JPH04339333A - 光情報記録媒体 - Google Patents

光情報記録媒体

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JPH04339333A
JPH04339333A JP3116206A JP11620691A JPH04339333A JP H04339333 A JPH04339333 A JP H04339333A JP 3116206 A JP3116206 A JP 3116206A JP 11620691 A JP11620691 A JP 11620691A JP H04339333 A JPH04339333 A JP H04339333A
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JP
Japan
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optical information
recording medium
film
oxide layer
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JP3116206A
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Sanemori Soga
眞守 曽我
Shinji Ozaki
伸司 尾崎
Norihisa Mino
規央 美濃
Kazufumi Ogawa
一文 小川
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Panasonic Holdings Corp
Original Assignee
Matsushita Electric Industrial Co Ltd
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    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y30/00Nanotechnology for materials or surface science, e.g. nanocomposites
    • BPERFORMING OPERATIONS; TRANSPORTING
    • B82NANOTECHNOLOGY
    • B82YSPECIFIC USES OR APPLICATIONS OF NANOSTRUCTURES; MEASUREMENT OR ANALYSIS OF NANOSTRUCTURES; MANUFACTURE OR TREATMENT OF NANOSTRUCTURES
    • B82Y10/00Nanotechnology for information processing, storage or transmission, e.g. quantum computing or single electron logic

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  • Theoretical Computer Science (AREA)
  • Composite Materials (AREA)
  • Condensed Matter Physics & Semiconductors (AREA)
  • General Physics & Mathematics (AREA)
  • Materials Engineering (AREA)
  • Optical Record Carriers And Manufacture Thereof (AREA)

