TWI221280B - Optical information medium - Google Patents

Optical information medium Download PDF

Info

Publication number
TWI221280B
TWI221280B TW090108568A TW90108568A TWI221280B TW I221280 B TWI221280 B TW I221280B TW 090108568 A TW090108568 A TW 090108568A TW 90108568 A TW90108568 A TW 90108568A TW I221280 B TWI221280 B TW I221280B
Authority
TW
Taiwan
Prior art keywords
metal
layer
optical information
compound
film
Prior art date
Application number
TW090108568A
Other languages
English (en)
Inventor
Naoki Hayashida
Hideki Hirata
Original Assignee
Tdk Corp
Priority date (The priority date is an assumption and is not a legal conclusion. Google has not performed a legal analysis and makes no representation as to the accuracy of the date listed.)
Filing date
Publication date
Application filed by Tdk Corp filed Critical Tdk Corp
Application granted granted Critical
Publication of TWI221280B publication Critical patent/TWI221280B/zh

Links

Classifications

    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/254—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers
    • G11B7/2548—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers consisting essentially of inorganic materials
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/254—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers
    • G11B7/2542—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers consisting essentially of organic resins
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/254—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers
    • G11B2007/25408—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers consisting essentially of inorganic materials
    • G11B2007/25417—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers consisting essentially of inorganic materials containing Group 14 elements (C, Si, Ge, Sn)
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/253—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates
    • G11B7/2533—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins
    • G11B7/2534—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of substrates comprising resins polycarbonates [PC]
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/254—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers
    • G11B7/2542—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers consisting essentially of organic resins
    • G11B7/2545—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of protective topcoat layers consisting essentially of organic resins containing inorganic fillers, e.g. particles or fibres
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • G11B7/2572—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of organic materials
    • G11B7/2575—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of organic materials resins
    • G—PHYSICS
    • G11—INFORMATION STORAGE
    • G11B—INFORMATION STORAGE BASED ON RELATIVE MOVEMENT BETWEEN RECORD CARRIER AND TRANSDUCER
    • G11B7/00—Recording or reproducing by optical means, e.g. recording using a thermal beam of optical radiation by modifying optical properties or the physical structure, reproducing using an optical beam at lower power by sensing optical properties; Record carriers therefor
    • G11B7/24—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material
    • G11B7/241—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material
    • G11B7/252—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers
    • G11B7/257—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers
    • G11B7/2578—Record carriers characterised by shape, structure or physical properties, or by the selection of the material characterised by the selection of the material of layers other than recording layers of layers having properties involved in recording or reproduction, e.g. optical interference layers or sensitising layers or dielectric layers, which are protecting the recording layers consisting essentially of inorganic materials
    • Y—GENERAL TAGGING OF NEW TECHNOLOGICAL DEVELOPMENTS; GENERAL TAGGING OF CROSS-SECTIONAL TECHNOLOGIES SPANNING OVER SEVERAL SECTIONS OF THE IPC; TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC CROSS-REFERENCE ART COLLECTIONS [XRACs] AND DIGESTS
    • Y10—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER USPC
    • Y10T—TECHNICAL SUBJECTS COVERED BY FORMER US CLASSIFICATION
    • Y10T428/00—Stock material or miscellaneous articles
    • Y10T428/21—Circular sheet or circular blank

Landscapes

  • Chemical & Material Sciences (AREA)
  • Inorganic Chemistry (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)
  • Manufacturing Optical Record Carriers (AREA)

