TW594304B - Liquid crystal display device - Google Patents

Description

594304 1 號 911M415 五、發明說明（1) [發明領域] 本發明係有關於 是一種可以提昇晝像 月 曰 =晶 _ 示裝置（LCD device) 質的液晶顯示裝置。 特別 [發明背景] 近年來，一些關於平面。 顯干哭目女 L s 卞”、、員不為的研究已有許多。液3曰 ,不态具有一些優點，例如·古 從日日 r.tl· X ^ ^ 1 j 戈·问反襯比（high contrast 圭像，、功：；/肖耗，以及顯示特性適合於反襯及移動 液晶顯示目前正被使用於額外擴充的區： 々取代陰極射線官（cathode ray tube)以克服陰極射線 官的缺點。 該液晶顯示裝置包括有：一開關元件，一畫素電極 (pixel electrode)，一陣列基層（array substrate)，一

普通電極，一彩色濾光片層（colorfilter layer)，一彩 色濾光片基層（c〇l〇r filter substrate)，以及一液晶 層。該開關元件施加或中斷一電壓於該晝素電極上，該晝 素電極作動為一可穿透光經過之區域，且施加一訊號電壓 至該液晶層上。該陣列基層包括有一儲存電容、其乃為了 降低位準移動電壓及為了保持晝素訊息（P 1 xe 1 information)。該普通電極使用一來自畫素電極的電壓差 而在液晶層上形成一電場。該彩色慮光片層顯示出顏色以 及選擇性的傳導光，該彩色滤光片基層包括有一黑矩陣 (black matrix)其係用以防止光線進入一個其液晶排列不 可控制的區域。而該浪晶層被形成於陣列基層和彩色濾光 片基層之間。

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修正 4細地1兄’上述儲存電容乃是在薄膜電晶體的關閉期 =維持該電壓的儲存在一液體電容，係作為處理因寄生電 ^所引起的晝質降低。該儲存電容依照如何去形成其本身 電極’而被區々為儲存電容型式（st〇rage capacitance ype)以及補充電谷型式（suppiement capacitance type)。在該儲存電容型式中，儲存電容之任一電極係為 被分開地提供。在該補充電容型式中，一部份的第（n _ j ) 條掃描線被使用作為第η個晝素的儲存電容的電極。 -亥補充電谷型式具有一高孔徑比（aperture ratio)， 此乃因其對4電谷沒有使用分離線之故，並且藉由信號線 及電容線之無交錯部份使其具有一高產率。然而，因為點 反轉（dot-inversion)和行反轉（c〇iumn inversi〇n)不能 完全被獲得，該畫質是相當地低劣。 另一方面而言，在該儲存電容型式中提供分離線 (separate 1 ines)給電容，該孔徑比被降得較低但是畫質 伸破提昇。因此，該儲存電容型式是更適合於一視訊顯示 兀件’假如該元件能夠克服低孔徑比的問題的話。 參閱所附之圖，一相關技藝之LCD裝置將被描述於如 下0 如圖1所示，其係描述LCD裝置相關技術之平面視圖及 图2所示其係為顯示一晝素之等效電路（equivaient c i r cu i t)圖。 ^ 補充電容型式的LCD裝置，一般而言包括有：形成於 第一基層上之掃描線Π，一絕緣膜（圖中並未顯示）形成於 t括有掃描線丨1之第一基層之全部表面上，信號線（data

第7頁 594304 -麵一腿415__年月 日 倐正_ 五、發明說明（3) 1 ines) 14其係與掃描線π交錯並定義為一畫素區域，一上 層電容器電極14C形成在掃描線丨丨上面之閘極絕緣膜（gate 1 n1 at 1 ng f 1 1 m )的預定部份、其形成時間與信號線被形 成相同，一開關元件被置於掃描線丨丨及信號線 lines)14 的交錯部位，一鈍化膜（passivati〇n Π1πι) (圖未顯示）被形成於包括有一開關元件之第一基層之全部 表面上、以一預定厚度形成之，及一具有由氧化銦錫 (IncHum Tm 〇X1de，ITO)製成的畫素電極19之陣列基層 (array substrate)、其係透過第一及第二接觸孔 (contact holes) 17和18而與開關元件及相鄰之上層電容 器電極1 4 C相互連接。 此時，該掃描線11的一預定部份提供作為一下層電容 器電極。 依據所述，該儲存電容器，其係包括有：該上層電容 器電極14C ,與。上層電容器電極並排之掃描線n，以及置 入於上層電容器電極1 4C與掃描線1 1間之閘極絕緣膜，在 液晶中用以保持電荷儲存。