Abstract

(57)【要約】本公報は電子出願前の出願データであるた
め要約のデータは記録されません。

Description

【発明の詳細な説明】
【0001】
【産業上の利用分野】本発明は、光ディスク、ビデオデ
ィスクあるいはデジタルオーディオディスクなどに適用
しうる光情報記録媒体に関するものである。
【0002】
【従来の技術】近年、透明な基板の片面に光エネルギー
によって変化可能な記録層を形成し、基板側からレーザ
ー光線によって記録・再生を行う光情報記録媒体が、急
速に実用化されつつある。記録層の材料開発のみならず
記録層の水分や酸素による劣化を防止しする保護膜の開
発も行われている(特開昭59−68850号公報)。
【0003】保護層は透湿率の低い材質からなり、無機
物では、SiO2 、MgO、Al2 O3 等の酸化
物が用いられている。また有機物としては、ポリプロピ
レン、エチレン−酢酸ビニル共重合体、ポリ塩化ビニリ
デン等が用いられている。
【0004】以上のように構成された光情報記録媒体に
ついて、以下その防湿について説明する。まず、基板を
通って侵入する水分を防ぐために、酸化物やフッ化物を
基板の表面に設けている。これらの無機材料は一般的に
透湿率が低いので、光情報記録媒体が、高湿度雰囲気中
に放置されても記録層の腐食をある程度改善できる。ま
た、これらの無機材料の代わりに、ポリ塩化ビニリデン
等比較的透湿率の低い有機高分子を用いて、同じように
記録層の腐食を防いでいる。さらに有機高分子系保護膜
としてエポキシ樹脂等の架橋型樹脂膜が提案されている
(特開昭57−70694号公報)。
【0005】
【発明が解決しようとする課題】しかしながら上記のよ
うな保護層では、次のような問題がある。 (1)酸化物やフッ化物等の無機材料は、透明基板との
接着力が弱く、高温高湿中に放置すると剥離やクラック
が生じる。 (2)酸化物やフッ化物はち密な薄膜をつくりにくい。 (3)有機高分子材料では透湿率が低くても、水分子の
バリヤー性に限界があり、高温高湿中に長時間放置する
と防湿効果がなくなる。 (4)高温高湿下で長期保存する場合、架橋型樹脂は、
空隙が多く透湿率が高いので水分による記録層の劣化が
生じやすい。
【0006】これらの理由で、高温高湿中で光情報記録
媒体を保存すると、記録層が腐食し劣化するという問題
を有していた。本発明は上記の欠点に鑑み、防湿性、耐
食性にすぐれた光情報記録媒体を提供することを目的と
する。
【0007】
【課題を解決するための手段】前記目的を達成するため
、本発明の光情報記録媒体は、光情報記録層を設けた透
明基板の外側表面にシロキサン結合を有する化学吸着膜
を設けたという構成からなる。
【0008】また本発明の第2番目の発明の光情報記録
媒体は、基板の片面に設けられた光情報記録層の表面に
無機酸化物層を形成し、前記無機酸化物層表面もしくは
前記無機酸化物層と前記透明基板の両面にシロキサン結
合を有する化学吸着膜が設けられているという構成から
なる。
【0009】前記構成においては、化学吸着膜がフッ化
アルキル基を含有することが好ましい。また前記構成に
おいては、化学吸着膜が単分子膜であることが好ましい
【0010】また前記構成においては、無機酸化物層が
SiO2 、TiO2 、Al2 O3 の少なくとも
一つを含むことが好ましい。また前記構成においては、
基板が実質的に透明な樹脂製であることが好ましい。
【0011】さらに前記構成においては、無機酸化物層
の厚さが1〜500nmであることが好ましい。
【0012】
【作用】前記した本発明の構成によれば、化学吸着膜は
、ち密でクラックが発生しにくく、水分子を透過しにく
い。また、化学吸着膜と無機酸化物層あるいは透明基板
とはシロキサン結合を介して化学結合しているので、剥
離しない。ゆえに本構成からなる光情報記録媒体は、防
湿性、耐食性が優れている。
【0013】また、化学吸着膜がフッ化アルキル基を含
有するという本発明の好ましい構成によれば、フッ素の
撥水性を利用してさらに防湿性、耐食性を向上すること
ができる。
【0014】また、化学吸着膜が単分子膜であるという
本発明の好ましい構成によれば、きわめて薄く透明性の
良好な保護膜とすることができる。また、無機酸化物層
がSiO2 、TiO2 、Al2 O3の少なくとも
一つを含むという本発明の好ましい構成によれば、これ
らの無機酸化物層も防湿性、耐食性を発揮するから、さ
らに優れた防湿性、耐食性を有する。とくにSiO2 
層の場合は、シロキサン結合の密度を高くできるので、
緻密な化学吸着膜を形成することができる。
【0015】さらに、透明基板が樹脂製であるという本
発明の好ましい構成によれば、取扱いの良好な光情報記
録媒体とすることができる。
【0016】
【実施例】以下本発明の実施例について、図面を参照し
ながら説明する。図1は本発明の第1番目の発明の一実
施例における光情報記録媒体の断面図である。図1にお
いて、1は透明基板、2は記録層、3はシロキサン結合
、4は化学吸着膜である。
