JP2002329756A - フィルムキャリアテープ及びその製造方法 - Google Patents

Abstract

(57)【要約】 【課題】 パッケージサイズがチップサイズに近い半導
体装置を得るためのフィルムキャリアテープ及びその製
造方法を提供することにある。 【解決手段】 封止される予定の領域内に形成されて半
導体チップの電極及び外部電極に接合される複数の接続
リード２４と、接続リード２４に接続されて封止の領域
外まで形成される少なくとも一つのメッキリード２６
と、メッキリード２６が接続されるメッキ電極２８と、
を有して全てが導通した状態の導通パターン２０を、フ
ィルム１０に形成する。

Description

【発明の詳細な説明】

【０００１】

【発明の属する技術分野】本発明は、フィルムキャリア
テープ及びその製造方法に関する。

【０００２】

【背景技術】半導体装置の高密度実装を追求すると、ベ
アチップ実装が理想的である。しかしながら、ベアチッ
プの状態では、品質の保証及び取り扱いが難しい。そこ
で、ベアチップをパッケージ化するもののパッケージサ
イズがベアチップのサイズに近いパッケージとしてＣＳ
Ｐ（Chip Scale/Size Package）が開発されている。

【０００３】そして各種形態にて開発されているＣＳＰ
型の半導体装置の中で、１つの形態として、半導体チッ
プの能動面側にフレキシブル基板が設けられており、こ
のフレキシブル基板に複数の外部電極が形成されている
ものがある。このＣＳＰ型の半導体装置では、外部電極
が半導体チップのエリア内に設けられる。従って、例え
ばＱＦＰ（Quad Flat Package）やＴＣＰ（Tape Carrie
r Package）のように、パッケージ本体の側面からリー
ドが張りだしたいわゆる「アウタリード」を有していな
い。

【０００４】また、フレキシブル基板を用いたＣＳＰ型
の半導体装置において、例えば、国際公開ＷＯ９５／０
８８５６号公報に記載されるように、半導体チップの能
動面とフレキシブル基板との間に樹脂を注入して、熱ス
トレスの吸収を図ることも知られている。この樹脂によ
って、半導体チップの電極との接合部を全て覆えば、電
極の腐食を防止することができる。

【０００５】さらに、半導体チップをフレキシブル基板
に実装するときに、フィルムキャリアテープを使用すれ
ば、取り扱いが一層容易になり、量産性にも優れる。フ
ィルムキャリアテープを用いる方式においては、半導体
チップの樹脂封止を行ってから、個々の半導体装置がフ
ィルムキャリアから切断される。

【０００６】ここで、フィルムキャリアテープに形成さ
れる配線には、金メッキが施されている。金メッキは、
電気メッキ（「電解メッキ」ともいう）の方法により施
される。電気メッキ法においては、配線の全てを導通さ
せて、半導体チップとの実装領域の外側まで配線を引き
出しておくことが一般的であった。引き出された配線
は、電気メッキのための電極として用いられた。なお従
来はアウターリードが存在し、そのアウタリードをその
まま引き出すことにより、電気メッキ用の配線としても
利用していた。また、既存のフレキシブル基板を用いる
場合には、電気メッキ用のメッキリードを必要とする。
通常、接続リードと直結してメッキリードは設けられて
おり、この構造は従来のＴＣＰに用いられるＴＡＢ（Ta
pe Automated Bonding）用基板が知られている。