苓照圖2，該寄生電容（parasitic capacitane幻〔以 通常是由問電極G與源/汲電極S/D交錯之部份所產生而來 的。此寄生電容引起直流電壓偏位AVp，此乃由一交流電 壓施加到液晶上所引起。該直流電壓偏位具有不良的 影響產生，例如畫面閃爍（flicker)，影像黏著（image sticking)，並且產生螢幕的不平坦的亮度，為了解決上 述該些問題，該儲存電容器係被設計為用來提供儲存電容 C s ΐ藉由降低△ V p的改變來提昇畫像品質。

第8頁 594304 案號 mn“]5 五、發明說明（4) 雖然該儲存電容Cst當儲存電 女日车奋p左#%々上的尺寸變仔車父 低。；：，；。=得太大時’該孔徑比會變得較 ^。以㈣存電容電極必須被維持在—種最適化的尺 0 ^卜丄由開關元件的閘電極1 la與源/汲電極⑷和14b 所开y成的父叉部份之尺寸，可能合 认崎圼i上、， J此θ由於照相平版印刷製程 計尺寸較大些。在此種情況下，該寄生電 谷會增大、而且不能獲致平坦的值。 當作參考’圖2中的其他元件將進_步加以說明。圖 2中’D.L表不信號線（data lines)14、其係被施加一雙 極信號電壓（bip〇lar Slgnal v〇ltage);而gl表示掃描 線11、其係被施加一掃猫信號（scanning Slgnal) 〇clc表 不一電何電容 '其係儲存於畫素電極和普通電極之間隔 中；而Cst表示一電荷電容、其係儲存於掃描線n的預定 部份及上層電容器電極14C之間隔中。 該開關元件係包括由掃描線丨丨分歧而產生的一閘電極 11 a，一閘極絕緣膜（圖中並未顯示）被形成於包括有掃描 線11之第一基層之全部表面上，一半導體層13被以遠端島 片形狀、於閘電極1 1 a之上的閘極絕緣膜上面形成之，源/ 汲電極14a及14b則分別被形成於半導體層13之二端。該半 導體層1 3主要由一非結晶矽為基底所製造的薄膜電晶體。

要完成一LCD裝置’上述形態的陣列基層必須和一具 有黑矩陣、紅、綠、藍彩色濾光片層之彩色濾光片基層相 連結’並須有一 I T0基材之普通電極被形成，以及在連結 的兩個基層之間、數um的空j内，注入液晶材料。 594304 —--------室號 9Π14415 年 月 五、發明說明（5) 題。然而’上述相關技藝之LCD裝置，具有如下所述的問 努力電ϊ的降低而來減少的變化，雖然此種 斗、貝^仃者，然而面板的Z\Vp值仍變得不均 、σ 電容的偏差所致。此種電容偏差是由於門Φ 4 源/ >及電極矣本ρ、、隹& ;閘電極和 电枝失去；k準所引起的，而其起因 ^ 臨界尺寸（critlVw · ，、、口又要知咎於整個 itical dimension, CD)和日3 相伞化亡 程誤差所致。 …、相千版印刷的製 w些問題在大螢幕、大尺寸元件會更加 其是造成書面卩4 ^ t > ”、、、出來。尤