【0017】次に図3は本発明の第2番目の発明の一実
施例における光情報記録媒体の断面図である。図3にお
いて、11は透明基板、12は光情報記録層、13は金
属酸化物層、14はシロキサン結合、15は化学吸着膜
である。
【0018】本発明で使用できる透明基板1,11の例
としては、ポリカーボネート、アクリル樹脂等が上げら
れる。金属酸化物層13としてはSiO2 、TiO2
 、Al2 O3 等が透明性の点から、好ましい。ま
た、SiO2 の場合は、通常のガラス基板と同じよう
に表面に水酸基が高密度で存在するので、テトラクロロ
シランで前処理しなくてもクロロシラン系界面活性剤を
高密度で形成できる。
【0019】金属酸化物層13を形成するにあたっては
、スパッタリング法、真空蒸着法等の方法で形成するこ
とができる。本発明により、光情報記録層2上に、金属
酸化物層3を形成する場合、その膜厚は1〜500nm
が好ましい。前記膜厚を500nmより大きくすると、
剥離あるいはクラックが生じやすくなる。また、1nm
より小さくすると、ピンホールが生じやすくなって、化
学吸着膜を形成しにくくなる。
【0020】本発明の光情報記録媒体において、化学吸
着膜4,15を構成する材料としては、一例としてフッ
化アルキル基を有するクロロシラン系界面活性剤を用い
ることができる。
【0021】フッ化アルキル基を有するクロロシラン系
界面活性剤としては、例えばCF3 (CF2 )7 
(CH2 )2 SiCl3 ,CF3 CH2 O(
CH2 )15SiCl3 ,CF3 (CH2 )2
 Si(CH3 )2 (CH2 )15SiCl3 
,F(CF2 )4 (CH2 )2 Si(CH3 
)2 (CH2 )9 SiCl3 ,F(CF2 )
8 (CH2 )2 Si(CH3 )2 (CH2 
)9 SiCl3 ,CF3 COO(CH2 )15
SiCl3 ,CF3 (CF2 )5 (CH2 )
2 SiCl3 などのようなトリクロロシラン系界面
活性剤をはじめ、例えばCF3 (CF2 )7 (C
H2 )2 SiCln (CH3 )3−n ,CF
3 (CF2 )7 (CH2 )2 SiCln (
C2 H5 )3−n ,CF3 CH2O(CH2 
)15SiCln (CH3 )3−n ,CF3 C
H2O(CH2 )15SiCln (C2 H5 )
3−n ,CF3 (CH2 )2 Si(CH3 )
2 (CH2 )15SiCln (CH3 )3−n
 ,F(CF2 )4 (CH2)2 Si(CH3 
)2 (CH2 )9 SiCln (C2 H5 )
3−n ,F(CF2 )8 (CH2 )2 Si(
CH3 )2 (CH2 )9 SiCln (CH3
 )3−n ,CF3 COO(CH2 )15SiC
ln (CH3 )3−n ,CF3 (CF2 )5
 (CH2 )2 SiCln (CH3 )3−n 
(但し式中のnはいずれも1又は2)等のような低級ア
ルキル基置換のモノクロロシラン系あるいはジクロロシ
ラン系界面活性剤が挙げられる。
【0022】これらの中でもとくにトリクロロシラン系
界面活性剤は、親水性基と結合したクロロシリル結合以
外のクロロシリル結合が、隣合うクロロシラン基とシロ
キサン結合で分子間結合を形成するため、より強固な化
学吸着膜となる。この理由からトリクロロシラン系界面
活性剤は、好ましい化学吸着膜の材料である。また、C
F3 (CF2 )n CH2 CH2 SiCl3 
(但し式中のnは整数であり、3〜25程度が最も扱い
やすい)が、溶剤溶解性、化学吸着性と撥水・防汚性等
の機能性との釣合が取れているため好ましい。さらにま
た、フッ化アルキル鎖部分にエチレン基やアセチレン基
を組み込んでおけば、化学吸着膜形成後5メガラド程度
の電子線照射で架橋できるのでさらに化学吸着膜自体の
硬度を向上させることも可能である。
【0023】本発明に使用できるクロロシラン系界面活
性剤は、上述に例示したように直鎖状だけではなく、フ
ッ化アルキル基又は炭化水素基が分岐した形状でも、又
は末端の珪素にフッ化アルキル基もしくは炭化水素基が
置換した形状(即ちR、R1 、R2 、R3 をフッ
化アルキル基又は炭化水素基として一般式R2 SiC
l2 、R3 SiCl、R1 R2 SiCl2 も
しくはR1 R2 R3 SiCl等)であってもよい
が、吸着密度を高めるためには一般には直鎖状が好まし
い。さらに、例えば、SiCl4 、SiHCl3 、
SiH2 Cl2 、Cl−(SiCl2 O)n −
SiCl3 (但し式中nは自然数)、SiClm (
CH3 )4−m 、SiClm (C2 H5 )4
−m (但し式中mは1〜3の整数)、HSiCll 
(CH3 )3−l 、HSiCll (C2 H5 
)3−l (但し式中lは1又は2)等のようなクロロ
シリル結合を複数個含む物質を化学吸着させた後、水と
反応すると、表面のクロロシリル結合が親水性のシラノ
ール結合に変わり、金属酸化物層や透明基板の水酸基密
度を増加させることができる。
【0024】なお、このクロロシリル基を複数個含む物
