TWI221940B - Semiconductor device for optically coupling semiconductor light-emitting device to optical fiber - Google Patents

Description

1221940 五、發明說明（1) 【發明背景】 1 ·發明之領域 本發明係關於一種用以將半導體發光裝置光耦合至光 纖之半導體裝置。 2 ·相關技術之描述 曰用以，半導體發光裝置光耦合至光纖之半導體裝置已 大量地被提出。舉例而言，如曰本特開平3-6 1 927號專利 (曰本公開專利公報59- 1 66906號）及日本公開專利公報特 開平7-2 1 8773號。 "、如下以日本特開平3-61 927號專利為例，說明用以將 半導體發光裝置光叙合至光纖之一半導體裝置。 册圖1為一剖面圖，以顯示曰本特開平3-6 1 927號專利所 揭露之一包含該半導體裝置的半導體雷射模組。 入用以將半導體發光裝置光耦合至光纖之該半導體裝置 包έ ·固疋安裝於基柄62之球面透鏡座63，且固定有散 ，片6〇之半導體雷射裝置6丨安裝於基柄62上；球面透鏡64 安裝於形成在球面透鏡座63中央之一孔中，使球面透鏡64 之中心能位於半導體雷射裝置61其光轴之延伸方向上， 又，以蠟65帶狀覆蓋球面透鏡座63周圍，使球面透鏡座“ 内部能保持密封狀態。 山球面透鏡座63包含圓柱狀之第一部份63a，及於其上 :體形成之環狀的第二部份63b，且第二部份6扑中央形 成有安襞球面透鏡64之開孔。 用以將半導體發光裝置光耦合至光纖之半導體裝置，

第5頁 1221940 五、發明說明（2) 和其餘構件組合後可構成一半導體雷射模組。該半導體裝 置與其餘構件之位置關係將如下述。 安裝有基柄62之基座66，以可滑動的方式安裝在圍繞 球面透鏡座63之套圈座67内。套圈座67形成有突出管 67a ’而彼此實體連接之套圈69與光纖68插入該突出管 中。 當套圈座67安裝至基座66時，套圈座67之位置調整至 與光軸垂直之方向A，又，套圈69於突出管67a内沿光軸即 B方向滑動，使半導體雷射裝置61穿透球面透鏡64所發出 之雷射光束，能聚焦至光纖68之一端面68&。 當半導體雷射裝置61經由球面透鏡64至光纖68間的光 干位置關係以上述方式最佳化後，套圈座6 7藉由電阻溶接 固定至基座66上。此外，套圈69藉由黏著劑70固定至套圈 座67 〇 習知用以將半導體發光裝置光耦合至光纖之半導體裝 置’雖藉由蠟65使球面透鏡64如圖1所示由球面透鏡座63 所支揮’但亦常藉由低熔點玻璃使球面透鏡64由球面透鏡 座63支擇’以更確保球面透鏡64與球面透鏡座63間的密封 狀態。 一般而言，球面透鏡座63藉由電阻熔接方式固定至基 柄士 於電阻溶接時，球面透鏡座6 3被瞬間施以約1 4 0 0 的同A ’因此，球面透鏡座63的第一部份63a的下部被加 熱至，攝氏1 400 °C，但第一部份63a的上部，舉例而言如 第σ卩份6 3 a與第二部份6 3 b相連的部分，僅被加熱至約

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30〜40 °C的溫度，因1 400 °C的高溫是在極短的時間内瞬間 施加於球面透鏡座6 3上。 因此，第一部份63a其下部的熱膨脹程度遠大於其上 部，如此因第一部份63a上部與下部間熱膨脹程度的差 異’而於球面透鏡座63上產生熱應力。如圖2所示，作用 在球面透鏡座63的熱應力，形成為一由球面透鏡座63外緣 指向其中心的壓應力T。 如圖2之虛線63c所示，壓應力了會使球面透鏡座63產 生彈性形變。 如圖1所示之半導體裝置，球面透鏡64與球面透鏡座 63之界面亦即蠟65或玻璃處，是半導體裝置所有組成構件 最無法承文應力的部分。因此，當球面透鏡座63產生如 之虛線63c所示的彈性形變，其所導致的應力對蠟“ 破璃處的影響最大。 面透鏡座63的内外表面 鏡座63内之洩漏路徑。 即無法徂姓& + , ^ 因此，蠟65或玻璃會產生破裂，若破裂情況延伸至球 ’會產生空氣可由外界進入球面透 無法保持密封狀態， 。如此球面透鏡6 4與球面透鏡座6 3間 ’而降低半導體雷射裝置61的發光效