Description

1221280 A7 B7 五、發明説明（1 ) 發明背景 發明範圍 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本發明有關一種光資訊媒介，諸如唯讀光碟與記錄光 碟。 先前技藝 基於良好模製性、透明度、價格等觀點來看，最常作 爲光資訊媒介透光層等之光學材料係聚碳酸酯與聚甲基丙 烯酸甲酯爲底質材料。不過，此等材料存在耐磨性不足問 題而且其高度電絕緣性會招致其對電荷敏感度高，因此在 該媒介貯存或使用期間，大量粉塵可能黏附在其表面，而 造成記錄與讀取該光資訊時之錯誤。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 針對此種問題所採用的對策通常爲在該媒介透光層上 塗覆一層透明抗刮硬質塗覆。該方法最常用於將一種可固 化化合物塗覆在該透光層上，然後以U V或其他活性能量 束固化，形成一層保護層的情況，其中該化合物分子中具 有至少兩個可聚合官能基，諸如丙烯醯基。雖然由此種可 以U V固化樹脂形成的保護層耐磨性優於諸如聚碳酸酯或 聚甲基丙烯酸甲酯等樹脂表面的耐磨性，但是達到的耐磨 性水準受限於特定水準，而且此種水準並非足以用於該光 資訊媒介之耐刮性水準。此外，此等硬質塗層目的僅止於 提供該表面耐刮性，無法預期製得可以抗空氣中的粉塵或 油霧、指紋等之抗污表面。 亦提出在該基板記錄/讀取光束入射面上塗覆一種具 -4 - 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) Μ規格（210X 297公釐） 1221280 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（2 ) 有抗靜電性質以避免粉塵黏附以及具有充分耐刮性之硬質 塗層。例如，日本.專利申請案特許公開公報（J P — A ) 第 239946/1985 號與 JP — A 2 7 6 1 4 5 / 1 9 8 6提出添加一種陽離子胺、陰離子烷基苯磺酸鹽 、非離子多元醇或是烷基酚之氧化乙烯以及兩性咪唑啉或 丙胺酸金屬鹽作爲抗靜電劑。J P - A 1 7 3 9 4 9 / 1 9 9 1提出添加一種月桂基化合物，而J P -A 8 0 2 6 7 / 1 9 9 2提出添加硫代氰酸與一種包含 烷二醇鏈之陰離子界面活性劑。此等界面活性劑均具有對 於無機物質（諸如粉塵）的抗污效果。不過，此等方法實 質上無法避免有機污垢，諸如指紋與油霧。此外，此等提 案中，該透光層的表面耐磨性等於或比使用可以U V固化 .樹脂所形成的習用硬質塗層差，而且無法達到實際用途的 充分耐刮性。 JP-A 1 101 18/1998中提出一種具有 抗有機污染物之抗污性質的硬質塗層，其中所使用之硬質 塗層材料當中捏合一種非交聯含氟界面活性劑。不過，因 爲僅有少部分該含氟化合物曝於該硬質塗層表面，所以以 此種方法製得之硬質塗層的防水與防油性不足。增加添加 於該硬質塗層材料之含氟界面活性劑數量以確保充分防水 與防油功能時，所形成之硬質塗層會產生硬度降低、因爲 過量界面活性劑瀝漏所致之光學性質差以及不容易處理等 問題。 J P ~ A 2 1 3 4 4 4/1 9 9 9提出在包括聚碳 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） —5 _ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝- 訂 線 1221280 A7 B7 五、發明説明（3 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 酸酯等之習用光碟基板表面上塗覆一種含氟聚合物作爲上 述問題的對策，而且該申請案中，藉由將該含氟聚合物塗 覆在該光碟樹脂基板上，使之具有防水與防油性。相對於 該硬質塗層材料中捏合潤滑劑等之方法，此申請案之防水 與防油化合物曝於該硬質塗層膜整個表面，因此得到充分 抗污性質。不過，因爲該含氟聚合物僅藉由范德瓦爾斯力 物理性吸附於下層基板，所以此方法之含氟聚合物存在與 下層基板黏附力相當差的問題，而且以該含氟聚合物進行 表面處理亦伴隨持久性差之嚴重問題。J P -A. 187663/1994提出藉由偶合反應以一種防 水與防油化合物塗覆一丙烯酸樹脂表面。此方法當中，在 一種包含親水性取代基之丙烯酸樹脂表面上塗覆一種含有 甲矽烷基之防水與防油化合物，提出一種與下層表面黏合 性高於J P — A 2 1 3 4 4 4 / 1 9 9 9之抗污膜。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 不過，JP— A 187663/1994中揭示之 丙烯酸樹脂聚合物鏈中必須包含適當數量羥基，因此可藉 由偶合反應黏附該防水與防油化合物。如此必然使該丙烯 酸樹脂的選擇性受限。此外，必須提高該羥基密度，使該 硬質塗層表面與該防水與防油化合物之間達到充分黏合性 ，如此可能會造成該硬質塗層硬度降低。或者，可以藉由 高能量光束處理（諸如電漿或光暈放電處理）提高該硬質 塗層表面之親水性。不過，此種處理無法充分有效地與該 防水與防油劑偶合反應，而且單獨使用該方法較不可能達 到令人滿意的黏合性。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 1221280 A7 _B7 五、發明説明（4 ) JP — A 203726/1999揭示一種改善該 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 樹脂透光層表面耐刮性之方法。該方法當中，藉由蒸氣澱 積作用（諸如濺鍍），在包括一種可以U V固化樹脂之透 光層上形成總厚度約數百毫微米之兩種以上s i N或 S i〇無機材料層。不過，形成此種厚度之無機膜很難獲 得實際可接受水準之耐刮性。 發明總論 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明目的係提出一種光資訊媒介，其具有顯示實際 可接受水準之高度耐刮性透光層。本發明另一目的係提出 一種光資訊媒介，其中該透光層或承載基板具有抗有機污 染物（諸如油霧與指紋之抗污性（去除該污染物之經改良 .可讀取性），而且不會減少該透光層的耐刮性，換句話說 ，一種光資訊媒介，其中即使該媒介作爲一種未容納在卡 匣、外殼或罐子內之媒介，即其表面與手指接觸等，也能 長時間穩定記錄/讀取。本發明另一目的係改善磁場調變 方法中所使用之磁光碟光學讀取頭一面表面之潤滑性與耐 久性。 爲了解決上述問題，本發明人已經對該光資訊媒介表 面保護層進行各種硏究。而後發現，可以在該光資訊媒介 提供一層顯示·優良耐刮性之透光層，其包括一種樹脂及/ 或金屬（包括一種半金屬）化合物，或是硬碳（D L C ) (與該承載基板分開爲佳）。亦發現可以在該光資訊媒介 表面提供一層顯示優良耐刮性之下層，其亦作爲該媒介的 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X 297公釐) ' 1221280 A7 B7 五、發明説明（5 ) 其他構件，並在該下層上另外塗覆一種顯示優良黏合性之 防水與防油膜。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 爲了更明確說明，如下說明本發明。 (1 ) 一種可光學記錄及/或讀取之光資訊媒介，其 中 該媒介至少一個表面上塗覆一層矽烷偶合劑膜，該矽 烷偶合劑包含一種防水或防油取代基，該矽烷偶合劑係由 下式（1 )表示：
Ri-Si(X)(Y)(Z) (1) 其中R 1係該防水或防油取代基；X、Y與Z各爲一個 一價基團；而且X、Y與Z其中至少一者係一個可藉由聚 縮作用與矽烷醇基團形成S i — 〇—S i鍵之基團；而且 該媒介具有一層與該矽烷偶合劑膜接觸之下層，至少 該下層表面包括一種由式（2 )表示之化學鍵的化合物： Μ — A ( 2 ) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 其中Μ 係一種金屬原子（包括半金屬），而Α係一 種硫族原子，其選自〇、S、Se與Te、氮原子或碳原 子。 (2 )根據上述（1 )之光資訊媒介，其中塗覆該矽 烷偶合劑之下層表面包括一種可以活性能量束固化樹脂， 其包含一種金屬（包括半金屬）硫族化合物粒子，而該金 屬硫族化合物平均粒子大小最高達5 0 0毫微米。 (3 ) —種可光學記錄及/或讀取之光資訊媒介，其 中 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 1221280 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（6 ) 在該媒介至少一表面上塗覆一層包含一種防水或防油 取代基之矽烷偶合劑膜，該矽烷偶合劑係由下式（1 )表 示： Ri-Si(X)(Y)(Z) (1) 其中Ri係該防水或防油取代基；X、Y與Z各爲一個 一價基團；而且X、Y與Z其中至少一者係一個可藉由聚 縮作用與矽烷醇基團形成S i- ◦- S i鍵之基團；而且 該媒介具有一層與該矽烷偶合劑膜接觸之下層，該下 層具有一個表面，其包括一層厚度最高達1微米而且與該 矽烷偶合劑膜接觸之金屬（包括半金屬）化合物薄層，以 及一層含金屬（包括半金屬）化合物層，其厚度比與該薄 層接觸之薄層厚，而且位於該矽烷偶合劑膜背面。 (4 )根據上述（3 )之光資訊媒介，其中與該薄層 接觸之含金屬（包括半金屬）化合物層包括一種可以活性 能量束固化樹脂，其包含選自一種金屬（包括半金屬）硫 族化合物、一種金屬（包括半金屬）氮化物與一種金屬（ 包括半金屬）碳化物之金屬化合物粒子，而且該金屬化合 物粒子之平均粒子大小最高達5 0 0毫微米。 (5 )根據上述（3 )之光資訊媒介，其中與該薄層 接觸之含金屬（包括半金屬）化合物層包括一種包含可水 解金屬（包括半金屬）化合物之組成物。 (6 )根據上述（3 )之光資訊媒介，其中與該薄層 接觸之含金屬（包括半金屬）化合物層包括一種包含聚矽 胺烷之化合物。 -- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -旮
本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 1221280 A7 _B7____ 五、發明説明（7 ) (7 )根據上述（1 )至（6 )任一項之光資訊媒介 ，其中式（1 )中之取代基R 1係一種防水或防油氟代烴取 代基。 (8 )根據上述（1 )至（7 )任一項之光資訊媒介 ，其中式（1 )中X、Y與Z其中至少一者係選自鹵素、 —〇H、一 OR2 (其中是一個烷基）、 —〇C (〇）CHs、一 NH2 與一N=C = 〇。 (9 )根據上述（1 )至（7)任一項之光資訊媒介 ，其中 該媒介具有一個承載基板，並自該承載基板一面照射 光束，完成該記錄及/或讀取作用， 而且在該光束入射面形成該矽烷偶合劑膜。 (1 0 )根據上述（9 )之光資訊媒介，其中’ 該光資訊媒介係一種藉由磁場調變方法使用之磁光碟 ，其具有一層在該承載基板上形成之記錄層，其中自該承 載基板一面照射光束，完成該記錄與讀取作用，而且其中 磁頭係在該記錄層一面上運轉， 在該光碟之光束入射面以及該磁頭面均塗覆該矽烷偶 合劑膜。 (1 1 ) 一種光資訊媒介’其包括一承載基板與一層 在該承載基板.上形成之膜層，其可自該承載基板面或是該 膜層面照射光束進行光學記錄及/或讀取，其中 在該媒介之光入射面塗覆一層厚度最高達1微米之薄 層，該薄層包括一種金屬（包括半金屬）化合物，其選自 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公f'p' --' (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1221280 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 五、發明説明（8 ) 種金屬（包括半金屬）硫族化合物、一種金屬（包括半 金屬）氮化物與一種金屬（包括半金屬）碳化物，以及 〜層含金屬（包括半金屬）化合物層，其厚度比與該 薄靥接觸之薄層厚，而且位於該光入射面背面。 (1 2 ) —種光資訊媒介，其包括一承載基板與一層 在該承載基板上形成之膜層，其係自該承載基板或該膜層 面照射一種光進行光學記錄及/或讀取，其中 在該媒介之光入射面塗覆一層厚度最高達1微米之薄 層’該薄層包括一種硬碳（鑽石狀碳），以及 一層含金屬（包括半金屬）化合物層，其厚度比與該 薄層接觸之薄層厚，而且位於該光入射面背面。 (13) 根據上述（11)或（12)之光資訊媒介 ’其中與該薄層接觸之含金屬（包括半金屬）化合物層包 括一種可以活性能量束固化樹脂，其包含選自一種金屬（ 包括半金屬）硫族化合物、一種金屬（包括半金屬）氮化 物與一種金屬（包括半金屬）碳化物之金屬化合物粒子； 該金屬化合物粒子之平均粒子大小最高達5 〇 〇毫微米。 (14) 根據上述（11)或.（12)之光資訊媒介 ，其中與該薄層接觸之含金屬（包括半金屬）化合物層包 括一種包含可水解金屬（包括半金屬）化合物之組成物。 (1 5 )根據上述（1 1 )或（1 2 )之光資訊媒介 ，其中與該薄層接觸之含金屬（包括半金屬）化合物層包 括一種包含聚矽胺烷之化合物。 (1 6 ) —種光資訊媒介，其包括一個承載基板以及 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） -11 - 1221280 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 Α7 Β7 五、發明説明（9 ) 層在該承載基板上形成之膜層’其係自該承載基板或該 膜層面照射一種光進行光學記錄及/或讀取，其中 在該媒介之光入射面塗覆一層透光層；該透光層至少 一部分包括一種可以活性能量束固化樹脂，其包含選自一 種金屬（包括半金屬）硫族化合物、_*種金屬（包括半金 屬）氮化物與一種金屬（包括半金屬）碳化物之金屬化合 物粒子；該金屬化合物粒子之平均粒子大小最高達5 〇 〇 毫微米。 (17) 根據上述（4) 、（13)或（16)中任 一項之光資訊媒介，其中該金屬化合物粒子係一種金屬硫 族化合物粒子。 (18) 根據上述（2) 、（4) 、（13)或（ 1 7 )中任一項之光資訊媒介，其中該金屬硫族化合物粒 子係一種氧化矽粒子。 圖式簡述 圖1係根據本發明一具體實施例光資訊媒介之橫剖面 圖。 圖2係根據本發明另一具體實施例光資訊媒介之橫剖 面圖。 圖3係澱積指紋前（初始狀態）與擦拭指紋之後的錯 誤率變化。 元件對照表 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐ΐ .\2 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