【０００７】しかしながら、この従前から存在するＴＡ
Ｂ用基板をそのまま用いてＣＳＰ型の半導体装置に適用
しようとした場合には、各接続リードがそのまま各メッ
キリードに直結していることから、通常アウタリードと
呼ばれる箇所で切断すると各リード端面がパッケージ端
面から突出してしまい、リード端面部は必ず露出してし
まう。ＣＳＰ型の半導体装置においては、パッケージ外
形をチップサイズに近くすることで、チップ外形とパッ
ケージ外形との距離が非常に狭まる。従って、パッケー
ジ化して半導体チップを保護するとはいっても、従来の
パッケージに比して、より半導体チップを取り巻く環境
を含めた信頼性の向上に勤める必要がある。特に前述の
従来構造をそのままＣＳＰ型の半導体装置に用いた場
合、リードの切断面から半導体チップの電極までの距離
が非常に短いこと、更にはリード端部は何も覆われずに
露出してしまう構造でもあることから、リードを介して
電極の腐食が進み易い。また、隣設するリード間の間隔
もますます狭ピッチ化が進むことで、露出した切断面に
例えば導電性の異物が介在する等によりリードのショー
トが発生し、機能が損なわれることもあり得る。

【０００８】一方、フィルムキャリアテープから個々の
半導体装置を切断し、その後に樹脂を注入すれば、この
問題を避けることができる。しかし、この場合には、バ
ラバラになった半導体装置を個別に扱わねばならず、フ
ィルムキャリアテープを用いた方式の長所を活かすこと
ができない。

【０００９】本発明は、上述したような課題を解決する
ものであり、その目的は、パッケージサイズがチップサ
イズに近い半導体装置を得るためのフィルムキャリアテ
ープ及びその製造方法を提供することにある。

【００１０】

【課題を解決するための手段】本発明に係るフィルムキ
ャリアテープの製造方法は、封止される予定の領域内に
形成されて半導体チップの電極及び外部電極に接合され
る複数の接続リードと、該接続リードに接続されて前記
封止の領域外まで形成される少なくとも一つのメッキリ
ードと、このメッキリードが接続されるメッキ電極と、
を有して全てが導通した状態の導通パターンを、フィル
ムに形成する工程を含む。

【００１１】あるいは、本発明に係るフィルムキャリア
テープの製造方法は、フィルムにリード孔を形成する工
程と、前記フィルムの前記リード孔を含む領域上に金属
箔を設ける工程と、前記金属箔からパッド部、接続リー
ド、メッキリード、メッキ電極並びに接続部からなる導
電パターンを形成する工程と、前記メッキ電極を通じ
て、前記導電パターンにメッキ処理を施す工程と、前記
接続部を加工して配線パターンを形成する工程と、を含
む。

【００１２】ここで、前記配線パターンを形成する工程
は、前記接続部を打ち抜くことにより行ってもよい。

【００１３】また、複数の前記接続部を一括して打ち抜
くことで工程数を減らすことができる。

【００１４】あるいは、前記打ち抜きは、各接続部毎に
対応して行われてもよい。

【００１５】各接続部は、円形穴によって打ち抜いても
よい。

【００１６】あるいは、前記円形穴は楕円形状をなし、
前記楕円形状の長径の方向は半導体装置の外周を形成す
る辺と略直交する方向に向けられてもよい。

【００１７】また、前記メッキ処理を施す工程の前に、
前記導電パターンにおける前記メッキ処理の行われる領
域を除く領域に保護膜を設けてもよい。

【００１８】前記保護膜として樹脂が用いられてもよ
い。

【００１９】前記樹脂としてソルダレジストを用いても
よい。

【００２０】本発明に係る樹脂封止型の半導体装置に用
いられるフィルムキャリアテープは、樹脂封止されるべ
き領域内で外部電極が形成されたパッド部と、樹脂封止
されるべき領域内に配置され、各々の前記外部電極と半
導体チップの各電極とを接続する複数の接続リードと、
樹脂封止の領域外に形成される少なくとも一つのメッキ
リードと、いずれかの前記接続リードと前記メッキリー
ドとを電気的に接続する複数の接続部と、前記接続部に
形成され、前記接続リードと前記メッキリードとの電気
的絶縁を図るための少なくとも一つの孔と、前記メッキ
リードが接続されるメッキ電極と、を有し、前記パッド
部、前記接続リード、前記メッキリード、前記接続部並
びに前記メッキ電極には、電気メッキが施されている。