質の中でも、テトラクロロシラン(SiCl4 )は反
応性が高く分子量も小さいためより高密度にシラノール
結合を付与できるため好ましい。
【0025】このようにして親水基密度を増加させると
、透明基板の酸化処理よりも水酸基密度をより高くする
ことができる。この上に例えばフッ化アルキル基を含む
クロロシラン系界面活性剤を化学吸着でき、このように
して得た化学吸着膜はより高密度化されるため、防湿性
、耐食性等の機能がより高められる。
【0026】本発明の化学吸着膜を形成する方法は、透
明基板表面を酸化処理して親水性にする工程と、酸化処
理した透明基板表面あるいは金属酸化物層表面を非水系
の有機溶媒に浸漬等により接触させて、基材の表面にク
ロロシラン系界面活性剤を化学吸着させ、シロキサン結
合を介してフッ化アルキル基を含有する化学吸着膜を形
成する工程を含むことが好ましい。
【0027】前記透明基板表面を酸化処理する手段とし
ては、例えば酸素プラズマ処理、コロナ処理、もしくは
濃硫酸と重クロム酸カリウムの混合溶液に浸漬する方法
(クロム混酸液処理)等通常の手法が適用される。
【0028】本発明の光記録媒体表面にシロキサン結合
を介してフッ化アルキル基を含有する化学吸着膜を形成
する方法に用いる溶媒は、化学吸着膜を形成するプラス
チック成形品を溶解せず、かつクロロシラン系界面活性
剤と反応する活性水素を持たない有機溶媒であればよい
。その例として例えば1,1−ジクロロ,1−フルオロ
エタン、1,1−ジクロロ,2、2、2−トリフルオロ
エタン、1,1−ジクロロ,2,2,3,3,3−ペン
タフルオロプロパン、1,3−ジクロロ,1,1,2,
2,3−ヘプタフルオロプロパン、フルオロアルキル基
を有する三級アミンあるいはフルオロアルキル基を有す
る環状エーテル等のフッ素系溶媒、例えばヘキサン、オ
クタン、ヘキサデカン、シクロヘキサン等の炭化水素系
溶媒、例えばジブチルエーテル、ジベンジルエーテル等
のエーテル系溶媒、例えば、酢酸メチル、酢酸エチル、
酢酸イソプロピル、酢酸アミル等エステル系溶媒の何れ
かが好ましい。
【0029】また、本発明の光記録媒体表面に形成され
る化学吸着膜は、単分子化学吸着膜一層だけでも充分に
機能が発揮される。単分子化学吸着膜を一層だけ形成す
るには、クロロシラン系界面活性剤又はクロロシリル基
を複数個含む物質を化学吸着した後、水分に接触させな
いで非水系の溶剤で洗浄するだけでよく、特別な工程を
要しなく簡便に行える。また、化学吸着膜は単分子膜が
累積していても良いこと勿論である。このように、化学
吸着膜が単分子膜を形成すると、付与された機能性を示
す基が配向し、密度も向上するためより高機能を発揮で
きる。
【0030】次に具体的実施例を用いて本発明を説明す
る。 実施例1 厚み1.2mm、直径120mmのポリカーボネート基
板1の片面に、真空蒸着でTe,TeO2 を主成分と
する光情報記録層2を設け、さらにその上に、UV硬化
型接着剤を用いて前記ポリカーボネート基板1と同じも
のをはりつける。このようにしてつくったディスクを用
い、UVドライ・ストリッパー(UV−1、サムコイン
ターナショナル製)中で酸素流量1l/minの条件で
酸素プラズマ処理を10分間施して表面を酸化処理した
後、フッ化アルキル基を含むクロロシラン系界面活性剤
としてヘプタデカフルオロデシルトリクロロシランを用
い、濃度10−2mol /lのシクロヘキサン溶液に
窒素雰囲気下室温で60分間浸漬し、引き続いて未反応
のヘプタデカフルオロデシルトリクロロシランをシクロ
ヘキサンで洗浄して、しかる後純水で洗浄し、フッ化ア
ルキル基4を含むシロキサン結合3を介した化学吸着単
分子膜をポリカーボネート基板1,1表面に形成した。
【0031】実施例2 実施例1の、ヘプタデカフルオロデシルトリクロロシラ
ンをトリデカフルオロオクチルトリクロルシランに、シ
クロヘキサンを1,1−ジクロロ,2,2,3,3,3
−ペンタフルオロプロパンに変えて、実施例1と同様に
実験をした。
【0032】実施例3 実施例1のヘプタデカフルオロオクチルトリクロロシラ
ンをパーフルオロドデシルトリクロルシランに変えて、
実施例1と同様の実験をした。
【0033】実施例4 実施例1において酸素プラズマ処理した後、まず1wt
%のテトラクロロシランのシクロヘキサン溶液に窒素雰
囲気下室温で60分間浸漬し、引き続いて未反応のテト
ラクロロシランをシクロヘキサンで洗浄して、しかる後
純水で洗浄し、乾燥した試料を用いて実施例1と同様の
実験をした。
【0034】比較例1 実施例1において透明基板上に化学吸着膜の代わりに、
窒化ケイ素膜をプラズマCVD法により150nm設け
た。
【0035】比較例2 実施例1において透明基板上に化学吸着膜の代わりに、
SiO2 膜を真空蒸着法により150nm設けた。
【0036】比較例3 実施例1において透明基板上に化学吸着膜の代わりに、
エチレンー酢酸ビニル共重合体を150nm設けた。
【0037】比較例4 保護膜なし。以上の試料を70℃、80%RH中に放置