裝r舌： 晝像壳度不均勻的問題，皆曰I 衣置取重要的問題點， 白疋顯不 性。 U而會大大減低顯示裝置的可靠 〔發明 上排除 本 地保持 裝置。 為 如具體 裝置包 並且定 份之電 溥膜電 概要〕 如所述，本發 相關技藝的限 發明之目的係 △ Vp值，進而 了達到上述本 實施例及在此 括有：形成於 義為一晝素區 容器電極，一 明 制 在 提 #旨在針對液晶 &缺點所引起的 藉由對寄生電容 $ 一具有提昇畫 明之目的、以及 做廣泛之敘述， ~基層上之掃描 ^號線，一形成 成4 ;^掃描線及信 域中之晝 顯示裝置，從本質 諸問題。 ' 偏差的補償、均勻 像品質的液晶顯示 其他一些優點， ^發明之液晶顯示 、’、，與掃描線相交 於掃描線之預定部 唬線所相交部份 t電極’及—被故 晶體，一 形成

第10頁 594304 案號 91Π4415 年 月 曰 修正 五、發明說明（6) 置於第一及第二基層相向之中間的液晶層。該掃描線具有 一或多個第一補償圖案及數據線，以及電容器電極具有一 或多個第二補償圖案。 在本發明中，須使用照相平版印刷製程以形成薄膜電 晶體的源/汲電極，而在照相平版印刷製程中會因為誤差 的發生而使寄生電容改變。為了補償寄生電容所改變的 值，該電容器電極必須與源/汲電極作相同程度的偏移。 一如所述，當閘電極和源/汲電極重疊的尺寸改變 時，則電容器電極之第二補償圖案和掃描線之第一補償圖 案重疊的尺寸也會隨之改變。亦即，該儲存電容會自動地 補償該寄生電容。 第一及第二補償圖案會依據薄膜電晶體的通道形狀而 改變。若該通道具有一 π Γ或n Ln字形狀，則該第一及第二 補償圖案具有一突起及凹陷的形狀。若該通道具有 一"ΙΓ字形狀，則該第一及第二補償圖案亦相同地具有 一 n D"字形狀。 在此必須聲明的是，有關本發明之前面所描述的、以 及隨後的詳細說明，都可看成是典範性的解說；而最後申 請專利範圍部份，則可作為本發明的進一步說明。

乃4川4 修正 曰 案號 911144Β 五、發明說明（7) =視圖。圖3所顯示的是一補充電容型式之液晶顯示裝 罝。 如圖3所不’該液晶顯示裝置係包括有陣列基層及彩 光片基層相對並排，並有一液晶層形成於該二者之 —用來阻止光滲漏的黑矩陣（black 、以及一 選擇性地穿透光線而顯示色彩的紅、綠、及藍色 ’ ，β)彩色濾光片層，此二者被形成於彩色濾光片基層 夕f ° 一由170作成的普通電極則被形成於彩色濾光片層 ^ JL ° 知描線被形成於陣列基層上，其並具有一或多個第一 y ^ Q圖案。一閘極絕緣膜（圖中未顯示）被形成於包含有掃 s . n 1的陣列基層的整個表面上，其乃藉由例如S i Nx及 I =的，機絕緣膜沉積而獲致的。信號線24被形成於與掃 :认相乂、且各交點定義為一畫素區。一薄膜電晶體被形 :由掃描線2 1及信號線24的交叉部份，其具有閘電極 及源/汲電極24a及24b。—上層電容器電極μ。具有一 夕個第一補彳貝圖案，其乃與信號線2 4以及薄膜電晶體的 及電極24a和24b同時間形成的，且被放置於掃描線21 預定部份。-鈍化膜（圖中未顯示）被形成於包含有薄 =電晶體的基層之整個表面上，其乃藉由例如bcb及壓克 =树知的有機絕緣膜、或藉由例如SiNx&Si〇x的無機絕緣 :二：預定厚度沉積而獲致的。-由氧化㈣（ιτο)

