叉斜線),其係塗佈 在圖1中衝斷前的虛線(2)内。凹穴用單斜線顯示為金屬 左側部分中的一步驟。藉由壓花法可在金屬箔上提供凹穴 。或者,可提供錨定孔,也可在其較低邊緣提供凹穴。在 圖1或圖2中未顯示此類型的錨定孔。 圖3顯示圖1重複排列的佈線模式中整個箔條或箔帶的 一截面。該箔帶的方形輸送孔係在邊緣顯示。
圖式簡單說明 以上已根據圖示對本發明之一項可能的具體實施例加 以說明。圖式中: 圖1係承載一晶片載體的金屬箔的一部分, 圖2係沿圖1中線A - A的^一截面’以及 圖3係承載多個晶片載體的金屬箔條的一部分。 圖式代表符號說明 1 衝斷前軌跡
2 虛線 3 虛線 4 方形

Claims (1)

1223862 拾、申請專利範圍 1. 一種晶片載體的固定程序,在該等晶片載體中從一金 屬箔中將軌跡衝斷,接著將該晶片應用於所得到的執 跡系統,並將其焊接於焊線且進行密封;其特徵為承 載該晶片的該晶片載體塗佈有一電氣絕緣層,該絕緣 層最好為密封劑;且該絕緣層延伸超出該晶片載體之 範圍,使得當切斷金屬箔與晶片載體之間的所有金屬 接觸時,該晶片載體仍能透過該絕緣層固定於該金屬 箔的適當位置。 2. 如申請專利範圍第1項之程序,其特徵為所塗佈的該絕 緣層最好係一液體固化材料,其係藉由壓鑄及固化所 塗佈。 3. 如申請專利範圍第1或2項之程序,其特徵為該金屬箔 具有錫定孔,其用於該液體材料的穿透。 4. 如申請專利範圍第1或2項之程序,其特徵為與該晶片 載體鄰接的該金屬箔的該等邊緣具有一或數個凹穴。 5. 如申請專利範圍第4項之程序,其特徵為該等凹穴係藉 由浮ί匕壓化制法在該金屬上形成。 6. 如申請專利範圍第3項之程序,其特徵為該錨定孔具有 凹穴。
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