1221280 A7 B7 五、發明説明（10 ) 1 :基板 2 :記錄層 3 :透光層 4 :下層 5 ··矽烷偶合劑膜 4 1 ··內層 4 2 :表層 6 :保護層 發明詳述 其次，詳細說明本發明。 本發明光資訊媒介至少一個表面塗覆一層矽烷偶合劑 之膜，該矽烷偶合劑係以包含一個防水或防油取代基之下 式（1 )表示。該媒介具有一個與該矽烷偶合劑接觸之下 層，而且至少表面與該矽烷偶合劑膜接觸之下層包括一種 具有以式（2 )表示之化學鍵（諸如S i - ◦鍵）的化合 物。形成之矽烷偶合劑膜係一種單分子膜或是因爲化學吸 附反應機制而類似單分子膜之薄膜，因此該下表面（即包 括式（2 )表示之化學鍵分子的表面）性能以該媒介硬度 、耐刮性及其他機械性質方式直接反映到該媒介表面。因 此，如上述構成該媒介表面，可以明顯改善該光資訊媒介 表面之耐刮性，並提供抗污性質而且不會損傷此等耐刮性 。同時，可以使該抗污表面具有高度耐久性。更明確地說 ，該矽院偶合劑以及與彼接觸之媒介表面所含之化合物中 以式（2 )表示之化學鍵部分（諸如S i - 0鍵）進行化 學吸附反應，因此該矽烷偶合膜牢固地黏附在該下表面， 同時產生防水與防油功能，因而達到去除污染物後讀取經 改善之抗污性質。因此，當該媒介未裝在一個卡匣、外殼 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） ---------赛-- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財4局員工消費合作社印製
1221280 A7 B7 __ 五、發明説明（11 ) (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 或罐子內使用時，不會遇到嚴重污染問題。此外’包含以 式（2 )表示之化學鍵部分（諸如S i - 〇鍵）的下表面 顯示出優良耐久性以及充分耐刮性，而且此等性質與抗污 性具有協和功能。可以在不對該媒介其他性能產生負面影 響之下達成此等優點。 或者，該媒介可具有包括兩層以上之下層代面上述下 層表面，以改善與該矽烷偶合劑膜之黏合性以及該耐刮性 。該下層可包括一層作爲與該矽烷偶合劑膜接觸表層之金 屬（包括半金屬）化合物薄層（膜厚度最高達1微米）， 以及一種作爲與該薄層接觸而且位於該矽烷偶合劑膜背面 之含金屬（包括半金屬）化合物層。此情況下，該內層厚 度比該薄層厚。作爲該表層之金屬化合物薄層包括一種金 屬化合物作爲其主要組份，而且該薄層包括〇 9 % (質量 % )以上該金屬化合物爲佳。 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本發明之光資訊媒介包括一種樹脂、玻璃等之承載基 板’以及一或多層膜層，該承載層上至少包括一層記錄層 或反射層，而且該媒介係以雷射光束或其他光照射該膜層 記錄及/或讀取。 可以來自該承載基板一面或是來自該膜層一*面之光照 射該媒介。或者，該媒介可另外包括一承載基板或是一層 位於該膜層上.之樹脂、玻璃等之保護層，而且藉由來自此 種層表面之光照射，記錄及/或讀取該媒介。 本發明塗覆一層透光層，並經由該透光層照射該記錄 /讀取光束時最有效。般磁場調變型之磁光碟情況中，通 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐） -14 - 1221280 A7 B7 五、發明説明（12 ) 常自該承載基板一面照射該光束’而且本發明應用於該光 束入射面時相當有效。不過’因爲該磁頭在該磁光碟記錄 層一面上移動，即在覆蓋該記錄層之有機保護層上移動’ 所以其應用於該透光層背面時也極爲有效’而且該保護層 表面必須具有經改良潤滑性與耐久性。 此外’當改良該光資訊媒介表面耐刮性與其他機械強 度係主要目的時，至少在該媒介光入射面上提供一層透光 層，其中一至少一部分包含一種可以活性能量束固化樹脂 ，該樹脂含有一種諸如金屬（包括半金屬）硫族化合物粒 子之金屬化合物粒子（平均粒子大小最高達5 0 0毫微米 )，而且不像上述般結合該透光層與該矽烷偶合劑下層膜 。本發明中，此種具體實施例亦較佳。此外，亦可提出包 .括一或多層之下層，使對應於表層之層排列在至少該光入 射面上，而且此種情況中，該層可由上述該表層材料或是 硬碳（D L C )製得。 本發明光資訊媒介的代表性構造示於圖1與2。 圖1所示之光資訊媒介包括基板1、位於基板1之上 的記錄層2，以及位於記.錄層2上之透光層3。在該透光 層3上依序形成下層4以及矽烷偶合劑膜5。該下層4包 括位於該透光層3 —面之內層4 1以及位於該矽烷偶合劑 膜5 —面之表層4 2。該記錄/讀取雷射自該透光層3 — 面’經過該矽烷偶合劑膜5與該下層4進入該媒介。 圖1之構造中，在上述本發明範圍內可以進行各種修 正。例如，提供該矽烷偶合劑膜5時，可以使用內層4 1 I紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 」15 _ ' — (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1221280 A7 B7 五、發明説明（13 ) 作爲其下層，而且不提供表層4 2 ’形成該矽烷偶合劑膜 5 ，該內層亦構成表層3 —部分或全部。視該媒介預定用 途而定，該媒介可能不具矽烷偶合劑膜5，而在此種情況 下，下層4可作爲該層的表層。該媒介亦可能不具表層 4 2 ，而以特定組成之內層4 1作爲該表層，而且此種內 層亦構成該透光層3 —部分或全部。 另一方面，圖2所示之光資訊媒介包括承載基板1， 並依序在承載基板1上形成記錄層2與保護層6。在該承 載基板1之記錄層2背面’依序形成下層4與矽烷偶合劑 膜5。該下層4包括兩層，換言之’位於該承載基板一面 之內層4 1以及位於該矽烷偶合劑膜5 —面之表層4 2。 記錄/讀取雷射光束自亦作爲透光層之承載基板1 ，經過 矽烷偶合劑膜5與下層4進入該媒介。 如同圖1情況，圖2構造殿有各種修正。不過，該承 載基板1與內層4 1包括獨立構件爲佳。 本發明之光資訊媒介不受限於圖式所示之具體實施例 ，也可能是各種其他具體實施例。 下文更詳細地說明本發明。 在該媒介倂用防水與防油矽烷偶合劑之本發明具體實 施例中，欲塗覆該防水與防油矽烷偶合劑之下層表面必須 包括一種組成物，其包含具有以式（2 )表示之化學鍵（ 諸如S i -〇鍵）的化合物，換言之，一種包含以弍（2 )表示之化學鍵部分的組成物： Μ — A ( 2 ) 本紙張尺度適用中國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） ------------ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 言 經濟部智慧財產局員工涓費合作社印製
1221280 A7 B7 經濟部智慧財1局員工消費合作社印製 五、發明説明（14 ) 其中Μ係一種金屬原子（包括半金屬原子），而Α係 一種硫族原子，其選自〇、S、Se與Te、氮原子或碳 原子。 以Μ表示之金屬原子（包括半金屬原子）必須爲不受 限於其在該化合物或該組成物中氧化數之原子，此等原子 實例包括 S i、T i、A 1、Ζ η、Z r。 爲了促進該矽烷偶合劑的平順化學吸附反應，該化學 鍵部分包括一個金屬原子與一個硫族原子（諸如氧）爲佳 。此種化學鍵實例包括S i —〇鍵、T i 一 0鍵、A 1 — 〇鍵、Zn —〇鍵、Ζι* —〇鍵以及Zn — S鍵。其中， 基於實際應用可採用之材料廣泛選擇性考量，使用一種包 含S i —〇鍵的組成物最佳。此種情況中，該包含S i -.〇鍵之組成物本身可構成該承載基板或是透光層’，或者， 此種組成物可以覆蓋在沒有此種S i - ◦鍵之基板或是透 光層上。此等具體實施例中爲了可靠地獲得耐刮性，該下 層的表層區包括一種具有S i - 0鍵之化合物爲佳，其厚 度至少爲1 0 0毫微米，至少5 0 0毫微米更佳。在另外 具體實施例中，欲覆蓋該矽烷偶合劑之下層表面區結合具 有S i -〇鍵之化合物，可以明顯改善該偶合劑與該下層 表面的黏合性。 包含該具有S i - 0鍵化合物的最常見組成物係玻璃 ，而且使用該玻璃時，可由該玻璃構成整個基板。或者’ 可利用濺鍍作用等在一種樹脂上形成一種包含s i 0 2作爲 主要組份之薄膜。其他可能具體實施例係使用一種樹脂’ 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） _ _ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 線 經濟部智慧財產局員工消f合作社印製 1221280 A7 _B7_ _ 五、發明説明（15 ) 諸如聚二甲基砂氧院，其分子鍵中包含砂氧院鍵，並使用 一種方法將一種偶合劑（諸如一種烷氧基矽烷）塗覆在一 種樹脂上。另外具體實施例中，可使用一種熱塑性樹脂， 諸如聚碳酸酯或聚甲基丙烯酸甲酯或是一種摻合氧化矽粒 子之可以活性能量束固化樹脂，使用該分散有氧化矽粒子 之組成物作爲該透光層時，該氧化政粒子之平均粒徑最高 達5 0 0毫微米爲佳，最高達1 〇 0毫微米更佳。當該粒 徑超過5 0 0毫微米時，該粒徑非常接近或是超過光資訊 媒介最常使用之記錄/讀取光束波長，並且對於該記錄或 輸出訊號造成負面影響。雖然該粒子大小並無特定下限， 但是該下限通常約5毫微米。 在上述包含具有S i - 0鍵化合物之組成物中，有鑑 .於用於該光資訊媒介之考量，使用一種摻合氧化矽粒子之 可以活性能量束固化樹脂作爲欲覆蓋該防水與防油矽院偶 合劑的下層最佳。此種情況中，諸如聚碳酸酯或聚甲基丙 烯酸甲酯等作爲基板或是薄板時具有良好加工性能與成本 效益之習用樹脂，可能與包括摻合氧化矽粒子之可以活性 能量束固化樹脂塗層重疊，而且使用此種產物作爲該下層 爲佳。如此有助於便利地形成具有相當高度耐久性的透光 層。 所使用之摻合氧化矽粒子的可以活性能量束固化樹脂 可爲一種氧化矽粒子僅分散於其中之樹脂組成物。不過’ 因爲該氧化矽粒子藉由化學鍵結固定於該聚合物鏈，可以 增加該固化膜之表面硬度之故，該氧化矽粒子（粒子大小 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -化- (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
1221280 ΑΊ Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（16 ) 如上述爲佳）與該聚合物鍵化學鍵結爲佳。該氧化矽粒子 可於固化作用之後化學鍵結於該聚合物鏈，例如藉由J P —A 100 1 1 1/1997所提出之方法進行。 該摻合氧化矽粒子的可以活性能量束固化樹脂通常包 括一種可以U V固化樹脂，而其中牢固鍵結氧化矽粒子的 可以U V固化樹脂實例係市售商品名爲DeSolite Z7501之樹 月旨（由JSR Co·，Ltd·所製）。 如上述之下層可爲該透光層、該承載基板或是構成該 光資訊媒介的其他構件，或者，該下層可爲一層覆蓋構成 該光資訊媒介構件之層。其他情況中，該下層的厚度約 0 . 1微米至約1 · 5毫米。 該下層中之S i -0鍵含量以質量％計至少1 5%爲 .佳，至少2 0 %更佳。當該含量過低時，該下層的耐磨性 無法獲得充分改善，而且與該矽烷偶合劑的黏合性亦不足 ，因而損及本發明優點。 因爲製造方法以及爲了可靠地達到該產物安定性目的 ，與該氧化矽粒子摻合之可以活性能量束固化樹脂通常呈 以有機溶劑稀釋形式。因此，使用此種材料形成該下層時 ，必須在照射該可以活性能量束之前去除充分水準該有機 溶劑。通常，該下層中之有機溶劑較佳含量最高達5 % ( 質量％ )爲佳。 可以藉由加熱去除該有機溶劑。不過，藉由轉塗作用 形成該下層時，可以高速旋落該塗覆溶液較長時間，同時 完成去除該有機溶劑以及塗覆該塗覆溶液。基於改善產率 ^紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨ΟΧΜ7公釐) .g . (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) .裝· 訂* 線 1221280 A7 B7 五、發明説明（17 ) 觀點來看，同時去除該溶劑以及轉塗爲佳。不過，基於改 善該下層表面硬度以及可靠度觀點來看，藉由諸如熱乾燥 等方法去除該溶劑爲佳，因爲在該下層固化之前，藉由熱 處理該下層之塗覆膜可使該層具有垂直方向之氧化矽粒子 密度梯度。 藉由塗覆兩種以上互混性或是親和性相當低之組份的 液體混合物或是溶液形成薄膜時，已知當該膜處於高溫下 一段長時間，各組份會逐漸自動組合。本發明人進行的硏 究中，該摻合氧化矽粒子的可以U V固化樹脂亦確認此種 趨勢，更明確地說，當該樹脂在該U V照射之前，於相當 高溫下放置一段長時間，是爲有機組份之單體等以及是爲 無機組份之氧化矽粒子分別顯示出進行自動組合的趨勢。 本發明中，通常在一種樹脂材料層（諸如該透光層與該承 載基板）之表面上形成該下層，並藉由進行該放置作用， 接近與該透光層或該承載基板邊界之可以U V固化樹脂中 的有機組份會進行自動組合，其中該透光層或該承載基板 係由一種與該有機組份親和性高之樹脂形成，同時該下層 表面之無機氧化砂粒子會進行自動組合。