:薄膜；Ϊ電極29係猎由第一接觸孔27及第二接觸孔28而 體及相鄰的上層電1器電極24C遠接，而該第

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:第—接觸孔2 7、2 8係藉由選擇性地除去該鈍化膜而形 成的。 ^ 4 Ή日體包括冑：由掃描線2 1發散而來的-閘電 托ρ 一形成於包含有掃描線2 1的基層之整體表面的閘 则中並未顯示）、-形成於上層問電極…上之 :駚：、彖膜上的遠離島狀片的半導體層23、以及形成於半 V _曰23之一端的源/汲電極24a及。該由半導體層23 形成的通道，其具有一”丨，，字形狀。 掃描線2 1及化號線2 4係由例如銀、銅、鎢、鉬、鈦、 钽;及鋁的低電阻金屬，藉由一濺鍍程序的沉積而形成， 然後以照相平版印刷製程來形成圖案。 〇σ在本發明之液晶顯示裝置中，額外地提供一儲存電容 為用以阻止儲存於液晶中電壓的下降，該電壓的發生係由 $在閘電極21 a和源/汲電極24a及2 4b之交錯部份的寄生電 合所產生的。該儲存電容器包括有：由掃描線2丨的一部份 所構成的下層電容器電極、一上層電容器電極24C、及一 被置入於掃描線21及上層電容器電極24C之間的閘極絕緣 膜。 二個補償圖案係個別地被形成於掃描線2 1上面及上層 電容器電極24C上面，以補償寄生電容增加或減少的影響 而保持△ V p值在一均勻值；該寄生電容的增加或減少，乃 肇因於照相平版印刷製程時閘電極2 1 a和源/没電極2 4 a及 24b之失去校準（mis-aiignment)所引起的。換言之，當由 閘電極21 a和源/汲電極24a及24b重疊的尺寸改變時，由第 一補償圖案和第二補償圖案重疊的尺寸亦隨之改變。亦

第13頁 月 曰 案號 91114415 五、發明說明（9) 即，，儲存電容自動地隨著寄生電容作相 〜 乐—及第二補償圖案二者皆具有突出 ^的改變。 一一補償圖案比第一補償圖案較寬。又，凹形狀，但 弟—補償圖案有部份重疊。 弟二補償圖案與 第一及第二補償圖案結構 形狀的薄膜電晶體而策劃的，閘=21a^由考慮字 及24b的重疊尺寸並不會由垂直:電：，汲電極24a (=ls —allgnment)而發生改變，但卻會由去校準 引起的失去校準（· 射側的偏移所 又：2 llg_nt)而作-大幅度改變 容器=電容器包括掃描線21的-部份，-… Π C，及一被置入於他們之間的絕緣膜2?。〃'-電 之所以能儲存在儲存電容器，乃由於、:電荷 及由信號賴施加電壓至上層電容器電極之於^描線21 曰曰 的‘T=面Λ寄生電容…會大大影響液 而AVp又疋與面板特性及畫像品質有密切關係 1 △Vp = [Cgs/(Cgs + Cst + Clc)] AVg 變，丰若每一晝素的寄生電容Cgs不規則地改 伙1 p ΐ 一旦的直流電壓偏移AVp亦會改變並引發一些 ^ ρ碭、例如畫面閃爍及影像殘留。因此， U補彳員寄生電容Cgs的改變、並使得整個面 △ V P保持均勻。 、 對於補償圖案，若寄生電容Cgs增加，則儲存電容器 第14頁 594304 一 —__安虢 91114415_色月 曰_修正 五、發明說明（10) 電容增加；又若該寄生電容減少，則儲存電容器電容減 少。因此，吾人可得到下列公式（2 ) ·· △Vp (Cgs+Cgs)/[(Cgs+Cgs)+(Cst+Cst)+Clc；n AVg 使用掃描線2 1的一部份作為儲存電容器電極之方法被 稱為補充電容型式（Supplement capacitance type)。在 這型式中，因不需要另一分離的電極使用於儲存電容 器，故其製程可以簡化許多。 同時’本發明之技術特徵不僅可應用於促成上層電容 杰電極2 4 C電氣連接到晝素電極2 9之結構，亦可應用於促 成上層電容器電極24C及晝素電極29形成於同一單體之結 構。 圖4所 乃包括 一下層 補償圖 重疊， 線31與 的改變 均勻一 一及第 償圖案 管通常 示，依據 有：掃描 電容器電 案、而該 及一絕緣 上層電容 、與寄生 致。 二補償圖 比第一補 容器， 身作為 有第二 有部份 於掃描 存電容 被保持 第 第二補 儘 補償圖案 本發明之第二較佳實施例之儲存電 線3 1其係具有第一補償圖案、且本 極’一上層電容器電極39a其係具 第二補償圖案與上述第一補償圖案 膜（閘極絕緣膜及鈍化膜）其被置入 器電極39a之間。該儲存電容器儲 電容的改變程度相同，因此AVp可 案二者皆具有突出及凹陷形狀’但 償圖案較寬。 有如圖3及圖4所示，但仍有複數 594304 _ 案號 91114415 五、發明說明（11) 的補償圖案55可被應用於如圖5所顯示的第三較佳實施例 中，其乃利用較窄的線路會增加電阻的原理。 本發明可被應用於"L”或"U”字形狀之薄膜電晶體，也 可應用於"厂’字形狀薄膜電晶體。該” L"及” F字形狀薄膜 電晶體具有-改進結構可控制晝面閃燦或影像殘留，此係 在，相平版印刷製程中、藉由降低掃描線及源/没電極之 重豐尺寸而獲致的改良結構。特別是，在πϋ"字形狀 電晶f中其具有相當有效的結構改良，對於照相平版印刷 變化，可加以控制。的圖案失去校準而引起的… 在"L”或” U”字形狀薄膜電晶體中，鉦认 改變仍然會產生。故本笋明 …响如何，AVp的 △ VP變化均句，其乃藉：對於每：：：乃是被應用於保持 變與寄生電f的改變，作相同程度^變使儲存電容的改 a宰在Ϊ::M該用來補償薄膜電晶體的寄生電容的補产 :爾不同的薄膜電晶體通道結構，而作改:Γ 換言之，如圖6中所一、 ， 中，提供於掃描線41的二L”字形狀的薄膜電晶體 形狀；而提供於上層 。/彳員圖案、具有一突起及凹陷 -比第-補償圖案較；二電極44C的第二補償圖案具有 償圖案有部份重疊。的大起及凹陷形狀。第一及第二補 因此，若寄生電容卢 $ —補' 償圖案及第二補俨=:加，則儲存電容Cst亦隨著 -^1^_£重疊的尺寸增加而增加。