【００２１】前記孔は矩形の穴からなり、複数の前記接
続部に対して跨って形成されてもよい。

【００２２】あるいは、複数の前記孔が形成され、各孔
は円形又は楕円形の穴からなり、各々の前記接続部に対
応して形成されてもよい。

【００２３】または、前記孔は楕円形状をなし、前記楕
円形状のうちの長径の方向は半導体装置の外周を形成す
る辺と略直交する方向に向けられてもよい。

【００２４】以上のような孔を形成することで、接続部
の端面が孔から露出し、この露出した接続部の端面は、
樹脂封止により被覆される。これにより、接続部から接
続リードへの腐食を防止することができる。

【００２５】

【発明の実施の形態】以下、本発明の実施の形態につい
て図面を参照して説明する。

【００２６】図１〜図７は、本実施形態に係る半導体装
置の製造方法をフィルムキャリアテープの製造段階から
説明する図である。特に図１〜図５においては、フィル
ムキャリアテープの製造工程を説明するものであり、図
６及び図７の工程は図１〜図５の工程にて製造されたフ
ィルムキャリアテープと半導体チップとをボンディング
する以降の工程であり、必ずしも図１〜図５の工程に引
き続き直ぐに（連続的に）行わなくてもよい。

【００２７】まず、図１に示すように、母材となるフィ
ルム１０を用意する。フィルム１０は、ポリイミドやポ
リエステル等の樹脂で形成されたテープ状（長尺状）の
もので、搭載される半導体チップ（図示せず）の大きさ
に応じて幅が決定される。このフィルム１０は、電気的
に絶縁性を有するとともに可撓性を有する材料が適して
いる。

【００２８】このフィルム１０に、図２に示すように、
スプロケット孔１２及びリード孔１４を例えば打ち抜き
加工やレーザー加工やケミカルエッチング加工等周知の
穴あけ技術を用いて形成する。リード孔１４は、図６に
示すように、搭載される半導体チップ４０の電極４２に
対応する領域に形成される。すなわち、リード孔１４
は、接続リード２４と電極４２とのボンディングを行う
ために形成される。

【００２９】次に、フィルム１０に接着剤を塗布してお
き、電気的導通の図れる部材として金属箔、例えばその
一例として銅箔１６を、図示しないが熱ローラ等の加熱
及び加圧手段で圧接しながら貼り付ける。図３は、フィ
ルム１０に銅箔１６を貼りつけた状態を示している。

【００３０】そして、湿式のエッチングを行うことによ
り、箔状の銅箔１６から図４に示すように所望の導電パ
ターン２０を形成する。

【００３１】導電パターン２０は、パッド部２２、接続
リード２４、メッキリード２６、メッキ電極２８及び接
続部２９を含み、導電パターン２０の段階では、全てが
電気的に導通した状態となっている。パッド部２２は、
例えばハンダボール等のバンプを設けて外部電極を構成
するためのものである。従って、パッド部２２は平面的
にみればその表面は平坦状で、且つ所定の面積（通常、
接続リード２４より幅広）を有している。なお、パッド
部２２自体が凸状に形成されて、予めバンプとしての機
能を有していてもよい。また、パッド部２２は半導体装
置製造後においても図示された如く、ランドのままの状
態であってもよい。但し、この場合には、実装される部
材（実装基板）側に、ハンダ等の接合部材を設ける必要
がある。パッド部２２は、半導体チップがフィルムキャ
リアテープに搭載されたとき（図７を参照）に、半導体
チップ４０領域の内側で、かつ、モールド材３６による
樹脂封止の領域内に配置される。