換句話說，該氧 化政粒子以該下層垂協方向之密度梯度分佈，而且比起未 形成密度梯度情況，該下層表面顯示出經改善硬度。同時 ，該下層顯示.出自該下層表面朝該透光層或該承載基板一 面逐漸降低之活性模數。因此，與不存在密度梯度情況相 較，該彈性模的數劇烈改變、位於該透光層或該承載基板 與該下層之間邊界的熱膨脹係數與其他物理性質較爲緩和 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -20 - (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1221280 A7 B7 五、發明説明（18 ) 。因此，逐漸減輕該透光層或該承載基板與該下層之間邊 界附近有意或無意施加於該光碟的扭變以及外部溫度迅速 改變所致之內部應力。因此，可以大幅抑制此種機械或熱 衝擊所引發之下層表面龜裂。 須注意，可用以在分散該氧化矽粒子之下層中製造該 氧化矽粒子密度梯度的方法不受限於上述熱乾燥作用，可 以採用可達到所需密度梯度的任何方法。亦必須注意的是 ’也可於該固化作用之前，藉由諸如熱處理等方法，使不 含非反應性有機溶劑的樹脂材料產生密度梯度。 爲了確認所形成下層中是否已確實產生該氧化矽粒子 密度梯度，可以使用本技藝中各種習知分析，包括X射線 光電光譜學（XPS)，其係該表面元素分析中最常用的 方法。爲了發現該下層之垂直方向氧化矽密度詳細分佈， 倂用該表面分析以及藉由離子束濺鍍之蝕刻作用爲佳。或 者，可以製備該下層的橫剖面，並以各種元素分析方法觀 察露出部分。不過，在大部分情況下，相對比較在不同熱 乾燥或其他條件下形成之下層之間的差異做確認就已充足 ，通常不需要進行垂直方向鈾刻以及觀察該橫剖面。 因爲各種因素——包括該樹脂中之氧化矽粒子含量、該 剛澱積下層的厚度、上方形成該下層之透光層或承載基板 中所使用的材.料物理性質以及所需之表面硬度與可靠度相 互糾纒之故，無法將該氧化矽粒子密度梯度所需範圍界定 在特定範圍。因此，必須藉由嘗試錯誤，例如在該膜形成 過程中改變該熱乾燥條件，實驗測定最佳氧化矽密度梯度 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210 X 297公釐） U3. (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 、-s'tv 經濟部智慧財產局員工消f合作社印製
1221280 A7 B7 五、發明説明（19 ) 〇 使用摻合氧化矽粒子之可以u V固化樹脂形成該下層 時’不一定需要存在該氧化矽粒子密度梯度。如上述，將 發展該密度梯度與該產率所達成的硬度與可靠度改善之間 的平衡納入考慮，可以適當地決定該密度梯度。 本發明已經以氧化矽爲特徵做說明，氧化矽係具有式 (2 )表示化學鍵之化合物當中最佳者。不過，前述說明 適用於所有對本發明而言較佳之金屬硫族化合物，而且適 用於該金屬氮化物（例如氮化矽）與金屬碳化物（例如碳 化矽與碳化鈣），其亦爲具有式（2 )表示化學鍵之化合 物。 上述之下層亦可能包括二或多層，以改善該防水與防 油矽烷偶合劑膜與該下層的黏合性，或是進一步改善該透 光層表面的耐刮性。更明確地說，藉由濺鍍、蒸發、離子 電鍍或C VD等蒸發澱積作用，在該透光層表面上形成一 層薄膜作爲該表層，並與該矽烷偶合劑接觸，並且形成一 層包含金屬化合物而且與該薄層組成不同的內層，其與該 薄層接觸而且位於較接近該記錄層一面，如此由該表層與 該內層構成該下層。 在一個代表性具體實施例中，可塗覆包括上述含氧化 矽粒子之可以活性能量束固化樹脂層作爲該透光層或該記 錄層表面上的內層，然後經過一種光學表面改良處理之後 ，使用S i〇2濺靶進行濺鍍作用’在該內層上形成該薄層 作爲該表層。然後，可以在該表層上形成該防水與防油矽 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -22 · 0¾ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
1221280 A7 B7 經濟部智慧財4局員工消費合作社印製 五、發明説明（20 ) 烷偶合劑膜。 該表層可形成最高達1微米厚度，形成在1 〇毫微米 至1微米範圍內之厚度爲佳，以2 0毫微米至5 0 〇毫微 米更佳。當該厚度超過1微米時，該表層或該內層存在發 生龜裂的風險。當該表層太薄時，與未形成表層的具體實 施例相較，該耐刮性並未達到實質改善。 形成該表層中所使用的較佳材料實例包括氧化矽、氧 化鈦、氧化鋁、氧化鉻、氮化矽、氮化鈦、碳化矽與碳化 鈣。 另一方面，該內層可包括一種上述含有氧化砂粒子之 p」以活性能量束固化樹脂，或者，包括一種含有可水解金 屬化合物之組成物。可以藉由例如溶膠凝膠法，自一種包 含水解產物的溶液形成此種膜，該溶液係將一種無機酸（ 諸如氫氯酸或硫酸）或一種有機酸（諸如醋酸）添加於一 種有機矽化合物，諸如一種四烷氧基矽烷，與一種固化觸 媒，諸如乙醯丙酮錯合物或過氯酸鹽中所製備。 該內層亦可包括一種含有聚矽胺烷或是自聚矽胺烷衍 生之氧化矽組份的材料。通常已習知當一種聚矽胺烷在空 氣殿加熱形成高純度氧化矽時，其會被空氣中的濕氣水解 。本發明中通稱爲“聚矽胺烷”的化合物係具有S i 一 N 一 s 1鍵之低分.子量至高分子量化合物。此等聚矽胺烷實例 包括具有以式（—S i ( Η ) 2 — N Η -）n表示之結構的 環狀無機聚矽胺烷，其中n係；L 〇 〇至5 〇 〇 〇 〇 ;鍵狀 無機聚矽胺烷類與其混合物；以及聚有機·氫矽胺烷類，其 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0XW7公釐） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 訂 線 -23- 1221280 A7 B7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（21 ) 中以一種有機基團部分或全部取代與一無機聚矽胺烷之砂 原子鍵結的氫原子。該內層亦可包括一種聚砂胺院，其中 該分子內已結合氧，與一種金屬醇鹽反應製備一種聚金屬 石夕胺院；或一種與有機碳化合物反應製備之聚硼砂胺院。 與該表層相反地，除了該無機組份之外，該內層包含 一種有機組份爲佳。至於上述組成物，該組成物可包含一 種含有氧化矽粒子之可以活性能量束固化樹脂，或者使用 一種矽原子具有有機取代基（諸如長鏈烴基）之材料作爲 該欲固化材料，自一種烷氧基矽烷或聚矽胺烷形成矽化合 物。 藉由使用一種包括無機與有機組份二者的組成物作爲 該內層，該內層與表層之間不僅具有強力黏合性，而且同 .樣地改善該內層與該透光樹脂層之間的黏合性。必須注意 的是，本發明中，“包括無機與有機組份二者的組成物”可爲 一種無機化合物與有機化合物的混合物，或是一種物質， 其中諸如S i —〇—S i等無機鍵與諸如S i — R (其中 R係一個烴基等）等有機取代基存在一種聚合化合物中。 此二者均在本發明範圍內。 將一層樹脂透光層置於該內層與該記錄層之間時，該 媒介構造係在該透光層與該表層之間形成一層中間層，並 且可以抑制在.該樹脂透光層上形成僅包括無機材料之薄層 情況下所發現的尚度龜裂風險。因爲d」以藉由夾在該樹脂 透光層與該無機薄層之間的材料調節位於此等層邊界處的 彈性模數巨大差異與熱膨脹係數，換言之，藉由包含該有 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（2〖0X297公釐） __ 24 _ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
1221280 A7 B7 五、發明説明（22 ) 機與無機成份之材料，可以達到此種效果。 該內層澱積到大於該表層厚度爲佳。更明確地說，該 內層的厚度比該表層厚度厚約1·5至50倍爲佳，其厚 度爲0 · 1微米以上爲佳，至0 . 2微米以上更佳。該內 層厚度沒有特定上限。不過，該上限通常約3 0微米。 JP—A 203726/1999揭示一種方法， 其中在一層樹脂透光層上提供兩層以上包括無機化合物之 薄層，改善表面耐刮性。該專利申請案提出的方法當中， 藉由諸如濺鍍等蒸發澱積作用，在包括一種可以UV固化 樹脂的樹脂透光層表面上，形成兩層以上之S i N或 s i〇無機材料層，其厚度約數百毫微米。J P -A 20 3726/19 99中描述藉由此種構造，獲得 顯示經改良耐刮性之表面。 不過，形成此種厚度之無機膜很難獲得實際可接受水 準的耐刮性。實際上，J P - A 2 0 3 7 2 6 / 1 9 9 9實施例中進行的評估是微硬度的評估，其未必能 反映該樹脂下層的硬度，而且並未在類似實際使用環境之 條件下進行評估，例如進行耐磨性或鋼絲絨試驗之評估。 此外，在JP—A 203726/1999方法中，一 層僅包括無機化合物之層係在一種是爲有機化合物的可以 U V固化樹脂層上直接形成，無法假設該無機材料層與該 可以U V固化樹脂層之間可達到充分黏合性。因此，當此 種光碟置於高溫條件下，預期會發生無機層剝離以及龜裂 。必須注意的是，本發明之下層係由如上述由兩層以上之 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） _ 25 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -V5 丁 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1221280 Α7 Β7 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 五、發明説明（23 ) 層構成時，該下層亦爲該透光層、該承載基板或構成該光 資訊媒介的其他構件，或者，該下層可爲覆蓋構成該光資 訊媒介構件之層。 前文已說明該下層包括兩層以上之本發明具體實施例 作爲該下層上形成一層防水與防油矽烷偶合劑膜的情況。 不過，當主要目的係改善該光資訊媒介表面耐刮性時，該 媒介可以僅具有該內層與該表層，不需要結合此等層與該 矽烷偶合劑膜。 在該透光層表面上沒有矽烷偶合劑膜的具體實施例中 ，因爲不需要將該偶合劑與表層之間的化學反應納入考慮 ，所以可由硬碳（Diamond Like Carbon, DLC)薄層構成該 表層。可以藉由本技藝中常用的技術，例如以濺鍍或 CVD，形成厚度等於上述表層之DLC薄層。‘該DLC 薄膜之Vickers硬度Hv至少1 3爲佳。 此外，當該透光層表面並不特別需要防水與防油性， 而且不需要大幅改善該透光層耐刮性時，亦可進行一種一 個該透光層表面係由金屬（包括半金屬）化合物單層形成 之具體實施例。在某些唯讀型媒介情況中，經常以此種單 層構造達到實際可接受水準之必要而且充分耐刮性，惟該 狀況視該特定光資訊媒介預定用途以及記錄密度而定。 此種具體實施例中，該媒介具有一層包含透光層最佳 ，該透光層包含一種可以U V固化樹脂，其中至少某些部 分與一種金屬化合物粒子摻合（而且在其表層區爲佳）。 該金屬化合物係選自上述金屬硫族化合物、金屬氮化物與 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 訂 線 本纸張尺度適用中.國國家標準（CNS ) Α4規格（210X297公釐） -26- 1221280 A 7 ____B7 _ 五、發明説明（24 ) (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 金屬碳化物，該金屬化合物係一種金屬硫族化合物粒子爲 佳（以氧化矽粒子最佳）。本文中所使用的“單層構造”一辭 係描述該含金屬化合物層包括單一層之狀態，而非整體透 光層包括單一層之狀態。例如，以含有氧化矽粒子之可以 活性能量束固化樹脂層覆蓋該樹脂承載基板之具體實施例 係在此種構造範圍內，而且此種具體實施例相當良好。與 使用捏合粒子之樹脂承載基板相較，與該樹脂承載基板分 離之含氧化矽粒子層方法較佳.，此係因爲此種分離方法不 會發生該含粒子承載基板的相關問題，例如該樹脂承載基 板厚度增加，以及因爲結合該粒子（避免使用習用樹脂模 製方法）必要的複雜製造步驟等問題。 通常該表層與該內層各者係由單一層形成。不過，若 •需要，此等層可由一或多層形成，在此種情況下·，此等層 的總厚度必須控制在上述厚度範圍內。 本發明中，倂用該防水與防油矽烷偶合劑與該下層的 具體實施例中所使用之防水與防油矽烷偶合劑係由式（工 ) 所表示者： 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製