因殼體藉由電阻 體裝置所導致的上述問題，因此本發明 以密封球面透鏡及球面透鏡座的蠟或玻 阻熔接方式固定至基柄時所產生熱應力 1221940 五、發明說明（4) 而破裂。 依本發 置光轉合至 發光裝置發 包含圓柱狀 央形成有安 向上延伸並 鏡周圍之玻 部，至少形 以避免殼體 發明人 一相當於圖 體藉由電阻 變。特別是 面形成增強 免殼體產生 當增強 成為第一部 步増加殼體 增強部 二部分的應 藉由設 増強部即使 增強部 明之一實施樣態，一種用以將一半導體發光裝 一光纖之半導體裝置包含：一透鏡，將半導體 出光線匯聚至光纖；一支撐透鏡之殼體，殼體 之第一部份、於第一部份上端一體形成且於中 裝透鏡之開孔的環狀第二部份、及由第一部份 超出第二部份之圓柱狀第三部份；一配置於透 璃，以使透鏡與開孔保持密封狀態；及一增強 成於殼體之第二部份的上及下表面其中之一， 因作用於其上之應力而變形。 於設計殼體外形時將熱應力納入考慮，而發現 1所示之球面透鏡座的殼體，可有效避免當殼 溶接方式固定至基柄時因受熱導致之彈性形 於殼體之第二部分的上及下表面或其中之一表 部，可增加殼體抵擋應力之強度。因此，可避 嚴重的彈性形變，也因此可避免玻璃破裂。 部形成於殼體之第二部分的上表面時，其與形 份的延伸部之第三部份一體成形較佳，以進一 強度避免玻璃破裂。 以具有覆蓋熱應力作用於該殼體時產生之該第 力作用區之外形較佳。 計增強部以完全覆蓋第二部分之應力作用區， 為最小區域亦可抵消作用在殼體之應力。 可设計為具有不同外形。

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1221y4U 五、發明說明（5) 舉例而言，增強 設計為具有階梯狀上:：具：漸縮成錐狀之線性剖面，或 本發明之另一^ 或者具有内凸之弧狀剖面。 之半導體裝置包含.以將半導體發光裝置光耦合至光纖 匯聚至光纖；-殼體;體發光裝置發出光線 第一部份，及於第—部該f鏡，设體包含圓柱狀之 裝透鏡之開孔的環狀第體形成且於中央形成有安 璃’以使透鏡與開孔保；狀：配f於透鏡周圍之玻 殼體之第二部份之一下矣二狀匕、，及一增強部，形成於 應力而變形。 以避免设體因作用於其上之 部僅形成於殼二之dG:面此：,導體裝置之增強 三部份。 卩伤下表面，故殼體不需再形成第 本發明之又一種用以將本逡 之半導體裝置包含：一透浐先裝置光耦合至光纖 匯聚至光纖；—支撐透2 f體發光裝置發出光線 部份，及於該第一；體包含圓柱狀之第- 透鏡之開孔的環狀第二部份於有：裝 t以使透鏡與開孔保持密封狀態 具有一應力集中部，該摩力金由加Mr 第一 餘部分之厚度小，使應；= =第二部份的其 應力集中。 作用在设體時於應力集中部產生 上述之半導體裝置於殼體 筮— 部，該應力集中部的厚度較第一 H =設有一應力集中 又平又弟一部份的其餘部分之厚度 第9頁 1221940