【００３２】接続リード２４は、その一方の端部は外部
電極を形成するためのパッド部２２に接続されており、
パッド部２２と電気的導通が図られる。なお、パッド部
２２に比べて接続リード２４は細く形成されている。接
続リード２４は電気的導通が良好に図られる程度の幅が
確保されていればよく、狭ピッチを考えると必然的にパ
ッド部２２よりも細くなる。このことは接続リード２４
のみならず、接続リード２４の延長上にある接続部２９
においても同様である。また、接続リード２４の他方の
端部は、図４に示されたようにリード孔１４を通過して
いる（跨いでいる）。接続リード２４におけるこのリー
ド孔１４内に位置する部位にて半導体チップ４０の電極
４２と接続される。接続リード２４は、パッド部２２と
同様に、後述するモールド材３６による樹脂封止の領域
内（図７参照）に配置される。接続リード２４は、リー
ド孔１４のメッキリード２６側の辺からメッキリード２
６までの区間をつなぐ接続部２９を介してメッキリード
２６と電気的に接続されている。ここで、メッキリード
２６は、樹脂封止の領域外に位置するように形成されて
いる。つまり、接続部２９は、樹脂封止の領域内の接続
リード２４から、樹脂封止の領域外のメッキリード２６
に至るまで形成されている。各々のメッキリード２６
は、テープ状フィルム１０の短手方向に形成されるとと
もに、メッキ電極２８に接続されている。メッキ電極２
８は、テープ状フィルム１０の長手方向に形成されてい
る。なお、図４に示す導電パターン２０の両隣りには図
示しないが、メッキ電極２８に接続された同様の導電パ
ターンが連続して形成されている。

【００３３】次に、メッキ電極２８を通じて、電気メッ
キ（電解メッキ）の方法によって、導電パターン２０全
体に金メッキを施す。なお、メッキ処理としては金メッ
キの他にスズやハンダによるメッキ処理でも良い。接合
等の状況に応じて周知の方法を用いればよい。そして、
図５に示すように、接続リード２４とメッキリード２６
との間（すなわち、リード孔１４のメッキリード側の辺
とメッキリード２６との間）に位置する接続部２９の少
なくとも一部を切削して、図４の導電パターン２０から
配線パターン（回路パターン）３０を形成する。切削す
る方法は、機械的な方法でも化学的な方法でも問わず、
周知の技術を用いることができる。また、切削される該
当部は完全に打ち抜かなくても、例えば接続リード２４
とメッキリード２６とが電気的に非導通状態、即ち接続
リード２４のみその端部が自由端にできればよく、該当
部分（該当する位置のパターン）のみをハーフエッチン
グする等でもよい。言い換えると、ベースであるフィル
ム１０は必ずしも完全に取り除かなくてもよい。こうし
て、所定の回路が形成された長尺状のフィルムキャリア
テープ３４が得られる。また、配線パターン３０が形成
された状態においては、接続部２９におけるパッド部２
２と電気的に接続された側、即ちリード孔１４と孔３２
との間に位置する配線も含めて接続リード２４という。
なお、配線パターン３０が形成された工程以降におい
て、単に接続リードといった場合には、リード孔１４と
孔３２との間に位置する配線も含んでいる。

【００３４】なお、接続部２９を打ち抜く工程は、メッ
キ処理工程後であって、半導体チップ４０の電極４２に
対するボンディング工程（図６参照）前に行われる。ま
た、本例では接続部２９を打ち抜くことで、孔３２が形
成される。孔３２は、同図では細長い矩形の穴である
が、その形状はこれに限るものではない。孔３２を形成
する一対の長手辺のうちの一方は、図７に示すように、
樹脂封止の領域内に位置し、他方は樹脂封止の領域外に
位置させる。そして、打ち抜かれた接続部２９の端面
は、孔３２を形成する長手辺の位置と面一になってお
り、孔３２内側においてその端部は露出している。この
露出した接続部２９の端面は、樹脂にて被覆される。要
するに、孔３２は、所望の回路を形成するために加え、
接続部２９の露出端面を被覆するために形成されるもの
でもある。