Ri-Si(X)(Y)(Z) (1) 其中R ^係該具有防水或防油性之取代基；X、γ與z 各爲一個一價基團；而且X、γ與z其中至少一者係—個 可藉由聚縮作.用與矽烷醇基團（S i - OH)形成s i _ 0〜S i鍵之取代基。此種可與矽烷醇基團進行聚縮作用 之取代基可爲選自鹵素、一OH、一 OR2 (其中尺2係— 個烷基）、—〇C (〇）CH3、一 NH2 與一N —= = 本紙張尺^^~中國國家標準（〇奶）人4規格（210>< 297公釐) 07 . --- 1221280 A7 B7 五、發明説明（25 ) 〇其中一員。 5 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 在式（1 )表示之防水與防油矽烷偶合劑中，以表示 R i之具有防水或防油性的取代基，係一種在該化合物中結 合彼會使該化合物具有防水性或防油性之取代基。該防水 性與防油性可以直接以臨界表面張力（γ。/ m N m — 1 )表 示’其係該物質表面自由能的指數。該臨界表面張力可由 S[J量接觸角度計算出，更明確地說，藉由測量數種飽和烴 液體（表面張力：Yc/mNm-1)，各在該物質光滑表面 上之接觸角度（θ/r a d)的表面張力均已知；相對於 γι繪製c 〇 s0，並且插補至c 〇 s0=l ，以求出相對應 値γ。。當特定物質必須防某種液體時，該物質的γ。必須低 於該液體的表面張力γ i。例如，一種表面組成物包括伸甲 基鏈（例如—CH2 - CH2 -）之物質的γ。爲3 1 m N m - 1，該物質防水（其於2 0 °C溫度下之γ :爲7 3 m N m · 1 )，但是會被丫1爲2 81111^11^1之正十六烷完全 濕潤’而且其接觸角度變成〇度。本發明目的係提出一種 具有防水與防油性高於往昔通用樹脂（諸如聚碳酸酯與聚 甲基丙烯酸甲酯）之媒介，因此，該臨界表面張力γ。最高 達3 OmNm— 1爲佳。此外，該γ。最高達2 5 m N m，1爲佳，以發展實際可接受水準之抗污性質。雖然 沒有γ。設定特定下限，不過γ。下限通常爲6 m N m - 1。 以表示R i之防水與防油基團係一種包含氟代烴基團之 基團爲佳，而且氟代烴基團實例包括一種氟代烷基與一種 包含氟代伸烷基氧基之氟代烷基。該氟代烴基團總共包含 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） 1221280 A7 B7 五、發明説明（26 ) 1至1 ο ο 〇個碳原子，而且該氟代烴基團可爲直鏈基團 或是分支基團，以直鏈基團爲佳。 --尧-- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 氟代烴基團實例包括以下式（3 )與（4 )表示之氟 化聚燦烴部分，以及以下式（5 )與（6 )表示之氟化聚 驗部分。 CF3(CF2)xCH2CH2- (3) (CF3)CF(CF2)xCH2CH2- (4) CF3[〇CF(CF〇CF2]x(〇CF2)y- (5) CF3(〇C2F4)x(〇CF2)y- (6) 式（3)至（6)中之x與y分別爲一個正整數，而 且以0至2 0 0範圍內之正整數爲佳，因爲X與y超過 2 0 0時，該防水與防油性質並沒有實質的改善，然而於 各種溶劑中之溶解性降低會對膜形成作用造成損害。 此等基團顯示防水與防油性，其中具有鍵碳鏈而且沒 有分支結構之基團顯示更佳防水與防油性。 另一方面，該矽烷偶合劑中之反應基團，換言之，式 (1)之 Si (X) ( Y ) (Z)中之 X、Y 與 Z 可爲一 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 種能與矽烷醇基聚縮而形成s i -〇- s i鍵之取代基， 而且此種基團係選自鹵素、—〇H (羥基）、—〇R2 (烷 氧基）、一〇C(〇）CH3(乙醯氧基）、—NH2(胺 基）與一N=c = ◦(異氰酸根）。該鹵素係C 1或B r 爲佳。在—〇R2中，R2係一個總共包含1至5個碳原子 之烷基，其可爲直鏈基團或分支基團。R2可具有不顯示化 學吸附反應之取代基，不過基於此一因素，諸如鹵素等取 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0><297公釐） 一29 - 1221280 Α7 Β7 五、發明説明（27 ) 代基並不佳。一 OR2之實例包括甲氧基、乙氧基、丙氧基 、異丙氧基、丁氧基、異丁氧基與第三丁氧基。 X、Y與Z可能相同或不同，當其不同時，X、γ與 Z可爲不同鹵素或是不同烷氧基，或者，X、丫與2可爲 鹵素、羥基、烷氧基乙醯氧基、胺基與異氰酸根其中兩者 或二者的逍合。此外’只要X、Y與Z其中至少一'者係由 例如上述鹵素、羥基、烷氧基乙醯氧基、胺基與異氰酸根 之水解作用產生的基團，X、γ與z不一定全爲反應取代 基。不過’ X、Y與Z均爲上述反應基團爲佳，以形成強 健的矽氧烷鍵網。當X、γ與z是上述反應基團以外之一 價基團時’此種一價基團可爲鹵素原子、包含1至5個碳 原子之烷基等。 當X、Y與Z係鹵素、烷氧基、乙醯氧基或胺基時， 水解作用預先促進到某種程度以轉換成矽氧烷基爲佳。另 一方面’當X、Y與Z係異氰酸甲矽烷酯時，則不需要此 種預先水解作用。該矽氧烷基與該異氰酸甲矽烷酯基於室 溫下平順地進行偶合反應，促進該反應並不需要特別的加 熱。因此，存在因熱使該樹脂或記錄層變質風險時，可以 使用一種異氰酸矽烷酯偶合劑。 此種矽烷偶合劑之實例係市售產品，其商品名爲DSX( 由 Daikin Industries，Ltd.戶斤製）。 可由薄膜形成作用中所使用之習用方法適當地選擇塗 覆上述矽烷偶合劑的方法。此種塗覆方法實例包括轉塗、 浸塗與噴塗，而且可以本技藝中任何習知方法塗覆該矽烷 I---^--- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) Μ規格（210 X 297公釐） -30 - 1221280 A7 B7 五、發明説明（28 ) 偶合劑。此外，若需要稀釋，可於使用前以一種溶劑稀釋 該膜形成作用所使用之矽烷偶合劑。 此外，爲了改善上述具有S i -〇鍵等之化合物的下 層以及該矽烷偶合劑之間的黏合牲，可以一種高能量束處 理該表面，增加該光碟等下層表面之親水性，例如以紫外 線、電漿、電子束與電暈放電處理。用於一種包括有機物 質爲底質材料之表面時，使用該高能量束處理之此等表面 活化作用並未達到充分效果。不過，當此種處理應用於上 述具有S i -〇鍵等之化合物組成物的下層時，因爲S i —〇—S i鍵等會分裂，產生諸如S i - OH之反應基團 ，所以此種處理相當有效。 該矽烷偶合劑膜之厚度相當於單分子膜或是類似單分 .子膜之超薄膜的厚度，更明確地說就是約1至約2 0毫微 米厚。 實施例 其次，茲參考不限制本發明範圍之實施例進一步詳細 說明本發明。亦說明對照實例。 實施例1 決定熱乾燥由.一種以有機溶劑稀釋之摻合氧化矽粒子的可 以U V固化樹脂塗層之最佳條件
硏究使用DeSolite Z7503之樹脂（由JSR Co.，Ltd·所製 ，固定氧化矽粒子型）作爲該摻合氧化矽粒子之可以U V 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2i〇x 297公釐) -31 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) ----------1---h^----,——IT-^--i. 線--- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1221280 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 五、發明説明（29 ) 固化樹脂所形成之膜的最佳熱乾燥條件。該摻合氧化ί夕粒 子之可以UV固化樹脂包含醋酸丙二醇一甲醚酯（ PGMEA)與甲基乙酮（ΜΕΚ)作爲稀釋溶劑，其體 積比爲9 : 1。作爲該塗覆溶液的產品未進一步稀釋。全 部塗覆溶液中之固體含量——換言之，該稀釋溶劑以外之非 揮發性組份濃度——爲6 0% (質量％)。該樹脂中之氧化 矽粒子平均粒子大小約1 0毫微米，該樹脂中之氧化矽粒 子含量爲38% (質量％)。 以一種摻合氧化矽粒子之可以U V固化樹脂（由JSR Co.，Ltd·所製之DeSolite Ζ7503 )轉塗一個直徑爲1 2 0毫 米厚度爲0 · 6毫米之聚碳酸酯基板，其中係以6 0 0 0 r p m自圓碟旋落該樹脂2秒。在空氣中以6 0 °C熱乾燥 . 該塗覆膜3分鐘，並藉由U V照射（高壓水銀燈，5 5 0 mJ/cm2)固化。該固化膜之厚度爲3·4微米。 使用不同乾燥溫度與乾燥時間重複上述製程，製備數 種樣本。所有樣本中，該固化膜大致上具有相同厚度，約 3 . 4微米。 另一方面，將上述“以6 0 0 0 r p m進行2秒”之轉塗 條件改成以6 0 0 0 r p m進行6 0秒，並於轉塗作用之 後立刻以U V固化該塗層，不進行熱乾燥步驟，製備未進 行熱乾燥步驟之樣本。亦以相似方式，在該轉塗作用中使 用不同旋落時間製備樣本。必須注意的是，只要該旋落時 間爲2秒以上，採用不同旋落時間製備的膜具有大致相同 厚度，約3 . 4微米。 本紙張尺度適用中.國國家標準（ CNS ) A4規格（210X297公釐） -32- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝- 訂 線 1221280 A7 B7 五、發明説明（3〇 ) 從在不同膜形成條件下製造之樣本選出數個樣本，並 以氣相層析術評估此等樣本當中溶劑殘留在該膜內的數量 ，並以X射線螢光分析法評估該膜表面上之矽原子密度。 該測量結果示於表1與2。 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 表1 轉塗條件 熱乾燥條件 PGMEA MEK殘 溶劑總 殘留量 留量 殘留量 旋轉/速度/時間 溫度/時間 (質量％) (質量％) (質量 6000rpm/2 秒 60°C /3分鐘 2.43% 0.55% 2.98% 6000rpm/10 秒 >frrr 111 ιΖ 2.93% 0.78% 3.71% 6000 rpm/30 秒 j\w 1.58% 0.66% 2.24% 6000 rpm/60 秒 迦 j w\ 0.50% 0.64% 1.14% 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -33 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1221280 五、發明説明（31 ) 表2 轉塗條件 旋轉/速度/時間 熱乾燥條件 溫度/時間 Si密度 (kcps) 6000 rpm/2 秒 室溫/1分鐘 198.70 室溫/3分鐘 197.45 40°C /1分鐘 197.18 40°C /3分鐘 198.22 60°C /1分鐘 198.10 60°C /3分鐘 201.72 8(TC /1分鐘 200.63 80°C /3分鐘 204.23 6000 rpm/60 秒 >fnr 1 «IΙΓ J\\\ 193.59 其次，在下列條件之下，以Taber磨鈾試驗評估上述樣 本之主要樣本。所使用之磨輪係C S - 1 〇 F，並測量負 重4 · 9 N之下進行5 0 0次磨蝕旋轉之後的濁度値（ AH a z e (%))。以 Tokyo Denshoku Gijutsu Center 所 製造之全自動濁度計T C — Η I I I D P K測量該濁度値 。在下列試驗條件之下，以熱衝擊試驗評估上述樣本數個 樣本的可靠度：高溫室之溫度/時間爲7 〇 t / 3 0分鐘 ，低溫室之溫度/時間爲—2 0 °C /分鐘。重複1 〇 〇次 上述急速冷卻循環之後，以肉眼確認該膜中是否發生龜裂 。結果示於表3。 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -34- (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
1221280 A7 B7 五、發明説明（32 表 轉塗條件 熱乾燥條件磨蝕試驗後之熱衝擊試驗後之 旋轉/速度/時間 溫度/時間 Δ H a z e (%) ^ m 6000 rpm/2 秒 室溫/1分鐘 - 有 室溫/3分鐘 6.9 有 40°C /1分鐘 - 有 40°C /3分鐘 - 有 60t： /1分鐘 - 有 6(TC /3分鐘 5.7 紐 80°C /1分鐘 5.8 4rrp m 8(TC /3分鐘 6.2 Μ 6 0 0 0 1* p m / 6 0 秒 4πΤ- Ws 13.0 有 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 此等結果表示，於室溫下乾燥約3分鐘，該下層耐刮 性達到充分水準。不過，在此等乾燥條件下，該固化膜之 可靠度仍然不足，需要於6 0°C與至少3分鐘之乾燥溫度 與時間才起使該膜具有充分可靠度，特別是，使該膜具有 充分抗龜裂性。另一方面，表1所示結果表示，與以6 0 °C進行熱乾燥3分鐘之情況相較，即使以6 0 0 〇 r p m 旋落至少3 0秒之轉塗作用並未進行熱乾燥作用，該膜中 之溶劑殘留量仍然較少。此現象確認，在比6 0 °C乾燥3 分鐘更溫和條件之下乾燥後的耐磨性與可靠度不足並不是 因爲該膜中殘留的有機溶劑所致，而是因爲該膜中之氧化 矽粒子密度梯度不足所致。 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐) Γ35 - ~ 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1221280 A7 __________B7_ 五、發明説明（33 ) 貫際上’表2顯示出，與其他樣本相較，在比6 乾燥3分鐘更嚴格條件下進行該熱乾燥作用時，偵測到明 顯較高之S i密度。此現象明白表示出，該氧化矽粒子之 密度梯度係由該氧化矽與該膜表面之自動組合造成的，而 且藉由此種密度梯度可以舒緩重複熱衝擊循環中產生之內 部應力。因此，在下列實施例部分中，自摻合氧化矽粒子 之可以U V固化樹脂形成該下層的最佳熱乾燥條件假設爲 在6 0 °C乾燥3分鐘。 評估該下層 以一種摻合氧化矽粒子之可以u V固化樹脂（由JSR Co·，Ltd.所製之DeSolite Z7503，固定氧化矽粒子型）轉塗 一個直徑爲1 2 0毫米厚度爲〇 · 6毫米之聚碳酸酯基板 。在空氣中以6 0 °C乾燥該塗膜3分鐘，以去除溶劑，並 藉由U V照射（高壓水銀燈，5 5 0 m J / c m 2 )固化。 該固化膜之厚度爲3·4微米（基板1)。 其次’使用上述相同磨輪與負重條件，以T a b e r 磨蝕試驗評估該經處理表面之耐磨性。於1 〇 〇次磨鈾旋 轉後測得的濁度値（Δ H a z e )爲2 · 0 %。再次將該基 板置於該磨蝕試驗機上，繼續進行該評估。總共5 〇 〇次 磨蝕旋轉後測得的濁度値（Δ H a z e )爲5 · 3 %。此等 結果證實該表面的耐刮性相當高。亦使用接觸角度計（ Kyowa Interface Science Co·，Ltd.所製之 C A — D )評估於 2 0°C且6 0%RH下該經處理表面與水之接觸角度。該 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） 二36 - ~ (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1221280 A7 __ B7_ 五、發明説明（34 ) 接觸角度爲7 2 · 5度。 對照實例1 以一種可以U V固化丙烯酸樹脂（由Nippon Kayaku Co·，Ltd.所製之HOD — 3 0 9 1 )轉塗一個直徑爲1 20 毫米厚度爲0·6毫米之聚碳酸酯基板，並藉由UV照射 (高壓水銀燈，5 5 0 m J / c m 2 )固化。該固化膜之厚 度約3 · 3微米（基板2)。 重複實施例1之製程，以Taber磨蝕試驗評估該基板。 於1 0 0與5 0 0次磨鈾旋轉後之濁度値分別爲1 4 . 0 %與3 6 · 2 %，其耐刮性明顯比實施例1差。重複實施 例1之製程，亦評估該經處理表面與水之接觸角度，與水 之接觸角度爲9 7 · 7度。另一方面，測得該經處理表面 與正辛烷之接觸角度爲〇度。因此，使用習用可以U V固 化樹脂之硬質塗層處理可以使該表面具有特定程度之防水 性，然而無法使其具有防油性，因此推測此種處理不能使 該表面具有針對有機污染物（諸如指紋）之抗性。 實施例2 以0 · 1% (質量％)之DSX過氟己烷溶液（由