し、光(830nm)の透過率の時間変化を調べた。そ
の結果を(図2)に示す。図2において、曲線Aは実施
例1〜4、Bは比較例1、Cは比較例2、Dは比較例3
、Eは比較例4のそれぞれの透過率の時間変化を示す。
【0038】図2からも明らかなように、本実施例の光
情報記録媒体はいずれも1000時間後においても透過
率がほとんど変化せず、記録膜が高温高湿中で腐食劣化
せずに安定であることがわかる。それに反して、比較例
のものは10〜100時間で保護膜の剥離、クラック等
により記録膜が腐食劣化し、透過率が著しく低下した。
【0039】実施例5 厚み1.2mm、直径120mmのポリカーボネート基
板11の片面に、真空蒸着でTe,TeO2 を主成分
とする光情報記録層12を設け、さらにその上に、スパ
ッタ法により、膜厚10nmのSiO2 を金属酸化物
層13として形成した。このようにしてつくったディス
クを用い、UVドライ・ストリッパー(UV−1、サム
コインターナショナル製)中で酸素流量1l/minの
条件で酸素プラズマ処理を10分間施してポリカーボネ
ート基板表面を酸化処理した後、フッ化アルキル基を含
むクロロシラン系界面活性剤としてヘプタデカフルオロ
デシルトリクロロシランを用い、濃度10−2mol 
/lのシクロヘキサン溶液に窒素雰囲気下室温で60分
間浸漬し、引き続いて未反応のヘプタデカフルオロデシ
ルトリクロロシランをシクロヘキサンで洗浄して、しか
る後純水で洗浄し、フッ化アルキル基を含むシロキサン
結合14を介した化学吸着単分子膜15をSiO2 層
13表面およびポリカーボネート基板表面11に形成し
た。
【0040】実施例6 実施例5の金属酸化物層をSiO2 からTiO2 に
変えて、実施例5と同様に実験をした。
【0041】実施例7 実施例5の金属酸化物層をSiO2 からAl2 O3
 に変えて、実施例5と同様の実験をした。
【0042】実施例8 実施例5において酸素プラズマ処理した後、まず1wt
%のテトラクロロシランのシクロヘキサン溶液に窒素雰
囲気下室温で60分間浸漬し、引き続いて未反応のテト
ラクロロシランをシクロヘキサンで洗浄して、しかる後
純水で洗浄し、乾燥した試料を用いて実施例5と同様の
実験をした。
【0043】実施例9 実施例5において、ヘプタデカフルオロデシルトリクロ
ロシランを9−(ヘプタデカフルオロデシルジメチルシ
リルノニルトイリクロロシランに、シクロヘキサンをト
リ(nーノナフルオロブチル)アミンに変えて、実施例
1と同様の実験をした。
【0044】比較例5 実施例5において化学吸着膜を形成しない試料を作った
。以上の試料を70℃、80%RH中に放置し、光(8
30nm)の透過率の時間変化を調べた。その結果を図
4に示す。図4において、曲線Fは実施例1〜5、Gは
比較例1の透過率の時間変化を示す。
【0045】図4からも明らかなように、本実施例の光
情報記録媒体はいずれも1000時間後においても透過
率がほとんど変化せず、記録膜が高温高湿中で腐食劣化
せずに安定であることがわかる。これに対して比較例の
ものは10〜100時間で保護膜の剥離、クラック等に
より記録膜が腐食劣化し、透過率が著しく低下した。
【0046】なお実施例では、光情報記録層はTe,T
eO2 系の記録膜を用いて説明したが、これに限定さ
れるものではなく、Tb・Fe・Co系膜、Al系膜な
ど他の光情報記録膜でも同様の効果が期待できる。
【0047】
【発明の効果】以上のように本発明は、光情報記録層を
内側に設けた透明基板の外側表面にシロキサン結合を有
する化学吸着膜を設けることにより、防湿性、防食性を
向上させることができ、その実用効果は大なるものがあ
る。
【0048】また、透明基板の片面に設けられた光情報
記録層上に金属酸化物層を形成し、その金属酸化物層表
面もしくは前記金属酸化物層と前記透明基板の両面にシ
ロキサン結合を有する化学吸着膜を設けることにより、
さらに防湿性、防食性を向上させることができ、その実
用効果は大なるものがある。
【図面の簡単な説明】
【図1】本発明の第1番目の発明の一実施例の光情報記
録媒体を分子レベルまで拡大した断面モデル図である。
【図2】同実施例および比較例における光情報記録媒体
の70℃、80%RH中における、光(830nm)透
過率の経時変化を示す図である。
【図3】本発明の第2番目の発明の一実施例の光情報記
録媒体を分子レベルまで拡大した断面モデル図である。
【図4】同実施例および比較例における光情報記録媒体
の70℃、80%RH中における、光(830nm)透
過率の経時変化を示す図である。
【符号の説明】
1  透明基板 2  記録層 3  シロキサン結合 4  化学吸着膜単分子膜 11  透明基板 12  光情報記録層 13  金属酸化物層 14  シロキサン結合 15  化学吸着膜 A  実施例1〜4の透過率変化曲線 B  比較例1の透過率変化曲線 C  比較例2の透過率変化曲線 D  比較例3の透過率変化曲線 E  比較例4の透過率変化曲線 F  実施例5〜9の透過率変化曲線 G  比較例5の透過率変化曲線