【００３５】次に、図６に示すように、半導体チップ４
０の上方にフィルムキャリアテープ３４を配置する。よ
り詳しくは、フィルムキャリアテープのうちでもフレキ
シブル基板に相当する部位が半導体チップ４０の上方に
て位置合わせされる。ここで、最終的にフィルムキャリ
アテープ３４から離されて半導体装置個片になった時
に、基板として残る部位がフレキシブル基板に相当す
る。

【００３６】半導体チップ４０の電極４２は、フィルム
キャリアテープ３４のリード孔１４を臨むように配置さ
れる。用いられる半導体チップの適正なサイズは、同図
のようにリード孔の内側を形成する辺を超えた位置に半
導体チップ端部が位置するものから、孔３２におけるリ
ード孔１４側の辺に至るまでのサイズのものならば、そ
のサイズは問わない。また、半導体チップ４０とフィル
ムキャリアテープ３４との間に所定ギャップが形成され
るようにする。このとき、半導体チップ４０の電極４２
の上に、接続リード２４が配置されるように位置決めを
行う。そして、複数の電極４２と複数の接続リード２４
とを一括または１箇所ずつボンディングする。ボンディ
ングのために、電極４２又は接続リード２４のいずれか
一方にバンプが形成されることが好ましい。

【００３７】なお、本実施形態における配線パターン３
０の形成位置は、フィルムキャリアテープ３４に半導体
チップ４０が配置されたときに、フィルムの半導体チッ
プが相対向する面とは反対側の面に設けられている。し
たがって、配線パターン３０の表面にソルダレジストな
どの樹脂を塗布して、絶縁及び保護を図ることが好まし
い。なお電気メッキをしたい部分以外は、予め上記樹脂
で覆うようにすることも可能である。ここで電気メッキ
をしたい部分とは具体的には接続リードやランド等を指
す。このようにすれば不要部分にメッキは塗布されない
ので、メッキ処理に用いるメッキ材の無駄を省くことが
できる。あるいは、配線パターン３０を、半導体チップ
４０側に向けてフィルムキャリアテープ３４を配置すれ
ば、ソルダレジストなどの塗布を省略することができ
る。

【００３８】次に、図７に示すように、モールド材によ
って半導体チップ４０を封止する。なお、符号３６がモ
ールド材の位置する領域である。また、図８は、図７の
VIII−VIII線断面図である。

【００３９】詳しくは、モールド材３６は、リード孔１
４から、半導体チップ４０とフィルムキャリアテープ３
４との間のギャップに注入される。そして、モールド材
３６は、半導体チップ４０の電極４２を覆う。

【００４０】また、フィルムキャリアテープ３４の孔３
２にて端部が露出する接続部２９の端面２９ａ（即ち、
接続リードの端部）も覆うように、モールド材３６を充
填する。こうすることで、半導体チップ４０の電極４２
に接続される接続部２９の端面２９ａ（接続リードの端
部）が樹脂により覆われて露出しないようになる。これ
によって、接続部２９側から接続リード２４、更には半
導体チップ４０の電極４２への腐食が防止され絶縁も図
られるので、半導体装置の信頼性が向上する。

【００４１】こうして、モールド材３６による封止が終
わると、モールド材３６の位置する領域の外側で母体と
なるフィルムキャリアテープ３４から切り離す。切り離
す場合に、一括で型抜きを行って、フィルムキャリアテ
ープ３４の母体から、パッケージに利用されたフィルム
キャリアテープ３４部分（すなわち、フレキシブル基板
部位）を打ち抜く。打ち抜く位置に関しては、各実施態
様が考えられる。例えば、切断位置を孔３２領域内で、
且つ樹脂封止された領域よりも外側にすれば、配線パタ
ーンの引き廻し方向（フィルムの長手方向）に関しては
既に加工されており、今回の打ち抜き工程時に外的付加
がかからない。