Daikin Industries, Ltd.所製）轉塗已經進行硬質塗層處理之 基板1表面，其中該D SX過氟己烷溶液係一種在式（1 )範圍內之防水與防油矽烷偶合劑，並在空氣中以6 0 °C 加熱1 0小時，進行化學吸附作用（基板3 )。該矽烷偶 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) Μ規格（210X297公釐） -37 - I 裝 ； 訂 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1221280 A7 ___B7___ 五、發明説明（35 ) 合劑膜之厚度約1 0毫微米。 重複實施例1之製程，測量該經處理基板3之接觸角 度。與水之接觸角度爲114·0度，其表示與使用該偶 合劑處理前之基板1相較，防水性獲得明顯改善。 重複上述製程，亦測量該基板表面與正辛烷之接觸角 度，與正辛烷之接觸角度爲4 7 . 2，然而測得與正十六 烷之接觸角度爲6 3 . 8度。因此確認此實施例之經處理 表面不僅顯示出防水性，亦顯示出防油性，而且對於諸如 指紋之有機污染物具有高度抗性。該基板表面之臨界表面 張力Y。爲1 2mNm 1。 其次，在負重4.9N之下，以Bemcot Lint Free CT-8(由 Asahi Chemical Industry Co.，Ltd.所製）往復摩擦該表 面3 0 0次之後，測得與水之接觸角度爲1 1 2 . 0度。 該基板表面之臨界表面張力γ。大致等於摩擦前之値。因此 確認該表面仍然保持高水準防水性，而且該防水與防油偶 合劑與該下層表面之黏合性大。 對照實例2 以0 · 1% (質量％)之DSX過氟己烷溶液（由
Daikin Industries，Ltd.所製）轉塗已經進行硬質塗層處理之 基板2表面，其中該D S X過氟己烷溶液係一種在式（1 )範圍內之防水與防油矽烷偶合劑，並在空氣中以6 0 t 加熱固化該樣本1 0小時（基板3 )。該矽烷偶合劑膜之 厚度約1 0毫微米。 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐) 了38 - I---------1衣----τ--tr-------A (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1221280 A7 _B7 五、發明説明（36 ) 重複實施例1之製程評估經處理表面與水之接觸角度 ，該與水接觸角度爲111.2度。 其次’在負重4 · 9N之下，以Bemcot Lint Free CT-8(由 Asahi Chemical Industry Co·，Ltd.所製）往復摩擦該表 面3 0 0次之後，評估該經處理表面與水之接觸角度。測 得之接觸角度低至1 0 0 · 7度，該値大致等於塗覆該矽 烷偶合劑前之基板2的與水接觸角度。因此確認留在該表 面上之矽烷偶合劑少，其黏合性與耐久性比實施例差。此 情況中，該基板表面之臨界表面張力γ。爲3 SmNm — 1， 其大致等於基板2可以U V固化丙烯酸樹脂（對照實例1 )之臨界表面張力。 如上述，在根據本發明處理之基板情況中，該透光層 表面顯示優良之耐刮性，而且在其表面上形成防水與防油 偶合劑膜層時，該膜與該透光層之黏合性相當強。因此， 該矽烷偶合劑膜的有利性質仍然保持在初始較佳水準。此 外’即使在該表面上形成該矽烷偶合劑膜，所形成之膜是 一層單分子層或是類似該單分子層之薄膜，而且可以完全 反映出經硬質塗層處理表面之良好耐久性。因此，形成之 產物具有優良性質，包括該矽烷偶合劑膜抗污性與該經硬 質塗層處理表面之耐磨性的組合。 實施例1與2以及對照實例1與2所製得之基板1至 4的接觸角度示於表4。 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X 297公釐） -39 - — 批衣 ^1T― ，線 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) 1221280 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 B7 、發明説明（ 表4 37 ) 該處理表面之接觸角度 水 正辛烷 正己烷 基板 初始 表面磨蝕劑後 初始 初始 實施例1 72.5 度 - - - 對照實例1 97.7 度 - 0度 - 實施例2 114.0 度 112.0 度 47.2 度 63.8 度 對照實例2 111.2 度 100.7 度 - - 實施例3 藉由濺鍍蝕刻作用處理該內層表面進行表面改良之後 ，使用一個s i 0 2濺靶進行濺鍍作用，在實施例1之基板 1上形成1 0 0毫微米厚之表層，確使該內層與該表層邊 界處粒子良好黏合性（基板1 1 )。 然後，重複實施例1之製程，以T a b e r磨鈾試驗 評估該基板之耐磨性。於1 0 0與5 0 0次磨蝕旋轉後之 濁度値（AHaze，％)分別爲〇 · 6%與2 · 2%’確 認與實施例1相較時，該基板之耐刮性大幅改善。 對照實例3 於處理該內層表面之後，使用一個S i〇2濺靶進行濺 鍍作用，在對照實例1之基板2上形成1 0 0毫微米厚之 表層（基板1 2 )。 然後，重複實施例1之製程，以T a b e r磨蝕試驗 — I 裝 ^ 訂 . 線 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -40- 1221280 A7 B7 五、發明説明（38 ) 評估該基板之耐磨性。於1 0 0與5 0 0次磨触旋轉後之 濁度値（AHaze，％)分別爲9 · 3%與32 · 4%， 表示其與耐刮性比實施例1與3差之對照實例1相較，並 沒有實質改良。 實施例1與3以及對照實例1與3之結果說明，藉由 濺鍍作用形成S i〇2表層可以達到本發明優點。 磨鈾試驗後之實施例1與3以及對照實例1與3基板 1、2、1 1與12的濁度値（AHa z e，％)示於表5 (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) 裝· 表5 磨蝕試驗中之AHaze(%) 基板 旋轉100次之後 旋轉500次之後 實施例1 2.0 5.3 實施例3 0.6 2.2 對照實例1 14.0 36.2 對照實例3 9.3 32.4 訂 線 經濟部智慧財產局員工涓費合作社印製 實施例4 在一個光入射面未覆蓋保護層之DVD-RAM(記 錄容量2 · 6GByte/面）中，以一種摻合氧化矽粒 子之可以U V固化樹脂（由JSR C〇。，Ltd.所製之DeSolite Z7 5 03 )塗覆該基板之光入射面表面。在空氣中以6 0°C加 熱該塗膜3分鐘，以去除溶劑，並藉由U V照射（高壓水 銀燈，5 5 0 m J / c m 2 )固化。該固化膜之厚度爲 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -41 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1221280 A7 _________B7_ 五、發明説明（39 ) 3 · 4微米。以〇 · 1% (質量sdsX過氟己烷溶 液（由Daikin Industries, Ltd.所製）轉塗已經進行硬質塗層 處理之基板1表面，其中該D S X過氟己烷溶液係一種在 式（1 )範圍內之防水與防油矽烷偶合劑，並在大氣中以 6 0 °C加熱1 〇小時，進行化學吸附作用（媒介1 )。該 矽烷偶合劑膜之厚度約1 〇毫微米。 其次’以一個隨機訊號在直徑自39·5至57·5 毫米範圍內記錄該光碟，測量該記錄作用中之位元錯誤率 (BER)。整個記錄範圍內之位元錯誤率平均値爲 4 · 4 X 1 0 _ 5。然後 在該光碟整個記錄範圍內印上指 紋，並嘗試讀取該光碟。該光碟無法讀取。然後使用 Bemcot Lint Free CT-8(由 Asahi Chemical Industry Co., Ltd. .所製），以100 土 10g/cm2之壓力，自該光碟內圍 朝外圍徑向擦拭該光碟2 0次，如此擦掉該光碟上的指紋 。擦掉該指紋之後，以一個隨機訊號重複寫入該光碟，並 讀取之。BER之平均値爲2· 2xl〇-4，而讀取錯誤 率可近似初始狀態。因此，確認以一種防水與防油偶合劑 處理該光碟表面可以大幅提高對於有機污染物之抗性。此 等結果示於圖3。該經處理表面亦顯示出優良耐刮性。必 須注意的是，自該基板上形成之矽烷偶合劑膜（其間插入 一層樹脂層）一面照射該記錄/讀取光束。 對照實例4 在一個光入射面未覆蓋保護層之DVD - RAM (記 冢紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（2丨0X297公釐Ί - 42 - ~ (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁)
1221280 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A7 __ _ _ B7五、發明説明（4〇 ) 錄容量2 · 6GBy t e/面）中，以一種可以UV固化 丙烧酸樹脂（由Nippon Kayaku Co.，Ltd.所製之11〇0-3 0 9 1 )轉塗該基板之光入射面表面，並藉由UV照射 (尚壓水銀燈，5 5 OmJ/ cm2)固化。該固化膜之厚 度約3 · 3微米（媒介2)。 其次，以一個隨機訊號在直徑自39.5至57.5 毫米範圍內記錄該光碟，測量該記錄作用中之位元錯誤率 (BER)。該位元錯誤率平均値爲2 · 2x 1 0— 5。然 後在該光碟整個記錄範圍內印上指紋，並嘗試讀取該光碟 。如同媒介1情況，該光碟無法讀取。然後使用Bemcot Lint Free CT-8(由 Asahi Chemical Industry Co.，Ltd.所製）， 以1 0 0± 1 0 g/cm2之壓力，自該光碟內圍朝外圍徑 .向擦拭該光碟2 0次，如此擦掉該光碟上的指紋。擦掉該 指紋之後，以一個隨機訊號重複寫入該光碟，並讀取之。 B E R之平均値爲7 · 8 X 1 0 - 3，與初始狀態相較，顯 示出明顯惡化。換言之，使用該習用可以U V固化樹脂形 成硬質塗層的實例中，無法完全去除該指紋，而且該硬質 塗層完全沒有抗污性。此等亦結果示於圖3。該經處理表 面亦顯示出比媒介1耐刮性差。必須注意的是，自該基板 上形成該樹脂層一面照射該記錄/讀取光束。 實施例5 實施例4中，在該DVD - RAM基板表面之光入射 面上形成一層DeSolite Z7 503(由JSR Co·，Ltd.所製）膜。該 本紙張尺度適用中.國國家標隼（CNS ) A4規格（210X297公釐） -43 - (請先閲讀背面之注意事項再填寫本頁) •裝· 訂卜
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1221280 A7 B7 五、發明説明（41 ) 固化膜之厚度爲3 · 4微米。然後重複實施例3之製程， 處理該表面進行表面改良，並藉由濺鍍作用形成厚度爲 1 00毫微米之S i〇2層。重複實施例4之製程，在該 S i〇2層上形成一層厚度約1 0毫微米之砂院偶合劑膜（ 媒介1 1 )。該光碟顯示出之抗污性擁與實施例4相當， 而且其耐刮性比實施例4更佳，此與實施例3之結果一致 實施例6 '在聚碳酸酯基板上沒有保護塗層，而且該記錄層一面 具有一層可以U V固化丙烯酸樹脂保護塗層作爲最外層之 磁光碟中，重複賓施例3之製程，分別以一種摻合該氧化 .矽粒子之可以U V固化樹脂層，形成該基板表面與該記錄 層一面之保護塗層表面，然後形成一層砂院偶合劑膜（媒 介3 ) 〇 已發現如此製得之媒介3顯示出優良耐刮性以及優良 抗污性質。 自該基板一面照射該光碟，並移動與該記錄保護塗層 一面上形成的矽烷偶合劑膜接觸之磁頭，進行該光碟之記 錄與讀取作用時，已發現該經處理光碟表面可以作爲移動 磁頭中之潤滑膜，形成良好移動性質以及優良耐久性。 發明優點 如上述，本發明提出一種具有優良耐刮性之光資訊媒 1紙張尺度適用中國國家標準（〇奶）八4規格（210>< 297公釐) -44- ' (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
1221280 A7 _______B7_^_五、發明説明（42 ) 介。本發明亦可以質時間保持充分抗污性質（特別是，容 易去除該污染物）。因此，諸如光碟等光資訊媒介在未裝 入卡匣、外殼或罐子的情況下使用也不會遭遇嚴重污染問 題。 雖然已說明某些較佳具體實施例，叼是上述教示範圍 內可製得許多改良與變化。因此，須明白附錄申請專利範 圍內，可以明確說明以外之方式進行本發明。 (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁) -裝' 訂, 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印¾ 本紙張尺度適用中.國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -45 -