五、發明說明（6) 小。因應力集中部 殼體因熱應力產生 集中至應力集中部 形變產生之應力作 上，而可進一步避 的強度較第二部份的 彈性形變，殼體彈性 並由其吸收。因此， 用在定義為透鏡與殼 免玻璃破裂。 其餘部分為小，當 形變產生之應力會 可避免殼體因彈性 體交界面之玻璃 上述之半導體裝置可應用於一半導體雷射模組。 本發明之優點將如下述。 依本發明，形成於第二部份的上及下表面或其中之一 表面的增強部，可抵消殼體彈性形變時作用於第二部份之 應力。因此，可有效避免當殼體藉由電阻熔接方式固定至 基柄時因受熱導致之彈性形變，如此可避免殼體彈性形變 導致玻璃破裂。 當增強部形成於殼體之第二部分的上表面時，其與形 成為第一部份的延伸部之第三部份一體成形較佳，以進一 步增加殼體強度避免玻璃破裂。 此外，本發明和圖丨所示之習知半導體裝置相較，可 明顯增大採用電阻溶接方式將殼體固定至基柄所需電流之 範圍。 藉由殼體形成應力集中部之設計’該應力集中部的厚 度較第二部份的其餘部分之厚度為小，當殼體因熱應力產 生彈性形變，殼體彈性形變產生之應力會集中至應力集中 部並由其吸收。因此，< 避免殼體因彈性形變產生之應力 作用在定義為透鏡與殼體交界面之玻璃上，而可進一步避 免玻璃破裂。

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【較佳實施例之詳細說明】 依本發明用以將半導體發光裝置光耦合至光纖之半導 體裝置的貫施例，可取代如圖1所示之習知半導體裝置。 應用依本發明實施例之半導體裝置的一半導體雷射模組， 除了用以將半導體發光裝置光耦合至光纖之半導體裝置的 結構外，其餘結構與圖i所示之半導體雷射模組相同' 圖3為顯不一相當於圖i所示之球面透鏡座63的殼體 八第一 σ卩伤lb承受之應力分布圖，該應力為當殼體1藉 由電阻熔接方式固定至基柄因受熱導致之彈性形變所產 生。 本案之發明人針對殼體1彈性形變時作用於其上之應 力進行分析，結果發現作用在殼體丨之第二部份lb的應^ 呈線性梯形分布，亦即如圖3所示，越接近第一部份1 a的 位置所承受的應力越大；越接近球面透鏡3的位 的應力越小。 > 因此，可知欲於殼體1之第二部份11}上形成之增強钍 構，須具有能部份或完全覆蓋第二部份11}之應力作9用區的 外形。 基於以上分析，如下將詳述依本發明之第一至第五實 施例之用以將半導體發光裝置光耦合至光纖之半導體裝 置。 (第一實施例） 圖4為依本發明之第一實施例，顯示用以將半導體發

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光裝置光耦合至光纖之半導體裝置1〇的縱剖面圖。 該半導體裝置10，包含將半導體發光裝置發出光線匯 聚至一光纖的透鏡11 ; 一用以支撐透鏡丨丨的殼體12 ; 一配 置於透鏡11周圍的玻璃13，用以使透鏡丨i與後述之開孔 1 2d彼此保持密封狀態，且該玻璃丨3具有低熔點。 殼體12成分係為5〇%Fe及50%Ni，其包含圓柱狀之第一 部份12a、於其上端一體形成並於中央具有安裝球面透鏡 11之開孔的環狀第二部份12b、及由第一部份12a向上延伸 並超出第二部份12b之圓柱狀第三部份12c。 該半導體裝置10更包含第一及第二增強部14&及丨4b， 分別形成於殼體之第二部份1 2b的上表面及下表面。 第一及第二增強部14a及14b係呈環狀，且具有以第二 部份1 2 b為軸漸縮成錐狀之線性剖面，換言之，剖面係呈 直角三角形而與直角相鄰的兩邊分別與第二部分12b及第 三部份1 2 c接觸。 第一及第二增強部14a及14b的尺寸設計以能完全覆蓋 第二部分12b上之應力作用區。 依該半導體裝置1〇，當殼體12彈性形變時，作用於第 二部份12b之應力可由形成於殼體之第二部份12b之第一及 第二增強部1 4 a及1 4 b全部抵消，而可避免當殼體1 2藉由電 阻溶接方式固定至基柄62時產生嚴重彈性形變。因此，可 避免玻璃13因殼體12之彈性形變而破裂。 如前所述，該半導體裝置10之設計包含由第一部份 1 2a向上延伸，並超出第二部份i 2b而形成為一延伸部之第