第16頁 電極44a及44b皆向左 π相平版印刷製程中由於源/汲 修正 皇號 91114415 五、發明說明（12) 償R = ^ ϋ"字形狀薄膜電晶體中，提供於掃描線的第一補 字形狀；並且，提供於上層電容器電極 有部份；ί亦具有一 υ"字形狀、其與第-補償圖案 電βΪ言ΐ:如圖7所示’具有45。通道的"U”字形狀薄膜 餅：：、：生電容Cgs不會隨著源/汲電極74a及7仏的側 Κ π 改變，但卻會由於45。·移而有巨大的 起的改温此’-補償圖案被提供去補償那些45。偏移所引 電晶1發=可被應用於具有45。通道的，'U”字形狀薄膜 也可應用於具有。。或90。通道的"U"字形狀薄膜, 用掃：器結構是補充電容型式，其係使 平兩綠作為一下層電容器雷極去· 可應用於儲存電容型式、其下層容ς日月之技術特徵亦 的。 卜增％奋益電極乃分開被形成 層電:示裝置包括有：掃描線81，-下 薄膜電：體。妨介 4，—上層電容器電極84C，- 將电日日體，一鈍化膜（圖中未顯示）， 该掃描線81被形成於基層上。該下層，—畫素電極89。 成於與掃描線81成平行，且具有一 ^夕&器電極81 C被形 仏號線84被安排與掃描線8丨交叉、且二，的補償圖案。該 素區域。該上層電容器電極8代被形成二又點定義為-畫 以之-預定部份 '且具有一或多個第二;^電容器電極 $電晶體被形成於掃描錄知往躲娩0 4補償圖案。該涛 594304