【００４２】一方、孔３２の更に外側で、孔にかからな
い位置にて打ち抜くことも可能である。このように、孔
３２を切り欠かないように打ち抜くことで、最終的な半
導体装置の外形が、直線性を有するようになる。この場
合には、その後の工程において、半導体装置の外形認識
が容易になるという利点がある。

【００４３】次に、図９及び図１０は、上記実施形態の
変形例を示す図であり、図７の部分拡大図に対応する。

【００４４】図９に示すフィルムキャリアテープ５０に
おいて、個々の接続部５２が、円形穴５４によってそれ
ぞれ打ち抜かれ、メッキリード５６から切断されてい
る。すなわちこの円形穴は、接続部５２の幅よりも広い
直径を有する。接続部５２を打ち抜く工程は、メッキ処
理工程後であって、半導体チップの電極に対するボンデ
ィング工程前に行われる。円形を選択した理由は、樹脂
の流れ込み性並びに密着性を考慮したものである。

【００４５】そして、一点鎖線５８の位置まで樹脂封止
して、円形穴５４から露出する接続部５２の端面を樹脂
にて覆うようにする。その後、二点鎖線５９の位置で最
終的な打ち抜きを行って、半導体装置を得る。半導体チ
ップの電極と接続されている各接続リードの端部は、樹
脂にて完全に覆われることになり、こうして得られた半
導体装置も、上記実施形態と同様の効果を奏する。

【００４６】また、図１０に示すフィルムキャリアテー
プ６０においては、個々の接続部６２が、長穴６４によ
ってそれぞれ打ち抜かれ、メッキリード６６から切断さ
れている。長穴、すなわち、言い換えると楕円形状であ
る。そして、一点鎖線６８の位置まで樹脂を封止して、
長穴６４から露出する接続部６２の端面を覆うようにす
る。その後、最終的な打ち抜きを行う位置は、長穴６４
の内側の二点鎖線６９の位置である。つまり、最終的な
打ち抜きを行うと、長穴６４を切り欠いた形状となる。
こうして、半導体装置を得ることができる。なお、第９
図及び第１０図での最終的な打ち抜き位置５９、６９
は、この限りではない。この点は後に説明する。

【００４７】図１０では、同図に示すように長穴の長径
の方向はパッケージの外周を形成する辺と略直交方向に
設けてあり、このようにすれば接続部の界面は図９の例
に比べて更にパッケージの外周から引き込まれたところ
に位置する。したがって、外気と接するまでの距離がよ
り増すことで、リードの腐食防止効果をより高めること
ができる。また、長穴にすれば樹脂との接触領域を広げ
ることも可能となり、樹脂と基板との接着強度が更に高
められる。その際、長穴の長径の方向をパッケージの外
周を形成する辺に対して略直交方向に設けたので、隣設
する接続リードのピッチ間隔を狭ピッチに対応すること
ができる。ただし、ある程度ピッチの制限が緩い場合に
は、長穴の長径の方向を気にする必要はなく、上記と同
様にパッケージの外周を形成する辺と略直交方向に設け
てもよいし、その直行方向（すなわち、パッケージの外
周を形成する辺と略平行方向）に設けても差し支えはな
い。

【００４８】また図９及び図１０においては、樹脂封止
位置５８、６８と、最終的な型抜き（切断）位置５９、
６９とをずらしたことで、更により詳しくいうと、パッ
ケージとしてみたときに樹脂封止位置の更に外側に切断
（打ち抜き）位置を設けたことで、最終的な半導体装置
の外形が、直線性を有するようになる。そして、その後
の工程において、半導体装置の外形認識が容易になる。
また切断工程にて樹脂封止部に損傷を与える心配がない
ことによる。