Claims (7)

    【特許請求の範囲】
  1. 【請求項1】  光情報記録層を設けた透明基板の外側
    表面にシロキサン結合を有する化学吸着膜が設けられた
    光情報記録媒体。
  2. 【請求項2】  基板の片面に設けられた光情報記録層
    の表面に無機酸化物層を形成し、前記無機酸化物層表面
    もしくは前記無機酸化物層と前記透明基板の両面にシロ
    キサン結合を有する化学吸着膜が設けられた光情報記録
    媒体。
  3. 【請求項3】  化学吸着膜が、フッ化アルキル基を含
    有する請求項1または2に記載の光情報記録媒体。
  4. 【請求項4】  化学吸着膜が単分子膜である請求項1
    または2に記載の光情報記録媒体。
  5. 【請求項5】  無機酸化物層がSiO2 、TiO2
     、Al2 O3 の少なくとも一つを含む請求項1ま
    たは2に記載の光情報記録媒体。
  6. 【請求項6】  基板が実質的に透明な樹脂製である請
    求項1または2に記載の光情報記録媒体。
  7. 【請求項7】  無機酸化物層の厚さが1〜500nm
    である請求項1または2に記載の光情報記録媒体。
JP3116206A 1991-01-17 1991-05-21 光情報記録媒体 Pending JPH04339333A (ja)