—___ 案號 9111441^ 五、發明說明（13) 1匕膜（圖中並未顯不）被形成於基層的整個表面，其包含 薄膜電晶體。該晝素電極89經由第—及第二接觸孔而連 ，每一個薄膜電晶體、以及該上層電容器電極84C，而 等接觸孔係經由選擇性的去除鈍化祺所形成的。 —，下層電容器電極81C被形成於與掃描線81及該上屏 電容器電極84C被形成的同_，也就是信號及源/沒9 極84a及84b被形成的同時。下層及上層電容器電極二者比 I由例如銀、銅、鶴、銦、鈦、组、及在呂的低電阻金/ 精由-濺鍍過程、沉積而形& ’接著再由照相平版 制 程使他們形成圖案。 衣 同時，該上層及下層電容器電極81C及84C具有一閘 絕緣膜置入於他們中間且該閘極絕 器、以保持儲存在液晶中的電荷。該提供：上層及子；； 容器電極8K及84C的第一及第二補償圖案，藉由補償每： 畫素的寄生電容的内偏差，而來保持每一畫素的值均 勻一致。如此，螢幕問題例如畫面閃爍及影像殘留，可被 該薄膜_電晶體包括有··一閘電極8丨a，一閘極絕緣膜 (圖“中未顯不），一半導體層83 ’及源/汲電極8“及8‘b。 該薄膜電晶體具有三種不同形狀（亦即，"〗，，字形狀薄膜電 晶體、"L”字形狀薄膜電晶體及"u,,字形狀薄膜電晶體）， 其乃依據不同的通道結構、亦即問電極仏及源/沒電極 84a及84b的圖案之改變而有所不同。此時，μ補償圖 案，具^和薄膜電晶體通道圖案相同的形狀。 一_如前所述，本發明之液晶顯示裝置为苴制；告方法，具

594304 __案號 91114415_年月日__ 五、發明說明（14) 有如下述之種種優點。 第一，對於本發明之液晶顯示裝置，該補償圖案係被 用以補償寄生電容之内部偏差。據此，整個面板上之AVp 值能被維持均勻一致，因而晝面閃爍、影像殘留、以及螢 幕亮度不均勻的問題點皆已獲致解決，最終則導致晝像品 質的提昇。 第二，由於面板特性及影像特性的提昇，具有大面積 ~ 及大螢幕的液晶顯示裝置、其晝質的可靠性，也隨之增 · 加。 第三，關於晝像品質低劣問題，為了較好的晝質甚至 _ 將薄膜電晶體改型為n Lπ字形狀或n Uπ字形狀都未能解決 此問題，但經由本發明之補償寄生電容之改變，卻可由根 本將此問題排除之。 對於熟習此技術的人士，很顯然可以對本發明施予各 種修改與變化，而不偏離本發明的精神或範圍。因此，任 何對本發明的修改與變化，若是符合所附申請專利範圍與 其等義的界定範圍内，均為本發明所涵蓋。

第19頁 594304 案號 91114415 圖式簡單說明

年月 B 修正 太：：t圖 <，乃在提供使進一步瞭解本發明、並構成 本务明申印文件之一部份。目式用以說明本發明之呈體J 施例及描述本發明之原理。在此等圖式中： 、 圖1所顯示為一相關技術之LCD平面視圖。 圖2所顯示為一晝素的對等電路圖。 圖3所顯示為本發明LCD裝置之第—較佳實施例平面視 圖 。 圖4所顯示為本發明LCD裝置之第二較佳實施例平面視 圖。 圖5所顯示為本發明LCD裝置之第三較佳實施例平面視 圖。 、 圖6所顯示為本發明LCD裝置之第四較佳實施例平面視 圖。 圖7所顯示為本發明LCD裝置之第五較佳實施例平面視 圖。 圖8所顯示為本發明LCD裝置之第六較佳實施例平面視 圖 。 圖號說明 掃描線 11 21 31 41 81 閘電極 1 la 21a 81a 半導體層 13 23 83 信號線 14 24 84