【００４９】一方、必ずしも樹脂封止位置と切断（打ち
抜き）位置とはずらさなければならない訳はなく、同じ
にしても良い。また、穴内の樹脂の位置よりは外側で且
つ穴内に納まる位置にて切断しても良い。なお、打ち抜
き位置と樹脂封止位置とを同じにするとしても、穴内に
おいて樹脂の引き込んだ形に改めて打ち抜く必要はな
く、樹脂封止部の最外形直線状に打ち抜けばよい。いず
れにしても、各接続リードにつながる各接続部の端部
は、穴（円形穴、長穴等）が形成されていて、基板（フ
ィルムキャリアテープ）の端部からは引き込まれた位置
に設けられるため、接続部端部は樹脂にて覆われた状態
が保たれていることになる。

【００５０】上記実施形態において、メッキ処理を行う
ときに、電解メッキの他に周知の無電解メッキ法を用い
てもよい。またフィルムキャリアテープ自体も本例のよ
うに導電パターン、接着剤、フィルムの３層からなるテ
ープに限られるものでなく、例えば前述の構成から接着
剤の除かれた２層のテープを用いてもよい。

【００５１】なお、上記各実施形態においては、電極が
２辺に形成されたチップを用いたが、４辺に電極が設け
られた場合も同様に適用可能であることはいうまでもな
い。その際にはテープの４方向に矩形穴が設けられるこ
とになる。

【００５２】また、本例では、外部電極が半導体チップ
領域の内側方向に引き込まれる、いわゆるファンインタ
イプを説明したが、ファンインタイプとその逆のファン
アウトタイプを融合させての適用も可能である。この場
合にはファンインタイプは本例を用いてファンアウトタ
イプは従前の技術を用いて行えば可能である。

【００５３】そして、図１１は、上記実施形態を適用し
て製造された半導体装置１１０を実装した回路基板１０
０を示す。詳細図は示さないが、半導体装置１１０のパ
ッド部２２と回路基板１００上に形成された接続部（例
えば、ランド）とが電気的に接続されている。接続部材
としては、例えば周知のハンダが用いられて、両者（半
導体装置１１０のパッド部と回路基板１００の接続部）
間に介在させて接続を図るというものである。接続部材
としては、ハンダ以外にも、例えば異方性導電接着剤を
用いる等、各種接続手段を用いることが可能である。

【図面の簡単な説明】

【図１】図１は、本実施形態に係る半導体装置の製造方
法を説明する図である。

【図２】図２は、本実施形態に係る半導体装置の製造方
法を説明する図である。

【図３】図３は、本実施形態に係る半導体装置の製造方
法を説明する図である。

【図４】図４は、本実施形態に係る半導体装置の製造方
法を説明する図である。

【図５】図５は、本実施形態に係る半導体装置の製造方
法を説明する図である。

【図６】図６は、本実施形態に係る半導体装置の製造方
法を説明する図である。

【図７】図７は、本実施形態に係る半導体装置の製造方
法を説明する図である。

【図８】図８は、図７のVIII−VIII線断面図である。

【図９】図９は、本実施形態の変形例を示す図である。

【図１０】図１０は、本実施形態の変形例を示す図であ
る。

【図１１】図１１は、本実施形態を適用して製造された
半導体装置を実装した回路基板を示す図である。

【符号の説明】

２０ 導電パターン ２４ 接続リード ２６ メッキリード ２８ メッキ電極 ２９ 接続部 ３０ 配線パターン ３６ モールド材 ４２ 電極

Claims (14)