Priority Applications (3)

Application Number Priority Date Filing Date Title
JP3116206A JPH04339333A (ja) 1991-03-13 1991-05-21 光情報記録媒体
US07/848,914 US5268211A (en) 1991-01-17 1992-03-10 Optical recording medium
US08/092,871 US5397597A (en) 1991-01-17 1993-07-19 Optical recording medium and method of manufacturing the same

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Cited By (5)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002190136A (ja) * 2000-04-10 2002-07-05 Tdk Corp 光情報媒体
JP2006109556A (ja) * 2004-10-01 2006-04-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 絶縁フィルムの製造方法および当該フィルムを用いた回転電機固定子と密閉型圧縮機
US7092091B2 (en) 2003-03-18 2006-08-15 Tdk Corporation Method of evaluating optical information medium
US7138155B2 (en) 2002-10-30 2006-11-21 Tdk Corporation Method for evaluating optical information medium and optical information medium
US7186438B2 (en) 2001-09-19 2007-03-06 Tdk Corporation Artificial finger print liquid, testing method for optical information medium using it, and optical information medium

Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS56156940A (en) * 1980-05-02 1981-12-03 Toshiba Corp Optical recording element
JPS5766541A (en) * 1980-10-09 1982-04-22 Toshiba Corp Optical disk
JPS58111141A (ja) * 1981-12-23 1983-07-02 Fujitsu Ltd 情報記録媒体
JPS59168946A (ja) * 1983-03-16 1984-09-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光デイスク
JPS5945745B2 (ja) * 1976-05-26 1984-11-08 日立金属株式会社 永久磁石材料およびその製造方法
JPS61188753A (ja) * 1985-02-18 1986-08-22 Fuji Photo Film Co Ltd レ−ザ−記録材料
JPH03198232A (ja) * 1989-12-26 1991-08-29 Hitachi Ltd 光記録媒体

Patent Citations (7)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JPS5945745B2 (ja) * 1976-05-26 1984-11-08 日立金属株式会社 永久磁石材料およびその製造方法
JPS56156940A (en) * 1980-05-02 1981-12-03 Toshiba Corp Optical recording element
JPS5766541A (en) * 1980-10-09 1982-04-22 Toshiba Corp Optical disk
JPS58111141A (ja) * 1981-12-23 1983-07-02 Fujitsu Ltd 情報記録媒体
JPS59168946A (ja) * 1983-03-16 1984-09-22 Matsushita Electric Ind Co Ltd 光デイスク
JPS61188753A (ja) * 1985-02-18 1986-08-22 Fuji Photo Film Co Ltd レ−ザ−記録材料
JPH03198232A (ja) * 1989-12-26 1991-08-29 Hitachi Ltd 光記録媒体

Cited By (14)

* Cited by examiner, † Cited by third party
Publication number Priority date Publication date Assignee Title
JP2002190136A (ja) * 2000-04-10 2002-07-05 Tdk Corp 光情報媒体
JP4590758B2 (ja) * 2000-04-10 2010-12-01 Tdk株式会社 光情報媒体
US7493801B2 (en) 2001-09-19 2009-02-24 Tdk Corporation Artificial finger print liquid, testing method for optical information medium using it, and optical information medium
US7186438B2 (en) 2001-09-19 2007-03-06 Tdk Corporation Artificial finger print liquid, testing method for optical information medium using it, and optical information medium
US7235125B2 (en) 2001-09-19 2007-06-26 Tdk Corporation Artificial finger print liquid, testing method for optical information medium using it and optical information medium
US7264860B2 (en) 2001-09-19 2007-09-04 Tdk Corporation Artificial finger print liquid, testing method for optical information medium using it, and optical information medium
EP2003181A2 (en) * 2001-09-19 2008-12-17 TDK Corporation Artificial finger print liquid, testing method for optical information medium using it and optical information medium
EP2003181A3 (en) * 2001-09-19 2009-04-15 TDK Corporation Artificial finger print liquid, testing method for optical information medium using it and optical information medium
US7638171B2 (en) 2001-09-19 2009-12-29 Tdk Corporation Artificial finger print liquid, testing method for optical information medium using it, and optical information medium
US7138155B2 (en) 2002-10-30 2006-11-21 Tdk Corporation Method for evaluating optical information medium and optical information medium
US7338695B2 (en) 2002-10-30 2008-03-04 Tdk Corporation Method for evaluating optical information medium and optical information medium
US7524549B2 (en) 2002-10-30 2009-04-28 Tdk Corporation Method for evaluating optical information medium and optical information medium
US7092091B2 (en) 2003-03-18 2006-08-15 Tdk Corporation Method of evaluating optical information medium
JP2006109556A (ja) * 2004-10-01 2006-04-20 Matsushita Electric Ind Co Ltd 絶縁フィルムの製造方法および当該フィルムを用いた回転電機固定子と密閉型圧縮機

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