Claims (1)

1221280 Α8 Β8 C8 D8 夂、申請專利範圍1 1 . 一種欲以光記錄及/或讀取之光資訊媒介，其中 該媒介包括在化學吸附的矽烷偶合劑膜的媒介的至少 一個表面上的塗層，.該矽烷偶合劑包含防水或防油取代基 ’該矽烷偶合劑係由下式（1 )表示： Ri^Si(X)(Y)(Z) (1) 其中R 1爲防水或防油取代基；χ、γ與z各自爲單價 基團；且X、Υ與Ζ中至少一者爲能藉由與矽烷醇基團之 聚縮合作用而形成Si —〇一 Si鍵之基團；及 該媒介具有與該砂丨兀偶合劑膜接觸之下層，及至少該 層表面包括具有由式（2 )表示之化學鍵的化合物： Μ — A ( 2 ) 其中Μ係金屬原子（包括半金屬），及A爲選自〇、 S、S e與T e之硫族原子、氮原子或碳原子，其中該下 層包括聚二甲基矽氧烷或塗覆在樹脂上的化學吸附的焼氧 基矽烷、或包括熱塑性樹脂或含有具有式（2 )表示之化 學鍵之化合物粒子的可以活性能量束固化的樹脂。 2、 如申請專利範圍第1項之光資訊媒介，其中塗覆 該矽烷偶合劑的下層表面包括可以活性能量束固化樹脂， 該樹脂包含金屬（包括半金屬）硫族化合物粒子，且該金 屬硫族化合物粒子的平均粒子大小最高達5 0 0毫微米^ 3、 一種欲以光記錄及/或讀取之光資訊媒介，其中 該媒介包括在化學吸附的矽烷偶合劑膜的媒介的至少 一個表面上的塗層，該矽烷偶合劑包括防水或防油取代基 ，該矽烷偶合劑係由下式（1 )表示： 本紙張尺度適用中國國家摞準（CNS ) A4規格（21〇Χ29<7公釐） -------------^ II (請先閱部背面之注意事項再填寫本頁) 訂 線 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 -46 - 1221280 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 A8 B8 C8 D8六、申請專利範圍 z R〃Si(X)(Y)(Z) (1) 其中R】爲防水或防油取代基；X、Y與Z各自爲.單價 基團；且X、Y與Z中至少一者爲能藉由與矽烷醇基團之 聚縮合作用而形成S1—〇一Si鍵之基團；及 該媒介具有與該矽烷偶合劑膜接觸之下層，及該下層 具有含有金屬（包括半金屬）化合物薄膜的表面，該薄膜 的厚度最高達1微米且與該矽烷偶合劑膜相接觸，及含有 金屬（包括半金屬）化合物的層，該層係與該薄膜相接觸 且在薄層的一面.，該薄層位於該矽烷偶合劑膜背面，該層 的厚度比與該薄層的厚度爲厚，含有金屬化合物的厚層包 括含有金屬（包括半余屬）化合物粒子的可以活性能量束 固化的樹脂，或包括含有經水解的金屬（包括半金屬）化 合物之組成物，或含有聚矽胺烷鍵或S i - 0 - S i及 Si—R兩者之組成物，其中R爲烴基團。 4、 如申請專利範圍第3項之光資訊媒介，其中與該 薄層接觸之含有金屬（包括半金屬）化合物的層包括可以 活性能量束固化之樹脂，該樹脂包含選自金屬（包括半金 屬）硫族化合物、金屬（包括半金屬）氮化物與金屬（包 括半金屬）碳化物之金屬化合物粒子；且該金屬化合物粒 子之平均粒子大小最局達5 0 0晕;微米。 5、 如申請專利範圍第3項之光資訊媒介，其中與該 薄層接觸之含有金屬（包括半金屬）化合物的層包括含有 經水解的金屬（包括半金屬）化合物之組成物。. 6、 如申請專利範圍第3項之光資訊媒介，其中與該 (請先閲脅背面之注意事項再填寫本頁) -裝· 、11 線 本紙張尺度適用中國國家標準（CNS ) A4規格（210X297公釐） -47- 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1221280 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 3 薄層接觸之含有金屬（包括半金屬）化合物的層包括含有 聚矽胺烷之化合物。/ 7、 如申請專利範圍第1至6項中任一項之光資訊媒 介5其中式（1 )中之取代基R 1爲防水或防油氟烴取代基 〇 8、 如申請專利範圍第1至6項中任一項之光資訊媒 介，其中式（1 )中X、Y與Z中至少一者係選自鹵素、 一〇H、一〇R2 (其中R2爲烷基）、 —〇C (〇）CH3、一 NH2 與一 9、 如申請專利範圍第1至6項中任一項之光資訊媒 介，其中 該媒介具有形成在承載基板上的記錄及/或讀取層， 且’自含有該承載基板之媒介的一面照射光束，完成該記 錄及/或讀取作用， 及在該光束入射面形成該矽烷偶合劑膜。 1 〇、如申請專利範圍第9項之光資訊媒介，其中 該光資訊媒介係藉由磁場調變方法使用之磁光碟，其 具有在該承載基板上形成之記錄層，其中自含有該承載基 板之媒介的一面照射光束，.完成該記錄與讀取作用，且其 中磁頭係在含有該記錄層之媒介的一面上運轉， 在該光碟之光束入射面以及該磁頭面均塗覆該矽烷偶 合劑膜。 1 1、一種光資訊媒介，其包括一承載基板與一層在 該承載基板上形成之膜層，其可自含有該承載基板之媒介 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4规^洛（210X297公釐） 裝 訂 線 (請先聞讀背面之注意事項再填寫本頁) -48 - 經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1221280 A8 B8 C8 __ D8 六、申請專利範圍 4 的一面或是該膜層面照射光束進行光學記錄及/或讀取， 其中 在該媒介之光入射面塗覆一層厚度最高達1微米之薄 層’該薄層包括金屬（包括半金屬）化合物，其選自金屬 (包括半金屬）硫族化合物、金屬（包括半金屬）氮化物 與金屬（包括半金屬）碳化物，以及 含有金屬（包括半金屬）化合物的層，該層係與該薄 層相接觸且位於該光入射面的背面，該層的厚度比與該薄 層的厚度爲厚。. 1 2、一種光資訊媒介，其包括一承載基板與在該承 載基板上形成之膜層，其係自該承載基板或該膜層面照射 光進行光學記錄及/或讀取，其中 在該媒介之光入射面塗覆一層厚度最高達1微米之薄 層，該薄層包括硬碳（鑽石狀碳），以及 含有金屬（包括半金屬）化合物的層，該層係與該薄 層相接觸且位於該光入射面的背面，該層的厚度比與該薄 層的厚度爲厚，。 1 3、如申請專利範圍第1 1或1 2項之光資訊媒介 ’其中與該薄層接觸之含有金屬（包括半金屬）化合物的 層包括可以活性能量束固化之樹脂，該樹脂包含選自金屬 (包括半金屬）硫族化合物、金屬（包括半金屬）氮化物 與金屬（包括半金屬）碳化物之金屬化合物粒子；該金屬 化合物粒子之平均粒子大小最高達5 0 0毫微米。 1 4、如申請專利範圍第1 1或1 2項之光資訊媒介 本紙張尺度適用中國國家棵準（CNS ) A4規格（210X297公釐） ------1---^------訂------it (請先閲脅背面之注意事項再填寫本頁)
經濟部智慧財產局員工消費合作社印製 1221280 A8 B8 C8 D8 六、申請專利範圍 5 ，其中與該薄層接觸之含有金屬（包括半金屬）化合物的 層包括含有經水解之金屬（包括半金屬）化合物之組成物 〇 1 5、如申請專利範圍第1 1或1 2項之光資訊媒介 ，其中與該薄層接觸之含有金屬（包括半金屬）化合物的 層包括含有聚矽胺烷之化合物。 1 6、一種光資訊媒介，其包括一承載基板以及在該 承載基板上形成之膜層，其係自該承載基板或該膜層面照 射光進行光學記錄及/或讀取.，其中 在該媒介之光入射面塗覆一透光層；該透光層的至少 一部分包括可以活性能量束固化之樹脂，該樹脂包含選自 金屬（包括半金屬）硫族化合物、金屬（包括半金屬）氮 化物與金屬（包括半金屬）碳化物之金屬化合物粒子；該 金屬化合物粒子之平均粒子大小最高達5 0 0毫微米6 1 7、如申請專利範圍第4、1 1 、1 2及1 6項中 任一項之光資訊媒介，其中該金屬化合物粒子爲金屬硫族 化合物粒子。 1 8、如申請專利範圍第2、4或1 6項中任一項之 光資訊媒介，其中該金屬硫族化合物粒子爲氧化矽粒子。 1 9、如申請專利範圍第1 3項之光資訊媒介，其中 該金屬硫族化合物粒子爲氧化砂粒子。 本紙張尺度適用中國國家梂準（CNS ) A4規格（21〇X297公嫠） (請先閱讀背面之注意事項再填寫本頁)
TW090108568A 2000-04-10 2001-04-10 Optical information medium TWI221280B (en)