第20頁 594304 案號 91114415 年 月 曰 修正 圖式簡單說明 源電極 14a 24a 44a 74a 8 4a 汲電極 14b 24b 44b 74b 84b 上層電容器電極 14c 39a 44c 84c 接觸孔 17 1 8 2 7 28 下層電容器電極 24c 81c 晝素電極 3 9 8 9 參

第21頁

Claims (1)

1. 594304 _案號91114415_年月曰 修正 六、申請專利範圍 一補償圖案與第二補償圖案係為部分重疊。 :接 第連 圍氣 範電 利以 專係 言 骨 申曰ΒΒ 如電 ).膜 6 薄 該 中 其 置 裝 示 顯 晶 液 之 述 所 項 極 ^6- 素 畫 =口 至 該償 若補 中二 其第 ，及 置一 裝第 示該 顯則 晶 5 液道。 之通h 述狀W m/形之 項二 11 " 第MI凹 圍一及 範有起 利具突 專體一 請晶有 申電具 如膜案 •薄圖 8.如申請專利範圍第7項所述之液晶顯示裝置，其中該第 二補償圖案具有一比第一補償圖案較寬的突起及凹陷之形 狀0 9.如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中若該 薄膜電晶體具有一 n L”字形狀通道，則該第一及第二補償 圖案具有一突起及凹陷之形狀。 1 0.如申請專利範圍第9項所述之液晶顯示裝置，其中該第 二補償圖案具有一比第一補償圖案較窄的突起及凹陷之形 狀。 Π .如申請專利範圍第1項所述之液晶顯示裝置，其中若該 薄膜電晶體具有一 n U"字形狀通道，則該第一及第二補償 圖案亦具有一” U”字形狀。

   第23頁 594304 _案號9Π14415_年月日__ 六、申請專利範圍 1 2. —種液晶顯示裝置，其係包括： 掃描線及信號線，彼等被放置於第一基層上相互交叉、各 交叉處定義一晝素區域； 一下層電容器電極，其被形成於晝素區之預定部分，具有 一或多個第一補償圖案； 一上層電容器電極，其被形成於下層電容器電極之上、且 其和下層電容器電極之間置入一絕緣膜，具有一或多個第 二補償圖案； 一薄膜電晶體，其被形成於掃描線及信號線之交叉部分， 包括有一閘電極及源/汲電極； 一晝素電極，其被形成於晝素區域之中、且連接至該薄膜 電晶體和該上層電容器電極；及 一液晶層，其被形成於彼此相對並排之第一基層及第二基 層之間。 1 3.如申請專利範圍第1 2項所述之液晶顯示裝置，其中該 下層電容器電極平行於掃描線。 1 4.如申請專利範圍第1 2項所述之液晶顯示裝置，其中該 下層電容器電極和掃描線同時被形成。 1 5.如申請專利範圍第1 2項所述之液晶顯示裝置，其中該 上層電容器電極和薄膜電晶體之源/汲電極同時被形成。

   第24頁 594304 案號 91Π4415 曰 修正 申請專利範圍 1 6.如申請專利範圍第1 2項所述之液晶顯示裝置，其中該 第一補償圖案與第二補償圖案係為部分重疊。 1 7.如申請專利範圍第1 2項所述之液晶顯示裝置，其中若 該薄膜電晶體具有一 π IΜ字形狀通道，則該第一及第二補 償圖案具有一突起及凹陷之形狀。 1 8.如申請專利範圍第1 7項所述之液晶顯示裝置，其中該 第二補償圖案具有一比第一補償圖案較寬的突起及凹陷之 形狀。 1 9.如申請專利範圍第1 2項所述之液晶顯示裝置，其中若 該薄膜電晶體具有一"Ln字形狀通道，則該第一及第二補 償圖案具有一突起及凹陷之形狀。 2 0.如申請專利範圍第1 9項所述之液晶顯示裝置，其中該 第二補償圖案具有一比第一補償圖案較窄的突起及凹陷之 形狀。 2 1.如申請專利範圍第1 2項所述之液晶顯示裝置，其中若 該薄膜電晶體具有一"ΙΓ字形狀通道，則該第一及第二補 償圖案亦具有一” U”字形狀。

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