第12頁 W1940 五、發明說明（9) = 。藉由第一增強部14a與第三部份i2c一體成形 玻璃^备^大幅提高第一增強部14a的強度，進一步確保 坂埽1 3免於破裂。 驻® f 半導體裝置1 〇之設計和圖1所示之習知半導體 :目乂，可增大採用電阻熔接方式將殼體12固定至基柄 6 2之所需電流的範圍。 署，，ί毛明人之量測結果，圖1所示之習知半導體裝 電泣r 阻炼接方式將球面透鏡座63固^至基柄62之 10二用&電阻熔/2· 3kA，然而依第一實施例之半導體裝置 3 5 5 5 nicA ό 式將殼體12固定至基柄62之電流範圍為 胃此，半導體裝置10採用電阻熔接方式將殼 =%。二電流範圍㈣^ 鏡，ίϊ鏡半導？裝置1〇，透鏡11可採用球面透 -非球面透铲主形不限定為球面’ I例而言，亦可使用 至表體裝置10之透鏡"，可採用任何-種 y丨刀的表面為圓弧面之透鏡。 依第一實施例之半導體裝置1 〇，第一及第二辦強邱 14a及14b形成於第二部份m的上表曰" 第二部份m並不須同時形成有第一及第 “b?可形成第—及第二增強部14a及14心：1，及 :較ί : : : :: J和同時形成第-及第二增強部14a及14b Ϊ二變度雖較小’但其強度仍足以避免殼_產 1221940 五、發明說明（ίο) 為證實依第一實施例之半導體裝置1 〇所帶來的優點， 發明人量測圖4之X點，亦即透鏡11與玻璃1 3交界面最高處 的應力值，作為殼體1 2之彈性形變所產生應力之代表值。 圖1所示之習知半導體裝置，於X點量得的壓應力值為 30· 6Mpa 〇 依第一實施例之半導體裝置1 0，於X點量得的壓應力 值為20. 9Mpa。 因此，本發明之半導體裝置1 〇相對於習知半導體裝置 之30.6Mpa壓應力值，可減少31.7%的壓應力。 若半導體裝置10設計為僅於第二部份12b的上表面形 成第一增強部14a，於X點量得的壓應力值為21. 4Mpa。 因此，即使半導體裝置1 〇僅形成第一增強部1 4a而未 形成第二增強部丨4b，該半導體裝置1 〇相對於習知半導體 裝置之30· 6Mpa壓應力值，仍可減少30. 1%的壓應力。 由上述之量測結果清楚顯示出，依第一實施例之半導 體裝置10能有效地減少導致玻璃13破裂之應力。 (第二實施例） 圖5為依本發明之第二實施例，顯示用以將半導體發 光裝置光耦合至光纖之半導體裝置2〇的縱剖面圖。 第二實施例之殼體12包含第一部份12a、第二部份12b 及形成於第二部份丨2b下表面的第二增強部1 4b。亦即，和 圖3所不第一實施例之半導體裝置1 0相較，第二實施例之 喊體1 2未形成第一增強部1 4 a及第三部份1 2 c。 當殼體12之第二部份12b的上表面未形成第一增強部

第14頁 1221940 五、發明說明（11) 麵— 14a ’殼體12即不需第三部份丨2c之設計。 依半導體裝置20之設計，殼體12彈性形變時，因作用 於第二部份12b下表面的應力由第二部份12b下表面的第二 增強部1 4b抵消，即使抵消應力的幅度和第一實施例之半 導體裝置1 0相較稍小些，仍可避免當殼體丨2藉由電阻熔接 方式固定至基柄62時產生的彈性形變。因此，可使玻璃j 3 免於因殼體12之彈性形變而破裂。 (第三實施例） 圖6為依本發明之第三實施例，顯示用以將半導體發 光裝置光辆合至光纖之半導體裝置3〇的縱剖面圖。 依第三實施例之半導體裝置30之設計，係以階 形之增強部24a及24b，取代第一實施例之增強部Ua 1 4b 〇 第一及第二階梯狀增強部24a及24b的尺寸，机呼以处 完全覆蓋第二部分12b上表面及下表面之應力作用又/。广 此，半導體裝置30類似第一實施例之半導體裝置1〇 可使玻璃13免於因殼體12之彈性形變而破裂。 和第一實施例之半導體裝置10類似，^實施例於 mrr時形成有第一及第二階梯狀增強部…及 (第四實施例） 圖7為依本發明之第四實施例，顯示用以 光裝置光耦合至光纖之半導體裝置4〇的縱剖面'圖。