Applications Claiming Priority (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP2000107681 2000-04-10
JP2000309218 2000-10-10
JP2001068761A JP4590758B2 (ja) 2000-04-10 2001-03-12 光情報媒体

Publications (1)

Publication Number Publication Date
TWI221280B true TWI221280B (en) 2004-09-21

Family

ID=27343036

Family Applications (1)

Application Number Title Priority Date Filing Date
TW090108568A TWI221280B (en) 2000-04-10 2001-04-10 Optical information medium

Country Status (6)

Country Link
US (2) US6596363B2 (zh)
EP (1) EP1146510B1 (zh)
JP (1) JP4590758B2 (zh)
CN (1) CN1208770C (zh)
DE (1) DE60130597T2 (zh)
TW (1) TWI221280B (zh)

Families Citing this family (32)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
TW583642B (en) * 2001-03-23 2004-04-11 Matsushita Electric Ind Co Ltd Optical information recording medium and method for manufacturing the same
EP1443088A4 (en) 2001-09-19 2005-01-19 Tdk Corp LIQUID FOR ARTIFICIAL FINGERPRINTS, TEST METHOD FOR OPTICAL INFORMATION MEDIUM USING THE LIQUID, AND OPTICAL INFORMATION MEDIUM
AU2003221044A1 (en) * 2002-03-26 2003-10-08 Tdk Corporation Article with composite hardcoat layer and method for forming composite hardcoat layer
JP4204545B2 (ja) 2002-05-29 2009-01-07 Ｔｄｋ株式会社 光情報媒体及びその製造方法
WO2003102500A1 (fr) * 2002-06-04 2003-12-11 Olympus Corporation Procede d'obtention de coordonnees 3 d
JP2004110970A (ja) * 2002-09-19 2004-04-08 Tdk Corp ディスク状記録媒体の製造方法
WO2004040564A1 (ja) * 2002-10-30 2004-05-13 Tdk Corporation 光情報媒体の評価方法及び光情報媒体
JP3799025B2 (ja) * 2003-03-18 2006-07-19 Ｔｄｋ株式会社 光情報媒体の評価方法
US7132146B2 (en) 2003-05-09 2006-11-07 Tdk Corporation Optical recording medium
KR101102384B1 (ko) * 2003-08-14 2012-01-05 엘지전자 주식회사 광디스크, 기록방법, 기록재생장치 및 기록재생시스템
US20060227695A1 (en) * 2003-09-17 2006-10-12 Fuji Photo Film Co., Ltd. Recording media
JP4590849B2 (ja) 2003-10-03 2010-12-01 Ｔｄｋ株式会社 ハードコート剤組成物及びこれを用いた光情報媒体
JP4779293B2 (ja) 2003-10-21 2011-09-28 Ｔｄｋ株式会社 ハードコート剤組成物及びこれを用いた光情報媒体
JP4319522B2 (ja) * 2003-10-31 2009-08-26 Ｔｄｋ株式会社 光情報媒体
JP4784723B2 (ja) 2003-12-24 2011-10-05 Ｔｄｋ株式会社 ハードコート剤組成物及びこれを用いた光情報媒体
JP4078317B2 (ja) 2004-02-06 2008-04-23 Ｈｏｙａ株式会社 固体表面の評価方法、磁気ディスクの評価方法、磁気ディスクおよびその製造方法
JP4646546B2 (ja) * 2004-05-14 2011-03-09 株式会社日立製作所 光ディスク装置
US20070231527A1 (en) * 2004-11-11 2007-10-04 Mitsubishi Kagaku Media Co., Ltd. Optical Recording Medium and Method for Producing Same
JP4749741B2 (ja) * 2005-03-04 2011-08-17 富士フイルム株式会社 テンタ式乾燥機及び溶液製膜方法
US20060216524A1 (en) 2005-03-23 2006-09-28 3M Innovative Properties Company Perfluoropolyether urethane additives having (meth)acryl groups and hard coats
US20060251848A1 (en) * 2005-05-09 2006-11-09 Armstrong Sean E Optical information storage medium possessing a multilayer coating
US7622514B2 (en) * 2005-05-09 2009-11-24 Sabic Innovative Plastics Ip B.V. Curable composition and article possessing protective layer obtained therefrom
GB2437728A (en) * 2005-10-17 2007-11-07 Eques Coatings Coating for Optical Discs
JP2009032300A (ja) 2005-10-24 2009-02-12 Panasonic Corp 光情報記録媒体および光情報記録媒体の製造方法
JP4496434B2 (ja) 2005-11-24 2010-07-07 信越化学工業株式会社 多官能（メタ）アクリレート化合物、光硬化性樹脂組成物及び物品
TW200809851A (en) * 2006-04-25 2008-02-16 Victor Company Of Japan Optical storage medium
WO2009029438A1 (en) 2007-08-31 2009-03-05 3M Innovative Properties Company Hardcoats
JP4433325B2 (ja) * 2007-12-03 2010-03-17 ソニー株式会社 光情報記録媒体
EP2439230A4 (en) * 2009-06-01 2013-09-11 Tsujiden Co Ltd CURED DIGITAL IMPRESSION FILM AND METHOD FOR PRODUCING THE SAME; DISPLAY, TOUCH SCREEN, AND ELECTRONIC DEVICE USING THE SAME
TWI415961B (zh) * 2011-04-21 2013-11-21 Creating Nano Technologies Inc 抗汙薄膜之常壓蒸鍍方法
JP5841596B2 (ja) * 2011-06-06 2016-01-13 太陽誘電ケミカルテクノロジー株式会社 非晶質炭素膜層への撥水撥油層を固定する方法及び該方法により形成された積層体
WO2015182744A1 (ja) 2014-05-30 2015-12-03 三菱レイヨン株式会社 樹脂製品

Family Cites Families (22)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS6157052A (ja) * 1984-08-28 1986-03-22 Canon Inc 光学的記録媒体
JPS6347195A (ja) * 1986-08-13 1988-02-27 Fuji Photo Film Co Ltd 情報記録媒体
JP2649711B2 (ja) * 1988-10-18 1997-09-03 日本化薬株式会社 オーバーコート法
JPH03141048A (ja) * 1989-10-24 1991-06-17 Sekisui Chem Co Ltd 酸化ケイ素被覆光情報記録媒体およびその製造方法
JP2510054B2 (ja) * 1992-01-17 1996-06-26 松下電器産業株式会社 光情報記録媒体の製造方法
JPH04339333A (ja) * 1991-03-13 1992-11-26 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光情報記録媒体
JPH0589518A (ja) * 1991-09-25 1993-04-09 Victor Co Of Japan Ltd 光記録媒体
US5296263A (en) * 1992-01-07 1994-03-22 Matsushita Electric Industrial Co., Ltd. Method of manufacturing a recording medium
JP3141048B2 (ja) 1992-04-06 2001-03-05 オリンパス光学工業株式会社 ３次元計測方法及び３次元計測装置
JPH06187663A (ja) * 1992-12-17 1994-07-08 Kao Corp 光記録媒体
JPH06349119A (ja) * 1993-06-08 1994-12-22 Nikon Corp 光ディスクの製造方法
KR100209819B1 (ko) * 1993-10-18 1999-07-15 사또 아끼오 광기록매체, 광기록매체의 표면에 프린팅하는 방법및 자외선경화형잉크
JP3474330B2 (ja) 1995-10-03 2003-12-08 Ｊｓｒ株式会社 反応性シリカ粒子、その製法および用途
JPH09190648A (ja) * 1996-01-10 1997-07-22 Canon Inc 光記録媒体およびその製造方法
JPH10110118A (ja) 1996-08-13 1998-04-28 Toray Ind Inc 防汚性ハードコート剤および光記録媒体
JPH113534A (ja) * 1997-04-14 1999-01-06 Toray Ind Inc 光記録装置および光記録媒体
JPH117657A (ja) * 1997-04-21 1999-01-12 Hitachi Maxell Ltd 光記録媒体、光ヘッド及び光記録装置
DE69713342D1 (de) * 1997-12-09 2002-07-18 Agfa Gevaert Nv Eine dünne Metallschicht enthaltendes Material für Aufzeichnung nach dem Wärmeverfahren
JPH11185313A (ja) * 1997-12-24 1999-07-09 Tosoh Corp 光記録媒体
JPH11203726A (ja) 1998-01-09 1999-07-30 Sony Corp 光ディスク
JPH11213444A (ja) 1998-01-30 1999-08-06 Sony Corp 光記録媒体
US6544716B1 (en) * 1998-06-19 2003-04-08 Terastor Corporation Multilayer optical medium for near-field optical recording and reading

Also Published As

Publication number Publication date
CN1208770C (zh) 2005-06-29
CN1321972A (zh) 2001-11-14
DE60130597T2 (de) 2008-07-03
US6866884B2 (en) 2005-03-15
US20010041242A1 (en) 2001-11-15
JP2002190136A (ja) 2002-07-05
EP1146510A1 (en) 2001-10-17
DE60130597D1 (de) 2007-11-08
US20030211276A1 (en) 2003-11-13
JP4590758B2 (ja) 2010-12-01
US6596363B2 (en) 2003-07-22
EP1146510B1 (en) 2007-09-26

Similar Documents

Publication Publication Date Title
TWI221280B (en) Optical information medium
JP4525805B2 (ja) 複合ハードコート層付き物体及び複合ハードコート層の形成方法
TWI261247B (en) Object having composite hardcoat layer and method forming the composite hardcoat layer
TWI240923B (en) Optical information medium and its evaluation method
TWI307502B (en) Article with complex hard coat layer and process for forming complex hard coat layer
TWI272975B (en) Article with complex hard coat layer and process for forming complex hard coat layer
US7493801B2 (en) Artificial finger print liquid, testing method for optical information medium using it, and optical information medium
JP3779663B2 (ja) 光情報媒体の試験方法
JP4191742B2 (ja) 光情報媒体表面への擬似指紋液の転写方法
JP4061095B2 (ja) 光学的情報記録媒体およびその製造方法
KR20050009715A (ko) 광정보매체 및 그의 제조방법
US6440518B1 (en) Coating for optical information disks
JP3886520B2 (ja) 光情報媒体
JP2008287883A (ja) 光情報媒体
JP3886519B2 (ja) 光情報媒体の試験方法
JP2005194485A (ja) ハードコート組成物及びハードコート層形成方法。
JP4794116B2 (ja) 光情報媒体
JP2012018756A (ja) 光情報媒体の評価方法

Legal Events

Date Code Title Description
MM4A Annulment or lapse of patent due to non-payment of fees