【特許請求の範囲】
1. 【請求項１】 フィルムキャリアテープの製造方法にお
   いて、 封止される予定の領域内に形成されて半導体チップの電
   極及び外部電極に接合される複数の接続リードと、該接
   続リードに接続されて前記封止の領域外まで形成される
   少なくとも一つのメッキリードと、このメッキリードが
   接続されるメッキ電極と、を有して全てが導通した状態
   の導通パターンを、フィルムに形成するフィルムキャリ
   アテープの製造方法。
2. 【請求項２】 フィルムキャリアテープの製造方法にお
   いて、 フィルムにリード孔を形成する工程と、 前記フィルムの前記リード孔を含む領域上に金属箔を設
   ける工程と、 前記金属箔からパッド部、接続リード、メッキリード、
   メッキ電極並びに接続部からなる導電パターンを形成す
   る工程と、 前記メッキ電極を通じて、前記導電パターンにメッキ処
   理を施す工程と、 前記接続部を加工して配線パターンを形成する工程と、
   を含んでなるフィルムキャリアテープの製造方法。
3. 【請求項３】 請求項２記載のフィルムキャリアテープ
   の製造方法において、 前記配線パターンを形成する工程は、前記接続部を打ち
   抜くことにより行われるフィルムキャリアテープの製造
   方法。
4. 【請求項４】 請求項３記載のフィルムキャリアテープ
   の製造方法において、 複数の前記接続部が一括して打ち抜かれるフィルムキャ
   リアテープの製造方法。
5. 【請求項５】 請求項３記載のフィルムキャリアテープ
   の製造方法において、 前記打ち抜きは、各接続部毎に対応して行われるフィル
   ムキャリアテープの製造方法。
6. 【請求項６】 請求項３乃至請求項５のいずれかに記載
   のフィルムキャリアテープの製造方法において、 各接続部は、円形穴によって打ち抜かれるフィルムキャ
   リアテープの製造方法。
7. 【請求項７】 請求項６記載のフィルムキャリアテープ
   の製造方法において、 前記円形穴は楕円形状をなし、前記楕円形状の長径の方
   向は半導体装置の外周を形成する辺と略直交する方向に
   向けられるフィルムキャリアテープの製造方法。
8. 【請求項８】 請求項２記載のフィルムキャリアテープ
   の製造方法において、 前記メッキ処理を施す工程の前に、前記導電パターンに
   おける前記メッキ処理の行われる領域を除く領域に保護
   膜が設けられるフィルムキャリアテープの製造方法。
9. 【請求項９】 請求項８記載のフィルムキャリアテープ
   の製造方法において、 前記保護膜として樹脂が用いられるフィルムキャリアテ
   ープの製造方法。
10. 【請求項１０】 請求項９記載のフィルムキャリアテー
    プの製造方法において、 前記樹脂としてソルダレジストが用いられるフィルムキ
    ャリアテープの製造方法。
11. 【請求項１１】 樹脂封止型の半導体装置に用いられる
    フィルムキャリアテープにおいて、 樹脂封止されるべき領域内で外部電極が形成されたパッ
    ド部と、 樹脂封止されるべき領域内に配置され、各々の前記外部
    電極と半導体チップの各電極とを接続する複数の接続リ
    ードと、 樹脂封止の領域外に形成される少なくとも一つのメッキ
    リードと、 少なくとも一つを除く前記接続リードと前記メッキリー
    ドとを電気的に接続する複数の接続部と、 前記除外された接続リードと前記メッキリードとの電気
    的絶縁を図るための少なくとも一つの孔と、 前記メッキリードが接続されるメッキ電極と、 を有し、 前記パッド部、前記接続リード、前記メッキリード、前
    記接続部並びに前記メッキ電極には、電気メッキが施さ
    れているフィルムキャリアテープ。
12. 【請求項１２】 請求項１１記載のフィルムキャリアテ
    ープにおいて、 前記孔は矩形の穴からなり、複数の前記接続部に対して
    跨って形成されてなるフィルムキャリアテープ。
13. 【請求項１３】 請求項１１記載のフィルムキャリアテ
    ープにおいて、 複数の前記孔を有し、 各孔は円形又は楕円形の穴からなり、各々の前記接続部
    に対応して形成されてなるフィルムキャリアテープ。
14. 【請求項１４】 請求項１３記載のフィルムキャリアテ
    ープにおいて、 前記孔は楕円形状をなし、前記楕円形状のうちの長径の
    方向は半導体装置の外周を形成する辺と略直交する方向
    に向けられるフィルムキャリアテープ。