1221940 五、發明說明（12) 依第四實施例之半導體裝置4〇之設計，係以增強部 34a及34b取代第一實施例之增強部Ha及Hb。如圖7所 示，第一及第二增強部34a及34b為具有指向第二部分12b 之圓弧的弧狀剖面。 第一及第二弧狀增強部3 4 a及3 4 b，雖然其具有的尺寸 為部分覆蓋第二部分12b上表面及下表面之應力作用區的 設計’但第一及第二弧狀增強部34a及341)幾乎能覆蓋所有 應力作用區。因此，半導體裝置4 〇類似第一實施例之半導 體裝置10 ’同樣可使玻璃13免於因殼體12之彈性形變而破 裂。 和第一實施例之半導體裝置丨〇類似，本實施例於第二 部份12b並不須同時形成第一及第二弧狀增強部34a及 3 4b ’而可於第二部份12b上形成第一及第二弧狀增強部 34a及34b兩者其中之一即可。 (第五實施例） ^圖8為依本發明之第五實施例，顯示用以將半導體發 光裝置光搞合至光纖之半導體裝置50的縱剖面圖。 又該半導體裝置50，包含將半導體發光裝置發出光線匯 聚至一光纖的透鏡41 ; 一用以支撐透鏡41的殼體42 ; —配 置於透鏡41周圍的玻璃43，用以使透鏡41與後述之開孔 42d彼^此保持密封狀態，且該玻璃43具有低熔點。 / 、设體4 2包含圓柱狀之第一部份42a，及於其上端一體 形成之環狀的第二部份421)，該第二部份42b中央形成有球 面透鏡41之安裴孔42d。

1221940 五、發明說明（13) 殼體42的第二部份42b具有應力集中部44(圖8之影線 部分所示）之設計，該應力集中部44的厚度較第二部份42b 的其餘部分小，如此當應力作用在殼體42時會於該部產生 應力集中現象。 應力集中部44係於形成殼體42的第二部份42b時，藉 由第二部份42b下表面延伸出之凹口 45而產生。 因應力集中部44的厚度較第二部份42b的其餘部分 小，故應力集中部44的強度較第二部份42b的其餘部分 小。因此’當殼體42受熱應力產生彈性形變，幾乎所有因 殼體42彈性形變產生之應力會集中至應力集中部44並由其 吸收。如此即可避免應力集中至透鏡41與殼體42間藉由其 彼此連接之玻璃43，而可避免玻璃43破裂。 依第五貫施例之半導體裝置5〇，凹口由殼體a之第 二部份42b下表面延伸出。當然，凹口 45亦可由第二部份 42b上表面延伸形成，或同時由第二部份42b的上表面及下 表面延伸形成。 雖然半導體裝置50為利用一凹口45定義一 “區域的設計，但也可採用複數個凹口 義== 集中部44區域的設計。當採用複數個凹_定義複數個應 力集中部44區域的設計時，可依前述作用在第二部份42b 之應力分布剖面，對應設計不同的應力集中部以厚度，使 各個應力集中部承受的應力較為平均。又， 部44之厚度設計為較凹口 45之厚声！ 、… 八 中部44之應力集中程度。厚度小，以控制各個應力集

第17頁 A22l94〇 五、發明說明（14) 雖然第五實施例所例示之凹口 45為[j型，但凹口 c 外形並不限定而可為任意形狀，舉例而士 之 形。 千丨巧旳a如二角形或矩 雖然 圖8所示之半導體裝置5〇未包含第一實 三部份12c，但半導體裝置50之設計亦可包含與第第 例相當之第二部伤1 2 c (圖8之虛線4 2 c所示）。 也 4 於第五實施例中，應力集中部4 4係於殼體4 2之第二部 份42b形成凹口 45而產生，當然，應力集中部44舉例而言 亦可於第二部份42b上打洞，或局部減少第二部份42b強度 而產生。

第18頁 1221940 圖式簡單說明 圖1為一縱剖面圖，顯示一包含將半導體發光裝置光 耦合至光纖之習知半導體裝置的半導體雷射模組。 圖2為顯示圖1所示之半導體裝置的球面透鏡座之彈性 形變示意圖。 圖3為顯示作用於殼體上之應力分布圖。 圖4為依本發明之第一實施例，顯示用以將半導體發 光裝置光耦合至光纖之半導體裝置的縱剖面圖。 圖5為依本發明之第二實施例，顯示用以將半導體發 光裝置光耦合至光纖之半導體裝置的縱剖面圖。 圖6為依本發明之第三實施例，顯示用以將半導體發 光裝置光耦合至光纖之半導體裝置的縱剖面圖。 圖7為依本發明之第四實施例，顯示用以將半導體發 光裝置光耦合至光纖之半導體裝置的縱剖面圖。 「 圖8為依本發明之第五實施例，顯示用以將半導體發 光裝置光耦合至光纖之半導體裝置的縱剖面圖。 元件符號說明： 1、12、42 殼體 la、 12a、42a 第一部份 lb、 12b、42b 第二部分 3 球面透鏡 10、20、30、40、50 半導體裝置 11 '41 透鏡 12c 第三部份

第19頁 1221940 圖式簡單說明 12d 、 42d 開孔 1 3、43 玻璃 14a 、 14b 、 24a 、 24b 、 34a 、 34b 增強部 4 2c 虛線 44 應力集中部 45 凹口 6 0 散熱片 61 半導體雷射裝置 6 2 基柄 63 球面透鏡座 63a 第一部份 63b 第二部份 6 3c 虛線 64 球面透鏡 65 蠟 6 6 基座 6 7 套圈座 67a 突出管 68 光纖 68a 光纖端面 69 套圈 70 黏著劑 T 壓應力

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Claims (1)

1. 曰 六 m 9Π21946 '申請專利範圍 剖面。 6 體萝罢一種用以將半導體發光裝置光身合至光纖之半導 衣罝，該裝置包含： 光纖·）透鏡’將該半導體發光裝置發出光線匯聚至該 一部一殼體，其支撐該透鏡，該殼體包含圓柱狀之第 装;=典及於該第一部份上端一體形成且於中央形成有安 w遂鏡之開孔的環狀第二部份； 玻璃，其配置於該透鏡周圍，以使該透鏡與該 開孔保持密封狀態；及 (d) —增強部，形成於該殼體之該第二部份之一下表 面’以避免該殼體因作用於其上之應力而變形。 7·如申請專利範圍第6項之用以將半導體發光裝置光 =至光纖之半導體裝置，纟中該增強部具有覆蓋熱應力 作用於該殼體時產生之該第二部分的應力作用區之外形。 8·如申請專利範圍第6項之用以將半導體發光裝置光 麵合至光纖之半導體裝置’其中該增強部具有漸縮成錐狀 之線性剖面。 9. 如申請專利範圍第6項之用以將半導體發光裝置光 :合至光纖之半導體裝置，其中該增強部具有階梯狀剖 面。 10. 如申請專利範圍第6項之用以將半導體發光裝置 光麵合至光纖之半導體裝置，其中該増強部具有内凸之弧 狀剖面。

   第22頁 1221940 修正 案號 9112194ft 六、申請專利範圍 11. 一種用以將半導體發光裝置光耦合至光纖 體裝置，該裝置包含： 干等 (a) —透鏡’將該半導體發光裝置發出光線匯聚 光纖； 邊 (b) —殼體’其支撐該透鏡，該殼體包含圓柱狀之 一部份，及於該第一部份上端一體形成且於中央形成 裝該透鏡之開孔的環狀第二部份；及 女 (c) 一玻璃，其配置於該透鏡周圍，以使該透鏡與 開孔保持密封狀態； 〃 μ 其中該殼體之該第二部份具有一應力集中部，該應力 集中部的厚度較該第二部份的其餘部分之厚度小，使^力 作用在該殼體時於該應力集中部產生應力集中。 ^ 身12·如申請專利範圍第1 1項之用以將半導體發光裝置 光f合至光纖之半導體裝置，其中該應力集中部係由該第 二部份的上及下表面其中之至少一表面延伸出的至少一凹 口定義出區域。 13·如申請專利範圍第1 1項之用以將半導體發光裝置 $麵合至光纖之半導體裝置，其中該殼體具有由該第一部 份向上延伸並超出該第二部份的圓柱狀第三部份。 14·—種用以支撐透鏡之殼體，該透鏡係用以將半導 體發光裝置發出之光線匯聚至光纖，該殼體包含： 一圓杈狀之第一部份； /環狀之第二部份，於該第一部份上端一體形成且於 央形成有安裝該透鏡之開孔；

   修正

   案號 91121Q4R 六、申請專利範圍 一圓柱狀之第三部份，由 該第二部份；及 一增強部，至少形成於該 表面其中之一，以避免該殼體 形。 15·如申請專利範圍第工4 其中該增強部具有覆蓋熱應力 二部分的應力作用區之外形。 16·如申請專利範圍第1 4 殼體，其中該增強部具有漸縮 17·如申請專利範圍第i 4 殼體，其中該增強部具有階梯 18·如申請專利範圍暮i4 殼體，其中該增強部具有内凸 19· 一種用以支撐透鏡之 體發光裝置發出之光線匯聚至 一圓柱狀之第一部份； 一環狀之第二部份，於該 中央形成有安裝該透鏡之開孔 、一增強部，形成於該殼體 避免該殼體因作用於其上之應 20·如申請專利範圍、第19 ::該增強部具有覆蓋熱應力 分的應力作用區之外形。 該第一部份向上延伸並超出 殼體之該第二部份的上及下 因作用於其上之應力而變 項之用以支樓透鏡之殼體， 作用於該殼體時產生之該第 或第15項之用以支撐透鏡之 成錐狀之線性剖面。 或第15項之用以支撐透鏡之 狀剖面。 或第15項之用以支撐透鏡之 之弧狀剖面。 殼體，該透鏡係用以將半導 光纖，該殼體包含： 第一部份上端一體形成且於 ;及 之該第二部份之下表面，以 力而變形。 項之用以支撐透鏡之殼體， 作用於該殼體時產生之該第 1221940 __案號 六、申請專利範圍 21·如申 殼體，其中該 22·如申 殼體，其中該 23.如申 之殼體，其中 24· —種 體發光裝置發 一圓柱狀 一環狀之 中央形成有安 其中該殼 集中部的厚度 作用在該殼體 2 5·如申 其中該應力集 少一表面延伸 2 6·如申 殼體，其中該 第二部份的圓 27. 一種 附著於一散熱 基柄，一半導 該半導體裝置 ^6__年月曰 修f__ "月專利範圍第1 9或第2 0項之用以支撐透鏡之 增強部具有漸縮成錐狀之線性剖面。 請專利範圍第19或第20項之用以支撐透鏡之 增強部具有階梯狀剖面。 μ專利範圍第第19或第20項之用以支撐透鏡 該增強部具有内凸之弧狀剖面。 用以支撐透鏡之殼體，該透鏡係用以將半導 出之光線匯聚至光纖，該殼體包含： 之第一部份；及 第二部份，於該第一部份上端一體形成且於 裝該透鏡之開孔； ' 體之該第二部份具有一應力集中部，該應力 較該第二部份的其餘部分之厚度小，; 時於該應力集中部產生應力集中I… 請專利範圍第24項之用以支撐透鏡之殼體， 中部係由該第二部份的上及下表面其中之至 出的至少一凹口定義出區域。 請專利範圍第24或第25項之用以支樓透鏡之 殼體更包含由該第一部份向上延伸並超^該 柱狀第三部份。 ^ 半導體雷射模組，包含一基柄，在其上安裝 片之一半導體雷射裝置，一基座，安襄有^ 體裝置，固定於該基座上，一套圈座广包^ ，一突出管，由該套圈座形成，以及一套 1221940

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